JPH01309954A - 非多孔質の選択膜層の製造方法 - Google Patents
非多孔質の選択膜層の製造方法Info
- Publication number
- JPH01309954A JPH01309954A JP1066456A JP6645689A JPH01309954A JP H01309954 A JPH01309954 A JP H01309954A JP 1066456 A JP1066456 A JP 1066456A JP 6645689 A JP6645689 A JP 6645689A JP H01309954 A JPH01309954 A JP H01309954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- layer
- substrate
- red
- hot zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 18
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 42
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 244000125300 Argania sideroxylon Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910001872 inorganic gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
- B32B38/0008—Electrical discharge treatment, e.g. corona, plasma treatment; wave energy or particle radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
- B01D67/0081—After-treatment of organic or inorganic membranes
- B01D67/009—After-treatment of organic or inorganic membranes with wave-energy, particle-radiation or plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D69/10—Supported membranes; Membrane supports
- B01D69/107—Organic support material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D69/12—Composite membranes; Ultra-thin membranes
- B01D69/125—In situ manufacturing by polymerisation, polycondensation, cross-linking or chemical reaction
- B01D69/127—In situ manufacturing by polymerisation, polycondensation, cross-linking or chemical reaction using electrical discharge or plasma-polymerisation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/06—Organic material
- B01D71/70—Polymers having silicon in the main chain, with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only
- B01D71/701—Polydimethylsiloxane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/16—Layered products comprising a layer of synthetic resin specially treated, e.g. irradiated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2309/00—Parameters for the laminating or treatment process; Apparatus details
- B32B2309/60—In a particular environment
- B32B2309/62—Inert
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
- B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
- B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
- B32B2310/14—Corona, ionisation, electrical discharge, plasma treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非多孔質の選択膜層の製造方法に関するもの
である。
