JPH01264231A - Optical inspection apparatus - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 241000052343 Dares Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は画像認識における照明において、特に被検出物
の表面凹凸形状および周縁形状に影響されずに鮮明な画
像を得る好適な照明装置にするものであり、たとえば、
半導体デバイスの組立技術に利用して有効な技術に関す
る。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention provides a suitable illumination device for illumination for image recognition, particularly for obtaining clear images without being affected by the surface unevenness and peripheral shape of an object to be detected. For example,
This article relates to techniques that are effective for use in semiconductor device assembly techniques.
半導体デバイスの製造にあっては多種類の光学検査装置
が使用されている。たとえば、ディジタル・オーディオ
・ディスク、ビディオ・ディスク等の情報処理用の発光
源あるいは光通信用の発光源としての半導体レーザ装置
の組立にあっては、レーザ光を発光する１ｍｍ以下と極
めて小さいシー４χチツプ（半導体レーザ素子）をサブ
マウントと称される支持体に固定するが、この際、たと
えば、サブマウント主面に設けられた半田蒸着層やサブ
マウントに固定されたＡｕ箔等のレーザチップ取付領域
上に固定されている。Many types of optical inspection equipment are used in the manufacture of semiconductor devices. For example, when assembling a semiconductor laser device as a light emitting source for information processing such as digital audio discs and video discs, or as a light emitting source for optical communication, an extremely small sheet of 1 mm or less that emits laser light is used. The chip (semiconductor laser element) is fixed to a support called a submount. At this time, for example, the laser chip is attached using a solder vapor deposited layer provided on the main surface of the submount or an Au foil fixed to the submount. Fixed on area.
また、レーザチップは、その使用において他の光学系と
の光軸合わせに高精度を要求されるため、レーザチップ
の固定位置精度も勢い高精度が要求されている。したが
って、サブマウントにレーザチップを固定する作業に先
立つレーザチップ取付領域の位置検出も高精度が要求さ
れ、−ｇに光学検査装置が使用されている。Further, when using a laser chip, high precision is required for alignment of the optical axis with other optical systems, and therefore, high precision is also required for the fixing position of the laser chip. Therefore, high accuracy is required for detecting the position of the laser chip mounting area prior to the work of fixing the laser chip to the submount, and an optical inspection device is used for -g.
また、物品の表面パターンや異物検査を検出する装置に
あっては、照明装置は落射照明や斜光照明が一般的であ
る。なお、落射照明および斜光照明を組み込んだ光学検
査装置の例としては、たとえば、特願昭６１−１８８４
０１号に記載されたものがある。この文献には、レチク
ルやフォトマスクの使用に先立って行われる異物検査に
おいて、落射照明と斜光照明とを同時に行い、かつ落射
照明による反射光と透過照明による透過光の光量のレベ
ルが等しくなるようにして検査を行うことにより、異物
の形状や付着部位などに影響されることなく、異物が確
実に検出できる旨記載されている。Furthermore, in devices for detecting surface patterns and foreign matter inspection of articles, epi-illumination or oblique illumination is generally used as the illumination device. An example of an optical inspection device incorporating epi-illumination and oblique illumination is, for example, Japanese Patent Application No. 61-1884.
There is one described in No. 01. This document states that in foreign matter inspection performed prior to using a reticle or photomask, epi-illumination and oblique illumination are performed at the same time, and the levels of reflected light from epi-illumination and transmitted light from transmitted illumination are equalized. It is stated that by performing an inspection using the same method, foreign objects can be reliably detected without being affected by the shape of the foreign object or the location on which it is attached.
上記のように、サブマウントの一部に設けられた半田部
分にレーザチップを固定する場合、半田部分、すなわち
、レーザチップ取付領域の検出にあっては、従来のよう
な落射照明および斜光照明を組み合わせた光学検査装置
では、高精度にレーザチップ取付領域を検出することは
できにくいことが本発明者によってあきらかにされた。As mentioned above, when fixing a laser chip to a solder part provided on a part of a submount, conventional epi-illumination and oblique illumination are used to detect the solder part, that is, the laser chip mounting area. The inventor has revealed that it is difficult to detect the laser chip mounting area with high precision using the combined optical inspection device.
