JPH01273312A - イオン注入装置の注入量制御方法 - Google Patents
イオン注入装置の注入量制御方法Info
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- JPH01273312A JPH01273312A JP10224688A JP10224688A JPH01273312A JP H01273312 A JPH01273312 A JP H01273312A JP 10224688 A JP10224688 A JP 10224688A JP 10224688 A JP10224688 A JP 10224688A JP H01273312 A JPH01273312 A JP H01273312A
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、イオンを高電圧で加速してウェーハ表面に
注入し、不純物領域を形成するイオン注入装置、詳しく
は、真空内で生成されたプラズマ中から静電界を用いて
イオンを引き出しビーム状にしてウェーハ面に導くとと
もにウェーハ面上を移動させつつウェーハにイオン注入
を行うイオン注入装置において、イオン注入中にビーム
電流が遮断されたとき、この遮断につづくイオン注入再
開後のイオン注入量のウェーハ面分布が均一となるよう
にイオン注入量を制御する方法に関する。
注入し、不純物領域を形成するイオン注入装置、詳しく
は、真空内で生成されたプラズマ中から静電界を用いて
イオンを引き出しビーム状にしてウェーハ面に導くとと
もにウェーハ面上を移動させつつウェーハにイオン注入
を行うイオン注入装置において、イオン注入中にビーム
電流が遮断されたとき、この遮断につづくイオン注入再
開後のイオン注入量のウェーハ面分布が均一となるよう
にイオン注入量を制御する方法に関する。
第４図はイオン注入装置の概略図、第５図は第４図に示
すイオン注入装置におけるイオン打込み室内のディスク
まわりの拡大図である。プラズマ室を含むイオン源１で
生成され引き出されたイオンは加速管２で加速、集束さ
れ、質量分析マグネット３で必要なイオンが選別され、
イオン打込み室４内でウェーハ６に注入される。ウェー
ハ６は第５図に示されるように、円形のディスク５上で
周方向に間隔をおいて複数枚取り付けられ、イオン打込
み中は回転軸９を中心に回転する。同時に矢印Ｐで示さ
れるようにイオンビーム７に垂直な方向にディスク５と
ともに並進運動をする。この回転、並進運動はウェーハ
６上に均一にイオンを注入するための手段である。
すイオン注入装置におけるイオン打込み室内のディスク
まわりの拡大図である。プラズマ室を含むイオン源１で
生成され引き出されたイオンは加速管２で加速、集束さ
れ、質量分析マグネット３で必要なイオンが選別され、
イオン打込み室４内でウェーハ６に注入される。ウェー
ハ６は第５図に示されるように、円形のディスク５上で
周方向に間隔をおいて複数枚取り付けられ、イオン打込
み中は回転軸９を中心に回転する。同時に矢印Ｐで示さ
れるようにイオンビーム７に垂直な方向にディスク５と
ともに並進運動をする。この回転、並進運動はウェーハ
６上に均一にイオンを注入するための手段である。
従来の注入方法は、ディスク５を並進してイオンビーム
７がウェーハ６に注入されない位置で静止（回転はして
いる）させ、イオンビーム７を生成、加速１選別する。
７がウェーハ６に注入されない位置で静止（回転はして
いる）させ、イオンビーム７を生成、加速１選別する。
ビーム電流はスリット８を通過したイオンビーム７をフ
ァラデーカップ１１で常時モニターしており、電流が設
定値に達したことを確認してからディスク５の並進運動
を開始する。
ァラデーカップ１１で常時モニターしており、電流が設
定値に達したことを確認してからディスク５の並進運動
を開始する。
イオン注入中にビーム電流が突然０になったとき（イオ
ン生成が中断、あるいは加速電源の出力オフ等が原因）
並進運動が止まり、同時にビームシャッタ１０が閉じて
イオンビーム７の径路をふさぐ、この状態で再度イオン
