JPH01299834A - 積層板の製造方法 - Google Patents
積層板の製造方法Info
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- JPH01299834A JPH01299834A JP12865588A JP12865588A JPH01299834A JP H01299834 A JPH01299834 A JP H01299834A JP 12865588 A JP12865588 A JP 12865588A JP 12865588 A JP12865588 A JP 12865588A JP H01299834 A JPH01299834 A JP H01299834A
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
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- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
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- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、プリント配線板として用いられる積層板の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
近年、電子工業や通信、コンピュータなどの分野におい
て使用される周波数がMHzやGHzのように高周波の
領域にシフトしている。そしてこのような高周波領域で
用いられるプリント配線板の絶縁層においては、信号の
伝播遅延を短くするうえで誘電率がより小さいことが、
また電力ロスを小さくするうえで誘電正接がより小さい
ことがそれぞれ望まれる。 このために誘電率や誘電正接が小さい四7フ化エチレン
樹脂(テフロン)やポリフェニレンオキサイド(p p
o )などの樹脂を用いて絶縁層を形成することが試
みられている。
て使用される周波数がMHzやGHzのように高周波の
領域にシフトしている。そしてこのような高周波領域で
用いられるプリント配線板の絶縁層においては、信号の
伝播遅延を短くするうえで誘電率がより小さいことが、
また電力ロスを小さくするうえで誘電正接がより小さい
ことがそれぞれ望まれる。 このために誘電率や誘電正接が小さい四7フ化エチレン
樹脂(テフロン)やポリフェニレンオキサイド(p p
o )などの樹脂を用いて絶縁層を形成することが試
みられている。
しかしこれらの樹脂を用いて絶縁層を形成する場合、プ
ラス転移温度(Tg)が180〜200℃程度と低く、
スルーホール加工時のスミアの発生などスルーホールの
信頼性を高く得られないために多層のプリント配線板に
形成することができないなどの問題があった。 本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、低い誘
電率や誘電正接、高い耐熱性を保持することができ、加
えて難燃性を高めることができる積層板の製造方法を提
供することを目的とするものである。
ラス転移温度(Tg)が180〜200℃程度と低く、
スルーホール加工時のスミアの発生などスルーホールの
信頼性を高く得られないために多層のプリント配線板に
形成することができないなどの問題があった。 本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、低い誘
電率や誘電正接、高い耐熱性を保持することができ、加
えて難燃性を高めることができる積層板の製造方法を提
供することを目的とするものである。
本発明は、次式(1)に示されるポリ芳香族シアネート
に、 (D)t (D)L (D)t (D)t (D)t
・・・式(1)(式中^rは芳香族。BはC2〜2゜
の多環式脂肪族基。Dは各々独立に活性水素を含まない
置換基。q。 rtsは各々独立に0.1.2又は3のg数であり、た
だしqげ、Sの合計は2より大きいが又は2に等しい。 tは各々独立に0から4までの整数。xはO〜5までの
敗) 次式(If)に示される難燃剤と、 (式中nは0,1又は2の整数) ポリ芳香族シアネートの反応触媒とを配合してワニスを
調製すると共にこのワニスを基材に含浸してプリプレグ
を作成し、このプリプレグを積層成形することを特徴と
する積層板の製造方法に係るものである。 以下本発明の詳細な説明する。 式(1)で示すポリ芳香族シアネートとしては、特許出
