JPH01276051A - 回折ｘ線測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明を工Ｘ線を試ｎｗ照射した時Ｗ発生する回折Ｘ線
の回折角及び強度を測定する装置、特に微小試料に対す
る測定が可能であり、かつ軽量のため可搬型とするに適
し工おり、かつ測定角度の分解能が良く、そのうえ大回
折角でも測定できる装置ｌｌＫ関する。

〔従来の技術〕

結晶の格子網面に、該網面に対して角度θで波長λのＸ
線を入射させた場合、θが（１）式π示したＢｒａｇｇ
の式を満足する角度であると、入射Ｘ線の方向「対して
２０の角度をなす方向Ｗ向け℃強い回折Ｘ線が出射され
る。以後この２０の角度を回折角といい、また上述のθ
をブラッグ角ということがある。（１）式におけろｄは
隣接する格子網面間の距離で、ｎは正整数である。

ｎλ＝２ａｓｓｉｎθ　　　　　　・−・−・（１）さ
″Ｃ１結晶ｖｒＸ線を入射させると上述のようにして回
折Ｘ１ｌｌを生じろので、多結晶体である金属試料Ｉの
表面！ａ？、たとえば第５図に示したように断面円形の
ビーム状Ｘ線２でほぼ垂直に照射すると、Ｘ＠２が表面
１ａｆｆ入射した点０を頂点とする多数の円錐面Ｃ１ｍ
　ＣＢ　＋・・・、Ｃｎ＆ｒ沿つ１点０から回折Ｘ線が
出射される。以後、これらの円錐面Ｃ，−Ｃｎの各々に
旧う回折Ｘ線を回折Ｘ線０Ｃ８などということがある。

試料ｔｔｒＸ線２を入射させろと上述のような回折Ｘ線
ｏｃ１．ｏｃ、。

・・・、ＯＣｎを生じるが、このような回折Ｘ線の発生
態様が試料１内部の結晶構：Ｉａ６′ｒ依存し工いるこ
とが上述した所から明らかであるので、従来、これらの
回折Ｘ線の回折角、換言すれば、第５図に示した角度Ａ
Ｈｍ　Ａｌｍ・・・、Ａｎや、試料！イカを加える前後
げおける前記角度Ａ、〜Ａｎの変化や１回折Ｘ線ＯＣ１
〜０ＣｎＶｒおける二個の回折Ｘ線の強度比等を測定す
ることＷよつ℃、残留応力の測定、定性分析、定量分析
等が行わｔ１″Ｃいる。そうしＣ１これらの測定や分析
を行うためｆｆ、従来、第５図図示の角度Ａ、〜Ａｎ並
びに回折Ｘ線ＯＣ８〜ＯＣｎの強度を０Ｍ計数管、比例
計数管、シンチレーションカウンタなどの零次元Ｘ線計
数管や後述する位置敏感型比例計数管を用い℃測定する
回折Ｘ線測定装置が公知となっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

さ℃１回折Ｘ線測定装置は上述のような回折Ｘ線の強度
や角度Ａ、〜Ａｎを測定するものであるから、これらの
ｆｆ１ｌ＋定を行うためイ、従来１回折Ｘ線Ｗ対する検
出感度の一様化を図るためとか角度測定「好都合である
ように’ｒ−ｆるためなどの理由で。

第５図に示した点０からの距離がＲである成句円弧３上
の位＠ｒおい℃回折Ｘ線ＱＣ，〜ＯＣｎを検出するよう
グしている。したがって、この場合２回折Ｘ線を検出す
るため「上述した零次元Ｘ線計数管を採用すると、この
計数管には回折Ｘ線の入射位置を特定する機能はないの
で、該計数管を円弧３１′ｒ沿って移動させる必要があ
り、このため計数管移動機構が必要となる。そうし工、
この機構は１通常直径２０［ｍ）、長さ２００（ｍ）程
度の大きさを有する円柱状計数管を支持する必要があり
かつ測定回折角の分解能を上げるためｆ微動機構な必要
とするので１重量が大となって、この結果、零次光計数
管を用いた第１従来方式の回折Ｘ線測定装置ｆは可搬型
とするの１不適当であるという問題点がある。