すなわち、従来の光学検査装置における斜光照明にあっ
ては、斜光照明光源が被検出物の上部−側にしか設けら
れていないこと、前記レーザチップ取付領域は、サブマ
ウントの主面の一部領域に蒸着技術によって形成される
等の構造となっていることから、その周縁は微視的に見
るならば、各所でだれと呼称される曲面部が点在してい
る。この結果、−側にしか光源を有さない従来の斜光装
置では、検出された像に影が生じたり、ハレーションが
起き、高精度な位置検出ができ難かった。That is, in the case of oblique illumination in conventional optical inspection equipment, the oblique illumination light source is provided only on the upper side of the object to be detected, and the laser chip mounting area is a part of the main surface of the submount. Since the structure is formed by vapor deposition technology, the periphery, when viewed microscopically, is dotted with curved parts called "dares". As a result, in the conventional oblique light device having a light source only on the negative side, shadows and halation occur in the detected image, making it difficult to detect a position with high precision.
本発明の目的は、影やハレーションを生じさせることな
くパターン検出が行える高精度位置検出可能な光学検査
装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide an optical inspection device capable of detecting a pattern with high accuracy and detecting a position without causing shadows or halation.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.
本発明の光学検査装置にあっては、被検出物への照明は
、鏡筒に組み込んだ同軸落射照明と、鏡筒先端に鏡筒を
取り囲むように配設したリング状光ファイバからなるリ
ング状照明（斜光照明）とを有するとともに、同軸落射
照明およびリング状照明の光量を自動的に切り換える。In the optical inspection device of the present invention, the object to be detected is illuminated by a coaxial epi-illumination built into the lens barrel and a ring-shaped optical fiber arranged at the tip of the lens barrel so as to surround the lens barrel. It has an illumination (oblique illumination) and automatically switches the light intensity of coaxial epi-illumination and ring-shaped illumination.
上記した手段によれば、本発明の光学検査装置は、同軸
落射照明で被検出物を真上から照明するとともに、リン
グ状照明で被検出物の全周部分を照明し、光量を被検出
物により自動的に切り換えることから、影やハレーショ
ンを生じさせることなく被検出物のパターンを正確に検
出することができ、被検出物のパターン位置を高精度に
検出することができる。特に、本発明によれば、周囲の
高さに乱れがある蒸着層やポンチングで取り付けた金箔
のパターンを高精度に検出できる。According to the above means, the optical inspection apparatus of the present invention illuminates the object to be detected from directly above with coaxial epi-illumination, illuminates the entire circumference of the object with ring-shaped illumination, and adjusts the amount of light to the object to be detected. Since the pattern is automatically switched, the pattern of the object to be detected can be detected accurately without causing shadows or halation, and the position of the pattern of the object to be detected can be detected with high precision. In particular, according to the present invention, it is possible to detect with high precision a vapor deposited layer whose surrounding height is irregular or a pattern of gold foil attached by punching.
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例による光学検査装置の要部を
示す模式図、第２図は同じくレーザチップ取付領域の二
値化検出パターンを示す平面図、第３図は本発明の光学
検査装置を利用して製造された半導体レーザ装置の要部
を示す斜視図、第４図は同じくレーザチップとレーザチ
ップ取付領域との相関を示す斜視図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing the main parts of an optical inspection device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a binary detection pattern of the laser chip mounting area, and FIG. FIG. 4 is a perspective view showing the main parts of a semiconductor laser device manufactured using the inspection apparatus, and FIG. 4 is a perspective view showing the relationship between the laser chip and the laser chip mounting area.
この実施例では、半導体レーザ装置の製造において、第
４図に示されるように、支持体（サブマウント）ｌにレ
ーザチップ２を固定する作業に先立７サブマウント１上
の蒸着層３、すなわち、レーザチップ取付領域３の位置
検出に本発明を適用した例について説明する。In this embodiment, in the manufacture of a semiconductor laser device, as shown in FIG. , an example in which the present invention is applied to detecting the position of the laser chip mounting area 3 will be described.
ここで半導体レーザ装置の構造について簡単に説明する
。Here, the structure of the semiconductor laser device will be briefly explained.
