JPH01295791A - 力検出位置変位装置 - Google Patents

力検出位置変位装置

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JPH01295791A
JPH01295791A JP63125476A JP12547688A JPH01295791A JP H01295791 A JPH01295791 A JP H01295791A JP 63125476 A JP63125476 A JP 63125476A JP 12547688 A JP12547688 A JP 12547688A JP H01295791 A JPH01295791 A JP H01295791A
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泉 耕二
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博史 山崎
Junichi Takahashi
淳一 高橋
Hirotoshi Eguchi
裕俊 江口
Takashi Akahori
赤堀 隆司
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は1例えばロボット用力覚センサ、マンマシンイ
ンターフェイスとしての三次元入力装置、三次元荷重測
定装置等に利用される力検出位置変位装置に関する。
従来の技術 従来、アクチュエータ等を用いて微細な位置決め制御を
行っているものとして、特開昭63−66614号公報
に開示されているものがある。まず、その第一の従来例
として、微小回転変位を行う微細位置決め装置がある。
すなわち、第13図に示すように、アクチュエータとし
てのバイモルフ形圧電素子1は、その一端が中央固定部
2の縦w13に固定され、他端は固定されず自由端とな
っており周囲のリング状のステージ4に取付けられたU
字形状金具5に接触している。そして、今、各バイモル
フ形圧電素子1に電圧を印加すると、それらはステージ
4の円周方向に沿って変位する。
それらバイモルフ形圧電素子1の変形により自由端と接
するU字形金具5を介して、ステージ4は矢印方向に回
動変位する。そこで、このステージ4上部に図示しない
テーブルを載置固定しておけば、このテーブルを微動さ
せることができる。
次に、その第二の従来例として、放射たわみ梁変位機構
を有する微細位置決め装置がある。すなわち、第14図
に示すように、放射たわみ梁変位機構6は、x、y軸方
向に沿って下方の剛体部(支持板)7と上方の剛体部8
との間に挾まれた位置に設けられており、また、これら
上下の剛体部7,8のそれぞれの突起部9.10の間に
挾まれた位置には、第15図(a)に示すようなアクチ
ュエータとしての圧電アクチュエータ11が設けられて
いる。そこで、今、このような圧電アクチュエータ11
に電圧を印加すると、第15図(b)に示すように、放
射たわみ梁12がたわみ、微少角度δだけ回転変位する
。これにより、放射たわみ梁変位機構6がX、Y軸まわ
りにそれぞれ回転変位することになるので、これに連れ
て上側の剛体部8に載置固定されたテーブル13を微動
させることができる。
発明が解決しようとする問題点 しかし、第一の従来例では、構成自体が複雑であるばか
りでなく、バイモルフ形圧電素子1の自由端にU字形金
具5の取付は位置を定めなければならず、その製造に多
大な手間と時間を要する。
一方、第二の従来例では、放射たわみ梁変位機構6の構
成が複雑でありコスト高が懸念されるということや、X
、Y軸方向の2軸回転変位しかできずその他の前進、後
退運動ができないという問題がある。
また、このような従来の装置においては、アクチュエー
タ1,11によりテーブル13等を微動変位させること
はできるが、変位量(発生力)の検出手段を持たないた
め、そのようなテーブル13が何かの固定物にぶつかっ
た場合にアクチュエータ1,11にトラブルが発生する
懸念がある。
問題点を解決するための手段 そこで、このような問題点を解決するために、第一の発
明では、中心部と周辺部とのいずれか一方を支持部とし
他方を作用部とする起歪体を設け。
この起歪体の表面に機械的変形により電気抵抗を変化さ
せる検出素子を備えた検出面が一面に形成された単結晶
基板を接着固定し、この単結晶基板の検出面の反対側に
位置する面にモーメントを発生させるアクチュエータを
