JPH01261299A - Formation of diamond or diamond thin film - Google Patents
Formation of diamond or diamond thin filmInfo
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- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 27
- CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N ethenone Chemical compound C=C=O CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical compound C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- GNEVIACKFGQMHB-UHFFFAOYSA-N carbon suboxide Chemical compound O=C=C=C=O GNEVIACKFGQMHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- WASQWSOJHCZDFK-UHFFFAOYSA-N diketene Chemical compound C=C1CC(=O)O1 WASQWSOJHCZDFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical class C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 3
- 238000006713 insertion reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910021398 atomic carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910021384 soft carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はダイヤモンド若しくはダイヤモンド状の薄膜の
形成方法に係り、詳しくは、レーザ光を含めて光ＣＶＤ
法によって、加熱された基材上に、ダイヤモンド薄膜あ
るいはダイヤモンド状薄膜（以下、ダイヤモンド状薄膜
を総称する）を低温プロセスで形成できる方法であって
、なかでも、得られる薄膜は、従来用られる生成礪構と
全く異なる生成ＲＭ４で生成されて、ダイヤモンド若し
くはダイヤモンド状のものであり、硬度、熱伝導率が高
く抵抗性にすぐれた特性を有し、従来例のものに較べる
と、より多方面に利用される可能性があり、例えば、半
導体素子化により高温で利用できる素子として注目され
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method for forming diamond or a diamond-like thin film, and more particularly, it relates to a method for forming diamond or a diamond-like thin film.
This is a method that can form a diamond thin film or a diamond-like thin film (hereinafter collectively referred to as diamond-like thin film) on a heated substrate using a low-temperature process. It is produced from RM4, which is completely different from the conventional structure, and has a diamond or diamond-like shape, and has high hardness, high thermal conductivity, and excellent resistance. For example, it is attracting attention as an element that can be used at high temperatures by converting it into a semiconductor element.
従 来 の 技 術
現在知られている物質の中で、ダイヤモンドは硬度、熱
伝導率が最も大きく、極めて高い弾性率、圧縮強さを具
え、しかも、透明で化学的に安定した物質であると云わ
れている。従って、その特性をいかすために、種々の用
途が開発されているが、工業的用途の上からは薄膜上の
ものが望まれ、現在までに、数多くのダイヤモンド薄膜
を合成する方法が提案されている（ダイヤモンド薄膜、
大板、沢辺著、産業図書、１９８７年）。更に、これら
数多くの方法のうちで、レーザ光を含めて光ＣＶＤ（Ｃ
ｈｅＩＩｌｉｃａＪ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ −ｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法が低温プロセスとして注目され、開発努力が
なされているが、次の通り問題がある。Conventional Technology Among the materials currently known, diamond has the highest hardness and thermal conductivity, extremely high modulus of elasticity, and compressive strength, and is also transparent and chemically stable. It is said. Therefore, various applications have been developed to take advantage of its properties, but thin films are desired for industrial purposes, and to date, many methods for synthesizing diamond thin films have been proposed. (diamond thin film,
Ohita, Sawabe, Sangyo Tosho, 1987). Furthermore, among these many methods, optical CVD (CVD), including laser light,
heIIlicaJ Vapor Dep-osit
The ion method has attracted attention as a low-temperature process, and efforts are being made to develop it, but it has the following problems.
すなわち、ＣＶＤ法は、高湛基材上に原料ガスを流し、
基材表面で反応させて固体生成物を析出させる方法であ
る。なかでも、レーザＣＶＤ法は、レーザ光照射によっ
ての光化学反応によって固体生成物を析出させる方法で
ある。現在までに提案されているレーザＣＶＤ法をダイ
ヤモンド状の薄膜の形成を用いる原料ガスによって大別
すると、次の通り４つに分類できる。In other words, in the CVD method, a raw material gas is flowed over a high-temperature base material,
This method involves reacting on the surface of a substrate to precipitate a solid product. Among these, the laser CVD method is a method in which a solid product is precipitated by a photochemical reaction caused by laser light irradiation. Laser CVD methods that have been proposed to date can be roughly classified into the following four types depending on the raw material gas used to form a diamond-like thin film.
