JPH01269217A - Production of thin-film magnetic head - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば、磁気記録を行うことができる磁気デ
ィスク装置や磁気テープ装置などに利用される薄膜磁気
ヘッドの製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a thin film magnetic head used, for example, in a magnetic disk device or a magnetic tape device capable of performing magnetic recording.
一般の薄膜磁気ヘッドにおいて、第４図に示すように、
基板１１上にはＦｅ−ＡＡ−３ｉ合金（センダスト）な
どの鉄を主成分とする軟磁性体薄膜の下部コア１２およ
び上部コア２０が形成されており、これら下部コア１２
と上部コア２０とによって磁気回路が形成されている。In a general thin film magnetic head, as shown in Fig. 4,
A lower core 12 and an upper core 20 made of a soft magnetic thin film mainly composed of iron such as Fe-AA-3i alloy (Sendust) are formed on the substrate 11.
and the upper core 20 form a magnetic circuit.
下部コア１２と上部コア２０との間には、ＣｕやＡ１な
どの導電体薄膜からなる第１リード１８および第２１Ｊ
−ド１９の一部が介装されている。これら第１リード１
８および第２リード１９は、それぞれの線部１８ａ′と
１９ａ′とで接続されて多層巻線構造をなしている。ま
た、第１リード１８および第２リード１９はＳｉＯ□や
３ｉ０３Ｎ４などの絶縁層１４・１５・１６にて包囲さ
れており、これら絶縁層１４・１５・１６によって各リ
ード１８・１９における隣合う線部１８ａ・１８ａ、１
９ａ・１９ａ同士の電気的絶縁、第１リード１８と第２
リード１９との間の電気的絶縁、並びに、各リード１８
・１９と各コア１２・２０との間の電気的絶縁が施され
ている。そして、上記下部コア１２と上部コア２０とは
、フロントギャップ部Ａにおいてギャップ層１３を介し
て対向される一方、バックコア接合部Ｂにおいて互いに
磁気的に結合されている。Between the lower core 12 and the upper core 20 are a first lead 18 and a 21st lead made of a conductive thin film such as Cu or A1.
- A part of the door 19 is interposed. These first leads 1
8 and the second lead 19 are connected through respective wire portions 18a' and 19a' to form a multilayer winding structure. Further, the first lead 18 and the second lead 19 are surrounded by insulating layers 14, 15, 16 such as SiO□ or 3i03N4, and these insulating layers 14, 15, 16 allow the adjacent leads 18, 19 to Part 18a, 18a, 1
Electrical insulation between 9a and 19a, first lead 18 and second lead 18
Electrical insulation between the leads 19 and each lead 18
- Electrical insulation is provided between the core 19 and each core 12/20. The lower core 12 and the upper core 20 are opposed to each other at the front gap portion A with the gap layer 13 interposed therebetween, and are magnetically coupled to each other at the back core joint portion B.
このような、薄膜磁気ヘッドにおいて、ヘッド特性に関
する重要な要素として、上記フロントギャップ部Ａにお
けるギャップ層１３の厚み（以下、ギャップ長と称する
）、および、バックコア接合部Ｂにおける下部コア１２
と上部コア２０との磁気的結合状態が挙げられる。この
うち、ギャップ長については、高密度記録化が進むにつ
れてその厚みを薄くシなければならという要求がある。In such a thin-film magnetic head, the thickness of the gap layer 13 at the front gap portion A (hereinafter referred to as gap length) and the thickness of the lower core 12 at the back core joint portion B are important factors regarding the head characteristics.
For example, the state of magnetic coupling between the upper core 20 and the upper core 20 is mentioned. Among these, as for the gap length, there is a demand for the thickness to be reduced as higher density recording progresses.
一方、下部コア１２と上部コア２０との磁気的結合状態
については、これを良好にして両者間の抵抗を小さくし
、下部コア１２と上部コア２０との間に流れる磁束を増
すことが要求されている。On the other hand, it is necessary to improve the magnetic coupling between the lower core 12 and the upper core 20 to reduce the resistance between them and to increase the magnetic flux flowing between the lower core 12 and the upper core 20. ing.
