JPH01311284A - ブリッジ回路の零点調整回路 - Google Patents
ブリッジ回路の零点調整回路Info
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- JPH01311284A JPH01311284A JP14206388A JP14206388A JPH01311284A JP H01311284 A JPH01311284 A JP H01311284A JP 14206388 A JP14206388 A JP 14206388A JP 14206388 A JP14206388 A JP 14206388A JP H01311284 A JPH01311284 A JP H01311284A
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明はブリッジ回路の零点調整回路に関し、特に歪ゲ
ージで構成されるブリッジ回路を有する半導体圧力セン
サに好適に適用でき、零点調整を容易に為し得、かつ零
点移動温度補償を可能にしたものである。
ージで構成されるブリッジ回路を有する半導体圧力セン
サに好適に適用でき、零点調整を容易に為し得、かつ零
点移動温度補償を可能にしたものである。
本発明は計測装置、工作機器、制御tm器、医用装置そ
の他の電気、電子機器に通用でき、殊に半導体圧力セン
サに好適なブリッジ回路の零点調整回路に関する。
の他の電気、電子機器に通用でき、殊に半導体圧力セン
サに好適なブリッジ回路の零点調整回路に関する。
拡散型半導体歪みゲージ等の抵抗素子によるプリフジ回
路を有する圧力センサが種々実用化され使用されている
。この種のブリッジ回路では、ブリッジ回路の出力の零
点調整と零点移動温度補償を行って温度変化等に対して
安定かつ確実に作動させる必要がある。
路を有する圧力センサが種々実用化され使用されている
。この種のブリッジ回路では、ブリッジ回路の出力の零
点調整と零点移動温度補償を行って温度変化等に対して
安定かつ確実に作動させる必要がある。
第4図には、そのような調整及び補償を為し得るよう構
成された圧力センサとして使用される従来のブリッジ回
路が示されている。前記零点調整と前記零点移動温度補
償のための操作は、同図を参照して、まず、直列抵抗5
4と直列抵抗56を短絡しておき、並列抵抗58と並列
抵抗60を接続しない状態で零点及び零点温度特性を求
める。
成された圧力センサとして使用される従来のブリッジ回
路が示されている。前記零点調整と前記零点移動温度補
償のための操作は、同図を参照して、まず、直列抵抗5
4と直列抵抗56を短絡しておき、並列抵抗58と並列
抵抗60を接続しない状態で零点及び零点温度特性を求
める。
次に、実際に前記ブリッジの出力が零となり得、かつ零
点移動温度特性を補償し得るような前記直列抵抗と前記
並列抵抗の値を計算により算出する。
点移動温度特性を補償し得るような前記直列抵抗と前記
並列抵抗の値を計算により算出する。
そして、その算出結果に適合するよう前記直列抵抗及び
前記並列抵抗の値を例えばトリミングによって定める。
前記並列抵抗の値を例えばトリミングによって定める。
次に、実測して、そのような予定した結果が得られたか
どうかを確認し、もし予定どおりの結果が得られなかっ
た場合には、再度前記直列抵抗及び若しくは前記並列抵
抗の微調を行う。
どうかを確認し、もし予定どおりの結果が得られなかっ
た場合には、再度前記直列抵抗及び若しくは前記並列抵
抗の微調を行う。
通常、そのような操作は試行錯誤的に何度か繰り返され
て実用し得るものが得られる。
て実用し得るものが得られる。
しかしながら、前記従来のブリフジ回路では、前述のよ
うに種々の操作が必要であり、かつ通常、調整操作等を
繰り返し行わないと満足な結果が得られず、実用し得る
ものを得るまでに多大な時間と労力を要し能率的でない
という問題点があった。
うに種々の操作が必要であり、かつ通常、調整操作等を
繰り返し行わないと満足な結果が得られず、実用し得る
ものを得るまでに多大な時間と労力を要し能率的でない
という問題点があった。
本発明は、そのような前記問題点を解消し、能率よく零
点調整ができ、併せて零点移動温度補償を行い得るブリ
ッジ回路の零点調整回路を提供することを目的とする。
点調整ができ、併せて零点移動温度補償を行い得るブリ
ッジ回路の零点調整回路を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明は抵抗素子で構成し
たブリッジ回路を有し、該ブリッジ回路の電源側対向端
