JPH01319044A - Photoconductive image forming member containing electron transferring polysilirene - Google Patents

Photoconductive image forming member containing electron transferring polysilirene

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JPH01319044A
JPH01319044A JP1105711A JP10571189A JPH01319044A JP H01319044 A JPH01319044 A JP H01319044A JP 1105711 A JP1105711 A JP 1105711A JP 10571189 A JP10571189 A JP 10571189A JP H01319044 A JPH01319044 A JP H01319044A
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Japan
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layer
polysilylene
poly
substrate
imaging member
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JP1105711A
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Japanese (ja)
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Santokh S Badesha
サントク エス バーデシャー
Steven J Grammatica
スティーヴン ジェイ グランマティカ
Frank Jansen
ジャンセン フランク
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Original Assignee
Xerox Corp
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Abstract

PURPOSE: To ensure chemical and electrical stabilities by successively forming an electron transferring layer made of a specified polysilylene, a metal oxide layer and a light excitation layer contg. amorphous hydrogenated silicon on a substrate. CONSTITUTION: An adhesive blocking layer 4 as an optional layer, an electron transferring layer 5 made of a polysilylene represented by formula I, an SiO2 layer 7 and a light excitation layer 9 for electric charge carriers contg. amorphous hydrogenated silicon contg. about 10-30atm% hydrogen are successively formed on a substrate 3. In the formula I, each of R1 -R6 is an alkyl, an aryl, a substd. alkyl, substd. aryl or alkoxy, (m), (n) and (p) show the percentages of specified monomeric units of the entire polymer and n+m+p=100%. Chemical and electrical stabilities can be ensured.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は一般に電子移送性ポリシリレンを含む光導電性
像形成部材に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention This invention relates generally to photoconductive imaging members comprising electron transporting polysilylene.

さらに詳細には、1つの実施態様においては、本発明は
水素化またはハロゲン化無定形ケイ素の光励起層、米国
特許筒4,618.551号に開示されているようなポ
リシリレンを含む電子移送層(該米国特許の記載はすべ
て参考として本明細書に引用する)、およびその間に置
かれた金属酸化物層とを含む負帯電型像形成部材に関す
る。本発明の1つの特定の態様における上記像形成部材
は支持基体、水素化無定形ケイ素光励起層、ポリシリレ
ン特にポリ (メチルフェニル)シリレン、ポリ (n
−プロピルメチル)シリレンおよび他の同様なシリレン
を含む電子移送層、および該電子移送層と光励起層との
間に置かれた酸化ケイ素を含む金属酸化物層とを含む。
More particularly, in one embodiment, the present invention provides photoexcitable layers of hydrogenated or halogenated amorphous silicon, electron transport layers comprising polysilylene as disclosed in U.S. Pat. No. 4,618,551; (the entire disclosure of which is incorporated herein by reference), and a metal oxide layer disposed therebetween. In one particular embodiment of the invention, the imaging member comprises a supporting substrate, a hydrogenated amorphous silicon photoexcitable layer, polysilylene, particularly poly(methylphenyl)silylene, poly(n
-propylmethyl)silylene and other similar silylene, and a metal oxide layer comprising silicon oxide disposed between the electron transport layer and the photoexcitation layer.

本発明の光導電性像形成部材は、現像に液体インク組成
物を用いる方法を包含する電子写真特に静電複写法にお
いて特に有用である。さらに、本発明の像形成部材は化
学的および電気的安定性を有し、電子写真像形成装置に
おいて長時間使用できる。
The photoconductive imaging members of this invention are particularly useful in electrophotography, especially electrostatography, including methods that employ liquid ink compositions for development. Additionally, the imaging members of the present invention are chemically and electrically stable and can be used in electrophotographic imaging equipment for extended periods of time.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ポリシリレンを含む像形成部材は米国特許筒4.618
.551号に開示されている。さらに詳細には、該米国
特許には、請求項1に記載されているような弐を有する
多層型像形成部材において使用するポリシリレン正札移
送性化合物が開示されている。
Imaging members containing polysilylene are disclosed in U.S. Patent No. 4.618.
.. No. 551. More particularly, the US patent discloses polysilylene tag transfer compounds for use in double layered imaging members as set forth in claim 1.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は前述の利点を有する光導電性像形成部材
を提供することである。
It is an object of the present invention to provide a photoconductive imaging member having the advantages mentioned above.

