JPH0141250B2 - - Google Patents

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JPH0141250B2
JPH0141250B2 JP59162689A JP16268984A JPH0141250B2 JP H0141250 B2 JPH0141250 B2 JP H0141250B2 JP 59162689 A JP59162689 A JP 59162689A JP 16268984 A JP16268984 A JP 16268984A JP H0141250 B2 JPH0141250 B2 JP H0141250B2
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JP
Japan
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wafer
mask
cassette
unexposed
exposed
Prior art date
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Application number
JP59162689A
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Japanese (ja)
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JPS6140029A (en
Inventor
Motonori Yokoyama
Yutaka Nakamura
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Yutaka Giken Co Ltd
Original Assignee
Yutaka Giken Co Ltd
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Publication date
Application filed by Yutaka Giken Co Ltd filed Critical Yutaka Giken Co Ltd
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Publication of JPS6140029A publication Critical patent/JPS6140029A/en
Publication of JPH0141250B2 publication Critical patent/JPH0141250B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、半導体製造方法に関し、特に、マ
スクとウエーハの目合せ及びウエーハの焼付けを
自動的に行なう自動マスク・ウエーハ目合せ焼付
方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing method, and more particularly to an automatic mask-wafer alignment and baking method for automatically aligning a mask and a wafer and baking the wafer.

従来の技術 従来、この種の方法では直線路にそつて未露光
ウエーハは供給して次の場所でマスクとウエーハ
の目合せ、及びこれに続いて目合せ装置を移動
し、その移動した後でマスクを介してウエーハへ
のマスク・パターンの露光焼付を行ない、その後
で露光済ウエーハをウエーハ・キヤリヤに収納す
ることをそれぞれ半自動的に行なつていた。
Conventionally, in this type of method, an unexposed wafer is fed along a straight path, and the mask and wafer are aligned at the next location, followed by moving an alignment device, and after the movement. The process of exposing and printing a mask pattern onto a wafer through a mask and then storing the exposed wafer in a wafer carrier was performed semi-automatically.

発明が解決しようとする問題点 上述の従来技術では同一場所で目合せと焼付が
行なわれ、その間、未露光ウエーハの供給及び露
光済ウエーハの収納はできないため半導体の量産
化は効率的でなかつた。
Problems to be Solved by the Invention In the prior art described above, alignment and printing are performed in the same place, and during that time, unexposed wafers cannot be supplied and exposed wafers cannot be stored, making mass production of semiconductors inefficient. .

問題を解決するための手段及び作用 この発明の自動マスク・ウエーハ目合せ焼付方
法によれば、割出しテーブルの周上に少なくとも
4個のマスク・ウエーハ・カセツトが配置されて
いる。割出しテーブルの周にそう一固定点にはウ
エーハ向き検出受渡し手段が設けられて未露光ウ
エーハを受け取り、その向きを決めこれを到来す
るマスク・ウエーハ・カセツトに供給する。マス
ク・ウエーハ・カセツトがウエーハ向き検出手段
から未露光ウエーハを受けた時、このマスク・ウ
エーハ・カセツト内のマスクとウエーハの間に
上、下面の中央部に空気孔を設けた平行板が挿入
されてマスクとウエーハに対して空気を吹き出し
て両者を平行な所定間隔に調整維持する。この点
より割出しテーブルが更に所定角度所定方向に回
転した点でマスクとウエーハはx,y軸と回転角
θに関し目合せされる。この目合せに引続いて更
に所定角度、割出しテーブルが所定方向に回転し
た位置から更に所定角度、割出しテーブルが所定
方向に回転した位置までの間にマスクを介してウ
エーハは露光及び焼付をされる。この後、露光済
ウエーハは露光済みウエーハ・キヤリヤに収納さ
れる。
Means and Effects for Solving the Problems According to the automatic mask wafer alignment and baking method of the present invention, at least four mask wafer cassettes are arranged around the circumference of the indexing table. Wafer orientation detection and transfer means are provided at one fixed point around the circumference of the indexing table to receive unexposed wafers, orient them, and supply them to an incoming mask wafer cassette. When the mask wafer cassette receives an unexposed wafer from the wafer orientation detection means, a parallel plate with air holes provided in the center of the upper and lower surfaces is inserted between the mask and the wafer in the mask wafer cassette. air is blown against the mask and wafer to adjust and maintain them parallel to each other at a predetermined distance. From this point, the mask and wafer are aligned with respect to the x and y axes and the rotation angle θ at a point where the indexing table is further rotated by a predetermined angle in a predetermined direction. Following this alignment, the wafer is exposed and printed through a mask between the position where the indexing table is rotated further in a prescribed direction by a prescribed angle and the position where the indexing table is further rotated in a prescribed direction by a prescribed angle. be done. After this, the exposed wafer is stored in an exposed wafer carrier.

