JPH01271904A - Manufacture of magnetic head - Google Patents
Manufacture of magnetic headInfo
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- JPH01271904A JPH01271904A JP5397189A JP5397189A JPH01271904A JP H01271904 A JPH01271904 A JP H01271904A JP 5397189 A JP5397189 A JP 5397189A JP 5397189 A JP5397189 A JP 5397189A JP H01271904 A JPH01271904 A JP H01271904A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
ればフェライトからなるコア半部分、フェライト上にス
パッタリングされた軟磁性材料および有効イヤラグを有
する磁気ヘッドを製造するため、フェライトと有効イヤ
ラグとの間の境界面の範囲内で、フェライト上へ組成が
変化可能の軟磁性材料をスパッタリングすることにより
、磁気
軟磁性範囲内の透磁率を変える、メノメ／／／ｆＩ／ヘ
ッドの製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application] In order to produce a magnetic head having a core half made of ferrite, a soft magnetic material sputtered on the ferrite, and an effective ear lug, the ferrite and the effective ear lug are combined. The present invention relates to a method of manufacturing a Menome///fI/ head in which the magnetic permeability within the magnetic soft magnetic range is varied by sputtering a soft magnetic material of variable composition onto the ferrite within the interface between the two.
このような方法は、ヨーロッパ公開特許Ａ２−０２２２
９８５号から公知である。このＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ−Ｉ
ｎ−Ｇａｐ ） ｈａ気ヘッドのこの公知製造方法では
、センダスト合金（５ｅｎｄｕｓ ｔ−Ｌｅｇｉｅｒｕ
ｎｇ）の個々の成分の組成をステップ・パイ・ステップ
に変える。しかし、これにより透磁率の段階的経過が得
られ、目指す透磁率の連続的経過は得られない。さらに
、センダスト合金の個々の層間に、スパッタリング工程
の間の機械的応力′ｆ！：阻止するためにヘッドイヤラ
グに対して平行に薄い分離層を挿入しなければならない
。Such a method is described in European published patent A2-0222
No. 985. This MIG (Metal-I
In this known method for manufacturing a gas head, Sendust alloy (5endus t-Legieru
ng) to change the composition of the individual components into step-pie-step. However, this results in a stepwise course of the magnetic permeability and not the continuous course of the magnetic permeability that is desired. In addition, the mechanical stress ′f! during the sputtering process occurs between the individual layers of Sendust alloy. : A thin separation layer must be inserted parallel to the head ear lugs to prevent it.
本発明の課題は、使用の際に軟磁性材料内の透磁率経過
が連続的に変化する最初に挙げた種類の方法を提供する
ことである。さらに、軟磁性材料を被覆するだめの製造
経過は、上述した公知技術におけるよりも問題なくかつ
簡単でなければならない。The object of the invention is to provide a method of the first type, in which the permeability profile in a soft magnetic material changes continuously during use. Furthermore, the manufacturing process for the reservoir coated with soft-magnetic material should be more trouble-free and simpler than in the known technology mentioned above.
この課題は、特許請求の範囲の請求項１の特徴部に記載
された手段、即ちフェライト材料お性
よび軟質磁石材料を収容するためのターゲット、磁気ヘ
ッドのコテ半部分を保持するためのホルダー、およびス
パッタリング噴流の方向に対して垂直に移動可能のシャ
ッタを有する陰極スパッタリング装置を使用し、該シャ
ッタがスパッタリング工程の開始時にターゲット上の軟
磁性材料ｌｌい、スパッタリング工程の間ターゲットを
軟磁性材料からフェライト材料へ位置可変に部分的に覆
い、スパッタリング工程の終了時にターゲット上のフェ
ライト材料を覆うようにすることによって解決される。This problem is solved by the means defined in the characterizing part of claim 1, namely a target for accommodating a ferrite material and a soft magnetic material, a holder for holding a half part of a magnetic head, and a cathode sputtering apparatus having a shutter movable perpendicularly to the direction of the sputtering jet, the shutter removing the soft magnetic material on the target at the beginning of the sputtering process and removing the target from the soft magnetic material during the sputtering process. The solution is to provide a variable position partial coverage of the ferrite material to cover the ferrite material on the target at the end of the sputtering process.