（１）アセチレン Ｃ２Ｈ２
（２）ベンゼン、トルエン、キシレン
（３）塩化ビニルモノマー
（４）四塩化炭素
しかし、（１）ならびに（２）に示すアセチレンあるい
は芳香族化合物に集光したレーザ光を照射すると、基材
表面に生成されるのはカーボン膜程度であって１、現在
にいたるまで、ダイヤモンド構造を示すＷＩ膜を生成さ
れるのにいたっていない（第３１回人工鉱物学討論会講
演要旨集Ｐ４５（１９８７）、第４８回応用物理学会講
演予稿集１７ｐ−Ａ−４（１９８７） ）。(1) Acetylene C2H2 (2) Benzene, toluene, xylene (3) Vinyl chloride monomer (4) Carbon tetrachloride However, when acetylene or aromatic compounds shown in (1) and (2) are irradiated with focused laser light, , only a carbon film is formed on the surface of the substrate1, and to date, a WI film exhibiting a diamond structure has not been produced (Collection of abstracts of the 31st Artificial Mineralogy Symposium) P45 (1987), 48th Japan Society of Applied Physics Conference Proceedings 17p-A-4 (1987)).
また、（３）に示す塩化ビニルモノマーを原料とするレ
ーザＣシロ法では、含有塩素迄の多いアモルファス薄膜
が生成されるに過ぎず、この薄膜はダイヤモンドの特性
に遠くおよばないものである【第３４回応用物理学会講
演予稿集２９ｐ −に−９（１９８７０゜
また、（４）に示す四塩化炭素を原料とし、これにＨ２
を添加しなからレーザ光を照射するときに温度を高める
と、基材表面にダイヤモンド構造に近い構造を持つ薄膜
が析出形成される。Furthermore, in the laser C silo method using vinyl chloride monomer as a raw material, as shown in (3), only an amorphous thin film containing a large amount of chlorine is produced, and this thin film does not even come close to the properties of diamond. Proceedings of the 34th Japan Society of Applied Physics Lecture Proceedings 29p -ni-9 (19870°
If the temperature is raised when laser light is irradiated without adding , a thin film with a structure similar to a diamond structure is deposited on the surface of the base material.
しかし、この薄膜は結晶型を持たず、基材温度を６００
℃以上の如く高める必要があって、低温プロセスとして
の特性が失なわれる（第４８回応用物理学会Ｕ４滴予稿
集Ｐ３７３１９ａ−Ｔ−１）。However, this thin film does not have a crystal type, and the substrate temperature is
℃ or higher, and the characteristics as a low-temperature process are lost (48th Japan Society of Applied Physics U4 Drop Proceedings P37319a-T-1).
以上要するに、現在までに提案されてきたレーザＣＶＤ
法によるダイヤモンドＦＨｊ膜の合成では、低温プロセ
スとしての特性が十分いかすことができず、構造的にダ
イヤモンドと同等又はそれに近い薄膜を合成できない。In summary, the laser CVD methods proposed to date
When synthesizing a diamond FHj film using the method, the characteristics as a low-temperature process cannot be fully utilized, and a thin film that is structurally equivalent to or close to diamond cannot be synthesized.
発明が解決しようとする課題
本発明は上記欠点の解決を目的とし、具体的には、構造
的にダイヤモンド若しくはそれに近い構造の薄膜を例え
ば基材温度３００℃以下の如き低温プロセスで有効に形
成できる方法を提案する。Problems to be Solved by the Invention The present invention aims to solve the above-mentioned drawbacks, and specifically, it is possible to effectively form a thin film having a structure of diamond or a structure similar to it in a low-temperature process such as a substrate temperature of 300°C or less. Suggest a method.
課題を解決するための
手段ならびにその作用
すなわち、本発明法は、加熱された基材上に、原料ガス
中にレーザ等を照射して光ＣＶＤ法によりダイヤモンド
あるいはダイヤモンド状の薄膜を形成する際に、この薄
膜の生成について、従来知られて−いる機構と本質的に
異なった生成機構を摸索し、口の新しい生成機構にもと
ずいて成立したものである。従って、本発明法では、原
料ガスを、光分解反応により少なくともＣＨ２ラジカル
、ＣＨラジカルまたはＣ原子を生成するガスとし、この
上でレーザ等を照射することにより、新しい生成機構に
もとすいてダイヤモンド若しくはダイヤモンド状の薄膜
を速い成膜速度でかつ低温で生成する口とを特徴とする
。Means for Solving the Problems and Their Effects In other words, the method of the present invention is used to form a diamond or diamond-like thin film on a heated base material by photo-CVD method by irradiating a laser or the like into a raw material gas. For the production of this thin film, we investigated a production mechanism that is essentially different from conventionally known mechanisms, and established it based on a new production mechanism in the mouth. Therefore, in the method of the present invention, the raw material gas is a gas that generates at least CH2 radicals, CH radicals, or C atoms through a photodecomposition reaction, and by irradiating this with a laser or the like, it is possible to develop a new generation mechanism of diamond. Alternatively, it is characterized by forming a diamond-like thin film at a high deposition rate and at a low temperature.
