JPH0128378B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0128378B2
JPH0128378B2 JP15485079A JP15485079A JPH0128378B2 JP H0128378 B2 JPH0128378 B2 JP H0128378B2 JP 15485079 A JP15485079 A JP 15485079A JP 15485079 A JP15485079 A JP 15485079A JP H0128378 B2 JPH0128378 B2 JP H0128378B2
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JP
Japan
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layer
image
patterned
polarization
electrode
Prior art date
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Expired
Application number
JP15485079A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS5677857A (en
Inventor
Shunichi Ishihara
Nobuo Kitajima
Juji Nishigaki
Nobuko Kitahara
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP15485079A priority Critical patent/JPS5677857A/en
Publication of JPS5677857A publication Critical patent/JPS5677857A/en
Publication of JPH0128378B2 publication Critical patent/JPH0128378B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は像形成方法、特には光導電層の抵抗変
化層による分配電圧の差を利用して分極パターン
を形成するための像形成方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an image forming method, and more particularly to an image forming method for forming a polarization pattern using a difference in voltage distribution between variable resistance layers of a photoconductive layer.

従来、電気的手法による像形成部材として電子
写真感光体が利用されている。最も一般的な電子
写真プロセス、即ち、帯電し、画像露光を行つて
静電像を形成するプロセスに用いられる感光体の
代表的な構成は、支持体上に光導電層が形成され
ているものである。静電像は、一般にコロナ放電
により感光体表面を帯電し、次いで画像露光によ
り露光部の帯電電荷を選択的に消失させて形成さ
れるものである。この静電像は、静電像に対して
反対極性の電荷に帯電されているトナーで現像さ
れ、転写紙に転写される。このような電子写真プ
ロセスにおいては、コロナ帯電を行うためのワイ
ヤーやシールドケース、また、コロナ放電を生ぜ
しめるための高電圧を必要とするため、装置のコ
ンパクト化が困難であることが指摘される。
Conventionally, an electrophotographic photoreceptor has been used as an image forming member using an electrical method. A typical configuration of a photoreceptor used in the most common electrophotographic process, that is, a process in which an electrostatic image is formed by charging and imagewise exposure, is one in which a photoconductive layer is formed on a support. It is. An electrostatic image is generally formed by charging the surface of a photoreceptor by corona discharge, and then selectively dissipating the charges in the exposed areas by imagewise exposure. This electrostatic image is developed with toner charged with a polarity opposite to that of the electrostatic image, and is transferred onto transfer paper. It has been pointed out that this type of electrophotographic process requires wires and shield cases to perform corona charging, as well as high voltage to generate corona discharge, making it difficult to make the equipment more compact. .

一方、従来知られている電子写真感光体として
装置のコンパクト化が容易なものも提案されてい
る。その代表的なものとして、特開昭48−68238
号公報、特開昭51−150342号公報、特開昭53−
1027号公報、特開昭54−61534号公報および特開
昭54−61537号公報などに開示されている感光体
が挙げられる。これらの感光体はコロナ帯電を必
要としないで、荷電トナーによる現象が可能な電
位像を形成できるものである。電極が設けられて
いる光導電層に電圧を印加して画像露光を行うこ
とにより、印加されている電圧について露光部と
未露光部とにおいて、分配電圧の差を生ぜしめる
ことによつて電位像を形成するものである。しか
しながら、この電位像を形成するプロセスにおい
ては、光導電層の抵抗変化によつて感光体表面に
おける電圧変化を生じさせるものであり、これに
よつて現像可能な電位像を形成するものであるか
ら、感光体に対する電圧印加、画像露光および現
像処理を同時に行う必要があり、プロセス上また
は装置化の上での制約が伴う。
On the other hand, conventionally known electrophotographic photoreceptors that can be easily made compact have also been proposed. As a representative example, JP-A No. 48-68238
Publication No. 150342, Japanese Patent Publication No. 150342, Japanese Patent Publication No. 1983-1503-
Examples include photoreceptors disclosed in JP-A No. 1027, JP-A-54-61534, and JP-A-54-61537. These photoreceptors do not require corona charging and are capable of forming potential images that can be produced by charged toner. Image exposure is performed by applying a voltage to the photoconductive layer on which electrodes are provided, and a potential image is created by creating a difference in distributed voltage between exposed and unexposed areas with respect to the applied voltage. It forms the However, in the process of forming this potential image, a change in the resistance of the photoconductive layer causes a voltage change on the surface of the photoreceptor, thereby forming a developable potential image. , it is necessary to apply voltage to the photoreceptor, image exposure, and development processing at the same time, which entails restrictions in terms of process or equipment.