子間に少なくとも2つの前記抵抗素子の抵抗温度係数と
ほぼ同一の抵抗温度係数を有する零点調整用抵抗を直列
に配設し、これら零点調整用抵抗の接続部位と前記ブリ
ッジ回路の出力側対向端子の片側間に少なくとも2つの
抵抗を設け、これら抵抗の接続部位は少なくとも差動出
力端子の片側を担うよう構成したことを特徴とする。
たブリッジ回路を有し、該ブリッジ回路の電源側対向端
子間に少なくとも2つの前記抵抗素子の抵抗温度係数と
ほぼ同一の抵抗温度係数を有する零点調整用抵抗を直列
に配設し、これら零点調整用抵抗の接続部位と前記ブリ
ッジ回路の出力側対向端子の片側間に少なくとも2つの
抵抗を設け、これら抵抗の接続部位は少なくとも差動出
力端子の片側を担うよう構成したことを特徴とする。
本発明では、前記2つの零点調整用抵抗の接続部位と前
記ブリッジ回路の出力側対向端子の片側間に設けた2つ
の抵抗の抵抗値の比を適当に選定することにより、前記
接続部位における大きな電圧変化をブリッジ出力端子で
は微小な電圧変化に対応させることができ、そのため、
前記調整用抵抗の可変幅を十分大きく採っても細かな零
点調整を行うことができる。また、前記ブリッジ回路本
体を構成する抵抗素子の温度係数とほぼ同一の抵抗温度
係数を有する零点調整用抵抗を設けたので温度変化で変
動した抵抗骨による電圧変化は前記ブリッジ回路の辺側
と前記零点調整用抵抗側で同率に変化するため、ブリッ
ジの平衡は崩れにくく、零点を保持するよう作用する。
記ブリッジ回路の出力側対向端子の片側間に設けた2つ
の抵抗の抵抗値の比を適当に選定することにより、前記
接続部位における大きな電圧変化をブリッジ出力端子で
は微小な電圧変化に対応させることができ、そのため、
前記調整用抵抗の可変幅を十分大きく採っても細かな零
点調整を行うことができる。また、前記ブリッジ回路本
体を構成する抵抗素子の温度係数とほぼ同一の抵抗温度
係数を有する零点調整用抵抗を設けたので温度変化で変
動した抵抗骨による電圧変化は前記ブリッジ回路の辺側
と前記零点調整用抵抗側で同率に変化するため、ブリッ
ジの平衡は崩れにくく、零点を保持するよう作用する。
従って、前記零点調整用抵抗は零点移動温度補償の役割
も担う。
も担う。
以下、図面を参照しながら実施例と共に説明する。
第1図は本発明を適用した半導体圧力センサの回路構成
図である。同図において、ブリッジ回路本体は例えば拡
散型半導体歪みゲージで形成した抵抗素子RA、R,,
RB、RDを4辺とする閉回路で構成し、その相対向す
る端子間に電流源Iを接続し、これと並列に抵抗R+と
抵抗R2を直列に接続して構成した零点調整用抵抗を接
続しである。他の相対向する端子のうちの一方の端子B
と前記抵抗R1と前記抵抗R2との接続部位り間は抵抗
R3と抵抗R4を、直列に接続した抵抗で繋げである。
図である。同図において、ブリッジ回路本体は例えば拡
散型半導体歪みゲージで形成した抵抗素子RA、R,,
RB、RDを4辺とする閉回路で構成し、その相対向す
る端子間に電流源Iを接続し、これと並列に抵抗R+と
抵抗R2を直列に接続して構成した零点調整用抵抗を接
続しである。他の相対向する端子のうちの一方の端子B
と前記抵抗R1と前記抵抗R2との接続部位り間は抵抗
R3と抵抗R4を、直列に接続した抵抗で繋げである。
そして、他方の端子へと前記抵抗R3と前記抵抗R4の
接続部位Cの間から出力電圧■―を得るよう購成しであ
る。
接続部位Cの間から出力電圧■―を得るよう購成しであ
る。
前記構成は電流源Iを除き単一のシリコン基1反上に集
、偵して形成してあり、また前記抵抗RI及び前記抵抗
R2はその抵抗温度係数が前記歪みゲージとして構成し
た抵抗素子RA、R,,Rc。
、偵して形成してあり、また前記抵抗RI及び前記抵抗
R2はその抵抗温度係数が前記歪みゲージとして構成し
た抵抗素子RA、R,,Rc。
RDの抵抗温度係数と同じになるようこれら抵抗素子R
A、RB、RB、RDと同一の作成方法で形成する。ま
た、前記抵抗R3,Raも前記抵抗素子RA、R11+
Rc、RDと同一の作成方法で作り同じ抵抗温度係
数になるようにする。但し、同抵抗R3,R4が抵抗素
子RA、RB、Rc。
A、RB、RB、RDと同一の作成方法で形成する。ま
た、前記抵抗R3,Raも前記抵抗素子RA、R11+
Rc、RDと同一の作成方法で作り同じ抵抗温度係
数になるようにする。但し、同抵抗R3,R4が抵抗素
子RA、RB、Rc。
RD及び零点調整用抵抗R1,R2に対して十分に大き
ければ、これらと同一の抵抗温度係数にする必要はなく
抵抗R3,R4の抵抗温度係数がそろっていれば良い。
