JPH01261024A - Logic circuit - Google Patents

Logic circuit

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JPH01261024A
JPH01261024A JP63089622A JP8962288A JPH01261024A JP H01261024 A JPH01261024 A JP H01261024A JP 63089622 A JP63089622 A JP 63089622A JP 8962288 A JP8962288 A JP 8962288A JP H01261024 A JPH01261024 A JP H01261024A
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circuit
transistor
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ntl
emitter
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Noboru Shiozawa
塩沢 昇
Mitsuo Usami
光雄 宇佐美
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Abstract

PURPOSE:To attain power consumption without disturbing high speed operation by providing a short-circuit transistor(TR) whose collector and emitter are connected in parallel with a load means of an output emitter follower circuit of a logic circuit, whose base is capacitance-coupled with the emitter of the input TR and whose conductance is temporarily increased at low level output. CONSTITUTION:The base of a TR T2 is subject to capacitive coupling with the emitter of a TR T3 via a differentiation circuit comprising a capacitor C1 and a resistor R4 and a prescribed bias voltage is supplied thereto via a bias circuit comprising a TR T4 and the resistor R4. The TR T2 is temporarily turned on when the digital input signal Di changes from a low level VL to a high level VH, the conductance is increased temporarily and the level change in a digital output signal Do is speeded up regardless that the resistor Rl has a comparatively large resistance. Thus, the power consumption of the NTL circuit is reduced without disturbing its high speed operation.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、論理回路に関するもので、例えば、出力エ
ミッタフォロワ回路を付加したNTL(N−on  T
hreshold  Logic)回路に利用して特に
有効な技術に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a logic circuit, for example, an NTL (N-on-T) with an output emitter follower circuit added.
The present invention relates to a technique that is particularly effective when used in threshold logic (threshold logic) circuits.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

小振幅のディジタル入力信号を受け、高速論理動作を行
うNTL回路がある。また、上記NTL回路に出カニミ
ッタフォロワ回路を付加した出力ニミッタフォロワ付N
TL回路(以下、この出力ニミッタフォロワ付NTL回
路のことをNTL回路と称す)がある、さらに、上記N
TL回路を基本構成とする高速論理集積回路がある。
There is an NTL circuit that receives a small amplitude digital input signal and performs a high-speed logic operation. In addition, the NTL circuit with an output limiter follower circuit is added to the above NTL circuit.
There is a TL circuit (hereinafter, this NTL circuit with an output limiter follower is referred to as an NTL circuit).
There is a high-speed logic integrated circuit whose basic configuration is a TL circuit.

NTL回路は、例えば87図に示されるように、そのベ
ースにディジタル入力信号Diを受ける入力トランジス
タT 3と、上記トランジスタT3のコレクタと回路の
電源電圧Vcc及び電源電圧VEEとの間にそれぞれ設
けられる抵抗R2及びR3とからなる入カニミッタフォ
ロワ回路を基本構成とする。トランジスタT3のコレク
タ電位は、トランジスタT1及び抵抗R1からなる出カ
ニミッタフォロワ回路を介して、NTL回路のディジタ
ル出力信号Doとされる。
For example, as shown in FIG. 87, the NTL circuit has an input transistor T3 that receives a digital input signal Di at its base, and is provided between the collector of the transistor T3 and the circuit power supply voltage Vcc and power supply voltage VEE, respectively. The basic configuration is an input limiter follower circuit consisting of resistors R2 and R3. The collector potential of the transistor T3 is made into the digital output signal Do of the NTL circuit via an output limiter follower circuit consisting of the transistor T1 and the resistor R1.

NTL回路については、例えば、特願昭61−2696
99号に記載されている。
Regarding NTL circuits, for example, Japanese Patent Application No. 61-2696
It is described in No. 99.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記に記載されるような従来のNTL回路は次のような
問題点を持つ。すなわち、NTL回路は、前述のように
、トランジスタT1及び抵抗R1からなる出カニミッタ
フォロワ回路を含む。ここで、抵抗R1は比較的大きな
抵抗値を持つように設計される。これにより、出カニミ
ッタフォロワ回路の動作電流が削減され、NTL回路の
低消費電力化が図られる。一方、NTL回路の出力端子
すなわちトランジスタTIのエミッタには、接続配線等
に浮遊する比較的大きな負荷容量cLが結合される。こ
の負荷容量CLは、NTL回路のディジタル出力信号D
Oがハイレベルとされるとき、トランジスタTIを介し
てチャージされ、またディジタル出力信号DOがロウレ
ベルとされるとき抵抗R1を介してディスチャージされ
る。ところが、抵抗R1は、前述のように、比較的大き
な抵抗値を持つように設計される。このため、特にそれ
がハイレベルからロウレベルに変化されるとき、NTL
回路のディジタル出力信号DOのレベルは、負荷容it
 CLと抵抗R1によって決定される所定の時定数に従
って比較的ゆっくり変化される。これにより、NTL回
路の高速動作が妨げられ、NTL回路を含む高速論理集
積回路等の高速化が制限されるものである。
Conventional NTL circuits as described above have the following problems. That is, as described above, the NTL circuit includes an output limiter follower circuit including the transistor T1 and the resistor R1. Here, the resistor R1 is designed to have a relatively large resistance value. As a result, the operating current of the output limiter follower circuit is reduced, and the power consumption of the NTL circuit is reduced. On the other hand, a relatively large load capacitance cL floating in connection wiring etc. is coupled to the output terminal of the NTL circuit, that is, the emitter of the transistor TI. This load capacitance CL is the digital output signal D of the NTL circuit.
When O is set to high level, it is charged through transistor TI, and when digital output signal DO is set to low level, it is discharged through resistor R1. However, as described above, the resistor R1 is designed to have a relatively large resistance value. For this reason, especially when it is changed from a high level to a low level, the NTL
The level of the digital output signal DO of the circuit is equal to the load capacity it
It is changed relatively slowly according to a predetermined time constant determined by CL and resistor R1. This hinders the high-speed operation of the NTL circuit, and limits the speeding up of high-speed logic integrated circuits and the like including the NTL circuit.

