JPH01501247A - 水溶液中のイオン感知システム - Google Patents

水溶液中のイオン感知システム

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JPH01501247A
JPH01501247A JP62505025A JP50502587A JPH01501247A JP H01501247 A JPH01501247 A JP H01501247A JP 62505025 A JP62505025 A JP 62505025A JP 50502587 A JP50502587 A JP 50502587A JP H01501247 A JPH01501247 A JP H01501247A
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ペサベント・フイリップ・ブイ
ストローブリッジ・ジョイ・ダブユ
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ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 水溶液中のイオン感知システム [発明の背景] この発明は水溶液中の特定のイオンを感知するシステムを指向しており、このシ ステムは水溶液中に浸す耐腐蝕性センサと、特定波長の発光をセンサに伝達する ファイバーオプティクシステム(fiber optic system)と、 保護環境に位置している検出器に戻る吸光信号を伝達するファイバーオブティク システムとを含んでいる。
システムが特に有用である特定環境の一つは、銅メツキ槽における銅イオン濃度 の測定である。この測定は従来、電気メッキの環境条件をシミュレートしている 装置において、人手によりメッキ液のサンプル液を採取して、この液を電気メッ キの環境をシミュレートしている装置で試験し、サンプル液から銅を電極にメッ キさせることにより為されていた。メッキされた銅の量を測定するため、電極は メッキ処理前後でその重量が測定され、これにより、もとのメッキ液中の銅の濃 度が得られる。銅をメッキするこの分析プロセスには数時間を要し、通常、この 分析結果は、サンプル液の採取後約6時間、メッキ工場のメツキラインの作業者 に知らせられない。
メッキ液中の銅イオン濃度が適当な銅被覆物の範囲から外れた場合、このメッキ 処理は要求された品質規格に適合しないものとなる。プリント回路基板は、基板 がエツチングされた後、回路図形を形成するために銅メッキを必要とする。被覆 されている銅が要求された品質規格を満足しない場合、このプリント回路基板は 廃棄処分されなければならない。従って、メッキ液におけるイオン濃度をその時 点で知り、イオン濃度が連続的に補正されて最高品質の電気メッキを可能にでき る水溶液を維持する要求が存在している。
[発明の要約] 本発明の理解を容易にするため、本発明は必須的に要約した型式とされて、水溶 液中のイオンを感知するシステムを指向していることが述べられている。このシ ステムは選択された波長の光を発する光源と、水溶液中に入れられて水溶液の一 部を通って光を通させる光学プローブ(optical probe )と、水 溶液を通る光の量を感知する光ディテクタ(l ightdetector)と を備えてなると共に、これらを接続する光ファイバーを備えており、これにより 光源と光ディテクタは保護された環境に置かれるのが可能になる。
本発明の目的及び利点は、水溶液中、特に電気メツキ槽中のイオンをリアルタイ ムに感知し、これによりメッキ液が連続して監視されて補正され、最良品質のメ ッキを提供することにある。
本発明の他の目的及び利点は、光学プローブはメッキ槽に入れられているが、光 源と光ディテクタとは、メッキ槽の化学的な環境及びメッキ槽の電気的なノイズ の双方から保護された環境に置かれるのを可能にする、これらがファイバーオ  。
ブティクスを介して接続されてなるシステムを提供するにあり、これによりシス テムは長寿命となり、異なる環境においても正確な読取値となっている。
本発明の他の目的及び利点は、この明細書の以下の部分、請求の範囲及び添附図 面から明らかになるであろう。