本発明方法は、軟磁性材料内の所望の透磁率の連続的経
過を簡単に１作業工程で形成することができるという利
点を有する。非常に強い作業で設けることができるにす
ぎない薄い分離層は断念することができる。The method according to the invention has the advantage that the desired continuous profile of magnetic permeability in a soft-magnetic material can be produced in a simple manner in one working step. Thin separation layers, which can only be applied with very strong operations, can be abandoned.
請求項２以降に記載された手段により、請求項１に記載
された方法の有利な構成および改善が可能である。Advantageous developments and improvements of the method according to claim 1 are possible with the measures described in claim 2 et seq.
次に、本発明の他の利点および詳細を、図面につき詳述
する。Further advantages and details of the invention will now be explained in detail with reference to the drawings.
第１図には、本発明によりＭＩＧ磁気ヘッド全製造する
ための陰極スパッタリング装置が略示されている。陰極
スパッタリング装置は主としてターゲット１、シャッタ
２およびホルダー３を、５で真空ポンプ（図示せず）に
接続されている容器４に収納してなる。冷却および加熱
可能のホルダー３は、製造すべきＭＩＧ磁気ヘッドのコ
ア半部分６を有する。ターゲット１は、フェライト材料
と軟磁性材料と全別個に収容するのに役立ち、こルらの
材料が高周波放電（高周波発生器７によってつくられる
）においてホルダー３上に存在する磁気ヘッドのコア半
部分上にスパッタリングされる。FIG. 1 schematically shows a cathode sputtering apparatus for manufacturing a complete MIG magnetic head according to the present invention. The cathode sputtering apparatus mainly includes a target 1, a shutter 2, and a holder 3 housed in a container 4 connected at 5 to a vacuum pump (not shown). The coolable and heatable holder 3 carries the core half 6 of the MIG magnetic head to be manufactured. The target 1 serves to separately accommodate the ferrite material and the soft magnetic material, which are present on the holder 3 in a high frequency discharge (created by the high frequency generator 7) in the core half of the magnetic head. sputtered on top.
性
ターゲット１上の軟貞磁２材料は、とくにセンダスト（
Ｆｅ ８５％、Ａｌ５．４％、ｓｉ ９．６ ％ ）ま
たはアモルファス金属からなる。フェライト材料は、Ｍ
ｎ−Ｚｎ混合物からなっていてもよい。The soft magnetic material 2 on the sexual target 1 is especially Sendust (
85% Fe, 5.4% Al, 9.6% Si) or amorphous metal. The ferrite material is M
It may also consist of a n-Zn mixture.
ターゲット１とホルダー３との間には、スパッタリング
噴流中にシャッタ２が存在し、該シャッタはスパッタリ
ング噴流に対して垂直に移動可能に容器４内に配置され
ている。Between the target 1 and the holder 3 there is a shutter 2 in the sputtering jet, which shutter is arranged in a container 4 so as to be movable perpendicular to the sputtering jet.
次に、陰極スパッタリング装置の作業法全第２図の図面
につき詳述する。同じ作用の部材は同じ参照符号を備え
ている。第２図は、ターゲット１とホルダー３との間の
スパッタリング噴流中でのシャッタ２の６つの運動相を
示す。Next, the working method of the cathode sputtering apparatus will be explained in detail with reference to the drawing of FIG. Elements with the same function are provided with the same reference symbols. FIG. 2 shows six phases of movement of the shutter 2 in the sputtering jet between the target 1 and the holder 3. FIG.