である。
膜層を製造するだめの種々の方法、たとえば相逆転、溶
剤展延、浸漬、噴霧およびプラズマ処理などの方法が知
られている。これらの従来法は、成る種の流体について
は高度に透過性となシうる膜層を製造するには有用であ
るが、多くの場合には選択性（すなわち混合物における
少なくとも二種の流体の透過性の比）を犠牲にすること
が判明した。
剤展延、浸漬、噴霧およびプラズマ処理などの方法が知
られている。これらの従来法は、成る種の流体について
は高度に透過性となシうる膜層を製造するには有用であ
るが、多くの場合には選択性（すなわち混合物における
少なくとも二種の流体の透過性の比）を犠牲にすること
が判明した。
他の方法、すなわち基体を不活性ガス（重合性炭化水素
質化合物と組合せることができる）でプラズマ処理する
方法は、複合多層膜における非多孔質（すなわち緻密）
の選択上層を製造するのに適していることが知られてい
る。しかしながら、このように作成された膜で得られる
選択性は、成る場合たとえばガス分離法における工業用
途には充分高くない。
質化合物と組合せることができる）でプラズマ処理する
方法は、複合多層膜における非多孔質（すなわち緻密）
の選択上層を製造するのに適していることが知られてい
る。しかしながら、このように作成された膜で得られる
選択性は、成る場合たとえばガス分離法における工業用
途には充分高くない。
驚くことに今回、基体をプラズマの赤熱帯域と接触させ
ることにより極めて選択性の高い膜層を製造することが
でき、さらにこの層は非多孔質であることが突き止めら
れた。
ることにより極めて選択性の高い膜層を製造することが
でき、さらにこの層は非多孔質であることが突き止めら
れた。
したがって本発明は、透過性の連続基体をプラズマの赤
熱帯域と接触させることを特徴とする非多孔質の選択膜
層の製造方法を提供する。
熱帯域と接触させることを特徴とする非多孔質の選択膜
層の製造方法を提供する。
好適にはプラズマは密閉空間内で発生され、実質的にθ
／バール未満の圧力をたとえば減圧ポンプによりエネル
ギー（たとえば熱もしくは電磁エネルギー）を密閉空間
内に含まれるガスに移動させて維持し、これによシたと
えば電子、イオン、ラジカル、分子断片および原子のよ
うな反応性プラズマ粒子を励起状態で生ぜしめる。
／バール未満の圧力をたとえば減圧ポンプによりエネル
ギー（たとえば熱もしくは電磁エネルギー）を密閉空間
内に含まれるガスに移動させて維持し、これによシたと
えば電子、イオン、ラジカル、分子断片および原子のよ
うな反応性プラズマ粒子を励起状態で生ぜしめる。
本発明の方法には、たとえば直流アーク、イオンビーム
、高周波（ｒ、ｆ、 ）およびマイクロ波などのプラズ
マ発生手段のような多くの異なるプラズマ発生手段を用
いることができる。イオンビーム発生法は、この方法に
よる反応性プラズマ粒子の生成効率が低いためｒａｆｔ
ｓマイクロ波およびマイクロ波−電子サイクロトロン
共鳴プラズマ発生に比べ本発明の目的に適していないと
思われる。有利には、プラズマは電極のないプラズマ発
生帯域にて発生され（電極材料による炭化水素質膜形成
性化合物の汚染を防止するため）、これは容量型もしく
は誘導型カップリング、（よシ好ましくは容グを用いて
得られるよシも高い膜選択性を与えると思われる。
、高周波（ｒ、ｆ、 ）およびマイクロ波などのプラズ
マ発生手段のような多くの異なるプラズマ発生手段を用
いることができる。イオンビーム発生法は、この方法に
よる反応性プラズマ粒子の生成効率が低いためｒａｆｔ
ｓマイクロ波およびマイクロ波−電子サイクロトロン
共鳴プラズマ発生に比べ本発明の目的に適していないと
思われる。有利には、プラズマは電極のないプラズマ発
生帯域にて発生され（電極材料による炭化水素質膜形成
性化合物の汚染を防止するため）、これは容量型もしく
は誘導型カップリング、（よシ好ましくは容グを用いて
得られるよシも高い膜選択性を与えると思われる。
本発明の方法において、有利にはプラズマは高周波数の
電磁波によシ、特にθ／ ＭＨｌ （１０ＨＥ） 〜３
！ｒ ＧＨｚ （Ｊ、！； Ｘ／（７１０Ｈｚ ）の
周波数にて発生される。
電磁波によシ、特にθ／ ＭＨｌ （１０ＨＥ） 〜３
！ｒ ＧＨｚ （Ｊ、！； Ｘ／（７１０Ｈｚ ）の
周波数にて発生される。
マイク口数プラズマ（周波数範囲ａ１〜３ ！； ＧＨ
ｚ、特に１〜／（７ＧＨｚ）はｒ、ｆ、ゾラズ−ｒ （
０，／ 〜１００ＭＩ（ｚ、％に１〜／ ＯＭＨｚの周
波数範囲）と類但しているが、同一ではない。マイクロ
波プラズマの使用は、成る場合にはｒ、ｆ、プラズマの
使用よりも顕著に高い基体上へのプラズマ重合体の付着
速度をもたらす。
ｚ、特に１〜／（７ＧＨｚ）はｒ、ｆ、ゾラズ−ｒ （
０，／ 〜１００ＭＩ（ｚ、％に１〜／ ＯＭＨｚの周
波数範囲）と類但しているが、同一ではない。マイクロ
波プラズマの使用は、成る場合にはｒ、ｆ、プラズマの
使用よりも顕著に高い基体上へのプラズマ重合体の付着
速度をもたらす。
有利には、本発明による方法は非重合性のプラズマ形成
性流体（たとえば窒素、水素、酸素、アンモニアおよび
／または二酸化炭素のような無機ガス、特に不活性ガス
）の存在下で行なわれる。
性流体（たとえば窒素、水素、酸素、アンモニアおよび
／または二酸化炭素のような無機ガス、特に不活性ガス
）の存在下で行なわれる。
特に、前記流体は元素周期律表の第０族からの少なくと
も７種の元素（特にアルがン）を含有する。
も７種の元素（特にアルがン）を含有する。
アルゴンと水素および／ｌたはヘリウムとの混合物もプ