[図面の簡単な説明コ 添附される図中において、第1図は本発明によるシステムの部分的に破断して示 す斜視図、第2図は部分的に破断し、部分的に断面してしめず光プローブの拡大 された側面図、及び第3図は第2図の3−3線にほぼ沿って断面し、更に拡大し た側面図。
[好ましい実施例の説明コ 電気メツキ槽10はそのなかに電気メツキ液、つまり電気メツキ溶液12を有し ている。好ましい実施例では、溶液12中でメッキに用いられる金属は銅である 。従って、溶液12はCu”十と5O4−一とにイオン化される硫酸銅を含んで なる。水和銅錯体は、その水溶液が特徴のある青色となる。この青色は、スペク トラムの赤又は赤外部付近における吸光によって起きる。吸光のピーク値は、赤 外部付近の波長820nmのところである。他のものをほぼ同じにした状態で、 定められた通過長さくpath length)に亙る、吸収波長での光量は、 溶液12中の銅イオン濃度と比例関係にある。
銅メツキ溶液というのは、正確な測定をなすのには困難な環境である。溶液はp Hが1以下と高い酸性である。銅メツキ溶液の一般的な組成は、80グラム/リ ツターのCuSO4・5H20(三水硫酸銅)と、体積百分率10%のH2S0 4(硫酸)と、70 p p m (parts permillion )の HCI(塩酸)と、溶剤としての水に重量百分率0,5%の微光性のP CM( Oleam P CM) (有機湿潤剤及び増白剤)である。電気メッキをなす 電流は、平滑化又はフィルターがかけられていない全波整流の交流電流であり、 これは溶液の周囲環境に大きな電気的及び磁気的なノイズを発している。プロー ブ14は溶液の化学的な腐蝕に耐えるように構成されていなければならず、且つ この環境における電気的および磁気的な干渉によって悪影響を及ぼされないよう にして測定及び信号の技術を利用できるものでなければならない。信号を解析す るには電子的な処理方法が最長の方法であるが、水和銅錯体は820nmの波長 に吸光のピーク値を有しており、且つこのピーク値は銅メツキ溶液12中の水和 銅錯体と比例関係を為していることから、光学的に感知する方法が最良の感知方 法となる。更に、光学的に信号を伝達するのことは、不利な電磁的環境からの干 渉を避けるには、望ましい方法である。従って、プローブ14は電子的な感知装 置にファイバーオプティックケーブルによって接続された光学プローブとなって いる。
第1図を参照すると、遮蔽空間のような電磁的に保護された領域16は、光源用 ハウジング18を含んでおり、光源用ハウジング18はこの中に820nmの波 長において充分な出力を有する光源を有している。この領域16は電磁的な干渉 (E MI )に対して保護されているとともに、腐蝕性の雰囲気に対しても保 護されている。距離が適当で、損失が最少であれば、低い出力の光源を用いても よい。この場合には、距離及び損失は、820nmの波長での出力を有する発光 ダイオードが用いられる用に設定されている。光学的な出力が、光ファイバー2 0に発せられ、光はこれから光学スプリッター (optical 5plit ter) 22に送られる。光学スプリッター22からの出力の主要な部分は、 光ファイバー24に伝達され、プローブ14の入力信号となる。好ましい実施例 では、ファイバー20における光の出力の9096がファイバー24に送られる 。ファイバー26は、連結器28によって連結されたこれの連続部分である。フ ァイバー26は連結器30を介してプローブ14の入力用ファイバー32に連結 されている。信号用ファイバー34は連結器36を介して、信号用ファイバー3 8に接続されており、信号用ファイバー38は電磁的な干渉からの保護領域16 内に、処理ユニット40に接続されている。フィードバックファイバー42はフ ァイバー20における光源からの光の残余部分を伝達し、同様に処理ユニット1 4に接続されている。全てのファイバーは単繊維であり、マルチモード(IIl υltl−mode)光ファイバーとして用いられている。光学スプリッタ20 は、好適には、ファイバー20がそのまま通されてファイバー24となり、ファ イバー42がこれに当接ように配置され、且つ部分的にこれに溶融されて、フィ ードバックファイバー42がもとの光の1096を受けるように形成されている 。
