JPH0147046B2 - - Google Patents
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- JPH0147046B2 JPH0147046B2 JP58049621A JP4962183A JPH0147046B2 JP H0147046 B2 JPH0147046 B2 JP H0147046B2 JP 58049621 A JP58049621 A JP 58049621A JP 4962183 A JP4962183 A JP 4962183A JP H0147046 B2 JPH0147046 B2 JP H0147046B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は過電圧・サージ電圧等が問題になる自
動車電話用移動機の電力増幅器に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a power amplifier for a mobile phone for a car phone in which overvoltage, surge voltage, etc. are a problem.
まず、第1図を参照して従来の自動車電話用移
動機に用いられている電力増幅器を説明する。第
1図に示す電力増幅器は第1段目のトランジスタ
増幅器TR1がB級またはAB級であつて、電源
電圧が制御される例である。電力増幅器はトラン
ジスタ増幅器TR1〜TRnの多段接続で、最終段
よりカツプラ2によつて高周波出力の一部が取り
出される。この検波された高周波出力はOPアン
プにより増幅される。OPアンプは高周波出力が
増加したときはその出力は低下するように構成さ
れている。したがつて、そのように高周波出力が
変化しようとするときは第1のトランジスタ5は
非導通方向に動作し、さらに第2のトランジスタ
3も非導通方向に動作し、トランジスタ増幅器
TR1に印加される自動車バツテリ電圧は低下す
る方向に制御される。その結果、トランジスタ増
幅器TR1の増幅度は低下し、トランジスタ増幅
器TRnの高周波出力は一定値に抑えられる。高
周波出力が低下する方向に変化したときは、上記
とは反対の制御がOPアンプ、第1、第2のトラ
ンジスタより構成されるフイードバツクループに
よつて行なわれ、トランジスタ増幅器TR1の増
幅度は増大し、その結果、やはりトランジスタ増
幅器TRnの高周波出力は一定値に保持される。 First, a power amplifier used in a conventional mobile phone mobile device will be explained with reference to FIG. The power amplifier shown in FIG. 1 is an example in which the first stage transistor amplifier TR1 is of class B or class AB, and the power supply voltage is controlled. The power amplifier is a multistage connection of transistor amplifiers TR1 to TRn, and a portion of the high frequency output is extracted from the final stage by a coupler 2. This detected high frequency output is amplified by an OP amplifier. The OP amplifier is configured so that when the high frequency output increases, the output decreases. Therefore, when the high frequency output is about to change in this way, the first transistor 5 operates in the non-conducting direction, and the second transistor 3 also operates in the non-conducting direction, and the transistor amplifier
The automobile battery voltage applied to TR1 is controlled to decrease. As a result, the amplification degree of the transistor amplifier TR1 decreases, and the high frequency output of the transistor amplifier TRn is suppressed to a constant value. When the high frequency output changes in the direction of decreasing, the control opposite to the above is performed by the feedback loop composed of the OP amplifier and the first and second transistors, and the amplification degree of the transistor amplifier TR1 is As a result, the high frequency output of the transistor amplifier TRn is also held at a constant value.
上記構成において、高波出力が存在していない
ときはOPアンプの出力は最大になり、第1、第
2のトランジスタは完全な導通状態になるためト
ランジスタ増幅器TR1には自動車バツテリから
の過電圧・サージ電圧を含んだ電圧が直接印加さ
れることになる。 In the above configuration, when there is no high wave output, the output of the OP amplifier is maximum, and the first and second transistors are completely conductive, so the transistor amplifier TR1 receives overvoltage/surge voltage from the automobile battery. A voltage containing this will be directly applied.
通常、トランジスタ増幅器がA級動作の場合は
問題は生じないが、この場合は電源制御されるト
ランジスタ増幅器TR1がB級またはAB級の動
作であるため過電流破壊を起こす危険がある。 Normally, no problem occurs if the transistor amplifier operates in class A mode, but in this case, since the transistor amplifier TR1, which is power-controlled, operates in class B or AB mode, there is a risk of overcurrent damage.
本発明の目的はB級またはAB級動作をするト
ランジスタ増幅器を電源電圧制御対象とする、自
動車電話用移動機の電力増幅器において、上記電
源電圧の制御対象とされたトランジスタ増幅器を
自動車バツテリの過電圧・サージ電圧より保護で
きる過電圧・サージ電圧保護回路を提供すること
にある。 An object of the present invention is to provide a power amplifier for a mobile phone for a mobile phone in which the power supply voltage is controlled to a transistor amplifier operating in class B or AB class. An object of the present invention is to provide an overvoltage/surge voltage protection circuit that can protect against surge voltages.
