JPH0191514A - Static magnetic wave device - Google Patents
Static magnetic wave deviceInfo
- Publication number
- JPH0191514A JPH0191514A JP24933987A JP24933987A JPH0191514A JP H0191514 A JPH0191514 A JP H0191514A JP 24933987 A JP24933987 A JP 24933987A JP 24933987 A JP24933987 A JP 24933987A JP H0191514 A JPH0191514 A JP H0191514A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- electromagnet
- wave device
- magnetostatic wave
- iron core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 239000002223 garnet Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特に磁界が印加されたと
えば体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ） 、体積後退静磁波
（ＭＳＢＶＷ）および表面静磁波（ＭＳＳＷ）などのモ
ードの静磁波が伝搬される静磁波装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a magnetostatic wave device, in particular to a magnetostatic wave device in which a magnetic field is applied, such as a volume forward magnetostatic wave (MSFVW), a volume backward magnetostatic wave (MSBVW) and a surface magnetostatic wave (MSSW). The present invention relates to a magnetostatic wave device in which magnetostatic waves of modes such as the following are propagated.
（従来技術） 第７図は従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。(Conventional technology) FIG. 7 is an illustrative diagram showing an example of a conventional magnetostatic wave device.
この静磁波装置１では、ＹＩＧ （イツトリウム、アイ
アン、ガーネット）基板２に電磁石３で磁界が印加され
る。In this magnetostatic wave device 1, a magnetic field is applied to a YIG (yttrium, iron, garnet) substrate 2 by an electromagnet 3.
（発明が解決しようとする問題点）
このような従来の静磁波装置では、それをたとえばフィ
ルタなどとして用いてその周波数をたとえば２〜２０Ｇ
Ｈｚの範囲で変化したい場合には、磁界をたとえば１０
００〜８０００Ｇａｕｓｓの範囲で変化できるようにし
なければならないため、大きい電磁石が必要となり全体
が大きくなってしまう。(Problems to be Solved by the Invention) In such a conventional magnetostatic wave device, it is used as a filter to change the frequency, for example, from 2 to 20G.
If you want to vary the magnetic field in the Hz range, for example 10
Since it is necessary to be able to change the value in the range of 00 to 8000 Gauss, a large electromagnet is required, which increases the overall size.
それゆえに、この発明の主たる目的は、小型化が可能な
静磁波装置を提供することである。Therefore, the main object of the present invention is to provide a magnetostatic wave device that can be miniaturized.
（問題点を解決するための手段）
この発明は、磁界が印加される静磁波装置において、磁
界を電磁石と永久磁石とで印加するようにした、静磁波
装置である。(Means for Solving the Problems) The present invention is a magnetostatic wave device in which a magnetic field is applied using an electromagnet and a permanent magnet.
（作用） 電磁石と永久磁石とで磁界が印加される。(effect) A magnetic field is applied by an electromagnet and a permanent magnet.
（発明の効果）
この発明によれば、電磁石のみで磁界を印加する従来例
に比べて、従来例と同じ強さの磁界を印加するためには
、電磁石の大きさを小型にすることができる。そのため
、静磁波装置の小型化が可能となる。(Effects of the Invention) According to this invention, compared to a conventional example in which a magnetic field is applied only using an electromagnet, the size of the electromagnet can be made smaller in order to apply a magnetic field of the same strength as the conventional example. . Therefore, it is possible to downsize the magnetostatic wave device.
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.
（実施例）
第１図および第２図は、それぞれ、この発明の一実施例
を示し、第１図はその図解図であり、第２図はその要部
斜視図である。この静磁波装置１０は、ＹＩＧ基板１２
を含む。このＹＩＧ基板１２としては、たとえば、ＧＧ
Ｇ （ガドリニウム。(Embodiment) FIGS. 1 and 2 each show an embodiment of the present invention, with FIG. 1 being an illustrative view thereof, and FIG. 2 being a perspective view of the main part thereof. This magnetostatic wave device 10 includes a YIG substrate 12
including. As this YIG substrate 12, for example, GG
G (Gadolinium.
ガリウム、ガーネット）基板の一方主面にＹＩＧ薄膜が
形成されたものが利用される。A YIG thin film is formed on one main surface of a (gallium, garnet) substrate.
