JPH01313777A - Detecting system for insulation failure position of printed board wiring pattern - Google Patents

Detecting system for insulation failure position of printed board wiring pattern

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JPH01313777A
JPH01313777A JP63146352A JP14635288A JPH01313777A JP H01313777 A JPH01313777 A JP H01313777A JP 63146352 A JP63146352 A JP 63146352A JP 14635288 A JP14635288 A JP 14635288A JP H01313777 A JPH01313777 A JP H01313777A
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JP
Japan
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pins
group
insulation
defective
pin
Prior art date
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Pending
Application number
JP63146352A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsuneo Yamaha
山羽 常雄
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01313777A publication Critical patent/JPH01313777A/en
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Abstract

PURPOSE:To detect an insulation failure position in a short time and efficiently by setting a group of probe pins as a unit and executing a test between each representative pin, and applying a mask insulation test to the pin in which a failure has been detected. CONSTITUTION:In a device 6 for executing an insulation test by using a grating- like probe pin 1a, one piece of pins for forming a group corresponding to a wiring pattern is set as a representative pin, and by executing successively an insulation test between one piece of the representative pins of each group, and a batch pin which has lumped together the representative pins of all other groups, a failure grating point is detected. Subsequently, the group to which a failure pin belongs is masked successively, and by executing a mask insulation test of one failure pin, and a batch pin which has lumped together all failure pins escept the masked group, a relation between the failure groups is detected. In such a way, an insulation failure of the wiring pattern of the whole surface of the substrate can be detected efficiently in a short time.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、プリント基板の配線パターンの絶縁不良位
置の検出方式に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for detecting the position of insulation failure in a wiring pattern of a printed circuit board.

[従来の技術] 電子計算機に使用されるプリント基板は大型であり、高
性能のICパッケージが多数搭載されるもので、そのプ
リント配線には、断線、ショートまたは絶縁低下などの
不良は絶対に許されない。
[Prior art] Printed circuit boards used in electronic computers are large and are equipped with many high-performance IC packages, and defects such as disconnections, short circuits, or poor insulation are absolutely unacceptable in the printed wiring. Not done.

これに対してプリント配線の形成が完rして部品が未搭
載の時点で、導通および絶縁試験が行われる。
On the other hand, when the printed wiring is completed and no components are mounted, continuity and insulation tests are performed.

第3図(a)、(b)は、プリント基板の導通および絶
縁試験に使用されるプローバを示すもので、図(a)に
おいて、適当なベースにプローバボード1を固定し、こ
れにプリント基板2の配線パターン(図示省略)に対応
するプローブピン1aを植設する。基板は絶縁板3を介
在して抑圧板2により下方に押下されて、配線パターン
にプローブピンが接触する。各プローブピンはケーブル
5により試験装置6に接続されて、導通または絶縁試験
が行われる。プリント基板の配線パターンの形状には各
種さまざまのものがあるので、これらに共通して使用す
るために、プローブピンは図(b)のように、配線パタ
ーンのサイズ(ピッチ間隔)に相当する間隔の格子点の
すべてに対応して植設され、任、αの配線パターンに対
していずれかのプローブピンが接触するようになされて
いる。なお、電子計算機に使用されるプリント基板の大
型のものは一辺が〜500mmの方形で、配線のピッチ
間隔が3mm程度であるため、格子点、従ってプローブ
ピンの数が非常に多く、約3万本に達するものである。
3(a) and 3(b) show a prober used for continuity and insulation testing of printed circuit boards. In FIG. 3(a), the prober board 1 is fixed to a suitable base, and the printed circuit board is Probe pins 1a corresponding to No. 2 wiring pattern (not shown) are implanted. The substrate is pushed down by the suppression plate 2 with the insulating plate 3 interposed therebetween, and the probe pins come into contact with the wiring pattern. Each probe pin is connected to a test device 6 via a cable 5 to perform a continuity or insulation test. There are various shapes of wiring patterns on printed circuit boards, so in order to use them commonly, the probe pins should be spaced at intervals corresponding to the size (pitch interval) of the wiring pattern, as shown in Figure (b). The probe pins are implanted corresponding to all of the grid points of α, so that one of the probe pins contacts the wiring pattern of α and α. Note that the large printed circuit boards used in electronic computers are rectangular with sides of ~500 mm, and the wiring pitch is approximately 3 mm, so the number of lattice points, and hence the number of probe pins, is extremely large, approximately 30,000 mm. It is something that reaches a book.