〔発明の開示〕[Disclosure of the invention]

本発明の上記およびその他の目的は電子移送性ポリシリ
レンを含む光導電性像形成部材を提供することによって
達成される。さらに詳細には、本発明によれば、水素化
またはハロゲン化無定形ケイ素光励起層;式: (式中、Ra、Rt、R8、Ra、RsおよびRhは、
個々に、アルキル、アリール、置換アルキル、置換アリ
ールおよびアルコキシからなる群より選ばれ;m、n、
およびpはポリマー全体の各特定のモノマー単位の割合
を示す数であり、rl + m+ pの総計は100%
に等しい)の電子移送性ポリシリレン;およびその間に
置かれた酸化ケイ素のような金属酸化物とを含む負帯電
型光導電性像形成部材が提供される。上記の式%式% およびθ%≦p≦100%である。ポリシリレンのモノ
マー単位はいずれもポリマー全体を通じてランダムに分
布させ得るかあるいは変化し得る長さのブロックで交互
に存在し得る。
These and other objects of the present invention are achieved by providing a photoconductive imaging member comprising an electron transporting polysilylene. More particularly, according to the invention, a hydrogenated or halogenated amorphous silicon photoexcitable layer;
individually selected from the group consisting of alkyl, aryl, substituted alkyl, substituted aryl and alkoxy; m, n,
and p is a number indicating the proportion of each specific monomer unit in the entire polymer, and the total of rl + m + p is 100%
and a metal oxide, such as silicon oxide, disposed therebetween. The above formula % formula % and θ%≦p≦100%. Any of the monomer units of the polysilylene may be randomly distributed throughout the polymer or may alternate in blocks of variable length.

本発明の光導電性像形成部材において使用できるポリシ
リレン電子移送性化合物の例示的な特定の例には、ポリ
 (メチルフェニルシリレン)、ポリ (メチルフェニ
ルシリレンーコージメトルシリレン)、ポリ (シクロ
ヘキシルメチルシリレン)、ポリ (ターシャリ−ブチ
ルメチルシリレン)、ポリ (フェニルエチルシリレン
)、ポリ (n−プロピルメチルシリレン)、ポリ (
p−)リルメチルシリレン)、ポリ (シクロトリメチ
ルシリレン)、ポリ (シクロテトラメチレンシリレン
)、ポリ(シクロペンタメチレンシリレン)、ポリ (
ジーt−プチルシリレンーコージーメチルシリレン)、
ポリ (ジフェニルシリレンーコーフェニルメチルシリ
レン)、ポリ (シアノエチルメチルシリレン)、ポリ
 (フェニルメチルシリレン)等がある。本発明の像形
成部材において用いる好ましい電子移送性ポリシリレン
には、ポリ (メチルフェニル)シリレン、ポリ (シ
クロヘキシルメチル)シリレンおよびポリ (フェネチ
ルメチル)シリレンがある。
Illustrative specific examples of polysilylene electron transport compounds that can be used in the photoconductive imaging members of this invention include poly(methylphenylsilylene), poly(methylphenylsilylene-codimethorsilylene), poly(cyclohexylmethylsilylene) ), poly(tert-butylmethylsilylene), poly(phenylethylsilylene), poly(n-propylmethylsilylene), poly(
p-)lylmethylsilylene), poly(cyclotrimethylsilylene), poly(cyclotetramethylenesilylene), poly(cyclopentamethylenesilylene), poly(
di-t-butylsilylene-cozymethylsilylene),
Poly(diphenylsilylene-cophenylmethylsilylene), poly(cyanoethylmethylsilylene), poly(phenylmethylsilylene), etc. Preferred electron transporting polysilylenes for use in the imaging members of the present invention include poly(methylphenyl)silylene, poly(cyclohexylmethyl)silylene and poly(phenethylmethyl)silylene.

この層は好ましくは約4〜約25ミクロンの厚さを有す
る。理論によって拘束することは望まないけれども、上
記ポリシリレンは、無定形ケイ素層で励起された電荷が
酸化物層を通してポリシリレンに注入されるので、電子
移送体として機能するものと信じている。従って、ポリ
シリレンは電子移送媒体として作用する。
This layer preferably has a thickness of about 4 to about 25 microns. While not wishing to be bound by theory, it is believed that the polysilylene functions as an electron transporter because charges excited in the amorphous silicon layer are injected into the polysilylene through the oxide layer. Polysilylene therefore acts as an electron transport medium.