この発明の目的は、その高速動作を妨げることなく低消
費電力化を図ったNTL回路等の論理回路を提供するこ
とにある。この発明の他の目的は、NTL回路等を含む
高速論理集積回路等の動作の高速化と低消費電力化を図
ることにある。
An object of the present invention is to provide a logic circuit such as an NTL circuit that achieves low power consumption without interfering with its high-speed operation. Another object of the present invention is to achieve faster operation and lower power consumption of high-speed logic integrated circuits including NTL circuits and the like.

この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろ
う。
The above and other objects and novel features of this invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、NTL回路等の論理回路の出力ニミー/タフ
ォロワ回路を構成する負荷手段と並列形態に、そのベー
スが入力トランジスタのエミッタに容量結合されロウレ
ベル出力時においてそのコンダクタンスが一時的に大き
くされる短絡用トランジスタを設けるものである。
In other words, the short-circuit circuit is connected in parallel with the load means constituting the output nimmy/tau follower circuit of a logic circuit such as an NTL circuit, and its base is capacitively coupled to the emitter of the input transistor, so that its conductance is temporarily increased when outputting a low level. A transistor is provided.

〔作  用〕[For production]

上記した手段によれば、ロウレベル出力時の当初におい
て上記負荷手段を一時的に短絡し、出力信号のレベル変
化を高速化することができる。これにより、上記負荷手
段の抵抗値を太き(して出カニミッタフォロワ回路の動
作電流を削減し、NTL回路等の高速動作を阻害するこ
となく、その低消費電力化を図ることができる。
According to the above-described means, it is possible to temporarily short-circuit the load means at the beginning of low level output, thereby speeding up the level change of the output signal. As a result, the resistance value of the load means can be increased (by which the operating current of the output limiter follower circuit can be reduced), and the power consumption can be reduced without interfering with the high-speed operation of the NTL circuit or the like.

(実施例1〕 第1図には、この発明が通用されたNTL回路の一実施
例の回路図が示されている。また、第2図には、第1図
のNTL回路の入出力特性図が示され、第3図には、第
1図のNTL回路に含まれるトランジスタT2のベース
電圧とコレクタ電流との関係を説明する特性図が示され
ている。この実施例のNTL回路は、特に制限されない
が、高速論理集積回路に含まれ、インバータ回路として
機能する。上記高速論理集積回路は、第1図のNTL回
路と同様な回路構成とされる多数の各種論理ゲート回路
を搭載する。第1図の各回路素子は、高速論理集積回路
の図示されない他の回路素子とともに、単結晶シリコン
のような1個の半導体基板上において形成される。なお
、以下の図において、図示されるバイポーラトランジス
タはすべてNPN型トランジスタである。
(Embodiment 1) Fig. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of an NTL circuit to which the present invention is applied.Furthermore, Fig. 2 shows the input/output characteristics of the NTL circuit shown in Fig. 1. 3 shows a characteristic diagram illustrating the relationship between the base voltage and collector current of the transistor T2 included in the NTL circuit of FIG. 1.The NTL circuit of this embodiment has the following characteristics: Although not particularly limited, it is included in a high-speed logic integrated circuit and functions as an inverter circuit.The high-speed logic integrated circuit is equipped with a large number of various logic gate circuits having the same circuit configuration as the NTL circuit shown in FIG. Each circuit element in Figure 1 is formed on a single semiconductor substrate, such as single crystal silicon, along with other circuit elements (not shown) of a high-speed logic integrated circuit. All transistors are NPN type transistors.

第1図において、NTL回路は、特に制限されないが、
入力トランジスタT3(第3のトランジスタ)と、上記
入力トランジスタT3のコレクタと回路の電源電圧Vc
c(第1の電源電圧)との間に設けられる抵抗R2(第
2の負荷手段)及び上記入力トランジスタT3のエミッ
タと回路の電源電圧VEE(第2の電源電圧)との間に
設けられる抵抗R3(第3の負荷手段)により構成され
る。
In FIG. 1, although the NTL circuit is not particularly limited,
Input transistor T3 (third transistor) and power supply voltage Vc between the collector of the input transistor T3 and the circuit.
c (first power supply voltage) and a resistor R2 (second load means) provided between the emitter of the input transistor T3 and the circuit power supply voltage VEE (second power supply voltage). It is constituted by R3 (third load means).