そして、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上
記フロントギャップ部Ａおよびバックコア接合部Ｂの形
成は、ＳｉＯ□や５ｉ０３Ｎ４などの絶縁層１４・１５
・１６をエツチングにより部分的に除去し、下部コア１
２の表面を一旦露出させることにより行っている。上記
エツチングの方法としては、湿式エツチング法、反応性
イオンエツチング法（以下、ＲＩＥと称する）などがあ
るが、薄膜磁気ヘッドの特徴である多チャンネル化など
の高密度化に伴うヘッドの微細化を図るためには、上記
絶縁層１４・１５・１６のエツチングは、ＲｒＥによる
ことが不可欠である。In the conventional manufacturing method of a thin film magnetic head, the formation of the front gap part A and the back core junction part B is performed using insulating layers 14 and 15 made of SiO□, 5i03N4, etc.
・Partially remove 16 by etching, lower core 1
This is done by once exposing the surface of 2. The etching methods mentioned above include wet etching and reactive ion etching (hereinafter referred to as RIE). In order to achieve this, it is essential that the insulating layers 14, 15, and 16 be etched by RrE.
ところが、フロントギャップ部Ａおよびバックコア接合
部Ｂのためのエツチングにおいて、一般に用いられるＲ
ＩＥを使用すると、下部コア１２がＦＯ系合金からなる
磁性体の場合には、エツチング処理後にこのエツチング
で露出した下部コア１２上に下部コア１２の反応生成物
２１が堆積し、下部コア１２の清浄な状態での露出を妨
げてしまう。反応生成物２１は化学的に極めて不活性で
あり、水や一般の有機溶媒（キシレン、アセトン、エチ
ルアルコールなど）に不溶であり、また、酸やアルカリ
にも反応しないため、除去が困難である。従って、反応
生成物２１を除去できないままフロントギャップ部Ａで
はギャップ層１３の形成が、バックコア接合部Ｂでは下
部コア１２と上 、部コア２０との磁気的接合がそれぞ
れ行われることになる。このため、フロントギャップ部
Ａではギャップ長が増加し、また、バックコア接合部Ｂ
では磁気的結合の不良が生じるという問題を招来してい
た。However, in the etching for the front gap part A and the back core joint part B, the R
When IE is used, when the lower core 12 is a magnetic material made of an FO alloy, the reaction product 21 of the lower core 12 is deposited on the lower core 12 exposed by this etching after the etching process, and the reaction product 21 of the lower core 12 is deposited on the lower core 12 exposed by this etching. This prevents exposure in clean conditions. Reaction product 21 is chemically extremely inert, insoluble in water and common organic solvents (xylene, acetone, ethyl alcohol, etc.), and does not react with acids or alkalis, making it difficult to remove. . Therefore, the gap layer 13 is formed at the front gap portion A without being able to remove the reaction product 21, and the lower core 12 and the upper and lower cores 20 are magnetically bonded to each other at the back core joint portion B. Therefore, the gap length increases at the front gap part A, and the gap length increases at the back core joint part B.
However, this has led to the problem of poor magnetic coupling.
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記の課題
を解決するために、基板上にはＦｅ系合金からなる磁性
体層の下部コアが形成されており、この下部コア上には
Ａｌ２Ｏ，膜からなるギャップ層がギャップ厚みに相当
する分だけ形成され、且つ、このギャップ層上には上記
Ａｌ□０３に対し選択性の良好な絶縁層が形成されてな
る薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、フロントギャッ
プ部およびバックコア接合部に位置している上記絶縁層
に対しては反応ガスを用いた反応性イオンエツチング法
によりエツチングを行うとともに、このエツチングによ
って露出した上記バックコア接合部に位置するギャップ
層に対しては不活性ガスを用いたイオンエツチング法に
よりエツチングを行うことを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, the method for manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention includes forming a lower core of a magnetic layer made of an Fe-based alloy on a substrate, and forming a lower core of a magnetic layer made of an Fe-based alloy on the lower core. A method for manufacturing a thin film magnetic head, in which a gap layer consisting of a film is formed in an amount corresponding to the thickness of the gap, and an insulating layer having good selectivity to the Al□03 is formed on the gap layer. Then, the insulating layer located at the front gap and the back core joint is etched by a reactive ion etching method using a reactive gas, and the insulating layer located at the back core joint exposed by this etching is etched. The gap layer is etched by an ion etching method using an inert gas.
