JPH01316954A - ウエハ処理装置 - Google Patents

ウエハ処理装置

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Publication number
JPH01316954A
JPH01316954A JP63148100A JP14810088A JPH01316954A JP H01316954 A JPH01316954 A JP H01316954A JP 63148100 A JP63148100 A JP 63148100A JP 14810088 A JP14810088 A JP 14810088A JP H01316954 A JPH01316954 A JP H01316954A
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JP
Japan
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wafer
holding device
susceptor
fluid
head
Prior art date
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Application number
JP63148100A
Other languages
English (en)
Inventor
Taizo Hashimoto
橋本 泰造
Kimio Muramatsu
村松 公夫
Kazuhiko Matsuoka
松岡 一彦
Hiromitsu Tokisue
裕充 時末
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01316954A publication Critical patent/JPH01316954A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、ウェハ処理技術、特に、ウェハを処理室内に
出し入れするハンドリング技術に関し、例えば、半導体
装置の製造工程において、ウェハ上にCVD膜を生成す
る自公転式のCVD装置に利用して有効なものに関する
〔従来の技術〕
半導体装置の製造工程において、ウェハ上にCVD膜を
生成するCVD装置として、処理室と、処理室内に配置
された略三角錐形状のバッファと、バッファの裾の周囲
を公転するように配設されているヒータカバーと、ヒー
タカバーに開設された複数の窓孔内に回転するように配
設されている複数のサセプタと、バッファの頂上に配さ
れて複数種類の処理ガスを吹き出すガスヘッドとを備え
ており、サセプタ上に被処理物としてのウェハを収容し
て自公転させながら、ガスヘッドから複数種類の処理ガ
スをそれぞれ同時に吹き出せ、そのガスの気相化学反応
により所望の成膜処理を行うように構成されているもの
がある。
このような自公転式CVD装置において、ウェハを処理
室に搬入してサセプタ上に移載し、また、ウェハをサセ
プタ上から受け取り、処理室外に搬出するウェハ保持装
置としては、エア吹き出しヘッドによりウェハにエアを
吹きつけ、ヘッドとウェハとの間にエアの流れ層を形成
することにより、ウェハを吸着保持するように構成され
ている装置や、ヘッドに突設された保持爪をウェハに係
合させることにより、ウェハを機械的に保持するように
構成されている装置がある。
なお、CVD技術を述べである例としては、株式会社工
業調査会発行「電子材料1985年11月号別冊」昭和
60年11月20日発行P53〜P54、がある。
また、ウェハのハンドリング技術を述べである例として
は、株式会社工業調査会発行「電子材料1982年11
月号別冊」昭和57年11月18日発行P109〜P1
16、がある。
ウェハを保持する非接触型吸着保持装置を述べである例
としては、特開昭57−164544号公報および特開
昭58−143989号公報がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、このようなウェハ保持装置を用いたウェハ処理
装置においては、次のような問題点があることが、本発
明者によって明らかにされた。
(1)  ウェハにエアを吹き付けてウェハを吸着保持
するウェハ保持装置においては、ウェハの保持時にウェ
ハとヘッドとの間からエアが噴出するため、保持しよう
とするウェハの周辺に多量の反応生成物が存在する常圧
CVD装置では他のウェハ上に多量の反応生成物を付着
させてしまう。
(2)保持爪によりウェハを機械的に支持するウェハ保