前記目的を達成するため本発明による高周波電
力増幅器における過電圧・サージ電圧保護回路は
複数のトランジスタ増幅器を多段接続し、最終段
より高周波出力の一部を取り出し、その取り出し
た出力により第1のトランジスタを制御し、さら
に第2のトランジスタにより、前記トランジスタ
増幅器のうちのB級またはAB級動作するトラン
ジスタ増幅器の電源電圧を制御することにより前
記高周波出力を所定値に保つ自動車電話用移動機
の高周波電力増幅器において、前記第1と第2の
トランジスタ間にツエナーダイオードを挿入し、
前記高周波出力の不存在によつて前記トランジス
タ増幅器に印加される電源電圧が一定値以上に上
昇したとき、その電源電圧を前記ツエナーダイオ
ードで検出することにより前記第1のトランジス
タのバイアスを浅くし、第2のトランジスタのベ
ース電流を抑えることにより前記トランジスタ増
幅器に印加される電圧を一定値に固定するように
構成してある。 In order to achieve the above object, the overvoltage/surge voltage protection circuit in a high frequency power amplifier according to the present invention connects a plurality of transistor amplifiers in multiple stages, extracts a part of the high frequency output from the final stage, and uses the extracted output to control the first transistor. A high-frequency power amplifier for a mobile phone for a mobile phone that maintains the high-frequency output at a predetermined value by controlling the power supply voltage of a transistor amplifier operating in class B or class AB among the transistor amplifiers by a second transistor. Inserting a Zener diode between the first and second transistors,
When the power supply voltage applied to the transistor amplifier rises above a certain value due to the absence of the high frequency output, the bias of the first transistor is made shallow by detecting the power supply voltage with the Zener diode, The voltage applied to the transistor amplifier is fixed to a constant value by suppressing the base current of the second transistor.
前記構成によれば電源電圧の制御対象となる、
B級またはAB級動作するトランジスタ増幅器を
自動車バツテリの過電圧・サージ電圧より保護で
き、本発明の目的は完全に達成できる。 According to the above configuration, the power supply voltage is controlled,
A transistor amplifier operating in class B or class AB can be protected from overvoltage and surge voltage of an automobile battery, and the object of the present invention can be completely achieved.
以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく説
明する。第2図は本発明による過電圧・サージ電
圧保護回路を付加した高周波電力増幅器の一実施
例を示す回路図である。図において、第1のトラ
ンジスタ4のエミツタと第2のトランジスタ3の
コレクタ間に挿入されているツエナーダイオード
13を除き、他の回路構成は第1図と同様であ
り、本実施例回路は電力増幅器1とフイードバツ
クループ11と過電圧・サージ電圧保護回路に分
割できる。電力増幅器1の最終段に高周波出力が
ある場合は第1図で説明した通り、第2のトラン
ジスタはベース電流が制御され、その結果、B級
またはAB級動作するトランジスタ増幅器TR1
の電源電圧が制御される。最終段に高周波出力が
存在しない場合、OPアンプの出力が最大となる
ため、第1、第2のトランジスタも完全導通とな
る。しかしながら、第2のトランジスタ3のコレ
クタ電圧がツエナーダイオード13の閾値を越え
ると、ツエナーダイオードは動作を開始する。 Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to the drawings. FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of a high frequency power amplifier equipped with an overvoltage/surge voltage protection circuit according to the present invention. In the figure, except for the Zener diode 13 inserted between the emitter of the first transistor 4 and the collector of the second transistor 3, the other circuit configurations are the same as in FIG. 1, a feedback loop 11, and an overvoltage/surge voltage protection circuit. When the final stage of power amplifier 1 has a high frequency output, as explained in Fig. 1, the base current of the second transistor is controlled, and as a result, the transistor amplifier TR1 operates in class B or class AB.
power supply voltage is controlled. If there is no high-frequency output in the final stage, the output of the OP amplifier is at its maximum, so the first and second transistors are also completely conductive. However, when the collector voltage of the second transistor 3 exceeds the threshold of the Zener diode 13, the Zener diode starts operating.
このツエナーダイオードの動作によつて自動車
バツテリ、第2のトランジスタ3、ツエナーダイ
オード13および第1のトランジスタ4のエミツ
タ抵抗5の経路で電流が流れ、エミツタ電圧が持
ち上げられる。そのため第1のトランジスタ4の
バイアスは浅くなり、そのコレクタ電流が減少す
るため第2のトランジスタ3のベース電流も減少
する。その結果、トランジスタ3のコレクタ電流
は抑制され、トランジスタ3のコレクタ電圧(ツ
エナー電圧+トランジスタ4のエミツタ電圧)は
一定値に抑えられる。 Due to this operation of the Zener diode, a current flows through the path of the automobile battery, the second transistor 3, the Zener diode 13, and the emitter resistor 5 of the first transistor 4, and the emitter voltage is increased. Therefore, the bias of the first transistor 4 becomes shallower, and its collector current decreases, so that the base current of the second transistor 3 also decreases. As a result, the collector current of transistor 3 is suppressed, and the collector voltage of transistor 3 (Zener voltage+emitter voltage of transistor 4) is suppressed to a constant value.