処理ユニット40は光学ディテクタ44と46を有しており、これらはファイバ ー38と42からの光を受けるようにそれぞれ接続されている。これらのディテ クタは光学信号をそれぞれ電気信号に変換する。光源の変化をファイバー38に おける信号の評価に組込むことを可能にするため、フィードバックファイバー4 2において信号が10%フィードバックされている。電気的な出力線48はプロ ーブ14により検出された吸光に関する信号のみを伝える。
レーザー又は発光ダイオードからのように光源が単色性である場合、820nm の波長での狭い帯域幅での光源とするためのフィルターは不要である。アーク灯 や白熱電球を含む白色光源については、狭い帯域幅のフィルタが必要となる。
フィルター43及び45がファイバー38.42とディテクタ44.46との間 にそれぞれ配置され、これらのフィルターはマルチモードでの光の伝達について 低いエネルギで作動するのが好ましい。
820nmの波長において使用可能なフォトディテクタには、半導体ディテクタ (solid 5tate detector) 、および真空の光電子倍増装 置(vacuum photomultiplterdevices )が含ま れる。これらの装置は光学的な入力信号を電気的な出力信号に変換する。半導体 ディテクタは短距離及び中距離用に用いられ、プローブ14から処理ユニット1 4までのここでの距離は10ないし100メーターの範囲内である。100メー ターないし10キロメーターのように、非常な長距離に亙るものについては、光 電子倍増管がその感度がより大きなものであることから推奨される。光電子倍増 管の感度が大きいことは、短距離及び中距離用のファイバーにおいては、非常に 低い水和硫酸銅の濃度でも感知可能となる利点について利用されることができる 。動力線の過渡現象による光源の変動、及び温度変動も光源を変動させるが、光 源のフィードバックが為されない場合には、これらの光源の変動は化学的な分析 に影響をおよぼす。ファイバー42を通るビームを分割し、ディテクタ46に直 接送られる光源のサンプルを利用することによりこの問題は除去される。
プローブ14はメッキ液12と、光ファイバー32及び34における光との間の インターフェースとして機能する。
メッキ液12は、それが酸性であることから、構造体に対して不利な環境である ので、プローブの構造は注意深く設定され、プローブに適正な寿命とされている 。ケーシング48はその先端面が先方面プレート50で、その上端面がキャップ 52で閉じられている。第1図に示すように、キャップはそのなかにファイバー 32と34を貫通させる通路ようの開口を有している。キャップはこれらファイ バーの回りがシールされている。先方面プレート50は、ねじ切りされた開口部 54及び56を有している。第3図から明らかなように、レンズキャリア58が 開口部56に螺合されている。レンズキャリア58はねじ切りされた開口部56 と螺合するねじ山60を備えているとともに、先方面プレート50の上面に当接 する肩部62を有しており、これによりレンズキャリア58は所定位置に堅固に ねじ止めされて、この開口部56を通っての漏れを防ぐようにシールされている 。連結アダプタ64は、その下端に細目のねじ部を備えており、このねじ部はレ ンズキャリア58の上部のねじ切りされた凹所66のねじ部と螺合している。ロ ックナツト68はアダプタ64の上端のこれよりも粗いねじ部70と螺合してい る。ねじ部70はコネクタナツト72と合うように構成されている。コネクタナ ツト72は入力用ファイバー32の外端部をクランプしているクランプスリーブ の2分割体73及び75と組合わされている。細目のねじ部66は、入力用ファ イバー32の端74の位置を調整するため、連結アダプタ64が上下調整可能な ように設けられている。
この場合には、この端は、ファイバーと半球形のレンズ76の平らな側との間に 僅かな隙間を備えたものとなっている。レンズは、レンズ用凹所80の底部にお ける肩部78に当接されて固定されている。プリズム82は先方面プレート50 の先方面に当接して取付けられ、シールされている。プリズム82は、直角をな す2面と、直交面の双方にたいして好ましくは45″をなす角度面を備えた、通 常の5面形の直交プリズムである。入力面86は出力面88にたいして直角であ る。出力面88はプリズム92の入力面90と離間して、且つ平行に配されてい る。入力面および出力面は、これらの間にスペース94を規定している。レンズ 92の後方は、レンズキャリア58と同じレンズキャリア58、及び連結アダプ タ64と同じ連結アダプタ98であり、従ってプリズム92は信号用ファイバー 34に接続されている。