半導体レーザ装置は、第３図に示されるように、矩形の
銅製のステム１０の上面（主面）中央部に銅製のヒート
シンク１１を鑞材で固定した構造となっている。ヒート
シンク１１の一側面にはサブマウント１を介してレーザ
チップ２が固着されている、前記サブマウン）１は、特
に限定はされないが、シリコン板等からなっている。こ
のレーザチップ２は、レーザ光１２をその上端（前方出
射光１３）および下＠（後方出射光１４）からそれぞれ
発光する。前記ステム１０の主面には受光素子１５が固
定されている。この受光素子１５はレーザチップ２の下
端から発光される後方出射光１４を受光し、光出力を検
出するモニター素子となっている。したがって、この受
光素子１５によるモニターから前方出射光１３の光強度
が制御ｎされる。前記ステム１０には３本のリード１６
が取付けられている。１本のリード１６はステム１０に
電気的にも接続され、他の２本のリード１６はステム１
０を貫通し、かつステム１０に対して絶縁的に固定され
ている。この貫通状態の２本のり一ド１６の上端はそれ
ぞれワイヤ１７を介してレーザチップ２または受光素子
１５の各電極に電気的に接続されている。As shown in FIG. 3, the semiconductor laser device has a structure in which a copper heat sink 11 is fixed to the center of the upper surface (principal surface) of a rectangular copper stem 10 with a brazing material. A laser chip 2 is fixed to one side of the heat sink 11 via a submount 1. The submount 1 is made of, but not particularly limited to, a silicon plate or the like. This laser chip 2 emits laser light 12 from its upper end (front emitted light 13) and from its bottom (rear emitted light 14). A light receiving element 15 is fixed to the main surface of the stem 10. This light-receiving element 15 serves as a monitor element that receives the backward emitted light 14 emitted from the lower end of the laser chip 2 and detects the optical output. Therefore, the light intensity of the forward emitted light 13 is controlled by the monitor by the light receiving element 15. The stem 10 has three leads 16.
is installed. One lead 16 is also electrically connected to the stem 10, and the other two leads 16 are connected to the stem 10.
0 and is insulatively fixed to the stem 10. The upper ends of the two penetrating wires 16 are electrically connected to respective electrodes of the laser chip 2 or the light receiving element 15 via wires 17, respectively.
一方、前記ステム１０の天井部に円形の窓１８を有する
金属製のキャップ１９が気密的に固定され、前記ヒート
シンク１１、レーザチップ２、受光素子１５、リード１
６上端部、ワイヤ１７等を封止している。前記キャップ
１９の天井部には窓１８を塞ぐ透明なガラス板２０が気
密的に固着されている。したがって、レーザチップ２の
上端から発光した前方出射光１３は、この窓１８を通過
してステム１０とキャップ１９とによって形成されたパ
ッケージ外に発光される。なお、ステムｌＯには、この
半導体レーザ装置を各種機器に取付ける際使用する取付
孔２１が設けられている。On the other hand, a metal cap 19 having a circular window 18 is hermetically fixed to the ceiling of the stem 10, and includes the heat sink 11, the laser chip 2, the light receiving element 15, and the leads 1.
6, the wire 17, etc. are sealed. A transparent glass plate 20 that closes the window 18 is airtightly fixed to the ceiling of the cap 19. Therefore, the forward emitted light 13 emitted from the upper end of the laser chip 2 passes through this window 18 and is emitted outside the package formed by the stem 10 and the cap 19. Note that the stem IO is provided with a mounting hole 21 that is used when mounting this semiconductor laser device on various types of equipment.
このような半導体レーザ装置は、その製造にあって、サ
ブマウント！にソルダー等によるレーザチップ取付領域
３を利用してレーザチップ２を固定する。このレーザチ
ップ２の固定時、レーザチップ２はサブマウント１の所
定部に高精度に位置決め固定する必要があり、レーザチ
ップ２の固定に先立ってサブマウント１の主面に設けら
れた半田層からなるレーザチップ取付領域３の位置を正
確に確認し、このレーザチップ取付領域３上に一敗する
ように重ねて固定する必要がある。This kind of semiconductor laser device is manufactured using a submount! Then, the laser chip 2 is fixed using the laser chip mounting area 3 with solder or the like. When fixing the laser chip 2, it is necessary to position and fix the laser chip 2 to a predetermined part of the submount 1 with high precision. It is necessary to accurately confirm the position of the laser chip mounting area 3, and to stack and fix the laser chip mounting area 3 so that the laser chip is mounted on the laser chip mounting area 3.
本発明では、前記レーザチップ取付領域３のパターンを
正確に検出するために、第１図に示されるような構成の
光学検査装置および第５図に示されるような光量切り換
え装置によってレーザチップ取付領域３とレーザチップ
２の外径をそれぞれ検出する。In the present invention, in order to accurately detect the pattern of the laser chip mounting area 3, the laser chip mounting area 3 is detected using an optical inspection device configured as shown in FIG. 1 and a light amount switching device as shown in FIG. 3 and the outer diameter of the laser chip 2 are detected.