入力トランジスタT3のコレクタすなわちノードn1の
電圧は、出カニミッタフォロワ回路を構成する出力トラ
ンジスタTl(第1のトランジスタ)のベースに供給さ
れる。出力トランジスタTIのエミッタと回路の電源電
圧VEEとの間には、抵抗R1(第1の負荷手段)が設
けられる。この抵抗R1は、出カニミッタフォロワ回路
の動作電流を小さくLNTL回路の低消費電力化を図る
ため、比較的大きな抵抗値を持つように設計される。
The voltage at the collector of the input transistor T3, ie, the voltage at the node n1, is supplied to the base of the output transistor Tl (first transistor) constituting the output limiter follower circuit. A resistor R1 (first load means) is provided between the emitter of the output transistor TI and the circuit power supply voltage VEE. This resistor R1 is designed to have a relatively large resistance value in order to reduce the operating current of the output limiter follower circuit and reduce the power consumption of the LNTL circuit.

出力トランジスタT1のエミッタ電圧は、このNTL回
路の出力信号すなわちディジタル出力信号DOとされる
The emitter voltage of the output transistor T1 is used as the output signal of this NTL circuit, that is, the digital output signal DO.

出カニミッタフォロワ回路を構成する抵抗R1と並列形
態に設けられる短絡用トランジスタT2(第2のトラン
ジスタ)のベースは、キャパシタCI(第1のキャパシ
タ)を介して、上記入力トランジスタT3のエミッタに
容量結合される。また、トランジスタT2のベースは、
特に制限されないが、トランジスタT4(第4のトラン
ジスタ)を介して回路の電源電圧Vccに結合されると
ともに、抵抗R4(第4の負荷手段)を介して回路の電
源電圧VEEに結合される。上記トランジスタT4のベ
ースには、所定の定電圧Vcが供給される。つまり、こ
の実施例において、抵抗R4は、上記キャパシタC1と
ともに入力トランジスタT3のエミッタ電圧の変化を短
絡用トランジスタT2のベースに伝達する微分回路を構
成し、また上記トランジスタT4とともにトランジスタ
T2のベースに所定のバイアス電圧vbを供給するバイ
アス回路を構成する。
The base of the shorting transistor T2 (second transistor), which is provided in parallel with the resistor R1 constituting the output limiter follower circuit, is connected to the emitter of the input transistor T3 via the capacitor CI (first capacitor). be combined. Moreover, the base of the transistor T2 is
Although not particularly limited, it is coupled to the circuit power supply voltage Vcc via the transistor T4 (fourth transistor) and to the circuit power supply voltage VEE via the resistor R4 (fourth load means). A predetermined constant voltage Vc is supplied to the base of the transistor T4. That is, in this embodiment, the resistor R4 together with the capacitor C1 constitutes a differentiating circuit that transmits a change in the emitter voltage of the input transistor T3 to the base of the shorting transistor T2, and together with the transistor T4, the resistor R4 is connected to the base of the transistor T2. A bias circuit that supplies a bias voltage vb is configured.

ここで、トランジスタT4のベースに供給される上記定
電圧Vcは、第3図に示されるように、トランジスタT
2のベースにトランジスタT2が非常に弱いオン状態と
なるためのバイアス電圧Vbを与えるような、所定の電
圧とされる。したがって、NTL回路のディジタル出力
信号DoのレベルがハイレベルvH又はロウレベルvL
に固定される安定状態において、トランジスタT2は非
常に弱いオン状態とされ、そのコンダクタンスは小さく
される。このとき、出力トランジスタT1には、はぼ、 IE 1−IC2’  +DO/R1 となるような比較的小さなエミッタ電流IEIが流され
る。これにより、出力エミッタフォロワ回路の動作電流
は小さくされ、NTL回路の低消費電力化が図られる。
Here, the constant voltage Vc supplied to the base of the transistor T4 is as shown in FIG.
A predetermined voltage is set to apply a bias voltage Vb to the base of T2 to turn the transistor T2 into a very weak ON state. Therefore, the level of the digital output signal Do of the NTL circuit is high level vH or low level vL.
In a stable state fixed at , the transistor T2 is turned on very weakly and its conductance is reduced. At this time, a relatively small emitter current IEI such as approximately IE1-IC2'+DO/R1 is caused to flow through the output transistor T1. As a result, the operating current of the output emitter follower circuit is reduced, and the power consumption of the NTL circuit is reduced.