願公表昭61−500434号公報によって開示されて
いるものを用いることができる。すなわち、このポリ芳
香族シアネートは、従来のポリトリアノンよりも加水分
解作用に対して着しく安定で熱安定性に優れた芳香族ポ
リトリアジンを与えるものである。 本発明において用いる式(1)のポリ芳香族シアネート
において、芳香族基A「は芳香族基を含む総ての基を意
味するものであり、例えばベンゼン、ナフタリン、7エ
ナントラセン、アントラセン、またはビ芳昏族基、フル
キレン部分によって架橋された2個以上の芳香族基であ
る。好適にはベンゼン、ナフタリン、ビフェニル、ビナ
フチル、ジフェニルフルキレン基であり、特にベンゼン
基であることが望ましい。C7〜2゜の多環式脂肪族基
Bとは、2個以上の環を含む脂肪族基を意味するもので
あり、多環式脂肪族基には1つ以上の二重結合または三
重結合が含まれていてもよい。好適な多環式脂肪族基を
列挙すれば次のものがある。 あり、DlはC1〜5のアルキル基である。)なかでも
(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)又はmの
ものが好適であり、より好適には(a)(b)(c)(
d)(1)で、特に(a)のちのが好ましい。 式(1)中のDは有機炭化水素基上に置換され得る総て
の置換基を意味するものであるが、活性水素原子を含む
置換基は除外される。活性水素原子とは酸素、硫黄、窒
素原子に結合した水素原子を意味する。式(I)中の各
りはそれぞれ独立して規定されるものであり、例えば、
アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アルカ
リール、アルフルキル、ハロ、アルコキシ、ニトロ、カ
ルボキシレート、スルホン、スルフィド、カーボネート
などであり、好適にはC1〜1゜のアルキル、C+〜、
。のアルケニル、ニトロ、ハロt’ア’)、cl−1の
アルキル、C1〜3のアルキニル、ブロモ、クロロが最
も好ましい。 また式(I)中のtはOから4までの整数であり、なか
でも0.1又は2の整数、特に0又は1が好ましく、最
適には0である。弐(I)中の各tはそれぞれ独立して
規定される。Qs rSSは0.1.2又は3の整数で
あり、最適には1である。ql「、Sはそれぞれ独立し
て規定されるが、これらの合計は2以上になるように設
定される。?!:らにXは0から5までの数である。式
(I)のポリ芳香族ンア単一FはXが0〜5までの化合
物類の混合物として見出だされるものであり、Xはこの
混合物の平均の数として規定されるものである。 式(1)のポリ芳香族シアネートの好ましい実施態様は
次の式で表される。 しかして、式(1)のポリ芳香族シアネートから得られ
る芳香族ポリトリアジン(ポリ芳香族シアネート樹脂)
は、低い誘電率(t2.78前後)、低い誘電正接(t
anδ0,003前後)及び高い耐熱性(γラス転移温
度Tg250以上、オープン耐熱性300℃程度)を有
するという、プリント配線板の絶縁基板を構成する樹脂
として優れた特性を有する。そこで本発明ではさらに式
(II)の難燃剤を配合してプリント配線板において要
求される難燃特性を付与するようにしたものである。 式(n)の難燃剤の配合量は難燃剤中に含有されるBr
量に応じて設定される。すなわち、式(If)のn=0
のものはBrの含有率が58重量%、n=1のものはB
rの含有率が50重量%、n=2のものはB「の含有率
が48重量%である。そして式(■)のポリ芳香族シア
ネートと式(U)の難燃剤との合計量に対してBrの含
有率が10重量%未満であると難燃性はUL規格でHB
のレベル、B「の含有率が10重量%以上13重量%未
満であると94V−1のレベルであり、94V−0のレ
ベルにするにはBrの含有率が13重量%以上になるよ
うにする必要がある。従って94V−0を達成するには
、n=oの場合は式(II)の難燃剤を22゜4重量%
以上(式(I)のものは77.6重量%以下)の配合量
に、n=1の場合は式(It)の難燃剤を26.0重量
%以上(式(I)のものは74.0重量%以下)の配合
量に、n=2の場合は式(II)の難燃剤を27.0重
量%以上(式(I)のものは73.0重量%以下)の配
合量にそれぞれ設定することが望ましい。n=0の難燃
剤の場合、上記配合量以上に配合すると耐熱性に問題が
生じてくるおそれがあるので、上記数値に設定するのが
好ましい。またr+−”1の難燃剤の場合は、耐熱性に
特に問題が生じることはなく却って誘電正接の特性を良
(する効果があるので、26重量%以上、40重1%程
度まで配合することが可能である6n=2の難燃剤の場