次に、配線パターンの不良と従来の試験方法について第
4図(a)〜(e)により説明する。図(a)において
、Pl−R4は配線パターンの例を示すもので、これら
に接触したプローブピンの13は接続されて、グループ
G、−G4を形成している。
Next, defective wiring patterns and conventional testing methods will be explained with reference to FIGS. 4(a) to 4(e). In Figure (a), Pl-R4 shows an example of a wiring pattern, and probe pins 13 in contact with these are connected to form groups G and -G4.

図(b)は配線パターンに断線qを生じたもの、図(C
)は配線パターン間にショートSが発生したもの、図(
d)は配線パターン間が抵抗rで結合した絶縁不良、ま
た図(e)は3個の配線パターンが絶縁不良である場合
を示す。
Figure (b) shows a wiring pattern with a disconnection q, and Figure (C
) is the one in which a short S has occurred between the wiring patterns, and the figure (
Figure d) shows an insulation failure where wiring patterns are connected by a resistor r, and Figure (e) shows a case where three wiring patterns have insulation failure.

以−1〕の不良のうち、断線の検出には導通試験が行わ
れる。導通試験においては、各グループ内に適当な代表
プローブピンを選定し、そのアドレスと、それぞれの配
線パターンに対応するグループの接続情報とを予めメモ
リに記憶しておき、1個のピンを基県としてグループ内
の各ピンとの間の導通試験が行われている。この場合、
ピン数を約3万とし、1グループに平均して例えば5個
のピンがあるとすると、グループ数は最大限6千組で、
実際はこれよりかなり少ない。導通試験の場合は、試験
電圧は低圧の極めて短い幅のパルスでよく、1グループ
の試験時間は平均lμs程度で終了するので、全部で最
大数mSで完rする。
A continuity test is performed to detect wire breakage among the defects listed in (1) below. In the continuity test, select an appropriate representative probe pin within each group, store its address and connection information for the group corresponding to each wiring pattern in advance in memory, and use one pin as the base prefecture. Continuity tests are performed between each pin in the group. in this case,
If the number of pins is approximately 30,000, and each group has, for example, 5 pins on average, the maximum number of groups is 6,000.
In reality, it's much less than this. In the case of a continuity test, the test voltage may be a low voltage pulse with an extremely short width, and the test time for one group is completed in about 1 μs on average, so the test can be completed in a maximum of several milliseconds in total.

次に、グループ間のショートまたは絶縁不良(以下−括
して絶縁不良とする)であるが、絶縁試験として従来か
ら2分法が行われている。第5図は2分法を説明するも
ので、まず図(a)のように基板の全部ROを対象とし
て、各グループに対するそれぞれ他の全グループを一括
して、それらの間の試験を行い、もし不良が検出された
とき(ただし不良グループは特定されない)はその時点
で、全部ROをR1とR2に2分してその一方、例えば
R1を対象として上記と同様の試験を行う。ここでR1
に不良が検出されたとすると、図(b)の実線で示すよ
うにR1をさらにR11とR12に2分し、またR1 
に不良が検出されないときはR2に不良が存在する筈で
あるから、R2をR21とR22に2分し、不良の存在
する方の一方、例えばR11またはR21を対象として
同様の試験を行い、不良の存在する面を判定して図(c
)のようにさらに2分して試験する。図の場合は、Rt
 R11,R11lに絶縁不良rがあり、これらが試験
されたことを実線で示す。このように不良の存在する面
を逐次2分して試験することにより、不良格r点を追い
詰めて位置を検出するものである。ピン数が3万個ある
とすると、2分割を15回行うことにより最小11位の
格子点ごとに不良が検出される。
Next, regarding short circuits or insulation defects between groups (hereinafter collectively referred to as insulation defects), a dichotomous method has conventionally been used as an insulation test. Fig. 5 explains the dichotomy method. First, as shown in Fig. (a), all ROs on the board are targeted, and tests are performed between each group and all other groups at the same time. If a defect is detected (however, the defective group is not specified), at that point all ROs are divided into R1 and R2, and the same test as above is performed on one of them, for example, R1. Here R1
If a defect is detected in , R1 is further divided into R11 and R12 as shown by the solid line in Figure (b), and R1
If no defect is detected in R2, there must be a defect in R2. Therefore, divide R2 into R21 and R22, and perform a similar test on one of the defective ones, for example, R11 or R21, to detect the defect. Figure (c
) and then test for an additional 2 minutes. In the case of the figure, Rt
There is an insulation defect r in R11 and R11l, and the solid line indicates that these were tested. In this way, by sequentially dividing the defective surface into two parts and testing, the defective point r is tracked down and its position detected. Assuming that the number of pins is 30,000, a defect is detected for each of the 11th grid points at the minimum by performing the 2-part division 15 times.