ラズマ形成性の流体として好適に使用することができる
。
ラズマ形成性の流体として好適に使用することができる
。
ここで、「ハンドブック・オブ・ケミストリー・アンド
・フィジークス」、第５５版（／９７り、ＣＲＣプレス
社、米国オハイオ州に示された元素周期律表を参照する
ことができる。
・フィジークス」、第５５版（／９７り、ＣＲＣプレス
社、米国オハイオ州に示された元素周期律表を参照する
ことができる。
プラズマは電磁エネルギー源の近傍にて赤熱（ｇｌｏｗ
）として見える。赤熱は、比較的高くかつエネルギー源
に近くさらにプラズマ発生帯域から距離が増大するにつ
れて減少するプラズマの電子密度の定性的尺度である。
）として見える。赤熱は、比較的高くかつエネルギー源
に近くさらにプラズマ発生帯域から距離が増大するにつ
れて減少するプラズマの電子密度の定性的尺度である。
可使的赤熱の存在する領域が赤熱帯域である。アルゴン
含有プラズマの場合、励起したアルゴン原子からの光放
出は青色グローとして生ずる。
含有プラズマの場合、励起したアルゴン原子からの光放
出は青色グローとして生ずる。
炭化水素質モノマーをプラズマ発生帯域中に導入して、
プラズマ重合条件下で反応体粒子から極めて薄い炭化水
素質膜層を赤熱帯域にて基体上に形成させることができ
る。炭化水素質分子の解離（すなわち破壊する原子間結
合の量）は（１）赤熱帯域中に導入されるプラズマ形成
性流体と炭化水素化合物との流体流速比の変化（この比
は本発明の方法ではａ１〜１００．特に架橋構造を有す
る非多孔質の高選択性膜層を製造するにはθｊ〜１０と
するのが有利である）；（２）プラズマに供給されるエ
ネルギーの変化；（３）反応器圧力の変化；および（４
）反応器における粒子の滞留時間の変化によって影響を
受ける。
プラズマ重合条件下で反応体粒子から極めて薄い炭化水
素質膜層を赤熱帯域にて基体上に形成させることができ
る。炭化水素質分子の解離（すなわち破壊する原子間結
合の量）は（１）赤熱帯域中に導入されるプラズマ形成
性流体と炭化水素化合物との流体流速比の変化（この比
は本発明の方法ではａ１〜１００．特に架橋構造を有す
る非多孔質の高選択性膜層を製造するにはθｊ〜１０と
するのが有利である）；（２）プラズマに供給されるエ
ネルギーの変化；（３）反応器圧力の変化；および（４
）反応器における粒子の滞留時間の変化によって影響を
受ける。
非多孔質膜層を形成させるべき基体の表面上に望ましく
ない成分を付着させることなく、制御されたプラズマ表
面処理を可能にするには、本発明の方法はマイクロ波プ
ラズマおよびｒ、ｆ、 ７’ラズマの両者につきθ０
．１〜／θθＰＫ、％に０．１〜１００Ｐ＆の圧力を赤
熱帯域に維持して行なうのが有利である。マイクロ波プ
ラズマにおける電子密度は一般にｒ、ｆ、−プラズマに
おけるよりも約／オーダー高いのに対し、電子エネルギ
ーは一般に両種類のプラズマにおいて同程度（１〜１０
ｅＶ）である。前者のプラズマで見られる高い電子密度
は、恐らくマイクロ波プラズマのための電子エネルギー
分布曲線における若干顕著に高いエネルギーテールの結
果であろう。
ない成分を付着させることなく、制御されたプラズマ表
面処理を可能にするには、本発明の方法はマイクロ波プ
ラズマおよびｒ、ｆ、 ７’ラズマの両者につきθ０
．１〜／θθＰＫ、％に０．１〜１００Ｐ＆の圧力を赤
熱帯域に維持して行なうのが有利である。マイクロ波プ
ラズマにおける電子密度は一般にｒ、ｆ、−プラズマに
おけるよりも約／オーダー高いのに対し、電子エネルギ
ーは一般に両種類のプラズマにおいて同程度（１〜１０
ｅＶ）である。前者のプラズマで見られる高い電子密度
は、恐らくマイクロ波プラズマのための電子エネルギー
分布曲線における若干顕著に高いエネルギーテールの結
果であろう。
赤熱帯域における基体とプラズマとの接触時間は有利に
は／秒〜、２０分間、特に５秒〜ｌｊ分間である。成る
場合には、本発明によシ製造される膜層の透過性は接触
時間がぜい程、増大すると思われる。これは、得られる
膜の選択性が許容しえない低レベルまで低下しない限υ
有利である。
は／秒〜、２０分間、特に５秒〜ｌｊ分間である。成る
場合には、本発明によシ製造される膜層の透過性は接触
時間がぜい程、増大すると思われる。これは、得られる
膜の選択性が許容しえない低レベルまで低下しない限υ
有利である。
プラズマ赤熱帯域で使用すべき炭化水素質化合物の選択
は、この帯域で製造される膜層の所望の性質を得るのに
重要な因子となる。好適には炭化水素質化合物はたとえ
ば芳香族物質、有機シラン、オレフィン、酸化アルキレ
ン、（ハロゲン化）低級炭化水素および（アクリロ）ニ
トリルなどのイオン化しうる性質を有するモノマー有機
化合物である。これら炭化水素質化合物は、好ましくは
少なくとも７種の芳香族モノマー、特にトルエンである
。
は、この帯域で製造される膜層の所望の性質を得るのに
重要な因子となる。好適には炭化水素質化合物はたとえ
ば芳香族物質、有機シラン、オレフィン、酸化アルキレ
ン、（ハロゲン化）低級炭化水素および（アクリロ）ニ
トリルなどのイオン化しうる性質を有するモノマー有機
化合物である。これら炭化水素質化合物は、好ましくは
少なくとも７種の芳香族モノマー、特にトルエンである
。
さらに本発明は、上記の方法によシ製造される膜層を含
む膜に関する。
む膜に関する。
これら膜層は、多孔質および非多孔質（もしくは緻密）
の膜層におけるその微小構造型に関し区別することがで
きる。後者の膜層は、この層を有する膜を分子分離法（