円形ターゲット１の１半部上には軟磁性材料８、たとえ
ばセンダストが存在し、他の手部分上にはフェライト材
料９が存在する。スパッタリング工程の開始時（第２ａ
図）では、シャッタ２が軟磁性材料８を覆う。スパッタ
リング工程の経過中に、シャッタ２はフェライト材料９
の方向に移動する。第２い図は、スパッタリング工程の
中間時におけるシャッタの位置を示す。On one half of the circular target 1 there is a soft magnetic material 8, for example sendust, and on the other half a ferrite material 9. At the start of the sputtering process (second a)
In Figure), the shutter 2 covers the soft magnetic material 8. During the course of the sputtering process, the shutter 2 is exposed to the ferrite material 9
move in the direction of Figure 2 shows the position of the shutter at an intermediate point in the sputtering process.
この場合、軟磁性材料８およびフェライト材料９はそれ
ぞれ半分宛遮蔽される。従って、ホルダー３上の磁気ヘ
ッドのコア半部分には、半分宛軟磁性材料８およびフェ
ライト材料９がスパッタリングされる。In this case, the soft magnetic material 8 and the ferrite material 9 are each half shielded. Therefore, a soft magnetic material 8 and a ferrite material 9 are sputtered onto the core half of the magnetic head on the holder 3.
スパッタリング工程の終了時には、シャッタ２が第２Ｃ
図に示した位置、即ちフェライト材料９が完全に遮蔽さ
れ、之んに軟磁性材料８のみがホルダー３の方向にスパ
ッタリングされる位置をとる。At the end of the sputtering process, the shutter 2
The position shown in the figure is taken, ie the position in which the ferrite material 9 is completely shielded and only the soft magnetic material 8 is sputtered in the direction of the holder 3.
シャッタ２によりスパッタリング工程の間ターケ９ット
１を連続的に遮蔽することによって、ＭＩＣ）磁気ヘッ
ドのゼヤツプ範囲におけるフェリヘッド材料（Ｍｎ−Ｚ
ｎ−フェライト）と軟磁性材料との間の目指す連続的移
行が達成される。By continuously shielding the target 1 by the shutter 2 during the sputtering process, the ferrihead material (Mn-Z
The desired continuous transition between n-ferrite) and soft magnetic material is achieved.
望ましい実施例では、まず磁気ヘッドのコア半部分上へ
フェライト材料からなる厚さ０．１μ出の層をスパッタ
リングする。引き続き、シャッタ２を移動させることに
より、軟磁性材料の割合が０％から１００％に増加する
厚さ１．５μｍの混合層を設ける。最後に、この混合層
上へ純軟磁性材料を、コア半部分上で約２μｍの全層厚
が達成されるまでスパッタリングする。In the preferred embodiment, a 0.1 micron thick layer of ferrite material is first sputtered onto the core half of the magnetic head. Subsequently, by moving the shutter 2, a mixed layer with a thickness of 1.5 μm in which the proportion of soft magnetic material increases from 0% to 100% is provided. Finally, pure soft magnetic material is sputtered onto this mixed layer until a total layer thickness of approximately 2 μm is achieved on the core half.