さらに本発明の像形成部材においては、電荷光励起層は
、好ましくは、水素化無定形ケイ素またはドバントがハ
ロゲン材料であるドープ化水素化無定形ケイ素からなる
。さらに別の実施態様においては、この層はその上の窒
化ケイ素、炭化ケイ素または水素化無定形炭素の薄層に
よって保護または電気的に安定化されている。さらに、
この層、の厚さは好ましくは約0.5〜約3ミクロンよ
り好ましくは1.5ミクロンである。上記の保護層は、
ポリシリレン電荷移送層が支持基体と光励起層の間にあ
るときは通常使用しない。
Further, in the imaging member of the present invention, the charge photoexcitation layer preferably comprises hydrogenated amorphous silicon or doped hydrogenated amorphous silicon in which the dopant is a halogen material. In yet another embodiment, this layer is protected or electrically stabilized by a thin layer of silicon nitride, silicon carbide or hydrogenated amorphous carbon thereon. moreover,
The thickness of this layer is preferably from about 0.5 to about 3 microns, more preferably 1.5 microns. The above protective layer is
It is generally not used when the polysilylene charge transport layer is between the supporting substrate and the photoexcitation layer.

通常約0.1〜約5ミクロンの厚さで存在する金属酸化
物層の例には、酸化ケイ素、酸化錫、酸化ゲルマニウム
等がある。他の厚さの層も本発明の目的が達成される限
り使用できる。
Examples of metal oxide layers, typically present at a thickness of about 0.1 to about 5 microns, include silicon oxide, tin oxide, germanium oxide, and the like. Other layer thicknesses can be used as long as the objectives of the invention are achieved.

本発明の光導電性像形成部材は多くの公知方法によって
作製でき、そのプロセスパラメーターおよび各層のコー
ティング順序は所望する部材による。例えば、本発明の
部材は、任意構成成分としての正札ブロッキング層およ
び任意構成成分としての接着層を有する伝導性基体を用
意し、この基体に溶媒コーティング法、ラミボーティン
グ法または他の方法により電子移送ポリシリレン層、金
属酸化物層および光励起層を適用することによって作製
できる。他の方法には溶融押出法、浸漬コーティング法
およびスプレー法がある。
The photoconductive imaging members of this invention can be made by many known methods, the process parameters and the order of coating each layer depending on the desired member. For example, the members of the present invention may be prepared by providing a conductive substrate having an optional tag blocking layer and an optional adhesive layer, and applying an electrolyte to the substrate by solvent coating, laminate coating, or other methods. It can be made by applying a transport polysilylene layer, a metal oxide layer and a photoexcitation layer. Other methods include melt extrusion, dip coating and spraying.

1つの特定の実施態様においては、アルミニウムのよう
な支持基体を用意する。その後、電子移送ポリシリレン
層をその溶液から適用するが、その適用法は多(の公知
方法、例えば、引延し捧コーティング法、浸漬コーティ
ング法等によって行い得る。一般には、上記の溶液はベ
ンゼン、トルエン等の溶媒中の約1〜約10重量のポリ
シリレンポリマーを含有する。乾燥したく溶媒を除去し
た)後、得られた装置を金属酸化物層を加える目的でプ
ラズマ反応器(PECVD−プラズマ促進化学蒸着)に
入れる。この方法においては、純粋または酸素、窒素ま
たは炭素含有ガスを含むシランガス、または必要に応じ
てドーピングしたシランガスを成長中の膜に結合する凝
集性ラジカルに電気放電中で分解する。分解温度は約2
00〜約250℃であるが、これら範囲外の他の温度も
本発明の目的が達成される限り使用できる。ドパントに
は約1〜約20ppIl好ましくは10ppmの量のリ
ンまたはジボランがある。その後、任意構成成分として
のオーバーコーテイングも、例えば、アンモニアガスと
シラン混合物を窒化ケイ素オーバーコーテイングとして
使用するようなPECVDにより適用できる。
In one particular embodiment, a supporting substrate such as aluminum is provided. The electron transport polysilylene layer is then applied from the solution, which may be done by any number of known methods, such as spread coating, dip coating, etc. Generally, the solution is benzene, After drying and removing the solvent, the resulting device was placed in a plasma reactor (PECVD-plasma) for the purpose of adding a metal oxide layer. accelerated chemical vapor deposition). In this method, silane gas, pure or containing oxygen, nitrogen or carbon-containing gases, or optionally doped, is decomposed in an electrical discharge into cohesive radicals that bind to the growing film. The decomposition temperature is approximately 2
00°C to about 250°C, although other temperatures outside these ranges can be used so long as the objectives of the invention are achieved. The dopant is phosphorus or diborane in an amount of about 1 to about 20 ppIl, preferably 10 ppm. An optional overcoating can then also be applied, for example by PECVD, such as using an ammonia gas and silane mixture as a silicon nitride overcoat.