合はn=0のものと同様の理由によって、配合量は27
重量%前後が好適である。式(1)のポリ芳香族シアネ
ートと式(If)の難燃剤との配合比率は上記を参酌し
て、−船釣には前者を60〜90重量%、後者を40〜
10重量%に設定するのが望ましい。 式(1)のポリ芳香族シアネートを重合させる反応触媒
としては、イミダゾール類、第三級アミン、ナフテン酸
コバルトやオクチル酸コバルトなど有機コバルト塩類等
の有機金属塩類を用いることができるものであり、特に
有機コバルト塩類が好ましい。反応触媒の配合量は特に
限定されないが、例えば有機コバルト塩類を反応触媒と
して用いる場合には、ワニス(後述)の所望するデルタ
イムに応じて、式(I)のポリ芳香族シアネートの重量
に対するコバルトイオンの重量比で10〜700ppm
程度の範囲で配合される。 そして上記式(1)のポリ芳香族シアネート、式(II
)の難燃剤、及び反応触媒等を有機溶剤に溶解すること
によって、ワニスをml!!!する。有機溶剤としては
式(1)のポリ芳香族シアネートや式(II)の難燃剤
を溶解し反応に悪い影響を与えないものであれば芳香族
炭化水素、アルコール、ケトンなと待に限定されない。 例えばトルエン、アセトン、メチルエチルケトン、ジノ
チルホルムアミド、メチルセロソルブなどを一種もしく
は二種以上を混合して用いることができる。ワニスの濃
度は固形分が50〜70重量%になるように調整するの
が一般的である。 しかしてプリプレグを調製するにあたっては、基材とし
ては特に限定されるものではないが、プラス繊維の繊布
あるいは不織布を使用するのが一般的であり、この基材
にワニスを含浸させて加熱乾燥する。基材へのワニスの
含浸量は、基材に対する固形分(式(I)の化合物と式
(n)の化合物)の比率が45重量%以上になるように
設定するのが好ましい。樹脂分の含有量によって誘電率
の水準に影響が出るものであり、基材をE〃テラス布で
形成した場合は45重量%以上の含浸で誘電率4゜0以
下を達成することができ、また基材をD7yラスの布で
形成した場合は45重量%以上の含浸で誘電率3.5以
下を達成することができる。プリプレグを調製する際の
加熱乾燥条件は、反応触媒の配合量などによって影響さ
れるが、例えば加熱温度が160℃の場合は加熱時間を
3〜10分間程度に設定することによって、所望のプリ
プレグのストロークデルタイムを得るようにすることが
できる。プリプレグのストロークデルタイムは成形条件
等によって異なるが、170℃で2〜10分程度が一般
的である。 そしてこのように調製したプリプレグを複数枚重ね、さ
らに上下の両面もしくは片面に銅箔などの金属箔を重ね
、・これを加熱加圧成形することによって、プリプレグ
中のポリ芳香族シアネートが重合硬化して構成される絶
縁基板の両面又は片面に金属箔を積層接着した両面金属
箔張り若しくは片面金属箔張り積層板を作成することが
できる。 この積層板の金属箔をエツチング加工等して回路形成す
るとによって内層プリント配線板を作成することができ
、この内層プリント配線板を複数枚の上記プリプレグを
介して複数枚重ねると共に最外層に金属箔を重ね、これ
を加熱加圧成形することによって、多層のプリント配線
板を作成することができる。成形条件は、加熱温度を1
70℃〜230℃、圧力を最高圧力で30〜40kg/
am”程度、時間を90〜120分程度に設定するのが
一般的である。成形後に220〜230℃程度の温度で
77ターキユアーする場合には成形温度は
に、 (D)t (D)L (D)t (D)t (D)t
・・・式(1)(式中^rは芳香族。BはC2〜2゜
の多環式脂肪族基。Dは各々独立に活性水素を含まない
置換基。q。 rtsは各々独立に0.1.2又は3のg数であり、た
だしqげ、Sの合計は2より大きいが又は2に等しい。 tは各々独立に0から4までの整数。xはO〜5までの
敗) 次式(If)に示される難燃剤と、 (式中nは0,1又は2の整数) ポリ芳香族シアネートの反応触媒とを配合してワニスを
調製すると共にこのワニスを基材に含浸してプリプレグ
を作成し、このプリプレグを積層成形することを特徴と
する積層板の製造方法に係るものである。 以下本発明の詳細な説明する。 式(1)で示すポリ芳香族シアネートとしては、特許出
願公表昭61−500434号公報によって開示されて
いるものを用いることができる。すなわち、このポリ芳
香族シアネートは、従来のポリトリアノンよりも加水分
解作用に対して着しく安定で熱安定性に優れた芳香族ポ
リトリアジンを与えるものである。 本発明において用いる式(1)のポリ芳香族シアネート