添付図面は本発明の１実施例を示すもので、第１図は本
発明によるＭ工Ｇ磁気ヘッドを製造するための陰極スパ
ッタリング装置の略図であり、第２ａ図、第２ｂ図およ
び第２ｃ図はスパッタリング工程の間のシャッタの種々
の位置を示す斜視図である。
１・・・ターゲット ２・・・シャッタ ３・・・ホル
ダー ４・・・容器 ５・・・真空ポンプへの接続部
６・・・ＭＩ（）磁気ヘッドのコア半部分 ７・・・高
周波発生器 ８・・・軟磁性材料 ９・・・フェライト
材料１ ・・ターケゝット
２・・・シャッタ
３・・ホルダー
Ｆｌ（３，１The accompanying drawings show one embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a schematic diagram of a cathode sputtering apparatus for manufacturing an M/G magnetic head according to the present invention, and FIGS. 2a, 2b, and 2c are 2A and 2B are perspective views showing various positions of the shutter during the sputtering process; FIG. 1... Target 2... Shutter 3... Holder 4... Container 5... Connection to vacuum pump
6... Core half of MI () magnetic head 7... High frequency generator 8... Soft magnetic material 9... Ferrite material 1... Target 2... Shutter 3... Holder Fl (3,1
Claims (1)
パッタリングされた軟磁性材料および有効ギャップを有
する磁気ヘッドを製造するため、フェライトと有効ギャ
ップとの間の境界面の範囲内で、フェライト上へ組成が
変化可能の軟磁性材料をスパッタリングすることにより
、軟磁性範囲内の透磁率を変える磁気ヘッドの製造方法
において、フェライト材料（９）および軟磁性材料（８
）を収容するためのターゲット（１）、磁気ヘッドのコ
ア半部分を保持するためのホルダー（３）およびスパッ
タリング噴流の方向に対して垂直に移動可能なシャッタ
（２）を有する陰極スパッタリング装置を使用し、上記
シャッタがスパッタリング工程の開始時（第２ａ図）に
ターゲット（１）上の軟磁性材料（８）を覆い、スパッ
タリング工程の間（第２ｂ図）ターゲット（１）を軟磁
性材料（８）からフェライト材料（９）の方へ位置可変
に部分的に覆いかつスパッタリング工程の終了時（第２
ｃ図）にターゲット（１）上のフェライト材料を覆うよ
うにすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法 ２、ターゲット（１）上の軟磁性材料が、Ｆｅ８５％、
Ａｌ５．４％およびＳｉ９．６％を有する軟磁性合金（
センダスト）またはアモルファス金属からなる請求項１
記載の方法 ３、コア半部分およびフェライト材料が単結晶のＭｎ−
Ｚｎフェライトからなる請求項１記載の方法 ４、コア半部分をギャップ範囲内でまずフェライト材料
からなる厚さ０．１μｍの層をスパッタリングし、引き
続きシャッタ（２）を移動させて、軟磁性材料の含分を
０％から１００％に増加する、厚さ１．５μｍの混合層
を設ける請求項１記載の方法 ５、厚さ１．５μｍの混合層上へさらに軟磁性材料を、
コア半部分上に全層厚が約２μｍによるまで設ける請求
項４記載の方法[Claims] 1. To produce a magnetic head with a core half made of ferrite, a soft magnetic material sputtered onto the ferrite and an effective gap, within the interface between the ferrite and the effective gap. , a method for manufacturing a magnetic head in which magnetic permeability within a soft magnetic range is varied by sputtering a soft magnetic material of variable composition onto ferrite, the ferrite material (9) and the soft magnetic material (8
), a holder (3) for holding the core half of the magnetic head and a shutter (2) movable perpendicular to the direction of the sputtering jet. The shutter covers the soft magnetic material (8) on the target (1) at the start of the sputtering process (Figure 2a) and covers the soft magnetic material (8) on the target (1) during the sputtering process (Figure 2b). ) towards the ferrite material (9) and at the end of the sputtering process (second
A manufacturing method 2 of a magnetic head characterized in that the soft magnetic material on the target (1) is made to cover the ferrite material on the target (1) as shown in FIG.
Soft magnetic alloy with 5.4% Al and 9.6% Si (
Claim 1 consisting of an amorphous metal (sendust) or an amorphous metal.
Method 3 described in which the core half and the ferrite material are single crystal Mn-
4. A method according to claim 1, characterized in that the core half is made of Zn ferrite by first sputtering a 0.1 .mu.m thick layer of ferrite material in the gap region, and subsequently by moving the shutter (2). 5. Method 5 according to claim 1, wherein a 1.5 .mu.m thick mixed layer is provided, the content of which increases from 0% to 100%.
5. The method of claim 4, wherein a total layer thickness of about 2 μm is provided on the core half.
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (1)
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1988
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1989
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