これら部材用のオーバーコーテイングとしては、窒化ケ
イ素、無定形炭素、炭化ケイ素等を使用でき、これらの
オーバーコーテイングは約0.1〜約5ミクロンの厚さ
で適用できる。これらのオーバーコーテイングは公知の
プラズマ促進化学蒸着法により適用する。
Overcoatings for these components can include silicon nitride, amorphous carbon, silicon carbide, and the like, and these overcoatings can be applied at a thickness of about 0.1 to about 5 microns. These overcoatings are applied by known plasma enhanced chemical vapor deposition techniques.

以下、本発明およびその特徴をより明瞭に理解するため
に、種々の実施態様を図面に沿って説明する。
In order to more clearly understand the present invention and its features, various embodiments will be described below with reference to the drawings.

第1図においては、支持基体3、任意構成成分としての
接着ブロッキング層4、ポリシリレン電子移送層5、酸
化ケイ素層7、および約10〜約30原子%の水素を含
有する水素化無定形ケイ素成分を含む電荷キャリヤー光
励起層9とを含む本発明の負帯電型感光性像形成部材が
例示されている。
1, a supporting substrate 3, an optional adhesion blocking layer 4, a polysilylene electron transport layer 5, a silicon oxide layer 7, and a hydrogenated amorphous silicon component containing from about 10 to about 30 atomic percent hydrogen. Illustrated is a negatively charged photosensitive imaging member of the present invention comprising a charge carrier photoexcitable layer 9 comprising:

第2図においては、アルミニウム処理マイラーの伝導性
支持基体15、約10ミクロンの好ましい厚さを有する
ポリ (メチルフェニルシリレン)19を含む電子移送
層17.0.1ミクロンの好ましい厚さを有する二酸化
ケイ素層21、および約20原子%の水素を含有する水
素化無定形ケイ素を含み0.5ミクロンの好ましい厚さ
を有する光励起層23とを含む本発明の負帯電型光導電
性像形成部材が例示されている。光励起および電子移送
の各成分はポリエステル、ポリカーボネート等の不活性
樹脂バインダー中に分散させ得る。
In FIG. 2, a conductive support substrate 15 of aluminized Mylar, an electron transport layer 17 comprising poly(methylphenylsilylene) 19 having a preferred thickness of about 10 microns, and a carbon dioxide layer 17 having a preferred thickness of 0.1 microns are shown. A negatively charged photoconductive imaging member of the present invention comprises a silicon layer 21 and a photoexcitable layer 23 comprising hydrogenated amorphous silicon containing about 20 atomic percent hydrogen and having a preferred thickness of 0.5 microns. Illustrated. The photoexcitation and electron transport components may be dispersed in an inert resin binder such as polyester, polycarbonate, or the like.

形成部材、例えば、炭化ケイ素および窒化ケイ素のよう
な保護オーバーコーテイング層を約1〜約2ミクロンの
好ましい厚さで使用できる像形成部材も本発明の範囲に
包含される。
Also within the scope of this invention are forming members, such as imaging members, which can employ protective overcoating layers such as silicon carbide and silicon nitride at preferred thicknesses of about 1 to about 2 microns.

さらに本発明の像形成部材に関しては、支持基体層は不
透明または実質的に透明であり得、所定の機械的性質を
有する任意の適当な材料を含み得る。即゛ち、これらの
基体は無機または有機高分子材料のような非伝導性材料
の眉、伝導性表面層を有する有機または無機材料の層、
または、例えば、アルミニウム、クロム、ニッケル、イ
ンジウム、酸化錫、黄銅等のような伝導性材料層を含み
得る。
Further, for the imaging members of the present invention, the supporting substrate layer may be opaque or substantially transparent and may include any suitable material having predetermined mechanical properties. That is, these substrates include a layer of non-conductive material such as an inorganic or organic polymeric material, a layer of organic or inorganic material with a conductive surface layer,
Or it may include a layer of conductive material such as, for example, aluminum, chromium, nickel, indium, tin oxide, brass, and the like.