また、この第１従来方式の測定装置には、計数管の検出
感度を上げろため＆ｒＰ、５図の距離Ｒを小さくすると
、計数管の直径が２０〔■〕というように大きいので、
複数個の回折ｘｌが同時に計数管「入射したり、あるい
は角度Ａ、〜Ａｎのうちの最小角度が５°以下というよ
うに小さい場合もあり工このような場合計数管が入射Ｘ
線２を遮ったりするので１回折角の測定分解能が悪いと
か、大回折角が測定できないなどの問題点もある。さら
ｆｆ。

この方式の従来測定装ＭＶｒおいＣは、試料ｌが微小で
あると回折Ｘ線の強度が弱いので上述のＲを小さくする
必要があり、Ｒを小さくすると上述の問題が生じるので
、微小試料の測定Ｗ不適当であるという問題点もある。

ところで、上述した位置敏感型比例計数管は。

通常、第６図イ示したようイ構成され１いる。第６図ｒ
おい℃、４は細長い管状ｒ形成された位置敏感型比例計
数管で、この計数管４には１０００〜２０００　ＥＶ）
の直流電圧Ｅが印加されたアノード４鳳とカソード４ｂ
とが設けられ、さらにこの管状計数管４の長手方向のほ
ぼ全域にわたつ″ｃＸ、１１透過窓４Ｃが設けられ１い
る。５ａはカソード４ｂの左９１ｓＫ接続された増幅器
、Ｊを工増幅器５ａが出カイろ電圧、５ｂはカソード４
ｂの右端に接続された増幅器で、には増幅器５ｂが出力
する電圧である。６は電圧ＪとＫとが入力され、　　（
Ｊ／（Ｊ＋Ｋ））二Ｈの演算な行う１Ｈ＆ｒ：応じた信
号６ａを出力するよう「した演算器で、７は図示の各部
からなるＸ線検出装置である。なお、検出装ｇ１７　ｖ
は計数管４内を計数ガス８が貫流するようｒするために
カス８を充填したガスボンベ９を含むカス注入装置ＩＯ
が設けられ、計数管４ｆｆはガス８のための 一排気孔４ｄが設けられ℃いる。

検出装置Ｍ７は、上述のようＴ／ｒｅ！成され１いろう
え１図示したように、計数管４の左端からＢの距離Ｗあ
る位＠ＤＫＸ線ｌＯＯが入射した場合、増幅器５　ａ　
ｃｓｚＱｊ＝ｌ（Ｌ−Ｂ）／Ｌ）・Ｑｏ　ＩＦ比例り、
り１１流か流れ増幅器５　ｂ　ｗ　ｈｓ　Ｑｋ＝（Ｂ／
Ｌ　）・Ｑｏ’比例した電流が流れるように構成され℃
いろ。ここに。

ＱｏはＸ線８の入射に伴う電子なだれｆよつ℃計数管４
内に生じた電荷、Ｌは計数管４の長さである。したかつ
℃、この場合、演算器出力信号６ａは（Ｌ−Ｂ）／Ｌに
応じた借号になり、この信号６ａＷよつ″ｃＸ線ｌＯＯ
の入射位ｆｉＤｙｒ知ることができることになる。

Ｘ線検出装置７は上述のように動作するので。

第５図の仮想円弧３に沿っ℃計数管４を配曾すると１回
折Ｘ線ＯＣ１〜ＯＣｎの回折角を直ちに測定できること
が明らかで、この場合、零次元計数管を用いたときのよ
うな計数管移動機構は不要であるから、こういう面から
、検出装置７を用いた回折Ｘ線測定装置には＠量化でき
るという利点がある。

ところが、一方、このような測定装置では検出装置７に
ガスボンベ９．減圧弁、ガスＲ量計等からなるガス注入
装置１０が必要であるから、こういう面から矢張り軽量
化が困難であるという問題点がある。

