JPH0161266B2 - - Google Patents
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- JPH0161266B2 JPH0161266B2 JP57054527A JP5452782A JPH0161266B2 JP H0161266 B2 JPH0161266 B2 JP H0161266B2 JP 57054527 A JP57054527 A JP 57054527A JP 5452782 A JP5452782 A JP 5452782A JP H0161266 B2 JPH0161266 B2 JP H0161266B2
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- H03K23/665—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains with a base or radix other than a power of two with a variable counting base, e.g. by presetting or by adding or suppressing pulses by presetting
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は従来よりも少ない素子数あるいはゲー
ト数で構成されたプログラマブル分周回路を提供
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a programmable frequency divider circuit configured with fewer elements or gates than conventional ones.
第1図は従来から広く用いられているプログラ
マブル分周回路の論理構成図を示したもので、端
子Tはクロツクパルス入力端子であり、端子Q0,
Q1,Q2,Q3はそれぞれ1ビツト目のカウント出
力端子、2ビツト目のカウント出力端子、3ビツ
ト目のカウント出力端子、4ビツト目のカウント
出力端子であり、端子D0,D1,D2,D3はそれぞ
れ1ビツト目のプログラム端子、2ビツト目のプ
ログラム端子、3ビツト目のプログラム端子、4
ビツト目のプログラム端子である。 Figure 1 shows a logical configuration diagram of a programmable frequency divider circuit that has been widely used in the past.Terminal T is a clock pulse input terminal, terminals Q 0 ,
Q 1 , Q 2 , and Q 3 are the 1st bit count output terminal, the 2nd bit count output terminal, the 3rd bit count output terminal, and the 4th bit count output terminal, respectively, and the terminals D 0 and D 1 , D 2 , and D 3 are the 1st bit program terminal, the 2nd bit program terminal, the 3rd bit program terminal, and the 4th bit program terminal, respectively.
This is the bit-th program terminal.
第1図において、6個のNANDゲートによる
エツジトリガー型のTフリツプフロツプによつて
カウンタの単位ステージが構成され、プリセツト
信号が供給されたときに前記Tフリツプフロツプ
をセツトあるいはリセツトする2個のNANDゲ
ートを含めてステージあたり8個のNANDゲー
トを使つてプログラマブル分周回路が構成されて
いる。 In FIG. 1, a unit stage of a counter is constructed by an edge-triggered T flip-flop with six NAND gates, and two NAND gates are used to set or reset the T flip-flop when a preset signal is supplied. A programmable frequency divider circuit is constructed using eight NAND gates per stage.
第2図は第1図の論理構成をI2Lトランジスタ
(各トランジスタのインジエクタは便宜上省略し
てある。)によつて実現した回路結線図で、この
場合には全体で45個のI2Lトランジスタを必要と
し、ステージあたり11個と4分の1個のI2Lトラ
ンジスタが必要となる。 Figure 2 is a circuit connection diagram in which the logical configuration of Figure 1 is realized using I 2 L transistors (the injector of each transistor is omitted for convenience); in this case, a total of 45 I 2 L transistors are used. transistors, 11 and a quarter I 2 L transistors per stage.
本発明のプログラマブル分周回路はステージあ
たりのゲート数あるいは素子数を従来よりも大幅
に削減するもので、従来と同一機能を維持しつつ
素子数を削減することにより、システムの簡素化
あるいは消費電力の低減、さらには信頼性の向上
を可能ならしめるものでその構成は、セツト端子
とリセツト端子を備えた双安定回路と、前記双安
定回路の出力状態に応じて前段からのトリガ信号
を前記セツト端子および前記リセツト端子に供給
する第1および第2の一致ゲートとによつて構成
された単位ステージと、前記第1の一致ゲートあ
るいは前記第2の一致ゲートの出力を次段の単位
ステージにトリガ信号として供給するゲート手段
と、前記ゲート手段によつて結合された複数の単
位ステージによつて構成された前記カウンタの最
大カウント値もしくは最小カウント値を検出する
検出手段と、前記検出手段が出力信号を発生した
のちにあらかじめプログラムされた単位ステージ
を構成する双安定回路にのみリセツト信号もしく
はセツト信号を供給する選択プリセツト手段を備
えたことを特徴とするものである。 The programmable frequency divider circuit of the present invention significantly reduces the number of gates or elements per stage compared to conventional ones, and by reducing the number of elements while maintaining the same functions as conventional ones, it can simplify the system and reduce power consumption. The circuit is configured to include a bistable circuit equipped with a set terminal and a reset terminal, and a trigger signal from the previous stage that is connected to the set terminal according to the output state of the bistable circuit. A unit stage constituted by a terminal and first and second coincidence gates supplied to the reset terminal, and an output of the first coincidence gate or the second coincidence gate is triggered to the next unit stage. a gate means for supplying a signal; a detection means for detecting a maximum count value or a minimum count value of the counter configured by a plurality of unit stages connected by the gate means; and a detection means for detecting an output signal. The present invention is characterized in that it includes selection preset means for supplying a reset signal or a set signal only to the bistable circuits constituting the preprogrammed unit stage after generating the reset signal.
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。第3図は本発明の一実施例におけるプログラ
マブル分周回路の論理構成図を示したものであ
る。第3図において、NANDゲート11,12,
13,14,15,16によつて1ビツト目の単
位ステージ100が構成されており、前記単位ス
テージ100は単位ステージ200にトリガ信号
を供給するための単位ステージであり、通常のT
フリツプフロツプの出力側に微分パルス発生回路
を付加したのと同じ機能を有している。 An embodiment of the present invention will be described below based on the drawings. FIG. 3 shows a logical configuration diagram of a programmable frequency divider circuit according to an embodiment of the present invention. In FIG. 3, NAND gates 11, 12,
13, 14, 15, and 16 constitute a 1st bit unit stage 100, and the unit stage 100 is a unit stage for supplying a trigger signal to the unit stage 200.