ければ、これらと同一の抵抗温度係数にする必要はなく
抵抗R3,R4の抵抗温度係数がそろっていれば良い。
前記零点調整用抵抗R1,R2はフユーズトリミング、
ツエナザソプトリミング、レーザトリミング等の方法で
調整できろうよう形成している。
ツエナザソプトリミング、レーザトリミング等の方法で
調整できろうよう形成している。
なお、実施例は圧力センサとして構成したが本発明は磁
気抵抗素子、光抵抗素子等を用いるセンサ若しくは測定
用のブリッジ等にも適用できる。
気抵抗素子、光抵抗素子等を用いるセンサ若しくは測定
用のブリッジ等にも適用できる。
以下、前記実施例の構成による動作について説明する。
調整前、前記端子Aの電位■、が前記接続部位Cの電位
Vcよりも大きい状態になっているものとして考察する
。
Vcよりも大きい状態になっているものとして考察する
。
前記電位■。と前記電位Vcを等しくしてその差動出力
を零にするため前記接続部位りの電位Voを前記抵抗R
1をトリミングして上げてゆく。
を零にするため前記接続部位りの電位Voを前記抵抗R
1をトリミングして上げてゆく。
やがて電位Voと電位■、が等しくなるとその差動出力
は零となり零点調整を終了する。而して、この間の前記
電位Vc及び前記電位Voの変化の様子を知るために、
前記抵抗素子RDを流れる電流を11、前記抵抗R3,
R4を流れる電流を12で表し、前記抵抗R1を調整す
ることによって変化する電位、電流の変化分を、その電
位、電流を表す記号の前にΔを付して表すと、ΔVc=
Δ1+RD+Δ12R3及びΔVo=ΔI+R。
は零となり零点調整を終了する。而して、この間の前記
電位Vc及び前記電位Voの変化の様子を知るために、
前記抵抗素子RDを流れる電流を11、前記抵抗R3,
R4を流れる電流を12で表し、前記抵抗R1を調整す
ることによって変化する電位、電流の変化分を、その電
位、電流を表す記号の前にΔを付して表すと、ΔVc=
Δ1+RD+Δ12R3及びΔVo=ΔI+R。
+Δ12 (R3+R4)となる。ここで、I2(<
11の場合、前式のΔI+RDは零と見なすことができ
る。従って、ΔVo−ΔVc (R3+R4)/R3
となり、前記抵抗R3,R4により前記接続部位Cでの
調整電圧(初期オフセット量)を前記接続部位りにおい
ては(R3+Ra) /R3倍に増大させることができ
る。
11の場合、前式のΔI+RDは零と見なすことができ
る。従って、ΔVo−ΔVc (R3+R4)/R3
となり、前記抵抗R3,R4により前記接続部位Cでの
調整電圧(初期オフセット量)を前記接続部位りにおい
ては(R3+Ra) /R3倍に増大させることができ
る。
このような作用により、ブリッジ回路の初期オフセット
電圧を拡大して調整できるようになり、歪みゲージ抵抗
すなわち前記抵抗素子と同一の作成方法で作られた調整
用抵抗のトリミングが容易になる。換言すれば、前記接
続部位りにおける大きな電圧変化を前記接続部位Cでは
微小な電圧変化に対応させることができるからトリミン
グ間隔が粗であっても細かな零点調整ができ、前記零点
調整用抵抗も作り易くなる。
電圧を拡大して調整できるようになり、歪みゲージ抵抗
すなわち前記抵抗素子と同一の作成方法で作られた調整
用抵抗のトリミングが容易になる。換言すれば、前記接
続部位りにおける大きな電圧変化を前記接続部位Cでは
微小な電圧変化に対応させることができるからトリミン
グ間隔が粗であっても細かな零点調整ができ、前記零点
調整用抵抗も作り易くなる。
前記端子Aの電位■8が前記接続部位Cの電位Vcより
も小さい状態になっている場合には、前記抵抗R2をト
リミングすることで前記と同様の作用で零点調整をする
ことができる。
も小さい状態になっている場合には、前記抵抗R2をト
リミングすることで前記と同様の作用で零点調整をする
ことができる。
前記零点調整用の前記抵抗R1,R2及び前記抵抗R:
+、Raは前記抵抗素子RA、R8,Re。
+、Raは前記抵抗素子RA、R8,Re。
RDと同じ抵抗温度係数にするため同一の作成方法で作
っであるので、Ra = RAo (1+ αT)
。
っであるので、Ra = RAo (1+ αT)
。
Ra=Rso (1+αT)、Rc=Rco (1
+αT)、RD=RDo (1+αT)、R+=R+
。
+αT)、RD=RDo (1+αT)、R+=R+
。
(1±αT)、R2=R2o (L+αT)、R:1
=R3o (1+αT)、R4=R4o (1+α
T)の関係がある。但し、添字Oが付されている抵抗は
ある温度例えば零点調整時の温度to″Cにおけるその