[解決しようとする課題] しかしながら、グループには格子点が連鎖して複数あり
、連鎖が長いときは2分法による試験は意外に長時間を
要する。第6図はこれを説明するもので、図において基
板の配線パターンPが図示のように多数の格子点が連鎖
したものとする。これに第5図と同様の2分法を適用し
、まずROに不良有り、ついで逐次2分されたRI R
11,R112・・・・・・に不良有りとして、1ラウ
ンドの2分法によって不良箇所の1格子点が検出される
が、試験の対象とされない他方の而に存在する不良につ
いては、改めて最初から2分法を繰り返して試験するこ
とが必要である。例えば、電源に対する配線パターンは
数十個の格子点が連鎖しており、これがいずれか他のピ
ンに対して絶縁不良であるときは、数千回の2分法を繰
り返す必要がある。一方、絶縁試験の場合は、数十MΩ
〜数百MΩまでの高絶縁抵抗を検出するために、試験パ
ルスには高電圧で時間幅の長いものを使用する関係で、
2分されたl而の試験時間に100m5を安し、1ラウ
ンドに1.58.従って上記の数千回に対しては数十分
の長時間を要する欠点がある。
[Problem to be Solved] However, a group has a plurality of chained lattice points, and when the chain is long, testing using the dichotomous method takes a surprisingly long time. FIG. 6 explains this. In the figure, it is assumed that the wiring pattern P on the board is a chain of many lattice points as shown in the figure. Applying the same dichotomy method as shown in Fig. 5 to this, first there is a defect in RO, and then RI R is divided into two.
11, R112..., one lattice point of the defective point is detected by the bisection method in one round, but for the defect existing in the other point which is not subject to the test, it is detected again from the beginning. It is necessary to repeat the test using the dichotomy method. For example, a wiring pattern for a power supply has a chain of several dozen lattice points, and if there is poor insulation with respect to any other pin, it is necessary to repeat the dichotomy several thousand times. On the other hand, in the case of insulation testing, tens of MΩ
In order to detect high insulation resistances up to several hundred MΩ, a test pulse with a high voltage and long duration is used.
100m5 was saved in the 2-minute exam time, and 1.58. Therefore, there is a drawback that it requires a long time of several tens of minutes compared to the above-mentioned several thousand times.

この発明は、上述した2分法の欠点を解決するために考
案されたもので、2分法においては格子点ごとの不良を
検出するに対して、グループ内の各格子点は連鎖により
導通しているので、各グループを代表する格−r点間の
絶縁不良を検出して各格r点に対するデータかえられる
ことに着目し、短時間で効率的に配線パターンの絶縁不
良位置を検出できる方式を提供することを目的とするも
のである。
This invention was devised to solve the above-mentioned drawbacks of the dichotomy method. Whereas in the dichotomy method, defects are detected for each lattice point, each lattice point within a group is connected through a chain. Therefore, we focused on detecting insulation defects between case and r points representing each group and changing the data for each case r point, and developed a method that can efficiently detect the location of insulation defects in wiring patterns in a short time. The purpose is to provide the following.