上記の構成によれば、上記絶縁層のエツチングは、例え
ばＣＦ４などの反応ガスを用いる反応性イオンエツチン
グ法により行われるので、薄膜磁気ヘッドの特徴である
多チャンネル化などの高密度化に伴うヘッドの微細化が
図れる。しかも、上記絶縁層のエツチング時には、下部
コアとなる上記Ｆｅ系合金の磁性体層はＡ ｌ ｚ Ｏ
：ｌ膜のギャップ層で露出を防止されているため、反応
生成物の発生を防止することができるとともに、上記の
絶縁層とＡｌ２Ｏ２との選択性が良好であることにより
、上記絶縁層のエツチングによってもギャップ層は所定
厚みのまま残り、フロントギャップ部において所定厚み
のギャップ長を得ることが可能になる。そして、上記の
エツチングによって露出した上記バックコア接合部に位
置するギャップ層に対しては、例えば、Ａｒなどの不活
性ガスにより物理的なエツチングを行うので、下部コア
となる上記Ｆｅ系合金の磁性体層上に反応生成物が発生
するのを抑止できる。これにより、下部コアの清浄な状
態での露出が可能となり、バックコア接合部では磁気的
結合の良好化を図ることが可能になる。According to the above configuration, the etching of the insulating layer is performed by a reactive ion etching method using a reactive gas such as CF4, so that the etching of the insulating layer is performed by a reactive ion etching method using a reactive gas such as CF4. can be miniaturized. Moreover, when etching the insulating layer, the magnetic layer of the Fe-based alloy that becomes the lower core is A l z O
Since exposure is prevented by the gap layer of the :l film, it is possible to prevent the generation of reaction products, and the selectivity between the above insulating layer and Al2O2 is good, so that the etching of the above insulating layer is prevented. Even in this case, the gap layer remains at a predetermined thickness, making it possible to obtain a gap length of a predetermined thickness at the front gap portion. Then, the gap layer located at the back core joint exposed by the above etching is physically etched using an inert gas such as Ar, so that the magnetic property of the Fe-based alloy that will become the lower core is Generation of reaction products on the body layer can be suppressed. This makes it possible to expose the lower core in a clean state and improve magnetic coupling at the back core joint.
本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.
本発明の製造方法により製造される薄膜磁気ヘッドにお
いて、第２図に示すように、下部コア２はＦｅ系合金の
軟磁性体層からなるとともに、ギャップ層３はＡｌ２Ｏ
３膜からなり、且つ、層間絶縁層である第１・第２・第
３絶縁層４・５・６はＳｉＯ２膜からなっている。具体
的には、耐摩耗性に優れたアルミナ系、若しくはフェラ
イトからなる基板１上には、Ｆｅ−Ａｊｌ！−３ｉ合金
（センダスト）などの軟磁性体層からなる下部コア２が
形成されており、この下部コア２上にはＡｌ２Ｏ３膜か
らなりギャップ厚みに相当する厚みを有するギャップＮ
３が形成されている。ギャップ層３の上方には上部コア
１０が配設されており、上部・下部コア１０・２によっ
て磁気回路が構成されている。コア２・１０の間には上
記の第１・第２・第３絶縁層４・５・６が下から順に形
成されており、第１絶縁層４上には第１リード８が、第
２絶縁層５上には第２リード９がそれぞれ信号導体パタ
ーンに形成されていて、これら第１リード８と第２リー
ド９とは、線部８ａ′と線部９ａ′とを互いに接続した
多層巻線構造をなしている。In the thin-film magnetic head manufactured by the manufacturing method of the present invention, as shown in FIG.
The first, second, and third insulating layers 4, 5, and 6, which are interlayer insulating layers, are made of SiO2 films. Specifically, on the substrate 1 made of alumina or ferrite, which has excellent wear resistance, Fe-Ajl! A lower core 2 made of a soft magnetic material layer such as -3i alloy (Sendust) is formed, and on this lower core 2 is formed a gap N made of an Al2O3 film and having a thickness corresponding to the gap thickness.
3 is formed. An upper core 10 is disposed above the gap layer 3, and a magnetic circuit is configured by the upper and lower cores 10 and 2. The first, second, and third insulating layers 4, 5, and 6 described above are formed in order from the bottom between the cores 2 and 10, and the first lead 8 is on the first insulating layer 4, and the second Second leads 9 are each formed in a signal conductor pattern on the insulating layer 5, and these first leads 8 and second leads 9 are multilayer windings in which wire portions 8a' and 9a' are connected to each other. It has a linear structure.