而して本発明は、このような制約のない、即
ち、画像露光と現像を順次に行うことができる像
形成方法を提供することを主たる目的とする。
The main object of the present invention is to provide an image forming method that is free from such restrictions, that is, image exposure and development can be performed sequentially.

また、本発明は原画像に対応する保存可能な分
極パターンの形成方法を提供することを他の目的
とする。
Another object of the present invention is to provide a method for forming a storable polarization pattern corresponding to an original image.

本発明による像形成方法は、導電層上に、パタ
ーン電極、該パターン電極を覆うパターン状絶縁
層およびパターン状不透明層を備えた光導電層を
有し、該光導電層上には分極層を有し、該分極層
上には不連続な多数の孤立導電体が設けられてお
り、パターン電極、パターン状絶縁層およびパタ
ーン状不透明層は孤立導電体に対応して配置され
ており、分極層の下にはパターン電極と光導電層
とが接して設けられており、パターン電極は導電
層側に設けられたパターン状不透明層により覆わ
れており、一方孤立導電体はパターン状不透明層
に一部覆われていない像形成部材に対し、パター
ン電極と導電層に電圧を印加した状態で導電層側
から画像露光を行ない露光部と非露光部とにおけ
る分極状態を異ならしめて原画像に対する分極像
を形成し、画像露光後、パターン電極と導電層に
電圧を印加して分極像に対応した電位像を孤立導
電体面に形成するものである。
The image forming method according to the present invention has a photoconductive layer provided with a patterned electrode, a patterned insulating layer covering the patterned electrode, and a patterned opaque layer on a conductive layer, and a polarized layer is provided on the photoconductive layer. A large number of discontinuous isolated conductors are provided on the polarized layer, and a patterned electrode, a patterned insulating layer, and a patterned opaque layer are arranged corresponding to the isolated conductors, and the polarized layer A patterned electrode and a photoconductive layer are provided below in contact with each other, and the patterned electrode is covered with a patterned opaque layer provided on the conductive layer side, while an isolated conductor is covered with the patterned opaque layer. Image exposure is performed from the conductive layer side with a voltage applied to the patterned electrode and the conductive layer for the image forming member whose portion is not covered, and the polarization state in the exposed area and the non-exposed area is made different to form a polarization image with respect to the original image. After image exposure, a voltage is applied to the patterned electrode and the conductive layer to form a potential image corresponding to the polarization image on the surface of the isolated conductor.