ビーム７を生じさせ安定したビーム電流値が得られたら
瞬間的にビームシャッタ１０を開き同時に並進運動を始
め、注入を継続する。
ン生成が中断、あるいは加速電源の出力オフ等が原因）
並進運動が止まり、同時にビームシャッタ１０が閉じて
イオンビーム７の径路をふさぐ、この状態で再度イオン
ビーム７を生じさせ安定したビーム電流値が得られたら
瞬間的にビームシャッタ１０を開き同時に並進運動を始
め、注入を継続する。
この従来技術の問題点は、ビームシャッタを瞬間的に開
閉することが必要であり、ビームシャッタの性能がその
まま注入の均一性に影響を与え、かかる装置により作ら
れる。たとえばＩＣ（集積回路）の良品率の一因となる
ことである。
閉することが必要であり、ビームシャッタの性能がその
まま注入の均一性に影響を与え、かかる装置により作ら
れる。たとえばＩＣ（集積回路）の良品率の一因となる
ことである。
この発明の目的は、ビームシャッタを使用することなく
、ビーム電流が注入中に０となっても均一な注入を達成
できる方法を提供することである。
、ビーム電流が注入中に０となっても均一な注入を達成
できる方法を提供することである。
上記課題を解決するために、この発明によれば、真空内
で生成されたプラズマ中から静電界を用いてイオンを引
き出しビーム状にしてウェーハ面に導くとともにウェー
ハ面上を移動させつつウェーハにイオン注入を行うイオ
ン注入装置において注入中にビーム電流が遮断されたと
き、この遮断につづくイオン注入再開後のイオン注入量
のウェーハ面分布が均一となるようにイオン注入量を制
御する方法を、前記ビーム電流遮断時のウェーハ面上の
ビーム位置と遮断の原因とを検出、記憶し、イオン注入
の再開をビーム電流遮断直前のビーム移動方向終端位置
から反対方向に向かってはじめるとともに前記ビーム電
流遮断位置で故意に前記原因を生じさせてビーム電流を
遮断する方法とするものとする。
で生成されたプラズマ中から静電界を用いてイオンを引
き出しビーム状にしてウェーハ面に導くとともにウェー
ハ面上を移動させつつウェーハにイオン注入を行うイオ
ン注入装置において注入中にビーム電流が遮断されたと
き、この遮断につづくイオン注入再開後のイオン注入量
のウェーハ面分布が均一となるようにイオン注入量を制
御する方法を、前記ビーム電流遮断時のウェーハ面上の
ビーム位置と遮断の原因とを検出、記憶し、イオン注入
の再開をビーム電流遮断直前のビーム移動方向終端位置
から反対方向に向かってはじめるとともに前記ビーム電
流遮断位置で故意に前記原因を生じさせてビーム電流を
遮断する方法とするものとする。
まず、ビーム電流が注入中にＯになり、再び復帰させた
ときの状況を第６図ないし第８図で説明する。イオン注
入がウェーハの左端ｘ−０から開始され、ウェーハの任
意の位置Ｘ Ｉｎ Ｘ ｘ （Ｘ ＋〜ｘ８はビーム幅
を示す）でビーム電流が０になるとする（第６図）、ビ
ーム電流が設定値から減少し、０となって再び復帰する
までの時間すなわち第７図の時点ｔ、からｔ、まモの間
の時間ディスクの並進運動は停止しているものとすれば
、ウェーハ上のＸ軸方向の、注入イオン密度（ドーズ量
）Ｄは第８図に示す通り、Ｘｌ−Ｘｚ間は他の場所に比
較してドーズＩＤが大きい、これは第７図のようにビー
ム電流！、が時間幅を持って変化するためである。１．
−１．〜１．の間イオンビームはウェーハ上のｘ１〜Ｘ
８間で静止しているので、ΔＤ。
ときの状況を第６図ないし第８図で説明する。イオン注
入がウェーハの左端ｘ−０から開始され、ウェーハの任
意の位置Ｘ Ｉｎ Ｘ ｘ （Ｘ ＋〜ｘ８はビーム幅
を示す）でビーム電流が０になるとする（第６図）、ビ
ーム電流が設定値から減少し、０となって再び復帰する
までの時間すなわち第７図の時点ｔ、からｔ、まモの間
の時間ディスクの並進運動は停止しているものとすれば
、ウェーハ上のＸ軸方向の、注入イオン密度（ドーズ量
）Ｄは第８図に示す通り、Ｘｌ−Ｘｚ間は他の場所に比
較してドーズＩＤが大きい、これは第７図のようにビー
ム電流！、が時間幅を持って変化するためである。１．
−１．〜１．の間イオンビームはウェーハ上のｘ１〜Ｘ
