JPH0135464Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0135464Y2 JPH0135464Y2 JP1983114578U JP11457883U JPH0135464Y2 JP H0135464 Y2 JPH0135464 Y2 JP H0135464Y2 JP 1983114578 U JP1983114578 U JP 1983114578U JP 11457883 U JP11457883 U JP 11457883U JP H0135464 Y2 JPH0135464 Y2 JP H0135464Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- semiconductor switch
- case
- triac
- built
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
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- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はたとえばトライアツクなどのようなス
イツチ機能を有する半導体を内蔵したコンデンサ
に関する。
イツチ機能を有する半導体を内蔵したコンデンサ
に関する。
従来、低圧進相用コンデンサを自動力率調整装
置に組み込んで使用する場合、進相用コンデンサ
の開閉は自動力率調整器の信号をマグネツトスイ
ツチまたは半導体スイツチに受け、これらのスイ
ツチ機能を利用して行つていた。しかしながら従
来の低圧進相用コンデンサとマグネツトスイツチ
または半導体スイツチはそれぞれ別々に設置され
ているので占積度が大きく、かつ放熱器もそれぞ
れに付けなければならず、またその放熱効果も十
分でないなどの問題点があつた。
置に組み込んで使用する場合、進相用コンデンサ
の開閉は自動力率調整器の信号をマグネツトスイ
ツチまたは半導体スイツチに受け、これらのスイ
ツチ機能を利用して行つていた。しかしながら従
来の低圧進相用コンデンサとマグネツトスイツチ
または半導体スイツチはそれぞれ別々に設置され
ているので占積度が大きく、かつ放熱器もそれぞ
れに付けなければならず、またその放熱効果も十
分でないなどの問題点があつた。
本考案は上記の点に鑑みなされたもので、コン
デンサ素子と半導体スイツチとを接続しこれを同
一容器の油中に収容し密閉したもので、占積度、
放熱効果などに優れた半導体スイツチ内蔵コンデ
ンサを提供するものである。以下図面を参照しな
がら説明する。第１図に示すようにプラスチツク
フイルムまたは紙あるいはそれらに金属蒸着した
ものを適宜組み合わせ巻回してコンデンサ素子１
を形成する。該コンデンサ素子１の電極部２から
はんだ付けなどによつてリード線３を引出し、該
リード線３の他端をトライアツク素子４の入力端
子に接続する。トライアツク素子４の出力端子５
から引出された引出リード線６はケース上蓋７に
取着された外部端子８に接続される。
デンサ素子と半導体スイツチとを接続しこれを同
一容器の油中に収容し密閉したもので、占積度、
放熱効果などに優れた半導体スイツチ内蔵コンデ
ンサを提供するものである。以下図面を参照しな
がら説明する。第１図に示すようにプラスチツク
フイルムまたは紙あるいはそれらに金属蒸着した
ものを適宜組み合わせ巻回してコンデンサ素子１
を形成する。該コンデンサ素子１の電極部２から
はんだ付けなどによつてリード線３を引出し、該
リード線３の他端をトライアツク素子４の入力端
子に接続する。トライアツク素子４の出力端子５
から引出された引出リード線６はケース上蓋７に
取着された外部端子８に接続される。
このようにしてケース上蓋７の外部端子８に接
続されたコンデンサ素子１とトライアツク素子４
とをケース９内に収容し絶縁油１０を充填したの
ち前記ケース上蓋７とケース９とを密閉、封口す
る。なお１１，１２はゲート端子である。このよ
うに構成したトライアツク素子４内蔵コンデンサ
１３では開閉スイツチとコンデンサ素子１を１個
のケース９に収容したので、従来のように別々に
設置する必要がなく設置面積の縮少をはかること
ができる。またトライアツク素子４など半導体ス
イツチの放熱はケース９内に充たされた絶縁油１
０に対して行われるから、発熱の少ないコンデン
サ素子１と同じケース９に収容されていることに
よつてコンデンサ素子１の放熱の少ない分だけト
ライアツク素子４の放熱はカバーされることとな
る。したがつてトライアツク素子とコンデンサ素
子とを各々単独構成とした場合のトライアツク素
子の放熱効果に比較し、放熱の少ないコンデンサ
素子１と同一ケース９内に収容されることは絶縁
油１０の量が多く、しかも放熱によつて絶縁油の
対流現象を生じて温度が平均化されるので格段に
放熱効果があがる。
続されたコンデンサ素子１とトライアツク素子４
とをケース９内に収容し絶縁油１０を充填したの
ち前記ケース上蓋７とケース９とを密閉、封口す
る。なお１１，１２はゲート端子である。このよ
うに構成したトライアツク素子４内蔵コンデンサ
１３では開閉スイツチとコンデンサ素子１を１個
のケース９に収容したので、従来のように別々に
設置する必要がなく設置面積の縮少をはかること
ができる。またトライアツク素子４など半導体ス
イツチの放熱はケース９内に充たされた絶縁油１
０に対して行われるから、発熱の少ないコンデン
サ素子１と同じケース９に収容されていることに
よつてコンデンサ素子１の放熱の少ない分だけト
ライアツク素子４の放熱はカバーされることとな
る。したがつてトライアツク素子とコンデンサ素
子とを各々単独構成とした場合のトライアツク素
子の放熱効果に比較し、放熱の少ないコンデンサ
素子１と同一ケース９内に収容されることは絶縁
油１０の量が多く、しかも放熱によつて絶縁油の
対流現象を生じて温度が平均化されるので格段に