たとえばガス分離および溶剤からの液体炭化水素の分離
）に適するようにする分子種類の選択的移動を可能にす
るずっと高い能力を有する。この種の緻密な膜の場合、
分子は膜層におけるその溶解度および／または分散度が
顕著に相違する場合に分離することができる。
の膜層におけるその微小構造型に関し区別することがで
きる。後者の膜層は、この層を有する膜を分子分離法（
たとえばガス分離および溶剤からの液体炭化水素の分離
）に適するようにする分子種類の選択的移動を可能にす
るずっと高い能力を有する。この種の緻密な膜の場合、
分子は膜層におけるその溶解度および／または分散度が
顕著に相違する場合に分離することができる。
しかしながら、緻密な膜層の使用に伴う問題は、工業用
途に関し許容しうる透過速度を得るのに必要とされる一
般に極めて薄い（たとえば１０〜１１０００ｎ ）厚さ
のため、傷付き易い点にある。
途に関し許容しうる透過速度を得るのに必要とされる一
般に極めて薄い（たとえば１０〜１１０００ｎ ）厚さ
のため、傷付き易い点にある。
このような極めて薄く緻密である選択膜層を、気体およ
び／または液体化合物に対する低い選択性と組合せて極
めて高い透過性を示す多孔質基体によシ支持して、緻密
な上層に比べ強化することも既に知られている。
び／または液体化合物に対する低い選択性と組合せて極
めて高い透過性を示す多孔質基体によシ支持して、緻密
な上層に比べ強化することも既に知られている。
さらに、非多孔質の高透過性中間層を多孔質基体と緻密
な選択性上層との間に介装することも知られている。
な選択性上層との間に介装することも知られている。
驚くことに今回、赤熱帯域における反応体を最初に非多
孔質透過性中間層によυプラズマ処理すべき面が被覆さ
れている微孔質支持層と接触させることにより、極めて
高い選択性を有するプラズマ処理された非多孔質膜を製
造しうることか判明した。
孔質透過性中間層によυプラズマ処理すべき面が被覆さ
れている微孔質支持層と接触させることにより、極めて
高い選択性を有するプラズマ処理された非多孔質膜を製
造しうることか判明した。
非多孔質の高透過性中間層は２つの目的、すなわちプラ
ズマ処理により形成される（ポリマー）層の支持および
多孔質基体に対する透過流体の分配の目的を果す。中間
層の安定性は、プラズマの作用下で形成された選択フィ
ルムと、充分大きい寸法の細孔を有して膜の使用に際し
細孔によりａせられる流体抵抗を比較的小さく保つよう
な基体とを組合せることによυ形成された極めて薄い上
層を用いることを可能にする。中間層の第２の機能（す
なわち緻密な選択性ポリマー薄膜を通過する流体の分配
）は、多孔質基体の存在にも拘らず前記薄層の全面積を
流体分離に効果的に使用することを可能にする。したが
って、中間層は薄膜の所定の組成にて、多孔質基体を有
する膜で得られるよυも高い透過速度を可能にする。
ズマ処理により形成される（ポリマー）層の支持および
多孔質基体に対する透過流体の分配の目的を果す。中間
層の安定性は、プラズマの作用下で形成された選択フィ
ルムと、充分大きい寸法の細孔を有して膜の使用に際し
細孔によりａせられる流体抵抗を比較的小さく保つよう
な基体とを組合せることによυ形成された極めて薄い上
層を用いることを可能にする。中間層の第２の機能（す
なわち緻密な選択性ポリマー薄膜を通過する流体の分配
）は、多孔質基体の存在にも拘らず前記薄層の全面積を
流体分離に効果的に使用することを可能にする。したが
って、中間層は薄膜の所定の組成にて、多孔質基体を有
する膜で得られるよυも高い透過速度を可能にする。
最適透過性を得るには、中間層の厚さは有利には０．０
１〜ｊμｍである。好適には中間層は単独重合体、共
重合体または重合体の混和性混合物で構成することがで
きる。、ｆス分離膜を形成するのに適した単独重合体の
典型例は、たとえばポリジメチルシロキサンのような有
機シロキサンである。
１〜ｊμｍである。好適には中間層は単独重合体、共
重合体または重合体の混和性混合物で構成することがで
きる。、ｆス分離膜を形成するのに適した単独重合体の
典型例は、たとえばポリジメチルシロキサンのような有
機シロキサンである。
シロキサンおよびポリカーぎネートの共重合体も使用す
ることができる。中間層に存在する珪素は、プラズマ処
理により形成されて選択層に珪素を存在させると共に２
つの層の優秀な結合をもたらすような選択層の形成に役
割を演すると思われる。
ることができる。中間層に存在する珪素は、プラズマ処
理により形成されて選択層に珪素を存在させると共に２
つの層の優秀な結合をもたらすような選択層の形成に役
割を演すると思われる。
さらに選択層の珪素含有量はガス移動にも影響を及ぼす
と思われる。
と思われる。
プラズマ重合物の選択性上層は、この層に対する透過性
を許容しうるレベルに維持するには０． ／μｍ未満の
厚さを有するのが有利である。赤熱帯域におけるプラズ
マ処理に際し種々の反応が同時に進行するので、これに
より得られる重合体薄膜は従来のプラズマ重合によシ形
成される重合体薄層とは異なる構造を有すると思われる
。構造の相違は、異なる方法により得られるプラズマ重
合体薄層の間のガス分離選択性における相違から推定す
ることができる。
を許容しうるレベルに維持するには０． ／μｍ未満の
厚さを有するのが有利である。赤熱帯域におけるプラズ
マ処理に際し種々の反応が同時に進行するので、これに
より得られる重合体薄膜は従来のプラズマ重合によシ形
成される重合体薄層とは異なる構造を有すると思われる