８間で静止しているので、ΔＤ。
＋ΔＤ！のイオン量が余分に注入されることになる。ビ
ーム電流の変化が点線のように不連続であれば注入イオ
ン密度りも第７図のり、のように−定であるが、観測に
よれば、ガス分子を電子衝撃でイオン化してプラズマを
作る場合、電子衝撃すなわちプラズマ電源を意図的にオ
ン、オフすると、ｔ８〜ｔ、は数１０ミリ秒＋ ｔｏ
〜ｔ１ は数ミリ秒以下である。
ーム電流の変化が点線のように不連続であれば注入イオ
ン密度りも第７図のり、のように−定であるが、観測に
よれば、ガス分子を電子衝撃でイオン化してプラズマを
作る場合、電子衝撃すなわちプラズマ電源を意図的にオ
ン、オフすると、ｔ８〜ｔ、は数１０ミリ秒＋ ｔｏ
〜ｔ１ は数ミリ秒以下である。
次にウェーハ内のドーズ置均−性と上記時間幅（ｔオル
ｔ 、、 ｔ ＊〜１＋）との関係について述べる。
ｔ 、、 ｔ ＊〜１＋）との関係について述べる。
ドーズ量Ｄ〔個／ｃｊ）、注入時間Ｔ （ｓｅｃ） 、
ビーム電流ｒ、（Ａ）、電気素量ｅ −１，６Ｘ１０−
” （Ｃ］とすればＴ −Ｄ ｅ ／ Ｉである。ここ
でＩはビーム電流１．のウェーハ面上の密度（単位は（
Ａ／ｃｄ））である、ディスクは回転しておりウェーハ
がイオンビームを横切ることによりウェーハにはイオン
ビームがパルス的に注入されているので、ウエーハ上の
一点がイオンビームを横切るのに要する時間Ｔ ｏ は
、ウェーハ直径ｒ（ｍ）、 イオンビームの高さＨ（
ｍ）、ディスク回転数ｎ（’ｐｓ） ＊ディスク回転中
心からウェーハ中心までの距離Ｒ（ｍ）とすればＴ、”
ＷＨ／２πｎＲとなる。従ってドーズ量りを得るための
ディスクのスキャン回数Ｎ−Ｔ／Ｔ ＠ ＝２Ｄ ｅ
ｘ ｎＲ／ Ｉ−）（である。例えば！−１０−”Ａ／
ｃ−ｄ。
ビーム電流ｒ、（Ａ）、電気素量ｅ −１，６Ｘ１０−
” （Ｃ］とすればＴ −Ｄ ｅ ／ Ｉである。ここ
でＩはビーム電流１．のウェーハ面上の密度（単位は（
Ａ／ｃｄ））である、ディスクは回転しておりウェーハ
がイオンビームを横切ることによりウェーハにはイオン
ビームがパルス的に注入されているので、ウエーハ上の
一点がイオンビームを横切るのに要する時間Ｔ ｏ は
、ウェーハ直径ｒ（ｍ）、 イオンビームの高さＨ（
ｍ）、ディスク回転数ｎ（’ｐｓ） ＊ディスク回転中
心からウェーハ中心までの距離Ｒ（ｍ）とすればＴ、”
ＷＨ／２πｎＲとなる。従ってドーズ量りを得るための
ディスクのスキャン回数Ｎ−Ｔ／Ｔ ＠ ＝２Ｄ ｅ
ｘ ｎＲ／ Ｉ−）（である。例えば！−１０−”Ａ／
ｃ−ｄ。
ｎ −２５ｒｐｓｔ ｒ ＝１０Ｘ１０−”ｍ、 Ｈ−
５Ｘｌ０−”ｍ、 Ｒ−０，５ｍ 、 Ｄ ＝ １０”
個／ｃｄとすれば、Ｔ ｏ ＝ ０．６５ ｍ ｓｅｃ
。
５Ｘｌ０−”ｍ、 Ｒ−０，５ｍ 、 Ｄ ＝ １０”
個／ｃｄとすれば、Ｔ ｏ ＝ ０．６５ ｍ ｓｅｃ
。
Ｔ ＝ １６０ ｍ ｓｅｃ、 Ｎ −２５１となる。
第７図でビーム電流が０になるまでの時間ｔゆ〜１＋（
数ミリ秒）はディスクの周期１／２５−４０ミリ秒に比
べて充分短いので１２３回中１回が打込み誤差（０，４
％）となりｔ、ｚｔ、では誤差が１桁大きくなり両者に
よる誤差は無視できない、ビーム電流が減少し始めてか
ら復帰するまで並進運動を中止していると、ウェーハ直
径ｒ（１０Ｘ １０−” ｍ ）中、ビーム幅Ｗ内はす
べて誤差になり、Ｗは〜１０−”ｍのオーダであるから
、面積比は数１０％にも達する。
数ミリ秒）はディスクの周期１／２５−４０ミリ秒に比
べて充分短いので１２３回中１回が打込み誤差（０，４
％）となりｔ、ｚｔ、では誤差が１桁大きくなり両者に
よる誤差は無視できない、ビーム電流が減少し始めてか
ら復帰するまで並進運動を中止していると、ウェーハ直
径ｒ（１０Ｘ １０−” ｍ ）中、ビーム幅Ｗ内はす
べて誤差になり、Ｗは〜１０−”ｍのオーダであるから
、面積比は数１０％にも達する。
そこで、上記誤差を最小限にするための本発明の方法に
ついて第２図および第３図で説明する。
ついて第２図および第３図で説明する。
第２図に示すように注入前はイオンビームはＡ位置にあ