光学検査装置は、同図に示されるように、被検出物であ
るサブマウント１を載置するステージ２２と、このステ
ージ２２上に配設された鏡筒２３と、この鏡筒２３の上
部に配設されたカメラ２４とを有している。また、前記
鏡筒２３の途中には、同軸落射照明２５が設けられてい
る。この同軸落射照明２５は、ランプハウス２６内に配
設された電球２７を連結ｆｉ！２８を介して鏡筒２３に
導き、ハーフミラ２９によって鏡筒２３の上下に光を分
散させる構成となっている。そして、鏡筒２３の下方に
進んだ光３０は、前記ステージ２２上のサブマウント１
に照射される。また、このサブマウントｌの表面で反射
された反射光３１は、前記ハーフミラ２９を通過し、プ
リズム（あるいはミラー）３２で光路を変えて前記カメ
ラ２４に至るようになっている。As shown in the figure, the optical inspection device includes a stage 22 on which a submount 1, which is an object to be detected, is placed, a lens barrel 23 disposed on this stage 22, and a lens barrel 23 on the top of this lens barrel 23. It has a camera 24 arranged therein. Further, a coaxial epi-illumination 25 is provided in the middle of the lens barrel 23. This coaxial epi-illumination 25 connects a light bulb 27 arranged in a lamp house 26 fi! The light is introduced into the lens barrel 23 via a mirror 28, and is dispersed above and below the lens barrel 23 by a half mirror 29. The light 30 traveling downward from the lens barrel 23 is directed to the submount 1 on the stage 22.
is irradiated. Further, the reflected light 31 reflected from the surface of the submount 1 passes through the half mirror 29, changes its optical path with a prism (or mirror) 32, and reaches the camera 24.
一方、前記鏡筒２３の下端、すなわち、対物レンズ部分
３３の外周には、対物レンズ部分３３を一周取り囲むよ
うにリング状照明３４が配設されている。このリング状
照明３４はライトガイド３５内を延在する光ファイバ３
６を、前記リング本体３７に埋め込んだ構造となってい
る。光ファイバ３６は、前記対物レンズ部分３３の外周
にリング状光ファイバとして存在する結果、前記サブマ
ウント１の主面のレーザチップ取付領域３に対し、その
上部会側方から光３８を照射する。レーザチップ取付領
域３は、前記リング状照明３４によって構成される斜光
照明および前記同軸落射照明２５の照射とも相俟って、
表面をくまな（照射される。かつ、第５図に示す光量切
り換え装置により、レーザチップ２の外径とレーザチッ
プ取付領域３の反射面状態により光量を切り換える。On the other hand, a ring-shaped illumination 34 is disposed at the lower end of the lens barrel 23, that is, on the outer periphery of the objective lens portion 33, so as to surround the objective lens portion 33. This ring-shaped illumination 34 is provided by an optical fiber 3 extending inside a light guide 35.
6 is embedded in the ring body 37. The optical fiber 36 is present as a ring-shaped optical fiber on the outer periphery of the objective lens portion 33, and as a result, it irradiates the laser chip mounting area 3 on the main surface of the submount 1 with light 38 from the side of the upper part thereof. The laser chip mounting area 3 is illuminated by the oblique illumination constituted by the ring-shaped illumination 34 and the coaxial epi-illumination 25.
The surface is irradiated across the entire surface.The light amount is switched by the light amount switching device shown in FIG.
このため、前記カメラ２４でとらえられるレーザチップ
取付領域３のパターンは、影が生じたり、ハレーション
が発生しなくなる。第２図は、前記光学検査装置によっ
てとらえられ、かつ二値化された蒸着層３の二値化像３
９を示すものであるが、二値化像３９は周縁が鮮明に検
出されることになる。Therefore, the pattern of the laser chip mounting area 3 captured by the camera 24 will not have shadows or halation. FIG. 2 shows a binarized image 3 of the vapor deposited layer 3 captured by the optical inspection device and binarized.
9, the edges of the binarized image 39 are clearly detected.
このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。According to such an embodiment, the following effects can be obtained.
（１）本発明の光学検査装置は、ステージ上の被検出物
を検出するに際して、落射照明とリング状照明による斜
光照明および自動的光量切り換えによって、前記被検出
物に光を当てて像を検出する構成となっていることから
、被検出物の表面の凹凸や外周部のダレに影響されるこ
とな（、正しく被検出物を検出することができるという
効果が得られる。(1) When detecting an object on a stage, the optical inspection device of the present invention illuminates the object and detects an image using oblique illumination and automatic light intensity switching using epi-illumination and ring illumination. Because of this configuration, it is possible to accurately detect the object without being affected by unevenness on the surface of the object or sag on the outer periphery.