。構造の相違は、異なる方法により得られるプラズマ重
合体薄層の間のガス分離選択性における相違から推定す
ることができる。
多孔質基体は任意適当な材料から作成することができ、
かつ任意適当な形状を有することができる。多孔質重合
体（たとえばポリアルキレン）薄膜は選択性上層および
中間層のための多孔質基体として作用させるべく好適に
使用することができる。多孔質ポリイミド、特に多孔質
ポリプロピレンが適する基体である。
かつ任意適当な形状を有することができる。多孔質重合
体（たとえばポリアルキレン）薄膜は選択性上層および
中間層のための多孔質基体として作用させるべく好適に
使用することができる。多孔質ポリイミド、特に多孔質
ポリプロピレンが適する基体である。
さらに、本発明による方法および膜には基体として各種
の多孔質無機材料を使用することもできる。好適には、
用いる材料は結晶質もしくは実質的に非晶質のセラミッ
ク材料、特にアルミナ、シリカ、多孔質ガラスもしくは
石英である。これらの基体は扁平もしくはチューブ状と
することができる。チューブ状、特に毛細管状の膜は所
定の肉厚につき内壁と外壁との間の比較的高い圧力差に
耐えることができ、したがってしばしば扁平膜よυも好
適である。
の多孔質無機材料を使用することもできる。好適には、
用いる材料は結晶質もしくは実質的に非晶質のセラミッ
ク材料、特にアルミナ、シリカ、多孔質ガラスもしくは
石英である。これらの基体は扁平もしくはチューブ状と
することができる。チューブ状、特に毛細管状の膜は所
定の肉厚につき内壁と外壁との間の比較的高い圧力差に
耐えることができ、したがってしばしば扁平膜よυも好
適である。
多孔質基体における細孔は薄膜を支持しうるよう比較的
小さくすべきであるが、他方では透過物が通過する際の
流体抵抗を低くするため充分大きくすべきである。有利
には、細孔は／ナノメータ（ｎｍ ）〜／マイクロメー
ター（μｍ）の範囲の直径を有する。多孔質基体の表面
多孔度は、この基体を通過する透過物処理量が少なくと
もプラズマ重合によシ形成された選択性上層の透過物処
理量よ９１０倍大きくなるよう選択すべきである。
小さくすべきであるが、他方では透過物が通過する際の
流体抵抗を低くするため充分大きくすべきである。有利
には、細孔は／ナノメータ（ｎｍ ）〜／マイクロメー
ター（μｍ）の範囲の直径を有する。多孔質基体の表面
多孔度は、この基体を通過する透過物処理量が少なくと
もプラズマ重合によシ形成された選択性上層の透過物処
理量よ９１０倍大きくなるよう選択すべきである。
好適には、本発明による膜にはさらに選択性上層の上に
さらに緻密層を設けて、選択性上層を機械的破損から保
護する。この緻密保護層は高い透過性を持たねばならな
いが、選択性である必要はない。選択層の透過性と対比
して透過性を比較的高く保つには、保護層の厚さは約ｊ
Ａｒｎ未滴に選択するのが好適である。保護層は単独
重合体、共重合体または重合体の混合物で構成すること
ができる。適する具体例において、保護層は中間層と同
じ組成を有する。
さらに緻密層を設けて、選択性上層を機械的破損から保
護する。この緻密保護層は高い透過性を持たねばならな
いが、選択性である必要はない。選択層の透過性と対比
して透過性を比較的高く保つには、保護層の厚さは約ｊ
Ａｒｎ未滴に選択するのが好適である。保護層は単独
重合体、共重合体または重合体の混合物で構成すること
ができる。適する具体例において、保護層は中間層と同
じ組成を有する。
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例
多孔質ポリプロピレン支持層と中間有機シラン重合体層
と非多孔質選択性上層とからなる３層膜を作成し、その
際プラズマ重合トルエンの層を赤熱帯域にてアルゴンの
存在下に支持層と中間層とからなる基体の上に付着させ
た。
と非多孔質選択性上層とからなる３層膜を作成し、その
際プラズマ重合トルエンの層を赤熱帯域にてアルゴンの
存在下に支持層と中間層とからなる基体の上に付着させ
た。
全ての実験は、ｊ Ｐａの反応圧力かつ２０℃の温度に
て！ｒ、 ＯＭＨｚの周波数および！ＯＭルトで操作さ
れる外部高周波コイルを装着したチューブ状反応器にて
行なった。アルゴンとトルエンとの両者をチューブから
反応器中へ供給した。
て！ｒ、 ＯＭＨｚの周波数および！ＯＭルトで操作さ
れる外部高周波コイルを装着したチューブ状反応器にて
行なった。アルゴンとトルエンとの両者をチューブから
反応器中へ供給した。
実験を行なった反応条件およびプラズマ重合膜層の得ら
れた厚さをさらに第１表に示す。
れた厚さをさらに第１表に示す。
第 ／ 表
流量比Ａｒ：）＃エン（Ｈ４４乙 ４４ｆ
ｌＡ４反応時間（ｍｉｎ） １０ １０ １０
５厚 さ（ｎｍ） ｆ／ ４’７ ２３
１０（ＳＴＰ）は標準温度および圧力（それぞれ０℃
および／パール）を意味する。
ｌＡ４反応時間（ｍｉｎ） １０ １０ １０
５厚 さ（ｎｍ） ｆ／ ４’７ ２３
１０（ＳＴＰ）は標準温度および圧力（それぞれ０℃
および／パール）を意味する。
実験扁／は比較目的で示したものでアシ、したがって本
発明の方法によって行なったものでない。
発明の方法によって行なったものでない。
何故なら、赤熱帯域をプラズマチューブのみに制限し、
反応器中には拡大させなかったからである。
反応器中には拡大させなかったからである。
したがって、基体は実験Ａ／においては赤熱帯域と接触
しなかった。
しなかった。
実験朧λ〜弘は本発明にしたがって行なったものである
。実験３および≠はプラズマと容量型であるエネルギー