It has the same function as adding a differential pulse generation circuit to the output side of a flip-flop.
前記単位ステージ200においてNANDゲー
ト21およびNANDゲート22の第1の入力端
子21aおよび22aとそれぞれの出力端子がク
ロスカツプリング接続され、前記NANDゲート
21の出力端子にはNANDゲート23の第1の
入力端子23aが接続され、前記NANDゲート
22の出力端子にはNANDゲート24の第1の
入力端子24aが接続され、前記NANDゲート
21,22の第2の入力端子21b,22bには
NANDゲート25の出力端子が接続され、前記
NANDゲート25の第1の入力端子25aは前
段の単位ステージ100を構成するNANDゲー
ト11の出力端子に接続され、前記NANDゲー
ト25の第2の入力端子25bは前記NANDゲ
ート21の出力端子に接続され、前記NANDゲ
ート21の第3の入力端子21cは前記NAND
ゲート24の出力端子に接続され、前記NAND
ゲート22の第3の入力端子22cは前記
NANDゲート23の出力端子に接続され、前記
NANDゲート22の第4の入力端子22dなら
びに第5の入力端子22eはそれぞれ次段の単位
ステージ300を構成するNANDゲート31お
よびNANDゲート32の出力端子に接続され、
前記NANDゲート23の第2の入力端子23b
ならびに前記NANDゲート24の第2の入力端
子24bとそれぞれの出力端子がクロスカツプリ
ング接続され、前記NANDゲート23の第3の
入力端子23cはNANDゲート26の出力端子
に接続されている。また前記NANDゲート26
の第1の入力端子26aはプログラム端子D1に
接続されている。 In the unit stage 200, the first input terminals 21a and 22a of the NAND gate 21 and the NAND gate 22 are cross-coupled to their respective output terminals, and the output terminal of the NAND gate 21 is connected to the first input terminal of the NAND gate 23. The output terminal of the NAND gate 22 is connected to the first input terminal 24a of the NAND gate 24, and the second input terminals 21b and 22b of the NAND gates 21 and 22 are connected to the terminal 23a.
The output terminal of the NAND gate 25 is connected to the
A first input terminal 25a of the NAND gate 25 is connected to the output terminal of the NAND gate 11 constituting the previous unit stage 100, and a second input terminal 25b of the NAND gate 25 is connected to the output terminal of the NAND gate 21. The third input terminal 21c of the NAND gate 21 is connected to the NAND gate 21.
connected to the output terminal of the gate 24, and connected to the output terminal of the gate 24;
The third input terminal 22c of the gate 22 is
connected to the output terminal of the NAND gate 23;
A fourth input terminal 22d and a fifth input terminal 22e of the NAND gate 22 are respectively connected to the output terminals of a NAND gate 31 and a NAND gate 32 that constitute the next unit stage 300,
The second input terminal 23b of the NAND gate 23
Also, the second input terminal 24b of the NAND gate 24 and each output terminal are cross-coupled connected, and the third input terminal 23c of the NAND gate 23 is connected to the output terminal of the NAND gate 26. In addition, the NAND gate 26
The first input terminal 26a of is connected to the program terminal D1 .
NANDゲート31,32,33,34,35
によつて構成された次段の単位ステージ300は
前記単位ステージ200と同一構成となつてお
り、NSBの単位ステージ400では、前段の単
位ステージのNANDゲート35の代わりにイン
バータ45が用いられ、NANDゲート42の第
4、第5の入力端子が省かれている。 NAND gates 31, 32, 33, 34, 35
The next unit stage 300 configured by NSB has the same configuration as the unit stage 200. In the NSB unit stage 400, an inverter 45 is used in place of the NAND gate 35 of the previous unit stage, The fourth and fifth input terminals of gate 42 are omitted.
さらに、前記単位ステージ100を構成する
NANDゲート14の出力端子にはNANDゲート
50の第1の入力端子50aが接続され、前記単
位ステージ200を構成するNANDゲート24
の出力端子には前記NANDゲート50の第2の
入力端子50bが接続され、前記単位ステージ3
00を構成するNANDゲート34の出力端子に
は前記NANDゲート50の第3の入力端子50
cが接続され、前記単位ステージ400を構成す
るNANDゲート44の出力端子には前記NAND
ゲート50の第4の入力端子50dが接続され、
前記NANDゲート50の出力端子はNANDゲー
ト51の第1の入力端子51aに接続され、前記
NANDゲート51の第2の入力端子51bは第
1の入力端子52aがクロツクパルス入力端子T
に接続されたNANDゲート52の出力端子に接
続され、前記NANDゲート51の出力端子は前
記NANDゲート52の第2の入力端子52b、
NANDゲート17の第2の入力端子17b、
NANDゲート26の第2の入力端子26b、
NANDゲート36の第2の入力端子36b、
NANDゲート46の第2の入力端子46bに接
続されている。 Furthermore, the unit stage 100 is configured
A first input terminal 50a of a NAND gate 50 is connected to the output terminal of the NAND gate 14, and the NAND gate 24 constituting the unit stage 200
The second input terminal 50b of the NAND gate 50 is connected to the output terminal of the unit stage 3.
The output terminal of the NAND gate 34 constituting 00 is connected to the third input terminal 50 of the NAND gate 50.
c is connected to the output terminal of the NAND gate 44 constituting the unit stage 400.