第1図に示すように、プローブ14がメッキ液12中に置かれ、このシステムが 作動された際、820nmの光がファイバー32に送られ、ファイバー32はプ リズム82と通つて、ギャップ94を渡して光を伝達する。メッキ液12はギャ ップ94を満たしており、スペース94を亙って伝えられる光の総量は、液剤に よるスペクトラムのこの部分における吸光の関数である。820nmの波長は、 これが液中の水和銅錯体の吸光のピークであることから選定されている。従って 、吸収される光の総量、およびこのことからプリズム92に入る光の総量は、水 和銅錯体の濃度の関数である。信号用ファイバー34の信号および光学ディテク タ44への信号用ファイバー38の信号は、従って液中の水和銅錯体の量に関係 している。前述のように、光源の変化はフィードバックファイバー42における 光によって補償されている。光学的な情報はディテクタ44及び46で電気信号 に変換され、これらの電気信号はユニット40にで処理されて、出力線47にお ける信号となる。これは作業者にたいして、彼に液中の水和銅錯体の濃度の状態 を知らせる信号である。
本発明の好ましい構成例は、銅メツキ液中の銅イオン濃度を感知するのに用いら れるものとして説明されてきた。ギャップ94を亙って伝えられる特定波長、関 連する光源、フィルター及びディテクタ特性を選定することにより、このシステ ムは他の液において他の物質を検知するのにも使用可能である。すず−鉛電解メ ツキ(T in −1ead electroplating)液では、メッキ の品質を改善するのにペプトン(P eptone)を用いている。ペプトンは 動物性の有機材であり、この様な液中で湿潤剤として、及び増白剤として作用す る。はんだパッドには、はんだが電解メッキ処理され、この上に電気的な構成要 素が表面より装着される。はんだメッキ液は、数種の危険な物質を含んでいるた め、サンプルの採取には厳重な注意を要する。弗化はう紫電(Fluboric  acid) (HBF4)は、共晶のすず一鉛はんだが溶解する希な物質の一 つである。
ペプトンを加えることなく、すず−鉛のメッキが灰色の外観となって現われ、曲 げ試験においては脆い。ペプトンの添加はこの脆性を除去し、且つすず一鉛のは んだを光沢のある表面となってメッキ加工させるものとなる。
ペプトンは錯体の有機物であり、これはその化合物がメッキ特性を改善させるも のとして知られていない。しかし、メッキ加工に好適なペプトンのを機構成要素 が、200ないし360nmの範囲の紫外線を吸光することは、測定されていた 。このことから、プローブ14を用いたこのシステムにより、有効なペプトン濃 度を測定するのが可能になる。プローブ14がこの範囲ないで使用される場合、 ハウジング18の光源は好ましくはシュウチリウムアークランプ(deuter iumarc 1ar5p)であり、これは充分な紫外線の出力を有している。
光学スプリッタ、ファイバー及びプローブは前述したものと同じである。フィル タ43および45は、200ないし360nmの範囲の紫外線、好適にはより狭 い300ないし340nmの範囲の紫外線を通す。この狭い範囲では、ペプトン の濃度の変化について、検知される吸光がこれよりも大きな変化を示すことが測 定されている。このようにして、すず−鉛はんだ液中のペプトンのリアルタイム での分析が為され、これによってはんだメッキ液の平衡を維持し、生産効率を増 加させ、サンプル採取をなくすことにより作業者への危険性を減らす。有用なサ ンプリングの利点は、被覆された単一のファイバーの使用により達成され、これ によりプローブと電磁的な干渉を保護する装置との間の適当な距離が達成される 。
この発明は現在考えられる最良の態様で記載されており、多くの変形例、態様、 及び実施例が当業者の能力の範囲内で、発明の才を発揮せずとも類推可能である ことは明らかである。
従って、本発明の適用範囲は以下の請求の範囲によって規定されるものである。
