JPH01268036A - Molding die - Google Patents
Molding dieInfo
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- JPH01268036A JPH01268036A JP9747688A JP9747688A JPH01268036A JP H01268036 A JPH01268036 A JP H01268036A JP 9747688 A JP9747688 A JP 9747688A JP 9747688 A JP9747688 A JP 9747688A JP H01268036 A JPH01268036 A JP H01268036A
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- mold
- lead frame
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- semiconductor package
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、樹脂型の半導水バラゲージを形成する際に用
いるモールド金型に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a mold used in forming a resin-type semiconducting water barrier gauge.
従来の技術
従来の樹脂モールド金型は、半導体チップを樹脂でモー
ルドする際、半導体チップがダイパッドに搭載されたリ
ードフレームのアウターリード間を接続しているダムバ
ー上を、油圧によって加圧された金型の下型と上型のリ
ードクランプ面で挾み、ダムバーより外部への樹脂の流
出を阻止していた。しかし、上記の樹脂モールド金型を
用いてモールドしたとき、半導体バヅゲージ側面とダム
バーの間で、かつ隣り合うアウターリード間に、リード
フレームの板厚と同じ厚みの樹脂パリが生成する。この
樹脂パリの発生は、半導体パッケージが完成した際に、
側面部突起として外観をそこなったり、半導体パッケー
ジに設けたアウターリードのリード処理（半田によるめ
っきやデイツプ）の際の未処理部の残存などの問題を生
じるので、ダムバーを切断する前にパリ抜き金型で突き
落としていた。また、別の樹脂モールド金型は、半導体
をパッケージングする樹脂モールド金型にセットされた
リードフレームの隣り合うアウターリード間のダムバー
と金型キャビティーの側壁との間に突出した、リードフ
レームの板厚より数μｍ〜２０μｍ程度低い直方体の突
出部を下型に設け、半導体パッケージを樹脂でモールド
した際に、上型と下型から突出した直方体の突出部との
隙間に数μｍ〜２０μｍ程度の薄い樹脂パリが発生する
ために、ダムバーの切断と同時に切断型で薄い樹脂パリ
を突き落していた。Conventional technology When molding a semiconductor chip with resin, a conventional resin molding mold uses hydraulically pressurized metal to run over a dam bar that connects the outer leads of a lead frame on which the semiconductor chip is mounted on a die pad. It was sandwiched between the lead clamp surfaces of the lower and upper molds to prevent resin from flowing out from the dam bar. However, when molding is carried out using the above-mentioned resin molding die, a resin layer having the same thickness as the lead frame is generated between the side surface of the semiconductor badge gauge and the dam bar, and between adjacent outer leads. This generation of resin particles occurs when the semiconductor package is completed.
Deburring should be done before cutting the dam bar to avoid problems such as protrusions on the side surface that may damage the appearance or leave unprocessed parts remaining during lead processing (solder plating or dips) on the outer leads provided on the semiconductor package. It was punched out with a mold. In addition, another resin mold has a lead frame that protrudes between a dam bar between adjacent outer leads of a lead frame set in a resin mold for packaging semiconductors and a side wall of the mold cavity. A rectangular parallelepiped protrusion that is several μm to 20 μm lower than the board thickness is provided on the lower mold, and when the semiconductor package is molded with resin, there is a gap of several μm to 20 μm between the upper mold and the rectangular parallelepiped protrusion that protrudes from the lower mold. Because of this, the thin resin pad was pushed down by the cutting die at the same time as the dam bar was cut.
発明が解決しようとする課題
樹脂型の半導体パッケージは、上記のように樹脂モール
ド金型の上型と下型との間にセットしたリードフレーム
板厚の隙間に樹脂パリが発生する。Problems to be Solved by the Invention In resin-type semiconductor packages, resin particles occur in the gap between the lead frame thicknesses set between the upper and lower molds of the resin molding die, as described above.