基体は可撓質または硬質であり得、例えば、プレート、
円筒状ドラム、スクロール、エンドレス可撓性ベルト等
の任意の多くの種々の形状を有し得る。好ましいのは、
基体はエンド1/ス可撓性ベルトの形である。基体層の
厚さは経済性を含む多くの要因による。即ち、基体層は
、例えば、100ミル(2,54mm)の実質的厚さ、
あるいは像形成部材に悪影響を及ぼさない限りの最小の
厚さであり得る。好ましい実施態様においては、この層
の厚さは約3〜約10ミル(76,2〜254μm)の
範囲にある。
The substrate can be flexible or rigid, for example a plate,
It can have any of a number of different shapes, such as a cylindrical drum, a scroll, an endless flexible belt, etc. Preferably,
The substrate is in the form of an endo-flexible belt. The thickness of the substrate layer depends on many factors, including economics. That is, the substrate layer may have a substantial thickness of, for example, 100 mils (2.54 mm);
Alternatively, it may be the minimum thickness that does not adversely affect the imaging member. In preferred embodiments, the thickness of this layer ranges from about 3 to about 10 mils (76.2-254 μm).

光励起成分の例は約10〜約30好ましくは約25〜約
40原子%の水素またはハロゲンを含有する水素化また
はハロゲン化性無定形ケイ素である。一般に、この層は
像形成露光工程においてこの層に照射される照射光の約
90%以上を吸収するのに十分な厚さで調製するのが望
ましい。この層の最大厚さは機械的考慮例えば可撓性の
感光性像形成部材を所望するかどうかのような要因に主
として依存している。しかしながら、一般的には、この
層は約1〜約25ミクロン好ましくは約4〜約25ミク
ロンの厚さを有する。
An example of a photoexcitable moiety is hydrogenated or halogenated amorphous silicon containing about 10 to about 30, preferably about 25 to about 40 atomic percent hydrogen or halogen. Generally, it is desirable to prepare this layer at a thickness sufficient to absorb about 90% or more of the radiation applied to the layer during the imaging exposure step. The maximum thickness of this layer depends primarily on factors such as mechanical considerations, such as whether a flexible photosensitive imaging member is desired. Generally, however, this layer has a thickness of about 1 to about 25 microns, preferably about 4 to about 25 microns.

ポリシリレン層において使用する任意成分としての樹脂
バインダーは、例えば、米国特許第3.121.006
号に開示されているようなポリマー頻;ポリエステル、
ポリビニルブチラール、ポリビニルカルバゾール、ポリ
カーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリヒドロキシエー
テル樹脂等である。
Optional resin binders for use in the polysilylene layer are described, for example, in U.S. Pat. No. 3.121.006.
Polyesters, such as those disclosed in No.
These include polyvinyl butyral, polyvinyl carbazole, polycarbonate resin, epoxy resin, polyhydroxy ether resin, and the like.

また、本発明の像形成部材には、ダイチル(Ditel
)PH−100、ダイチルPH−200およびダイチル
PFI−222(すべて、グツドイヤータイヤアンドラ
バー社より入手できる)として入手できるポリエステル
;ポリビニルブチラール;デュポン49.000ポリエ
ステル等の接着層も含まれ得る。
Further, the image forming member of the present invention includes Daichiru (Ditel).
Adhesive layers may also be included, such as polyesters available as ) PH-100, Daichill PH-200, and Daichill PFI-222 (all available from Goodyear Tire and Rubber Co.); polyvinyl butyral; DuPont 49.000 polyester.