放熱効果があがる。
なお上記実施例において半導体スイツチとして
トライアツク素子を使用した場合について述べた
がサイリスタでも同様の効果を得ることができ
る。またコンデンサ素子と半導体スイツチとの接
続回路をトライアツク素子を使用した場合を例と
して第２図〜第４図に示す。図中Ｃはコンデンサ
素子Ｔはトライアツク素子を示す。
トライアツク素子を使用した場合について述べた
がサイリスタでも同様の効果を得ることができ
る。またコンデンサ素子と半導体スイツチとの接
続回路をトライアツク素子を使用した場合を例と
して第２図〜第４図に示す。図中Ｃはコンデンサ
素子Ｔはトライアツク素子を示す。
図面はいずれも本考案の実施例を示し第１図は
トライアツク素子を使用した場合の半導体スイツ
チ内蔵コンデンサを示す正断面図、第２図〜第４
図はいずれもトライアツク素子を使用した場合の
コンデンサとの接続状態を示す回路図である。 １……コンデンサ素子、２……電極部、３……
リード線、４……トライアツク素子、５……出力
端子、６……引出リード線、７……ケース上蓋、
８……外部端子、９……ケース、１０……絶縁
油、１３……トライアツク素子内蔵コンデンサ。
トライアツク素子を使用した場合の半導体スイツ
チ内蔵コンデンサを示す正断面図、第２図〜第４
図はいずれもトライアツク素子を使用した場合の
コンデンサとの接続状態を示す回路図である。 １……コンデンサ素子、２……電極部、３……
リード線、４……トライアツク素子、５……出力
端子、６……引出リード線、７……ケース上蓋、
８……外部端子、９……ケース、１０……絶縁
油、１３……トライアツク素子内蔵コンデンサ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ケース内の絶縁油中に浸漬したコンデンサ素
子および該コンデンサ素子に接続した半導体ス
イツチと、該半導体スイツチに接続した外部端
子と、該外部端子を取着した上蓋とを具備し、
該上蓋で前記ケースを密閉した半導体スイツチ
内蔵コンデンサ。 (2) 半導体スイツチがトライアツク素子、サイリ
スタであることを特徴とする実用新案登録請求
の範囲第(1)項記載の半導体スイツチ内蔵コンデ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11457883U JPS6022822U (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体スイツチ内蔵コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11457883U JPS6022822U (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体スイツチ内蔵コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022822U JPS6022822U (ja) | 1985-02-16 |
| JPH0135464Y2 true JPH0135464Y2 (ja) | 1989-10-30 |
Family
ID=30264806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11457883U Granted JPS6022822U (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体スイツチ内蔵コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022822U (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58173333U (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | 石川 孝一 | 棚体 |
| JPH0726736Y2 (ja) * | 1984-02-18 | 1995-06-14 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ装置 |
| JPS6235535U (ja) * | 1985-08-22 | 1987-03-02 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223349B2 (ja) * | 1972-11-17 | 1977-06-23 | ||
| JPS5532431A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | Threeephase capacitor switch |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223349U (ja) * | 1975-08-08 | 1977-02-18 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP11457883U patent/JPS6022822U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223349B2 (ja) * | 1972-11-17 | 1977-06-23 | ||
| JPS5532431A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | Threeephase capacitor switch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6022822U (ja) | 1985-02-16 |
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