この樹脂パリは、半導体パッケージの外観上や、アウタ
ーリード処理上の問題から、突き落として取り除いてい
る。しかし、リードフレームと同程度の厚みの樹脂パリ
を無遺作に突き落した場合、バリが半導体パッケージに
付着していた面に深くえぐれた傷を与える。この面は、
多湿雰囲気において樹脂モールド面に比べて吸湿速度が
速い、さらに、深くえぐれた傷の面は、半導体パッケー
ジの樹脂表面より入り込んでいるので、アウターリード
のゆるみの原因にもなりやすい、一方、金型にセットし
たリードフレームの隣り合うアウターリード間のダムバ
ーと金型キャビティーとの間に突出する、直方体の突出
部を備えた樹脂モールド金型でモールドを行ったパッケ
ージの樹脂パリは、ダムバーの切断型で抜き落しても全
体の厚さが薄いため抜は落ちずにぶら下がり、アウター
リードの処理工程で処理不良の原因となるなどの問題が
あった。This resin debris is removed by pushing it down due to problems in the appearance of the semiconductor package and in processing the outer leads. However, if a resin burr with a thickness similar to that of a lead frame is accidentally dropped, the burr will cause deep gouges on the surface of the semiconductor package. This side is
In a humid atmosphere, the moisture absorption rate is faster than the resin mold surface.Furthermore, the deeply gouged surface penetrates deeper than the resin surface of the semiconductor package, which can easily cause the outer leads to loosen.On the other hand, the mold surface The resin mold of the package is molded using a resin mold with a rectangular parallelepiped protrusion that protrudes between the dam bar between the adjacent outer leads of the lead frame set in the mold cavity and the mold cavity. Even if it was punched out with a mold, the overall thickness was so thin that the punch would not fall off and would hang, causing problems such as processing defects during the outer lead processing process.
本発明は上記の問題を解決するもので、半導体パッケー
ジの樹脂モールドにおいて、側面に生成する樹脂パリを
容易に抜き落とすことができるようにモールドしうるモ
ールド金型を提供することを目的とするものである。The present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a molding die that can be used to mold a semiconductor package in such a way that resin particles formed on the side surfaces can be easily removed. It is.
課題を解決するための手段
上記の課題を解決するために第１発明のモールド金型は
、半導体パッケージ形成用の樹脂のモールド金型であっ
て、対向する下型と上型の少なくともいずれか一方の対
向面に、前記下型と上型との間に配置したリードフレー
ムの隣り合うアウターリード間のダムバーとキャビティ
ーの側壁との間に突出する、前記リードフレームの板厚
より低いブロック部を形成したことを特徴とし、第２発
明のモールド金型は、半導体パッケージ形成用の樹脂の
モールド金型であって、対向する下型と上型の少なくと
もいずれか一方の対向面に、前記下型と上型との間に配
置したリードフレームの隣り合うアウターリード間のダ
ムバーとキャビティの側壁との間に突出する前記リード
フレームの板厚より低い楔状のブロック部を形成したこ
とを特徴とするものである。Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the mold of the first invention is a resin mold for forming a semiconductor package, and includes at least one of the opposing lower mold and upper mold. A block portion that is lower than the plate thickness of the lead frame and protrudes between a dam bar between adjacent outer leads of the lead frame disposed between the lower mold and the upper mold and a side wall of the cavity is provided on the opposing surface of the lead frame. The mold of the second invention is characterized in that the mold of the second invention is a resin mold for forming a semiconductor package, and the lower mold is formed on the opposing surface of at least one of the opposing lower mold and upper mold. A wedge-shaped block portion that is lower than the plate thickness of the lead frame and protrudes between a dam bar between adjacent outer leads of the lead frame disposed between the lead frame and the upper die and the side wall of the cavity is formed. It is.
