JPH01301208A - Dicing device - Google Patents
Dicing deviceInfo
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- JPH01301208A JPH01301208A JP63133067A JP13306788A JPH01301208A JP H01301208 A JPH01301208 A JP H01301208A JP 63133067 A JP63133067 A JP 63133067A JP 13306788 A JP13306788 A JP 13306788A JP H01301208 A JPH01301208 A JP H01301208A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハをチップ単位に切断するのに用
いられるダイシング装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a dicing apparatus used to cut a semiconductor wafer into chips.
従来のこの種のダイシング装置の一例を第３図および第
４図に示して説明する。An example of a conventional dicing apparatus of this type will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
図において、１は半導体ウェハ２が貼着テープ（図示省
略）などを介して搭載されるＸ−Ｙテーブル、３は円板
状のブレード、４はブレード３を回転駆動する駆動装置
、５は切断時においてブレード３および半導体ウェハ２
上に冷却水を供給する洗浄装置である。In the figure, 1 is an X-Y table on which a semiconductor wafer 2 is mounted via adhesive tape (not shown), 3 is a disc-shaped blade, 4 is a drive device that rotates the blade 3, and 5 is a cutting device. Sometimes the blade 3 and the semiconductor wafer 2
This is a cleaning device that supplies cooling water to the top.
このダイシング装置では、ブレード３を高速回転させつ
つ、Ｘ−Ｙテーブル１で半導体ウェハ２を送ることで、
半導体ウェハ２をそれに形成のいわゆるダイシングスト
リート２ａより切断する。In this dicing device, by feeding the semiconductor wafer 2 on the X-Y table 1 while rotating the blade 3 at high speed,
The semiconductor wafer 2 is cut along so-called dicing streets 2a formed therein.
この切断過程においては、ブレード３の発熱を抑えると
ともに切断により発生する切屑を半導体ウェハ２上から
洗い流すために、洗浄装置５より半導体ウェハ２上の切
断箇所およびブレード３に向かって冷却水を供給させる
ようになっている。In this cutting process, cooling water is supplied from the cleaning device 5 toward the cutting location on the semiconductor wafer 2 and the blade 3 in order to suppress the heat generation of the blade 3 and to wash away chips generated by cutting from the semiconductor wafer 2. It looks like this.
ところで、上記従来例の場合には次のような不都合があ
った。By the way, the above conventional example has the following disadvantages.
切断の目安とするダイシングストリート２ａ上には、今
まで半導体ウェハ２上の各素子を保護する酸化珪素ある
いは窒化珪素などを主成分としたガラス層や有機樹脂な
どの保護用薄膜を形成していなかった。Until now, no protective thin film such as a glass layer mainly composed of silicon oxide or silicon nitride or an organic resin to protect each element on the semiconductor wafer 2 has been formed on the dicing street 2a, which is used as a guide for cutting. Ta.
ところが、近年では、半導体素子の高集積化。However, in recent years, semiconductor devices have become highly integrated.
機能の複雑化に伴い、−Ｃ的にダ・イシングストリート
２ａ上に半導体素子の特性を評価するための評価用エレ
メント（図示省略）を形成する１頃向にあり、このよう
な評価用エレメントを形成することに伴い、前記保護用
薄膜をダイシングストリート２ａ上にも形成するように
なった。このダイシングストリート２ａ上の保護用薄膜
もグイシング工程によって削られるが、この保護用薄膜
の切屑がブレード３の刃表面に付着してしまい、それに
起因して切断効率の低下を招いていた。また、この状態
にて使用し続けると、ブレード３の刃が破…することに
もなるので、定期的にブレード３をクリーニングする作
業が必要となり、手間がかかるだけでなくクリーニング
に伴う作業中断を余儀無くされる。As the functions become more complex, it is necessary to form an evaluation element (not shown) on the dicing street 2a for evaluating the characteristics of the semiconductor element. Along with this formation, the protective thin film was also formed on the dicing streets 2a. The protective thin film on the dicing street 2a is also scraped by the dicing process, but the chips of this protective thin film adhere to the blade surface of the blade 3, resulting in a decrease in cutting efficiency. In addition, if you continue to use it in this state, the blade 3 will break, so you will need to clean the blade 3 periodically, which not only takes time but also requires interruption of work due to cleaning. I am forced to do so.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、作
業を中断せずにブレードに付着する切屑を除去できるよ
うにし、効率の良い切断を安定的に行わせることを目的
としている。The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to enable cutting chips adhering to the blade to be removed without interrupting work, and to stably perform efficient cutting.