本発明による像形成方法に用いる像形成部材の
代表的な構成は第1図に示される。第1図の像形
成部材は透明支持体1上に透明導電層2が積層さ
れており、さらに、パターン状不透明層3が形成
され、3の上に光導電層4、パターン状絶縁層6
およびパターン電極5があり、さらにその上に不
連続の孤立導電体8を表面に有する分極層7が形
成されているものである。透明支持体としては合
成樹脂のフイルム又はシート、又はガラス、セラ
ミツク等から形成される。透明導電層は例えば、
支持体がガラスであれば、In2O3,SnO2等でその
表面が導電処理され、或いは支持体がポリイミド
フイルム等の合成樹脂フイルムであれば、Al,
Ag,Pb,Zn,Ni,Au,Cr,Mo,Ir,Nb,
Ta,V,Ti,Pt等の金属を以つて真空蒸着、電
子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理して形成
される。パターン状不透明層は画像露光の際像形
成部材露光部において透明導電層とパターン電極
が低抵抗状態になつた光導電層によつて接続状態
になるのを防止するために設けられるものであ
り、パターン電極に対応する位置に形成されるも
のである。パターン状不透明層は例えば、C,
Cr,Ag,Au,Al,Ni,Feあるいはゼラチンに
黒色の顔料をとかしこんだものなどの材料を用い
て、フオトエツチング法、マスク蒸着法などによ
り形成される。光導電層は、S,Se,Si,PbO、
及びS,Se,Te,As,Sb等を有した合金や金属
間化合物等の無機光導電材料を真空蒸着して形成
される。またスパツタリング法による場合、Si,
ZnO,OdS,CdSe,TiO2等の高融点の光導電物
質を支持体に付着させて光導電層とすることもで
きる。また塗布により光導電層を形層する場合、
ポリビニルカルバゾール、アントラセン、フタロ
シアニン等の有機光導電材料、及びこれらの色素
増感やルイス酸増感したもの、さらにこれらの絶
縁性バインダーとの混合物を用い得る。また
ZnO,CdS,TiO2,PbO等の無機光導電体の絶
縁性バインダーとの混合物も適する。なお絶縁性
のバインダーとしては、各種樹脂が用いられる。
第2図は、第1図の像保持部材から孤立導電体8
および分極層7を除去して見た像保持部材の平面
図であり、パターン電極5の形状を示している。
即ち、パターン電極5はストライプ状になつてお
り、また、光導電層4もストライプ状に露出して
いる。また、パターン状絶縁層6もパターン電極
5を挾んでストライプ状になつている。パターン
電極は、例えば、Cr,Ni,Fe,Al,Au,Ag,
PdおよびCなどにより形成される。絶縁層は、
例えば、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、シリコ
ーン樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリパラキシリレン
樹脂、ポリエチレン樹脂、ウレタン樹脂、アクリ
ル樹脂などにより形成される。分極層は常態での
分極方向は同じになつていないがミクロ的には分
極状態にある強誘電材料、または常態では分極状
態になつていないが電界又は電界と光を加えるこ
とにより分極状態になり電界又は電界と光を除去
した後でも分極状態を持続する持続分極性材料か
ら形成されるものである。強誘電材料としては、
BaTiO3,PLZT(PbxLa1-x)(Zry Ti1-y)O3(た
だし、Ox,y1)、ボラサイト化合物
Me3B7O13X,Me:2価の金属X:ハロゲン原
子、モリブデン酸カドニウムGd2(MoO43、ニオ
ブ酸バリウムナトリウム(Ba2NaNb5O15)、ニオ
ブ酸リチウムLiNbO3、タリウム酸リチウム
LiTaO3、タリウム酸カリウムKTaO3などが用い
られる。持続性分極性物質としては、ZnS,
CdS,ZnO,ZnxCd1-xS(但し、0<x<1)、
CdSe、などが用いられる。孤立導電体は、不連
続な島状導電体であり、形成する画像の画素とな
る重要な導電体である。孤立電極の形状は、第3
図の平面図に示されるように、孤立された四角形
になつている。孤立導電体は種々の方法により形
成されるが、その代表的な製法は、蒸着とホトレ
ジストを用いた化学エツチングによる方法であ
る。この方法による場合は、自発分極層の表面に
まず孤立導電体を形成する材料、例えば、In2O3
SnO2等の金属酸化物、Al,Ag,Pb,Zn,Ni,
Au,Cr,Mo,In,Nb,Ta,U,Ti,Pt等の
各種金属を自発分極層上に蒸着、電子ビーム蒸
着、スパツタリング蒸着等によつて層に形成され
る。次いでホトレジストを用いて島状のマスキン
グパターンを形成し、次いで酸又はアルカリ等の
所定のエツチング液を用いてIn2O3等の層を選択
的にエツチング除去した後、ホトレジストのマス
キングパターンを除去して孤立導電体を形成でき
る。ホトレジストとしては、従来一般に使用され
る物質を任意に使用できる。例えば、市販のもの
として、商品名:KPR(Kodak photo Resist、
コダツク製……現像液:メチレンクロライド、ト
リクレン等)、商品名:KMER(Kodak Metal
Etch Resist、コダツク製……現像液:キシレン、
トリクレン等)、商品名:TPR(東京応化製……
現像液:キシレン、トリクレン等)、商品名:シ
ツプレーAZ1300(シツプレー製……現像液:アル
カリ水溶液)、商品名:KTFR(Kodak Thin
Film Resist、コダツク製……現像液:キシレ
ン、トリクレン等)、商品名:FNRR(富士薬品
工業……現像液:クロロセン)、商品名:FPER
(Fuji Photo Etching Resist、富士写真フイル
ム製……現像液:トリクレン)、商品名:TESH
DOOL(岡本化学工業製……現像液:水)、および
商品名:フジレジスト7(富士薬品工業製……現
像液:水)等がある。尚、マスクの使用後、マス
クの除去はトリクレン、メチレンクロライド、商
品名:AZリムーバー(シツプレー製)、硫酸等が
用いられる。
A typical configuration of an image forming member used in the image forming method according to the present invention is shown in FIG. In the image forming member shown in FIG. 1, a transparent conductive layer 2 is laminated on a transparent support 1, and a patterned opaque layer 3 is further formed, on which a photoconductive layer 4 and a patterned insulating layer 6 are formed.
and a patterned electrode 5, on which a polarized layer 7 having discontinuous isolated conductors 8 on its surface is formed. The transparent support is formed from a synthetic resin film or sheet, glass, ceramic, or the like. For example, the transparent conductive layer is
If the support is glass, its surface is conductive treated with In 2 O 3 or SnO 2 , or if the support is a synthetic resin film such as polyimide film, Al,
Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb,
It is formed using metals such as Ta, V, Ti, Pt, etc. by vacuum evaporation, electron beam evaporation, sputtering, etc. The patterned opaque layer is provided to prevent the transparent conductive layer and the patterned electrode from being connected to each other in the exposed portion of the image forming member during image exposure by the photoconductive layer in a low resistance state, It is formed at a position corresponding to the pattern electrode. The patterned opaque layer is made of, for example, C,
It is formed using materials such as Cr, Ag, Au, Al, Ni, Fe, or gelatin mixed with black pigment by photo etching, mask vapor deposition, etc. The photoconductive layer is made of S, Se, Si, PbO,
It is formed by vacuum deposition of an inorganic photoconductive material such as an alloy or intermetallic compound containing S, Se, Te, As, Sb, etc. In addition, when using the sputtering method, Si,