作用
上記の第１発明のモールド金型において、樹脂モールド
した半導体パッケージのリードフレームのアウターリー
ド間の側面に生成した樹脂パリは、リードフレームの板
厚より低いブロック部をその形状の選択により、側面近
くでは薄＜、かつアウターリード近くとダムバー近くの
中央付近を除く部分では厚くでき、また第２発明のモー
ルド金型においては同じく樹脂モールドした半導体パッ
ケージのアウターリード間の側面に生成した樹脂パリは
、側面近くにおいて楔状のブロック部による、その形状
に応じた刻み目（ノツチ）を有し、かつ他の部分が厚く
なるので、いずれの半導体パッケージの場合もダムバー
切断時に樹脂パリを残留することなく側面近くの薄い部
分から離脱し、しかも樹脂パリの離脱部の傷の面積も極
めて小さくして、容易に抜き落とすことができる。Function: In the molding die of the first invention described above, the resin particles generated on the side surfaces between the outer leads of the lead frame of the resin-molded semiconductor package can be removed from the side surfaces of the block portion whose thickness is lower than the thickness of the lead frame by selecting the shape of the block portion. It can be made to be thin in the vicinity, and thick in the parts except for the parts near the outer leads and near the dam bar, and in the mold of the second invention, the resin paris formed on the sides between the outer leads of the semiconductor package also molded with resin is , the wedge-shaped block near the side has a notch corresponding to its shape, and the other parts are thicker, so when cutting the dam bar, any semiconductor package can be cut on the side without leaving any resin particles. It detaches from the nearby thin part, and the area of damage at the detached part of the resin paris is made extremely small, making it easy to pull out.
実施例 以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。Example Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第１図は第１発明の一実施例のモールド金型における下
型とこの下型上に重ねたリードフレームとの要部の斜視
図、第２図は同モールド金型により樹脂モールドした場
合の概略断面図である。第１図および第２図において、
モールドする樹脂１の成形温度にまで昇温したモールド
金型２の下型２Ａの上に、各工程で処理をしてワイヤリ
ングまで完了したリードフレーム３をセットしており、
その場合リードフレーム３とモールド金型２の下型２Ａ
との位置の規制は、モールド金型２の下型２Ａの面上に
設けた規制ビン４をリードフレーム３の規制孔５にはめ
込むことで行う、このリードフレーム３は、平行な複数
本のアウターリード６と、隣り合うアウターリード６の
間を接続しているダムバー７とを備えており、モールド
金型２に形成するパッケージ形状のキャビティー８の長
辺と垂直にアウターリード６が位置するように、リード
パターンを形成している。そしてモールド金型２におい
ては、平面形状が三角形もしくは台形（本実施例では台
形）のブロック部９を、リードフレーム３のアウターリ
ード６の間に、片側０．１〜０．３１程度の隙間を保っ
て突出して、キャビティー８の下型２Ａの側壁１０の延
長上に形成している。前記下型２Ａに突出して形成した
平面形状が台形状のブロック部９の高さは、リードフレ
ーム３の板厚（通常０．２５．０．２０．０．１５Ｉｎ
１などが多用される。）より数μｍ〜２０μｍ程度低く
する。また樹脂流出阻止のためにモールド金型２の下型
２Ａと上型２Ｂとは、クランプ面１１でリードフレーム
３のアウターリード６を接続しているダムバー７の部分
を挾んでいる。前記台形状のブロック部９の形状は、台
形の長辺部（三角形の場合は底辺部）が、樹脂モールド
金型２のキャビティー８の側になるように設ける。した
がって隣り合う２本のアウターリード６とダムバー７と
台形状のブロック部９を突出した下型２Ａと上型２Ｂと
により、アウターリード６およびダムバー７の近くには
リードフレーム３の板厚に相等する空間を形成する。FIG. 1 is a perspective view of the main parts of a lower mold and a lead frame stacked on the lower mold in a mold according to an embodiment of the first invention, and FIG. It is a schematic sectional view. In Figures 1 and 2,
The lead frame 3, which has been processed in each step and completed with wiring, is set on the lower die 2A of the mold die 2, which has been heated to the molding temperature of the resin 1 to be molded.