において、芳香族基A「は芳香族基を含む総ての基を意
味するものであり、例えばベンゼン、ナフタリン、7エ
ナントラセン、アントラセン、またはビ芳昏族基、フル
キレン部分によって架橋された2個以上の芳香族基であ
る。好適にはベンゼン、ナフタリン、ビフェニル、ビナ
フチル、ジフェニルフルキレン基であり、特にベンゼン
基であることが望ましい。C7〜2゜の多環式脂肪族基
Bとは、2個以上の環を含む脂肪族基を意味するもので
あり、多環式脂肪族基には1つ以上の二重結合または三
重結合が含まれていてもよい。好適な多環式脂肪族基を
列挙すれば次のものがある。 あり、DlはC1〜5のアルキル基である。)なかでも
(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)又はmの
ものが好適であり、より好適には(a)(b)(c)(
d)(1)で、特に(a)のちのが好ましい。 式(1)中のDは有機炭化水素基上に置換され得る総て
の置換基を意味するものであるが、活性水素原子を含む
置換基は除外される。活性水素原子とは酸素、硫黄、窒
素原子に結合した水素原子を意味する。式(I)中の各
りはそれぞれ独立して規定されるものであり、例えば、
アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アルカ
リール、アルフルキル、ハロ、アルコキシ、ニトロ、カ
ルボキシレート、スルホン、スルフィド、カーボネート
などであり、好適にはC1〜1゜のアルキル、C+〜、
。のアルケニル、ニトロ、ハロt’ア’)、cl−1の
アルキル、C1〜3のアルキニル、ブロモ、クロロが最
も好ましい。 また式(I)中のtはOから4までの整数であり、なか
でも0.1又は2の整数、特に0又は1が好ましく、最
適には0である。弐(I)中の各tはそれぞれ独立して
規定される。Qs rSSは0.1.2又は3の整数で
あり、最適には1である。ql「、Sはそれぞれ独立し
て規定されるが、これらの合計は2以上になるように設
定される。?!:らにXは0から5までの数である。式
(I)のポリ芳香族ンア単一FはXが0〜5までの化合
物類の混合物として見出だされるものであり、Xはこの
混合物の平均の数として規定されるものである。 式(1)のポリ芳香族シアネートの好ましい実施態様は
次の式で表される。 しかして、式(1)のポリ芳香族シアネートから得られ
る芳香族ポリトリアジン(ポリ芳香族シアネート樹脂)
は、低い誘電率(t2.78前後)、低い誘電正接(t
anδ0,003前後)及び高い耐熱性(γラス転移温
度Tg250以上、オープン耐熱性300℃程度)を有
するという、プリント配線板の絶縁基板を構成する樹脂
として優れた特性を有する。そこで本発明ではさらに式
(II)の難燃剤を配合してプリント配線板において要
求される難燃特性を付与するようにしたものである。 式(n)の難燃剤の配合量は難燃剤中に含有されるBr
量に応じて設定される。すなわち、式(If)のn=0
のものはBrの含有率が58重量%、n=1のものはB
rの含有率が50重量%、n=2のものはB「の含有率
が48重量%である。そして式(■)のポリ芳香族シア
ネートと式(U)の難燃剤との合計量に対してBrの含
有率が10重量%未満であると難燃性はUL規格でHB
のレベル、B「の含有率が10重量%以上13重量%未
満であると94V−1のレベルであり、94V−0のレ
ベルにするにはBrの含有率が13重量%以上になるよ
うにする必要がある。従って94V−0を達成するには
、n=oの場合は式(II)の難燃剤を22゜4重量%
以上(式(I)のものは77.6重量%以下)の配合量
に、n=1の場合は式(It)の難燃剤を26.0重量
%以上(式(I)のものは74.0重量%以下)の配合
量に、n=2の場合は式(II)の難燃剤を27.0重
量%以上(式(I)のものは73.0重量%以下)の配
合量にそれぞれ設定することが望ましい。n=0の難燃
剤の場合、上記配合量以上に配合すると耐熱性に問題が
生じてくるおそれがあるので、上記数値に設定するのが
好ましい。またr+−”1の難燃剤の場合は、耐熱性に
特に問題が生じることはなく却って誘電正接の特性を良
(する効果があるので、26重量%以上、40重1%程
度まで配合することが可能である6n=2の難燃剤の場
合はn=0のものと同様の理由によって、配合量は27
重量%前後が好適である。式(1)のポリ芳香族シアネ
ートと式(If)の難燃剤との配合比率は上記を参酌し
て、−船釣には前者を60〜90重量%、後者を40〜
10重量%に設定するのが望ましい。 式(1)のポリ芳香族シアネートを重合させる反応触媒