との間のカップリングを用いて行なったのに対し、実験
／および１はカップリングを誘導型として行なった。
。実験３および≠はプラズマと容量型であるエネルギー
との間のカップリングを用いて行なったのに対し、実験
／および１はカップリングを誘導型として行なった。
実験１〜≠で得られた３層膜を、２０℃の温度にてほぼ
同容積の二酸化炭素とメタンとを含有する混合物につき
試験した。試験条件および結果を下表２に示す。
同容積の二酸化炭素とメタンとを含有する混合物につき
試験した。試験条件および結果を下表２に示す。
第２表
透過物側（未被覆の微孔質ポリプロピレン支持層）にお
ける圧力は全実験につき７．０バールであった。膜の選
択性は、二酸化炭素の透過性とメタンの透過性との比と
して決定した。
ける圧力は全実験につき７．０バールであった。膜の選
択性は、二酸化炭素の透過性とメタンの透過性との比と
して決定した。
第１表および第２表に示した結果から明らかなようＫ、
本発明の方法（実験二〜≠）を用いることにより極めて
薄い非多孔質の極めて選択性の高い膜層を得ることがで
きた。さらに、プラズマ形成を誘発させる容量型カップ
リングの使用は、誘導型カップリング（実験２）の使用
と対比して、さらに選択性の向上をもたらした（実験３
および≠）。
本発明の方法（実験二〜≠）を用いることにより極めて
薄い非多孔質の極めて選択性の高い膜層を得ることがで
きた。さらに、プラズマ形成を誘発させる容量型カップ
リングの使用は、誘導型カップリング（実験２）の使用
と対比して、さらに選択性の向上をもたらした（実験３
および≠）。
Claims (11)
- （１）透過性の連続基体をプラズマの赤熱帯域と接触さ
せることを特徴とする非多孔質の選択膜層の製造方法。 - （２）プラズマを高周波数の電磁波により発生させるこ
とを特徴とする請求項１記載の方法。 - （３）０．１ＭＨｚ〜３５ＧＨｚの周波数を用いてプラ
ズマを発生させることを特徴とする請求項２記載の方法
。 - （４）プラズマを、電極のないプラズマ発生帯域にて容
量型もしくは誘導型カップリングにより発生させること
を特徴とする請求項２または３記載の方法。 - （５）赤熱帯域の全圧力が０．０１〜１０００Ｐａ、特
に０．１〜１００Ｐａであることを特徴とする請求項１
〜４のいずれか一項に記載の方法。 - （６）非重合性のプラズマ形成性流体、特に不活性ガス
の存在下に行なうことを特徴とする請求項１〜５のいず
れか一項に記載の方法。 - （７）炭化水素質化合物をプラズマ重合条件下で用いて
プラズマを発生させ、かつ炭化水素質層を基体上に形成
させることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に
記載の方法。 - （８）赤熱帯域における非重合性流体と炭化水素質化合
物との流体流速の比が０．１〜１００、特に０．５〜１
０であることを特徴とする請求項７記載の方法。 - （９）芳香族化合物、特にトルエンを炭化水素質化合物
として使用することを特徴とする請求項７または８記載
の方法。 - （１０）赤熱帯域における基体とプラズマとの接触時間
が１秒〜２０分間、特に５秒〜１５分間であることを特
徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。 - （１１）基体が微孔質支持層と非多孔質の透過性中間層
とからなることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか
一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB888806674A GB8806674D0 (en) | 1988-03-21 | 1988-03-21 | Process for preparing non-porous selective membrane layers |
| GB8806674 | 1988-03-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309954A true JPH01309954A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=10633797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1066456A Pending JPH01309954A (ja) | 1988-03-21 | 1989-03-20 | 非多孔質の選択膜層の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4976856A (ja) |
| EP (1) | EP0334453A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01309954A (ja) |
| GB (1) | GB8806674D0 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8925477D0 (en) * | 1989-11-10 | 1989-12-28 | Shell Int Research | Process for the separation of solvents from hydrocarbons dissolved in said solvents |