[課題を解決するための手段コ この発明による第1の方式は、基板の全面に設定された
一定間隔の格子点に準拠して形成された多数のプリント
配線パターンに対して、格子点のすべてに対応した複数
のプローブピンを有するプローバを当接して行う配線パ
ターンの絶縁試験における絶縁不良位置の検出方式であ
って、各配線パターンに対応したグループをなすプロー
ブピンのうちの1個を代表ピンとし、各代表ピンの位置
と、各グループの含むプローブピンの接続情報(以ド1
1t、 Gこグループ接続情報という)とを予めメモリ
に記憶し、マイクロプロセッサの制御により、各グルー
プの代表ピンを順次に基をピンとし、それぞれに対する
他のすべてのグループの代表ピンを一括した一括ピンと
の間の絶縁試験を、上記のメモリに記憶された代表ピン
のアドレス順序に従って逐次行い、この絶縁試験により
えられた絶縁不良の代表ピン(不良ピン)に対するメモ
リに記憶されたグループ接続情報により、不良格子点の
位置を出力するものである。
[Means for Solving the Problems] The first method according to the present invention is to detect all of the grid points for a large number of printed wiring patterns formed according to grid points set at regular intervals on the entire surface of the board. A method for detecting insulation defect positions in wiring pattern insulation tests carried out by contacting a prober having a plurality of probe pins corresponding to each wiring pattern, in which one of the probe pins forming a group corresponding to each wiring pattern is designated as a representative pin. The location of each representative pin and the connection information of the probe pins included in each group (hereinafter referred to as 1)
1t, G (referred to as group connection information) is stored in memory in advance, and under the control of the microprocessor, the representative pins of each group are sequentially set as pins, and the representative pins of all other groups are collectively connected to each group. The insulation test between the pins is performed sequentially according to the address order of the representative pins stored in the memory above, and the group connection information stored in the memory is used for the representative pin (defective pin) with insulation failure obtained from this insulation test. , which outputs the position of the defective grid point.

この発明による第2の方式は、第1の方式の絶縁試験に
より検出された全不良ピンを対象とし、メモリに記憶さ
れている不良ピンが属するグループ接続情報を順次にマ
スクし、次位の不良ピンを新たな基準ビンとして、該基
準ピンとマスクされたグループを除外した他のすべての
不良ピンを一括した一括ピンとのマスク絶縁試験を、メ
モリに記憶された代表ピンのアドレス順序に従って逐次
行い、不良グループ間の関係データを出力するものであ
る。
The second method according to the present invention targets all defective pins detected by the insulation test of the first method, sequentially masks the group connection information to which the defective pins stored in memory belong, and Using the pin as a new reference bin, a mask insulation test is performed between the reference pin and all other defective pins excluding the masked group in sequence according to the address order of the representative pins stored in memory. It outputs relationship data between groups.

「作用コ 上記の第1の絶縁不良位置の検出方式によれば、任意の
グループの基準ピンと、これに対する他のすべてのグル
ープの一括ピンとの間の絶縁試験が1回で行われ、各グ
ループの代表ピンを順次に基準ピンとして、すべての基
準ピンに対してグループ数、すなわち代表ピンの数の回
数で1ラウンドの試験が終了する。ただし絶縁不良が検
出された基準ピンのアドレスは既知であるが、相手の代
表ピンまたはそのグループは一括されているので特定で
きない。しかし、全グループの代表ピンに対して試験す
るので、最終的には相手のピンが不明のまま、すべての
不良ピンは検出される。検出されて不良ピンのそれぞれ
に対するメモリに記憶されているグループ接続情報によ
り、不良格子点の位置が判明して出力されるものである
According to the first insulation defect position detection method described above, the insulation test between the reference pin of any group and the collective pins of all other groups is performed at one time, and The representative pins are sequentially used as reference pins, and one round of testing is completed for all reference pins as many times as the number of groups, that is, the number of representative pins.However, the address of the reference pin where the insulation defect was detected is known. However, since the partner's representative pin or its group is grouped together, it cannot be identified.However, since the test is performed on the representative pin of all groups, the partner's pin remains unknown and all defective pins are detected. The position of the defective lattice point is determined and output based on the group connection information stored in the memory for each of the detected defective pins.