この接着層は一般に約200〜約900μmの厚さを有
し、例えば、テトラヒドロフラン、トルエンおよび塩化
メチレンの溶液から適用する。この接着層は支持基体上
に存在させるかあるいは任意構成成分としての正孔ブロ
ッキング層と支持基体の間に存在させ得る。ブロッキン
グ層の例には米国特許第4.464.450号に開示さ
れているようなシロキサン類がある。他のブロッキング
層には米国特許第4,338.387号、第4,286
,033号および第4.291.110号に開示されて
いるような(ガンマー−アミノプロピル)メチルジェト
キシシリレンを包含するシリレン類がある。
This adhesive layer generally has a thickness of about 200 to about 900 μm and is applied, for example, from a solution of tetrahydrofuran, toluene and methylene chloride. The adhesive layer may be present on the supporting substrate or between the optional hole blocking layer and the supporting substrate. Examples of blocking layers include siloxanes such as those disclosed in U.S. Pat. No. 4,464,450. Other blocking layers include U.S. Pat.
, 033 and 4.291.110, including (gamma-aminopropyl)methyljethoxysilylene.

本発明の像形成部材は、種々の電子写真像形成システム
、特に、静電像を感光性像形成部材上に形成し、次いで
、樹脂粒子と顔料粒子とを含むトナー組成物(例えば、
米国特許第4,558.108号、第、i、298.6
72号および第4.569,635号を参照されたい)
によって現像し、その後、現像した像を適当な基体に転
写し得られた像を定着することを含む静電複写システム
において有用である。
The imaging members of the present invention are useful in a variety of electrophotographic imaging systems, particularly those in which an electrostatic image is formed on a photosensitive imaging member and a toner composition comprising resin particles and pigment particles (e.g.
U.S. Pat. No. 4,558.108, No. i, 298.6
No. 72 and No. 4.569,635)
It is useful in an electrostatographic system that involves developing the image by a method of developing the image, then transferring the developed image to a suitable substrate and fusing the resulting image.

さらに詳細には、上述の感光体の表面を電子写真実務に
おいて普通のコロナ帯電装置を用いて所望の極性に均一
に帯電させる。その後、帯電させた感光体をその電荷励
起層により殆んどすべてを吸収される波長の光に像形成
的方法で露光する。
More specifically, the surface of the photoreceptor described above is uniformly charged to the desired polarity using a corona charging device common in electrophotographic practice. Thereafter, the charged photoreceptor is imagewise exposed to light at a wavelength that is substantially entirely absorbed by its charge excitation layer.

励起層内で励起した電荷キャリヤーは電界によって正キ
ャリヤーが負帯電表面に移行し、一方、負電荷キャリヤ
ー、電子が正即ち接地電極(基体)に移行するような方
法で分離される。この方法において、静電潜像が形成さ
れ、次の各工程において、現像され紙のような基体材料
に転写される。
The excited charge carriers in the excitation layer are separated by the electric field in such a way that the positive carriers are transferred to the negatively charged surface, while the negative charge carriers, electrons, are transferred to the positive or grounded electrode (substrate). In this method, an electrostatic latent image is formed and developed and transferred to a substrate material, such as paper, in subsequent steps.

その後、転写像は熱または圧力、またはその組合せを用
いて基体に定着させる。
The transferred image is then fused to the substrate using heat or pressure, or a combination thereof.

上述の多層型感光体においては、電子が高効率で移送層
に注入されかつ移送層を通して捕捉(残留電荷の蓄積を
もたらす)による損失なしに移送されることが重要であ
る。残留電荷は得られる像に貧弱な品質を与えるであろ
う。また、移送層を通じての電子の移送はコピー装置に
おけるその後の工程に関して迅速であることが重要であ
る。例えば、露光後、電荷移送は潜像を現像工程(静電
潜像を可視像とする)に供する前に実質的に完了すべき
である。移送が現像時に依然として生ずる場合には、貧
弱な像が得られるであろう。本発明の像形成部材におい
ては、この問題は実質的に転減される。
In the multilayer photoreceptor described above, it is important that electrons be injected into the transport layer with high efficiency and transported through the transport layer without losses due to trapping (resulting in the accumulation of residual charge). Residual charge will give poor quality to the resulting image. It is also important that the transport of electrons through the transport layer be rapid with respect to subsequent processing in the copying device. For example, after exposure, charge transfer should be substantially complete before subjecting the latent image to a development process (which converts the electrostatic latent image into a visible image). If transport still occurs during development, poor images will be obtained. In the imaging member of the present invention, this problem is substantially reduced.