（２）本発明の光学検査装置は、落射照明とリング状照
明および自動的光量切り換えによって被検出物に光を照
射する結果、コントラストの良い画像が得られるという
効果が得られる。(2) The optical inspection apparatus of the present invention has the advantage that an image with good contrast can be obtained as a result of irradiating the object with light using epi-illumination, ring-shaped illumination, and automatic light intensity switching.
（３）上記（１）により、本発明の光学検査装置を用い
ることによって、半導体レーザ装置製造におけるレーザ
チップのサブマウントへの固定において、蒸着層からな
るレーザチップ領域に高精度にレーザチップを位置決め
固定できるという効果が得られる。(3) According to (1) above, by using the optical inspection device of the present invention, the laser chip can be positioned with high precision in the laser chip area made of the vapor deposited layer when fixing the laser chip to the submount in semiconductor laser device manufacturing. This provides the effect of being able to be fixed.
（４）本発明の光学検査装置は、斜光照明を有している
が、この斜光照明は、鏡筒先端外周部に光ファイバをリ
ング状に巻き付けるように配設する構造となっているこ
とから、斜光照明の配設スペースも小さくてよいため、
光学検査装置の小型化を維持できるという効果が得られ
る。(4) The optical inspection device of the present invention has oblique illumination, which has a structure in which an optical fiber is wound around the outer circumference of the tip of the lens barrel in a ring shape. , since the installation space for oblique lighting is small,
The effect is that the optical inspection device can be kept compact.
（５）上記（１）〜（４）により、本発明の光学検査装
置は、高精度な組み立てを必要とする光電子装置やＩｃ
等半導体装置の製造に適用して、高品質な光電子装置や
ＩＣ等半導体装置を高歩留りで製造できるという相乗効
果が得られる。(5) According to (1) to (4) above, the optical inspection device of the present invention can be used for photoelectronic devices and ICs that require highly accurate assembly.
When applied to the manufacture of semiconductor devices such as semiconductor devices, a synergistic effect can be obtained in that high-quality semiconductor devices such as optoelectronic devices and ICs can be manufactured with high yield.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、リング状照明
は光フアイバ構造以外のものでも前記実施例同様な効果
が得られる。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples above, the present invention is not limited to the above Examples (although it is possible to make various changes without departing from the gist of the invention). Needless to say, for example, the ring-shaped illumination may have a structure other than an optical fiber, and the same effect as that of the above embodiment can be obtained.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体レーザ装置の
製造における蒸着層にレーザチップを固定する技術に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではな（、たとえば、金箔をポンチングやスポット溶接
によって支持体に固定した場合の金箔のパターン位置検
出にも同様に適用でき、同様な効果を得ることができる
。The above explanation has mainly been about the application of the invention made by the present inventor to the technology for fixing a laser chip to a vapor deposited layer in the production of semiconductor laser devices, which is the background field of application of the invention, but the invention is limited thereto. (For example, it can be similarly applied to detecting the pattern position of gold foil when the gold foil is fixed to a support by punching or spot welding, and the same effect can be obtained.
本発明は少なくとも物品を固定する技術には適用できる
。The present invention can be applied at least to techniques for fixing articles.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
本発明の光学検査装置にあっては、被検出物への照明は
、鏡筒に組み込んだ同軸落射照明と、鏡筒先端に鏡筒を
取り囲むように配設したリング状光ファイバからなるリ
ング状照明（斜光照明）とからなっていることから、被
検出物は同軸落射照明によって真上から照明されるとと
もに、リング状照明でその縁全周部分が照明され、かつ
光量調整されることから、影やハレーションを生じさせ
ることなく被検出物のパターンを正確に検出することが
でき、被検出物のパターン位置を高精度に検出すること
ができる。したがって、周囲の高さに乱れがある蒸着層
やポンチングで取り付けた金箔のパターンの位置やパタ
ーンを高精度に検出した後、チップを固定する半導体レ
ーザ装置等の組立においては効果のある技術となる。In the optical inspection device of the present invention, the object to be detected is illuminated by a coaxial epi-illumination built into the lens barrel and a ring-shaped optical fiber arranged at the tip of the lens barrel so as to surround the lens barrel. The object to be detected is illuminated from directly above by coaxial epi-illumination, and the entire circumference of the object is illuminated by ring-shaped illumination, and the light intensity is adjusted. The pattern of the object to be detected can be detected accurately without producing shadows or halation, and the position of the pattern of the object to be detected can be detected with high precision. Therefore, it is an effective technique for assembling semiconductor laser devices, etc. that fixes the chip after detecting with high precision the position and pattern of a vapor deposited layer with irregularities in the surrounding height or a pattern of gold foil attached by punching. .