なお、入力トランジスタT3のベースには、高速論理集
積回路の図示されない他の回路から、ディジタル入力信
号Diが供給される。ここで、回路の電源電圧Vccは
接地電位とされ、回路の電源電圧vEEは所定の負の電
源電圧とされる。また、ディジタル入力信号Diは、例
えばそのハイレベルV、が−O,aVとされそのロウレ
ベル■Lが−1、4Vとされるような比較的小さな信号
振幅を持つものとされる。
Note that a digital input signal Di is supplied to the base of the input transistor T3 from another circuit (not shown) of the high-speed logic integrated circuit. Here, the power supply voltage Vcc of the circuit is set to the ground potential, and the power supply voltage vEE of the circuit is set to a predetermined negative power supply voltage. Further, the digital input signal Di is assumed to have a relatively small signal amplitude, for example, its high level V is -O, aV and its low level -L is -1, 4V.

ここで、この実施例のNTL回路のディジタル出力信号
Doのレベルについて説明する。ディジタル入力信号D
iが所定のロウレベルvLとされるとき、入力トランジ
スタT3のコレクタ電流■C3は、入力トランジスタT
3のベース・エミッタ電圧及び電流増幅率をそれぞれV
I]E3及びβ3とすると、 Ic3悶 (VL  VBE!l  VEE) / (R3X 1
j3)のような比較的小さな値となる。このとき、ノー
ドn1の電圧は、 V)lc=−R2x I c 3 のようなハイレベルとされる。ノードnlのハイレベル
vncは、出カニミッタフォロワ回路を構成するトラン
ジスタT1のベース・エミッタ電圧vBEI分だけさら
にシフトされた後、このNTL回路のディジタル出力信
号DOのハイレベルとされ、そのハイレベルV、4は、 V)l=V)Ic  VBEI となる、ディジタル出力信号DOのハイレベル■Hは、
上記ディジタル入力信号DiのハイレベルV14に他な
らない。
Here, the level of the digital output signal Do of the NTL circuit of this embodiment will be explained. Digital input signal D
When i is set to a predetermined low level vL, the collector current ■C3 of the input transistor T3 is
The base-emitter voltage and current amplification factor of 3 are V, respectively.
I] E3 and β3, Ic3 agony (VL VBE!l VEE) / (R3X 1
j3), which is a relatively small value. At this time, the voltage at the node n1 is set to a high level such as V)lc=-R2x Ic3. The high level vnc of the node nl is further shifted by the base-emitter voltage vBEI of the transistor T1 constituting the output limiter follower circuit, and then becomes the high level of the digital output signal DO of this NTL circuit, and the high level V , 4 is V)l=V)IcVBEI, and the high level ■H of the digital output signal DO is,
This is nothing but the high level V14 of the digital input signal Di.

一方、ディジタル入力信号Diが所定のハイレベル■H
とされるとき、入力トランジスタT3のコレクタ電流1
e3’ は、入力トランジスタT3のベース・エミッタ
電圧及び電流増幅率をそれぞれVBE3゛及びβ3° 
とするとき、lc3’− (VHVBE3 ’   VEE) / (R3Xβ3
″)のような比較的大きな値となる。このとき、ノード
n1の電圧は、 VLc=−R2X I c 3’ のようなロウレベルとされる。ノードn1のロウレベル
LCは、出力トランジスタ1゛lのベース・エミッタ電
圧VBEI゛ 分だけシフトされた後、このNTL回路
のディジタル出力信号Doのロウレベルとされる。この
とき、ディジタル出力信号DOのロウレベルVLは、 vt、−vt、c  VBEI となる。ディジタル出力信号DOOロウレベル■Lは、
上記ディジタル入力信号DIのロウレベルVLに他なら
ない。
On the other hand, the digital input signal Di is at a predetermined high level ■H
When the collector current 1 of the input transistor T3 is
e3' is the base-emitter voltage and current amplification factor of input transistor T3, respectively, VBE3゛ and β3°.
When lc3'- (VHVBE3' VEE) / (R3Xβ3
'').At this time, the voltage at the node n1 is set to a low level such as VLc=-R2X Ic3'.The low level LC at the node n1 is the voltage at the output transistor 1 After being shifted by the base-emitter voltage VBEI', the digital output signal Do of this NTL circuit is set to a low level.At this time, the low level VL of the digital output signal DO becomes vt, -vt, cVBEI.Digital The output signal DOO low level ■L is
This is nothing but the low level VL of the digital input signal DI.

次に、微分回路を含めたNTL回路の過渡的な動作につ
いて説明する。ディジタル入力信号DiがハイレベルV
Hからロウレベル■Lに変化するとき、短絡用トランジ
スタT2のベース電圧Ve2は、キャパシタCI及び抵
抗R4からなる微分回路が設けられることで、−時的に
ディジタル入力信号Diの信号撮幅分だけ低下される。
Next, the transient operation of the NTL circuit including the differential circuit will be explained. Digital input signal Di is high level V
When changing from H to low level ■L, the base voltage Ve2 of the short-circuiting transistor T2 is temporarily lowered by the signal width of the digital input signal Di by providing a differentiator circuit consisting of a capacitor CI and a resistor R4. be done.