本発明の目的は１回折Ｘ線を検出する機構及び回折角度
を検出する機構を共に簡単な構造にしかつ計数ガス注入
装置が不要ｆなろようイして１回折Ｘ線測定装置の軽量
化を図り、もつ工町搬型の回折Ｘ線測定装置が得られる
ようにすることＷある。また１回折Ｘ線検出部を試料に
近づけても一本の回折Ｘ線しか該検出部に入射しないよ
うグして１回折角測定の分解能を向上させると共に微小
試料に対し℃も回折Ｘ線の測定ができろようＶｒ″ｆる
ことｆある。そうしＣ１さらＶｒ、入射Ｘ線と回折Ｘ線
とのなす角度が小さくても該回折Ｘ線を検出１ろことが
できろようｆｆＬ、”Ｃ大回折角でも測定できるように
することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため１本発明によれば、ダイオード
構造を有しかつ該ダイオード構造πおいて空乏層が少な
くとも一本一次元状に形成さＦＬ″Ｃおりかつ前記空乏
層ｆ入射したＸ線の強度に応じた検出信号を出力する少
なくとも一個の半導体Ｘ線検出素子と１回折Ｘ線が透過
する窓を有しかつ前記検出素子に対しＣＡｉｌ記窓な移
動させ℃該窓を透過する前記回折Ｘ線を前記空乏層に入
射させる窓移動機構とを備え、前記窓の前記空乏層に対
向する位置と前記検出信号とπもとづき前記回折Ｘ線の
回折角及び強度を測定するよ５Ｆ回折Ｘ線測定装置を構
成するものとする。

〔作用〕

上記のように構成すると１回折Ｘ線を検出する機構とじ
工の半導体Ｘ線検出素子と回折角度を検出する機構とし
℃の窓移動機構とを共ｒ簡単な構造とすることができる
うえ計数ガス注入装置にこの場合側らかに不要であるか
ら１回折Ｘ線測定装置を軽量化することができ℃、この
結果核装置の可搬型化が可能イなる。また、窓が移動さ
せられる方向の該窓の幅を狭く形成することによつ℃。

半導体Ｘ線検出素子を試料に近づけても該素子に同時に
複数本の回折Ｘ線が入射することのないようにすること
ができるので１回折角測定の分解能が向上すると共（微
小試料ｒ対し℃も回折Ｘ線の測定ができることになる。

そうして、さらに、この場合、窓の枠体とし工の回折Ｘ
線遮蔽体を適宜構成することｆよつ℃、入射Ｘ線と回折
Ｘ線とのなす角度が小さく工も該回折Ｘ線を半導体Ｘ線
検出素子で検出しうろようｆすることができるので。

大回折角でも測定できろ回折Ｘ線測定装置が得られるこ
とになる。

〔実施例〕

第１図は本発明の第！実施例の構成図である。

第１図においｃ、１１はビーム状Ｘ線２を出射するＸ＠
管球、１２は第５図の回折Ｘ　＠　ＱＣ，−ＱＣｎイ対
応した回折Ｘ線、１３は仮想円弧３ｆ沿うよ’１ｆｆ設
けた薄板状の回折Ｘ線遮蔽体で、この遮蔽体１３ｆｆは
回折Ｘ線１２が透過する後述するような一個の窓１４が
設けられ℃いる。なお、遮蔽体１３は回折Ｘ線１２を透
過させないようげ構成され工いる。１５ａ、ｔ５ｂは遮
蔽体１：３Ｖｒ対し℃。

たとえば、巻き散り１巻き戻しを行り℃窓１４の位置を
移動させるようｆｆした遮蔽体駆動装置で。

この場合、遮蔽体１３に駆動装置１５ａ、１５ｂで駆動
された時１図示し℃いなう１構ｆより円弧３ｆ沿つ℃窓
１４が移動するようＴ／ｒ構成されているａ　１６は該
案内機構と窓１４が設けられた遮蔽体１３と駆動装置１
５ａ及び１５ｂとからなる窓移動機構である。なお、こ
の機′！ｒ１１１６は駆動装置１５ａから窓１４の円弧
３上の位置π応じた位置信号１６Ｍが出力されるよう虻
構成され℃いる。

１７は、ＰＮ接合を有し、該接合に形成された空乏層１
８Ｖｒ窓１４を透過した回折Ｘ線１２が入射するようイ
円弧３ｆｆはぼ沿って配置された半導体Ｘ線検出素子で
１図１おいては、素子１７が円弧３に沿り’Ｃ２個配埴
され℃いる。そうして、検出素子１７は第２図げ示した
ように構成されている。

１７ａは後述する機構によって表子１７が出力する検出
信号である。

第２図イおいて、（Ａ）図は側断面図、（Ｂ）図は（Ａ
）図「おけるＰ矢視図、（Ｃ）図は（Ａ）図「おける半
導体Ｘ線検出素子！７のＰ矢視図である。第２図に示し
たよう＃Ｉｒ、検出素子１７は１幅が約１０〔■〕、長
さが４５〜５０〔畷〕８度のｎ形シリコンの短冊状基板
１９ｅｆｐ　層２０と１１”ｍ２１とが形成されて生じ
たプレーナ形ＰＮ接合２２な有し。