そ口で、これら手段たる構成ならびにその作用について
、更に具体的に説明すると、次の通りである。Now, the structure of these means and their operation will be explained in more detail as follows.
まず、現在広く信じられているダイヤモンド薄膜の生成
機構について説明してから、その生成機構を実現する反
応系では低温プロセスは実現していないことを説明し、
その上で本発明における構成や、その作用、更に、本発
明におけるダイヤモンド薄膜の生成機構について説明す
る。First, I will explain the currently widely believed formation mechanism of diamond thin films, and then explain that a low-temperature process has not been realized in the reaction system that realizes this formation mechanism.
Then, the configuration of the present invention, its operation, and the formation mechanism of the diamond thin film in the present invention will be explained.
現在、ダイヤモンドｒ７！Ｉ膜の合成法として確立して
いる熱フィラメントＣＶＤＩや、プラズマＣｖＤ法等に
おいてダイヤモンド薄膜の生成には、ＣＨ３（メチルラ
ジカル）と旧原子状水素）とが基材の近傍に存在するこ
とが必要とされている。Currently, Diamond R7! In order to generate a diamond thin film using hot filament CVDI or plasma CVD methods, which have been established as I film synthesis methods, it is necessary for CH3 (methyl radicals) and former atomic hydrogen to exist in the vicinity of the base material. It is said that
この理由は、メチルラジカルがダイヤモンドの骨格であ
るＳＰ３構造を維持するために、不可欠であるとされて
いるからであり、これに併せて、原子状水素がダイヤモ
ンドと同時に析出する黒鉛状炭素をエツチングして、ダ
イヤモンド構造のみを堆積するからとされているからで
ある。The reason for this is that methyl radicals are said to be essential for maintaining the SP3 structure, which is the backbone of diamond, and in conjunction with this, atomic hydrogen etches the graphitic carbon that precipitates at the same time as diamond. This is because only a diamond structure is deposited.
この生成機構を利用したダイヤモンド状ＲＨの形成方法
としては、熱フィラメントｃｖｏａ、マイクロ波プラズ
マＣＶＤ法、それらを基本として改良を加えた方法が挙
げられる。しかし、これらすべての方法では成膜は認め
られているが、基材の温度を９００℃の如く高くしなけ
ればならず、利用できる用途が自から制限される。Methods for forming diamond-like RH using this generation mechanism include hot filament CVOA, microwave plasma CVD, and improved methods based on these methods. However, although all of these methods allow film formation, the temperature of the substrate must be raised to as high as 900° C., which limits the possible uses.
このところから、本発明者等は上記生成機構とは異なる
生成機構について研究した。この結果、ＣＨ３（メチル
ラジカル）ならびに旧原子状水素）よりもＣＩ２． Ｃ
Ｈ％Ｃなどさらに分解の進んだラジカルが成膜にきわめ
て有効であることを知見し、これらを生成する原料ガス
を選択的に供給して、この原料ガス系を光ＣＶＤ法で光
分解して基材表面にダイヤモンド薄膜を形成する。From this point on, the present inventors studied a generation mechanism different from the above-mentioned generation mechanism. As a result, CI2. C
We discovered that more decomposed radicals such as H%C are extremely effective for film formation, and we selectively supply the raw material gases that generate these radicals and photodecompose this raw material gas system using the photoCVD method. A diamond thin film is formed on the surface of the base material.
すなわち、ＣＨ２，ＣＨはＣＨ３ラジカルには見られな
い特異な反応、つまり、挿入反応（ＩｎＳｅｒ−ｔｉＯ
ｎ Ｒｅａｃｔｌｏｎ＞を起こすことができる。ＣＨ２
、ＣＨは炭化水素から原子状水素を引き扱くことよりも
、Ｃ−）１あるいはＣ−Ｇ結合の間に挿入し、炭素鎖長
を長くすることができる。換言すると、基材上に形成さ
れているダイヤモンド骨格に割り込んでい（ことにより
成膜に寄与するごとになり、成膜速度を向上させること
ができる。In other words, CH2 and CH undergo a unique reaction that is not observed in CH3 radicals, that is, insertion reaction (InSer-tiO
n Reactlon> can be generated. CH2
, CH can be inserted between C-)1 or C-G bonds to lengthen the carbon chain rather than handling atomic hydrogen from a hydrocarbon. In other words, it interferes with the diamond skeleton formed on the base material (thereby contributing to film formation), and the film formation rate can be improved.