持装置においては、機構が複雑になるため、機械的な摺
動部から微細な金属破片や、付着した反応生成物片を発
生させたり、機構のトラブルが発生する。
本発明の目的は、常圧CVD装置等において、ウェハ上
への微細粒子の付着を防止し、かつ、機構が簡単でトラ
ブルの少ないウェハ処理装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、ウェハに流体を吹きつけ、あるいは、吸着面
より流体を吸引することを併用してウエノ\との間に流
れ層を形成するか、吸引圧力と吹きつけ圧力のバランス
をとることにより、ウェハを保持するヘッド、および、
このヘッドの側面に保持されたウェハの側面に当接し得
るように配設されている複数の保合部を備えているウェ
ハ保持装置を使用し、このウェハ保持装置をウェハを処
理する処理室を出入りするように構成したものである。
〔作用〕
前記した手段によれば、ウェハとヘッドとの間に部分的
に圧力が供給されるためにエアが導入されるが、同時に
吸着力を発生させるためにウェハとヘッドとの間が吸引
されているため、ウェハとヘッドとの間から外に気体が
噴出することはない。
それによって処理室内の反応生成物は巻き上げられるこ
とはなく、他のウェハに反応生成物を付着させることは
ない。同時に保持しようとするウェハに対しても非接触
に吸着保持するため、微小粒子を付着させることはない
また、メカニカルなウェハ保持装置に比べて可動部分が
減少するため、その摺動部からの微小粒子の発生や、機
構のトラブルを低減させることができる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例である自公転式C■Du置に
おけろウェハ保持装置付近を示す部分斜視図、第2図は
そのウェハ保持装置の受け渡し作業を説明するための一
部切断正面図、第3図は同じく受け取り作業を説明する
ための一部切断正面図、第4図はウェハ保持装置を示す
底面図、第5図はその自公転式CVD装置を示す縦断面
図である。
本実施例において、このCVD装置は略円筒形中空体に
形成されているチャンバlを備えており、チャンバ1の
側壁にはウェハを出し入れするための搬入口IAおよび
搬出口IBが開設されているとともに、その下部の適当
箇所に複数個の排気口2が開設されている。チャンバ1
内の上部には底面開口の略三角錘筒形状に形成されてい
るベルジャ3が吊持されている。ベルジャ3の頂部には
複数種類の処理ガスを吹き出すガスヘッド(後記する。
)が配設されており、ベルジャ3内にはバッファ4が同
心的に配設されている。バッファ4はベルジャ3に対し
て所定寸法小さく相似する略円錐形状に形成されており
、その円錐面が凹状に弯曲されている。
一方、チャンバ1内の下部にはターンテーブル5が水平
に支持されており、ターンテーブル5はモータや減速機
構等からなる回転駆動装置6により回転されるように構
成されている。ターンテーブル5上には複数の回転軸7
が外周辺部において周方向に略等間隔に配されて、それ
ぞれ略垂直に支承されており、回転軸7はモータや減速
機構等からなる回転駆動装置8により回転されるように
構成されている。各回転軸7上には被処理物としてのウ
ェハ9を支持するためのサセプタ10がそれぞれ水平に
支持されており、このサセプタ10群は前記バッファ・
−の下端辺の周囲を自転しながら公転するように配設さ
れている。
サセプタ10はウェハ9よりも大径の円板形状に形成さ
れており、サセプタ10の上面にはウェハ9よりも大径
の円形形状に形成された凹部11が同心的に配されて、
サセプタ10と一体的にそれぞれ没設されている。凹部
11はその深さがウェハ9の高さと略等しくなるように
設定されている。
サセプタ10の下にはヒータ12が配設されており、こ
れらヒータ12はサセプタ10が支持しているウェハ9
をそれぞれ加熱し得るように構成されている。バッファ
4の下端辺にはヒータカバー13がターンテーブル5上
に立設された複数本の支柱14を介して支持されて配設
されている。
また、ヒータカバー13には複数の窓孔15がサセプタ
10を収容し得る大きさにそれぞれ開設されており、各
窓孔15の開口縁には面取り部が凸状弯曲面形状に形成
されている。各窓孔15にはサセプタ10がヒータカバ
ー13によって取り囲まれるように遊嵌されており、こ
れにより、ヒータカバー13はサセプタ10の下位置に
配されてヒータ12を被覆し、加熱が有効に行われるよ
うにしている。
ベルジャ3の頂部に配設されているガスヘッド16は第
1ノズル17および第2ノズル18を備えており、第5
図に示されているように、二重管構造に構成されている