ｐ＋層２０．ｎ＃２１の各表面にはそれぞれアルミニウ
ム電極２３．２４が蒸着されている。そうして、電極２
３が設けられた側が遮蔽体１３ｆｆ接近して対向するよ
うにしＣ２図示し℃いない手段で素子１７が空間的「固
定されたうえ電極２４が接地され、電極２３が結合コン
デンサ２５を介し℃増幅器２６ｆｆ接続されると共に、
抵抗２７を介して端子２８にも接続され１いる。なお、
検出素子！フイおいては、電極２４がｎ　層２１の表面
のほぼ全面ｆわたつ℃設けられているが、ＩＩＥ極２３
は、基板１９の長手方向「のびる−本の細長い帯状に形
成されたｐ　層２０の上に一本の線状に設けられている
。そうして、ｍ子２８に正の電圧を印加することｆよっ
て幅かはぼ１００〔μｍ〕　で長さがほぼ４０（ｗ）の
空乏層１８が形成されるようになっている。なお、検出
素子１７ｆｆおけるＰＮ接合２２の拡散深さ１！１−１
．５Ｃμｍ〕程度である。

また、この場合、窓１４を透過した回折Ｘ線１２が電極
２３及びｐ　層２０をとおして空乏層１８「入射しうる
ように遮蔽体１３が検出素子１７Ｆ対し℃配置され、窓
１４は図示したような幅Ｗ＝３ｒｓ）、長さＴ＝６〔■
〕の矩形となっている。

２９は検出素子！７とコンデンサ２５と増幅器２６と抵
抗２７と端子２８とからなる回折Ｘ線検出部である。

検出部２９％工上述のよう忙構成されているので。

回折Ｘ線１２が空乏層１８に入射すると電極２３からＸ
線１２の強度に応じたパルス列状の電圧である検出信号
１７ａが出力さね、この結果増幅器２６から信号１７ｍ
を増幅した信号２６ａが出力されることになる。

第３図は第１図の装置で窓１４を移動させることによう
１得た回折Ｘ線１２０強度分布の一実施例の説明図で１
図の横軸は第１図に示した回折角２θ、縦軸は第２図に
おける出力信号２６ａを構成するパルスに対する計数値
である。なお、この実＠におい”（１１回折Ｘ線検出部
２９の端子２ａＶｃ印加した逆バイアス電圧＋！２０［
Ｖ）、試料１はＣｒ粉末、Ｘ線管球１１の対陰極はＣｒ
製である。

第１図１おいＣは、各部が上述のように構成され℃いる
ので、８移動機構１６によってｍ１４を移動させると検
出信号１７ａが回折Ｘ線１２の態様に応じ１変化する。

故Ｖｒ、、酌述の位Ｎ信号１６ａと検出信号１７ａとｆ
もとづい℃回折Ｘ線ｔ２の回折角と強度とを測定するこ
とができる。そうＬ′ｃ、この場合、Ｘ線１２を検出す
る検出素子１７が、上述したように幅１０（ｍ）、長さ
５０〔■〕程度の板状であるため、従来の回折Ｘ線測定
装置ｊｌｆｆおけろＧＭ計数管のような零次光Ｘ線計数
管「比べて簡単な構成となり℃いることを工明らかで、
また第１図「おける窓１４を含む８移動機構１６も従来
の回折Ｘ線測定装置げおける計数管移動機構「比べｃＩ
ＩＩＩ単な構成となり工いることが明らかである。そう
して、さらイ、第１図においては回折Ｘ線１２を検出す
るため「比例計数管を用いていないので計数ガス注入装
置は不要である。故に１回折Ｘ線測定装置を第１図のよ
うに構成すると、該装置を軽量化することができて、該
装置の可搬型化が可能「なる。