また、成膜時の堆積膜表面層では、ラジカル性を持った
活性点が存在し、そこへ飛来してくるラジカルと結合す
るが、そのラジカルがＣ１３ラジカルのときはその活性
点が結合により失なわれるのみである。ＯＨ２，０８％
Ｃラジカルが成膜表面の活性点と反応すると、それが孤
立電子を２個以上持っているが故に、その結合端に新し
い活性点が生成される。活性点が、結合の生成と同時に
創出されているため、成膜速度は速（なる。In addition, in the surface layer of the deposited film during film formation, there are active points with radical properties that bond with the radicals that fly to them, but when the radicals are C13 radicals, the active points are lost due to bonding. It only becomes known. OH2.08%
When the C radical reacts with an active site on the film-forming surface, a new active site is generated at the bond end because it has two or more lone electrons. Because active sites are created at the same time as bonds are formed, the film formation rate is fast.
また、上記の如き生成機構であると、ＣＨ２、Ｃｌｌ、
Ｃラジカルの組成が重要なパラメーターである。このパ
ラメーター糾Ｉｌｌもこのような分解の進んだラジカル
とＩ２を反応させることにより、ＣＨ３、Ｃ）＋２ 、
Ｃ）Ｉ、 Ｃの組成比を制御することができる。これ
に反し、従来のＣＨ３，原子状水素を中心と考える成膜
方法では、ラジカルの種類を変えることは不可能であり
、組成比を制御することはできない。In addition, with the above-mentioned generation mechanism, CH2, Cll,
The composition of C radicals is an important parameter. This parameter analysis also allows CH3, C)+2,
C) The composition ratio of I and C can be controlled. On the other hand, in the conventional film forming method that mainly uses CH3 and atomic hydrogen, it is impossible to change the type of radicals and the composition ratio cannot be controlled.
また、本発明法によって上記の如く光を照射することに
よりＣ１２，ＣＭ、 Ｃラジカルを生成し、これらを選
択的に基材表面に供給するのには、ケテン、ジアゾメタ
ン、カーボンサブオキサイドなどが好適である。In addition, ketene, diazomethane, carbon suboxide, etc. are suitable for generating C12, CM, and C radicals by irradiating light as described above and selectively supplying these to the surface of the substrate according to the method of the present invention. It is.
まず、ケテンＣ）Ｉ２Ｃｏに３７００八以下の紫外光を
照射すると、次の（１）式に示す如く分解する。First, when ketene C)I2Co is irradiated with ultraviolet light of 3700 or less, it decomposes as shown in the following equation (1).
ＣＨ２Ｃｏ → Ｃ）＋２＋ Ｇｏ ・・・・・
・（１）口の分解の量子収率は１であり、効率のいい分
解反応である。このとき生成するＣＯは反応性に乏しく
、すみやかに排気される。CH2Co → C)+2+ Go ・・・・・・
・(1) The quantum yield of decomposition at the mouth is 1, making it an efficient decomposition reaction. The CO generated at this time has poor reactivity and is quickly exhausted.
これに対し、ケテン（Ｃ）１２Ｇｏ）にエキシマレーザ
光の１９３ｎｍ光を集光して照射すると、ＣＩ＋ラジカ
ルも同時に発生する。On the other hand, when ketene (C)12Go) is irradiated with 193 nm excimer laser light, CI+ radicals are also generated at the same time.
次に、ジアゾメタン（ＣＨ２Ｎ２ ）に４５００八程度
から２００ＯＡの光を照射すると、
ＣＨ２Ｎ２ →Ｃ１２＋ Ｎ２・・・・・・（２）（
２）式による分解が主としておこり、２０００ Ｘ以下
の光を照射すると、
Ｃ）１２Ｎ２→ＣＨ＋ Ｈ＋ Ｎ
の分解反応も同時に進行する。ジアゾメタン（Ｃ）１２
Ｎ２ ）−の異性体であるサイクリックジアゾメタン
の光分解によりほぼ同様の生成物が得られる。Next, when diazomethane (CH2N2) is irradiated with light from about 4,500 to 200 OA, CH2N2 → C12+ N2... (2) (
Decomposition according to formula 2) mainly occurs, and when irradiated with light of 2000X or less, the decomposition reaction of C) 12N2→CH+ H+ N also proceeds at the same time. Diazomethane (C)12
Photolysis of cyclic diazomethane, an isomer of N2 )-, yields nearly similar products.