取付けた。
第二の発明では、中心部と周辺部とのいずれか一方を支
持部とし他方を作用部とし、これら両者間に機械的変形
により電気抵抗を変化させる検出素子を備えた検出部を
形成し、この検出部よりも中心部と周辺部との剛性を高
くした平板状起歪体を設け、この平板状起歪体の検出部
にモーメントを発生させるアクチュエータを取付けた。
作用 従って、第一の発明から、起歪体の作用部に作用する多
軸力の成分力を単結晶基板上の検出面に形成された検出
素子により検出することができると共に、検出面の反対
側の面に取付けられたアクチュエータにより作用部を多
次元に渡り変位させることができる。従って、このよう
に多軸力の成分力の検出を行う機構と多次元の変位を発
生させる機構とを一体化して構成することにより、それ
ら検出素子により検出された多軸力の成分力をフィード
バック制御して多次元の変位を行わせることができるた
め、これにより、力と変位との関係を精密に管理するこ
とが可能となる。
第二の発明から、平板状起歪体の作用部に作用する多軸
力の成分力をその検出部に形成された検出素子により検
出することができると共に、検出部の一面又は両面に取
付けられたアクチュエータにより作用部を多次元に渡り
変位させることができる。従って、このように多軸力の
成分力の検出を行う機構と多次元の変位を発生させる機
構とを一体化して構成することにより、それら検出素子
により検出された多軸力の成分力をフィードバック制御
して多次元の変位を行わせることができるため、これに
より、力と変位との関係を精密に管理することが可能と
なる。
実施例 まず、第一の発明の第一の実施例を第1図ないし第7図
に基づいて説明する。起歪体14は、Fe−Ni合金等
からなり円板状をなしており。
周辺部が固定用ネジ穴15を備えた支持部16とされ、
中心部は作用部17とされている。この作用部17には
力伝達体18が下方に向けて形成されており、この力伝
達体18の先端には力作用変位部19がネジ結合されて
いる。また、前記作用部17と前記周辺部16との間に
は肉厚の薄い弾性変形面(ダイヤフラム)20が形成さ
れており。
この上部に単結晶基板21が接着固定されている。
前記単結晶基板21は、n−3i(110)基板等より
なるものであり正方形状をなしている。この単結晶基板
21の表面は検出面22とされ、力の成分力(M x 
e M y t F z )を検出するための検出素子
(拡散抵抗)23が形成されている。すなわち、モーメ
ントMx検出用のRx0. Rx、。
RZ3. RX4%モーメントMy検出用のRyl、 
Ry、。
Ry、、 Ry、、力Fz検出用のRzl、 Rz、、
 Rz、。
Rx4. Rz、、 RZ、、 RZ?、 RZ、が、
それぞれ図示しないブリッジ回路を構成しており、これ
によす力の成分力の検出を行っている。これらの検出素
子23は1機械的な変形により電気抵抗の抵抗率が変化
する。いわゆる、ピエゾ抵抗効果を利用したものである
また、前記単結晶基板21の外周部にはポンディングパ
ッド24が設けられており、これらはボンディングワイ
ヤ25を介してリードビン26に接続されており、これ
によりブリッジ回路によって検出した電気信号を外部に
送り、後述するフィードバック制御用の信号として用い
ている。
そして、本発明に係るアクチュエータとしてのピエゾ電
極27は、前記単結晶基板21が接着固定されている前
記ダイヤフラム20の裏面に薄膜(非導電コーティング
)28を介して取付けられており、これらピエゾ電極2
7は、前記検出面22に形成されている前記検出素子2
3に対応した位置に設けられている。また、前記ピエゾ
電極27は、第2図に示すように、ピエゾ素子29の周
囲を回し電極30によって覆った構造となっており、そ
の回し電極30からはアクチュエータ駆動用の2本のリ
ード線31が引き出され入出力信号ピン32に接続され
ている。
なお、前記ピエゾ素子29の材質としてはジルコンチタ
ン酸鉛(P b (T i 、 Z r )Oa )な
どを用いる。また、アクチュエータ用の素子としては前
記ピエゾ素子29の他に、バイメタル素子や。
形状記憶合金+ペルチェ素子等のものを用いることもで
きる。
このような構成において、まず、単結晶基板21の検出
面22に形成されている検出素子23により力の3成分
力(MX、My、Fz)・の検出を行う方法について説
明する。今、力伝達体18に外力が作用すると、起歪体
14のダイヤフラム20が機械的な変形を受け、この変