さらに、このＹＩＧ基板１２の近傍には、電磁石１４の
一部を構成する断面ｒＣＪ字形の鉄心１６が設けられる
。この場合、鉄心１６はその端面１６ａおよび１６ｂが
ＹＩＧ基板１２の両生面にそれぞれ対向するように設け
られる。さらに、鉄心１６の両端部の周囲には、コイル
１８ａおよび１８ｂがそれぞれ形成される。したがって
、鉄心１６、コイル１８ａおよび１８ｂによって、電磁
石１４が構成される。この場合、この実施例では、電磁
石１４は、それによってＹＩＧ基板１２の厚み方向にた
とえばＯ〜３５００Ｇａｕｓｓの磁界を印加することが
できるように構成される。そのため、この電磁石１４は
、第７図に示す従来例の電磁石より小型に形成され得る
。Furthermore, an iron core 16 having an rCJ-shaped cross section and forming a part of the electromagnet 14 is provided near the YIG substrate 12 . In this case, the iron core 16 is provided so that its end surfaces 16a and 16b are opposed to the bidirectional surfaces of the YIG substrate 12, respectively. Further, coils 18a and 18b are formed around both ends of the iron core 16, respectively. Therefore, the electromagnet 14 is constituted by the iron core 16 and the coils 18a and 18b. In this case, in this embodiment, the electromagnet 14 is configured such that it can apply a magnetic field of, for example, O to 3500 Gauss in the thickness direction of the YIG substrate 12. Therefore, this electromagnet 14 can be formed smaller than the conventional electromagnet shown in FIG.
さらに、鉄心１６の両端部には、凹部１９ａおよび１９
ｂがそれぞれ形成される。これらの凹部１９ａおよび１
９ｂには、その端面が鉄心１６の端面１６ａおよび１６
ｂと面一になるように、たとえば希土類金属からなる永
久磁石２０ａおよび２０ｂが、それぞれ固着される。こ
の場合、この実施例では、永久磁石２０ａおよび２０ｂ
は、それによってＹＩＧ基板１２の厚み方向にたとえば
４５００Ｇａｕｓｓの磁界を印加することができるよう
に構成される。Furthermore, recesses 19a and 19 are provided at both ends of the iron core 16.
b are formed respectively. These recesses 19a and 1
9b has an end surface that is connected to the end surfaces 16a and 16 of the iron core 16.
Permanent magnets 20a and 20b made of, for example, a rare earth metal are fixed so as to be flush with b. In this case, in this embodiment, permanent magnets 20a and 20b
is configured so that a magnetic field of, for example, 4500 Gauss can be applied in the thickness direction of the YIG substrate 12.
したがって、この静磁波装置１０では、電磁石１４から
の磁界を永久磁石２０ａおよび２０ｂからの磁界の方向
と同じ方向にかつ最大にすることによって、ＹＩＧ基板
１２の厚み方向にそれらの磁界の和のたとえば８０００
Ｇａｕｓｓの磁界を印加することができる。また、電磁
石１４からの磁界を永久磁石２０ａおよび２０ｂからの
磁界の方向と逆方向にかつ最大にすることによって、Ｙ
ＩＧ基板１２の厚み方向にそれらの磁界の差のたとえば
１０００Ｇａｕｓｓの磁界を印加することができる。す
なわち、この静磁波装置１０では、電磁石１４と永久磁
石２０ａおよび２０ｂとによって、ＹＩＧ基板１２の厚
み方向（第２図の矢印Ｈ０で示す方向）にたとえば１０
００〜８０００Ｇａｕｓｓの磁界を印加することができ
る。Therefore, in this magnetostatic wave device 10, by maximizing the magnetic field from the electromagnet 14 in the same direction as the magnetic fields from the permanent magnets 20a and 20b, the sum of the magnetic fields is e.g. 8000
A Gaussian magnetic field can be applied. Moreover, by maximizing the magnetic field from the electromagnet 14 in the direction opposite to the direction of the magnetic fields from the permanent magnets 20a and 20b, Y
A magnetic field having a difference of 1000 Gauss, for example, can be applied in the thickness direction of the IG substrate 12. That is, in this magnetostatic wave device 10, for example, 10
A magnetic field of 0.00 to 8000 Gauss can be applied.
さらに、ＹＩＧ基板１２上には、第２図に示すように、
入力用アンテナ２２が形成される。したがって、このア
ンテナ２２にたとえばマイクロ波などの信号を供給すれ
ば、体積前進静磁波が第２図の矢印にで示す方向に伝搬
される。なお、ＹＩＧ基板１２上には入力用アンテナ２
２から矢印にで示す静磁波の伝搬方向に間隔を隔てて出
力用アンテナ（図示せず）が形成されていて、この出力
用アンテナによって伝搬された静磁波が出力信号として
取り出される。Furthermore, as shown in FIG. 2, on the YIG substrate 12,
An input antenna 22 is formed. Therefore, when a signal such as a microwave is supplied to the antenna 22, a volumetric forward magnetostatic wave is propagated in the direction indicated by the arrow in FIG. Note that an input antenna 2 is provided on the YIG board 12.