A fourth input terminal 50d of the gate 50 is connected,
The output terminal of the NAND gate 50 is connected to the first input terminal 51a of the NAND gate 51.
The second input terminal 51b of the NAND gate 51 is connected to the clock pulse input terminal T.
The output terminal of the NAND gate 51 is connected to the second input terminal 52b of the NAND gate 52,
a second input terminal 17b of the NAND gate 17;
a second input terminal 26b of the NAND gate 26;
a second input terminal 36b of the NAND gate 36;
It is connected to the second input terminal 46b of the NAND gate 46.
なお、第3図の回路においてNANDゲート5
0はカウンタの最小カウント値を検出するための
検出ゲートを構成し、NANDゲート51,52,
17,26,36,46は前記検出ゲートが出力
信号を発生したのちにあらかじめプログラムされ
た単位ステージにのみセツト信号を供給する選択
プリセツト回路を構成している。 Note that in the circuit shown in Figure 3, the NAND gate 5
0 constitutes a detection gate for detecting the minimum count value of the counter, and NAND gates 51, 52,
Reference numerals 17, 26, 36, and 46 constitute a selection preset circuit that supplies a set signal only to a preprogrammed unit stage after the detection gate generates an output signal.
さて、第3図の回路のクロツクパルス入力端子
T、プログラム端子D0,D1,D2,D3にそれぞれ
第4図Tx,D0x,D1x,D2x,D3xで示す信号波
形が印加されたときの動作について第4図をもと
に説明する。まず、時刻t1以前において、カウン
タの出力〔Q3、Q2、Q1、Q0〕が〔0001〕になつ
ているものとすると、時刻t1において、クロツク
パルスのリーデイングエツジが到来してクロツク
パルス入力端子Tのレベルが“0”から“1”に
移行すると、NANDゲート13の出力レベルが
“1”になつているので、NANDゲート12の出
力レベルが“1”から“0”に移行し、続いて
NANDゲート14およびNANDゲート15の出
力レベルが“0”から“1”に移行する。 Now, the clock pulse input terminal T and program terminals D 0 , D 1 , D 2 , and D 3 of the circuit in FIG. 3 are shown as Tx, D 0 x, D 1 x, D 2 x, and D 3 x in FIG. The operation when a signal waveform is applied will be explained based on FIG. 4. First, let us assume that the counter outputs [Q 3 , Q 2 , Q 1 , Q 0 ] are [0001] before time t 1. At time t 1 , the leading edge of the clock pulse arrives and the clock pulse When the level of the input terminal T shifts from "0" to "1", the output level of the NAND gate 12 shifts from "1" to "0" because the output level of the NAND gate 13 has become "1". ,continue
The output levels of NAND gate 14 and NAND gate 15 transition from "0" to "1".
前記NANDゲート14の出力レベル“1”へ
の移行によつてNANDゲート13およびNAND
ゲート50の出力レベルが“1”から“0”に移
行し、また、前記NANDゲート15の出力レベ
ルの“1”への移行によつてNANDゲート16
の出力レベルが“1”から“0”に移行し、続い
て前記NANDゲート12の出力レベルが“1”
に戻る。 By shifting the output level of the NAND gate 14 to "1", the NAND gate 13 and the NAND
As the output level of the gate 50 shifts from "1" to "0" and the output level of the NAND gate 15 shifts to "1", the NAND gate 16
The output level of the NAND gate 12 shifts from "1" to "0", and then the output level of the NAND gate 12 shifts to "1".
Return to
また、前記NANDゲート50の出力レベルが
“0”に移行するとNANDゲート51の出力レベ
ルが“0”から“1”に移行し、続いてNAND
ゲート52の出力レベルが“1”から“0”に移
行する。 Furthermore, when the output level of the NAND gate 50 shifts to "0", the output level of the NAND gate 51 shifts from "0" to "1", and then the NAND gate 51 shifts from "0" to "1".
The output level of gate 52 shifts from "1" to "0".
一方、前記NANDゲート51の出力レベルが
“1”に移行すると、あらかじめプログラム端子
D0およびD3のレベルが“1”になつているので、
NANDゲート17およびNANDゲート46の出
力レベルが“1”から“0”に移行し、前記
NANDゲート17の出力レベルの“0”への移
行によつてNANDゲート13の出力レベルが
“1”に移行し、NANDゲート12および
NANDゲート15の出力レベルが“1”にクラ
ンプされるので、続いてNANDゲート14の出
力レベルが“0”に移行し、また、前記NAND
ゲート46の出力レベルの“0”への移行によつ
てNANDゲート43の出力レベルが“0”から
“1”に移行し、続いてNANDゲート44の出力
レベルが“1”から“0”に移行してカウンタの
カウント値は〔1001〕にプリセツトされる。 On the other hand, when the output level of the NAND gate 51 shifts to "1", the program terminal
Since the level of D 0 and D 3 is “1”,
The output levels of the NAND gate 17 and the NAND gate 46 shift from "1" to "0", and the
As the output level of the NAND gate 17 shifts to "0", the output level of the NAND gate 13 shifts to "1", and the NAND gate 12 and
Since the output level of the NAND gate 15 is clamped to "1", the output level of the NAND gate 14 subsequently shifts to "0", and the NAND
As the output level of the gate 46 shifts to "0", the output level of the NAND gate 43 shifts from "0" to "1", and then the output level of the NAND gate 44 shifts from "1" to "0". Then, the count value of the counter is preset to [1001].