A photoconductive layer can also be formed by depositing a high melting point photoconductive substance such as ZnO, OdS, CdSe, TiO 2 on the support. In addition, when forming a photoconductive layer by coating,
Organic photoconductive materials such as polyvinylcarbazole, anthracene, and phthalocyanine, dye-sensitized or Lewis acid-sensitized versions of these materials, and mixtures thereof with insulating binders can be used. Also
Mixtures of inorganic photoconductors such as ZnO, CdS, TiO 2 , PbO, etc. with insulating binders are also suitable. Note that various resins are used as the insulating binder.
FIG. 2 shows an isolated conductor 8 from the image holding member of FIG.
2 is a plan view of the image holding member with the polarized layer 7 removed, showing the shape of the patterned electrode 5. FIG.
That is, the pattern electrode 5 has a stripe shape, and the photoconductive layer 4 is also exposed in a stripe shape. Further, the patterned insulating layer 6 also has a striped shape sandwiching the patterned electrode 5. The pattern electrode is made of, for example, Cr, Ni, Fe, Al, Au, Ag,
It is formed from Pd, C, etc. The insulation layer is
For example, it is formed from epoxy resin, vinyl chloride resin, silicone resin, vinyl acetate resin, polyparaxylylene resin, polyethylene resin, urethane resin, acrylic resin, etc. A polarized layer is a ferroelectric material whose polarization direction is not the same under normal conditions but is microscopically polarized, or which is not polarized under normal conditions but becomes polarized by applying an electric field or an electric field and light. It is formed from a persistently polarizable material that maintains its polarized state even after the electric field or electric field and light are removed. As a ferroelectric material,
BaTiO 3 , PLZT (PbxLa 1-x ) (Zry Ti 1-y ) O 3 (Ox, y1), Borasite compound
Me 3 B 7 O 13 X , Me : Divalent metal lithium acid
LiTaO 3 , potassium thallate KTaO 3 and the like are used. As persistent polarizable substances, ZnS,
CdS, ZnO, ZnxCd 1-x S (however, 0<x<1),
CdSe, etc. are used. An isolated conductor is a discontinuous island-shaped conductor, and is an important conductor that becomes a pixel of an image to be formed. The shape of the isolated electrode is
As shown in the plan view of the figure, it is an isolated rectangle. The isolated conductor can be formed by various methods, but the typical manufacturing method is vapor deposition and chemical etching using photoresist. In this method, a material that forms an isolated conductor on the surface of the spontaneously polarized layer, such as In 2 O 3 ,
Metal oxides such as SnO 2 , Al, Ag, Pb, Zn, Ni,
Various metals such as Au, Cr, Mo, In, Nb, Ta, U, Ti, and Pt are formed into layers on the spontaneous polarization layer by evaporation, electron beam evaporation, sputtering evaporation, or the like. Next, an island-shaped masking pattern is formed using a photoresist, and then a layer such as In 2 O 3 is selectively etched away using a predetermined etching solution such as acid or alkali, and then the masking pattern of the photoresist is removed. can form an isolated conductor. As the photoresist, any conventionally commonly used materials can be used. For example, as a commercially available product, product name: KPR (Kodak photo resist,
Manufactured by Kodak...Developer: methylene chloride, trichlene, etc.), product name: KMER (Kodak Metal
Etch Resist, made by Kodatsuku...Developer: xylene,
Triclean, etc.), Product name: TPR (manufactured by Tokyo Ohka...
Developer: xylene, trichlene, etc.), Product name: Situpre AZ1300 (manufactured by Situpre...Developer: alkaline aqueous solution), Product name: KTFR (Kodak Thin
Film Resist, manufactured by Kodatsu...Developer: xylene, trichlene, etc.), Product name: FNRR (Fuji Pharmaceutical...Developer: Chlorocene), Product name: FPER
(Fuji Photo Etching Resist, manufactured by Fuji Photo Film...Developer: Triclean), Product name: TESH
DOOL (manufactured by Okamoto Chemical Co., Ltd., developer: water), and product name: Fujiresist 7 (manufactured by Fuji Pharmaceutical Co., Ltd., developer: water). After use, the mask can be removed using triclene, methylene chloride, AZ Remover (trade name, manufactured by Shippray), sulfuric acid, or the like.