国際調査報告 +llenwnaM+ h*−−1m us、?Cτ/US [1710ユa8 4国際調査報告 LIS 8701884 SA 18400

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.選択された波長の光を発する光源と、部分的に水溶液中に入れられるプロー ブと、前記光源を前記プローブに接続する光ファイバーと、第1の光学ディテク タと、前記プロープを前記第1の光学ディテクタに接続する光ファイバーと、前 記光学ディテクタに接続され、前記第1の光学ディテクタによって受信される光 学的な信号を電気的なアナログ信号に処理する信号処理手段と、前記信号処理手 段の周囲に配され、前記信号処理手段を周囲の電磁的な干渉から保護する電磁干 渉保護部材とを備えてなり、前記プローブはこれを通る光路を有してなるととも に、前記光路中に水溶液により満たされることになる空間を有し、選択された波 長の光が前記空間を渡って前記プローブを通って前記第1の光学ディテクタに戻 り、これにより前記空間での水溶液による光の吸収は、前記第1の光学ディテク タに送られる光に影響を与えるとともに、前記信号処理ユニットにより処理され た信号に影響を与えるものである水溶液中のイオンを感知するシステム。
  2. 2.前記処理ユニットに接続された第2の光学ディテクタと、前記光源と前記第 2の光学ディテクタとの間に接続されて、前記処理ユニットに前記光源に応じた 信号を送る光ファイバとを有している請求の範囲第1項に記載のシステム。
  3. 3.前記プローブは第1及び第2のプリズムを支持しており、前記第1及び第2 の光ファイバーは、前記第1および第2のプリズムにそれぞれ接続されており、 前記空間はプリズムの端面間に位置している請求項第2項に記載のシステム。
  4. 4.前記第1の光ファイバーと前記第1のプリズムとの間には第1のレンズが位 置しており、前記第2の光ファイバーと前記第2のプリズムとの間には第2のレ ンズが位置している請求項第3項に記載のシステム。
  5. 5.前記プローブは、中空のケーシングと、前記プロープの先端面に固着されて 前記プローブの先端面を閉止する先方プレートとを備えてなり、前記先方プレー トはそのなかに第1及び第2の開口を有しており、前記第1及び第2のプリズム はそれぞれ前記第1及び第2の開口を覆って閉じるものである請求項第1項に記 載のシステム。
  6. 6.第1および第2の連結アダプターはそれぞれ、前記ケーシングの前記先方プ レートに内側から、前記先方プレートの前記第1及び第2の開口に揃えられて取 着されており、前記第1及び第2の光ファイバーは前記第1及び第2の連結アダ プタに取外し可能にして取着されている請求項第5項に記載のシステム。
  7. 7.第1及び第2のプリズムに対してそれぞれ配された第1及び第2のレンズが 設けられており、前記連結アダプターはそれぞれねじ切り加工されて、前記第1 及び第2のレンズに対して前記第1及び第2の光ファイバをそれぞれ焦点調節可 能とし、前記ファイバーと前記プリズムとの間の光学的カップリングを最適なも のとする請求項第6項に記載のシステム。
  8. 8.前記処理ユニットに接続された第2の光学ディテクタが設けられているとと もに、前記光源と前記第2の光学デイテククとの間に接続されて、前記光源に応 じた信号を前記処理ユニットに送る光ファイバーが設けられている請求項第7項 に記載のシステム。
  9. 9.前記プローブは第1および第2のプリズムを支持し、前記第1及び第2の光 ファイバーは前記第1及び第2のプリズムにそれぞれ接続されており、前記空間 は前記プリズムの端面間に位置している請求項第8項に記載のシステム。