前記NANDゲート14あるいは前記NANDゲ
ート44の出力レベルが“0”に移行すると、
NANDゲート50の出力レベルは“1”に戻る。 When the output level of the NAND gate 14 or the NAND gate 44 shifts to "0",
The output level of the NAND gate 50 returns to "1".
時刻t2において、クロツクパルスのトレイリン
グエツジが到来すると、NANDゲート16およ
びNANDゲート52の出力レベルが“1”に移
行し、前記NANDゲート52の出力レベルの
“1”への移行によつてNANDゲート51の出力
レベルが“0”に移行し、続いてNANDゲート
17およびNANDゲート46の出力レベルが
“1”に移行する。前記NANDゲート17の出力
レベルが“1”に移行するとNANDゲート15
の出力レベルは“0”に移行する。 At time t2 , when the trailing edge of the clock pulse arrives, the output levels of the NAND gate 16 and the NAND gate 52 shift to "1", and as the output level of the NAND gate 52 shifts to "1", the NAND The output level of gate 51 shifts to "0", and then the output levels of NAND gate 17 and NAND gate 46 shift to "1". When the output level of the NAND gate 17 shifts to “1”, the NAND gate 15
The output level of is shifted to "0".
時刻t3において、クロツクパルスのリーデイン
グエツジが到来すると、NANDゲート12の出
力レベルが“0”に移行し、続いてNANDゲー
ト14および15の出力レベルが“1”に移行
し、前記NANDゲート14の出力レベルの“1”
への移行によつてNANDゲート13の出力レベ
ルが“0”に移行し、また前記NANDゲート1
5の出力レベルの“1”への移行によつて
NANDゲート16の出力レベルが“0”に移行
する。 At time t3 , when the leading edge of the clock pulse arrives, the output level of the NAND gate 12 shifts to "0", then the output levels of the NAND gates 14 and 15 shift to "1", and the output level of the NAND gate 14 shifts to "1". Output level “1”
, the output level of the NAND gate 13 shifts to "0" and the output level of the NAND gate 13 shifts to "0".
By shifting the output level of 5 to “1”
The output level of the NAND gate 16 shifts to "0".
前記NANDゲート13の出力レベルが“0”
に移行するとNANDゲート12の出力レベルが
“1”に戻り、また、時刻t4におけるクロツクパ
ルスのトレイリングエツジの到来によつて前記
NANDゲート16の出力レベルが“1”に戻り、
続いて前記NANDゲート15の出力レベルが
“0”に移行して単位ステージ100の一連の出
力反転動作は終了し、カウンタの出力は〔1000〕
に変わる。 The output level of the NAND gate 13 is “0”
, the output level of the NAND gate 12 returns to "1", and the arrival of the trailing edge of the clock pulse at time t4 causes the output level of the NAND gate 12 to return to "1".
The output level of the NAND gate 16 returns to "1",
Subsequently, the output level of the NAND gate 15 shifts to "0", the series of output inversion operations of the unit stage 100 is completed, and the output of the counter becomes [1000].
Changes to
なお、時刻t3から時刻t4にかけてはNANDゲー
ト11の出力レベルが変化しないので、単位ステ
ージ200を構成する各ゲートの出力レベルは変
化せず同様に単位ステージ300,400を構成
する各ゲートの出力レベルも変化しない。 Note that since the output level of the NAND gate 11 does not change from time t 3 to time t 4 , the output level of each gate configuring the unit stage 200 does not change, and similarly, the output level of each gate configuring the unit stages 300 and 400 does not change. The output level also does not change.
時刻t5において、クロツクパルスのリーデイン
グエツジが到来すると、今度はNANDゲート1
4の出力レベルが“1”になつているので、
NANDゲート11の出力レベルが“0”に移行
し、続いてNANDゲート13、NANDゲート1
5、さらには次段の単位ステージ200を構成す
るNANDゲート25の出力レベルが“1”に移
行する。 At time t5 , when the leading edge of the clock pulse arrives, NAND gate 1
Since the output level of 4 is "1",
The output level of NAND gate 11 shifts to “0”, and then NAND gate 13 and NAND gate 1
5. Furthermore, the output level of the NAND gate 25 constituting the next unit stage 200 shifts to "1".
前記NANDゲート13の出力レベルの“1”
への移行によつてNANDゲート14の出力レベ
ルが“0”に移行し、また前記NANDゲート1
5の出力レベルの“1”への移行によつて
NANDゲート16の出力レベルは“0”に移行
する。さらに、前記NANDゲート14の出力レ
ベルの“0”への移行によつて前記NANDゲー
ト11の出力レベルは“1”に戻り、次に、クロ
ツクパルスのトレイリングエツジの到来によつて
前記NANDゲート16の出力レベルは“1”に
戻り、前記NANDゲート15の出力レベルは
“0”に移行する。 The output level of the NAND gate 13 is “1”
, the output level of the NAND gate 14 shifts to "0" and the output level of the NAND gate 1 shifts to "0".
By shifting the output level of 5 to “1”
The output level of the NAND gate 16 shifts to "0". Further, as the output level of the NAND gate 14 shifts to "0", the output level of the NAND gate 11 returns to "1", and then, with the arrival of the trailing edge of the clock pulse, the NAND gate 16 returns to "1". The output level of the NAND gate 15 returns to "1", and the output level of the NAND gate 15 shifts to "0".