以上、詳しく説明したように本発明によれば、
高周波出力不存在時に上昇する第2のトランジス
タのコレクタ電圧をツエナダイオードで検出し、
第1のトランジスタによつて第2のトランジスタ
のコレクタ電圧を一定値に抑えることにより、B
級またはAB級動作をし、電源電圧の制御対象と
なるトランジスタ増幅器の自動車バツテリの過電
圧・サージ電圧より保護できる効果がある。 As described above in detail, according to the present invention,
The collector voltage of the second transistor, which increases when there is no high-frequency output, is detected by a Zener diode,
By suppressing the collector voltage of the second transistor to a constant value by the first transistor, B
It operates in class or AB class, and is effective in protecting transistor amplifiers whose power supply voltage is controlled from overvoltages and surge voltages of automobile batteries.
第1図は従来の自動車電話用移動機の電力増幅
器の一例を示す回路図、第2図は本発明による過
電圧・サージ電圧保護回路を含む電力増幅器の一
実施例を示す回路図である。
1…電力増幅器、2…カツプラ、3…第2のト
ランジスタ、4…第1のトランジスタ、5,6,
7,8,9,10…抵抗、7…OPアンプ、11
…フイードバツクループ、12…保護回路、13
…ツエナーダイオード。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a power amplifier of a conventional mobile phone for a mobile phone, and FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of a power amplifier including an overvoltage/surge voltage protection circuit according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Power amplifier, 2... Coupler, 3... Second transistor, 4... First transistor, 5, 6,
7, 8, 9, 10...Resistance, 7...OP amplifier, 11
...Feedback loop, 12...Protection circuit, 13
...Zener diode.
Claims (1)
終段より高周波出力の一部を取り出し、その取り
出した出力により第1のトランジスタを制御し、
さらに第2のトランジスタにより、前記トランジ
スタ増幅器のうちのB級またはAB級動作するト
ランジスタ増幅器の電源電圧を制御することによ
り前記高周波出力を所定値に保つ自動車電話用移
動機の高周波電力増幅器において、前記第1と第
2のトランジスタ間にツエナーダイオードを挿入
し、前記高周波出力の不存在によつて前記トラン
ジスタ増幅器に印加される電源電圧が一定値以上
に上昇したとき、その電源電圧を前記ツエナーダ
イオードで検出することにより前記第1のトラン
ジスタのバイアスを浅くし、第2のトランジスタ
のベース電流を抑えることにより前記トランジス
タ増幅器に印加される電圧を一定値に固定するよ
うに構成したことを特徴とする高周波電力増幅器
における過電圧・サージ電圧保護回路。1. A plurality of transistor amplifiers are connected in multiple stages, a part of the high frequency output is extracted from the final stage, and the first transistor is controlled by the extracted output,
Furthermore, in the high frequency power amplifier of the mobile phone for a car phone, the high frequency output is maintained at a predetermined value by controlling the power supply voltage of a transistor amplifier operating in class B or class AB among the transistor amplifiers by a second transistor. A Zener diode is inserted between the first and second transistors, and when the power supply voltage applied to the transistor amplifier rises above a certain value due to the absence of the high frequency output, the power supply voltage is connected to the Zener diode. The high frequency device is characterized in that the voltage applied to the transistor amplifier is fixed at a constant value by shallowly biasing the first transistor by detecting it and suppressing the base current of the second transistor. Overvoltage/surge voltage protection circuit for power amplifiers.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58049621A JPS59175207A (en) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | Protecting circuit of overvoltage and surge voltage of high-frequency power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58049621A JPS59175207A (en) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | Protecting circuit of overvoltage and surge voltage of high-frequency power amplifier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59175207A JPS59175207A (en) | 1984-10-04 |
JPH0147046B2 true JPH0147046B2 (en) | 1989-10-12 |
Family
ID=12836298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58049621A Granted JPS59175207A (en) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | Protecting circuit of overvoltage and surge voltage of high-frequency power amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59175207A (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH04351111A (en) * | 1990-11-30 | 1992-12-04 | Motorola Inc | Improved type power amplifier output level-controller |
KR19980085583A (en) * | 1997-05-29 | 1998-12-05 | 이형도 | Stabilization Circuit of Power Amplifier for Mobile Phone |
JP6386573B2 (en) * | 2014-09-26 | 2018-09-05 | Necスペーステクノロジー株式会社 | Output power control device |
-
1983
- 1983-03-24 JP JP58049621A patent/JPS59175207A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS59175207A (en) | 1984-10-04 |
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