としては、イミダゾール類、第三級アミン、ナフテン酸
コバルトやオクチル酸コバルトなど有機コバルト塩類等
の有機金属塩類を用いることができるものであり、特に
有機コバルト塩類が好ましい。反応触媒の配合量は特に
限定されないが、例えば有機コバルト塩類を反応触媒と
して用いる場合には、ワニス(後述)の所望するデルタ
イムに応じて、式(I)のポリ芳香族シアネートの重量
に対するコバルトイオンの重量比で10〜700ppm
程度の範囲で配合される。 そして上記式(1)のポリ芳香族シアネート、式(II
)の難燃剤、及び反応触媒等を有機溶剤に溶解すること
によって、ワニスをml!!!する。有機溶剤としては
式(1)のポリ芳香族シアネートや式(II)の難燃剤
を溶解し反応に悪い影響を与えないものであれば芳香族
炭化水素、アルコール、ケトンなと待に限定されない。 例えばトルエン、アセトン、メチルエチルケトン、ジノ
チルホルムアミド、メチルセロソルブなどを一種もしく
は二種以上を混合して用いることができる。ワニスの濃
度は固形分が50〜70重量%になるように調整するの
が一般的である。 しかしてプリプレグを調製するにあたっては、基材とし
ては特に限定されるものではないが、プラス繊維の繊布
あるいは不織布を使用するのが一般的であり、この基材
にワニスを含浸させて加熱乾燥する。基材へのワニスの
含浸量は、基材に対する固形分(式(I)の化合物と式
(n)の化合物)の比率が45重量%以上になるように
設定するのが好ましい。樹脂分の含有量によって誘電率
の水準に影響が出るものであり、基材をE〃テラス布で
形成した場合は45重量%以上の含浸で誘電率4゜0以
下を達成することができ、また基材をD7yラスの布で
形成した場合は45重量%以上の含浸で誘電率3.5以
下を達成することができる。プリプレグを調製する際の
加熱乾燥条件は、反応触媒の配合量などによって影響さ
れるが、例えば加熱温度が160℃の場合は加熱時間を
3〜10分間程度に設定することによって、所望のプリ
プレグのストロークデルタイムを得るようにすることが
できる。プリプレグのストロークデルタイムは成形条件
等によって異なるが、170℃で2〜10分程度が一般
的である。 そしてこのように調製したプリプレグを複数枚重ね、さ
らに上下の両面もしくは片面に銅箔などの金属箔を重ね
、・これを加熱加圧成形することによって、プリプレグ
中のポリ芳香族シアネートが重合硬化して構成される絶
縁基板の両面又は片面に金属箔を積層接着した両面金属
箔張り若しくは片面金属箔張り積層板を作成することが
できる。 この積層板の金属箔をエツチング加工等して回路形成す
るとによって内層プリント配線板を作成することができ
、この内層プリント配線板を複数枚の上記プリプレグを
介して複数枚重ねると共に最外層に金属箔を重ね、これ
を加熱加圧成形することによって、多層のプリント配線
板を作成することができる。成形条件は、加熱温度を1
70℃〜230℃、圧力を最高圧力で30〜40kg/
am”程度、時間を90〜120分程度に設定するのが
一般的である。成形後に220〜230℃程度の温度で
77ターキユアーする場合には成形温度は
以下本発明を実施例によって詳述する。
及1丼1
次式に示されるポリ芳香族シアネート(ダウケミカル社
製XU−71787)を80重量部、及び式(n)にお
いてn=0の難燃剤(テトラブロモビスフェノールA:
TBBA)を20重量部それぞれ採り、これらをメチル
エチルケトンとメチルセロソルブの1:1混合溶媒に固
形分が60重素置になるように攪拌溶解し、これに反応
触媒としてす7テン酸コバルトをポリ芳香族シアネート
に対するコバルトイオンの重量比で50 ppm添加し
て、ワニスを調製した。 このワニスを2116タイプE〃ラス布基材(日東紡績
社製116E)に固形分含量(ポリ芳香族シアネートと
難燃剤)が45重量%になるように含浸し、150℃、
4分間の条件で加熱乾燥することによってプリプレグを
調製した。 次にこのプリプレグを4枚重ねると共にその上下両側に
70μ厚の両面粗面化#!箔を重ね、成形温度170℃
、成形圧力40kg/am”、90分間の条件で積層成
形をおこない、さらに成形後に電気オーブンにて230
℃、2時間の条件で77ターキユアーして、厚み0 、
4 m1mの内層プリント配線板用の両面銅張り積層板
を得た。 K1九玄 実施例1で得た両面銅張り積層板の銅箔をエツチング処
理して回路形成することによって内層プリント配線板を
作成した。この3枚の内層プリント配線板をそれぞれの
間に実施例1で得た3枚のプリプレグを介して重ねると