実施例 第1図、第2図、第3図、第4図、第5図を見
ると、この発明による自動マスク・ウエーハ目合
せ焼付装置10の一実施が示されている。この装
置には割出し動作をする割出しテーブル12が設
けられており、その周にそつて等間隔に5個のマ
スク・ウエーハ・カセツト14が割出テーブル1
2に設けられている。各マスク・ウエーハ・カセ
ツト14は第4図からわかるように、ほぼ4角形
のカバー141とこれに可変間隔をもつ底板14
2を有し、カバー141には露光焼付装置30よ
りの露光を受ける円形の窓143とガラスマスク
144を空気流により吸着する周辺溝145、こ
れに連通する吸引ニブル146が設けられてい
る。底板142上にはウエーハ取付板147が設
けられ、このウエーハ取付板147には底板14
2を貫通して下方に半球上の整合部148があ
り、更に、整合部148の下には、これを相補的
に受ける凹状の球面受台149がある。これらの
部材を一体の組立状態に保つには、空気通流溝1
49b,148a,147aがあり、更に、カバ
ー141と底板142の接合部にも空気通流溝が
150,151,152の個所に設けられてい
る。153はスロツト153a内のねじ部材でば
ね154を介してカバー141と底板142とを
ゆるく連結している。割出しテーブル12の周に
そう空間の第一の点P1(未露光ウエーハ供給及び
平行出し間隔測定部)の近くにはウエーハOF検
出部受渡し装置16が設けられていて未露光ウエ
ーハ・キヤリヤ18から受取つた未露光ウエーハ
のOF(切欠縁)を検出して所定の向きをこの未露
光ウエーハに与え到来した割出しテーブル12の
マスク内蔵のマスク・ウエーハ・カセツト14に
空気吸着式の平行板20で吸着してその未露光ウ
エーハを渡すようになつている。この平行板20
はウエーハOF検出部受渡し装置16の位置に設
けられていて、その上、下面の中央部には空気孔
20a,20bが設けられている。そしてバキユ
ームをかけることにより、その下面側に未露光ウ
エーハを吸着するようになつていると共に、到来
したマスク・ウエーハ・カセツト14に挿入する
ことにより、マスクと未露光ウエーハの間に介在
されるようになつていて、マスクと未露光ウエー
ハが完全に平行になるように圧縮空気を前記上、
下面の中央部に設けた空気孔20a,20bから
マスクと未露光ウエーハに向けて吹き出すように
なつている。この時にマスク・ウエーハ・カセツ
ト14は上方から圧力を受けてマスク・ウエー
ハ・カセツトの各構成要素を下方に押し、ウエー
ハ取付板147の下方の半球状の凸凹整合部を調
整してウエーハ、マスク、平行板の三部材を平行
状態にし、これら三部材間にそれぞれ空隙を作つ
て空気を流し、これら三部材が接触されないよう
にする。この後、この三部材間の平行状態が維持
されるようにするため上記凸凹球面整合部間、ウ
エーハとその取付板、及び球面受台のフランジ部
と底板それぞれの間が真空でクランプされる。平
行が得られると、マスク・ウエーハ平行板20は
マスク・ウエーハ・カセツト14から引き抜かれ
て所定位置で待機する。完全に平行になつたマス
クとウエーハの間隔は検出装置(図示せず)によ
り読み出され記憶される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIGS. 1, 2, 3, 4, and 5, one implementation of an automatic mask wafer align and bake apparatus 10 according to the present invention is shown. This device is equipped with an indexing table 12 that performs indexing operations, and five mask wafer cassettes 14 are placed on the indexing table 12 at equal intervals along its circumference.
It is provided in 2. As can be seen in FIG. 4, each mask wafer cassette 14 includes a substantially square cover 141 and a bottom plate 14 with variable spacing.
2, the cover 141 is provided with a circular window 143 that receives exposure from the exposure and printing device 30, a peripheral groove 145 that attracts the glass mask 144 by air flow, and a suction nibble 146 that communicates with this. A wafer mounting plate 147 is provided on the bottom plate 142 .
There is a hemispherical matching part 148 below through and below the matching part 148, and further, below the matching part 148, there is a concave spherical pedestal 149 that complementarily receives the matching part 148. In order to keep these parts in an integrated state, air flow grooves 1
49b, 148a, and 147a, and furthermore, air flow grooves are provided at locations 150, 151, and 152 at the joint between the cover 141 and the bottom plate 142. Reference numeral 153 denotes a screw member in the slot 153a, which loosely connects the cover 141 and the bottom plate 142 via a spring 154. A wafer OF detection unit delivery device 16 is provided around the indexing table 12 near the first point P 1 (unexposed wafer supply and parallel alignment interval measurement unit) in the space, and an unexposed wafer carrier 18 is provided. The OF (notch edge) of the unexposed wafer received from the wafer is detected, the unexposed wafer is given a predetermined orientation, and the air adsorption type parallel plate 20 is attached to the mask wafer cassette 14 with a built-in mask on the indexing table 12. It is designed to adsorb the wafer and hand over the unexposed wafer. This parallel plate 20
is provided at the position of the wafer OF detection unit delivery device 16, and air holes 20a and 20b are provided in the center of the lower surface. By applying a vacuum, unexposed wafers are attracted to the underside of the wafer, and by inserting the wafer into the mask wafer cassette 14 that has arrived, the wafer is inserted between the mask and the unexposed wafer. Apply compressed air to the top so that the mask and unexposed wafer are completely parallel to each other.
Air is blown out toward the mask and unexposed wafer from air holes 20a and 20b provided in the center of the lower surface. At this time, the mask/wafer/cassette 14 receives pressure from above to push each component of the mask/wafer/cassette downward, and adjusts the hemispherical concave/convex alignment section below the wafer mounting plate 147 to adjust the wafer, mask, and other components. The three members of the parallel plate are placed in a parallel state, and gaps are created between these three members to allow air to flow so that these three members do not come into contact with each other. Thereafter, in order to maintain the parallel state between the three members, the spaces between the concave and convex spherical alignment parts, the wafer and its mounting plate, and the flange part of the spherical pedestal and the bottom plate are vacuum clamped. Once parallelism is achieved, the mask-wafer parallel plate 20 is pulled out from the mask-wafer cassette 14 and stands by at a predetermined position. The perfectly parallel mask-to-wafer spacing is read out and stored by a detection device (not shown).