また、上記の絶縁Ｎ４・５・６によって第１リード８お
よび第２リード９における隣合う線８ａ・８ａ、９ａ・
９ａ同士の電気的絶縁、第１リード８と第２リード９と
の間の電気的絶縁、並びに、各リード８・９と各コア２
・１０との間の電気的絶縁が施されている。そして、上
部コア１０は第１リード８および第２リード９の一部を
跨ぐようにして形成されており、フロントギャップ部Ａ
においては上記のギャップ層３を介して下部コア２と対
向する一方、バックコア接合部Ｂにおいては下部コア２
と磁気的に結合されている。Also, the adjacent wires 8a, 8a, 9a, 9a, 8a, 9a, 9a, 8a, 9b,
9a, electrical insulation between the first lead 8 and second lead 9, and electrical insulation between each lead 8 and 9 and each core 2.
・Electrical insulation is provided between 10 and 10. The upper core 10 is formed so as to straddle a part of the first lead 8 and the second lead 9, and has a front gap part A.
In the back core joint part B, the lower core 2 faces the lower core 2 with the gap layer 3 interposed therebetween.
is magnetically coupled to.
このような薄膜磁気ヘッドを製造するには、第１図（ａ
）に示すように、アルミナ系、若しくはフェライトなど
からなる基板１上に、Ｆｅ−Ａｊｌ！−３ｉ合金などの
軟磁性体層をスパッタ法や電子ビーム蒸着法などにより
被着させて下部コア２を形成した後、この下部コア２上
に所定ギャップ厚みのＡｆｔＣｈ膜をスパッタ法や電子
ビーム蒸着法などにより被着させてギャップ層３を得る
。In order to manufacture such a thin film magnetic head, the process shown in FIG.
), Fe-Ajl! is deposited on a substrate 1 made of alumina or ferrite. After forming the lower core 2 by depositing a soft magnetic layer such as -3i alloy by sputtering or electron beam evaporation, an AftCh film with a predetermined gap thickness is deposited on the lower core 2 by sputtering or electron beam evaporation. The gap layer 3 is obtained by depositing the gap layer 3 by a method or the like.
次いで、同図（ｂ）に示すように、５ｉＯＺなどからな
る第１絶縁層４をスパッタ法、プラズマ−ＣＶＤ法など
により形成する。そして、この第１絶縁層４上にＣｕ’
ＰＡ１などの導電材料を蒸着法やスパッタ法などにより
形成した後、この導電材料を湿式エツチング法やイオン
ビームエツチング法などにより所定の信号導体パターン
に加工して第１１７−ド８を得る。次に、この第１１Ｊ
−ド８上にＳｉＯ！などからなる第２絶縁層５をスパッ
タ法やプラズマ−ＣＶＤ法などで形成する。そして、上
記第１１７−ド８と、後に形成される第２リード９との
電気的接続を行うために、線部８ａ′上（リードコンタ
クト部）に位置する第２絶縁層５を湿式エツチング法や
プラズマエツチング法などにより除去した後、第２絶縁
層５上にＣｕやＡｌなどの導電材料を蒸着法やスパッタ
法などにより形成する。そして、この導電材料を湿式エ
ツチング法やイオンビームエツチング法などにより所定
の信号導体パターンに加工して第２リード９を得る。次
に、この第２リード９上にＳｉＯ□などからなる第３絶
縁層６をスパッタ法やプラズマ−ＣＶＤ法などにより形
成する。Next, as shown in FIG. 3B, a first insulating layer 4 made of 5iOZ or the like is formed by sputtering, plasma-CVD, or the like. Then, on this first insulating layer 4, Cu'
After forming a conductive material such as PA1 by vapor deposition, sputtering, etc., this conductive material is processed into a predetermined signal conductor pattern by wet etching, ion beam etching, etc. to obtain No. 117-D 8. Next, this 11th J
-SiO on board 8! The second insulating layer 5 made of the following is formed by a sputtering method, a plasma-CVD method, or the like. Then, in order to electrically connect the 117th node 8 to the second lead 9 that will be formed later, the second insulating layer 5 located on the line portion 8a' (lead contact portion) is etched using a wet etching method. After removing the second insulating layer 5 by a plasma etching method or the like, a conductive material such as Cu or Al is formed on the second insulating layer 5 by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. Then, the second lead 9 is obtained by processing this conductive material into a predetermined signal conductor pattern by wet etching, ion beam etching, or the like. Next, a third insulating layer 6 made of SiO□ or the like is formed on the second lead 9 by a sputtering method, a plasma-CVD method, or the like.