形により単結晶基板21に応力が発生し、この応力の影
響を受けて検出面22の検出素子23にはピエゾ抵抗効
果により抵抗変化が生じる。これにより、各々のブリッ
ジ回路に電位差が生じ、力の成分力が電気信号となって
検出されることになる。この検出された電気信号は、ボ
ンディングワイヤ25からり一ドピン26を介して外部
回路へ送られ、ピエゾ電極27に変位を発生させるため
の変位発生用信号として処理される。
次に1本発明に係る変位発生用のアクチュエータとして
のピエゾ電極27の働きについて説明する。上述したよ
うに、力の成分力をブリッジ構成された検出素子23に
より検出し、これを電気信号として取り出し外部回路へ
送り、変位を発生させるための変位発生用信号として処
理した後、この変位発生用信号を入出力信号ピン32か
らリード線31を介して、変位発生用のピエゾ電極27
に送る。これにより、ピエゾ素子29が変形し、この変
形によりダイヤフラム20が変形し、これに連れて力伝
達体18に連結された力作用変位部19が変位するわけ
であるが、以下、その具体例について述べる。
まず、その第一の具体例について説明する。これはアク
チュエータとしてのピエゾ電極27を。
第4図に示すように、ダイヤフラム20の外周部分の互
いに直交するx、Y軸線上のa、i)、Q。
dの位置に4個配設した場合の例である。
X軸方向に力変位作用部19を変位させたい場合には、
第5図に示すように、a、bのピエゾ電極25の、どち
らか一方又は両方共に、変位発生用信号を送りアクチュ
エイトさせることによって変位させることができる。こ
の場合、a、bのピエゾ電極27に印加する電圧は、互
いに逆極性のものを印加する。また、Y軸方向に力変位
作用部19を変位させたい場合には、c、dのピエゾ電
極27の、どちらか一方又は両方共に、変位発生用信号
を送りアクチュエイトさせることによって変位させるこ
とができる。この場合にも、c、dのピエゾ電極27に
印加する電圧は、互いに逆極性のものを印加する。さら
に、Z軸方向に力変位作用部19を変位させたい場合に
は、a、bのピエゾ電極27又はc、dのピエゾ電極2
7の、どちらか一方又は両方共に、変位発生用信号を送
りアクチュエイトさせることによって変位させることが
できる。この場合には、a、b、c、dの4個すべてに
同極性の電圧を印加する。
次に、その第二の具体例について説明する。これは、第
一の具体例にさらに4個のピエゾ電極27を追加した場
合の例である。すなわち、第6図に示すように、ピエゾ
電極27は* a # b t C9dの他に、ay 
fe g* hの箇所にも配設する。
これにより、力変位作用部19をX軸方向へ変位させる
場合には、第7図(a)に示すように、aとfのピエゾ
電極27に同極性の電圧を、bとeのピエゾ電極27に
これと逆極性の電圧をそれぞれ印加し、アクチュエイト
させることによって変位させることができる。また、力
変位作用部19をY軸方向へ変位させる場合にも、同様
に、Cとhのピエゾ電極27に同極性の電圧を、dとg
のピエゾ電極27にこれと逆極性の電圧をそれぞれ印加
し、アクチュエイトさせることによって変位させること
ができる。さらに、力変位作用部19を2軸方向へ変位
させる場合には、第7図(b)に示すように、a、b、
c、dのピエゾ電極27に同極性の電圧を、e、f、g
、hのピエゾ電極27にこれとは逆極性の電圧をそれぞ
れ印加することによって変位させることができる。
次に、第一の発明の第二の実施例を第8図に基づいて説
明する。なお、第一の実施例と同一部分については同一
符号を用いる0本実施例は、単結晶基板21の裏面に直
接力伝達体18を接合すると共に、また、その裏面に直
接薄膜を形成し、そこにアクチュエータとしてのピエゾ
電極27を取付けた場合の例である。従って、この場合
には。
力伝達体18に加わった力は、直接、単結晶基板21の
裏面に伝達されることになり、これにより単結晶基板2
1が機械的な変形を受け、検出素子23の抵抗変化が生
じブリッジ回路により電気信号として取り出すことがで
きる。また、この電気信号をもとに、変位発生用信号を
ピエゾ電極27に送り力検出変位部19を変位させる場
合には、前述した第一の実施例と同様な手段により行う
ことができるので、ここでの詳細な説明は省略する。
次に、第二の発明の第一の実施例を第9図ないし第12
図に基づいて説明する。なお、第一の発明と同一部分に
ついては同一符号を用いる。平板状起歪体33はその周