本発明におけるポリシリレン電子移送性ポリマーは感光
体装置で使用したとき幾つかの利点を有する。例えば、
これらのポリマーは電子の励起に高効率を有する光励起
材料によって効率的であり得る。電子移送は表面荷電お
よび現像に関連して設計の自由性を増大させ得るであろ
う。例えば、負トナーおよび正表面荷電を望む場合、装
置は電子移送層でオーバーコーテイングした基体上の光
励起層によって作製できるであろう。電荷励起層内で励
起され電荷移送層を通して移送された電子は像形成的な
方法で正表面電荷を中和して静電潜像を発生させるであ
ろう。この潜像はその後所望の負トナーで現像できる。
The polysilylene electron transport polymer of the present invention has several advantages when used in photoreceptor devices. for example,
These polymers can be efficient with photoexcitable materials having high efficiency in excitation of electrons. Electron transport could increase design flexibility in relation to surface charging and development. For example, if a negative toner and positive surface charge were desired, the device could be fabricated with a photoexcitable layer on a substrate overcoated with an electron transport layer. Electrons excited in the charge excitation layer and transported through the charge transport layer will neutralize the positive surface charge in an image-forming manner to generate an electrostatic latent image. This latent image can then be developed with the desired negative toner.

〔実施例〕〔Example〕

実施例1 厚さ約3ミル(76,2μm>を有するアルミニウム基
体上に、公知の引延し棒コーティング法により、重量平
均分子量900,000のポリ (メチルフェニル)シ
リレンをトルエン中2%溶液からコーティングすること
によって感光性像形成部材を作製した。乾燥後、この層
は約10ミクロンの厚さを有していた。続いて、このポ
リシリレン層に引延し捧コーティングにより酸化ケイ素
を0.1ミクロン厚で適用し、次いで20原子%の水素
を含み厚さ0.5ミクロンを有する水素化無定形ケイ素
の層を適用した。その後、窒化ケイ素(SiN、 )の
オーバーコーテイング層を厚さ2ミクロンで適用した。
Example 1 Poly(methylphenyl)silylene having a weight average molecular weight of 900,000 is deposited from a 2% solution in toluene by a known draw bar coating method onto an aluminum substrate having a thickness of approximately 3 mils (>76.2 μm). A photosensitive imaging member was prepared by coating. After drying, this layer had a thickness of about 10 microns. The polysilylene layer was then coated with 0.1 µm of silicon oxide by draw coating. A layer of hydrogenated amorphous silicon containing 20 atomic % hydrogen and having a thickness of 0.5 microns was applied, followed by an overcoating layer of silicon nitride (SiN, It was applied in

実施例2 感光性像形成部材を、実施例1の手順を繰返すことによ
って作製したが、重量平均分子1750.000を有す
るポリ (シクロヘキシルメチル)シリレンを前記のポ
リ (メチルフェニル)シリレンの代りに用い、この層
はトルエン中30%溶液からコーティングした。
Example 2 A photosensitive imaging member was prepared by repeating the procedure of Example 1, but substituting poly(cyclohexylmethyl)silylene having a weight average molecular weight of 1750.000 for the poly(methylphenyl)silylene described above. , this layer was coated from a 30% solution in toluene.

実施例3 感光性像形成部材を、実施例1の手順を繰返すことによ
って作製したが、重量平均分子1soo、oo。
Example 3 A photosensitive imaging member was prepared by repeating the procedure of Example 1, but with a weight average molecular weight of 1 soo, oo.

を有するポリ (フェネチルメチル)シリレンを前記の
ポリ (メチルフェニル)シリレンの代りに用い、コー
ティングはトル17940%溶液から行った。さらに、
各層の厚さは、ポリ (フェネチルメチル)シリレンで
8ミクロン、酸化ケイ素で0、1ミクロン、水素化無定
形ケイ素で0.5ミクロンおよび窒化ケイ素で1.5ミ
クロンであった。
Poly(phenethylmethyl)silylene having the following formula was used in place of the poly(methylphenyl)silylene described above, and the coating was made from a 40% solution of Tolu 179. moreover,
The thickness of each layer was 8 microns for poly(phenethylmethyl)silylene, 0.1 micron for silicon oxide, 0.5 micron for hydrogenated amorphous silicon, and 1.5 microns for silicon nitride.