一方、前記NANDゲート25の出力レベルの
“1”への移行によつて、NANDゲート21の出
力レベルが“0”に移行し、続いてNANDゲー
ト23の出力レベルが“1”に移行し、さらに
NANDゲート24の出力レベルが“0”に移行
する。前記NANDゲート24の出力レベルが
“0”に移行すると、前記NANDゲート21の出
力レベルは“1”に戻り、続いて前記NANDゲ
ート25の出力レベルは“0”に戻る。 On the other hand, as the output level of the NAND gate 25 shifts to "1", the output level of the NAND gate 21 shifts to "0", and then the output level of the NAND gate 23 shifts to "1", moreover
The output level of the NAND gate 24 shifts to "0". When the output level of the NAND gate 24 shifts to "0", the output level of the NAND gate 21 returns to "1", and then the output level of the NAND gate 25 returns to "0".
一方、前記NANDゲート21の出力レベルの
“0”への移行によつて単位ステージ300を構
成するNANDゲート35の出力レベルが“0”
から“1”に移行し、続いてNANDゲート31
の出力レベルが“0”に移行し、その結果
NANDゲート33ならびに次段の単位ステージ
400を構成するインバータ45の出力レベルが
“0”から“1”に移行し、前記NANDゲート3
3の出力レベルの“1”への移行によつて
NANDゲート34の出力レベルが“1”から“0”
に移行し、続いて前記NANDゲート31の出力
レベルが“1”に戻り、さらに前記NANDゲー
ト35の出力レベルが“0”に戻る。 On the other hand, as the output level of the NAND gate 21 shifts to "0", the output level of the NAND gate 35 constituting the unit stage 300 becomes "0".
to “1”, and then NAND gate 31
The output level of shifts to “0”, and as a result
The output level of the NAND gate 33 and the inverter 45 constituting the next unit stage 400 shifts from "0" to "1", and the NAND gate 3
By shifting the output level of 3 to “1”
The output level of NAND gate 34 changes from “1” to “0”
Then, the output level of the NAND gate 31 returns to "1", and the output level of the NAND gate 35 returns to "0".
また、前記インバータ45の出力レベルの
“1”への移行によつてNANDゲート42の出力
レベルが“1”から“0”に移行し、続いて
NANDゲート44の出力レベルが“0”から
“1”に移行し、さらにNANDゲート43の出力
レベルが“1”から“0”に移行し、その結果前
記NANDゲート42の出力レベルは“1”に戻
り、この時点でカウンタのカウント出力は
〔0111〕に変わる。 Further, as the output level of the inverter 45 shifts to "1", the output level of the NAND gate 42 shifts from "1" to "0", and then
The output level of the NAND gate 44 shifts from "0" to "1", and the output level of the NAND gate 43 shifts from "1" to "0", and as a result, the output level of the NAND gate 42 becomes "1". At this point, the count output of the counter changes to [0111].
なお、前記インバータ45の出力レベルは
NANDゲート31の出力レベルの“1”への移
行によつて“0”に移行する。 Note that the output level of the inverter 45 is
As the output level of the NAND gate 31 shifts to "1", it shifts to "0".
時刻t6において、クロツクパルスのトレイリン
グエツジが到来すると、時刻t4のときと同様に
NANDゲート16の出力レベルが“1”に移行
し、続いてNANDゲート15の出力レベルが
“0”に移行する。 At time t 6 , when the trailing edge of the clock pulse arrives, the same as at time t 4 occurs.
The output level of the NAND gate 16 shifts to "1", and then the output level of the NAND gate 15 shifts to "0".
時刻t7において、クロツクパルスのリーデイン
グエツジが到来すると、単位ステージ100を構
成する各ゲートの出力レベルは時刻t3のときと同
様に変化し、カウンタのカウント出力は〔0110〕
となる。 At time t7 , when the leading edge of the clock pulse arrives, the output level of each gate making up the unit stage 100 changes in the same way as at time t3 , and the count output of the counter becomes [0110].
becomes.
時刻t8において、クロツクパルスのリーデイン
グエツジが到来すると、単位ステージ100を構
成する各ゲートの出力レベルは時刻t5のときと同
様に変化するが、NANDゲート11の出力レベ
ルの“0”への移行によつてNANDゲート25
の出力レベルが“1”に移行し、今度はNAND
ゲート23の出力レベルが“1”になつているの
で、続いてNANDゲート22の出力レベルが
“1”から“0”に移行し、その結果、NANDゲ
ート24の出力レベルが“1”に移行し、さらに
前記NANDゲート23の出力レベルが“0”に
移行し、前記NANDゲート22の出力レベルは
“1”に戻り、カウンタのカウント出力は〔0101〕
となる。 At time t8 , when the leading edge of the clock pulse arrives, the output level of each gate constituting the unit stage 100 changes in the same way as at time t5 , but the output level of the NAND gate 11 shifts to "0". By NAND gate 25
The output level of NAND shifts to “1”, and now NAND
Since the output level of the gate 23 is "1", the output level of the NAND gate 22 subsequently shifts from "1" to "0", and as a result, the output level of the NAND gate 24 shifts to "1". Then, the output level of the NAND gate 23 shifts to "0", the output level of the NAND gate 22 returns to "1", and the count output of the counter becomes [0101].
becomes.
時刻t9において、クロツクパルスのリーデイン
グエツジが到来すると、単位ステージ100を構
成する各ゲートの出力レベルのみが変化し、カウ
ンタのカウント出力は〔0100〕となる。 When the leading edge of the clock pulse arrives at time t9 , only the output level of each gate constituting the unit stage 100 changes, and the count output of the counter becomes [0100].
