JPH0128541B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0128541B2
JPH0128541B2 JP55105023A JP10502380A JPH0128541B2 JP H0128541 B2 JPH0128541 B2 JP H0128541B2 JP 55105023 A JP55105023 A JP 55105023A JP 10502380 A JP10502380 A JP 10502380A JP H0128541 B2 JPH0128541 B2 JP H0128541B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switch
cathode
semiconductor switching
control electrode
control
Prior art date
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Expired
Application number
JP55105023A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5731176A (en
Inventor
Yoshio Terasawa
Kenichi Onda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5731176A publication Critical patent/JPS5731176A/ja
Publication of JPH0128541B2 publication Critical patent/JPH0128541B2/ja
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Classifications

    • H01L29/74—

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ゲート・ターンオフサイリスタ（以
下GTOと略称）や静電誘導サイリスタ（以下SI
サイリスタと略称）等の半導体スイツチング素子
の制御方法に関するものである。
GTOとは、例えばpnpnの４層からなる半導体
基体と、外側のｐ層に設けられた陽極と、外側の
ｎ層に設けられた陰極と、中間のｐ層に設けられ
た制御電極とを具備し、陰極と制御電極との間に
所定の極性のバイアス電圧を印加することによつ
て陽極と陰極間に流れる主電流をしや断しあるい
は通電させる機能を有する半導体スイツチング素
子として知られている。また、SIサイリスタと
は、例えば半導体基体が一方の主面に隣接するｐ
層と、ｐ層及び他方の主面に隣接するｎ層と、他
方の主面からｎ層内に延びるｎ層より高不純物濃
度を有するn+層と、他方の主面からｎ層内にn+
層より深く延びかつn+層の側方を包囲するｐゲ
ート層とを有し、ｐ層に陽極が設けられ、n+層
に陰極が設けられ、ｐゲート層に制御電極が設け
られた構成となつていて、陰極と制御電極との間
に所定のバイアス電圧を印加すれば陽極と陰極間
がしや断状態に、バイアス電圧を除去すると通電
状態に移行する機能を有する半導体スイツチング
素子として知られている。
第１図に、ターンオフ用ゲート電源EGを用い
て、半導体スイツチング素子SM（SIサイリスタ或
はGTO）をターンオンするための一方法を示す。
ESは主電源、RLは負荷、SGは制御用のSIサイリ
スタ、Ｌはリアクトル、RSは電流制限用抵抗で
ある。SGのゲート・カソード（Ｇ−Ｋ）間の電圧
vG

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 陽極、陰極および制御電極を有し陰極と制御
    電極間に所定のバイアス電圧を印加することによ
    り陽極と陰極間に流れる主電流をしや断しあるい
    は通電させる機能を有する半導体スイツチング素
    子の上記陰極・制御電極間に、リアクトルおよび
    制御端子を有し該制御端子に電流を通電すること
    により閉じられる第１の開閉器を直列に接続して
    なる第１の回路と、制御用電源および第２の開閉
    器を直列に接続してなる第２の回路をそれぞれ接
    続し、更に上記リアクトルの上記第１の開閉器と
    反対側の端子と上記第１の開閉器の制御端子との
    間に上記第１の開閉器の制御端子に向う方向のみ
    に電流が通電されるようにダイオードと抵抗の直
    列回路を接続し、上記第１の開閉器を開き第２の
    開閉器を閉じることにより上記制御用電源電圧を
    半導体スイツチング素子の陰極・制御電極に印加
    して半導体スイツチング素子をしや断状態にし、
    予め第１および第２の開閉器を一定時間閉じて上
    記リアクトルに電気エネルギーを蓄えた後第２の
    開閉器を開き第１の開閉器を閉じて上記リアクト
    ルに蓄えられた電気エネルギーを半導体スイツチ
    ング素子の陰極・制御電極間および上記第１の開
    閉器の制御部に印加して半導体スイツチング素子
    を導通状態にすることを特徴とする半導体スイツ
    チング素子の制御方法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、上記第１の
    開閉器がトランジスタであり、第２の開閉器が静
    電誘導サイリスタであることを特徴とする半導体
    スイツチング素子の制御方法。
JP10502380A 1980-08-01 1980-08-01 Controlling method of semiconductor switching element Granted JPS5731176A (en)

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JP10502380A JPS5731176A (en) 1980-08-01 1980-08-01 Controlling method of semiconductor switching element

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Publication Number Publication Date
JPS5731176A JPS5731176A (en) 1982-02-19
JPH0128541B2 true JPH0128541B2 (ja) 1989-06-02

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63122270A (ja) * 1986-11-12 1988-05-26 Toshiba Components Kk サイリスタ

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JPS5731176A (en) 1982-02-19

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