孤立導電体の形成は、島状の開口部を有するマ
スクを介して孤立導電体形成材料を分極層上に蒸
着した後、マスクを除去することによつても形成
できる。
The isolated conductor can also be formed by depositing an isolated conductor-forming material on the polarized layer through a mask having an island-shaped opening, and then removing the mask.

像形成部材の各構成部の大きさは適宜設定され
るものであるが、一般的には次のようである。光
導電層の厚さは1μ〜100μ、パターン電極のスト
ライプ幅は1μ〜50μ、分極層の厚さは5〜500μ、
および孤立導電体の1つの面積は、1μ2〜0.1mm2
適当である。
The size of each component of the image forming member is determined as appropriate, but is generally as follows. The thickness of the photoconductive layer is 1μ to 100μ, the stripe width of the pattern electrode is 1μ to 50μ, the thickness of the polarization layer is 5 to 500μ,
The area of one isolated conductor is suitably 1 μ 2 to 0.1 mm 2 .

第1図に示される像形成部材を用いて像を形成
する代表的な方法は、第4図〜第6図に示され
る。まず、第4図に示されるように、透明導電層
2とパターン電極5との間に電圧9を印加する。
この電圧の大きさは暗所、即ち、光導電層が低抵
抗化しない状態では分極層7の分極状態を変えな
い程度のものに設定される。このような電圧印加
状態下で、第5図に示されるように画像露光を行
う。原画像10は暗部11と明部12を有してお
り、光照射13を行うことにより、明部12を透
過した光がパターン状不透明層3の間14を透過
し、この部分の光導電層4を低抵抗化する。その
結果、露光部においては、電圧9が殆んど分極層
に印加されることになり、分極層の抗電場を越え
分極状態は矢印15および16に示される状態に
指向性をもつようになり、原画像に対応する分極
像が形成される。次に、第6図に示されるよう
に、自発分極層の抗電場(分極の向きを変えるに
必要な最小の電場)より小さい電圧17を印加す
る。ここにおいて分極層上印加される電圧をE、
分極層にかかる電荷密度をD、分極層の誘電率を
ε、分極の大きさをPとすると、 非露光部においては、 D=εE 露光部においては D=εE+P となる。従つて、孤立導電体の電荷量は露光部と
非露光部とではPだけ異なる。また、このときの
分極層の実効的な容量CFは、 CF=∂D/∂V で表わされる。Vは電圧17の大きさである。D
は露光部の方が大きいので分極層の非露光部の容
量CFDと露光部の容量CFLとでは、 CFD<CFL である。
A typical method of forming an image using the imaging member shown in FIG. 1 is illustrated in FIGS. 4-6. First, as shown in FIG. 4, a voltage 9 is applied between the transparent conductive layer 2 and the patterned electrode 5.
The magnitude of this voltage is set to a value that does not change the polarization state of the polarization layer 7 in a dark place, that is, in a state where the photoconductive layer does not have a low resistance. Under such voltage application conditions, image exposure is performed as shown in FIG. The original image 10 has a dark area 11 and a bright area 12, and by performing light irradiation 13, the light that has passed through the bright area 12 is transmitted between the patterned opaque layers 3 14, and the photoconductive layer in this area is 4 to lower resistance. As a result, in the exposed area, most of the voltage 9 is applied to the polarized layer, which exceeds the coercive electric field of the polarized layer and the polarized state becomes directional as shown by arrows 15 and 16. , a polarization image corresponding to the original image is formed. Next, as shown in FIG. 6, a voltage 17 smaller than the coercive electric field of the spontaneously polarized layer (the minimum electric field necessary to change the direction of polarization) is applied. Here, the voltage applied on the polarized layer is E,
If the charge density applied to the polarized layer is D, the dielectric constant of the polarized layer is ε, and the magnitude of polarization is P, then in the non-exposed area D=εE and in the exposed area D=εE+P. Therefore, the amount of charge on the isolated conductor differs by P between the exposed portion and the non-exposed portion. Further, the effective capacitance C F of the polarized layer at this time is expressed as C F = ∂D/∂V. V is the magnitude of voltage 17. D
Since the exposed part is larger, the capacitance C FD of the non-exposed part of the polarized layer and the capacitance C FL of the exposed part are C FD <C FL .