抵抗の抵抗値、αは温度to’cにおける抵抗温度係数
、Tは前記温度to’cと他の温度t1°Cとの温度差
である。
=R3o (1+αT)、R4=R4o (1+α
T)の関係がある。但し、添字Oが付されている抵抗は
ある温度例えば零点調整時の温度to″Cにおけるその
抵抗の抵抗値、αは温度to’cにおける抵抗温度係数
、Tは前記温度to’cと他の温度t1°Cとの温度差
である。
以上のような関係にある前記ブリッジ回路を定電流駆動
すると、V、=Vえo (1+αT)。
すると、V、=Vえo (1+αT)。
Vc=Vco (1+αT)であり、これより零点出
力VouyはVOIJT=VA−Vc= (VAo−V
c o)(1+αT)となり、V、=Veに調整するこ
とにより零点調整完了後の温度変動による零点のずれを
十分に小さくすることができる。前記数式においてvA
oは前記温度to”cにおける前記端子への電位である
。また、前記抵抗R3,R4は前記抵抗素子RA、R,
,RB、RD及び前記零点調整用抵抗R1,R2に対し
て十分に大きければ、これらと同一の抵抗温度係数にす
る必要はなく、抵抗R3と抵抗R4の抵抗温度係数が揃
っていればよい。
力VouyはVOIJT=VA−Vc= (VAo−V
c o)(1+αT)となり、V、=Veに調整するこ
とにより零点調整完了後の温度変動による零点のずれを
十分に小さくすることができる。前記数式においてvA
oは前記温度to”cにおける前記端子への電位である
。また、前記抵抗R3,R4は前記抵抗素子RA、R,
,RB、RD及び前記零点調整用抵抗R1,R2に対し
て十分に大きければ、これらと同一の抵抗温度係数にす
る必要はなく、抵抗R3と抵抗R4の抵抗温度係数が揃
っていればよい。
第2図及び第3図は本発明を通用した半導体圧力センサ
の他の実施例を示し、第2図のものは、前記第1図のも
のの端子A側にも前記端子B側に設けた調整回路と同様
の調整回路を設けたものである。第2図において、抵抗
R7は前記抵抗R3に、抵抗R8は前記抵抗R4に、抵
抗R5は前記抵抗R1に、抵抗R6は前記抵抗R2にそ
れぞれ対応するものである。この実施例においてR7/
(R7+R8)をR3/(R3+R4)より大きくなる
ようにしておくと、前記端子A側で粗調整、前記端子B
側で微調整がおこなえるようになり、これにより実質的
な零点が得られる調整範囲が拡がり、より一層きめ綱か
な調整をすることができるようになる。
の他の実施例を示し、第2図のものは、前記第1図のも
のの端子A側にも前記端子B側に設けた調整回路と同様
の調整回路を設けたものである。第2図において、抵抗
R7は前記抵抗R3に、抵抗R8は前記抵抗R4に、抵
抗R5は前記抵抗R1に、抵抗R6は前記抵抗R2にそ
れぞれ対応するものである。この実施例においてR7/
(R7+R8)をR3/(R3+R4)より大きくなる
ようにしておくと、前記端子A側で粗調整、前記端子B
側で微調整がおこなえるようになり、これにより実質的
な零点が得られる調整範囲が拡がり、より一層きめ綱か
な調整をすることができるようになる。
第3図のものは、前記端子Bと前記抵抗R3の間にオペ
レーショナルアンプによるボルテージフォロアを設ける
と共に前記接続部位りと前記抵抗R4の間にも同様のボ
ルテージフォロアを設けたものである。この実施例によ
れば、前記抵抗R3゜R4に流す電流を前記電流源Iか
ら直接供給するのではな(、前記ボルテージフォロアか
ら間接的に供給し得るからすなわち前記抵抗R3,R4
に生じさせる電圧降下に与かる電源と前記電流源Iとを
分離させることができるので、前記ΔVo−ΔVC(R
3+R4)/R3の関係をほとんど誤差なくほぼ完全に
満足させ得ることができるようになる。そのため確実な
零点調整が可能となる。
レーショナルアンプによるボルテージフォロアを設ける
と共に前記接続部位りと前記抵抗R4の間にも同様のボ
ルテージフォロアを設けたものである。この実施例によ
れば、前記抵抗R3゜R4に流す電流を前記電流源Iか
ら直接供給するのではな(、前記ボルテージフォロアか
ら間接的に供給し得るからすなわち前記抵抗R3,R4
に生じさせる電圧降下に与かる電源と前記電流源Iとを
分離させることができるので、前記ΔVo−ΔVC(R
3+R4)/R3の関係をほとんど誤差なくほぼ完全に
満足させ得ることができるようになる。そのため確実な
零点調整が可能となる。
また、本例において前記抵抗R3,Raは前記抵抗素子
RA、R,,Rc、RDと抵抗温度係数が同一である必
要はなく、抵抗R3+ Raの抵抗温度係数がそろっ
ていれば良い。