次いで、同図（Ｃ）に示すように、フロントギャップ部
Ａおよびバックコア接合部Ｂ上に位置する絶縁層４・５
・６を、ＣＦ、などの反応ガスを用いた反応性イオンエ
ツチング（以下、ＲＩＥと称する）により除去する。こ
のように、５ｉＯｚなどからなる絶縁層４・５・６のエ
ツチングをＲＩＢにより行うので、薄膜磁気ヘッドの特
徴である多チャンネル化などの高密度化に伴うヘッドの
微細化を図ることができる。Next, as shown in the same figure (C), insulation layers 4 and 5 located on the front gap part A and the back core joint part
6 is removed by reactive ion etching (hereinafter referred to as RIE) using a reactive gas such as CF. In this way, since the insulating layers 4, 5, and 6 made of 5iOz or the like are etched by RIB, it is possible to miniaturize the head in accordance with the increase in density such as multi-channel, which is a characteristic of thin-film magnetic heads.
このＲＩＥにおいて、使用ガスをＣＦ４＋２０％０□と
し、投入電力を１７５Ｗとしたエツチング条件のもとで
、上記使用ガスの圧力を変化させた場合のＳｉＯ□膜お
よびＡｌｚＯｘ膜のエツチング速度と、両者の選択比と
を第３図に示す。この図によれば、使用ガスの圧力が高
くなるとＳｔＯ□膜およびＡ７，０．膜のエツチング速
度は遅くなるが、両者間の選択比は上昇することが分か
る。従って、エツチングの初期の段階ではエツチング速
度の速い低圧側でエツチングを行い、一方、エツチング
の終期の段階では選択比の大きな高圧側でエンチングを
行えば、効率良くＳｉＯ２膜のエツチングが行えるとと
もに、上記Ａｌｔｏｓ膜は殆どエツチングされずにフロ
ントギャップ部Ａにおいてギャップ層３として下部コア
２上に所定厚みのまま残ることになる。また、このよう
にＳｉＱ、膜（絶縁層４・５・６）のエツチングの際に
は、下部コア２となるＦｅ系合金の軟磁性体層はＡ／２
Ｃｈ膜で露出を防止されることになるから、かかるエツ
チングによっては反応生成物は発生しない。これにより
、フロントギャップ部Ａにおいては所定厚みのギャップ
長を確実に得ることができることになる。In this RIE, under the etching conditions where the gas used was CF4+20%0□ and the input power was 175W, the etching speed of the SiO□ film and the AlzOx film when the pressure of the above gas used was changed, and the etching rate of both. The selectivity ratio is shown in FIG. According to this figure, when the pressure of the gas used increases, the StO□ film and A7,0. It can be seen that although the etching rate of the film becomes slower, the selectivity between the two increases. Therefore, in the initial stage of etching, etching is performed on the low pressure side where the etching speed is high, and on the other hand, in the final stage of etching, etching is performed on the high pressure side with a large selectivity. The Altos film is hardly etched and remains as the gap layer 3 on the lower core 2 with a predetermined thickness in the front gap portion A. In addition, when etching the SiQ film (insulating layers 4, 5, 6) in this way, the soft magnetic layer of Fe-based alloy that will become the lower core 2 is etched at A/2.
Since exposure is prevented by the Ch film, no reaction products are generated by such etching. Thereby, in the front gap portion A, a gap length of a predetermined thickness can be reliably obtained.
次いで、同図（ｄ）に示すように、バックコア接合部Ｂ
に残っているＡｌｚＯ３膜を、Ａｒなどの不活性ガスを
用いたイオンエツチング法により除去する。このとき、
バックコア接合部Ｂでは下部コア２の表面は露出するこ
とになるが、Ａｒなどの不活性ガスにて物理的なエツチ
ングを行っているため、下部コア２となるＦｅ系合金の
磁性体層上に反応生成物が発生するのを抑止できる。こ
れにより、下部コアの清浄な状態での露出が可能になり
、かかるバックコア接合部Ｂでは、後に形成される上部
コア１０との磁気的結合の良好化を図るこができる。Next, as shown in the same figure (d), the back core joint part B
The remaining AlzO3 film is removed by ion etching using an inert gas such as Ar. At this time,
At the back core joint B, the surface of the lower core 2 will be exposed, but since it is physically etched using an inert gas such as Ar, the surface of the Fe-based alloy magnetic layer that will become the lower core 2 will be exposed. The generation of reaction products can be suppressed. This allows the lower core to be exposed in a clean state, and at the back core joint B, it is possible to improve the magnetic coupling with the upper core 10 that will be formed later.