第1の点P1より時計方向に1/5回転した割出し
テーブル12にそう空間内の第2の点P2(目合せ
部)には目合せ用顕微鏡22及びマニプレータ2
4が設けられていて左右のマスク・ウエーハ目合
せ用微動ハンドル26(XY±5mm以内の微調整
可能)とマスク・ウエーハ目合せ用粗動ハンドル
28(XY±20mm)と協力してマスクとウエーハ
のx,y軸及び回動角θ(スイツチによるモータ
の作動制御による)について正確な目合わせがで
きるようになつている。
An alignment microscope 22 and a manipulator 2 are placed at a second point P 2 (alignment part) in the indexing table 12 rotated 1/5 clockwise from the first point P 1 .
4 is provided, which cooperates with the left and right fine adjustment handles 26 for mask/wafer alignment (fine adjustment possible within XY ± 5 mm) and coarse adjustment handles 28 (XY ± 20 mm) for mask/wafer alignment. It is possible to accurately align the x and y axes and rotation angle θ (by controlling the operation of the motor using a switch).

割出しテーブル12の中央には水銀灯内蔵の回
動可能な露光部焼付装置30が設けられ、その半
径方向外方下方に延びる露光案内部30aを介し
て第2の点P2から到来したカセツトの未露光ウ
エーハに対し、第2の点P2から時計方向に1/5回
転回動した空間内の第3の点P3露光開始部から
露光焼付を開始し、第3の点から更に時計方向に
1/5回転した空間内の第4の点P4(露光終了部)
までウエーハと共に回動して露光焼付を継続して
行ない、第4の点P4で焼付けが終ると露光焼付
装置30は第3の点P3まで復帰するようになつ
ている。
At the center of the indexing table 12, a rotatable exposure section printing device 30 with a built-in mercury lamp is provided, and a cassette arriving from a second point P2 is exposed through an exposure guide section 30a extending radially outward and downward. For the unexposed wafer, start exposure printing from the third point P3 in the space rotated 1/5 turn clockwise from the second point P2 , and further clockwise from the third point. The fourth point P 4 in the space rotated by 1/5 (exposure end part)
The exposure and printing device 30 continues to perform exposure and printing by rotating together with the wafer until the end of the exposure and printing process, and when the printing is completed at the fourth point P4 , the exposure and printing device 30 returns to the third point P3.

焼付が終つたウエーハはカセツト14に収納さ
れたまま、第4の点P4から時計方向に1/5回転し
た空間内の第5の点P5(露光ウエーハ取出部)ま
で割出しテーブル12により回動されて第5の点
P5で露光済ウエーハは露光焼付ウエーハキヤリ
ア32へ渡されて収納されるようになつている。
The wafer after baking is stored in the cassette 14 and moved by the indexing table 12 from the fourth point P 4 to the fifth point P 5 (exposed wafer take-out section) in a space 1/5 turn clockwise. rotated to the fifth point
At P5 , the exposed wafer is transferred to the exposed and printed wafer carrier 32 and stored therein.

作 用 まず、本装置の作動には主電源スイツチ、各部
機構機能スイツチ、マスク合せ顕微鏡光源電源ス
イツチ、露光焼付用水銀灯光源電源スイツチがオ
ンとされる。
Operation First, for the operation of this device, the main power switch, each mechanism function switch, the mask alignment microscope light source power switch, and the mercury lamp light source power switch for exposure and printing are turned on.

(a) 次に各部機構、機能始動スイツチ(図示せ
ず)をオンにする。すると露光済ウエーハ・キ
ヤリヤ32が最下位置にセツトされ上部より露
光済ウエーハを受ける準備をする。また、未露
光ウエーハ・キヤリヤ18は最上位置にセツト
されてその最下位置よりOF検出受渡し部16
に未露光ウエーハを供給して後一段下がる。
OF検出受渡し部16は供給された未露光ウエ
ーハのOFを検出してこのウエーハに適正な向
きを与えて割出しテーブル12のマスク・ウエ
ーハ・カセツト14が第1の点P1に来た時に
ウエーハを供給できるよう準備する。
(a) Next, turn on each mechanism and function start switch (not shown). Then, the exposed wafer carrier 32 is set at the lowest position and is ready to receive the exposed wafer from above. Further, the unexposed wafer carrier 18 is set at the uppermost position, and the OF detection delivery unit 16 is moved from the lowermost position.
After supplying unexposed wafers, the process goes down one step.
The OF detection/delivery section 16 detects the OF of the supplied unexposed wafer, gives the wafer a proper orientation, and when the mask/wafer cassette 14 of the indexing table 12 comes to the first point P1 , the wafer is transferred. Prepare to supply.