また、選択的にＣ原子を生成する方法として、カーボン
サブオキサイド（Ｃ３０２）の２０００八以下の光分解
反応が考えられる。Ｃ３０２からは照射波長により励起
エネルギーの準位が異なるが、炭素原子（３Ｐ＜ ’Ｄ
＜ ’Ｓ）が量子収率１で効率よく生成する。同時にＮ
２分子を共存させるとＣ原子との反応によりＣＨ３、Ｃ
Ｈ２、ＣＨラジカルが生成する。Further, as a method for selectively producing C atoms, photolysis reaction of carbon suboxide (C302) of 2,000 or less is considered. From C302, the excitation energy level differs depending on the irradiation wavelength, but carbon atoms (3P <'D
<'S) is efficiently generated with a quantum yield of 1. At the same time N
When two molecules coexist, CH3, C
H2 and CH radicals are generated.
なお、ＣＨ２，Ｃ）１％Ｃラジカルを光分解する際に、
光源の種類、光の照射方向などいずれの装置も用いるこ
とができるが、この光分解を効果的に行なうのには、エ
キシマレーザ光が好ましい。In addition, when photodecomposing CH2,C)1%C radical,
Although any type of light source or light irradiation direction can be used, excimer laser light is preferable to effectively perform this photolysis.
また、本発明で述べたジケテン、ケテン、ジアゾメタン
、カーボンサブオキサイドを公知の原料ガスとともに混
合して原料ガスとすることができる。ここで、原料ガス
とはｉｌ膜の構成成分を含有するガスをいう。公知の原
料ガスとしては、それ自体の光分解反応が効率的に起こ
るか起こらないかは問わず、本発明の結果、生成するＣ
Ｈ２、Ｃ）ｌ、 Ｃラジカルと成膜上有利な反応を起こ
すことができるガスが好ましい。例えば。Further, the diketene, ketene, diazomethane, and carbon suboxide described in the present invention can be mixed with known raw material gases to form a raw material gas. Here, the raw material gas refers to a gas containing constituent components of the il film. As a known source gas, the C produced as a result of the present invention, regardless of whether its own photodecomposition reaction occurs efficiently or not.
A gas that can cause a reaction advantageous in film formation with H2, C)l, and C radicals is preferred. for example.
芳香族化合物、アセチレン誘導体、エチレン誘導体など
の不飽和化合物がある。There are unsaturated compounds such as aromatic compounds, acetylene derivatives, and ethylene derivatives.
これらの化合物とＣＨ２，０８％Ｃラジカルの反応では
、ＣＨ２，０８％Ｃ原子の挿入反応の他に、不飽和結合
への付加反応が起こり、Ｃ−Ｃ結合の生成が促進され、
成膜速度の向上が認められる。In the reaction of these compounds with CH2,08%C radicals, in addition to the insertion reaction of CH2,08%C atoms, addition reactions to unsaturated bonds occur, promoting the formation of C-C bonds,
An improvement in the film formation rate was observed.
実 施 例
まず、本発明法によって薄膜を形成した場合（実施例１
．２．３．４．５．６．７）と、比較例によって薄膜を
形成した場合（比較例１．２）とを示すと、表１の通り
であった。Example First, when a thin film was formed by the method of the present invention (Example 1
．． 2.3.4.5.6.7) and the case where a thin film was formed according to a comparative example (comparative example 1.2), as shown in Table 1.
すなわち、実施例１〜７の場合は、Ｓｉ基材は、すべて
径３μｍのダイヤモンドペーストで研磨し、この基材は
到達真空度が１０＝ｔｏｒｒであるＣＶＤチャンバー中
に設置し、エキシマレーザ光を基材に水平に照射した。That is, in the case of Examples 1 to 7, the Si base material was all polished with a diamond paste having a diameter of 3 μm, and this base material was placed in a CVD chamber with an ultimate vacuum of 10 torr and exposed to excimer laser light. The substrate was irradiated horizontally.
なお、実施例１．２．６．７で用いたケテンは市販され
ているジケテンを６００℃で熱分解して生成した。Note that the ketene used in Example 1.2.6.7 was produced by thermally decomposing commercially available diketene at 600°C.