とともに、バッファ4の頂上に同心的に配されて設備さ
れている。第1ノズルI6はモノシランまたはホスフィ
ン等のような処理ガスを供給する第1処理ガス供給源(
図示せず)に接続されるようになっている。第2ノズル
17は酸素等のような処理ガスを供給する第2処理ガス
供給源(図示せず)に接続されるようになっている。
本実施例において、チャンバ1の搬入口IAおよび搬出
口IBには、ウェハ9を処理室に搬入しサセプタ10に
移載させるための移載用ウェハ保持装置1.A、および
、ウェハ9をサセプタIOから受け取るための受取用ウ
ェハ保持装置Bがそれぞれ設備されている。両保持装置
AおよびBは後記する係合部に関する点を除いて、略同
様に構成されているため、便宜上、共通点については一
方につき代表的に説明する。
本実施例において、このウェハ保持装置はへノド22を
備えており、ヘッド22は平面形状が被処理物としての
ウェハ9の外形と略等しい円盤形状に形成されている本
体23と、本体に設備された3台の非接触型吸着装置2
4と、本体23の外周にウェハ9の外周と係合するよう
に突設されている6個の係合部(詳細は後述する。)と
を備えている。第2図および第3図に示されているよう
に、この吸着装置24は流体としてのエアを吹き出させ
るように開設されている吹出口26と、この吹出口26
に形成されている絞り26aと、吹出口26を取り囲む
ように環状に配されて吹き出しエアを吸引するように開
設されている吸引口27とを備えている。吹出口2Gは
給気′et2Bを介してエア供給装置(図示せず)に接
続されており、吸引口27は吸引路29を介して真空排
気装置(図示せず)に接続されている。また、本体23
の外周に突設された保合部は周方向において略等間隔に
設けられており、ウェハ9が遊動するのを防止するのに
必要な高さが本体23の平面から突出する方向に設けら
れている。
本体23の外周面にはアーム30が径方向に配されて固
着されており、アーム30は所望の2点間を連絡するよ
うに適宜敷設されたガイドレール(図示せず)に摺動自
在に跨設されているとともに、ガイドレールに沿って敷
設されてサーボモータによって回転駆動される送りねじ
軸(図示せず)により往復移動されるように構成されて
いる。
チャンバlの外方にはウェハ搬送装置としてのベルトコ
ンベア31が搬入口IAおよび搬出口IBにそれぞれ対
向するように敷設されており、ヘルドコンヘア31はア
ーム30に固着されたヘッド22の後退限と、ウェハ収
納治具32の位置との間においてウェハ9を搬送し得る
ように構成されている。
ここで、ウェハ保持装置にそれぞれ突設されている係合
部の構成について説明する。
まず、移載用ウェハ保持装置Aに突設されている係合部
25A群はそれらの内径間隔Saが、前記サセプタ10
における凹部11の内径寸法Daよりも狭く、かつ、ウ
ェハ9の外径寸法よりも広くなるように設定されている
他方、受取用ウェハ保持装置Bに突設されている係合部
25B群はそれらの内径間隔sbが、サセプタ10の外
径寸法Dbよりも広くなるように設定されている。
次に作用を説明する。
処理すべきウェハ9は後述するような移載用ウェハ保持
装置Aの作用により処理室に搬入されるとともに、各サ
セプタ10上において凹部11によって位置決めされる
ように載置状態にそれぞれ支持される。サセプタIOに
支持されたウェハ9はヒータ12により加熱される。こ
のとき、ヒータ12はヒータカバー13によって被覆さ
れているため、加熱が有効に行われるとともに、ヒータ
カバー13の上方空間への放熱が防止される。
ウェハ9がセットされると、サセプタ10はヒータカバ
ー13における窓孔15内においてターンテーブル5お
よび回転軸7によりバッファ4の周囲を自公転される。
この自公転中、モノシランガスまたはホスフィンガスお
よび酸素ガスのような処理ガスが、ガスヘッド20の第
1および第2ノズル17.18からそれぞれバッファ4
に向けて、供給される。
供給された処理ガスはバッファ4の円錐面に沿って周方
向において均等に流下し、その下端辺周囲において自公
転されているウェハ9群にそれぞれ均等に接触した後、
排気口2から排気される。
処理ガスがウェハ9に接触したときの気相化学反応によ
り、ウェハ9上に所望のCVD膜が生成される。このと
き、ウェハ9は自公転されているため、ウェハ9はガス
流に対して全方位を均等に向けることになり、その結果
、ガスによる成膜処理がウェハ9の全周にわたって均一
に行われることになる。
ここで、ウェハ保持装置AおよびBの作用を説明する。
まず、ウェハ収納治具32からウェハ枚葉取出し装置(
図示せず)により取り出されたウェハ9は、ヘルドコン