本発明にかかるダイシング装置は、半導体ウェハをチッ
プ単位に切断するのに用いられるものであって・
ブレードの刃に付着する切屑を除去するドレッシング部
材を前記ブレード近傍に設けたことに特徴を存する。The dicing apparatus according to the present invention is used to cut a semiconductor wafer into chips, and is characterized in that a dressing member for removing chips adhering to the blade is provided near the blade.
この構成による作用は、次のとおりである。 The effects of this configuration are as follows.
例えば従来技術で説明したようなダイシングストリート
上に素子保護用薄１１９を形成しているようなものの切
断において、ブレードに対して前記薄膜の切屑が固着す
るのは避けられない。そこで、本発明ではドレッシング
部材を用いて、切断過程においてブレードに付着する切
屑を除去するようにした。このようにブレードをダイシ
ング中にクリーニング可能にしたから、ブレードの切断
効率が低下するのを防げる。For example, when cutting a device in which a thin film 119 for protecting elements is formed on a dicing street as described in the prior art, it is inevitable that chips of the thin film adhere to the blade. Therefore, in the present invention, a dressing member is used to remove chips that adhere to the blade during the cutting process. Since the blade can be cleaned during dicing in this way, it is possible to prevent the cutting efficiency of the blade from decreasing.
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図および第２図に本発明の一実施例を示している。An embodiment of the present invention is shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
これらの図において、第３図および第４図に示した従来
例と同一符号は、同一部分を示しているから、ここでの
説明は省略する。In these figures, the same reference numerals as those in the conventional example shown in FIGS. 3 and 4 indicate the same parts, so a description thereof will be omitted here.
本実施例において、従来例と異なる構成は、ブレード３
の刃先の近傍にドレッシング部材６を配設していること
である。このドレッシング部材６は、例えば炭化珪素を
主成分とした焼結体よりなる。In this embodiment, the configuration different from the conventional example is that the blade 3
The dressing member 6 is disposed near the cutting edge of the blade. This dressing member 6 is made of, for example, a sintered body containing silicon carbide as a main component.
このドレッシング部材６は、ブレード３の刃先に対して
近接または離間するように進退移動可能に支持されたホ
ルダ７に保持され、このホルダ７を図示しない駆動機構
を介してｘ、Ｙ方向に移動させることによって、ホルダ
７に固定のドレッシング部材６をプレート３に対して押
しつけるように構成されている。なお、ホルダ７は、図
示しない機構によりＺ方向にも昇降可能に構成されてい
る。This dressing member 6 is held by a holder 7 that is supported so as to be movable forward and backward so as to be close to or away from the cutting edge of the blade 3, and this holder 7 is moved in the x and Y directions via a drive mechanism (not shown). Accordingly, the dressing member 6 fixed to the holder 7 is pressed against the plate 3. Note that the holder 7 is configured to be movable up and down in the Z direction by a mechanism not shown.
ところで、従来例で説明したように、半導体ウェハ２の
ダイシングストリート２ａ上に評価用エレメントを形成
していると、この切断時にダイシングストリート２ａ上
の保護用ｆｉＩＰａｔの切屑がブレード３の刃表面に付
着することになる。よって、切断過程において、ブレー
ド３の刃に対してドレッシング部材６を連続的または間
欠的に押しつけることにより、ブレード３に付着した切
断時の切屑を前記ドレッシング部材６により除去させる
ことにした。つまり、ドレッシング部材６をブレード３
で削ることにより、ブレード３に付着している切屑が除
去されるのである。このドレッシング部材６の切屑は半
導体ウェハ２の切屑とともに洗浄装置５による冷却水で
洗い流される。なお、ドレッシング部材６は、例えば手
動もしくは遠隔よりマイクロコンピュータなどを利用し
て移動させられる。By the way, as explained in the conventional example, when the evaluation element is formed on the dicing street 2a of the semiconductor wafer 2, the chips of the protective fiIPat on the dicing street 2a adhere to the blade surface of the blade 3 during cutting. I will do it. Therefore, in the cutting process, by pressing the dressing member 6 against the edge of the blade 3 continuously or intermittently, the cutting chips adhering to the blade 3 during cutting are removed by the dressing member 6. In other words, the dressing member 6 is
By scraping with the blade 3, chips adhering to the blade 3 are removed. The chips of the dressing member 6 are washed away with cooling water from the cleaning device 5 together with the chips of the semiconductor wafer 2. Note that the dressing member 6 is moved, for example, manually or remotely using a microcomputer or the like.