まず、実施例１ではケテンを原料として３０８ｎｍレー
ザ光を照射して成膜を行なった。この結果得られた薄膜
は、レーザラマン分光分析で１５５０Ｃ１１１−’付近
にピークが見られ、硬度２０００ｋｇ／ｍｍ２の硬質カ
ーボン膜であって、ダイヤモンドに近く、ダイヤモンド
状カーボンＩｔ！Ｊ（表１ではＤＬＣとして示す。）で
あった。First, in Example 1, a film was formed by irradiating 308 nm laser light using ketene as a raw material. The resulting thin film showed a peak near 1550C111-' in laser Raman spectroscopy, and was a hard carbon film with a hardness of 2000 kg/mm2, close to diamond, and diamond-like carbon It! J (shown as DLC in Table 1).
次に、実施例２ではＮ２をケテンに添加し、１９３ｎｍ
レーザ光を照射した。レーザラマン分光分析で、ダイヤ
モンド構造に特徴的な１３３３ｃｍ−’のピークを示す
薄１（表１ではＤとして示す。）が生成できた。比抵抗
も実施例１の場合より１０倍大きい値を示した。Next, in Example 2, N2 was added to ketene, and 193 nm
irradiated with laser light. Laser Raman spectroscopy showed that Thin 1 (indicated as D in Table 1) exhibiting a peak at 1333 cm-' characteristic of a diamond structure was produced. The specific resistance also showed a value 10 times larger than that of Example 1.
次に、実施例３では、ジアゾメタンを原料ガスとした場
合である。口の実施例３では、３００℃で比抵抗１０１
４ΩＣｌ１１のダイヤモンド構造を持つ薄膜が３０分間
で５μｍ堆積した。Next, in Example 3, diazomethane is used as the raw material gas. In Example 3, the specific resistance was 101 at 300°C.
A thin film with a diamond structure of 4ΩCl11 was deposited to a thickness of 5 μm in 30 minutes.
次に、実施例４はカーボンサブオキサイドを原料とした
場合である。この結果、生成された薄膜はレーザラマン
分光分析で明らかなダイヤモンドのピークは認められな
かったが、硬度２５００ｋｇ／ｍｍ２の硬質ダイヤモン
ド状カーボン膜（０１Ｇ）であった。Next, Example 4 is a case where carbon suboxide is used as a raw material. As a result, the thin film produced was a hard diamond-like carbon film (01G) with a hardness of 2500 kg/mm2, although no obvious diamond peak was observed in laser Raman spectroscopy.
次に、実施例５はカーボンサブオキサイドにＨ２を添加
した場合である。このときは、■２の必要意は多かった
が、良質のダイヤモンドＩＩＩ（ＤＪが生成された。こ
れは、光分解の結果生成された原子状炭素と８２分子の
後続反応によりＣＨ２Ｃｌ２を生成することにより膜質
向上がなされたものと思われる。Next, Example 5 is a case where H2 is added to carbon suboxide. At this time, although there was much need for (2), high-quality Diamond III (DJ) was produced. This is because CH2Cl2 is produced by the subsequent reaction of 82 molecules with atomic carbon produced as a result of photolysis. It seems that the film quality was improved by this.
次に、実施例６はケテンを添加剤としてアセチレンを原
料ガスとした場合である。この結果得られた薄膜は、膜
質ではやや劣るが、３００ｎｍ以上の可視部に吸収の全
く見られない１（ｔ＋ｔｃ）であり、しかも、高速で成
膜できた。これは、ＣＨ，ＣＨ２の挿入反応により、成
膜速度が向上したものと考えられる。Next, Example 6 is a case where ketene was used as an additive and acetylene was used as a raw material gas. Although the resulting thin film was slightly inferior in film quality, it had a value of 1 (t+tc) with no absorption observed in the visible region of 300 nm or more, and could be formed at high speed. This is considered to be because the film formation rate was improved due to the insertion reaction of CH and CH2.
次に、実施例７ではタングステンフィラメントを１８０
０℃に加熱し、そのフィラメントにＨ２流をあてて、熱
分解し、Ｈ原子を発生させると同時に、ケテンを１９３
ｎｍレーザ光で光分解する方法で成膜を行なった。穫め
て質のいいダイヤモンド膜（ＤＪが生成できた。Next, in Example 7, the tungsten filament was
The filament is heated to 0°C and exposed to a stream of H2 to thermally decompose it, generating H atoms and at the same time converting ketene into 193
The film was formed using a method of photolysis using nm laser light. A high-quality diamond film (DJ) was produced.