なお、このように、Ａｒなどの不活性ガスを用いたイオ
ンエツチング法は、前記のＲＩＥに比べると、ＳｉＯ□
膜に対するエツチング速度が遅いこと、および、エツチ
ング時のマスクとなるレジストとＳ ｉ Ｏｚ膜との選
択比が小さいことなどから、このＳｉｎ、膜のエツチン
グには不向きであるＯ従って・フロントギャップ部Ａお
よびバックコア接合部Ｂにおける絶縁層４・５・６のエ
ツチングには用いられない。In addition, as described above, the ion etching method using an inert gas such as Ar is more effective in etching SiO□ than in the above-mentioned RIE.
Because the etching speed for the film is slow and the selectivity between the resist that serves as a mask during etching and the SiOz film is small, it is unsuitable for etching this Sin film. Also, it is not used for etching the insulating layers 4, 5, and 6 at the back core junction B.
次に、前記の下部コア２と同様に、Ｆｅ−Ａｌ−３ｔ合
金などの軟磁性体層をスパッタ法や電子ビーム蒸着法な
どにより被着させた後、この軟磁性体層を湿式エツチン
グ法やイオンビームエツチング法などにより所定形状に
加工して上部コア１０を得る。これにより、この上部コ
ア１０は、第２図に示すように、フロントギャップ部Ａ
においては上記のギャップ層３を介して下部コア２と対
向する一方、バックコア接合部Ｂにおいては下部コア２
と磁気的に結合することになる。Next, similarly to the lower core 2 described above, a soft magnetic layer such as Fe-Al-3t alloy is deposited by sputtering or electron beam evaporation, and then this soft magnetic layer is etched by wet etching or etching. The upper core 10 is obtained by processing into a predetermined shape using an ion beam etching method or the like. As a result, this upper core 10 has a front gap portion A, as shown in FIG.
In the back core joint part B, the lower core 2 faces the lower core 2 with the gap layer 3 interposed therebetween.
It will be magnetically coupled with.
このように、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、前述のように、Ａｌ、Ｏ，膜およびＳ ｉ Ｏ，膜
のエツチングにおいては、反応生成物は発生していない
か、若しくは、十分にその発生を抑止されているため、
フロントギャップ部Ａではギャップ長が増加するのを防
止でき、また、バックコア接合部Ｂでは磁気的結合の良
好化が図れる。これにより、高性能かつ高信頼性の薄膜
磁気ヘッドを得ることができる。Thus, according to the method for manufacturing a thin film magnetic head of the present invention, as described above, no reaction products are generated during etching of the Al, O, and SiO films, or Since its occurrence is sufficiently suppressed,
At the front gap portion A, the gap length can be prevented from increasing, and at the back core joint portion B, magnetic coupling can be improved. Thereby, a high performance and highly reliable thin film magnetic head can be obtained.
なお、この薄膜磁気ヘッドには、第１・第２リード８・
９のための接続端子窓が形成されるが、かかる端子窓の
形成は、プラズマエツチング法やＲＩＥなどによって行
われる。Note that this thin film magnetic head has first and second leads 8,
A connection terminal window for 9 is formed, and this terminal window is formed by plasma etching, RIE, or the like.
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以上のよう
に、基板上にはＦｅ系合金からなる磁性体層の下部コア
が形成されており、この下部コア上にはＡｌ２Ｏ２膜か
らなるギャップ層がギヤップ厚みに相当する分だけ形成
され、且つ、このギヤツブ層上には上記ＡＡｚＯｚに対
し選択性の良好な絶縁層が形成されてなる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法であって、フロントギャップ部およびバン
クコア接合部に位置している上記絶縁層に対しては反応
ガスを用いた反応性イオンエツチング法によりエツチン
グを行うとともに、このエツチングによって露出した上
記バンクコア接合部に位置するギャップ層に対しては不
活性ガスを用いたイオンエツチング法によりエツチング
を行う構成である。As described above, in the method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention, a lower core of a magnetic layer made of an Fe-based alloy is formed on a substrate, and a gap layer made of an Al2O2 film is formed on the lower core. is formed in an amount corresponding to the gap thickness, and an insulating layer with good selectivity to the AAzOz is formed on the gear layer, the method comprising: The insulating layer located at the junction is etched by reactive ion etching using a reactive gas, and the gap layer located at the bank core junction exposed by this etching is inert. The structure is such that etching is performed using an ion etching method using gas.