このため、短絡用トランジスタT2はカットオフ状態と
なり、ディジタル出力信号Doは、トランジスタT2の
影響を受けることなく、ロウレベルvLからハイレベル
VHに変化される。このとき、ディジタル出力信号Do
は、出力エミッタフォロワ回路のトランジスタTlを介
して、比較的急速にそのレベルが変化される。
Therefore, the shorting transistor T2 is in a cutoff state, and the digital output signal Do is changed from the low level VL to the high level VH without being influenced by the transistor T2. At this time, the digital output signal Do
The level of is changed relatively rapidly through the transistor Tl of the output emitter follower circuit.

一方、ディジタル入力信号D+がロウレベルVLからハ
イレベルVHに変化すると、短絡用トランジスタT2の
ベース電圧Ve2は、逆にディジタル入力信号Diの信
号振幅分だけ一時的に高くされる。したがって、トラン
ジスタT2はオン状態となり、そのコンダクタンスが一
時的に大きくされる。このため、NTL回路の出力端子
に結合される負荷容量は、抵抗R1が比較的大きな抵抗
値を持つように設計されているにもかかわらず、トラン
ジスタT2を介して急速にディスチャージされる。その
結果、ディジタル出力信号Doのレベルは、ハイレベル
VHからロウレベルVL ニ急速に変化される。つまり
、この実施例のNTL回路は、出力エミッタフォロワ回
路を構成する抵抗R1の抵抗値が大きくされかつそれに
並列形態に短絡用トランジスタT2が設けられることで
、その高速動作が妨げられることなく、低消費電力化さ
れるものである。
On the other hand, when the digital input signal D+ changes from the low level VL to the high level VH, the base voltage Ve2 of the shorting transistor T2 is temporarily increased by the signal amplitude of the digital input signal Di. Therefore, transistor T2 is turned on and its conductance is temporarily increased. Therefore, the load capacitance coupled to the output terminal of the NTL circuit is rapidly discharged via the transistor T2, even though the resistor R1 is designed to have a relatively large resistance value. As a result, the level of digital output signal Do is rapidly changed from high level VH to low level VL. In other words, in the NTL circuit of this embodiment, the resistance value of the resistor R1 constituting the output emitter follower circuit is increased, and the short-circuiting transistor T2 is provided in parallel with it, so that its high-speed operation is not hindered and the resistance is low. This reduces power consumption.

以上のように、この実施例のNTL回路では、出力エミ
ッタフォロワ回路を構成する抵抗R1が比較的大きな抵
抗値を持つように設計されるとともに、上記抵抗R1と
並列形態に短絡用トランジスタT2が設けられる。この
トランジスタT2のベースは、キャパシタC1及び抵抗
R4からなる微分回路を介して、入カニミッタフォロワ
回路を構成するトランジスタT3のエミッタに容量結合
される。また、トランジスタT2のベースには、トラン
ジスタT4及び抵抗R4からなるバイアス回路を介して
、所定のバイアス電圧vbが供給される。トランジスタ
T2は、ディジタル入力信号DIがロウレベルvLから
ハイレベルVHに変化されるとき、すなわちディジタル
出力信号DoがハイレベルV、からロウレベルvLに変
化されるとき、−時的にオン状態とされ、そのコンダク
タンスが一時的に大きくされる。このため、ディジタル
出力信号Doは、抵抗R1が比較的大きな抵抗値を持つ
にもかかわらず、そのレベル変化が高速化される。これ
により、この実施例のNTL回路は、その高速動作が妨
げられることなく、低消費電力化されるものである。
As described above, in the NTL circuit of this embodiment, the resistor R1 constituting the output emitter follower circuit is designed to have a relatively large resistance value, and the shorting transistor T2 is provided in parallel with the resistor R1. It will be done. The base of this transistor T2 is capacitively coupled to the emitter of a transistor T3 constituting an input limiter follower circuit via a differentiating circuit consisting of a capacitor C1 and a resistor R4. Further, a predetermined bias voltage vb is supplied to the base of the transistor T2 via a bias circuit including a transistor T4 and a resistor R4. The transistor T2 is temporarily turned on when the digital input signal DI is changed from the low level vL to the high level VH, that is, when the digital output signal Do is changed from the high level V to the low level vL. Conductance is temporarily increased. Therefore, the level of the digital output signal Do changes quickly even though the resistor R1 has a relatively large resistance value. As a result, the NTL circuit of this embodiment has low power consumption without hindering its high-speed operation.

〔実施例2〕 第4図には、この発明が通用されたNTL回路の第2の
実施例の回路図が示されている。この実施例のNTL回
路は、基本的に上記第1図のNTL回路を踏襲する。第
4図のトランジスタTl。
[Embodiment 2] FIG. 4 shows a circuit diagram of a second embodiment of an NTL circuit to which the present invention is applied. The NTL circuit of this embodiment basically follows the NTL circuit of FIG. 1 above. Transistor Tl in FIG.

T2及びT4と抵抗R1−R4ならびにキャパシタC1
は、第1図のトランジスタ’rl、T2及びT4と抵抗
R1−R4ならびにキャパシタCIにそれぞれそのまま
対応する。以下、第1図の実施例と異なる部分について
、説明を追加する。
T2 and T4 and resistors R1-R4 and capacitor C1
correspond to the transistors 'rl, T2, and T4, the resistors R1 to R4, and the capacitor CI in FIG. 1, respectively. Hereinafter, explanations will be added regarding parts that are different from the embodiment shown in FIG.