共にその上下にさらに3枚のプリプレグを介して18μ
厚の銅箔を重ね、これを実施例1と同じ条件で積層成形
し、さらにアフターキュアーすることによって、厚み2
゜41の8層の回路構成の多層プリント配線板を得た。 実施例1で用いたポリ芳香族シアネート(ダウケミカル
社製XU−71787)を75重量部、式(II)にお
いてn=1の難燃剤(テトラブロモビスフェノールAビ
ス(2−ハイドロキシルエーテル);グレートレイク社
製)を25重量部それぞれ採り、これらをメチルエチル
ケトンとジメチルホルムアミド るように攪拌溶解し、これに反応触媒としてオクチル酸
コバルトをポリ芳香族シアネート樹脂に対するコバルト
イオンの重量比で75pp+m添加して、ワニスを調製
した。後は実施例1と同様にしてプリプレグを作成する
と共に実施例1と同様にして積層成形及びアフターキュ
アーをおこなって、厚み0 、 4 amの内層プリン
F配線板用の両面銅張り積層板を得た。 夫11」ー プリプレグの基材としてE〃プラス布用いる代わりにD
プラス布(日東紡WR(株)製WDX−723)を用い
るようにした他は、実施例1と同様にして厚み0.41
の内層プリント配線板用の両面銅張り積層板を得た。 寒1E」一 実施例1で用いたポリ芳香族シアネート(ダウケミカル
社製XU−7 1 7 8 7)を70重量部、式(I
I)においてn=2の難燃剤(第一工業製薬社製GX−
6 1 0 7)を30重量部それぞれ採り、これらを
ツメチルアセトアミドに固形分が60重量%になるよう
に攪拌溶解し、これに反応触媒として8重量%のCo’
+を含むオクチル酸コバルト溶液をポリ芳香族シアネー
ト樹脂に対するコバルトイオンの重量比でsoppm添
加して、ワニスを調製した。後は実施例1と同様にして
プリプレグを作成すると共に実施例1と同様にして積層
成形及シア7ターキユアーをおこなって、厚み0 、
4 mmの内層プリント配線板用の両面銅張り積層板を
得た。 塩怠JLL ポリアミノビスマレイミドI(脂(日本ポリイミド社製
ケルイミド601)を固形分が60重量%になるように
N−メチル−2−ピロリドンに溶解してポリイミド樹脂
ワニスを調製した。このワニスを実施例1と同様のEガ
ラス布基材に樹I1w含量が45重量%になるように含
浸し、実施例1と同様に乾燥してプリプレグを作成した
.次にこのプリプレグを4枚重ねると共にその上下両側
に70μ厚の両面粗面化銅箔な重ね、実施例1と同じ条
件で積層成形をおこない、さらに電気オープンにて20
0℃、2時間の条件で77ターキエアーして、厚み0.
4IIIIの内層プリント配線板用の両面銅張り積層板
を得た。このようにして得た両面銅張り積層板のf14
笛をエツチング処理して回路形成することによって内層
プリント配線板を作成し、3枚の内層プリント配線板を
それぞれの間に上記と同じ3枚のプリプレグを介して重
ねると共にその上下にさらに3枚のプリプレグを介して
18μ厚の銅箔を重ね、これを実施例1と同じ条件で積
層成形し、さらに200℃、2時間の条件でアフターキ
ュアーすることによって、厚み2.41の8層の回路構
成の多層プリント配線板を得た。 Δi九影 実施例1で用いたポリ芳香族シアネート(ダウケミカル
社製XU−71787)のみを使用しく難燃剤は使用せ
ず)、これをメチルエチルケトンとジメチルホルム7ミ
ドの1=1混合溶媒に固形分が60重量%になるように
攪拌溶解し、これに反応触媒としてす7テン酸コバルト
をポリ芳香族シアネート樹脂に対するコバルトイオンの
重量比で200 ppm添加して、ワニスを調製した。 後は実施例1と同様にしてプリプレグを作成すると共に
実施例1と同様にして積層成形及びア7ターキエアーを
おこなって、厚み0 、4 armの内層プリント配線
板用の両面銅張り積層板を得た。 上記のようにして得た実施例1〜5及び比較例1.2の
積層板について、その電気的特性や熱的特性などを測定
し、その結果を大麦に示す。大麦において、誘電率、誘
電正接、耐撚性、オープン耐熱性はJIS C648
1に基づいて測定をおこなった。またガラス転移温度は
粘弾性スペクトルのチャートから計測した。さらに厚さ
方向の膨張率は、試料を加熱・冷却することによって膨
張・収縮させて機械的な寸法変化を起こさせ、この変化
量を計測する熱機械的分析法で測定した。膨表の結果に
みられるように、ポリ芳香族シアネートを重合させた芳
香族ポリトリアノンで絶縁基板を形成するようにした各
実施例のものは、ポリイミド樹脂で絶縁基板を形成する
ようにした比較例1のものよりも誘電率や誘電正接が低
いことが確認されるものであり、またポリ芳香族シアネ