り、ビーム電流が設定値に達した後ディスクは図で左へ
（相対的にイオンビームは右へ）移動する。ウェーハ上
の任意の位置Ｘ＋＋Ｘｘ（Ｘ＋〜Ｘ、はビーム幅）でビ
ーム電流が減少してＯになった時ディスクは並進運動を
停止する。このとき、停止したディスクの並進方向の位
置と０になった原因とを記憶しておく０次にイオンビー
ム打込み位Ｗがウェーハの外Ｂに来るまでディスクを並
進させ、そこで再びイオンビームを再現し、前回と逆方
向に並進させ注入を再開する。ビーム電流が０になった
場所にイオンビームが来たとき、故意に同じ原因を生じ
させてビーム電流を減少させると、注入量は第３図のよ
うに両者の重ね合わせとなり、均一な打込みが可能とな
る。ディスクの並進運動はステップモーターを使用すれ
ば１バルススクがＮ回転する間にイオンビームがウェー
ハを横切るようにｖ −（ｒ＋ｈ）／ −−ｎ （ｒ＋
ｗ）／ Ｎと設定しておく。
り、ビーム電流が設定値に達した後ディスクは図で左へ
（相対的にイオンビームは右へ）移動する。ウェーハ上
の任意の位置Ｘ＋＋Ｘｘ（Ｘ＋〜Ｘ、はビーム幅）でビ
ーム電流が減少してＯになった時ディスクは並進運動を
停止する。このとき、停止したディスクの並進方向の位
置と０になった原因とを記憶しておく０次にイオンビー
ム打込み位Ｗがウェーハの外Ｂに来るまでディスクを並
進させ、そこで再びイオンビームを再現し、前回と逆方
向に並進させ注入を再開する。ビーム電流が０になった
場所にイオンビームが来たとき、故意に同じ原因を生じ
させてビーム電流を減少させると、注入量は第３図のよ
うに両者の重ね合わせとなり、均一な打込みが可能とな
る。ディスクの並進運動はステップモーターを使用すれ
ば１バルススクがＮ回転する間にイオンビームがウェー
ハを横切るようにｖ −（ｒ＋ｈ）／ −−ｎ （ｒ＋
ｗ）／ Ｎと設定しておく。
第１図に本発明の方法を可能ならしめる制御系統の一実
施例を示す、ビーム電流値の変化をファラデーカップ１
１でモニタし、電流値がＯになった時のディスク５の並
進方向の位置を、コントローラ １５が内蔵する電流検
出器の出力信号により。
施例を示す、ビーム電流値の変化をファラデーカップ１
１でモニタし、電流値がＯになった時のディスク５の並
進方向の位置を、コントローラ １５が内蔵する電流検
出器の出力信号により。
並進運動モータ −４に併設された図示されない記憶装
置に記憶させるとともに、コントローラー５が内蔵する
別の電流検出・記憶装置により、ビーム電流の遮断がプ
ラズマ電源１２の停止によるものか、加速電源１３の停
止によるものかを検出して記憶させる。これらの記憶動
作の論理和により並進連動モーター４を再起動してビー
ム電流遮断直前の並進方向終端までディスク５を移動さ
せ、この位置で信号を発生させてさきに停止した電源を
生かしビーム電流を再生させるとともにディスク５の反
対方向への再移動を一旦停止させる。ビーム電流が一定
になった時点をファラデーカップ１１を介して検出して
ディスク５の反対方向への並進を開始し、並進運動モー
タ１４に併設された前記記憶装置が記憶する位置にディ
スク５が到達した時点で信号を発生させ、さきに停止し
たｔｆｌを再度停止させてイオンの注入を止める。
置に記憶させるとともに、コントローラー５が内蔵する
別の電流検出・記憶装置により、ビーム電流の遮断がプ
ラズマ電源１２の停止によるものか、加速電源１３の停
止によるものかを検出して記憶させる。これらの記憶動
作の論理和により並進連動モーター４を再起動してビー
ム電流遮断直前の並進方向終端までディスク５を移動さ
せ、この位置で信号を発生させてさきに停止した電源を
生かしビーム電流を再生させるとともにディスク５の反
対方向への再移動を一旦停止させる。ビーム電流が一定
になった時点をファラデーカップ１１を介して検出して
ディスク５の反対方向への並進を開始し、並進運動モー
タ１４に併設された前記記憶装置が記憶する位置にディ
スク５が到達した時点で信号を発生させ、さきに停止し
たｔｆｌを再度停止させてイオンの注入を止める。
以上に述べたように、この発明によれば、ビーム電流が
イオン注入の途中でとぎれても、これにつづくイオン注