上記においては、各不良ピンまたは不良グループは、絶
縁不良となる相手のピンまたはグループが不明であり、
すなわち両者の関係が特定されていない。これに対して
は上記の第1の方式により不良ピンを検出した後、この
発明の第2の方式のマスク絶縁試験により特定する。以
ド図によりマスク絶縁試験を説明する 第1図(a)は基板の全面における不良グループがPa
とpbのただ2個が絶縁不良の場合で、このときは第1
の方式で相手との関係が確定することは明らかである。
In the above, each defective pin or defective group does not know the other pin or group that will cause insulation failure,
In other words, the relationship between the two has not been specified. To deal with this, defective pins are detected by the first method described above, and then identified by the mask insulation test of the second method of the present invention. Figure 1 (a), which explains the mask insulation test using the following diagram, shows that the defective groups on the entire surface of the board are Pa
In this case, only two of the
It is clear that the relationship with the other party is determined by this method.

次に、図(b)はPCとPdおよびPeとPfの2組ま
たはそれ以上が2個づつそれぞれ絶縁不良の場合で、P
CをマスクしテPdを基準として試験すると、マスクの
ためにPdは良となり、相手はPcであることが判る。
Next, Figure (b) shows a case where two or more pairs of PC and Pd and Pe and Pf each have insulation defects, and P
When C is masked and tested using TePd as a standard, Pd is good because of the mask, and it is found that the other party is Pc.

PeとPf、またはこれ以外の組についても同様で、2
個のグループ間の不良に対しては、グループのアドレス
の順序に従ってマスクおよび絶縁試験を逐次行うことに
より不良ピンの関係が特定される。
The same goes for Pe and Pf or other pairs, 2
For defects between groups, the relationship between defective pins is identified by sequentially performing masking and insulation tests according to the order of group addresses.

次に、図(e)はPg+に対してPhとPIとが絶縁不
良の場合で、添え字のアルファベットの順序にまずPg
をマスクし、Phを基準とすると良となってPgが相手
と判定され、PgをマスクしたままPIを基準とすると
良となってやはりPgが相手であることが判明し、これ
らの3者の関係が特定される。しかし、マスクまたは試
験順序が兇なるときは必ずしも簡単に相互の関係が判明
しない。
Next, Figure (e) shows the case where Ph and PI have poor insulation with respect to Pg+.
If you mask it and use Ph as the standard, it will be good and Pg will be judged as the opponent, and if you mask Pg and use PI as the standard, it will be good and it turns out that Pg is the opponent. Relationships are identified. However, when the mask or test order is different, the correlation is not always easily determined.

例えば図(d)において最初にPjをマスクしてPkを
基準とするとやはり不良であるが、ただし絶縁抵抗値が
変化する。ついで、PjとPkをマスクしてPI を基
準とするとはじめて良となり、PlはPj、Pkの両方
に絶縁不良であることが判明する。このように、3個ま
たはそれ以上が関係する場合はマスクする相手または試
験順序によって相互関係が特定できない場合がある。実
際上では、絶縁不良グループの数は多くの場合小数で、
また3側辺りが関係する場合はさらに少ないので、絶縁
抵抗の変化を利用して最終的に不良グループの関係を特
定するものである。
For example, in Figure (d), if Pj is first masked and Pk is used as a reference, it is still defective, but the insulation resistance value changes. Next, when Pj and Pk are masked and PI is used as a reference, it is found to be good for the first time, and it is revealed that Pl has poor insulation from both Pj and Pk. In this way, when three or more are involved, the mutual relationship may not be identified depending on the person to be masked or the order of the tests. In practice, the number of insulation failure groups is often small;
Furthermore, since there are even fewer cases in which three sides are involved, the relationship between the defective groups is finally specified using changes in insulation resistance.