マスク・ウエーハ・カセツト14が第1の点
P1に来ると、OF検出受渡し装置16は平行板
20に適正な向きの未露光ウエーハを吸着して
カセツト14内に挿入する。するとカセツト1
4には上方より圧力が加わつて平行板20を間
にしてマスクとウエーハが平行になるようウエ
ーハ取付板147の下方の半球状の凸整合部1
48とこれを受ける凹半球状の球面受台149
の球面部149bとの間で角度調整がされる。
そしてウエーハ、マスク、平行板20のそれぞ
れの間には空隙が作られて空気流を流し、これ
ら三部材が接触されて損傷されることがないよ
うにする。次に、これらの三部材が平行状態で
クランプされたまま維持されるようにするた
め、凸整合部148と球面受台149との間、
ウエーハとその取付板147の間、球面受台1
49のフランジ部149dと底板142の間に
それぞれ存在する空気通流溝148a,149
b,147a,149eが真空吸引され、カバ
ー141と底板142の接合部の個所150,
151,152の空気通流溝(図示せず)も真
空吸引される。この後、マスクとウエーハの間
の間隔が測定されてその数値が記憶され、平行
板20はマスクとウエーハの間から後退して定
位置で停止する。この時はまだ、露光焼付装置
30の水銀灯光源ランプハウスは第3の点P3
にあつてシヤツタはオフである。この後、各部
機構、機能及び粗動、微動ハンドルは零位置に
セツトされる。
Mask wafer cassette 14 is the first point
At P 1 , the OF detection and delivery device 16 attracts the unexposed wafer in the proper orientation to the parallel plate 20 and inserts it into the cassette 14 . Then cassette 1
Pressure is applied to 4 from above to make the mask and wafer parallel to each other with the parallel plate 20 in between.
48 and a concave hemispherical spherical pedestal 149 that receives it.
The angle is adjusted between the spherical surface portion 149b and the spherical surface portion 149b.
A gap is created between the wafer, the mask, and the parallel plate 20 to allow air flow to prevent these three members from coming into contact and being damaged. Next, in order to maintain these three members clamped in a parallel state, between the convex alignment part 148 and the spherical pedestal 149,
Between the wafer and its mounting plate 147, the spherical pedestal 1
Air flow grooves 148a and 149 respectively exist between the flange portion 149d of 49 and the bottom plate 142.
b, 147a, 149e are vacuum-suctioned, and the joint portion 150 of the cover 141 and the bottom plate 142 is
Air flow grooves 151 and 152 (not shown) are also vacuumed. After this, the distance between the mask and the wafer is measured and the value is stored, and the parallel plate 20 is withdrawn from between the mask and the wafer and stopped in position. At this time, the mercury lamp light source lamp house of the exposure and printing device 30 is still at the third point P 3
The shutter is off. After this, each mechanism, function, coarse movement, and fine movement handle are set to the zero position.

(b) 次に各部機構機能始動スイツチをオンにす
る。すると、割出しテーブル12は1/5回転時
計方向に回転して第2の点P2に停止する。マ
ニプレータ部24に割出しテーブル12のクラ
ンプ状態のカセツトが空気吸着式で装着され
る。また、この時、OF検出受渡し装置16に
未露光ウエーハが供給され、未露光ウエーハ・
キヤリヤ18は一段下る。OF検出受渡し装置
16は供給された未露光ウエーハのOF検出を
行なう。
(b) Next, turn on the start switch for each mechanism function. Then, the indexing table 12 rotates 1/5 turn clockwise and stops at the second point P2 . The clamped cassette of the indexing table 12 is attached to the manipulator section 24 by air suction. Also, at this time, the unexposed wafer is supplied to the OF detection delivery device 16.
Carrier 18 goes down one step. The OF detection delivery device 16 performs OF detection of the supplied unexposed wafer.

この後、上記段階(a)の場合と同様に、OF検
出のウエーハは第1の点P1に到来したカセツ
ト内に平行板20により挿入され、マスク、平
行板20、ウエーハの平行がとられ、マスクと
ウエーハの間隔が測定されてその数値が記憶さ
れ、マスク、ウエーハの位置が保持されてクラ
ンプされ、平行板20は定位置へ後退する。
After this, as in the case of step (a) above, the wafer for OF detection is inserted into the cassette that has arrived at the first point P1 by the parallel plate 20, and the parallelism of the mask, the parallel plate 20, and the wafer is established. , the distance between the mask and the wafer is measured and the value is memorized, the mask and wafer positions are held and clamped, and the parallel plate 20 is retreated to its home position.

先にマニプレータ部24に装着されたカセツ
ト14に対し、マニプレータ部24のZ軸24
aが上記段階(a)で得たマスクとウエーハの間隔
の記憶数値に対応して上昇し、目合せできるマ
スク・ウエーハ間隔で停止される。それから目
合せ顕微鏡22により微動ステージ移動ハンド
ル26と粗動ステージ移動ハンドル28及びθ
角度調整スイツチ(図示せず)によりマスクと
ウエーハの目合せをする{第4図G}。この時
は第1の点P1と第2の点P2の定位置に各カセ
ツトが設定されている。
The Z-axis 24 of the manipulator section 24 is
a increases in accordance with the stored value of the distance between the mask and the wafer obtained in step (a) above, and is stopped at a distance between the mask and the wafer that allows alignment. Then, using the alignment microscope 22, the fine movement stage movement handle 26, coarse movement stage movement handle 28, and θ
The mask and wafer are aligned using an angle adjustment switch (not shown) {Figure 4G}. At this time, each cassette is set at a fixed position between the first point P1 and the second point P2 .

次に、第2の点P2のマニプレータ部24に
装着されていたカセツト14の吸着が解け割出
テーブル12に装着できる状態となる。次にマ
ニプレータ部24のZ軸24aが下り割出テー
ブル12にカセツト14が装着される。マニプ
レータ部24よりカセツト14放出後各部機
構、機能及びステージ粗動微動ハンドルは零位
置にセツトされる。
Next, the suction of the cassette 14 attached to the manipulator section 24 at the second point P2 is released, and the cassette 14 becomes ready to be attached to the indexing table 12. Next, the Z-axis 24a of the manipulator section 24 is lowered and the cassette 14 is mounted on the indexing table 12. After the cassette 14 is ejected from the manipulator section 24, the various mechanisms, functions, and stage coarse and fine movement handles are set to the zero position.