実施例1の像形成部材の光放電曲線は優れたコントラス
ト(対比)電位を示した。従って、高品質の像が、実施
例1の負帯電型像形成部材を組み込んだ静電複写像形成
試験装置において、上記像形成部材上に像を公知の樹脂
粒子と顔料粒子を含む、より詳しくは、88重量%のス
チレンn−ブチルメタクリレート樹脂、10重量%のカ
ーボンブラック粒子、および2重量%の帯電促進添加剤
セチルピリジニウムクロライドとを含むトナー組成物に
よって形成し現像したのちに形成されるであろう。実質
的に同様な結果が実施例2および3の像形成部材によっ
ても得ることができる。
The photodischarge curve of the imaging member of Example 1 showed excellent contrast potential. Accordingly, high quality images can be produced in an electrostatographic imaging test apparatus incorporating the negatively charged imaging member of Example 1 by forming an image on the imaging member containing known resin particles and pigment particles. is formed by a toner composition containing 88% by weight styrene n-butyl methacrylate resin, 10% by weight carbon black particles, and 2% by weight the charge-promoting additive cetylpyridinium chloride and after development. Probably. Substantially similar results can be obtained with the imaging members of Examples 2 and 3.

実施例4 感光性像形成部材を、厚さ3ミル(76,2μm)のア
ルミニウム処理マイラー基体を用意し、この基体に、マ
ルチプルクリアランスフィルムアプリケーターでもって
3−アミノプロピルトリエトキシシラン(フロリダのP
CRリサーチケミカルズ社より入手できる)のエタノー
ル中約1:5比の層を0.5ミル(12,7μm)の湿
潤厚さで適用するごとによって作製した。室温で5分間
乾燥し、次いで強制送風炉中で100℃、10分間硬化
後、電子移送層としてポリ (メチルフェニルシリレン
)をトルエンとテトラヒドロフランの容量比2:1の溶
液から適用した;この適用はスプレー法により行った。
Example 4 A photosensitive imaging member was prepared with a 3 mil (76.2 μm) thick aluminized Mylar substrate and coated with 3-aminopropyltriethoxysilane (P.
(available from CR Research Chemicals, Inc.) in ethanol at a wet thickness of 0.5 mil (12.7 μm). After drying for 5 minutes at room temperature and then curing for 10 minutes at 100 °C in a forced air oven, poly(methylphenylsilylene) was applied as an electron transport layer from a solution of toluene and tetrahydrofuran in a 2:1 volume ratio; This was done by a spray method.

乾燥後、この眉は約10ミクロンの厚さを有していた。After drying, the eyebrows had a thickness of approximately 10 microns.

続いて、このポリシリレン層にバードアプリケーターを
用いて20原子%の水素を含む水素化無定形ケイ素の光
励起層を適用し、この層は0.4ミクロンの厚さを有し
ていた。
A photoactive layer of hydrogenated amorphous silicon containing 20 atomic percent hydrogen was then applied to the polysilylene layer using a Bird applicator, and the layer had a thickness of 0.4 microns.

その後、この像形成部材を静電複写像形成試験装置に組
み込んだところ、実質的に背景付着物のない優れた解像
力を有する像が50,000回の像形成サイクルを越え
る期間において得られた。
This imaging member was then incorporated into an electrostatographic imaging test system and images with excellent resolution substantially free of background deposits were obtained over a period of over 50,000 imaging cycles.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の光導電性像形成部材の一部断面図であ
る。 第2図は本発明の別の光導電性像形成部材の一部断面図
である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a photoconductive imaging member of the present invention. FIG. 2 is a partial cross-sectional view of another photoconductive imaging member of the present invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、支持基体、ポリシリレン電子移送層、金属酸化物層
、および該酸化物層上の水素化無定形ケイ素を含む光励
起層を含む負帯電型光導電性像形成部材。 2、ポリシリレンが式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1、R_2、R_3、R_4、R_5およ
びR_6は、個々に、アルキル、アリール、置換アルキ
ル、置換アリールおよびアルコキシからなる群より選ば
れ;m、n、およびpはポリマー全体のモノマー単位の
割合を示す数である) を有する請求項1記載の像形成部材。
Claims: 1. A negatively charged photoconductive imaging member comprising a supporting substrate, a polysilylene electron transport layer, a metal oxide layer, and a photoexcitable layer comprising hydrogenated amorphous silicon on the oxide layer. 2. Polysilylene has the formula: ▲ Numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. 2. The imaging member of claim 1, wherein m, n, and p are numbers indicating the proportion of monomer units in the total polymer.
JP1105711A 1988-05-02 1989-04-25 Photoconductive image forming member containing electron transferring polysilirene Pending JPH01319044A (en)

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