ートに難燃剤を配合した各実施例のものでは、難燃剤を
配合しない比較例2のHBレベルから94V−〇のレベ
ルに難燃性が高まることが確認されると共に、しかもガ
ラス転移温度や耐熱温度のレベルも大き(劣化されず高
く保持されていることが確認されるものである。 【発明の効果] 上述のように本発明にあっては、式(1)のポリ芳香族
シアネートに式(II)の難燃剤を配合して使用するこ
とによって積層板を製造するようにしたので、ポリ芳香
族シアネートの重合体の低い誘電率や誘電正接によって
積層板の高周波特性を高く確保することができるもので
あり、しかも難燃剤の配合によって積層板の難燃グレー
ドを高めることができると共に、耐熱性のレベルを高く
保持することができるものである。
製XU−71787)を80重量部、及び式(n)にお
いてn=0の難燃剤(テトラブロモビスフェノールA:
TBBA)を20重量部それぞれ採り、これらをメチル
エチルケトンとメチルセロソルブの1:1混合溶媒に固
形分が60重素置になるように攪拌溶解し、これに反応
触媒としてす7テン酸コバルトをポリ芳香族シアネート
に対するコバルトイオンの重量比で50 ppm添加し
て、ワニスを調製した。 このワニスを2116タイプE〃ラス布基材(日東紡績
社製116E)に固形分含量(ポリ芳香族シアネートと
難燃剤)が45重量%になるように含浸し、150℃、
4分間の条件で加熱乾燥することによってプリプレグを
調製した。 次にこのプリプレグを4枚重ねると共にその上下両側に
70μ厚の両面粗面化#!箔を重ね、成形温度170℃
、成形圧力40kg/am”、90分間の条件で積層成
形をおこない、さらに成形後に電気オーブンにて230
℃、2時間の条件で77ターキユアーして、厚み0 、
4 m1mの内層プリント配線板用の両面銅張り積層板
を得た。 K1九玄 実施例1で得た両面銅張り積層板の銅箔をエツチング処
理して回路形成することによって内層プリント配線板を
作成した。この3枚の内層プリント配線板をそれぞれの
間に実施例1で得た3枚のプリプレグを介して重ねると
共にその上下にさらに3枚のプリプレグを介して18μ
厚の銅箔を重ね、これを実施例1と同じ条件で積層成形
し、さらにアフターキュアーすることによって、厚み2
゜41の8層の回路構成の多層プリント配線板を得た。 実施例1で用いたポリ芳香族シアネート(ダウケミカル
社製XU−71787)を75重量部、式(II)にお
いてn=1の難燃剤(テトラブロモビスフェノールAビ
ス(2−ハイドロキシルエーテル);グレートレイク社
製)を25重量部それぞれ採り、これらをメチルエチル
ケトンとジメチルホルムアミド るように攪拌溶解し、これに反応触媒としてオクチル酸
コバルトをポリ芳香族シアネート樹脂に対するコバルト
イオンの重量比で75pp+m添加して、ワニスを調製
した。後は実施例1と同様にしてプリプレグを作成する
と共に実施例1と同様にして積層成形及びアフターキュ
アーをおこなって、厚み0 、 4 amの内層プリン
F配線板用の両面銅張り積層板を得た。 夫11」ー プリプレグの基材としてE〃プラス布用いる代わりにD
プラス布(日東紡WR(株)製WDX−723)を用い
るようにした他は、実施例1と同様にして厚み0.41
の内層プリント配線板用の両面銅張り積層板を得た。 寒1E」一 実施例1で用いたポリ芳香族シアネート(ダウケミカル
社製XU−7 1 7 8 7)を70重量部、式(I
I)においてn=2の難燃剤(第一工業製薬社製GX−
6 1 0 7)を30重量部それぞれ採り、これらを
ツメチルアセトアミドに固形分が60重量%になるよう
に攪拌溶解し、これに反応触媒として8重量%のCo’
+を含むオクチル酸コバルト溶液をポリ芳香族シアネー
ト樹脂に対するコバルトイオンの重量比でsoppm添
加して、ワニスを調製した。後は実施例1と同様にして
プリプレグを作成すると共に実施例1と同様にして積層
成形及シア7ターキユアーをおこなって、厚み0 、
4 mmの内層プリント配線板用の両面銅張り積層板を
得た。 塩怠JLL ポリアミノビスマレイミドI(脂(日本ポリイミド社製
ケルイミド601)を固形分が60重量%になるように
N−メチル−2−ピロリドンに溶解してポリイミド樹脂
ワニスを調製した。このワニスを実施例1と同様のEガ
ラス布基材に樹I1w含量が45重量%になるように含
浸し、実施例1と同様に乾燥してプリプレグを作成した
.次にこのプリプレグを4枚重ねると共にその上下両側
に70μ厚の両面粗面化銅箔な重ね、実施例1と同じ条
件で積層成形をおこない、さらに電気オープンにて20
0℃、2時間の条件で77ターキエアーして、厚み0.