第4図において、抵抗R2と抵抗R3との間には、特に
制限されないが、並列形態とされる3(囚のトランジス
タT5〜T7(第3のトランジスタ)が設けられる。こ
のうち、トランジスタT5のベースには、ディジタル入
力信号Dilが供給され、トランジスタT6及びT7の
ベースには、対応するディジタル入力信号D12及びD
i3がそれぞれ供給される。
In FIG. 4, three parallel transistors T5 to T7 (third transistors) are provided between the resistor R2 and the resistor R3, although not particularly limited. The bases are supplied with digital input signals Dil, and the bases of transistors T6 and T7 are supplied with corresponding digital input signals D12 and D1.
i3 is supplied respectively.

ディジタル入力信号DIl〜Di3がすべてロウレベル
■Lとされるとき、トランジスタT5〜T7の共通結合
されたエミッタの電位はロウレベルとなり、抵抗R2に
は比較的小さなコレクタ電流が流される。このため、ノ
ードn1は、上記第1図の実施例と同様に、ハイレベル
V)Icとなり、ディジタル出力信号Doは、所定のハ
イレベルVHとされる。
When the digital input signals DIl-Di3 are all set to the low level -L, the potentials of the commonly coupled emitters of the transistors T5-T7 are set to the low level, and a relatively small collector current flows through the resistor R2. Therefore, the node n1 is at a high level V)Ic, similar to the embodiment shown in FIG. 1, and the digital output signal Do is at a predetermined high level VH.

一方、ディジタル入力信号Dll−Di3のうちのいず
れかがハイレベルVHとされるとき、トランジスタT5
〜T7の共通結合されたエミッタの電位はハイレベルと
なり、抵抗R2には比較的大きなコレクタ電流が流され
る。このため、ディジタル出力信号Doは所定のロウレ
ベルvLとされる。
On the other hand, when one of the digital input signals Dll-Di3 is set to high level VH, the transistor T5
The potential of the commonly coupled emitters of ~T7 becomes high level, and a relatively large collector current flows through the resistor R2. Therefore, the digital output signal Do is set to a predetermined low level vL.

つまり、この実施例のNTL回路は、ディジタル出力信
号Doが、 Do−Di 1−Di 2 ・Di 3−otl+ot
2+Dta なる論理式を満足するような3人力のノアゲート回路と
して機能するものである。
That is, in the NTL circuit of this embodiment, the digital output signal Do is Do-Di 1-Di 2 ・Di 3-otl+ot
It functions as a three-person NOR gate circuit that satisfies the logical formula 2+Dta.

以上のように、この実施例のNTL回路は、第1図の実
施例においてトランジスタTlとして設けられた入力ト
ランジスタが、並列形態とされそれぞれのベースに対応
するディジタル入力信号Di1〜Di3をそれぞれ受け
る3個のトランジスタT5〜T7に置き換えられる。デ
ィジタル出力信号DOは、上記ディジタル入力信号Di
l〜Di3がすべてロウレベルVLとされるとき、選択
的にハイレベルvHとされ、これにより、この実施例の
NTL回路は、3人力のノアゲート回路として機能する
。言うまでもなく、この実施例のNTL回路は、上記第
1図の実施例と同様に、その高速動作が妨げられること
なく、低消費電力化される。また、並列形態とされる入
力トランジスタの数を増減することで、任意のファンイ
ン数を持つノアゲート回路を実現することができる。
As described above, in the NTL circuit of this embodiment, the input transistors provided as the transistors Tl in the embodiment of FIG. transistors T5 to T7. The digital output signal DO is the digital input signal Di
When all of l to Di3 are set to low level VL, they are selectively set to high level vH, so that the NTL circuit of this embodiment functions as a three-man NOR gate circuit. Needless to say, the NTL circuit of this embodiment, like the embodiment shown in FIG. 1, has low power consumption without hindering its high-speed operation. Furthermore, by increasing or decreasing the number of input transistors arranged in parallel, a NOR gate circuit with an arbitrary fan-in number can be realized.

〔実施例3〕 第5図には、この発明が通用されたNTL回路の第3の
実施例の回路図が示されている。この実施例のNTL回
路は、基本的に上記第1図の実施例を踏襲する。第5図
のトランジスタT1〜T4と抵抗R1〜R4ならびにキ
ャパシタC1は、第1図のトランジスタTl−T4と抵
抗R1−R4ならびにキャパシタCIにそれぞれそのま
ま対応する。以下、第1図の実施例と興なる部分につい
て、説明を追加する。
[Embodiment 3] FIG. 5 shows a circuit diagram of a third embodiment of the NTL circuit to which the present invention is applied. The NTL circuit of this embodiment basically follows the embodiment of FIG. 1 above. Transistors T1-T4, resistors R1-R4, and capacitor C1 in FIG. 5 correspond to transistors T1-T4, resistors R1-R4, and capacitor CI in FIG. 1, respectively. Hereinafter, explanations will be added regarding parts that are different from the embodiment shown in FIG.