Output antennas (not shown) are formed at intervals in the propagation direction of the magnetostatic waves indicated by arrows 2 and 2, and the magnetostatic waves propagated by the output antennas are extracted as output signals.
この静磁波装置１０では、ＹＩＧ基板１２にたとえば１
０００〜８０００ＧａｕＳＳの磁界を印加することがで
きるので、それをたとえばフィルタとして用いれば、そ
の周波数をたとえば２〜２０ＧＨ，の範囲で変えること
ができる。In this magnetostatic wave device 10, for example, one
Since a magnetic field of 000 to 8000 GauSS can be applied, if it is used as a filter, for example, the frequency can be changed in the range of 2 to 20 GH.
このように、この静磁波装置１０では、その周波数の可
変範囲が同じである第７図に示す従来例に比べて、電磁
石を小型にすることができるため、全体を小型にするこ
とができる。In this way, in this magnetostatic wave device 10, the electromagnet can be made smaller compared to the conventional example shown in FIG. 7, which has the same frequency variable range, so the overall size can be made smaller.
また、この実施例では、永久磁石２０ａおよび２０ｂが
電磁石１４の鉄心１６の両端部の一部分のみに形成され
ているので、’ＩＩＮＧ基板１２には磁界が不均一に印
加される。そのため、この実施例では、静磁波の分散性
を制御することができる。Further, in this embodiment, since the permanent magnets 20a and 20b are formed only at a portion of both ends of the iron core 16 of the electromagnet 14, a magnetic field is applied to the IING substrate 12 non-uniformly. Therefore, in this embodiment, the dispersion of magnetostatic waves can be controlled.
すなわち、静磁波は、磁気共鳴周波数ｆ０で現れこの周
波数ｆ、から離れるにつれて指数関数的にその性質を失
う。これは静磁波が基本的に分散性を有していることを
意味している。そして、静磁波が伝搬されるＹＩＧ基板
１２に磁界を不均一に印加することによって、その分散
性を制御することができるのである。しかも、このよう
にＹＩＧ基板１２に磁界を不均一に印加すれば、伝搬損
を軽減することもできる。That is, a static magnetic wave appears at a magnetic resonance frequency f0 and loses its properties exponentially as it moves away from this frequency f. This means that magnetostatic waves basically have dispersion properties. By non-uniformly applying a magnetic field to the YIG substrate 12 through which the magnetostatic waves are propagated, the dispersibility of the magnetostatic waves can be controlled. Moreover, by applying the magnetic field non-uniformly to the YIG substrate 12 in this way, propagation loss can also be reduced.
一方、ＹＩＧ基板１２に磁界を不均一に印加すれば、そ
の不均一な磁界中に静磁波を閉じ込めることができるた
め、静磁波装置１０を長時間の静磁波遅延線として用い
ることができる。また、ＹＩＧ基板１２に磁界を不均一
に印加することによって、静磁波装置１０を共振器とし
て用いる場合には、そのＱを高くすることができ、静磁
波装置１０をフィルタバンクに利用する場合には、その
特性の微調整を行うことができる。On the other hand, if a magnetic field is non-uniformly applied to the YIG substrate 12, magnetostatic waves can be confined within the non-uniform magnetic field, so the magnetostatic wave device 10 can be used as a magnetostatic wave delay line for a long time. Furthermore, by applying a magnetic field non-uniformly to the YIG substrate 12, when the magnetostatic wave device 10 is used as a resonator, its Q can be increased, and when the magnetostatic wave device 10 is used as a filter bank, the Q of the magnetostatic wave device 10 can be increased. allows fine-tuning of its properties.
なお、上述の実施例では、電磁石１４の鉄心１Ｇの端面
１６ａおよび１６ｂと永久磁石２０ａおよび２０ｂの端
面とが面一に形成されているが、鉄心１６の端面１６ａ
および１６ｂと永久磁石２０ａおよび２０ｂの端面とは
段差状に形成されてもよい。In the above embodiment, the end surfaces 16a and 16b of the iron core 1G of the electromagnet 14 and the end surfaces of the permanent magnets 20a and 20b are formed flush with each other.
16b and the end surfaces of the permanent magnets 20a and 20b may be formed in a stepped shape.