これにより、フロントギャップ部でのギャップ長増加、
および、バックコア接合部での磁気的結合の不良化とい
った問題を確実に解消でき、高性能かつ高倍転性の薄膜
磁気ヘッドを得ることができるという効果を奏する。This increases the gap length at the front gap,
In addition, the problem of poor magnetic coupling at the back core joint can be reliably solved, and a thin film magnetic head with high performance and high multiplicity can be obtained.
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図（ａ）ないしくｄ）はそれぞれ薄膜磁気ヘ
ッドの製造工程の各段階を示す断面図、第２図は本発明
にかかる製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの断
面図、第３図は使用ガス圧の変化に対する／１２０３膜
とＳｉＯ□膜のエツチング速度変化およびＡＩ！２０３
膜とＳｉＯ２膜との選択性の変化をそれぞれ示すグラフ
、第４図は従来の製造方法により製造された薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
１は基板、２は下部コア、３はギャップ層、４は第１絶
縁層、５は第２絶縁層、６は第３絶縁層、８は第１リー
ド、９は第２リード、１０は上部コア、Ａはフロントギ
ャップ部、Ｂはバックコア接合部である。
ＩＫｌ 図（ａ）
第１図（ｂ）
第１ 図（ｄ）1 to 3 show an embodiment of the present invention, in which FIGS. 1(a) to d) are cross-sectional views showing each stage of the manufacturing process of a thin film magnetic head, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a thin film magnetic head manufactured by the manufacturing method according to the present invention, and FIG. 3 shows changes in the etching rate of the /1203 film and the SiO□ film with respect to changes in the gas pressure used, and AI! 203
Graphs showing changes in selectivity between the film and the SiO2 film, and FIG. 4 are cross-sectional views of a thin film magnetic head manufactured by a conventional manufacturing method. 1 is a substrate, 2 is a lower core, 3 is a gap layer, 4 is a first insulating layer, 5 is a second insulating layer, 6 is a third insulating layer, 8 is a first lead, 9 is a second lead, 10 is an upper part In the core, A is the front gap portion, and B is the back core joint portion. IKl Figure (a) Figure 1 (b) Figure 1 (d)
Claims (1)
が形成されており、この下部コア上にはＡｌ＿２Ｏ＿３
膜からなるギャップ層がギャップ厚みに相当する分だけ
形成され、且つ、このギャップ層上には上記Ａｌ＿２Ｏ
＿３に対し選択性の良好な絶縁層が形成されてなる薄膜
磁気ヘッドの製造方法であって、 フロントギャップ部およびバックコア接合部に位置して
いる上記絶縁層に対しては反応ガスを用いた反応性イオ
ンエッチング法によりエッチングを行うとともに、この
エッチングによって露出した上記バックコア接合部に位
置するギャップ層に対しては不活性ガスを用いたイオン
エッチング法によりエッチングを行うことを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。[Claims] 1. A lower core of a magnetic layer made of Fe-based alloy is formed on the substrate, and Al_2O_3 is formed on the lower core.
A gap layer consisting of a film is formed in an amount corresponding to the gap thickness, and the above Al_2O is formed on this gap layer.
A method for manufacturing a thin film magnetic head in which an insulating layer with good selectivity for _3 is formed, wherein a reactive gas is used for the insulating layer located in the front gap part and the back core junction part. A thin film magnetic film characterized in that etching is performed by a reactive ion etching method, and the gap layer located at the back core junction exposed by this etching is etched by an ion etching method using an inert gas. Head manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9749088A JPH01269217A (en) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | Production of thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9749088A JPH01269217A (en) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | Production of thin-film magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01269217A true JPH01269217A (en) | 1989-10-26 |
Family
ID=14193715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9749088A Pending JPH01269217A (en) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | Production of thin-film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01269217A (en) |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP9749088A patent/JPH01269217A/en active Pending
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