以上における試験の所要時間を見積もると、例えば前記
と同様にグループ数を最大限6千とし、高電圧法による
1回の試験時間を100m5とするとこの最大の場合に
おいても、第1の方式の場合、lラウンドの所要時間は
10分以内で終了する。ついで第2のマスク法を適用す
るときは、不良グループ数によるが小数の場合は短時間
に完了することができる。
Estimating the time required for the test in the above case, for example, if the maximum number of groups is 6,000 as described above, and the time for one test using the high voltage method is 100 m5, even in this maximum case, the first method , l round takes less than 10 minutes. When the second masking method is then applied, it depends on the number of defective groups, but in the case of a decimal number, it can be completed in a short time.

[実施例コ 第2図は、この発明によるプリント基板配線パターンの
絶縁不良位置検出方式の実施例における試験手順に対す
るフローチャートを示すものである。プリント基板は第
3図(a)で説明したように、格子点にプローブピンを
打するプローバカ配線パターンに押圧され、プローブピ
ンが接続された試験装置により絶縁試験が行われる。試
験装置はマイクロプロセッサを具備して、以下に述べる
試験を自動的に実行するものとする。
[Example 2] FIG. 2 shows a flowchart for a test procedure in an example of the method for detecting insulation defect positions of printed circuit board wiring patterns according to the present invention. As explained with reference to FIG. 3(a), the printed circuit board is pressed against a prober wiring pattern in which probe pins are driven into lattice points, and an insulation test is performed by a testing device to which the probe pins are connected. The test equipment shall be equipped with a microprocessor to automatically perform the tests described below.

第2図のフローチャートは、各グループの代表ピン間の
絶縁試験に対する(I)と、不良ピン間のマスク絶縁試
験に対する(II)よりなり、この発明の第1の方式に
おいては(I)により、第2の方式においては(I)の
終γ後引き続いて(II)が行われる。まず、■におい
ては各グループの接続情報と代表ピンの位置がメモリに
設定され、■において、代表ピンのアドレス順序により
、最初の代表ピンを基準ピンとし、これに対して他のす
べての代表ピンを一括した一括ビンとの間の絶縁試験を
行う。不良が検出された基準ピン(不良ピン)は■にお
いてその位置をメモリに記憶し、全基準ピンの試験終了
をチエツクして■、終了しないときは■に戻って次位の
代表ピンを新たな基準として、上記の試験を繰り返し、
全基準ピンが終rすると、■においてメモリに記憶され
た不良ピンに対するグループ接続情報を参照して、不良
格T点のリストを作成、出力する。次に、マスク絶縁試
験(II)に移行する。■においては、(I)において
最初に検出された不良グループの接続情報のメモリをマ
スクする。ついで、■において上記の不良グループの次
位のグループの代表ピンを基準とし、これに対する他の
すべての不良ピンを一括した一括ビンとの間のマスク絶
縁試験を行い、検出された良または不良の条件により、
■において不良グループの関係を特定してメモリに記憶
し、さらに■において上記次位の不良ピンの属するグル
ープの接続情報のメモリをマスクする。[相]において
全不良ピンに対するマスク試験の終了をチエツクして、
終了しないときは■に戻って次次位の不良ピンを基をと
して上記と同様の試験を全不良ピンが終了するまで繰り
返する。終了後、■において不良グループ間の関係リス
トを作成、出力するものである。
The flowchart in FIG. 2 consists of (I) for the insulation test between representative pins of each group and (II) for the mask insulation test between defective pins. In the second method, (II) is performed successively after the completion of (I). First, in ■, the connection information of each group and the location of the representative pin are set in memory, and in ■, the first representative pin is set as the reference pin, and all other representative pins are Perform an insulation test between the container and the bulk bottle. The location of the reference pin (defective pin) for which a defect has been detected is memorized in the memory in step ■, and the test is checked to see if all reference pins have been tested. As a standard, repeat the above test,
When all the reference pins are completed, a list of defective T points is created and output by referring to the group connection information for the defective pins stored in the memory in step (3). Next, proceed to the mask insulation test (II). In (2), the memory of the connection information of the defective group first detected in (I) is masked. Next, in step (3), using the representative pin of the group next to the above defective group as a reference, a mask insulation test is performed between it and a bulk bin containing all other defective pins, and the detected good or defective pins are tested. Depending on the conditions,
In (2), the relationship between the defective groups is identified and stored in the memory, and in (2), the memory of the connection information of the group to which the next defective pin belongs is masked. Check the completion of the mask test for all defective pins in [phase],
If the test is not completed, return to step (3) and repeat the same test as above using the next defective pin as a base until all defective pins are completed. After the process is completed, a list of relationships between defective groups is created and output in step (3).