時刻t10において、クロツクパルスのリーデイ
ングエツジが到来すると、単位ステージ100お
よび単位ステージ200を構成する各ゲートの出
力レベルは時刻t5のときと同様に変化するが、
NANDゲート21の出力レベルの“0”への移
行によつてNANDゲート35の出力レベルが
“1”に移行し、続いてNANDゲート32の出力
レベルが“1”から“0”に移行するので
NANDゲート34の出力レベルが“1”に移行
し、さらに、NANDゲート33の出力レベルが
“0”に移行して前記NANDゲート32の出力レ
ベルは“1”に戻りカウンタのカウント出力は
〔0011〕となる。 When the leading edge of the clock pulse arrives at time t10 , the output level of each gate constituting unit stage 100 and unit stage 200 changes in the same way as at time t5 , but
As the output level of the NAND gate 21 shifts to "0", the output level of the NAND gate 35 shifts to "1", and subsequently the output level of the NAND gate 32 shifts from "1" to "0".
The output level of the NAND gate 34 shifts to "1", the output level of the NAND gate 33 shifts to "0", and the output level of the NAND gate 32 returns to "1", and the count output of the counter becomes [0011 ].
なお前記NANDゲート35の出力レベルは前
記NANDゲート21の出力レベルの“1”への
移行によつて“0”に戻る。 Note that the output level of the NAND gate 35 returns to "0" as the output level of the NAND gate 21 shifts to "1".
同様にして、時刻t11において、クロツクパル
スのリーデイングエツジが到来すると、カウンタ
のカウント出力は〔0010〕となり、時刻t12にお
いては〔0001〕となる。 Similarly, when the leading edge of the clock pulse arrives at time t11 , the count output of the counter becomes [0010] and becomes [0001] at time t12 .
時刻t13においてクロツクパルスのリーデイン
グエツジが到来すると、単位ステージ100を構
成する各ゲートの出力レベルは時刻t11と同様に
変化するが、NANDゲート14の出力レベルが
“1”に移行すると、時刻t1のときと同様に
NANDゲート50の出力レベルが“0”に移行
し、続いてNANDゲート51の出力レベルが
“1”に移行する。 When the leading edge of the clock pulse arrives at time t13 , the output level of each gate constituting the unit stage 100 changes in the same way as at time t11 , but when the output level of the NAND gate 14 shifts to "1", time t Same as in 1
The output level of the NAND gate 50 shifts to "0", and then the output level of the NAND gate 51 shifts to "1".
前記NANDゲート51の出力レベルが“1”
に移行する以前にあらかじめプログラム端子D0
のレベルが“0”に移行し、プログラム端子D1,
D2のレベルが“1”に移行しており、プログラ
ム端子D3のレベルは“1”のままであるので、
前記NANDゲート51の出力レベルの“1”へ
の移行によつてNANDゲート26,36,46
の出力レベルが“0”に移行し、その結果、カウ
ンタのカウント値は〔1110〕にプリセツトされ、
プログラム値の〔D3、D2、D1、D0〕に等しくな
る。 The output level of the NAND gate 51 is “1”
Program terminal D 0 in advance before moving to
The level of the program terminal D 1 , shifts to “0”, and
Since the level of D 2 has shifted to “1” and the level of program terminal D 3 remains “1”,
By shifting the output level of the NAND gate 51 to "1", the NAND gates 26, 36, 46
The output level of the counter shifts to “0”, and as a result, the count value of the counter is preset to [1110],
It is equal to the program value [D 3 , D 2 , D 1 , D 0 ].
時刻t14において、クロツクパルスのトレイリ
ングエツジが到来し、NANDゲート52の出力
レベルが“1”に移行すると、すでにNANDゲ
ート50の出力レベルが“1”になつているの
で、NANDゲート51の出力レベルは“0”に
戻り、時刻t2以後と同様に、カウンタはクロツク
パルスのリーデイングエツジが到来するごとにそ
のカウント値を1ずつ減少させていく。 At time t14 , when the trailing edge of the clock pulse arrives and the output level of the NAND gate 52 shifts to "1", the output level of the NAND gate 50 has already become "1", so the output level of the NAND gate 51 changes to "1". The level returns to "0", and the counter decrements its count value by 1 each time the leading edge of the clock pulse arrives, as after time t2 .
すなわち、第3図に示したプログラマブル分周
回路も第1図に示した従来のプログラマブル分周
回路と同様の機能を有していることになる。 That is, the programmable frequency divider circuit shown in FIG. 3 has the same function as the conventional programmable frequency divider circuit shown in FIG. 1.
さて、第1図の4ビツトプログラマブル分周回
路と第3図の4ビツトプログラマブル分周回路の
ゲート数を比較してみると、従来の分周回路では
35個のNANDゲートによつて構成されていたも
のが、本発明の分周回路では27個のNANDゲー
トと1個のインバータによつて構成出来ることが
わかる。また従来回路に対するゲート数の減少の
割合はカウンタのビツト数が多くなる程大きくな
る。 Now, when we compare the number of gates of the 4-bit programmable frequency divider circuit in Figure 1 and the 4-bit programmable frequency divider circuit in Figure 3, we find that the conventional frequency divider circuit
It can be seen that the frequency divider circuit of the present invention, which used to be composed of 35 NAND gates, can be composed of 27 NAND gates and one inverter. Furthermore, the rate of reduction in the number of gates compared to the conventional circuit increases as the number of bits in the counter increases.
ところで、第3図に示したプログラマブル分周
回路I2Lトランジスタを用いて構成すると、第5
図のようになり、第2図に示した従来の分周回路
が45個のI2Lトランジスタを必要としたのに対し、
第5図の分周回路では31個のI2Lトランジスタで
構成することが出来、素子数を大幅に削減するこ
とが出来る。 By the way, if the programmable frequency divider circuit shown in FIG. 3 is constructed using the I 2 L transistor, the fifth
As shown in the figure, whereas the conventional frequency divider circuit shown in Figure 2 required 45 I 2 L transistors,
The frequency divider circuit shown in FIG. 5 can be configured with 31 I 2 L transistors, and the number of elements can be significantly reduced.