In that case, the lead frame 3 and the lower die 2A of the mold die 2
The position of the lead frame 3 is controlled by fitting the regulation pin 4 provided on the surface of the lower die 2A of the mold die 2 into the regulation hole 5 of the lead frame 3. The lead 6 is provided with a dam bar 7 that connects the adjacent outer leads 6, and the outer lead 6 is positioned perpendicularly to the long side of the package-shaped cavity 8 formed in the mold die 2. A lead pattern is formed thereon. In the molding die 2, a block portion 9 having a triangular or trapezoidal planar shape (trapezoidal in this embodiment) is placed between the outer leads 6 of the lead frame 3 with a gap of about 0.1 to 0.31 mm on each side. It is formed on an extension of the side wall 10 of the lower mold 2A of the cavity 8 so as to protrude. The height of the block portion 9 having a trapezoidal planar shape and projected from the lower mold 2A is determined by the thickness of the lead frame 3 (usually 0.25.0.20.0.15 In
1 etc. are often used. ) to be about several μm to 20 μm lower. Further, in order to prevent the resin from flowing out, the lower die 2A and the upper die 2B of the molding die 2 sandwich the portion of the dam bar 7 connecting the outer lead 6 of the lead frame 3 at the clamping surface 11. The trapezoidal block portion 9 is shaped such that the long side of the trapezoid (or the base in the case of a triangle) is on the side of the cavity 8 of the resin mold 2 . Therefore, due to the two adjacent outer leads 6 and dam bars 7, and the lower mold 2A and upper mold 2B from which the trapezoidal block portions 9 are protruded, a portion near the outer leads 6 and dam bars 7 has a thickness equivalent to that of the lead frame 3. Create a space where
なお、本実施例の樹脂モールド金型２の場合は、下型に
平面形状が台形（または三角形）のブロック部９を設け
たが、上型２Ｂに設けてもよく、また下型２Ａと上型２
Ｂの両方で形成してもよい。In the case of the resin molding die 2 of this embodiment, the block portion 9 having a trapezoidal (or triangular) planar shape is provided in the lower mold, but it may be provided in the upper mold 2B, or the block portion 9 can be provided in the upper mold 2A and the upper mold. Type 2
It may be formed using both B.
本実施例のモールド金型２を用いて樹脂モールドして成
形した半導体パッケージ１２において、アウターリード
６の間に生成した樹脂バリ１３は、側面１２ａの近くは
リードフレーム３の板厚とブロック部９の高さの差に相
当する厚さの薄バリで、アウターリード６の近くとダム
バー７の近くの中央付近を除く部分とはリードフレーム
３の板厚に相当する厚パリであり、ダムバー７の切断加
工時に同時に側面１２ａの近くの薄い部分から容易に抜
は落ちて、ぶら下がって残るようなことはない（第３図
）、シかも、半導体パッケージ１２の側面１２ａにおけ
る樹脂バリ１３の離脱部では、樹脂バリ１３の厚さが薄
いため半導体パッケージ１２の側面１２ａより内部へ深
く入り込む傷の発生がなく、耐湿性やリード引抜き強度
が低下せず、外観上からも、また性能の信頼性の上から
も、すぐれた品質の半導体パッケージ１２を得ることが
できる。In the semiconductor package 12 formed by resin molding using the molding die 2 of this embodiment, the resin burr 13 generated between the outer leads 6 is caused by the thickness of the lead frame 3 and the block portion 9 near the side surface 12a. There is a thin burr with a thickness corresponding to the difference in height between the outer leads 6 and the dam bar 7, except for the central part, which is a thick burr corresponding to the plate thickness of the lead frame 3. At the same time during the cutting process, the resin burr 13 will not easily fall off from the thin part near the side surface 12a and remain hanging (see FIG. 3). Since the thickness of the resin burr 13 is thin, there is no possibility of scratches penetrating deeper into the inside than the side surface 12a of the semiconductor package 12, and the moisture resistance and lead pull-out strength are not reduced, improving the appearance as well as the reliability of performance. Also, a semiconductor package 12 of excellent quality can be obtained.