4IIIIの内層プリント配線板用の両面銅張り積層板
を得た。このようにして得た両面銅張り積層板のf14
笛をエツチング処理して回路形成することによって内層
プリント配線板を作成し、3枚の内層プリント配線板を
それぞれの間に上記と同じ3枚のプリプレグを介して重
ねると共にその上下にさらに3枚のプリプレグを介して
18μ厚の銅箔を重ね、これを実施例1と同じ条件で積
層成形し、さらに200℃、2時間の条件でアフターキ
ュアーすることによって、厚み2.41の8層の回路構
成の多層プリント配線板を得た。 Δi九影 実施例1で用いたポリ芳香族シアネート(ダウケミカル
社製XU−71787)のみを使用しく難燃剤は使用せ
ず)、これをメチルエチルケトンとジメチルホルム7ミ
ドの1=1混合溶媒に固形分が60重量%になるように
攪拌溶解し、これに反応触媒としてす7テン酸コバルト
をポリ芳香族シアネート樹脂に対するコバルトイオンの
重量比で200 ppm添加して、ワニスを調製した。 後は実施例1と同様にしてプリプレグを作成すると共に
実施例1と同様にして積層成形及びア7ターキエアーを
おこなって、厚み0 、4 armの内層プリント配線
板用の両面銅張り積層板を得た。 上記のようにして得た実施例1〜5及び比較例1.2の
積層板について、その電気的特性や熱的特性などを測定
し、その結果を大麦に示す。大麦において、誘電率、誘
電正接、耐撚性、オープン耐熱性はJIS C648
1に基づいて測定をおこなった。またガラス転移温度は
粘弾性スペクトルのチャートから計測した。さらに厚さ
方向の膨張率は、試料を加熱・冷却することによって膨
張・収縮させて機械的な寸法変化を起こさせ、この変化
量を計測する熱機械的分析法で測定した。膨表の結果に
みられるように、ポリ芳香族シアネートを重合させた芳
香族ポリトリアノンで絶縁基板を形成するようにした各
実施例のものは、ポリイミド樹脂で絶縁基板を形成する
ようにした比較例1のものよりも誘電率や誘電正接が低
いことが確認されるものであり、またポリ芳香族シアネ
ートに難燃剤を配合した各実施例のものでは、難燃剤を
配合しない比較例2のHBレベルから94V−〇のレベ
ルに難燃性が高まることが確認されると共に、しかもガ
ラス転移温度や耐熱温度のレベルも大き(劣化されず高
く保持されていることが確認されるものである。 【発明の効果] 上述のように本発明にあっては、式(1)のポリ芳香族
シアネートに式(II)の難燃剤を配合して使用するこ
とによって積層板を製造するようにしたので、ポリ芳香
族シアネートの重合体の低い誘電率や誘電正接によって
積層板の高周波特性を高く確保することができるもので
あり、しかも難燃剤の配合によって積層板の難燃グレー
ドを高めることができると共に、耐熱性のレベルを高く
保持することができるものである。
Claims (1)
- (1)次式( I )に示されるポリ芳香族シアネートに
、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・式( I ) (式中Arは芳香族。BはC_7_〜_2_0の多環式
脂肪族基。Dは各々独立に活性水素を含まない置換基。 q、r、sは各々独立に0、1、2又は3の整数であり
、ただしq、r、sの合計は2より大きいか又は2に等
しい。tは各々独立に0から4までの整数。xは0〜5
までの数) 次式(II)に示される難燃剤と、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・式(II) (式中nは0、1又は2の整数) ポリ芳香族シアネートの反応触媒とを配合してワニスを
鋼製すると共にこのワニスを基材に含浸してプリプレグ
を作成し、このプリプレグを積層成形することを特徴と
する積層板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12865588A JPH01299834A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 積層板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12865588A JPH01299834A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 積層板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01299834A true JPH01299834A (ja) | 1989-12-04 |
JPH0424370B2 JPH0424370B2 (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=14990178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12865588A Granted JPH01299834A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 積層板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01299834A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9169356B2 (en) | 2005-10-25 | 2015-10-27 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cyanate ester polymer |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP12865588A patent/JPH01299834A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9169356B2 (en) | 2005-10-25 | 2015-10-27 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cyanate ester polymer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0424370B2 (ja) | 1992-04-24 |
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