  10. 10.先端面とキャップ端面とを有する中空のケーシングと、前記ケーシングの 前記先端面を閉止する先方プレートであって、外側及び内側を有しているととも にこれを外側から内側に通す第1および第2の開口を有してなる先方プレートと 、前記先方プレートの外側に取付けられて、それぞれ前記第1及び第2の開口を 覆う第1及び第2のプリズムであって、互いに対向して離間してその間に空間を 規定する端面を有してなる第1及び第2のプリズムと、第1及び第2の光ファイ バーと、前記先方プレートの前記第1及び第2の開口について前記第1及び第2 の光ファイバーを機械的に及び光学的に接続する手段であって、これにより前記 第1の光ファイバーにおいて光が前記第1のプリズムを照らし、前記第1及び第 2のプリズム間の空間を亙って光を方向ずけ、前記空間内の物質の光学的な吸収 率のよって変化するものとして、光が前記第2のプリズムによって受けられて第 2の光ファイバーに向けられるようにする手段とを備えてなる部分的に水溶液中 に入れられるプローブ。
  11. 11.前記先方プレートの前記第1および第2の開口を覆って第1及び第2のレ ンズキャリアがそれぞれ固着されており、前記第1及び第2の光ファイバーは前 記第1及び第2のレンズキャリアに対して取付けられている請求項第10項に記 載のプローブ。
  12. 12.前記第1および第2のレンズキャリアに、第1及び第2のレンズがそれぞ れ取付けられ、前記プリズムと前記ファイバーとの間で光を焦点合せする請求項 第11項に記載のプローブ。
  13. 13.第1及び第2の連結アダプタは、前記第1および第2のレンズキャリアに それぞれねじを介して連結され、前記第1及び第2の光ファイバーは前記第1及 び第2の連結アダプタにそれぞれ取着されている請求項第12項に記載のプロー プ。
  14. 14.前記第1及び第2のレンズキャリアに対してそれぞれ螺合された第1及び 第2の連結アダプターが設けられており、前記第1及び第2のファイバーはそれ ぞれ前記第1及び第2の連結アダプタに取着されて、前記第1のファイバーの位 置は、前記第1のレンズに対して、前記第1のレンズキャリア内における前記第 1の連結アダプタのねじ切り加工されてなる連結により調節可能であり、前記第 2のファイバーの位置は、前記第2のレンズに対して、前記第2のレンズキャリ ア内における前記第2の連結アダプタのねじ切り加工されてなる連結により調節 可能である請求項第13項に記載のプローブ。
  15. 15.前記第1及び第2の連結アダプタと、前記第1及び第2のレンズキャリア との間で、それぞれ第1及び第2のロックナットが締結可能である請求項第14 項に記載のプロープ。
  16. 16.第1及び第2の光電変換器と、第1および第2の変換器からの電気的な信 号を比較して処理する処理ユニットを、電磁的な干渉から保護された環境に位置 付ける工程と、水溶液中で感知しようとするイオンの吸光のピーク値に対応して 選択された波長の光を準備する工程と、単一の光ファイバーを介して光をプロー ブに伝達する工程と、 光が水溶液の一部を通って伝えられるようにして、水溶液中にプローブを部分的 に浸す工程と、 水溶液中においてエネルギの一部が吸収されてなる光を、光ファイバーを介して 第1の光電変換器に伝達する工程と、処理ユニットによる第1及び第2の変換器 の出力の比較が、水溶液中で吸収された光の総量を示すようにして、光源からの 光の一部を、光ファイバーを介して直接第2の変換器に伝達する工程とを備えて なる水溶液中でのイオンを感知する方法。
  17. 17.請求項第16項における水溶液を通して光を伝達する工程であって、 光源のファイバーからの光を、水溶液に露出された端面を有してなる第1のプリ ズムに伝達する工程と、水溶液からの光を、水溶液に露出され、第1のプリズム の露出された端面に対面する端面を有してなる第2のプリズムを介して集める工 程と備えてなる請求項第16項における水溶液を通して光を伝達する工程。
  18. 18.前記光を準備する工程は、ほぼ820ナノメータの波長の光を準備する工 程を備えてなり、プローブを浸す工程は、水和銅錯体を含んでなる電解メッキ液 にプローブを浸す工程を備えてなる請求項第17項に記載の方法。
  19. 19.光を準備する工程は、300ないし360ナノメータの範囲内の波長の光 を準備する工程をそなてなり、プロープを浸す工程は、ペプトンを含んでなる電 解メッキ液にプロープを浸す工程を備えてなる請求項第17項に記載の方法。
JP62505025A 1986-09-15 1987-08-03 水溶液中のイオン感知システム Pending JPH01501247A (ja)

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