(c) 次に各部機構・機能始動スイツチをオンにす
る。すると、割出しテーブル12が時計方向に
1/5回転回転して停止する。これにより、マニ
プレータ部24には割出しテーブル12の第1
の点P1にあつたカセツト14が装着される。
一方、OF検出受渡し装置16に未露光ウエー
ハ・キヤリヤ18からウエーハが供給され、未
露光ウエーハ・キヤリヤ18は一段下がる。
OF検出受渡し装置16では供給された未露光
ウエーハのOFを検出し、上述のように、未露
光ウエーハは向きを与えられて平行板20に吸
着されて第1の点P1に来たマスク・ウエー
ハ・カセツト14内へ挿入されて平行にされ、
マスクとウエーハはその間隔測定がされ、その
数値が記憶され、真空クランプされ、平行板2
0は定位置へ後退する。
(c) Next, turn on the start switch for each mechanism/function. Then, the index table 12 rotates 1/5 turn clockwise and stops. As a result, the manipulator section 24 has the first position of the index table 12.
The cassette 14 at point P1 is loaded.
On the other hand, a wafer is supplied to the OF detection delivery device 16 from the unexposed wafer carrier 18, and the unexposed wafer carrier 18 is lowered one step.
The OF detection and delivery device 16 detects the OF of the supplied unexposed wafer, and as described above, the unexposed wafer is oriented and attracted to the parallel plate 20 and reaches the mask point P1 . the wafers are inserted into the wafer cassette 14 and made parallel;
The distance between the mask and the wafer is measured, the value is memorized, the mask is vacuum clamped, and the parallel plate 2
0 retreats to its home position.

第3の位置P3には目合せされたマスク・ウ
エーハのカセツト14が来ていて、露光焼付装
置30の水銀灯シヤツタが開き照射が始まる。
A cassette 14 of aligned masks and wafers has arrived at the third position P3 , and the mercury lamp shutter of the exposure and printing device 30 is opened to begin irradiation.

第2の点P2では、マニプレータ24に装着
されたカセツト14に対しマニプレータ24の
Z軸24aが対応のカセツト14のマスクとウ
エーハの間隔の記憶数値に対応する量だけ上昇
し目合せできるマスク・ウエーハ間隔で停止す
る。そして、目合せ顕微鏡22により微動粗動
ステージ移動ハンドル26,28、θ角度調整
スイツチでマスクとウエーハの目合せをし、カ
セツト14のマスクとウエーハは適正な位置関
係を保持して空気作用で固定される。マニプレ
ータ部24に装着されていたカセツト14の吸
着が解けカセツト14は割出テーブル12に装
着準備可能となる。すると、マニプレータ部2
4のZ軸24aが下りカセツト14は割出テー
ブル12に装着される。マニプレータ部24よ
りカセツト14の放出後、各部機構、機能及び
ステージ粗動微動ハンドル等は零位置にセツト
される。この状態では第1、2、3の点P1,
P2,P3において、カセツト14がそれぞれ
定位置にセツトされている。
At the second point P2 , the Z-axis 24a of the manipulator 24 is raised relative to the cassette 14 mounted on the manipulator 24 by an amount corresponding to the stored value of the distance between the mask and the wafer of the corresponding cassette 14, and the mask and wafer can be aligned. Stops at wafer intervals. Then, using the alignment microscope 22, the mask and wafer are aligned using the fine and coarse movement stage movement handles 26, 28 and the θ angle adjustment switch, and the mask and wafer in the cassette 14 are fixed in a proper positional relationship by pneumatic action. be done. The suction of the cassette 14 mounted on the manipulator section 24 is released, and the cassette 14 becomes ready to be mounted on the indexing table 12. Then, manipulator part 2
The cassette 14 is mounted on the indexing table 12 with the Z-axis 24a of the cassette 14 descending. After the cassette 14 is ejected from the manipulator section 24, the various mechanisms, functions, stage coarse and fine movement handles, etc. are set to the zero position. In this state, the first, second, and third points P1,
At P2 and P3, the cassettes 14 are set in their respective positions.

(d) 次に各部機構機能始動スイツチをオンにす
る。すると割出しテーブル12は1/5回転時計
方向に回転されて停止する。この時、マニプレ
ータ部24には割出テーブル12より第1の点
P1から今到来したマスク・ウエーハ・カセツ
ト14が装着される。
(d) Next, turn on the start switch for each mechanism function. Then, the index table 12 is rotated 1/5 turn clockwise and then stopped. At this time, the mask wafer cassette 14 that has just arrived from the first point P1 from the indexing table 12 is mounted on the manipulator section 24.

一方、未露光ウエーハ・キヤリヤ18はOF
検出受渡し装置16へ未露光ウエーハを供給し
て一段下る。OF検出受渡し装置16は受け取
つた未露光ウエーハのOFを検出し、このウエ
ーハに適正な向きを与える。平行板20はこの
ウエーハを吸着して第1の点P1にあるカセツ
ト14にウエーハを供給し上述の場合と同様に
マスクとウエーハの平行が取られ、その間隔は
記憶され、マスクとウエーハはその平行状態に
クランプされ、平行板20は後退位置へ移動し
て停止する。
On the other hand, unexposed wafer carrier 18 is OF
The unexposed wafer is supplied to the detection and delivery device 16 and goes down one stage. The OF detection transfer device 16 detects the OF of a received unexposed wafer and provides proper orientation to the wafer. The parallel plate 20 attracts this wafer and supplies the wafer to the cassette 14 at the first point P1, and as in the case described above, the mask and the wafer are made parallel, the distance between them is memorized, and the mask and the wafer are placed in that position. Clamped in a parallel state, the parallel plate 20 moves to the retracted position and stops.