また、孤立導電体の電位をVO、光導電層の容
量をCPとすると、VOは、 VO=CF/CF+CPV で与えられる。ところで、CFD<CFLであるから、
孤立導電体の非露光部における電位VODと露光部
における電位VOLは、 VOD<VOL となつて、原画像に対応する電位像が形成され
る。そこで、第6図に示される状態で通常の電子
写真用現像剤を付与することによつて、現像剤に
荷電されている電荷の極性により非露光部又は露
光部の孤立導電体に選択的に現像剤が付着して可
視像が形成され、必要に応じてこれは転写紙等に
転写され定着される。第5図に示されるようにし
て画像露光された後は画像が分極層の分極状態の
変化として記憶されており、第6図に示されるよ
うに電圧を印加して電位像を形成し、これを現像
する処理は画像露光後、任意の時間の経過後(例
えば24時間後)において実施することができる。
Further, when the potential of the isolated conductor is V O and the capacitance of the photoconductive layer is C P , V O is given by V O =C F /C F +C P V . By the way, since C FD < C FL ,
The potential V OD in the non-exposed part of the isolated conductor and the potential V OL in the exposed part satisfy V OD <V OL , and a potential image corresponding to the original image is formed. Therefore, by applying an ordinary electrophotographic developer in the state shown in FIG. The developer adheres to form a visible image, which is transferred and fixed onto transfer paper or the like as required. After image exposure as shown in Figure 5, the image is stored as a change in the polarization state of the polarized layer, and as shown in Figure 6, a voltage is applied to form a potential image. The processing for developing can be carried out after an arbitrary period of time (for example, 24 hours) after image exposure.

本発明による像形成方法の典型的なプロセスは
以上説明した通りであるが、さらに、他の態様を
とり得るものである。例えば、像保持部材に印加
する電圧の極性は任意に選択することができる、
特に、第6図に示される現像時における電圧の極
性および大きさは孤立導電体における電位につい
て露光部との非露光部との間で必要な差を生ずる
ように適宜定められてよいものである。
The typical process of the image forming method according to the present invention has been described above, but other embodiments are also possible. For example, the polarity of the voltage applied to the image holding member can be arbitrarily selected.
In particular, the polarity and magnitude of the voltage during development shown in FIG. 6 may be determined as appropriate so as to produce the necessary difference in potential between the exposed and non-exposed areas in the isolated conductor. .

本発明による像形成部材についても第1図に示
される構成の他、さらに他の構成態様をとり得る
ものである。なお、第1図におけるパターン状絶
縁層6およびパターン状不透明層は、いずれも画
像露光の際、パターン電極と透明電極とが低抵抗
化した光導電層によつて接続された状態になるの
を防止するためのパターン部材である。また、孤
立導電体の形状は円形、三角形等任意に定めるこ
とができる。また、パターン電極、パターン状絶
縁層およびパターン状不透明層等についても、ド
ツト状、網目状、くし型状など、任意の形状にす
ることができる。また、画像露光を孤立導電体側
からする場合には透明支持体および透明導電層は
透明でなくともよい。支持体は必要に応じて省略
されてもよい。
The image forming member according to the present invention may also have other configurations in addition to the configuration shown in FIG. 1. Note that both the patterned insulating layer 6 and the patterned opaque layer in FIG. This is a pattern member for preventing this. Further, the shape of the isolated conductor can be arbitrarily determined, such as circular or triangular. Furthermore, the patterned electrodes, patterned insulating layer, patterned opaque layer, etc. can also be formed into arbitrary shapes such as dots, meshes, and combs. Furthermore, when image exposure is performed from the side of the isolated conductor, the transparent support and the transparent conductive layer do not need to be transparent. The support may be omitted if necessary.