辺部を支持部16とし、その中心部を作用部17として
おり、これら両者間には検出部34が形成されている。
この検出部34には8個の六35を設けることにより形
成された内外周間を連結する8本のアーム36が放射状
に形成されており、このアーム36は幅狭部37とその
拡開部38とよりなっている。なお、前記検出部34よ
りも前記支持部16と前記作用部17との剛性を高くと
っている。
また、前記アーム36とその平板状起歪体33の中心と
を通るx、y、X軸線上には、力の成分力(M x w
 M V * F Z )を検出する検出素子(拡散抵
抗)23が形成されている。すなわち、Y軸線上にはモ
ーメントMx検出用のXユt X21 XatX、、X
軸線上にはモーメントMy検出用のYl。
Y、、Y、、Y4.X、Y軸と45°をなす方向には力
Fz検出用のz、、 z、、 z、、 z、、 zs、
 z、。
2、、2.が、それぞれ図示しないブリッジ回路を構成
しており、これにより力の成分力の検出を行っている。
そして、本発明に係るアクチュエータとしてのピエゾ電
極27は、前記検出部34の裏面に図示しない薄膜(非
導電コーティング)を介して取付けられており、これら
ピエゾ電極27は、前記検出部34の表面に形成されて
いる前記検出素子23に対応した位置に設けられている
。なお、前記ピエゾ電極27の構成は、前述した第一の
実施例(第2図参照)の場合と同じである。
このような構成において、平板状起歪体33の作用部1
7に力が作用すると、アーム36が機械的な変形を受け
、検出部34の表面の検出素子23に応力が加わり抵抗
値が変化する。これにより、その抵抗変化をブリッジ回
路により検出し電気信号として外部回路へ送る。そして
、その電気信号をもとにして力検出変位信号を、検出部
23の裏面に取付けられたピエゾ電極27に送ることに
よって、後述する力作用変位部19を変位させることが
できる。
なお1本実施例においては、検出部34の表面に力の成
分力を検出するための検出素子23を形成させたが、も
し、必要なければこれら検出素子23を形成させること
なく検出部34の裏面側にのみ上述したようなピエゾ電
極27を形成させ、これにより変位のみを行わせるよう
に構成してもよい、また、力作用変位部19を実際に変
位させる方法については後述する。
次に、第二の発明の第二の実施例を第11図及び第12
図に基づいて説明する1本実施例は、アクチュエータと
してのピエゾ電極27を、第一の実施例のように検出部
34の裏面側にのみ形成するだけでなく、これらと対応
した位置の検出部34の表面側にも形成させたものであ
る。そこで。
このように平板状起歪体33の上下両面にピエゾ電極2
7を形成した場合における力作用変位部19を変位させ
る方法を説明する。
具体例として、今、第12図に示すように、検出部34
の裏面側にa、b、c、dのピエゾ電極27を形成し1
表面側に6* fy gy bのピエゾ電極27を形成
した場合における、X軸方向に力作用変位部19を変位
させる方法について考える。
この場合、下面側のaとC1上面側のfとhの4個のピ
エゾ電極27を同極性に印加し、下面側のbとd、上面
側のeとgの4個のピエゾ電極27をこれとは反対極性
に印加することによって、力作用変位部19をX軸方向
に変位させることができる。また、Y軸方向への変位方
法もこれと同様な考え方で行うことができる。さらに、
z軸方向への変位方法としては、下面側のaとd、上面
側のeとhの外周に位置する4個のピエゾ電極27を同
極性に印加し、下面側のbとC1上面側のfとgの内周
に位置する4個のピエゾ電極27をこれとは反対極性に
印加することによって、力作用変位部19を2軸方向に
変位させることができる。
上述したように、第一の発明では、単結晶基板21の検
出面22上の検出素子23により力の成分力を検出し、
この検出された信号を検出面22の裏面側に取付けられ
たアクチュエータとしてのピエゾ電極27に送りアクチ
ュエイトさせることによって、力検出作用部19をx、
y、z軸方向に変位させることができる。また、第二の
発明では、平板状起歪体33の検出部34に形成された
検出素子23により力の成分力を検出し、この検出され
た信号を検出部34の裏面側(ただし、検出部34の表
面にも形成させた場合にはその表面側も含む)に取付け
られたアクチュエータとしてのピエゾ電極27に送りア
クチュエイトさせることによって、力検出作用部19を