次に第４図は第２発明の一実施例のモールド金型におけ
る下型とこの下型上に重ねたリードフレームとの要部の
斜視図、第５図は同モールド金型により樹脂モールドし
た場合の概略断面図である。Next, FIG. 4 is a perspective view of the main parts of a lower mold and a lead frame stacked on the lower mold in a mold according to an embodiment of the second invention, and FIG. FIG.
第４図および第５図において、モールドする樹脂２１の
成形温度になったモールド金型２２の下型２２Ａの上に
、各工程で処理をしてワイヤリングまで完了したリード
フレーム２３をセットしており、その場合リードフレー
ム２３のモールド金型２２の下型２２Ａとの位置の規制
は、モールド金型２２の下型２２Ａの面上に設けた規制
ビン２４をリードフレーム２３の規制孔２５にはめ込む
ことで行う、このリードフレーム２３は、平行な複数本
のアウターリード２６とそれらを継いでいるダムバー２
７とを備えており、モールド金型２２に形成するパッケ
ージ形状のキャビティー２８の長辺と垂直にアウターリ
ード２６が位置するようにパターンを形成している。そ
して、モールド金型２２においては、楔状のブロック部
２９を、リードフレーム２３のアウターリード２６の間
に片側０．１〜０．３鴎程度の隙間を保って楔状に突出
して、キャビティー２８の下型２２Ａの側壁３０の延長
上に形成している。前記下型２２Ａに突出して形成した
楔状のブロック部２９の最も高い先端２９ａの高さは、
リードフレーム２３の板厚（通常０．２５．０．２０．
０．１５−などが多用される。）より数μｍ〜２０μｍ
程度低くする。また、樹脂流出阻止のために、モールド
金型２２の下型２２Ａと上型２２Ｂとは、クランプ面３
１でリードフレーム２３のアウターリード２６を接続し
ているダムバー２７の部分を挾んでいる。前記楔状のブ
ロック部２９の大体の形状は、楔状部分の角度θを３０
°〜６０°程度に設定し、上部の先端２９ａは幅が０．
０５〜０．２ ｒｍ程度の平坦部を有している。In FIGS. 4 and 5, the lead frame 23, which has been processed in each step and completed with wiring, is set on the lower die 22A of the mold die 22, which has reached the molding temperature of the resin 21 to be molded. In that case, the position of the lead frame 23 with respect to the lower die 22A of the mold die 22 is controlled by fitting the regulation bin 24 provided on the surface of the lower die 22A of the mold die 22 into the regulation hole 25 of the lead frame 23. This lead frame 23 consists of a plurality of parallel outer leads 26 and a dam bar 2 connecting them.
7, and the pattern is formed such that the outer lead 26 is positioned perpendicular to the long side of the package-shaped cavity 28 formed in the molding die 22. In the molding die 22, a wedge-shaped block portion 29 is protruded into the cavity 28 between the outer leads 26 of the lead frame 23 with a gap of about 0.1 to 0.3 mm on one side. It is formed on an extension of the side wall 30 of the lower mold 22A. The height of the highest tip 29a of the wedge-shaped block portion 29 formed to protrude from the lower mold 22A is as follows:
The plate thickness of the lead frame 23 (usually 0.25.0.20.
0.15- etc. are often used. ) from several μm to 20 μm
to a lesser extent. Further, in order to prevent the resin from flowing out, the lower mold 22A and the upper mold 22B of the mold die 22 are connected to the clamp surface 3.
1 sandwich the portion of the dam bar 27 that connects the outer lead 26 of the lead frame 23. The general shape of the wedge-shaped block portion 29 is such that the angle θ of the wedge-shaped portion is 30
The width of the upper tip 29a is set at about 0° to 60°.
It has a flat part of about 0.05 to 0.2 rm.
なお前記先端２９ａは固形状または曲面状に形成しても
よい。Note that the tip 29a may be formed into a solid shape or a curved shape.
また本実施例のモールド金型２２の場合は、下型に楔状
のブロック部２９を設けたが、上型２２Ｂに設けてもよ
く、下型２２Ａと上型２２Ｂの両方に設けてもよい。Further, in the case of the molding die 22 of this embodiment, the wedge-shaped block portion 29 is provided in the lower mold, but it may be provided in the upper mold 22B, or may be provided in both the lower mold 22A and the upper mold 22B.