RA、R,,Rc、RDと抵抗温度係数が同一である必
要はなく、抵抗R3+ Raの抵抗温度係数がそろっ
ていれば良い。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、前記接続
部位りにおける大きな電圧変化を前記接続部位Cでは微
小な電圧変化に対応させることができるよう構成したか
ら実質的な零点が得られる調整範囲を拡げることができ
能率よく零点調整ができ、かつ歪ゲージに用いる抵抗素
子と零点調整用の抵抗を同じ抵抗温度係数を有するよう
構成したから容易に零点移動温度補償を行うことができ
る。
部位りにおける大きな電圧変化を前記接続部位Cでは微
小な電圧変化に対応させることができるよう構成したか
ら実質的な零点が得られる調整範囲を拡げることができ
能率よく零点調整ができ、かつ歪ゲージに用いる抵抗素
子と零点調整用の抵抗を同じ抵抗温度係数を有するよう
構成したから容易に零点移動温度補償を行うことができ
る。
第1図は本発明を通用した半導体圧力センサの回路構成
図、 第2図及び第3図は他の実施例を示す回路構成図、 第4図は従来例を示す回路構成図である。 RA、R,、RB、RD ・・・抵抗素子、R1,R2
・・・零点調整用抵抗、 R3,Ra・・・抵抗。 本発明1遍円した半導体圧力センサのロヱ許i代m第1
図 他の実施例を示す回勢機城図 第2図 他の実施例な示す回路填戚1 第3図 欠床例を示す口跡構成Z 第4図 手続補正書 ■、事件の表示 昭和63年 特許願 第142063号2、発明の
名称 ブリッジ回路の零点調整回路 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 愛知県刈谷市豊田町2丁目1番地名 称 (
321)株式会社豊田自動m機製作所代表者 豊田芳年 4、代 理 人 郵便番号102 住 所 東京都千代田区麹町6丁目1番18号自
発 7、補正の内容 1)明細書の第3頁第11行目に「前記並列抵抗の微調
を行う。」とあるを「前記並列抵抗の微調整を行う。」
と補正する。 2)明細書の第6頁第12行目及び第14行目に「同一
の作成方法で」とあるを「同一の製造工程により」と補
正する。 3)明細書の第7頁第14行目に「前記抵抗R9をトリ
ミングして」とあるを「前記抵抗R1が小さくなるよう
に或いは前記抵抗R2が大きくなるようにトリミングし
て」と補正する。 4)明細書の第7頁第15行目に「電位VoJとあるを
「電位vcJと補正する。 5)明細書の第8頁第4行目に「ここで、12<”<j
とあるを[ここで、I 2 >> Jと補正する。 6)明細書の第9頁第2行目に「抵抗R2をトリミング
するJとあるを[抵抗R2が小さくなるようにトリミン
グする」と補正する。
図、 第2図及び第3図は他の実施例を示す回路構成図、 第4図は従来例を示す回路構成図である。 RA、R,、RB、RD ・・・抵抗素子、R1,R2
・・・零点調整用抵抗、 R3,Ra・・・抵抗。 本発明1遍円した半導体圧力センサのロヱ許i代m第1
図 他の実施例を示す回勢機城図 第2図 他の実施例な示す回路填戚1 第3図 欠床例を示す口跡構成Z 第4図 手続補正書 ■、事件の表示 昭和63年 特許願 第142063号2、発明の
名称 ブリッジ回路の零点調整回路 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 愛知県刈谷市豊田町2丁目1番地名 称 (
321)株式会社豊田自動m機製作所代表者 豊田芳年 4、代 理 人 郵便番号102 住 所 東京都千代田区麹町6丁目1番18号自
発 7、補正の内容 1)明細書の第3頁第11行目に「前記並列抵抗の微調
を行う。」とあるを「前記並列抵抗の微調整を行う。」
と補正する。 2)明細書の第6頁第12行目及び第14行目に「同一
の作成方法で」とあるを「同一の製造工程により」と補
正する。 3)明細書の第7頁第14行目に「前記抵抗R9をトリ
ミングして」とあるを「前記抵抗R1が小さくなるよう
に或いは前記抵抗R2が大きくなるようにトリミングし
て」と補正する。 4)明細書の第7頁第15行目に「電位VoJとあるを
「電位vcJと補正する。 5)明細書の第8頁第4行目に「ここで、12<”<j
とあるを[ここで、I 2 >> Jと補正する。 6)明細書の第9頁第2行目に「抵抗R2をトリミング
するJとあるを[抵抗R2が小さくなるようにトリミン
グする」と補正する。
Claims (1)
- 抵抗素子(R_A、R_B、R_C、R_D)で構成し
たブリッジ回路を有し、該ブリッジ回路の電源側対向端
子間に少なくとも2つの前記抵抗素子(R_A、R_B