ベア31によりヘッド後退位置まで搬送され、その場所
で移載用ウェハ保持装置Aに非接触に保持される。
この後、移載用ウェハ保持装置AはアーL30により搬
入口IAからチャンバ1の処理室内に搬入され、所定の
サセプタ10の直上に位置決めされる。続いて、ウェハ
の非接触保持動作を行っていた保持装置Aにおける非接
触型吸着装置24の空気の吸吹を停止されることにより
、ウェハ9はサセプタ10の凹部11底面上に落下され
てセットされる。
このとき、ウェハ9のウェハ吸着面に対する平行方向の
動きは、係合部25Aの間11isaがサセプタ10上
においてウェハをセットすべき範囲(サセプタ10に没
設されている凹部11の内側)より狭い範囲内に制限さ
れているため、ウェハ9はサセプタ10の上面に没設さ
れている四部11の底面上に適正にセットされる。
他方、サセプタ10上において、所望の処理を施された
ウェハ9は搬出口IBの対向位置において、サセプタ1
0上からピックアップさ、れる、すなわち、受取用ウェ
ハ保持袋fiBのへンド22はアーム30により搬出口
IBから挿入されサセプタ10の直上に位置決めされ、
吹出口26からのエア吹出しによる静圧流体軸受の形成
と、吸引口27からのエア吸引による負圧の発生により
、ウェハ9を持ち上げて非接触保持する。
このとき、係合部25Bの間隔sbがサセプタ10の外
周より広い範囲に設置されているため、ウェハ9は係合
部25Bに衝突することなく、迅速に非接触保持される
ことになる。
ウェハ9の保持状態において、ヘッド22とウェハ9と
の間からの気体の噴出がないため、CVD装置における
処理室内の反応生成物を巻き上げず、その結果、先に搬
入されたウェハ9上に反応生成物を付着させることはな
い。
この後、ウェハ9はウェハ保持袋HBとアーム30によ
りベルトコンベア31に移送されて受け渡され、このコ
ンベア31によりウェハ収納装置(図示せず)に搬送さ
れ、カセットに収納される。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
(1)処理室内のサセプタとの間でウェハを受け渡すた
めのウェハ保持装置として、ウェハに流体を吹きつける
とともに、流体を吸引することによって流れ層を形成し
、ウェハを保持する保持装置を使用することにより、ウ
ェハと保持装置との間から流体が外方に流出するのを回
避することができるため、処理室内の反応生成物の巻き
上げを防止することができ、その結果、ウェハの異物付
着を防止することができる。
(2)前記(1)のウェハ保持装置を使用することによ
り、従来の機械式のウェハ保持装置に比べて機械的接触
箇所を低減させることができるため、作動の信頼性を向
上させることができるとともに、発塵を低減させること
ができる。
(3)  ウェハの保持装置におけるウェハ吸着面に対
する平行方向の動きを制限する係合部の間隔が、サセプ
ター・のセットを行う場合はウェハをセットすべき範囲
より狭く、他方、ウェハを持ち上げる時は広くそれぞれ
設定することにより、ウェハのセントあるいは持ち上げ
を行うとき、ウェハサセプタへのウェハのはみ出しや、
係合部へのウェハの引っ掛かりを防止することができる
(4)同一定形のサセプタへのウェハセット作業、およ
び、持ち上げ作業をウェハに非接触の状態でそれぞれ実
現することができるので、ウェハの損傷や異物付着等を
最小限に抑制することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、ウェハ保持装置における係合部とサセプタとの
関係は、前記実施例の関係になるように設定するに限ら
ず、使用条件に対応して適宜設定することができる。
ウェハ保持装置を処理室に対して搬入搬出させるための
具体的構成としては前記実施例にかかる構成を使用する
に限らず、使用条件に対応して適当な構成を使用するこ
とが望ましい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である自公転式CVD装置
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、その他のCVD装置、酸化膜形成装置、
拡散装置、ドライエツチング装置等に適用することがで
きる。本発明は少なくとも枚葉式のウェハ保持装置を使
用する処理装置全般に適用することができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を節単に説明すれば、次の通りである。
処理室内のサセプタとの間でウェハの受け渡すためのウ
ェハ保持装置として、ウェハに流体を吹きつけるととも