本実施例のモールド金型２２を用いて樹脂モールドして
成形した半導体パッケージ３２のアウターリード２６の
間に生成した樹脂パリ３３は、半導体パッケージ３２の
側面３２ａの近くに、楔状のブロック部２９によりその
形状に応じた刻み目（ノツチ）３３ａが形成し、かつ他
の部分はリードフレーム２３の板厚と同程度の厚さを有
しているので、ダムバー２７を切断ときに同時に刻み目
３３ａの薄い部分から残留することなく容易に抜は落ち
る（第６図）、シかも、半導体パッケージ３２の側面３
２ａの樹脂パリ３３の離脱部の傷は、刻み目３３ａの樹
脂の厚みが薄いため、半導体パッケージ３２の内部へ深
く入り込む傷の発生がなく、耐湿性やリード引抜き強度
が低下せず、外観上からも、また性能の信頼性の上から
も優れた品質の半導体パッケージ３２を得ることができ
る。The resin particles 33 generated between the outer leads 26 of the semiconductor package 32 molded by resin molding using the molding die 22 of this embodiment are formed by a wedge-shaped block portion 29 near the side surface 32a of the semiconductor package 32. A notch 33a is formed according to the shape of the dam bar 27, and the other parts have a thickness comparable to that of the lead frame 23. Therefore, when cutting the dam bar 27, the thin part of the notch 33a is formed at the same time. The side surface 3 of the semiconductor package 32 can be easily removed without leaving any residue (Fig. 6).
2a, the resin at the notch 33a is thin, so there is no damage that penetrates deeply into the semiconductor package 32, and the moisture resistance and lead pull-out strength are not reduced, which improves the appearance. Furthermore, it is possible to obtain a semiconductor package 32 of excellent quality in terms of performance reliability.
発明の効果
本発明の、半導体パッケージを成形用のモールド金型の
使用によって、得られた半導体パッケージは、その側面
のアウターリード間に生成付着した樹脂パリは、半導体
パッケージの側面近くは薄く、かつアウターリードおよ
びダムバーの近くは厚いので容易に離脱させることがで
き、離脱した後の傷の部分は、面積が小さく傷の深さも
浅いため滑らかであり、耐湿性やリード引抜き強度が従
来形状のものに比べて格段に向上する。Effects of the Invention By using the molding die for molding a semiconductor package of the present invention, the semiconductor package obtained is such that the resin particles generated and adhered between the outer leads on the side surface of the semiconductor package are thin near the side surface of the semiconductor package, and The area near the outer lead and dam bar is thick, so it can be easily removed, and the scratched area after detachment is small and shallow, so it is smooth, and the moisture resistance and lead pull-out strength are better than that of the conventional shape. significantly improved compared to .