実施例 透明のガラス基体上にIn2O3を1000Å程度電子
ビーム蒸着を行ない、その後酸素ガス雰囲気中で
熱処理を行ない透明導電層を作成する。その上に
マスクをかさねてCrを500Å程度電子ビームで蒸
着し、30μの巾で、間隔10μの帯状のパターン状
不透明層を形成した。その上に0.1TorrのH2ガス
雰囲気中で1MHzの高周波グロー放電により光導
電層として約5μの厚さの非晶質Si膜を形成した。
その上に紫外線硬化性のウレタン・アクリル樹脂
を約5μの厚さで塗布し、マスク法によりパター
ン状不透明層の存在する部分に対応する部分の樹
脂層のみを紫外線照射し硬化させ、未露光部をメ
チルエチルケトン溶剤でとり除き、パターン状絶
縁層を形成した。その上にマスクをして約10μの
巾で30μの間隔の第2図に示されるような帯状の
パターン電極を抵抗加熱法によりAlの真空蒸着
で500Å厚に形成する。その上にBaTiO3の粉末
を電子ビーム加熱により真空蒸着法で約10μの厚
さの分極層を形成した。その上に第3図に示され
るようなパターン構造をしたマスクを重ね、抵抗
加熱によりAlを真空蒸着し、約1500Å厚(面積
a×a=30μ×30μ,b=10μ)Alの孤立導電体を
形成した。
EXAMPLE In 2 O 3 is electron beam evaporated to a thickness of about 1000 Å on a transparent glass substrate, and then heat treated in an oxygen gas atmosphere to form a transparent conductive layer. A mask was placed on top of the layer and Cr was evaporated to a thickness of about 500 Å using an electron beam to form a band-shaped opaque layer with a width of 30 μm and an interval of 10 μm. On top of this, an amorphous Si film with a thickness of about 5 μm was formed as a photoconductive layer by high-frequency glow discharge at 1 MHz in a H 2 gas atmosphere of 0.1 Torr.
On top of that, UV-curable urethane/acrylic resin is applied to a thickness of approximately 5 μm, and only the resin layer corresponding to the patterned opaque layer is irradiated with UV rays and cured using a masking method, and the unexposed areas are cured. was removed using methyl ethyl ketone solvent to form a patterned insulating layer. Using a mask, band-shaped patterned electrodes as shown in FIG. 2 with a width of about 10 .mu.m and an interval of 30 .mu.m as shown in FIG. 2 are formed thereon to a thickness of 500 .ANG. by vacuum evaporation of Al using a resistance heating method. On top of this, a polarized layer of about 10 μm thick was formed using BaTiO 3 powder by electron beam heating and vacuum evaporation. A mask with a pattern structure as shown in Fig. 3 is placed on top of the mask, and Al is vacuum-deposited by resistance heating to form an isolated Al conductor with a thickness of approximately 1500 Å (area a x a = 30 μ x 30 μ, b = 10 μ). was formed.

このようにして像形成部材を形成した。この像
形成部材の透明導電層とパターン電極との間に約
600Vの交流電圧を印加し、徐々に電圧を小さく
した。この結果、分極層の分極は完全に打ち消し
合つた状態になつた。このあと逆方向に約300V
の電圧をかける。この強さでは分極は反転しな
い。これは、暗所中においては光導電層の抵抗が
十分に高いため印加した電圧のうち約半分程度は
光導電層にかかつてしまうため分極層には分極反
転に必要な電界がかかつていないことによる。こ
こで第5図のように透明導電層側より画像を露光
すると露光部においては、光導電層の抵抗が小さ
くなり、ほとんどの電圧が分極層にかかるため分
極層の必要とする分極電界(すなわち抗電場)を
こえ、分極反転がおこる。一方、非露光部におい
ては変化がないため、分極反転は起らない。従つ
て画像の明暗部に対応して明部では分極の向きが
電界の方向にそろい、暗部では分極が打ち消し合
つた状態になつている。この状態は電界を取除い
ても画像露光をやめても変化がない。
An imaging member was thus formed. Approximately
An AC voltage of 600V was applied, and the voltage was gradually reduced. As a result, the polarizations of the polarized layers completely canceled each other out. After this, about 300V in the opposite direction.
Apply voltage. At this strength, polarization does not reverse. This is because the resistance of the photoconductive layer is sufficiently high in the dark, so about half of the applied voltage is absorbed by the photoconductive layer, so the electric field necessary for polarization reversal is not built up in the polarized layer. by. Here, when an image is exposed from the transparent conductive layer side as shown in Fig. 5, the resistance of the photoconductive layer becomes small in the exposed area, and most of the voltage is applied to the polarization layer, so the polarization electric field required by the polarization layer (i.e. (coercive electric field) and polarization reversal occurs. On the other hand, since there is no change in the non-exposed area, polarization reversal does not occur. Therefore, corresponding to the bright and dark areas of the image, in the bright areas, the direction of polarization is aligned with the direction of the electric field, and in the dark areas, the polarizations cancel each other out. This state does not change even if the electric field is removed or image exposure is stopped.