上記のフローチャート(I)により、配線パターンの絶
縁不良が格子単位にリストアツブされる。
According to the above flowchart (I), insulation defects in the wiring pattern are restored in units of grids.

また(n)により、2個のグループの間の絶縁不良が複
数組存在する場合に対して基準グループと相手グループ
の関係が特定される。ただし、3個またはそれ以上のグ
ループが関係する絶縁不良に対しては、マスクによる絶
縁抵抗の変化を利用してグループ関係を特定することが
できる。これらに対する、試験の所要時間については、
既に述べたところである。
In addition, (n) specifies the relationship between the reference group and the other group when there are multiple sets of insulation defects between the two groups. However, for insulation defects involving three or more groups, the group relationship can be identified using changes in insulation resistance due to the mask. Regarding the time required for these tests,
I have already mentioned this.

[発明の効果コ 以上の説明により明らかなように、この発明によるプリ
ント基板配線パターンの絶縁石14位置検出方式におい
ては、配線パターンに対応する格r点のプローブピンは
接続されて導通状態であることを利用し、第1の方式の
絶縁試験はプローブピンのグループを91位として、そ
れぞれの代表ピンの相互間について試験を行い、不良が
検出されたグループはメモリに記憶された接続情報によ
り個々の格子点が特定され、これにより配線パターンの
絶縁不良位置を検出するものである。さらに、不良が検
出されたプローブピンに対して、第2の方式のマスク絶
縁試験を適用して不良グループ間の関係が特定されて出
力されるもので、従来の2分法に比較して遥かに短時間
で、基板全面の配線パターンの絶縁不良位置が効率的に
検出され、プリント基板配線パターンの絶縁試験に寄与
する効果には大きいものがある。
[Effects of the Invention] As is clear from the above explanation, in the method for detecting the position of the insulating stone 14 of the printed circuit board wiring pattern according to the present invention, the probe pin at the point R corresponding to the wiring pattern is connected and in a conductive state. Taking advantage of this, in the first method of insulation testing, the probe pin group is set at the 91st position, and the test is performed between each representative pin. Groups in which a defect is detected are individually identified using connection information stored in memory. lattice points are identified, and the position of insulation failure in the wiring pattern is detected based on this. Furthermore, the second method of mask insulation testing is applied to the probe pins in which a defect has been detected, and the relationship between defective groups is identified and output, which is much more effective than the conventional dichotomous method. The location of insulation defects in wiring patterns on the entire surface of a board can be efficiently detected in a short time, and this has a great effect in contributing to insulation testing of printed circuit board wiring patterns.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)、(b)、(c)および(d)は、この発
明によるプリント基板配線パターンの絶縁不良位置検出
方式における、マスク法による不良グループの関係の特
定方法の説明図、第2図は、この発明によるプリント基
板配線パターンの絶縁不良位置検出方式の実施例におけ
るフローチャート、第3図(a)および(b)はプリン
ト基板試験装置における配線パターンに対する試験プロ
ーバとプローブピンの配列の説明図、第4図(a)、(
b) 、(c) 、(d)および(e)は配線パターン
とこれに生じた断線、ショート、絶縁不良の説明図、第
5図は従来の2分法による配線パターンの絶縁試験の説
明図、第6図は第5図の2分法による絶縁試験の問題点
の説明図である。 1・・・ブローバ、     1B・・・プローブピン
2・・・プリント基板、  3・・・絶縁板、4・・・
押圧板、      5・・・ケーブル、6・・・試験
装置、■〜■・・・フローチャート番号。
FIGS. 1(a), (b), (c), and (d) are explanatory diagrams of a method for identifying the relationship between defective groups using a masking method in the insulation defect position detection method of a printed circuit board wiring pattern according to the present invention. Figure 2 is a flowchart of an embodiment of the insulation defect position detection method for printed circuit board wiring patterns according to the present invention, and Figures 3 (a) and (b) are diagrams of the arrangement of test probers and probe pins for wiring patterns in printed circuit board testing equipment. Explanatory diagram, Figure 4 (a), (