第5図において、トランジスタT4のベースと回路の電
源電圧Vccとの間には、ダイオードD1が設けられる
。また、特に制限されないが、トランジスタT4のベー
スと回路の電源電圧VEEとの間には、抵抗R5が設け
られ、上記トランジスタT4のベースと出力トランジス
タT1のエミッタすなわちNTL回路の出力端子との間
には、キャパシタC2が設けられる。これにより、抵抗
R5は、上記ダイオードDIとともにトランジスタT4
のベースに所定の定電圧Vcを与える定電圧発生回路を
構成し、あわせて上記キャパシタC2とともに出力端子
のレベル変化をトランジスタT4のベースに伝達する微
分回路を構成する。ここで、抵抗R5は、比較的大きな
抵抗値を持つように設計され、このNTL回路の低消費
電力化を妨げないものとされる。
In FIG. 5, a diode D1 is provided between the base of the transistor T4 and the circuit power supply voltage Vcc. Further, although not particularly limited, a resistor R5 is provided between the base of the transistor T4 and the power supply voltage VEE of the circuit, and a resistor R5 is provided between the base of the transistor T4 and the emitter of the output transistor T1, that is, the output terminal of the NTL circuit. is provided with a capacitor C2. As a result, the resistor R5 and the transistor T4 are connected together with the diode DI.
A constant voltage generating circuit is configured to apply a predetermined constant voltage Vc to the base of the transistor T4, and together with the capacitor C2, a differentiating circuit is configured to transmit a level change of the output terminal to the base of the transistor T4. Here, the resistor R5 is designed to have a relatively large resistance value, so that it does not hinder the reduction in power consumption of this NTL circuit.

ディジタル出力信号DOのレベルがハイレベルVH又は
ロウレベルVLに固定されるとき、トランジスタT4の
ベースには、ダイオードDiの順方向電圧VDFIによ
って決まる所定の定電圧Vcが供給される。この定電圧
Vcは、上記第1図の実施例と同様に、トランジスタT
2のベースにトランジスタT2が非常に弱いオン状態と
なるようなバイアス電圧vbを与え得る所定の電圧値と
される。これらのことから、この実施例のトランジスタ
T2は、上記第1図の実施例と同様な作用を示し、これ
により、この実施例のNTL回路は、その高速動作を妨
げられることなく、低消費電力化される。
When the level of the digital output signal DO is fixed at the high level VH or the low level VL, a predetermined constant voltage Vc determined by the forward voltage VDFI of the diode Di is supplied to the base of the transistor T4. This constant voltage Vc is determined by the transistor T as in the embodiment shown in FIG.
The voltage value is set to a predetermined voltage value capable of applying a bias voltage vb to the base of the transistor T2 so that the transistor T2 is turned on very weakly. For these reasons, the transistor T2 of this embodiment exhibits the same effect as that of the embodiment shown in FIG. be converted into

ところで、この実施例のNTL回路の出力端子とトラン
ジスタT4のベースとの間には、前述のように、キャパ
シタC2及び抵抗R5からなる微分回路が設けられる。
By the way, as described above, a differentiating circuit consisting of a capacitor C2 and a resistor R5 is provided between the output terminal of the NTL circuit of this embodiment and the base of the transistor T4.

この微分回路は、ディジタル出力信号Doがロウレベル
となると同時に、キャパシタC1の放電をうながし、パ
ルス性入力信号に対する応答性を向上させる作用を持つ
This differentiating circuit has the effect of promoting discharge of the capacitor C1 at the same time that the digital output signal Do becomes low level, thereby improving responsiveness to a pulsed input signal.

以上のように、この実施例のNTL回路では、バイアス
回路を構成するトランジスタT4のへ一スと回路の電源
電圧Vccとの間にダイオードD1が設けられ、そのベ
ースとNTL回路の出力端子との間にキャパシタC2が
設けられる。さらに、トランジスタT4のベースと回路
の電源電圧VEEとの間には、上記ダイオードDIとと
もに定電圧発生回路を構成し、かつ上記キャパシタC2
とともに微分回路を構成する抵抗R5が設けられる。
As described above, in the NTL circuit of this embodiment, the diode D1 is provided between the base of the transistor T4 constituting the bias circuit and the circuit power supply voltage Vcc, and the diode D1 is connected between its base and the output terminal of the NTL circuit. A capacitor C2 is provided between them. Further, between the base of the transistor T4 and the power supply voltage VEE of the circuit, a constant voltage generating circuit is formed together with the diode DI, and the capacitor C2
A resistor R5 that constitutes a differentiating circuit is also provided.

この抵抗R5は、比較的大きな抵抗値を持つように設計
される。これにより、この実施例のNTL回路は、トラ
ンジスタT4のベースに所定の定電圧Vcを与えるため
の定電圧発生回路が簡素化されるとともに、トランジス
タT4及びT2を介して行われる帰還動作により、パル
ス性入力信号に対する応答性が向上されるものである。
This resistor R5 is designed to have a relatively large resistance value. As a result, in the NTL circuit of this embodiment, the constant voltage generation circuit for applying a predetermined constant voltage Vc to the base of the transistor T4 is simplified, and the feedback operation performed via the transistors T4 and T2 generates pulses. This improves responsiveness to sexual input signals.