なお、比較例１．２は、従来、各方面で試みられている
アセチレン、ベンゼンを原料ガスとする場合である。何
れの場合も、成膜パラメーターを変化させても、ダイヤ
モンド膜を生成する口とができなかった。なかでも、基
材温度３００°Ｃの如く、低温プロセスでは鉄で容易に
傷のつく軟質カーボン膜（表１ではＳＣとして示す。）
ができたにすぎない。Comparative Example 1.2 is a case where acetylene and benzene, which have been tried in various fields, are used as raw material gases. In either case, even if the film formation parameters were changed, a diamond film could not be formed. Among them, soft carbon films are easily scratched by iron in low-temperature processes such as a substrate temperature of 300°C (shown as SC in Table 1).
It's just that.
以上の通り、各実施例と各比較例との対比から明らかな
通り、本発明法により成膜できる膜の質は著しく良質で
、ダイヤモンド又はそれに近いもので、成膜速度も従来
例に較べて１０〜３０倍も向上していることがわかった
。As mentioned above, as is clear from the comparison between each Example and each Comparative Example, the quality of the film formed by the method of the present invention is extremely good, and is of diamond or similar quality, and the film formation rate is also faster than that of conventional methods. It was found that the improvement was 10 to 30 times.
く発明の効果〉
以上詳しく説明した通り、本発明法は、ｈａ熱された基
材上に、原料ガス中にレーザ照射して光ＣＶＤ法により
ダイヤモンド状薄膜あるいはダイヤモンド薄膜を形成す
る方法であって、この基材の加熱は上記実施例に示す如
（、２００℃〜３００℃の通り、低温で十分であり、低
温プロセスとしての特徴を十分に発揮できる。Effects of the Invention> As explained in detail above, the method of the present invention is a method of forming a diamond-like thin film or a diamond thin film on a heated base material by optical CVD method by irradiating a laser into a raw material gas. The heating of this base material is sufficient at a low temperature of 200° C. to 300° C., as shown in the above examples, and the characteristics of a low-temperature process can be fully exhibited.
また、この薄膜の生成は、少なくともＣｌ１２ラジカル
、ＣＨラジカルまたはＣ原子の寄与によって生成し、こ
の生成礪構は従来例とは本質的に異なるものである。こ
のため、上記の如く低温領域できわめて速い成膜速度で
ダイヤモンド薄膜、少なくともダイヤモンド状薄膜を生
成できる。Further, this thin film is generated by the contribution of at least Cl12 radicals, CH radicals, or C atoms, and this formation structure is essentially different from the conventional example. Therefore, as described above, a diamond thin film, or at least a diamond-like thin film, can be produced at an extremely high deposition rate in a low temperature region.
更に加えるならば、ダイヤモンド状薄膜はその特異な物
性によりユニークな材料として様々な工業分野で活用あ
るいは利用の計画が進められている。Additionally, due to its unique physical properties, diamond-like thin films are being used or are being used as a unique material in various industrial fields.
本発明法は、従来広く信じられているこの成膜機構とは
異なる成膜機構に着目し、なかでも、ＯＨ□ラジカル、
ＣＨラジカル、Ｃ原子を選択的に生成する原料ガスを用
いることにより新規な成膜機構を実現したものである。The method of the present invention focuses on a film formation mechanism that is different from this film formation mechanism that has been widely believed in the past.
A novel film-forming mechanism has been realized by using a raw material gas that selectively generates CH radicals and C atoms.
従って、従来例では９００℃以上でしか成膜しなかった
ダイヤモンド薄膜を、本発明法によると、３００℃以下
の低温で成膜することができる。Therefore, according to the method of the present invention, a diamond thin film can be formed at a low temperature of 300° C. or lower, whereas in the conventional method, the diamond thin film could only be formed at a temperature of 900° C. or higher.
それに伴って、耐熱性の劣る基材であっても、その上に
薄膜を生成することが可能になり、ダイヤモンド薄膜の
利用用途が広がり、産業上の有用性ははかり知れないも
のである。Along with this, it has become possible to form a thin film on even a substrate with poor heat resistance, and the applications of diamond thin films have expanded, and their industrial usefulness has been immeasurable.