に、流体を吸引することによって流れ層を形成し、ウェ
ハを保持する保持装置を使用することにより、ウェハと
保持@置との間から流体が外方に流出するのを回避する
ことができるため、処理室内の反応生成物の巻き上げを
防止することができ、その結果、ウェハの異物付着を防
止することができる。また、前記ウェハ保持装置を使用
することにより、従来の機械式のウェハ保持装置に比べ
て機械的接触箇所を低減させることができるため、作動
の信顧性を向上させることができるとともに、発塵を低
減させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である自公転式CvD装置に
おけるウェハ保持装置付近を示す部分斜視図、 第2図はそのウェハ保持装置の受け渡し作業を説明する
ための一部切断正面図、 第3図は同じく受け取り作業を説明するための一部切断
正面図、 第4圀はウェハ保持装置を示す底面図、第5図はその自
公転式CVD装置を示す継断面図である。 ■・・・チャンバ、IA・・・搬入口、IB・・・搬出
口、2・・・排気口、3・・・ベルジャ、4・・・バン
コア、5・・・ターンテーブル、6.8・・・回転駆動
装置、7・・・回転軸、9・・・ウェハ(被処理物)、
10・・・サセプタ(支持台)、11・・・凹部、12
・・・ヒータ、13・・・ヒータカバー、1°4・・・
支柱、15・・・窓孔、16・・・ガスヘッド、17・
・・第1ノズル、1日・・・第2ノズル、A・・・移載
用ウェハ保持装置、B・・・受取用ウェハ保持装置、2
2・・・ヘッド、23・・・本体、24・・・非接触型
吸着装置、25A、25B・・・係合部、26・・・吹
出口、26a・・・絞り、27・・・吸引口、28・・
・給気口、29・・・吸引路、30・・・アーム、31
・・・ベルトコンベア、32・・・ウェハ収納tfj 
N。 第1図 1・・・キイ、八゛ 3“°^゛°ルジイ 4−°°ハ’・yクデ 16・・・む゛ス4・ット、°。 22・・・4ヴド 跡・・骨躊東シI覚瓦 2SA、”lSB・・・イム合釘 30・・・アーム 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ウェハに流体を吹きつけ、あるいは、吸着面より流
    体を吸引することを併用してウェハとの間に流れ層を形
    成するか、吸引圧力と吹きつけ圧力とのバランスをとる
    ことにより、ウェハを保持するヘッド、および、このヘ
    ッドの側面に保持されたウェハの側面に当接し得るよう
    に配設されている複数の係合部を備えているウェハ保持
    装置を備えており、このウェハ保持装置がウェハを処理
    する処理室を出入りするように構成されていることを特
    徴とするウェハ処理装置。 2、ウェハが支持台に移載される状態において、前記ウ
    ェハ保持装置における係合部の間隔が支持台の支持領域
    よりも狭くなるように、また、ウェハが支持台から受け
    取られる状態において、前記ウェハ保持装置の係合部の
    間隔が支持台の支持領域よりも広くなるように構成され
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のウ
    ェハ処理装置。
JP63148100A 1988-06-17 1988-06-17 ウエハ処理装置 Pending JPH01316954A (ja)

Priority Applications (1)

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JP63148100A JPH01316954A (ja) 1988-06-17 1988-06-17 ウエハ処理装置

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JP63148100A JPH01316954A (ja) 1988-06-17 1988-06-17 ウエハ処理装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999033725A1 (en) * 1997-12-30 1999-07-08 Krytek Corporation Contactless wafer pick-up chuck
JP2006176255A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Murata Mach Ltd 搬送システム

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