たとえば、第３図に示すように、電磁石１４の鉄心１６
に形成される凹部１９ａ（１９ｂ）の深さを深く形成し
たり永久磁石２０ ａ （２０ｂ）の厚みを厚くしたり
して、永久磁石２０ ａ （２０ｂ）の端面が鉄心１
４の端面１６ａ（１６ｂ）より内側になるように形成さ
れてもよく、また、第４図に示すように、電磁石１４の
鉄心１６の端面１６ａ（１６ｂ）を平坦に形成し、その
端面１６ａ（１６ｂ）に電磁石２Ｑａ（２０ｂ）・を固
着して、電磁石の２０ ａ （２０ｂ）端面が鉄心１６
の端面１６ａ（１６ｂ）より外側になるように形成され
てもよい。For example, as shown in FIG.
By making the depth of the recess 19a (19b) deep or increasing the thickness of the permanent magnet 20a (20b), the end face of the permanent magnet 20a (20b) is
Alternatively, as shown in FIG. 4, the end surface 16a (16b) of the iron core 16 of the electromagnet 14 may be formed flat, and the end surface 16a ( Electromagnet 2Qa (20b) is fixed to 16b) so that the 20a (20b) end face of the electromagnet is connected to the iron core 16.
It may be formed outside the end surface 16a (16b) of.
第３図に示すように永久磁石２０ ａ （２０ｂ）の端
面を鉄心１６の端面１６ａ（１６ｂ）より内側に形成す
れば、ＹＩＧ基板１２に印加される磁界の不均一性を弱
めることができ、逆に、第４図に示すように永久磁石２
０ａ （２０ｂ）の端面を鉄心１６の端面１６ａ（１
６ｂ）より外側に形成すれば、その不均一性を強めるこ
とができる。As shown in FIG. 3, if the end face of the permanent magnet 20a (20b) is formed inside the end face 16a (16b) of the iron core 16, the non-uniformity of the magnetic field applied to the YIG substrate 12 can be weakened. Conversely, as shown in Figure 4, the permanent magnet 2
0a (20b) to the end face 16a (1
6b) If formed on the outside, the non-uniformity can be strengthened.
また、上述の実施例では、ＹＩＧ基板１２の厚み方向に
磁界が印加されて体積前進静磁波が伝搬される静磁波装
置について説明したが、この発明は、たとえば、第５図
に示すように、ＹＩＧ基板１２の面方向に平行しかつ矢
印にで示す静磁波の伝搬方向と直交する方向（第５図の
矢印Ｈ０で示す方向）に磁界を印加して体積後退静磁波
が伝搬される静磁波装置、あるいは、第６図に示すよう
に、ＹＩＧ基板１２の面方向に平行しかつ矢印にで示す
静磁波の伝搬方向に平行する方向（第６図の矢印Ｈ０で
示す方向）に磁界を印加して表面静磁波が伝搬される静
磁波装置についても適用される。この場合、ＹＩＧ基板
１２に対する電磁石１４および永久磁石２０ａ、２０ｂ
の位置を変えてＹＩＧ基板１２に印加される磁界の方向
を変えればよい。Further, in the above-described embodiment, a magnetostatic wave device was described in which a magnetic field is applied in the thickness direction of the YIG substrate 12 to propagate a volumetric forward magnetostatic wave, but the present invention, for example, as shown in FIG. A magnetostatic wave in which a volume receding magnetostatic wave is propagated by applying a magnetic field in a direction parallel to the surface direction of the YIG substrate 12 and orthogonal to the direction of propagation of the magnetostatic wave shown by the arrow (direction shown by the arrow H0 in FIG. 5). As shown in FIG. 6, a magnetic field is applied in a direction parallel to the surface direction of the YIG substrate 12 and parallel to the propagation direction of the magnetostatic wave shown by the arrow (direction shown by arrow H0 in FIG. 6). This also applies to magnetostatic wave devices in which surface magnetostatic waves are propagated. In this case, the electromagnet 14 and permanent magnets 20a, 20b for the YIG substrate 12
The direction of the magnetic field applied to the YIG substrate 12 may be changed by changing the position of the YIG substrate 12.