このように半導体ウェハ２を切断しながら、ブレード３
の刃表面をドレッシングすることができるから、従来の
ような切屑による切断効率の低下を防ぐことができるし
、わざわざ運転を停止してクリーニンｉ゛を行うという
手間が不要となる。While cutting the semiconductor wafer 2 in this way, the blade 3
Since the surface of the blade can be dressed, it is possible to prevent the cutting efficiency from decreasing due to chips as in the conventional method, and there is no need to take the trouble of stopping the operation and performing cleaning.
なお、上述した実施例では、ブレード３に付着の切屑除
去を行うドレッシング部材６としては上述した材料のみ
に限定されない、また、本発明にかかるダイシング装置
は回倒の構成のものだけに限定されない。In the above-described embodiment, the dressing member 6 that removes chips adhering to the blade 3 is not limited to the above-mentioned materials, and the dicing device according to the present invention is not limited to a rotating configuration.
（発明の効果〕 本発明によれば、次の効果が発揮される。(Effect of the invention〕 According to the present invention, the following effects are achieved.
即ち、半導体ウェハの切断過程において生ずる切屑がブ
レードに付着しても、切断途中においてドレッシング部
材を用いて前記切屑をブレードから除去することができ
るから、従来のようにわざわざ運転を停止してクリーニ
ング作業を行うといった煩わしさがなく、効率の良い切
断を安定的に行うことができるようになり、しかも、切
屑付着によるブレード破損の心配がない。In other words, even if chips generated during the cutting process of semiconductor wafers adhere to the blade, the dressing member can be used to remove the chips from the blade during cutting, so there is no need to take the trouble of stopping the operation for cleaning as in the past. This eliminates the hassle of having to do this, allowing efficient and stable cutting, and there is no need to worry about blade damage due to adhesion of chips.
このように、かかるダイシング装置は従来の不都合を解
決できる実用性高いものである。As described above, such a dicing apparatus is highly practical and can solve the conventional disadvantages.
第１図および第２図は本発明の一実施例にかかり、第１
図は切断形態を略示した斜視図、第２図は同平面図であ
る。
また、第３図および第４図は従来例にかかり、それぞれ
第１図、第２図に対応する図である。
２・・・半導体ウェハ、２ａ・・・ダイシングストリー
ト、３・・・ブレード 、６・・・ドレッシング部材
。FIG. 1 and FIG. 2 show one embodiment of the present invention;
The figure is a perspective view schematically showing the cut form, and FIG. 2 is a plan view of the same. Further, FIGS. 3 and 4 relate to the conventional example and correspond to FIGS. 1 and 2, respectively. 2... Semiconductor wafer, 2a... Dicing street, 3... Blade, 6... Dressing member.
Claims (1)
れるダイシング装置において、 ブレードの刃に付着する切屑を除去するドレッシング部
材を前記ブレード近傍に設けたことを特徴とするダイシ
ング装置。(1) A dicing device used to cut a semiconductor wafer into chips, characterized in that a dressing member for removing chips adhering to the blade is provided near the blade.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133067A JPH01301208A (en) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | Dicing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133067A JPH01301208A (en) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | Dicing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01301208A true JPH01301208A (en) | 1989-12-05 |
Family
ID=15096065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63133067A Pending JPH01301208A (en) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | Dicing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01301208A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013229451A (en) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Blade cover device and cutting device with the same |
| CN113172780A (en) * | 2021-04-07 | 2021-07-27 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | Scribing structure for cutting silicon carbide and online trimming method thereof |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP63133067A patent/JPH01301208A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013229451A (en) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Blade cover device and cutting device with the same |
| CN113172780A (en) * | 2021-04-07 | 2021-07-27 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | Scribing structure for cutting silicon carbide and online trimming method thereof |
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