| US5248427A (en) * | 1990-09-15 | 1993-09-28 | Basf Aktiengesellschaft | Removal of water from mixtures with alcohols and/or carboxylic acids and/or carboxylic esters |
| DE4029349A1 (de) * | 1990-09-15 | 1992-03-19 | Basf Ag | Verfahren zur abtrennung von wasser aus einem wasser und alkohole und/oder carbonsaeuren und/oder cabonsaeureester enthaltenden gemisch |
| US6462394B1 (en) | 1995-12-26 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Device configured to avoid threshold voltage shift in a dielectric film |
| US7067442B1 (en) * | 1995-12-26 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Method to avoid threshold voltage shift in thicker dielectric films |
| NL2005673C2 (en) * | 2010-11-11 | 2012-05-14 | Badotherm Proces Instr B V | Diaphragm assembly for a pressure sensor, and a pressure sensor provided with such assembly. |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3567113A (en) * | 1969-03-18 | 1971-03-02 | Us Air Force | Miniature, portable, self-powered, high speed, clinical centrifuge |
| US4032440A (en) * | 1975-11-18 | 1977-06-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Interior | Semipermeable membrane |
| US4230463A (en) * | 1977-09-13 | 1980-10-28 | Monsanto Company | Multicomponent membranes for gas separations |
| EP0021422B1 (en) * | 1979-06-25 | 1984-01-11 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Gas separating member |
| US4347139A (en) * | 1980-03-24 | 1982-08-31 | Juichiro Ozawa | Membrane for reverse osmosis and method of making the same |
| DE3147579A1 (de) * | 1980-12-02 | 1982-08-05 | Sumitomo Chemical Co., Ltd., Osaka | "hohlfasermembran zur trennung von gasen und verfahren zu ihrer herstellung" |
| US4533369A (en) * | 1982-05-28 | 1985-08-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas-permselective composite membranes and process for the production thereof |
| US4692347A (en) * | 1983-07-07 | 1987-09-08 | The Curators Of The University Of Missouri | Method of interiorly coating tubing |
| DE3525788A1 (de) * | 1985-06-24 | 1987-01-02 | Escher Wyss Gmbh | Verfahren und anordnung zur steuerung der chemikalien-zugabe zum ausflocken von flockierbaren substanzen in suspensionen, insbesondere zur reinigung des rueckwassers von deinking-anlagen |
| US4806246A (en) * | 1986-04-11 | 1989-02-21 | Applied Membrane Technology, Inc. | Pore size control using plasma polymerization techniques |