また、第１図「おい工は、試料ｌが微小であるために回
折Ｘ１１１１２０強度が弱い場合や回折Ｘ線１２＆ｒ対
する測定時間の短縮を図ろうとする場合ｒ検出素子１７
の感度を上げようとして円弧３０半径Ｒｉ短くしても、
窓１４の第２図に示した幅Ｗを狭く形成することｒよっ
て該窓１４には回折Ｘ＠１２が同時に複数本人ることの
ないように構成され℃いるので、このような回折Ｘ線測
定装置Ｗよれば１回折角測定の分解能が向上すると共に
微小試料イ対し℃も測定が行えること「なる。そうしＣ
，さらに、第１図におい″Ｃｔ工、遮蔽体Ｉ３のＸ線管
球ｌｉ側の端部な屈曲可能くするなど適宜構成すること
によって窓１４を入射Ｘ線２Ｋかなり近づけるようにす
ることができるので、Ｘ線２と回折Ｘ線１２とのなす角
が相当小さく℃も管球１１の近くに配置した検出素子ｔ
ｙ＜ｘ＠ｔｚを検出させることができて、この結果、大
回折角でも測定できる測定装置が得られることになる。

第４図は本発明の第２実施例における要部の構成説明図
で、同図（人）は第２図（Ａ）に対応した側断面図であ
る。また、第４図の（Ｂ）、（Ｃ）図は同図（Ａ）忙お
ける異なる要部のＧ矢視図である。第４図におい″Ｃ，
第２図と大きく異なる所は、−面に＋ ｎ　層２１が形成された一枚のｎ形シリコン基板Ｉ９の
他面＃ｆ：、第２図におけるｐＦｉ１２０と同様な細長
い帯状の二本の２層３０．３１が基板１９の長手方向に
Ωつてはぼ平行に形成さねて、さら＆ｒ、これらの２層
３０．３１の各表面「第２図における電極２３と同様な
線状の電極３２．３３が設けられ℃いることと、電極３
２Ｆコンデンサ２Ｓｔ、増幅器２６！、抵抗２７１及び
端子２８！からなる図示の回路が第２図ｒおけると同様
に接続されかつ電極３３にコンデンサ２５２．増幅器２
６２゜抵抗２７２及び端子２８２とからなる図示の回路
が第２図イおけると同様に接続されていることである。

そうしＣ，この場合、Ｘ線１２を透過させる窓３４の長
手方向が第４図（Ｂ）　ｖおい℃平行なｐ＋層３０．３
１ｆｆ垂直ｆなりていて、かつ８４図（Ａ）でＧ矢印方
向に眺めた場合窓３４を通し二両ｐ＋層３０．３１が一
度「見渡せるようＷ該窓３４の長さが設定され℃いる。

３５は基板１９と電極２４と電極３２．３３とからなる
半導体Ｘ＠検出素子で、３６はＸ線遮蔽体１３を除く第
４図図示の各部からなる回折Ｘ線検出部である。

検出Ｎ３６は上述のよう「構成されているので。

このような検出部３６を用い℃第１図と同様な回折Ｘ線
測定装置を構成したうえ、さらに図示し℃いない手段で
増幅器２８１．２６２の各出力信号２６１ａｔ　２６２
ｍを計数し℃この両計数結果を加算するようＫすると、
第１図の回折Ｘ線測定装置よりも感度の高い測定装置が
得られることは明らかで、また、このようイして感度を
向上させた回折Ｘ＠測定装置が、第１図の装置が有する
上述の利点と同様な利点を有することも自ら明らかであ
る。なお。

第４図においてｐ　層３０と３１とを一体化し℃電極３
２．３３も一本イすると、この−本にした電極から出力
される第２図の検出信号１７ａに対応した検出信号Ｚの
値は該悄号１７ａの値よりも明らかに大きくなるが、こ
の場合Ｘ＠１２に対するｐ＋層の露出面積が広いため信
号２のＳ／Ｎ比が悪くなるので、Ｘ線検出感度の向上を
図るためＩｆはＸ線検出素子を第４図における素子３５
のように構成するのが有利である。

上述の各実施例においＣは窓１４または３４が仮想円弧
３に沿りエ移動するものとしたが１本発明においては窓
１４または３４がシリコン基板１９に平行に移動するよ
うｆ構成し工も差し支えない。

また、上述の各実施例で一工空乏Ｗ１１８が形成される
ダイオード構造がＰＮ接合であるとしたが１本発明では
空乏層１８が表面障壁型あるいはへテロ接合型のダイオ
ード構造に形成されるようＷしてもよい。さら「１第１
図「おいては半導体Ｘ線検出素子１７が２個設けられて
いるが１本発明はこのような半導体Ｘ線検出素子は少な
くとも一個設けられればよいものであり、また１本発明
は該半導体Ｘ＠検出累素子三本以上の一次元状空乏層１
８が形成され℃もよいものである。また、第１図では位
置信号１６ａｆｆもとづいて窓１４の位置が決定される
としたか、この場合、目視で窓１４の位置を読み覗ろよ
うｆ各部を構成しても差し支えない。さらＶｃｌまた１
本発明におい℃は、Ｘ線２の断面形状が円形以外の形状
であつ℃も差し支えない。