入再開後のイオン注入量のウェーハ面分布を均一ならし
める注入量制御を、前記ビーム電流遮断時のウェーハ面
上のビーム位置と遮断の原因とを検出、記憶し、イオン
注入の再開をビーム電流遮断直前のビーム移動方向終端
位１から反対方向に向かってはじめるとともに前記ビー
ム電流遮断位置で故意に前記原因を生しさせてビーム電
流を遮断する方法により行うこととしたので、ビームシ
ャッタがなくても注入を続行することができ、かつ、ビ
ームシャッタのような可動機構部材の性能に影響される
ことなくウェーハ内へ均−に注入することが可能になる
。
イオン注入の途中でとぎれても、これにつづくイオン注
入再開後のイオン注入量のウェーハ面分布を均一ならし
める注入量制御を、前記ビーム電流遮断時のウェーハ面
上のビーム位置と遮断の原因とを検出、記憶し、イオン
注入の再開をビーム電流遮断直前のビーム移動方向終端
位１から反対方向に向かってはじめるとともに前記ビー
ム電流遮断位置で故意に前記原因を生しさせてビーム電
流を遮断する方法により行うこととしたので、ビームシ
ャッタがなくても注入を続行することができ、かつ、ビ
ームシャッタのような可動機構部材の性能に影響される
ことなくウェーハ内へ均−に注入することが可能になる
。
第１図は本発明の方法を可能ならしめる制御系統の一実
施例を示す制御系統構成図、第２図は本発明の詳細な説
明するためのイオンビームの各位置を示す説明図、第３
図は本発明の方法によればイオン注入量のウェー八面分
布の均一性が得られる理由を説明する線図、第４図はイ
オン注入装置の概略図、第５図は第４図に示すイオン注
入装置におけるディスクまわりの拡大図であって、（ａ
）は平面図、Φ）は側面図である。第６図はイオン注入
途中でビーム電流が遮断されたときのビーム位置を例示
する説明図、第７図はビーム電流遮断によるディスク停
止時点から再移動時点までの間のビーム電流の時間変化
を示す線図、第８図はディスク停止時点におけるビーム
位置の注入イオン密度が所定値以上となる状況を示す説
明図である。 ｌ・・・イオン源、５・・・ディスク、６・・・ウェー
ハ、７・・・イオンビーム、１２・・・プラズマ電源、
１３・・・加速第 １ 囚 ￥５２ 図 第 ３ 図 第４ 図 第 ５ 図 Ｏｊｏ ｔ＋Ｌｚ Ｌ３３７
図 Ｏ工＋ ：Ｃ２ ３８図 手続補正書彷式） 昭和６卿 ８月し組
施例を示す制御系統構成図、第２図は本発明の詳細な説
明するためのイオンビームの各位置を示す説明図、第３
図は本発明の方法によればイオン注入量のウェー八面分
布の均一性が得られる理由を説明する線図、第４図はイ
オン注入装置の概略図、第５図は第４図に示すイオン注
入装置におけるディスクまわりの拡大図であって、（ａ
）は平面図、Φ）は側面図である。第６図はイオン注入
途中でビーム電流が遮断されたときのビーム位置を例示
する説明図、第７図はビーム電流遮断によるディスク停
止時点から再移動時点までの間のビーム電流の時間変化
を示す線図、第８図はディスク停止時点におけるビーム
位置の注入イオン密度が所定値以上となる状況を示す説
明図である。 ｌ・・・イオン源、５・・・ディスク、６・・・ウェー
ハ、７・・・イオンビーム、１２・・・プラズマ電源、
１３・・・加速第 １ 囚 ￥５２ 図 第 ３ 図 第４ 図 第 ５ 図 Ｏｊｏ ｔ＋Ｌｚ Ｌ３３７
図 Ｏ工＋ ：Ｃ２ ３８図 手続補正書彷式） 昭和６卿 ８月し組
Claims (1)
- １）真空内で生成されたプラズマ中から静電界を用いて
イオンを引き出しビーム状にしてウェーハ面に導くとと
もにウェーハ面上を移動させつつウェーハにイオン注入
を行うイオン注入装置において注入中にビーム電流が遮
断されたとき、この遮断につづくイオン注入再開後のイ
オン注入量のウェーハ面分布が均一となるようにイオン
注入量を制御する方法であって、前記ビーム電流遮断時
のウェーハ面上のビーム位置と遮断の原因とを検出、記
憶し、イオン注入の再開をビーム電流遮断直前のビーム
移動方向終端位置から反対方向に向かってはじめるとと
もに前記ビーム電流遮断位置で故意に前記原因を生じさ
せてビーム電流を遮断することを特徴とするイオン注入
装置の注入量制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10224688A JPH01273312A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | イオン注入装置の注入量制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10224688A JPH01273312A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | イオン注入装置の注入量制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273312A true JPH01273312A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14322253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10224688A Pending JPH01273312A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | イオン注入装置の注入量制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01273312A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2409928A (en) * | 2004-01-09 | 2005-07-13 | Applied Materials Inc | Improvements relating to ion implantation and instabilities |
| JP2008262756A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Sen Corp An Shi & Axcelis Company | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
| JP2008300116A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Ihi Corp | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP10224688A patent/JPH01273312A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2409928A (en) * | 2004-01-09 | 2005-07-13 | Applied Materials Inc | Improvements relating to ion implantation and instabilities |
| GB2409928B (en) * | 2004-01-09 | 2007-03-21 | Applied Materials Inc | Improvements relating to ion implantation |
| JP2008262756A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Sen Corp An Shi & Axcelis Company | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
| JP2008300116A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Ihi Corp | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
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