Claims (1)
るいはダイヤモンド状の薄膜を形成する際に、この原料
ガスを、光分解反応により少なくともＣＨ＿２ラジカル
および／またはＣＨラジカルを生成するガスとすること
を特徴とするダイヤモンド若しくはダイヤモンド状の薄
膜の形成方法。 ２）原料ガスを用いて光ＣＶＤ法により、ダイヤモンド
あるいはダイヤモンド状の薄膜を形成する際に、この原
料ガスを、光分解反応により少なくともＣ原子を生成す
るガスとすることを特徴とするダイヤモンド若しくはダ
イヤモンド状の薄膜の形成方法。 ３）原料ガスを、ケテン、ジケテン若しくはジアゾメタ
ンのうちの少なくとも１種のガスとすることを特徴とす
る請求項１記載のダイヤモンド若しくはダイヤモンド状
の薄膜の形成方法。 ４）原料ガスを、カーボンサブオキサイドとすることを
特徴とする請求項２記載のダイヤモンド若しくはダイヤ
モンド状の薄膜の形成方法。 ５）原料ガスを、芳香族化合物あるいはアセチレン誘導
体あるいはエチレン誘導体にケテン、ジケテン、ジアゾ
メタン若しくはカーボンサブオキサイドのうちから少な
くとも１種を添加したガスとすることを特徴とする請求
項１記載のダイヤモンド若しくはダイヤモンド状の薄膜
の形成方法。 ６）添加ガスとしてＨ＿２を用いることを特徴とする請
求項１、２、３又は４記載のダイヤモンド若しくはダイ
ヤモンド状の薄膜の形成方法。 ７）原料ガス若しくは原料ガスに添加ガスを添加したガ
ス中にエキシマレーザ光を照射することを特徴とする請
求項１、２、３、４、５又は６記載のダイヤモンド若し
くはダイヤモンド状の薄膜の形成方法。[Claims] 1) When forming a diamond or a diamond-like thin film by photo-CVD using a raw material gas, the raw material gas is converted into a gas that generates at least CH_2 radicals and/or CH radicals through a photodecomposition reaction. A method for forming a diamond or a diamond-like thin film, characterized by: 2) A diamond or diamond characterized in that when a diamond or a diamond-like thin film is formed by a photo-CVD method using a raw material gas, the raw material gas is a gas that generates at least C atoms through a photodecomposition reaction. A method for forming a thin film of 3) The method for forming a diamond or diamond-like thin film according to claim 1, wherein the source gas is at least one gas selected from ketene, diketene, and diazomethane. 4) The method for forming diamond or a diamond-like thin film according to claim 2, wherein the raw material gas is carbon suboxide. 5) The diamond or diamond according to claim 1, wherein the raw material gas is a gas prepared by adding at least one of ketene, diketene, diazomethane, or carbon suboxide to an aromatic compound, an acetylene derivative, or an ethylene derivative. A method for forming a thin film of 6) The method for forming a diamond or diamond-like thin film according to claim 1, 2, 3 or 4, characterized in that H_2 is used as the additive gas. 7) Formation of diamond or a diamond-like thin film according to claim 1, 2, 3, 4, 5 or 6, characterized in that excimer laser light is irradiated into the raw material gas or the gas in which the additive gas is added to the raw material gas. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088567A JPH01261299A (en) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Formation of diamond or diamond thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088567A JPH01261299A (en) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Formation of diamond or diamond thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01261299A true JPH01261299A (en) | 1989-10-18 |
Family
ID=13946437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63088567A Pending JPH01261299A (en) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Formation of diamond or diamond thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01261299A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5531184A (en) * | 1990-04-26 | 1996-07-02 | Hitachi, Ltd. | Method for producing synthetic diamond thin film, the thin film and device using it |
| CN100337310C (en) * | 2002-12-27 | 2007-09-12 | 住友电气工业株式会社 | Low-resistance n type semiconductor diamond and process for producing the same |
| JP2013199404A (en) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Vision Development Co Ltd | Method for producing string-like or sheet-like carbon nanotube |
| JP2015034102A (en) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 学校法人中部大学 | Method for producing graphene film |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP63088567A patent/JPH01261299A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5531184A (en) * | 1990-04-26 | 1996-07-02 | Hitachi, Ltd. | Method for producing synthetic diamond thin film, the thin film and device using it |
| CN100337310C (en) * | 2002-12-27 | 2007-09-12 | 住友电气工业株式会社 | Low-resistance n type semiconductor diamond and process for producing the same |
| JP2013199404A (en) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Vision Development Co Ltd | Method for producing string-like or sheet-like carbon nanotube |
| JP2015034102A (en) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 学校法人中部大学 | Method for producing graphene film |
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