このように分極像により、異なつた向きに分極
方向が配列した状態に再び分極反転以下の電界を
加えると、孤立導電体の上の電位は分極状態によ
り異なつてくる。実際に第6図に示されるように
200Vの電圧を透明導電体とパターン電極の間に
加えると、孤立導電体の上には画像の暗部で約
80V、明部で約180Vの電位像が得られた。この
状態で正の電荷をもつたトナーをもつた液体現像
剤を孤立導電体の上にふりかけたところ良好な画
像が形成された。この状態から画像を紙上に転写
すると紙上に画像が形成された。また、孤立導電
体上の残留トナーをとりのぞき一日そのまま放置
した。その後、前述のごとく再び200Vの電圧を
印加したところ同じような電位コントラストが得
られた。その上に再び液体現像剤をふりかけたと
ころ再び良好な画像が形成された。これを100回
以上くりかえしても同じ画像が毎回得られた。な
おこの感光体を再び使用するためには第4図にも
どし、交流電界をかけ徐々に電圧を小さくする方
法、及び感光体を分極層のキユーリ点以上(すな
わちこの場合には120℃以上)に加熱し、その後
冷却することにより、分極の向きをあらゆる方向
に配列し、その効果が外に出ないようにする。
When an electric field below the polarization reversal is again applied to a state where the polarization directions are arranged in different directions according to the polarization image, the potential on the isolated conductor will differ depending on the polarization state. Actually, as shown in Figure 6
When a voltage of 200V is applied between the transparent conductor and the patterned electrode, approximately
A potential image of 80V and approximately 180V in the bright area was obtained. In this state, when a liquid developer containing positively charged toner was sprinkled onto the isolated conductor, a good image was formed. When the image was transferred onto paper from this state, an image was formed on the paper. Further, residual toner on the isolated conductor was removed and left as it was for one day. After that, when a voltage of 200V was applied again as described above, a similar potential contrast was obtained. When liquid developer was sprinkled over it again, a good image was formed again. Even after repeating this process over 100 times, the same image was obtained each time. In order to use this photoreceptor again, return to the method shown in Figure 4, apply an alternating current electric field, gradually reduce the voltage, and heat the photoreceptor to above the Kyuri point of the polarization layer (i.e., above 120°C in this case). By heating and then cooling, the polarization is aligned in all directions and the effect is not radiated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に用いる像形成部材の1態様を
示す。第2図は第1図の像形成部材のパターン電
極面の平面図である。第3図は第1図の像形成部
材の表面の平面図である。第4図〜第6図は本発
明による像形成方法の1態様を示すものであり、
第4図は電圧印加工程、第5図は画像露光工程お
よび第6図は電位像を形成する工程を示す。 1…透明支持体、2…透明導電層、3…パター
ン状不透明層、4…光導電層、5…パターン電
極、6…パターン状絶縁層、7…分極層、8…孤
立導電体。
FIG. 1 shows one embodiment of the imaging member used in the present invention. 2 is a plan view of the patterned electrode surface of the imaging member of FIG. 1; FIG. 3 is a plan view of the surface of the imaging member of FIG. 1; FIG. 4 to 6 show one embodiment of the image forming method according to the present invention,
FIG. 4 shows a voltage application step, FIG. 5 shows an image exposure step, and FIG. 6 shows a potential image forming step. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Transparent support, 2... Transparent conductive layer, 3... Patterned opaque layer, 4... Photoconductive layer, 5... Patterned electrode, 6... Patterned insulating layer, 7... Polarized layer, 8... Isolated conductor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 導電層上に、パターン電極、該パターン電極
を覆うパターン状絶縁層およびパターン状不透明
層を備えた光導電層を有し、該光導電層上には分
極層を有し、該分極層上には不連続な多数の孤立
導電体が設けられており、パターン電極、パター
ン状絶縁層およびパターン状不透明層は孤立導電
体に対応して配置されており、分極層の下にはパ
ターン電極と光導電層とが接して設けられてお
り、パターン電極は導電層側に設けられたパター
ン状不透明層により覆われており、一方孤立導電
体はパターン状不透明層に一部覆われていない像
形成部材に対し、パターン電極と導電層に電圧を
印加した状態で導電層側から画像露光を行ない露
光部と非露光部とにおける分極状態を異ならしめ
て原画像に対する分極像を形成し、画像露光後、
パターン電極と導電層に電圧を印加して分極像に
対応した電位像を孤立導電体面に形成することを
特徴とする像形成方法。 2 電位像を現像する特許請求の範囲第1項記載
の像形成方法。
[Claims] 1. A photoconductive layer having a patterned electrode, a patterned insulating layer covering the patterned electrode, and a patterned opaque layer on the conductive layer, and a polarization layer on the photoconductive layer. A large number of discontinuous isolated conductors are provided on the polarized layer, and a patterned electrode, a patterned insulating layer, and a patterned opaque layer are arranged corresponding to the isolated conductors. A patterned electrode and a photoconductive layer are provided below in contact with each other, and the patterned electrode is covered by a patterned opaque layer provided on the conductive layer side, while an isolated conductor is partially covered by the patterned opaque layer. For the uncovered image forming member, image exposure is performed from the conductive layer side with a voltage applied to the pattern electrode and the conductive layer, and the polarization state in the exposed area and the non-exposed area is made different to form a polarization image with respect to the original image. Then, after image exposure,
An image forming method characterized by applying a voltage to a patterned electrode and a conductive layer to form a potential image corresponding to a polarization image on an isolated conductor surface. 2. The image forming method according to claim 1, which develops a potential image.
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