x、y、z軸方向に変位させることができる。
発明の効果 第一の発明では、中心部と周辺部とのいずれか一方を支
持部とし他方を作用部とする起歪体を設け、この起歪体
の表面に機械的変形により電気抵抗を変化させる検出素
子を備えた検出面が一面に形成された単結晶基板を接着
固定し、この単結晶基板の検出面の反対側に位置する面
にモーメントを発生させるアクチュエータを取付けたの
で、起歪体の作用部に作用する多軸力の成分力を単結晶
基板上の検出面に形成された検出素子により検出するこ
とができると共に、検出面の反対側の面に取付けられた
アクチュエータにより作用部を多次元に渡り変位させる
ことができる。従って、このように多軸力の成分力の検
出を行う機構と多次元の変位を発生させる機構とを一体
化して構成することにより、それら検出素子により検出
された多軸力の成分力をフィードバック制御して多次元
の変位を行わせることができるため、これにより。
力と変位との関係を精密に管理することが可能となるも
のである。
第二の発明では、中心部と周辺部とのいずれか一方を支
持部とし他方を作用部とし、これら両者間に機械的変形
により電気抵抗を変化させる検出素子を備えた検出部を
形成し、この検出部よりも中心部と周辺部との剛性を高
くした平板状起歪体を設け、この平板状起歪体の検出部
にモーメントを発生させるアクチュエータを取付けたの
で、平板状起歪体の作用部に作用する多軸力の成分力を
その検出部に形成された検出素子により検出することが
できると共に、検出部の一面又は両面に取付けられたア
クチュエータにより作用部を多次元に渡り変位させるこ
とができる。従って、このように多軸力の成分力の検出
を行う機構と多次元の変位を発生させる機構とを一体化
して構成することにより、それら検出素子により検出さ
れた多軸力の成分力をフィードバック制御して多次元の
変位を行わせることができるため、これにより、力と変
位との関係を精密に管理することが可能となるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は第一の発明の第一の実施例を示す縦断側面図、
第2図はそのピエゾ電極の略側面図、第3図は第1図の
平面図、第4図はアクチュエータを4個用いて配設した
場合の様子を示す説明図。 第5図はそのアクチュエータの動作状態を示す説明図、
第6図はアクチュエータを8個用いて配設した場合の様
子を示す説明図、第7図(a)(b)はそのアクチュエ
ータの動作状態を示す説明図、第8図は第一の発明の第
二の実施例を示す縦断側面図、第9図は第二の発明の第
一の実施例を示す平面図、第10図はそのアクチュエー
タを片面のみに配設した場合の様子を示す縦断側面図、
第11図は第二の発明の第二の実施例を示す縦断側面図
。 第12図はそのアクチュエータの動作状態を示す説明図
、第13図は第一の従来例を示す一部を切り欠いた斜視
図、第14図は第二の従来例を示す斜視図、第15図(
a)(b)はそのアクチュエータの動作状態を示す説明
図である。 14・・・起歪体、16・・・支持部、17・・・作用
部。 21・・・単結晶基板、22・・・検出面、23・・・
検出素子、27・・・アクチュエータ、33・・・平板
状起歪体、34・・・検出部 出 願 人    株式会社 リ コ −J3  d図 、%、ILL図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、中心部と周辺部とのいずれか一方を支持部とし他方
    を作用部とする起歪体を設け、この起歪体の表面に機械
    的変形により電気抵抗を変化させる検出素子を備えた検
    出面が一面に形成された単結晶基板を接着固定し、この
    単結晶基板の前記検出面の反対側に位置する面にモーメ
    ントを発生させるアクチュエータを取付けたことを特徴
    とする力検出位置変位装置。 2、中心部と周辺部とのいずれか一方を支持部とし他方
    を作用部とし、これら両者間に機械的変形により電気抵
    抗を変化させる検出素子を備えた検出部を形成し、この
    検出部よりも前記中心部と前記周辺部との剛性を高くし
    た平板状起歪体を設け、この平板状起歪体の前記検出部
    にモーメントを発生させるアクチュエータを取付けたこ
    とを特徴とする力検出位置変位装置。
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