第１図および第２図は、それぞれ、この発明の一実施例
を示し、第１図はその図解図であり、第２図はその要部
斜視図である。
第３図および第４図は、それぞれ、第１図実施例の変形
例を示す要部図解図である。
第５図および第６図は、それぞれ、この発明が適用され
他のモードの静磁波が伝搬される静磁波装置の要部斜視
図である。
第７図は従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。
図において、１０は静磁波装置、１２はＹＩＧ基板、１
４は電磁石、２０ａおよび２０ｂは永久磁石を示す。
特許出顎人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 １） 全 啓
第 ７ 図
第３ 図FIG. 1 and FIG. 2 each show an embodiment of the present invention, with FIG. 1 being an illustrative view thereof, and FIG. 2 being a perspective view of its essential parts. 3 and 4 are illustrative views of essential parts, respectively, showing modifications of the embodiment of FIG. 1. FIG. 5 and 6 are perspective views of essential parts of a magnetostatic wave device to which the present invention is applied and in which magnetostatic waves of other modes are propagated. FIG. 7 is an illustrative diagram showing an example of a conventional magnetostatic wave device. In the figure, 10 is a magnetostatic wave device, 12 is a YIG substrate, 1
4 is an electromagnet, and 20a and 20b are permanent magnets. Patent jaw person Murata Manufacturing Co., Ltd. Representative Patent attorney Oka 1) Zen Kei 7 Figure 3
Claims (1)
とを特徴とする、静磁波装置。[Scope of Claim] A magnetostatic wave device to which a magnetic field is applied, characterized in that the magnetic field is applied by an electromagnet and a permanent magnet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62249339A JPH0758843B2 (en) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | Magnetostatic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62249339A JPH0758843B2 (en) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | Magnetostatic wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0191514A true JPH0191514A (en) | 1989-04-11 |
| JPH0758843B2 JPH0758843B2 (en) | 1995-06-21 |
Family
ID=17191547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62249339A Expired - Fee Related JPH0758843B2 (en) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | Magnetostatic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758843B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138905U (en) * | 1989-04-24 | 1990-11-20 | ||
| WO2023008383A1 (en) | 2021-07-28 | 2023-02-02 | 信越化学工業株式会社 | Spin wave excitation/detection structure |
| WO2023008382A1 (en) | 2021-07-28 | 2023-02-02 | 信越化学工業株式会社 | Method for manufacturing spin wave excitation/detection structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58138101A (en) * | 1981-12-31 | 1983-08-16 | トムソン−セエスエフ | Tunable selector using bulk magnetostatic wave |
| JPS6464410A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Hitachi Metals Ltd | Static magnetic wave variable resonator |
-
1987
- 1987-10-01 JP JP62249339A patent/JPH0758843B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58138101A (en) * | 1981-12-31 | 1983-08-16 | トムソン−セエスエフ | Tunable selector using bulk magnetostatic wave |
| JPS6464410A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Hitachi Metals Ltd | Static magnetic wave variable resonator |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138905U (en) * | 1989-04-24 | 1990-11-20 | ||
| WO2023008383A1 (en) | 2021-07-28 | 2023-02-02 | 信越化学工業株式会社 | Spin wave excitation/detection structure |
| WO2023008382A1 (en) | 2021-07-28 | 2023-02-02 | 信越化学工業株式会社 | Method for manufacturing spin wave excitation/detection structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758843B2 (en) | 1995-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3394924B1 (en) | Shaped magnetic bias circulator | |
| RU2594382C1 (en) | Adjustable microwave delay line on surface magnetostatic waves | |
| RU2697724C1 (en) | Functional element of magnonics | |
| US4782312A (en) | Mode selective magnetostatic wave resonators | |
| US2849687A (en) | Non-reciprocal wave transmission | |
| US6507249B1 (en) | Isolator for a broad frequency band with at least two magnetic materials | |
| JPH0191514A (en) | Static magnetic wave device | |
| JPS63275201A (en) | Magnetostatic device | |
| US2958055A (en) | Nonreciprocal wave transmission | |
| US4983936A (en) | Ferromagnetic resonance device | |
| JP2694440B2 (en) | Magnetic device | |
| US3063028A (en) | Enhanced gyromagnetic effect in nonreciprocal wave transmission | |
| CA1271237A (en) | Ferromagnetic resonator device | |
| JPS62224101A (en) | Magnetostatic wave filter bank | |
| RU2758000C1 (en) | Majority element on spin waves | |
| JP2517913B2 (en) | Ferromagnetic resonance device | |
| JP2672434B2 (en) | Magnetic device | |
| Fox | Notes on microwave ferromagnetics research | |
| JPH01130614A (en) | Magnetostatic wave device | |
| JP2508424B2 (en) | Ferromagnetic resonance device | |
| JP2504976Y2 (en) | Magnetostatic wave device | |
| US2979675A (en) | Non-reciprocal wave transmission | |
| JPH05175710A (en) | Temperature compensation type magnetostatic surface wave filter | |
| Hyben et al. | Coupled edge‐guided magnetostatic waves | |
| Thompson et al. | The Application of Planar Anistropy to Millimeter-Wave Ferrite Phase Shifters |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |