JPH01280373A - 超電導体層を有する半導体基板 - Google Patents
超電導体層を有する半導体基板Info
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- JPH01280373A JPH01280373A JP63110016A JP11001688A JPH01280373A JP H01280373 A JPH01280373 A JP H01280373A JP 63110016 A JP63110016 A JP 63110016A JP 11001688 A JP11001688 A JP 11001688A JP H01280373 A JPH01280373 A JP H01280373A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板に関する。より詳細には、少なく
とも1層の超電導体層を有する半導体単結晶基板に関す
るものである。
とも1層の超電導体層を有する半導体単結晶基板に関す
るものである。
本発明の半導体基板は上記超電導体層を半導体集積回路
の線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョ
セフソン結合を形成したジョセフソン素子あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせた超電導トランジスタやホ
ットエレクトロントランジスタ等の素子の材料として用
いることができる。
の線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョ
セフソン結合を形成したジョセフソン素子あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせた超電導トランジスタやホ
ットエレクトロントランジスタ等の素子の材料として用
いることができる。
従来の技術
従来の半導体集積回路はシリコン等の半導体単結晶基板
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素子
を作製し、金属を蒸着させて配線している。
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素子
を作製し、金属を蒸着させて配線している。
上記金属配線パターンは、蒸着で形成されるため断面積
が非常に微小となり、信号電流のロスがあった。
が非常に微小となり、信号電流のロスがあった。
また、超電導体と半導体とを組み合わせた超電導トラン
ジスタやホットエレクトロントランジスタ等の集積回路
素子は概念的には提案されているが複合酸化物超電導材
料を具体的に用いたものは作製されていない。
ジスタやホットエレクトロントランジスタ等の集積回路
素子は概念的には提案されているが複合酸化物超電導材
料を具体的に用いたものは作製されていない。
発馴が解決しようとする課題
半導体集積回路の金属配線パターンは、蒸着等で形成さ
れるため断面積が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線における信号伝播速度を向上させることも
必要である。
れるため断面積が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線における信号伝播速度を向上させることも
必要である。
ところが、従来の半導体集積回路では配線部分における
ロスのため信号伝播速度を向上させるのに限界があった
。また、配線部分におけるロスのため素子の集積度があ
がり高密度化が進むと、消費電力が上昇し、それに伴う
発熱のため集積度の限界も自ずから決まってしまってい
た。
ロスのため信号伝播速度を向上させるのに限界があった
。また、配線部分におけるロスのため素子の集積度があ
がり高密度化が進むと、消費電力が上昇し、それに伴う
発熱のため集積度の限界も自ずから決まってしまってい
た。
さらに、超電導体と半導体とを組み合わせた超電導トラ
ンジスタやホットエレクトロントランジスタ、FET等
の素子を形成する場合には半導体単結晶基板上に超電導
材料の層を均一に形成した基板が必須であるが、従来の
Nb系の超電導材料では半導体基板上に超電導材料の層
を均一に形成したものはなかった。また、金属系超電導
体は、臨界温度が低(実用的でなかった。
ンジスタやホットエレクトロントランジスタ、FET等
の素子を形成する場合には半導体単結晶基板上に超電導
材料の層を均一に形成した基板が必須であるが、従来の
Nb系の超電導材料では半導体基板上に超電導材料の層
を均一に形成したものはなかった。また、金属系超電導
体は、臨界温度が低(実用的でなかった。
本発明の目的は、上記の問題を解決して半導体単結晶基
板上に、臨界温度を始めとする超電導特性が優れた複合
酸化物超電導体薄膜層を有する半導体基板を提供するこ
とにある。
板上に、臨界温度を始めとする超電導特性が優れた複合
酸化物超電導体薄膜層を有する半導体基板を提供するこ
とにある。
課題を解決するための手段
本発明に従うと、GaAlAs単結晶上に形成されてい
るZrO□またはMgOからなるバッファ層を具備する
基板上に、複合酸化物超電導体よりなる薄膜層が形成さ
れていることを特徴とする超電導体層を有する半導体基
板が提供される。
るZrO□またはMgOからなるバッファ層を具備する
基板上に、複合酸化物超電導体よりなる薄膜層が形成さ
れていることを特徴とする超電導体層を有する半導体基
板が提供される。
本発明においては、上記ZrChまたはMgOのバッフ
ァ層の厚さは、50〜1000人であることが好ましい
。また、上記1rO2またはMgOのバッファ層の結晶
構造は以下のいずれかであることが好ましい。
ァ層の厚さは、50〜1000人であることが好ましい
。また、上記1rO2またはMgOのバッファ層の結晶
構造は以下のいずれかであることが好ましい。
1、ZrO2またはMgOバッファ層がアモルファス構
造であること。
造であること。
2゜ZrO2バッファ層が正方晶であって、(100)
面が表面となる配向性を有するか、または(100)面
が表面となる単結晶であること。
面が表面となる配向性を有するか、または(100)面
が表面となる単結晶であること。
3、ZrO□バッファ層が立方晶であって、(100)
面が表面となる配向性を有するか、または(100)面
が表面となる単結晶であること。
面が表面となる配向性を有するか、または(100)面
が表面となる単結晶であること。
4、MgO2バッファ層が(100)面が表面となる配
向性を有するか、または(100)面が表面となる単結
晶であること。
向性を有するか、または(100)面が表面となる単結
晶であること。
5、Mg028777層が(111)面が表面となる配
向性を有するか、または(111)面が表面となる単結
晶であること。
向性を有するか、または(111)面が表面となる単結
晶であること。
本発明に従うと、上記超電導体は複合酸化物超電導材料
によって形成されているのが好ましい。
によって形成されているのが好ましい。
この複合酸化物超電導材料としては公知の任意の材料を
用いることができる。例えば、 式:(α1〜XβX)γ、0゜ (但し、αは周期律表IIa族に含まれる元素であり、
βは周期律表111a族に含まれる元素であり、γは周
期律表rb、nb、mb、rVaおよび■a族から選択
される少なくとも一つの元素であり、xSy、zはそれ
ぞれ0.1 ≦X≦0.9.0.4≦y≦3.0.1≦
2≦5を満たす数である) で示されるペロブスカイト型または擬似ペロブスカイト
型酸化物を主体としていると考えられる複合酸化物が好
ましい。
用いることができる。例えば、 式:(α1〜XβX)γ、0゜ (但し、αは周期律表IIa族に含まれる元素であり、
βは周期律表111a族に含まれる元素であり、γは周
期律表rb、nb、mb、rVaおよび■a族から選択
される少なくとも一つの元素であり、xSy、zはそれ
ぞれ0.1 ≦X≦0.9.0.4≦y≦3.0.1≦
2≦5を満たす数である) で示されるペロブスカイト型または擬似ペロブスカイト
型酸化物を主体としていると考えられる複合酸化物が好
ましい。
上記周期律表fla族元素αとしては、Ba、 Sr。
Ca、 Mg、 Be等が好ましく、例えば、Ba、
Srを挙げることができ、この元素αの10〜80%を
Mg、 Ca。
Srを挙げることができ、この元素αの10〜80%を
Mg、 Ca。
Srから選択された1種または2種の元素で置換するこ
ともできる。また上記周期律表■a族元素βはとしては
、Yの他La5ScSCeSGd、 HaSErSTm
。
ともできる。また上記周期律表■a族元素βはとしては
、Yの他La5ScSCeSGd、 HaSErSTm
。
Yb、 Lu等ランタノイド元素が好ましく、例えばY
。
。
La、 Haとすることができ、この元素βのうち、1
0〜80%をScまたはランクメイド元素から選択され
た1種または2種の元素で置換することもできる。
0〜80%をScまたはランクメイド元素から選択され
た1種または2種の元素で置換することもできる。
前記元素Tは一般にCuであるが、その一部を周期律表
1 b、 ■b、 ■b、IVaおよび■a族から選択
される他の元素、例えば、Ti5V等で置換することも
できる。具体的には、 Y1Ba2CLI307−XXLa+Ba2CU30?
−X%しalsr2cLI30t−X、 HO1Ba
2CU307−x、Nd 1BazCu、07−X 、
Sm、 Ba2Cuz 07−x、Eu、Ba2Cu
307 X、 Gd1Ba2CU30t−x、Dy+B
a2C:u30ff−Xs Er1Ba2CUs07−
xsYb+Ba2Cu307−X (ただしXはQ<x<lを満たす数である)で表される
複合酸化物超電導体が好ましい。
1 b、 ■b、 ■b、IVaおよび■a族から選択
される他の元素、例えば、Ti5V等で置換することも
できる。具体的には、 Y1Ba2CLI307−XXLa+Ba2CU30?
−X%しalsr2cLI30t−X、 HO1Ba
2CU307−x、Nd 1BazCu、07−X 、
Sm、 Ba2Cuz 07−x、Eu、Ba2Cu
307 X、 Gd1Ba2CU30t−x、Dy+B
a2C:u30ff−Xs Er1Ba2CUs07−
xsYb+Ba2Cu307−X (ただしXはQ<x<lを満たす数である)で表される
複合酸化物超電導体が好ましい。
また、本発明においては、
式: D L (E +−L Catl) fic’l
l Op+*(ここで、DはBiまたはTIであり、E
はDが81のときはSrであり、DがTIのときはBa
であり、1=4であり、mは6≦m≦10を満たし、n
は4≦n≦8を満たし、p= (31+2m+2n)
/ 2であり、#はQ<#<1を満たし、*は 一2≦*≦2を満たす数を表す) で表される組成の、 B14Sr4Ca、Cu5O□o+* (ただし*は一
2≦*≦+2を満たす数を表す) B12Sr2Ca2CIJ30+o+* (ただし*は
一2≦*≦+2を満たす数を表す) T14Ba4Ca4CLls02o、* (ただし*は
一2≦*≦+2を満たす数を表す) または T12Ba2Ca2CU30+o+* (ただし*は一
2≦*≦+2を満たす数を表す) 等で示される複合酸化物を主とした混合相と考えられる
超電導体を用いることも好ましいが、上記いずれかの複
合酸化物の単相であってもよい。
l Op+*(ここで、DはBiまたはTIであり、E
はDが81のときはSrであり、DがTIのときはBa
であり、1=4であり、mは6≦m≦10を満たし、n
は4≦n≦8を満たし、p= (31+2m+2n)
/ 2であり、#はQ<#<1を満たし、*は 一2≦*≦2を満たす数を表す) で表される組成の、 B14Sr4Ca、Cu5O□o+* (ただし*は一
2≦*≦+2を満たす数を表す) B12Sr2Ca2CIJ30+o+* (ただし*は
一2≦*≦+2を満たす数を表す) T14Ba4Ca4CLls02o、* (ただし*は
一2≦*≦+2を満たす数を表す) または T12Ba2Ca2CU30+o+* (ただし*は一
2≦*≦+2を満たす数を表す) 等で示される複合酸化物を主とした混合相と考えられる
超電導体を用いることも好ましいが、上記いずれかの複
合酸化物の単相であってもよい。
上記1rO2またはMgOバッファ層は、上記GaAl
As基板の(100)面上に形成されていることが有利
である。
As基板の(100)面上に形成されていることが有利
である。
作用
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、半導体単結
晶基板上に、ZrO2またはMgOからなるバッファ層
を介して複合酸化物超電導体層が形成されているところ
にその主要な特徴がある。すなわち、本発明の超電導体
層を有する半導体基板は、従来のものと異なり、単に半
導体と複合酸化物超電導体を組み合わせただけでなく、
半導体と複合酸化物超電導体との界面状態を改善するバ
ッファ層を備えている。
晶基板上に、ZrO2またはMgOからなるバッファ層
を介して複合酸化物超電導体層が形成されているところ
にその主要な特徴がある。すなわち、本発明の超電導体
層を有する半導体基板は、従来のものと異なり、単に半
導体と複合酸化物超電導体を組み合わせただけでなく、
半導体と複合酸化物超電導体との界面状態を改善するバ
ッファ層を備えている。
従来の超電導体層を有する半導体基板は、半導体基板上
に単に複合酸化物超電導体薄膜を形成しただけであった
。そのため、半導体と複合酸化物超電導体との界面状態
は、不安定であり、半導体デバイスとして機能しなかっ
たり、特性が悪いものがほとんどであった。
に単に複合酸化物超電導体薄膜を形成しただけであった
。そのため、半導体と複合酸化物超電導体との界面状態
は、不安定であり、半導体デバイスとして機能しなかっ
たり、特性が悪いものがほとんどであった。
本発明においては、半導体単結晶上にZrO□またはM
gOからなるバッファ層を設け、さらにその上に複合酸
化物超電導体薄膜を形成しているため、従来のものと比
較して、界面の状態が大幅に改善され、半導体デバイス
としての特性も向上した。
gOからなるバッファ層を設け、さらにその上に複合酸
化物超電導体薄膜を形成しているため、従来のものと比
較して、界面の状態が大幅に改善され、半導体デバイス
としての特性も向上した。
本発明において、上記バッファ層を形成するZrO2ま
たはMgOの結晶構造は、以下のいずれかであることが
好ましい。
たはMgOの結晶構造は、以下のいずれかであることが
好ましい。
1、ZrO2またはMgOバッファ層がアモルファス構
造であること。
造であること。
2、ZrO2バッファ層が正方晶であって、(100)
面が表面となる配向性を有するか、または(100)面
が表面となる単結晶であること。
面が表面となる配向性を有するか、または(100)面
が表面となる単結晶であること。
3.2rO2バッファ層が立方晶であって、(100)
面が表面となる配向性を有するか、または(100)面
が表面となる単結晶であること。
面が表面となる配向性を有するか、または(100)面
が表面となる単結晶であること。
4、MgO□バッファ層が(100)面が表面となる配
向性を有するか、または(100)面が表面となる単結
晶であること。
向性を有するか、または(100)面が表面となる単結
晶であること。
5、MgO□バッファ層が(111)面が表面となる配
向性を有するか、または(111)面が表面となる単結
晶であること。
向性を有するか、または(111)面が表面となる単結
晶であること。
これは、複合酸化物超電導体の結晶性を向上させるため
で、上記の結晶構造のバッファ層上に形成された複合酸
化物超電導体薄膜は、結晶のC軸が基板成膜面に平行に
近い角度で揃う配向性を有するため特定の面方向および
深さ方向の臨界電流密度Jcが向上する。
で、上記の結晶構造のバッファ層上に形成された複合酸
化物超電導体薄膜は、結晶のC軸が基板成膜面に平行に
近い角度で揃う配向性を有するため特定の面方向および
深さ方向の臨界電流密度Jcが向上する。
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、配線部を従
来の金属から複合酸化物超電導体に置き換えた半導体集
積回路基板としてのみ使用できるだけでなく、複合酸化
物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成した半導体
デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを組み合わせ
た超電導トランジスタや熱電子トランジスタのような新
規な半導体素子を形成するためのデバイス用材料として
も用いることができる。
来の金属から複合酸化物超電導体に置き換えた半導体集
積回路基板としてのみ使用できるだけでなく、複合酸化
物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成した半導体
デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを組み合わせ
た超電導トランジスタや熱電子トランジスタのような新
規な半導体素子を形成するためのデバイス用材料として
も用いることができる。
本発明の超電導体層を有する半導体基板に使用する複合
酸化物超電導体としては、YBCOと称されるY、Ba
2Cu30□−8で代表されるような多層ペロブスカイ
ト結晶構造を有する複合酸化物超電導体、 B14Sr4Ca4Cu60zo4* (ただし*は一
2≦*≦+2を満たす数を表す) で示される複合酸化物超電導体、またはT14Ba4C
a4CU(10□o−* (ただし*は一2≦*≦+2
を満たす数を表す) で示される複合酸化物超電導体等が好ましい。しかしな
がら、本発明で使用される超電導体はこれらに限定され
るものではなく、公知の超電導体の任意のものを使用す
ることが可能である。
酸化物超電導体としては、YBCOと称されるY、Ba
2Cu30□−8で代表されるような多層ペロブスカイ
ト結晶構造を有する複合酸化物超電導体、 B14Sr4Ca4Cu60zo4* (ただし*は一
2≦*≦+2を満たす数を表す) で示される複合酸化物超電導体、またはT14Ba4C
a4CU(10□o−* (ただし*は一2≦*≦+2
を満たす数を表す) で示される複合酸化物超電導体等が好ましい。しかしな
がら、本発明で使用される超電導体はこれらに限定され
るものではなく、公知の超電導体の任意のものを使用す
ることが可能である。
また、半導体単結晶基板と複合酸化物超電導体の界面の
状態を改善するために設けるZrO□または!、IgO
バッファ層を形成するには、スパッタリング、イオンブ
レーティング、分子線エピタキシー、CVD (化学的
気相反応法)等の方法を用いることが好ましく、その膜
厚は、界面の状態を改善するために50Å以上必要であ
り、また、半導体と絶縁体との超電導近接効果が起こり
得るためには、1000八以下であることが好ましい。
状態を改善するために設けるZrO□または!、IgO
バッファ層を形成するには、スパッタリング、イオンブ
レーティング、分子線エピタキシー、CVD (化学的
気相反応法)等の方法を用いることが好ましく、その膜
厚は、界面の状態を改善するために50Å以上必要であ
り、また、半導体と絶縁体との超電導近接効果が起こり
得るためには、1000八以下であることが好ましい。
さらに、本発明の超電導体層を有する半導体基板を作製
するには、ZrO□バッファ層またはMgOバッファ層
を形成した半導体単結晶基板上にスパッタリング、イオ
ンブレーティング、分子線エピタキシー、CVD (化
学的気相反応法)等の蒸着法あるいは蒸着法に類似の方
法で複合酸化物超電導体層を形成するのが好ましい。そ
の際、半導体単結晶の物性を損なわないよう基板温度を
700℃以下で複合酸化物超電導体層を形成させること
が好ましい。
するには、ZrO□バッファ層またはMgOバッファ層
を形成した半導体単結晶基板上にスパッタリング、イオ
ンブレーティング、分子線エピタキシー、CVD (化
学的気相反応法)等の蒸着法あるいは蒸着法に類似の方
法で複合酸化物超電導体層を形成するのが好ましい。そ
の際、半導体単結晶の物性を損なわないよう基板温度を
700℃以下で複合酸化物超電導体層を形成させること
が好ましい。
さらに、上記のZr0zバッファ層またはMgOバッフ
ァ層はGaAlAs単結晶基板の(100)面に形成す
ることが好ましい。これは、バッファ層が前記した結晶
構造を採り易いためで、GaAlAs単結晶基板の上記
の面に形成された上記バッファ層は、前述の本発明にお
いて好ましい結晶構造を採り易く、また、界面の状態を
改善するのにも有利である。
ァ層はGaAlAs単結晶基板の(100)面に形成す
ることが好ましい。これは、バッファ層が前記した結晶
構造を採り易いためで、GaAlAs単結晶基板の上記
の面に形成された上記バッファ層は、前述の本発明にお
いて好ましい結晶構造を採り易く、また、界面の状態を
改善するのにも有利である。
実施例
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、以下
に記載するものは本発明の単なる実施例に過ぎず、以下
の開示により、本発明の範囲が何等制限されないことは
勿論である。
に記載するものは本発明の単なる実施例に過ぎず、以下
の開示により、本発明の範囲が何等制限されないことは
勿論である。
GaAlAs単結晶基板上にバッファ層としてZrO□
を500Aコートし、バッファ層上に複合酸化物超電導
体層を形成し、本発明の超電導体層を有する半導体基板
を作製した。ZrO□バッファ層は、スパッタリング法
により、GaAlAs単結晶基板の温度200℃で形成
した。
を500Aコートし、バッファ層上に複合酸化物超電導
体層を形成し、本発明の超電導体層を有する半導体基板
を作製した。ZrO□バッファ層は、スパッタリング法
により、GaAlAs単結晶基板の温度200℃で形成
した。
市販のBi2O3粉末、5rCCh粉末、CaCO3粉
末、CuO粉末を 旧と、Srと、leaと、Cuの原
子比13i :Sr :Ca :Cuを1.4: 1
: l :1.5 とした原料粉末を常法に従って焼結
して作ったBi −3r −Ca−Cu−0複合酸化物
、YBa2Cu1.、OX焼結体粉末および)IOBa
2.2Cu4.70x焼結体粉末をターゲットとして、
公知のマグネトロンスパッタリング法により、上記バッ
ファ層を形成したGaAlAs半導体単結晶基板の(1
00)面上に複合酸化物超電導体層を形成する。基板と
ターゲットの位置関係および高周波電力の大きさに特に
注意し、基板温度700℃でスパッタリングを行い、複
合酸化物超電導体層を1000人まで成長させ、試料と
する。なお、比較のためバッファ層を形成しないGaA
IAs半導体単結晶基板の(100)面上に全く等し
い条件で複合酸化物超電導体層を形成した。
末、CuO粉末を 旧と、Srと、leaと、Cuの原
子比13i :Sr :Ca :Cuを1.4: 1
: l :1.5 とした原料粉末を常法に従って焼結
して作ったBi −3r −Ca−Cu−0複合酸化物
、YBa2Cu1.、OX焼結体粉末および)IOBa
2.2Cu4.70x焼結体粉末をターゲットとして、
公知のマグネトロンスパッタリング法により、上記バッ
ファ層を形成したGaAlAs半導体単結晶基板の(1
00)面上に複合酸化物超電導体層を形成する。基板と
ターゲットの位置関係および高周波電力の大きさに特に
注意し、基板温度700℃でスパッタリングを行い、複
合酸化物超電導体層を1000人まで成長させ、試料と
する。なお、比較のためバッファ層を形成しないGaA
IAs半導体単結晶基板の(100)面上に全く等し
い条件で複合酸化物超電導体層を形成した。
上記の本発明の超電導体層を有する半導体基板は、いず
れのものも半導体とバッファ層奢よびバッファ層と超電
導体層の界面の状態がよく、半導体デバイス材料として
優れた特性を有している。
れのものも半導体とバッファ層奢よびバッファ層と超電
導体層の界面の状態がよく、半導体デバイス材料として
優れた特性を有している。
また、それぞれの試料の超電導体層の超電導臨界温度お
よび77Kにおける臨界電流を以下に示す。
よび77Kにおける臨界電流を以下に示す。
以上説明したように、本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、半導体デバイス用基板としてたいへん有効で
ある。
体基板は、半導体デバイス用基板としてたいへん有効で
ある。
発明の効果
本発明により、新規な半導体デバイス材料としてたいへ
ん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される。
ん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される。
本発明により、半導体デバイスの高速化、高密度化がさ
らに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子と
異なり、3端子以上の端子を有する超電導体を利用した
半導体デバイス等に応用が可能である。
らに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子と
異なり、3端子以上の端子を有する超電導体を利用した
半導体デバイス等に応用が可能である。
特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (1)
- GaAlAs単結晶上に形成されているZrO_2ま
たはMgOからなるバッファ層を具備する基板上に、複
合酸化物超電導体よりなる薄膜層が形成されていること
を特徴とする超電導体層を有する半導体基板。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63110016A JPH01280373A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 超電導体層を有する半導体基板 |
KR1019890005786A KR900017216A (ko) | 1988-04-30 | 1989-04-29 | 초전도체 박막을 가지는 반도체 기판과 그 제조 방법 |
AU33896/89A AU614606B2 (en) | 1988-04-30 | 1989-05-01 | Semiconductor substrate having a superconducting thin film, and a process for producing the same |
CA000598305A CA1330196C (en) | 1988-04-30 | 1989-05-01 | Semiconductor substrate having a superconducting thin film, and a process for producing the same |
DE68918746T DE68918746T2 (de) | 1988-04-30 | 1989-05-02 | Halbleitersubstrat mit dünner Supraleiterschicht. |
EP89401238A EP0341148B1 (en) | 1988-04-30 | 1989-05-02 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
US07/726,124 US5179070A (en) | 1988-04-30 | 1991-07-02 | Semiconductor substrate having a superconducting thin film with a buffer layer in between |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63110016A JPH01280373A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 超電導体層を有する半導体基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01280373A true JPH01280373A (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14524986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63110016A Pending JPH01280373A (ja) | 1988-04-30 | 1988-05-06 | 超電導体層を有する半導体基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01280373A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0544399A2 (en) * | 1991-11-26 | 1993-06-02 | Xerox Corporation | Epitaxial magnesium oxide as a buffer layer for formation of subsequent layers on tetrahedral semiconductors |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63110016A patent/JPH01280373A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0544399A2 (en) * | 1991-11-26 | 1993-06-02 | Xerox Corporation | Epitaxial magnesium oxide as a buffer layer for formation of subsequent layers on tetrahedral semiconductors |
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