この様に本発明のプログラマブル分周回路は従
来よりも少ないゲート数あるいは素子数で従来の
プログラマブル分周回路と同じ機能を得ることが
出来るが、その論理構成は必ずしも第3図の構成
に限定される訳ではない。 As described above, the programmable frequency divider circuit of the present invention can obtain the same function as the conventional programmable frequency divider circuit with a smaller number of gates or elements than the conventional one, but its logical configuration is not necessarily limited to the configuration shown in FIG. That doesn't mean it's true.
例えば、あらかじめ微分パルス状のクロツクパ
ルスが得られるならば初段(LSB)の単位ステ
ージ100は単位ステージ200あるいは単位ス
テージ300と同一構成とすることも出来るし、
伝播パルスの伝達遅延を十分考慮して設計すれ
ば、第6図に示す様に各単位ステージ内の構成を
もつと簡単にすることも可能である。第6図では
単位ステージ200,300,400の構成は第
3図の単位ステージ400の構成と同一になつて
いる。 For example, if a differential pulse-like clock pulse is obtained in advance, the first stage (LSB) unit stage 100 can have the same configuration as the unit stage 200 or the unit stage 300,
If the design takes into consideration the propagation delay of the propagation pulse, it is possible to simplify the structure of each unit stage as shown in FIG. 6. In FIG. 6, the configurations of unit stages 200, 300, and 400 are the same as the configuration of unit stage 400 in FIG. 3.
ところで、第3図および第6図に示した本発明
の実施例では、いずれもNANDゲートを用いて
各単位ステージを構成し、これらの単位ステージ
によつてダウンカウンタを構成しているが、
NANDゲートの代わりに他の一致ゲートを用い
ても良いし、各単位ステージの出力状態を決定す
る双安定回路(例えば単位ステージ200におい
てはNANDゲート23とNANDゲート24によ
つてこの双安定回路が構成されている)は一致ゲ
ートの組み合わせによらなくとも、例えば
CMOSカウンタ回路において多用されるクロツ
クド・インバータによつて構成しても良く、さら
に単位ステージを組み合わせて構成するカウンタ
はアツプカウンタであつても良い。 By the way, in the embodiments of the present invention shown in FIGS. 3 and 6, each unit stage is constructed using a NAND gate, and a down counter is constructed by these unit stages.
Other coincidence gates may be used in place of the NAND gate, or a bistable circuit (for example, in the unit stage 200, the bistable circuit is ) is not dependent on the combination of match gates, e.g.
It may be constructed from a clocked inverter, which is often used in CMOS counter circuits, or the counter constructed by combining unit stages may be an up counter.
なお、第3図の実施例においては、カウンタが
ダウンカウンタ形式になつているので、カウンタ
の最終カウント値を検出するNANDゲート50
はカウンタの最小カウント値の〔0000〕を検出
し、また、NANDゲート51,52,17,2
6,36,46によつて構成された選択プリセツ
ト回路は、NANDゲート50によつて構成され
る検出ゲートが出力信号を発生したのちに、各単
位ステージを構成する双安定回路にセツト信号を
供給する様に構成されているが、カウンタをアツ
プカウンタ形式にする場合には、前記検出ゲート
を構成するNANDゲート50はカウンタの最大
カウント値を検出し、前記選択プリセツト回路は
リセツト信号を供給する様に構成すれば良い。 In the embodiment shown in FIG. 3, since the counter is in the form of a down counter, the NAND gate 50 detects the final count value of the counter.
detects the minimum count value [0000] of the counter, and also detects the NAND gates 51, 52, 17, 2
The selection preset circuit constituted by 6, 36, and 46 supplies a set signal to the bistable circuit constituting each unit stage after the detection gate constituted by NAND gate 50 generates an output signal. However, when the counter is in an up-counter format, the NAND gate 50 constituting the detection gate detects the maximum count value of the counter, and the selection preset circuit supplies a reset signal. It should be configured as follows.
以上、本発明のプログラマブル分周回路は、セ
ツト端子とリセツト端子を備えた双安定回路と、
前記双安定回路の出力状態に応じて前段からのト
リガ信号を前記セツト端子および前記リセツト端
子に供給する第1および第2の一致ゲートとによ
つて単位ステージを構成し、前記第1の一致ゲー
トあるいは前記第2の一致ゲートの出力を次段の
単位ステージにトリガ信号として供給するように
各単位ステージを直列接続してカウンタを構成
し、前記カウンタの最大カウント値もしくは最小
カウント値を検出する検出手段と、前記検出手段
が出力信号を発生したのちにあらかじめプログラ
ムされた単位ステージを構成する双安定回路にの
みリセツト信号もしくはセツト信号を供給する選
択プリセツト手段を備えたことを特徴とするもの
であり、第3図に示した実施例について説明する
と、単位ステージ200において双安定回路を構
成するNANDゲート23とNANDゲート24の
それぞれの第1の入力端子23aと第1の入力端
子24aが前記セツト端子と前記リセツト端子を
構成し、NANDゲート21とNANDゲート22
が前記第1の一致ゲートと前記第2の一致ゲート
を構成し、NANDゲート50が前記検出手段を
構成している。 As described above, the programmable frequency divider circuit of the present invention includes a bistable circuit equipped with a set terminal and a reset terminal,
A unit stage is constituted by first and second coincidence gates that supply a trigger signal from the previous stage to the set terminal and the reset terminal according to the output state of the bistable circuit, and the first coincidence gate Alternatively, a counter is configured by connecting each unit stage in series so that the output of the second coincidence gate is supplied as a trigger signal to the next unit stage, and detection is performed to detect the maximum count value or minimum count value of the counter. and selection preset means for supplying a reset signal or a set signal only to the bistable circuit constituting the preprogrammed unit stage after the detection means generates the output signal. To explain the embodiment shown in FIG. 3, the first input terminal 23a and the first input terminal 24a of the NAND gate 23 and the NAND gate 24 constituting the bistable circuit in the unit stage 200 are connected to the set terminal. and constitute the reset terminal, and the NAND gate 21 and the NAND gate 22
constitute the first coincidence gate and the second coincidence gate, and the NAND gate 50 constitutes the detection means.