第3の点P3に来たカセツト14は露光焼付
準備態勢となる。この時すでに第3の点P3か
ら1/5回転時計方向にずれた第4の点P4まで
第3の点P3から回転するカセツト14のウエ
ーハは水銀灯光源から照射を受ける。シヤツタ
はリセツト光量計の設定量が達せられるとオフ
となり、露光焼付装置30は第2の点P2へ回
動して戻り、そこに到着したカセツト12のウ
エーハに対しマスクを通して露光焼付を開始す
る。
The cassette 14 that has reached the third point P3 is ready for exposure and printing. At this time, the wafers in the cassette 14 rotating from the third point P3 to the fourth point P4, which is shifted clockwise by 1/5 turn from the third point P3, are irradiated by the mercury lamp light source. The shutter is turned off when the set amount of the reset light meter is reached, and the exposure/printing device 30 rotates back to the second point P2 and starts exposing and printing the wafers in the cassette 12 that have arrived there through the mask.

第2の点P2に先に到着していたマスク・ウ
エーハ・カセツト14に対しマニプレータ部2
4のZ軸24aが上昇し目合せができるマス
ク・ウエーハ間隔で停止する。目合せ顕微鏡2
2により粗動ステージ移動ハンドル28、微動
ステージ移動ハンドル26、θ角度調整用スイ
ツチによりマスクとウエーハの目合せをする。
この結果、カセツト14のマスクとウエーハの
位置は保持された空気作用で固定される。マニ
プレータ部24に装着されていたカセツト14
の吸着が解け、このカセツトは割出テーブル1
2に装着できる状態となる。そして、マニプレ
ータ部24のZ軸24aが下りそのカセツト1
4は割出テーブル12に装着される。マニプレ
ータ部24よりカセツト14の放出後、各部機
構、機能及びステージ粗動微動ステージ移動ハ
ンドル等は0位置にセツトされる。
The manipulator unit 2
The Z-axis 24a of No. 4 rises and stops at a distance between the mask and wafer that allows alignment. Alignment microscope 2
2, the mask and wafer are aligned using the coarse movement stage movement handle 28, the fine movement stage movement handle 26, and the θ angle adjustment switch.
As a result, the positions of the masks and wafers in the cassette 14 are fixed by the retained air action. The cassette 14 attached to the manipulator section 24
The suction of the cassette is released, and this cassette is placed on the index table 1.
2 can be installed. Then, the Z-axis 24a of the manipulator section 24 descends to remove the cassette 1.
4 is attached to the indexing table 12. After the cassette 14 is ejected from the manipulator section 24, the various mechanisms, functions, stage coarse and fine movement stage movement handles, etc. are set to the 0 position.

(e) 次に各部機構・機能始動スイツチ始動スイツ
チがオンとされる。すると、割出しテーブル1
2は1/5回転時計方向に回転され停止される。
(e) Next, each mechanism/function start switch is turned on. Then index table 1
2 is rotated 1/5 turn clockwise and then stopped.

マニプレータ部24には割出テーブル12の
カセツト14が装着される。
The cassette 14 of the indexing table 12 is attached to the manipulator section 24.

未露光ウエーハ・キヤリヤ18はOF検出受
渡し部16に未露光ウエーハを供給して一段下
る。OF検出受渡し装置16は供給された未露
光ウエーハのOFを検出してこのウエーハに適
正な向きを与える。平行板20はこの向きを与
えられたウエーハを吸着して第1の点P1に到
来したカセツト14の中にそのウエーハを挿入
する。上述の場合と同様に、マスク、ウエー
ハ、平行板20の平行がとられ、マスクとウエ
ーハ間の間隔は測定されて記憶される。マスク
とウエーハの相互関係は真空クランプされ、平
行板20は定位置へ後退する。
The unexposed wafer carrier 18 supplies unexposed wafers to the OF detection delivery section 16 and moves down one stage. The OF detection transfer device 16 detects the OF of the supplied unexposed wafer and provides proper orientation to the wafer. The parallel plate 20 attracts the oriented wafer and inserts the wafer into the cassette 14 which has arrived at the first point P1. As before, the mask, wafer and parallel plate 20 are aligned and the spacing between the mask and wafer is measured and stored. The mask and wafer interaction is vacuum clamped and the parallel plates 20 are retracted into position.