b), (c), (d), and (e) are diagrams explaining the wiring pattern and the disconnections, short circuits, and insulation defects that occur therein. Figure 5 is a diagram explaining the insulation test of the wiring pattern using the conventional bisection method. , FIG. 6 is an explanatory diagram of problems in the insulation test using the bisection method shown in FIG. 5. 1...Blow bar, 1B...Probe pin 2...Printed circuit board, 3...Insulating plate, 4...
Pressing plate, 5... Cable, 6... Testing device, ■~■... Flowchart number.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1).基板の全面に設定された一定間隔の格子点に準
拠して形成された多数のプリント配線パターンに対して
、該格子点のすべてに対応した複数のプローブピンを有
するプローバを当接して行う上記配線パターンの絶縁検
査において、上記各配線パターンに対応してグループを
なす上記プローブピンのうちの1個を代表ピンとし、各
代表ピンの位置と、各グループの含むプローブピンの接
続情報(以下単にグループ接続情報という)とを予めメ
モリに記憶し、マイクロプロセッサの制御により、各グ
ループの代表ピンを順次に基準ピンとし、それぞれに対
する他のすべてのグループの代表ピンを一括した一括ピ
ンとの間の絶縁試験を、上記メモリに記憶された代表ピ
ンのアドレス順序に従って逐次行い、該絶縁試験により
検出された不良ピンに対して、上記メモリに記憶された
グループ接続情報により不良格子点の位置を出力するこ
とを特徴とする、プリント基板配線パターンの絶縁不良
位置検出方式。
(1). The above-mentioned wiring is performed by contacting a prober having a plurality of probe pins corresponding to all of the grid points to a large number of printed wiring patterns formed according to grid points set at regular intervals on the entire surface of the board. In pattern insulation inspection, one of the probe pins that form a group corresponding to each wiring pattern is designated as a representative pin, and the position of each representative pin and the connection information of the probe pins included in each group (hereinafter simply referred to as group) The connection information (connection information) is stored in memory in advance, and the representative pins of each group are sequentially set as reference pins under the control of a microprocessor, and insulation tests are performed between each group and the representative pins of all other groups. are performed sequentially according to the address order of the representative pins stored in the memory, and for the defective pins detected by the insulation test, the position of the defective lattice point is output based on the group connection information stored in the memory. Features a method for detecting the location of insulation defects in printed circuit board wiring patterns.
(2).上記、逐次行われた絶縁試験により検出された
全不良ピンを対象とし、上記メモリに記憶された該不良
ピンが属するグループの接続情報を順次にマスクし、次
位の不良ピンを新たな基準ピンとして、該マスクされた
グループを除外した他のすべての不良ピンを一括した一
括ピンとの間のマスク絶縁試験を上記メモリに記憶され
た代表ピンのアドレス順序に従って逐次行い、不良ピン
または不良グループ間の関係データを出力することを特
徴とする請求項1記載のプリント基板配線パターンの絶
縁不良位置検出方式。
(2). Targeting all the defective pins detected by the insulation tests performed sequentially above, the connection information of the group to which the defective pins stored in the memory belong is sequentially masked, and the next defective pin is set as a new reference pin. As a result, a mask insulation test between all other defective pins excluding the masked group is performed sequentially according to the address order of the representative pins stored in the memory, and test is performed between the defective pins or defective groups. 2. The method for detecting the position of an insulation defect in a printed circuit board wiring pattern according to claim 1, wherein related data is output.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001133491A (en) * 1999-08-23 2001-05-18 Onishi Denshi Kk Probing device for measuring impedance of printed-circuit board
JP2013104798A (en) * 2011-11-15 2013-05-30 Sharp Corp Inspection equipment, inspection method, inspection program, and program recording medium
JP2013104799A (en) * 2011-11-15 2013-05-30 Sharp Corp Inspection equipment, inspection method, inspection program, and program recording medium

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