すなわち、本発明のプログラマブル分周回路で
は、双安定回路と、トリガパルスを前記双安定回
路に分配するための第1および第2の一致ゲート
によつて単位ステージを構成し、前記単位ステー
ジが直列接続されて構成されたカウンタの最終カ
ウントの後にあらかじめプログラムされた単位ス
テージを構成する双安定回路にのみセツト信号も
しくはリセツト信号を供給する選択プリセツト手
段を備えているので、従来に比べて少ないゲート
数あるいは素子数で従来と同じ機能が得られ、大
なる効果を奏する。 That is, in the programmable frequency divider circuit of the present invention, a unit stage is configured by a bistable circuit and first and second coincidence gates for distributing a trigger pulse to the bistable circuit, and the unit stage is connected in series. The number of gates is reduced compared to the conventional one, since it is equipped with a selection preset means that supplies a set or reset signal only to the bistable circuits constituting the preprogrammed unit stage after the final count of the connected and configured counters. Alternatively, the same function as the conventional one can be obtained with the same number of elements, and a great effect can be achieved.
第1図は従来のプログラマブル分周回路の一例
を示す論理構成図、第2図は第1図の論理構成を
I2Lトランジスタによつて実現した回路結線図、
第3図は本発明の一実施例におけるプログラマブ
ル分周回路の論理構成図、第4図は第3図の各部
の信号波形図、第5図は本発明に係る第3図の論
理構成をI2Lトランジスタによつて実現した回路
結線図、第6図は本発明の別の実施例を示す論理
構成図である。
11,21,31,41……第1の一致ゲー
ト、12,22,32,42……第2の一致ゲー
ト、13,14,23,24,33,34,4
3,44……双安定回路、23a……セツト端
子、24a……リセツト端子、17,26,3
6,46,51,52……選択プリセツト回路、
50……検出ゲート。
Figure 1 is a logical configuration diagram showing an example of a conventional programmable frequency divider circuit, and Figure 2 shows the logical configuration of Figure 1.
Circuit wiring diagram realized by I 2 L transistor,
FIG. 3 is a logical configuration diagram of a programmable frequency divider circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a signal waveform diagram of each part of FIG. 3, and FIG. 5 is a logical configuration diagram of FIG. 3 according to the present invention. FIG. 6, which is a circuit wiring diagram realized by a 2L transistor, is a logical configuration diagram showing another embodiment of the present invention. 11, 21, 31, 41...First matching gate, 12, 22, 32, 42... Second matching gate, 13, 14, 23, 24, 33, 34, 4
3, 44... Bistable circuit, 23a... Set terminal, 24a... Reset terminal, 17, 26, 3
6, 46, 51, 52...selection preset circuit,
50...Detection gate.
Claims (1)
路と前記双安定回路の出力状態に応じて前段から
のトリガ信号を前記セツト端子および前記リセツ
ト端子に供給する第1および第2の一致ゲートに
よつて構成された単位ステージと、前記第1の一
致ゲートあるいは前記第2の一致ゲートの出力を
次段の単位ステージにトリガ信号として供給する
ゲート手段と、前記ゲート手段によつて結合され
た複数の単位ステージによつて構成されたカウン
タの最大カウント値もしくは最小カウント値を検
出する検出手段と、前記検出手段が出力信号を発
生したのちにあらかじめプログラムされた単位ス
テージを構成する双安定回路にのみリセツト信号
もしくはセツト信号を供給する選択プリセツト手
段を備えたプログラマブル分周回路。1. A bistable circuit having a set terminal and a reset terminal, and first and second coincidence gates that supply a trigger signal from the previous stage to the set terminal and the reset terminal according to the output state of the bistable circuit. a unit stage configured, a gate means for supplying an output of the first coincidence gate or the second coincidence gate to a next unit stage as a trigger signal, and a plurality of units coupled by the gate means. A detection means for detecting the maximum count value or minimum count value of the counter constituted by the stage, and a reset signal only for the bistable circuit constituting the pre-programmed unit stage after the detection means generates an output signal. or a programmable frequency divider circuit with selection preset means for providing a set signal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5452782A JPS58171129A (en) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | Programmable frequency dividing circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5452782A JPS58171129A (en) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | Programmable frequency dividing circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58171129A JPS58171129A (en) | 1983-10-07 |
JPH0161266B2 true JPH0161266B2 (en) | 1989-12-27 |
Family
ID=12973126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5452782A Granted JPS58171129A (en) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | Programmable frequency dividing circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58171129A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS568924A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-29 | Seiko Epson Corp | Synchronous type universal counter |
JPS56126327A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-03 | Nec Corp | Counting circuit |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP5452782A patent/JPS58171129A/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS568924A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-29 | Seiko Epson Corp | Synchronous type universal counter |
JPS56126327A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-03 | Nec Corp | Counting circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58171129A (en) | 1983-10-07 |
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