第3の点P3で割出しテーブル12のカセツ
ト14は露光焼付可能状態となる。この前すで
に第3の点P3にあつたカセツト12は水銀灯
の照射を受けながら第4の点P4まで移動しリ
セツト光量計の設定量が達成されるとシヤツタ
はオフとなる。露光焼付装置30の光源は第2
の点3まで回動して戻り、そこに到達したカセ
ツトに露光焼付を開始する。また、第4の点P
4より時計方向に1/5回転した第5の点P5ま
で第4の点P4より回動したカセツト14の露
光焼付済ウエーハは、カセツト14が割出しテ
ーブル12上で回動して露光焼付済ウエーハ・
キヤリヤ32へ放出口を向け、露光焼付ウエー
ハを露光焼付ウエーハ・キヤリヤ32へ渡し収
納させる。
At the third point P3, the cassette 14 of the indexing table 12 becomes ready for exposure and printing. The cassette 12, which had previously been at the third point P3, moves to the fourth point P4 while being irradiated with the mercury lamp, and when the set amount of the reset light meter is reached, the shutter is turned off. The light source of the exposure and printing device 30 is a second light source.
The camera rotates back to point 3, and begins exposure printing on the cassette that reaches that point. Also, the fourth point P
The exposed and baked wafers in the cassette 14 rotated from the fourth point P4 to the fifth point P5, which is 1/5 rotation clockwise from 4, are exposed and baked as the cassette 14 rotates on the indexing table 12. Wafer
The discharge port is directed toward the carrier 32, and the exposed and baked wafer is transferred to and stored in the exposed and baked wafer carrier 32.

マニプレータ部24に装着された上述のカセ
ツト14に対しマニプレータ部24のZ軸24
aが対応のマスクとウエーハの間隔の測定記憶
値に対応する量だけ上昇し目合せできるマス
ク・ウエーハ間隔で停止する。目合せ顕微鏡2
2、微動、粗動ステージ移動ハンドル26,2
8,θ角度調整用スイツチによりマスクとウエ
ーハの目合せができる。この後、第2の点P2
にカセツト14のマスクとウエーハの位置が保
持されて空気作用により固定される。マニプレ
ータ部24に装着されていたカセツト14の吸
着が解け、カセツト14は割出しテーブル12
に装着できる状態となる。次に、マニプレータ
部24のZ軸24aが下り割出しテーブル12
にそのカセツト14は装着される。マニプレー
タ部24よりカセツト放出後、各部機構、機能
及び粗動微動ステージ移動ハンドル等は零位置
にセツトされる。
The Z-axis 24 of the manipulator section 24 is
a rises by an amount corresponding to the measured and stored value of the distance between the corresponding mask and wafer, and stops at the mask-to-wafer distance that allows alignment. Alignment microscope 2
2. Fine movement, coarse movement stage movement handle 26, 2
8. The mask and wafer can be aligned using the θ angle adjustment switch. After this, the second point P2
The positions of the masks and wafers in the cassette 14 are maintained and fixed by air action. The suction of the cassette 14 attached to the manipulator section 24 is released, and the cassette 14 is attached to the indexing table 12.
It is now ready to be installed. Next, the Z-axis 24a of the manipulator section 24 descends to the indexing table 12.
The cassette 14 is then loaded. After the cassette is ejected from the manipulator section 24, the various mechanisms, functions, coarse and fine movement stage movement handles, etc. are set to the zero position.

この状態では割出テーブル12の第1、2、
3、4、5の各点P1,P2,P3,P4,P
5の定点にカセツトがそれぞれセツトされる。
In this state, the first, second,
3, 4, 5 points P1, P2, P3, P4, P
The cassettes are set at five fixed points.

上記目合せ装置は顕微鏡により手動的に行なう
ものとして示したが公知の自動目合せ装置を組み
こむことにより装置の全自動化が達成される。な
お、目合せ用顕微鏡22の代りに1個のテレビス
クリーンを設けて複数個の本装置をコンピユータ
制御方式でオペレータが遠隔制御によりマスクと
ウエーハの目合わせを時分割集中制御方式で行な
うことができる。
Although the alignment device described above is shown as being manually performed using a microscope, full automation of the device can be achieved by incorporating a known automatic alignment device. In addition, a single television screen is provided in place of the alignment microscope 22, and a plurality of these devices can be controlled by a computer, allowing an operator to remotely control the alignment of masks and wafers in a time-division centralized control mode. .