第１図は第１発明の一実施例のモールド金型に、おける
下型とこの下型上に重ねたリードフレームとの要部の斜
視図、第２図は同モールド金型により樹脂モールドした
場合の概略断面図、第３図は同モールド金型により樹脂
モールドし樹脂パリを離脱させた半導体パッケージの概
略断面図、第４図は第２発明の一実施例のモールド金型
における下型とこの下型上に重ねたリードフレームとの
要部の斜視図、第５図は同モールド金型により樹脂モー
ルドした場合の概略断面図、第６図は同モールド金型に
より樹脂モールドし樹脂パリを離脱させた半導体パッケ
ージの概略断面図である。
２．２２・・・モールド金型、２Ａ、２２Ａ・・・下型
、２Ｂ、２２Ｉ３・・・」二型、３．２３・・・リード
フレーム、６゜２６・・・アウターリード、７，２７・
・・ダムバー、８．２８・・・キャビティー、９．２９
・・・ブロック部、１２．３２・・・半導体パッケージ
。
代理人 森 本 義 弘
第１図
、？−９−Ｌ←゛盆型
３・・・リードフレーム
６−・・アラターリ−ｒ・
７、−、クームノで−
１３−’４−ｔｃティー
９−ブロック９Ｐ
第２図
２Ｂ−上智
ｒ２−−そ導体バーＩケージ
第３図
第４図
ｚｚ −ｉシールド金型
２３・−リードフレーム
２６゛アウターリード
２り ダムノず−
２Ｂ・’Ａｖｅ−チイー
２９・ブＯツク部Fig. 1 is a perspective view of the main parts of a lower mold and a lead frame stacked on the lower mold in a mold according to an embodiment of the first invention, and Fig. 2 is a perspective view of the main parts of a mold of an embodiment of the first invention. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor package molded with resin using the same mold and the resin pads have been removed. FIG. A perspective view of the main parts of the lead frame stacked on the lower mold, Fig. 5 is a schematic cross-sectional view when resin molding is performed using the same mold, and Fig. 6 is a schematic cross-sectional view of the lead frame when resin molded using the same mold. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the separated semiconductor package. 2.22...Mold die, 2A, 22A...Lower mold, 2B, 22I3...''2 mold, 3.23...Lead frame, 6°26...Outer lead, 7,27・
... Dam bar, 8.28 ... Cavity, 9.29
...Block part, 12.32...Semiconductor package. Agent Yoshihiro Morimoto Figure 1? -9-L←゛Bon type 3...Lead frame 6-...Aratari-r. Conductor bar I cage Figure 3 Figure 4 zz -i Shield mold 23・Lead frame 26゛Outer lead 2 Dam nozzle 2B・'Ave-chie 29・Book part
Claims (1)
って、対向する下型と上型の少なくともいずれか一方の
対向面に、前記下型と上型との間に配置したリードフレ
ームの隣り合うアウターリード間のダムバーとキャビテ
ィーの側壁との間に突出する、前記、リードフレームの
板厚より低いブロック部を形成したことを特徴とするモ
ールド金型。 ２、半導体パッケージ形成用の樹脂のモールド金型であ
って、対向する下型と上型の少なくともいずれか一方の
対向面に、前記下型と上型との間に配置したリードフレ
ームの隣り合うアウターリード間のダムバーとキャビテ
ィーの側壁との間に突出する、リードフレームの板厚よ
り低い楔状のブロック部を形成したことを特徴とするモ
ールド金型。[Scope of Claims] 1. A resin mold for forming a semiconductor package, which is disposed between the lower mold and the upper mold on the opposing surface of at least one of the opposing lower mold and upper mold. A molding die characterized in that a block portion having a thickness lower than the plate thickness of the lead frame is formed, which protrudes between a dam bar between adjacent outer leads of the lead frame and a side wall of the cavity. 2. A resin mold for forming a semiconductor package, in which a lead frame placed between the lower mold and the upper mold is adjacent to each other on the opposing surface of at least one of the opposing lower mold and upper mold. A molding die characterized by forming a wedge-shaped block part that is lower than the plate thickness of a lead frame and protrudes between a dam bar between outer leads and a side wall of a cavity.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9747688A JPH01268036A (en) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | Molding die |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9747688A JPH01268036A (en) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | Molding die |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268036A true JPH01268036A (en) | 1989-10-25 |
Family
ID=14193348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9747688A Pending JPH01268036A (en) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | Molding die |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268036A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177189A (en) * | 1990-10-10 | 1994-06-24 | Samsung Electron Co Ltd | Semiconductor molding apparatus provided with inclined gate |
| WO2000051176A1 (en) * | 1999-02-25 | 2000-08-31 | Infineon Technologies Ag | Method for producing an integrated electrical circuit |
| JP2020126902A (en) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 第一精工株式会社 | Resin sealing device and resin sealing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217769A (en) * | 1976-08-09 | 1977-02-09 | Toshiba Corp | Production method of semi-conductor device |
| JPS60180126A (en) * | 1984-02-28 | 1985-09-13 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1988
- 1988-04-19 JP JP9747688A patent/JPH01268036A/en active Pending
Patent Citations (2)
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