| AU7134787A (en) * | 1986-04-11 | 1987-10-15 | Applied Membrane Technology Inc. | Gas permselective membrane prepared by plasma polymerisation coating techniques |
-
1988
- 1988-03-21 GB GB888806674A patent/GB8806674D0/en active Pending
-
1989
- 1989-03-13 US US07/322,449 patent/US4976856A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-20 JP JP1066456A patent/JPH01309954A/ja active Pending
- 1989-03-21 EP EP19890200726 patent/EP0334453A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0334453A2 (en) | 1989-09-27 |
| EP0334453A3 (en) | 1990-09-26 |
| GB8806674D0 (en) | 1988-04-20 |
| US4976856A (en) | 1990-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0690743B1 (en) | Gas plasma polymerized permselective membrane | |
| US5120568A (en) | Method for plasma surface treating and preparation of membrane layers | |
| EP1472387B1 (en) | Corona-generated chemical vapor deposition on a substrate | |
| US5514276A (en) | Permselective hollow fiber fluid separation membranes having plasma-polymerized lumen-side coatings | |
| US5126164A (en) | Method of forming a thin polymeric film by plasma reaction under atmospheric pressure | |
| EP1632280B1 (en) | Plasma treated porous materials | |
| JP3726226B2 (ja) | 絶縁膜及びその製造方法 | |
| US4410338A (en) | Gas separating members and a method of making the same | |
| US4594079A (en) | Gas separating member and method for manufacture thereof | |
| US4032440A (en) | Semipermeable membrane | |
| US5013338A (en) | Plasma-assisted polymerization of monomers onto polymers and gas separation membranes produced thereby | |
| JPH01309954A (ja) | 非多孔質の選択膜層の製造方法 | |
| JPH0215171A (ja) | 大気圧プラズマ反応方法 | |
| JPH01274875A (ja) | 無孔質の膜層の製造方法 | |
| JPS6044503A (ja) | グロ−重合体層の形成方法 | |
| JPH0258970B2 (ja) | ||
| JPS60232205A (ja) | 気体分離用成形体 | |
| Inagaki et al. | Gas separation membrane made by plasma polymerization of 1, 3‐ditrifluoromethylbenzene/CF4 mixture | |
| US5053243A (en) | Preparation of adsorbent layers | |
| JP3814797B2 (ja) | 半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜を形成する方法 | |
| JPH0344468A (ja) | 弗化ビニリデンポリマー及びコポリマー層の製造方法 | |
| JP2000349083A (ja) | 半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜及びその膜を形成する方法 | |
| JP3934387B2 (ja) | 半導体基板上に低誘電率を有する膜を形成する方法 | |
| Nagasawa et al. | Low-Temperature Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Silica-Based Membranes: Synthesis, Characterization, and Gas Permeation Properties | |
| Zhu | Synthesis of low dielectric constant films |