発明の効果 以上から明らかなように、この発明によれば、
未露光ウエーハの供給、OF検出、平行板の挿入、
x,y,θ等の位置合わせ、焼付等すべて順次行
なわれ、各工程のうちで遊んでいるものがないた
め操作が自動的効率的に行なわれ、また、テーブ
ル周辺にカセツトを順次配置したことにより装置
全体がコンパクトになつた。
Effects of the invention As is clear from the above, according to this invention,
Supply of unexposed wafers, OF detection, insertion of parallel plates,
Positioning of x, y, θ, etc., printing, etc. are all performed sequentially, and there is no idle work during each process, so operations are performed automatically and efficiently, and cassettes are placed sequentially around the table. This made the entire device more compact.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の自動マスク・ウエーハ目合
せ焼付方法に使用する装置の簡略平面図、第2図
は正面図、第3図は側面図、第4図A,B,C,
Dはそれぞれマスク・ウエーハ・カセツトの平面
図、第4図Aの上下左のそれぞれの矢印B,C,
D方向に見た側面図、第4図GはBの要素の圧縮
図、第4図Eはマスク・ウエーハ・カセツトの底
面図、第4図Fは第4図Eの矢印F方向に見た側
面図、第5図Aは平行板の平面図、第5図Bは第
5図Aの矢印B方向に見た側面図、第5図Cは平
行板の使用状態の側面図である。 10……自動目合せ焼付装置、12……割出し
テーブル、14……マスク・ウエーハ・カセツ
ト、16……OF検出部受渡し装置、18……未
露光ウエーハ・カセツト、20……マスク・ウエ
ーハ平行板、22……目合せ用顕微鏡、24……
マニプレータ部、26……マスク・ウエーハ目合
せ用微動ステージ移動ハンドル、28……マス
ク・ウエーハ目合せ用粗動ステージ移動ハンド
ル、30……露光焼付装置、30a……露光案内
部、32……露光焼付済ウエーハ・キヤリヤ、3
4……装置電源空圧コントロール・ボツクス、3
6……装置コントロール・スイツチ部、38……
目合せ用顕微鏡用光源ランプ、147b……空気
通流溝。
Fig. 1 is a simplified plan view of the apparatus used in the automatic mask/wafer aligning and baking method of the present invention, Fig. 2 is a front view, Fig. 3 is a side view, Fig. 4 is A, B, C,
D is a plan view of the mask, wafer, and cassette, respectively.
4G is a compressed view of the elements in B; FIG. 4E is a bottom view of the mask/wafer cassette; FIG. 4F is a view in the direction of arrow F in FIG. 4E. 5A is a plan view of the parallel plate, FIG. 5B is a side view taken in the direction of arrow B in FIG. 5A, and FIG. 5C is a side view of the parallel plate in use. 10... Automatic alignment and printing device, 12... Indexing table, 14... Mask/wafer/cassette, 16... OF detection unit delivery device, 18... Unexposed wafer/cassette, 20... Mask/wafer parallel Plate, 22... Alignment microscope, 24...
Manipulator unit, 26... Fine movement stage movement handle for mask/wafer alignment, 28... Coarse movement stage movement handle for mask/wafer alignment, 30... Exposure and printing device, 30a... Exposure guide section, 32... Exposure Baked wafer carrier, 3
4...Equipment power supply pneumatic control box, 3
6...Device control switch section, 38...
Light source lamp for alignment microscope, 147b... Air flow groove.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 間欠的に所定の角度づつ回転する割出しテー
ブルの外周部上に、所定の角度ごとに第1〜第n
までの少なくとも4個のマスク・ウエーハ・カセ
ツトを配置すると共に、割出しテーブルの回転停
止時における前記各マスク・ウエーハ・カセツト
に対応する位置には、それぞれ未露光ウエーハ供
給及び平行出し間隔測定部、目合せ部、露光部、
露光済ウエーハ取出部を、割出しテーブルの回転
方向に沿わせて順に設け、 前記未露光ウエーハ供給及び平行出し間隔測定
部においては、ウエーハ向き検出受渡し手段で未
露光ウエーハキヤリヤから未露光ウエーハを受け
取つて、その向きを決めて、これを未露光ウエー
ハ供給平行出し間隔測定部に回転してきたマス
ク・ウエーハ・カセツト内に挿入すると共に、該
マスク・ウエーハ・カセツト内のマスクと未露光
ウエーハとの間に挿入されている平行板に設けた
空気孔から圧縮空気を噴出させて、該圧縮空気で
前記マスクと未露光ウエーハを平行かつ所定間隔
に位置決めして維持すると共に、 前記目合せ部においては、前記マスク・ウエー
ハ・カセツト内でマスクと未露光ウエーハを平行
かつ所定間隔に保つた状態で、これらのX,Y軸
及び回転角θの目合せをし、 前記露光部においては、前記目合せをしたマス
クと未露光ウエーハをマスク・ウエーハ・カセツ
ト内で所定のパターンに焼付け露光し、 前記露光済ウエーハ取出部においては、前記焼
付け露光された露光済ウエーハをマスク・ウエー
ハ・カセツト内から取出して、露光済ウエーハ・
キヤリヤに収納するようにしたことを特徴とする
自動マスク・ウエーハ目合せ焼付方法。
[Scope of Claims] 1. On the outer periphery of an indexing table that rotates intermittently at predetermined angles, the first to nth
At least four mask wafer cassettes are arranged, and at the positions corresponding to each of the mask wafer cassettes when the rotation of the indexing table is stopped, unexposed wafer supply and parallelization interval measuring units, Alignment section, exposure section,
Exposed wafer take-out sections are provided in sequence along the rotational direction of the indexing table, and in the unexposed wafer supply and parallelization interval measurement section, the unexposed wafer is removed from the unexposed wafer carrier by the wafer orientation detection and delivery means. After receiving the wafer and determining its orientation, it is inserted into the rotating mask/wafer cassette into the unexposed wafer supply parallel alignment interval measuring unit, and the mask in the mask wafer cassette is connected to the unexposed wafer. Blowing out compressed air from an air hole provided in a parallel plate inserted between them, and positioning and maintaining the mask and the unexposed wafer parallel to each other at a predetermined interval using the compressed air, and in the alignment section. , aligning the X and Y axes and the rotation angle θ with the mask and the unexposed wafer kept parallel and at a predetermined distance in the mask wafer cassette; The exposed mask and the unexposed wafer are baked and exposed in a predetermined pattern in a mask wafer cassette, and the exposed wafer that has been subjected to the baking is taken out from the mask wafer cassette in the exposed wafer take-out section. , exposed wafer
An automatic mask/wafer aligning and baking method characterized in that the mask/wafer is stored in a carrier.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0638389B2 (en) * 1985-02-01 1994-05-18 株式会社日立製作所 Exposure equipment for semiconductors
KR940000696B1 (en) * 1986-04-15 1994-01-27 햄프셔 인스트루 먼트스 인코포레이티드 X-ray lithography system

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JPS50152670A (en) * 1974-05-28 1975-12-08
JPS5147026A (en) * 1974-08-21 1976-04-22 Ciba Geigy BIIZUKEIJONOGANRYOSEIBUTSUNOSEIZOHO

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