、R_C、R_D)の抵抗温度係数とほぼ同一の抵抗温
度係数を有する零点調整用抵抗(R_1、R_2)を直
列に配設し、これら零点調整用抵抗(R_1、R_2)
の接続部位と前記ブリッジ回路の出力側対向端子の片側
間に少なくとも2つの抵抗(R_3、R_4)を設け、
これら抵抗(R_3、R_4)の接続部位は少なくとも
差動出力端子の片側を担うよう構成したことを特徴とす
るブリッジ回路の零点調整回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP14206388A JP2674095B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | ブリッジ回路の零点調整回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP14206388A JP2674095B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | ブリッジ回路の零点調整回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01311284A true JPH01311284A (ja) | 1989-12-15 |
JP2674095B2 JP2674095B2 (ja) | 1997-11-05 |
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ID=15306568
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP14206388A Expired - Fee Related JP2674095B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | ブリッジ回路の零点調整回路 |
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JP (1) | JP2674095B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3220156A1 (en) | 2016-03-15 | 2017-09-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Sensor device |
US11099662B2 (en) | 2019-05-24 | 2021-08-24 | Seiko Epson Corporation | Pointing element, display system, and method of controlling pointing element |
CN114326520A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-12 | 杭州长川科技股份有限公司 | 外部补偿方法、系统及计算机可读存储介质 |
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1988
- 1988-06-09 JP JP14206388A patent/JP2674095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP3220156A1 (en) | 2016-03-15 | 2017-09-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Sensor device |
US11099662B2 (en) | 2019-05-24 | 2021-08-24 | Seiko Epson Corporation | Pointing element, display system, and method of controlling pointing element |
CN114326520A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-12 | 杭州长川科技股份有限公司 | 外部补偿方法、系统及计算机可读存储介质 |
CN114326520B (zh) * | 2021-12-31 | 2024-05-10 | 杭州长川科技股份有限公司 | 外部补偿方法、系统及计算机可读存储介质 |
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