第１図は本発明の一実施例による光学検査装置の要部を
示す模式図、
第２図は同じくレーザチップ取付領域の二値化検出パタ
ーンを示す平面図、
第３図は本発明の光学検査装置を利用して製造された半
導体レーザ装置の要部を示す斜視図、第４図は同じくレ
ーザチップとレーザチップ取付領域との相関を示す斜視
図である。
第５図は同じく光学検査装置自動光量切り換え部のイン
ターフェイス回路を示す図である。
１・・・支持体（サブマウント）、２・・・レーザチッ
プ、３・・・蒸着層（レーザチップ取付ＧＭ 域）、１
０・・・ステム、１１・・・ヒートシンク、１２・・・
レーザ光、１３・・・前方出射光、１４・・・後方出射
光、１５・・・受光素子、１６・・・リード、１７・・
・ワイヤ、１８・・・窓、１９・・・キャップ、２０・
・・ガラス板、２１・・・取付孔、２２・・・ステージ
、２３・・・鏡筒、２４・・・カメラ、２５・・・同軸
落射照明、２６・・・ランプハウス、２７・・・電球、
２８・・・連結筒、２９・・・ハーフミラ、３０・・・
光、３１・・・反射光、３２・・・プリズム、３３・・
・対物レンズ部分、３４・・・リング状照明、３５・・
・ライトガイド、３６・・・光ファイバ、３７・・・リ
ング本体、３８・第２図
第 ３ 図
第４図
第５図Fig. 1 is a schematic diagram showing the main parts of an optical inspection device according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a plan view showing a binary detection pattern of the laser chip mounting area, and Fig. 3 is a schematic diagram showing the main parts of an optical inspection device according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a perspective view showing the main parts of a semiconductor laser device manufactured using the inspection apparatus, and FIG. 4 is a perspective view showing the relationship between the laser chip and the laser chip mounting area. FIG. 5 is a diagram showing an interface circuit of the automatic light amount switching section of the optical inspection apparatus. 1... Support body (submount), 2... Laser chip, 3... Vapor deposition layer (laser chip mounting GM area), 1
0... Stem, 11... Heat sink, 12...
Laser light, 13... Front emitted light, 14... Back emitted light, 15... Light receiving element, 16... Lead, 17...
・Wire, 18...Window, 19...Cap, 20・
... Glass plate, 21 ... Mounting hole, 22 ... Stage, 23 ... Lens tube, 24 ... Camera, 25 ... Coaxial epi-illumination, 26 ... Lamp house, 27 ... light bulb,
28...Connection tube, 29...Half mirror, 30...
Light, 31... Reflected light, 32... Prism, 33...
・Objective lens part, 34...Ring-shaped illumination, 35...
・Light guide, 36...Optical fiber, 37...Ring body, 38・Figure 2Figure 3Figure 4Figure 5
Claims (1)
る落射照明および斜光照明を有する光学検査装置であっ
て、前記斜光照明は、全周方向から被検出物を照明する
ように構成されていることを特徴とする光学検査装置。 ２、前記斜光照明は、光学系の光軸を中心とするリング
状光ファイバで構成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光学検査装置。 ３、前記落射照明および斜光照明の光量を自動的に切り
換えることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
学検査装置。[Claims] 1. An optical inspection device having epi-illumination and oblique illumination for detecting a pattern of an object to be detected placed on a stage, wherein the oblique illumination illuminates the object from all around the circumference. An optical inspection device characterized in that it is configured to: 2. The optical inspection apparatus according to claim 1, wherein the oblique light illumination is composed of a ring-shaped optical fiber centered on the optical axis of the optical system. 3. The optical inspection apparatus according to claim 1, wherein the light intensity of the epi-illumination and oblique illumination is automatically switched.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9156588A JPH01264231A (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Optical inspection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9156588A JPH01264231A (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Optical inspection apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01264231A true JPH01264231A (en) | 1989-10-20 |
Family
ID=14030037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9156588A Pending JPH01264231A (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Optical inspection apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01264231A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153321A (en) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Topcon Corp | Testing apparatus |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9156588A patent/JPH01264231A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153321A (en) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Topcon Corp | Testing apparatus |
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