〔発明の効果〕

上述したように１本発明においては、ダイオード構造を
有しかつ該ダイオード構造において空乏層が少なくとも
一本一次元状Ｗ形成さｔ′Ｌ″Ｃおりかつ空乏層ｆ入射
したＸ線の強度Ｗ応じた検出信号を出力する少なくとも
一個の半導体Ｘ＠検出素子と１回折Ｘ線が透過する窓を
有しかつ前記検出素子ｆ対して前記窓を移動させて収態
を透過する回折Ｘ線を空乏層「入射させる窓移動機構と
を備え。

前記窓の空乏層ｆ対向する位置と検出信号とぎもとづき
回折Ｘ線の回折角及び強度を測定するように回折Ｘ１ｌ
Ｉ測定装置を構成した。

このため、上記のよう虻構成すると１回折Ｘ線を検出す
る機構とし℃の半導体Ｘ線検出素子と回折角度を検出す
る機構とし℃の窓移動機構とを共に簡単な構造とするこ
とができるうえ計数ガス注入装＠％工この場合明らか「
不要であるから１本発明Ｔ／ｒは回折Ｘ線測定装置を軽
量化することができて、この結果核装置の可搬型化が可
能になるという効果がある。また、窓が移動させられる
方向の収態の幅を狭く形成することｒよって、半導体Ｘ
線検出素子を試料に近づけても該素子げ同時「複数本の
回折Ｘ線が入射てることのないようにすることができる
ので１本発明Ｔｌｒは回折角測定の分解能が向上すると
共に微小試料に対し℃も回折Ｘ線の測定ができる効果が
ある。そうして、さらｆ。

この場合、窓の枠体としての回折Ｘ線遮蔽体を適宜ｗ！
ＦＭ、″′１″ろことｆより℃、入射Ｘ線と回折Ｘｌｊ
とのなす角広が小さく℃も該回折Ｘ線を半導体Ｘ線検出
素子で検出しうるようｖｒ−ｔろことかできるので１本
発明Ｗは大回折角でも測定できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図１１本発明の第１実施例の構成国、第２図は第１
図「おける架部の詳細構成を示してい℃。 第２図（Ａ）は細断面図、第２図（Ｂ）は第２図（Ａ）
ＷおけるＰ矢視図、第２図（Ｃ）は第２図（Ａ）におけ
る機部のＰ矢視図である。第３因は実験結果説明図、第
４図ｔヱ本発明の第２実施例げおける要部の詳細構成を
示し工い℃、第４図（Ａ）は側断面図。 第４図（Ｂ）は第４（財）（Ａ）πおける９矢視図、第
４図（Ｃ）は第４図（Ａ）げおける要部のＱ矢視図であ
る。第５図は回折Ｘ線の発生態様説明図、第６図は位儒
敏感形比例計数管の動作原理説明図である。 ２・・・・・・Ｘ線、１２・・・・・・回折Ｘ線、１４
．３４・・・・・・窓。 １６・・・・・・８移動機構、１７．３５・・・・・・
半導体Ｘ線検出素子、１Ｂ・・・・・・空乏層、２２・
・・・・・ＰＮ接合、２θ・・・・・・回折角。 蔦　　　１　　　口 （Ａ） （Ｃ） 箋　　２　　口 四面肉２θ＜ｄｅり） 蔦　　３　　口 （Ａ） （Ｃ） ′第　　　４　　凹 篤　　５　　口 箋　　Ｇ　　口

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）ダイオード構造を有しかつ該ダイオード構造におい
   て空乏層が少なくとも一本一次元状に形成されておりか
   つ前記空乏層に入射したＸ線の強度に応じた検出信号を
   出力する少なくとも一個の半導体Ｘ線検出素子と、回折
   Ｘ線が透過する窓を有しかつ前記検出素子に対して前記
   窓を移動させて該窓を透過する前記回折Ｘ線を前記空乏
   層に入射させる窓移動機構とを備え、前記窓の前記空乏
   層に対向する位置と前記検出信号にもとづき前記回折Ｘ
   線の回折角及び強度を測定することを特徴とする回折Ｘ
   線測定装置。