前述のように、抵抗R1及びR5は比較的大きな抵抗値
を持つように設計されるため、NTL回路の低消費電力
化は妨げられない。
As described above, since the resistors R1 and R5 are designed to have relatively large resistance values, the reduction in power consumption of the NTL circuit is not hindered.

〔実施例4〕 第6図には、この発明が通用されたNTL回路の第4の
実施例の回路図が示されている。この実施例のNTL回
路は、基本的に上記第1図の実施例を踏襲する。第6図
のトランジスタT1〜T3と抵抗R2及びR3ならびに
キャパシタC1は、第1図のトランジスタT 1−T 
3と抵抗R2及びR3ならびにキャパシタCIにそれぞ
れそのまま対応する。以下、第1図の実施例と異なる部
分について、説明を追加する。
[Embodiment 4] FIG. 6 shows a circuit diagram of a fourth embodiment of an NTL circuit to which the present invention is applied. The NTL circuit of this embodiment basically follows the embodiment of FIG. 1 above. The transistors T1 to T3, the resistors R2 and R3, and the capacitor C1 in FIG. 6 are the transistors T1 to T3 in FIG.
3, resistors R2 and R3, and capacitor CI, respectively. Hereinafter, explanations will be added regarding parts that are different from the embodiment shown in FIG.

第6図において、出カニミッタフォロワ回路を構成する
トランジスタT1の負荷手段は、直列形態とされる2個
の抵抗R6及びR7に置き換えられる。抵抗R6及びR
7の共通結合されたノードと短絡用トランジスタT2の
ベースとの間には、特に制限されないが、抵抗R8が設
けられる。トランジスタT2のベースは、さらにキャパ
シタCIを介して、入力トランジスタT3のエミッタに
容量結合される。ここで、抵抗R6及びR7は、比較的
大きな抵抗値を持つように設計され、抵抗R8は、トラ
ンジスタT2の入力インピーダンスを充分大きくするよ
うな所定の抵抗値を持つように設計される。これにより
、抵抗R8は、上記抵抗R6及びR7とともに短絡用ト
ランジスタT2のベースに所定のバイアス電圧vbを与
えるバイアス回路を構成し、あわせて上記キャパシタC
1とともにディジタル入力信号D1のレベル変化を上記
トランジスタT2のベースに伝達する微分回路を構成す
るものとなる。
In FIG. 6, the load means for the transistor T1 constituting the output limiter follower circuit is replaced by two resistors R6 and R7 in series. Resistance R6 and R
Although not particularly limited, a resistor R8 is provided between the commonly-coupled node of the transistors 7 and the base of the shorting transistor T2. The base of transistor T2 is further capacitively coupled to the emitter of input transistor T3 via capacitor CI. Here, the resistors R6 and R7 are designed to have relatively large resistance values, and the resistor R8 is designed to have a predetermined resistance value that makes the input impedance of the transistor T2 sufficiently large. Thereby, the resistor R8 constitutes a bias circuit that applies a predetermined bias voltage vb to the base of the short-circuiting transistor T2 together with the resistors R6 and R7, and together with the capacitor C
1 and constitutes a differentiating circuit that transmits the level change of the digital input signal D1 to the base of the transistor T2.

ディジタル入力信号Diが所定のロウレベル■Lに固定
されディジタル出力信号DOが所定のハイレベル■Hに
固定されるとき、短絡用トランジスタT2のベースには
、抵抗R6及びR7の抵抗比によって決まる所定のバイ
アス電圧vbが与えられる。このバイアス電圧vbは、
上記第1図の実施例と同様に、トランジスタT2が非常
に弱いオン状態となるような所定の電圧値とされる。こ
れにより、トランジスタT2は、ディジタル出力信号[
)oに影響を与えることなく、非常に弱いオン状態とさ
れる。
When the digital input signal Di is fixed at a predetermined low level ■L and the digital output signal DO is fixed at a predetermined high level ■H, the base of the shorting transistor T2 has a predetermined voltage determined by the resistance ratio of resistors R6 and R7. A bias voltage vb is applied. This bias voltage vb is
Similar to the embodiment shown in FIG. 1 above, a predetermined voltage value is set so that the transistor T2 is turned on very weakly. As a result, the transistor T2 outputs the digital output signal [
) is turned on very weakly without affecting o.

ディジタル入力信号り五がロウレベルvLからハイレベ
ルV)1に変化されると、短絡用トランジスタT2のベ
ース電圧は、ディジタル入力信号Diのレベル変化が上
記キャパシタC1及び抵抗R8からなる微分回路を介し
て伝達されることで、−時的に高くされる。このため、
トランジスタT2は一時的に完°全なオン状態となり、
ディジタル出力信号DOは急速にハイレベルVHからロ
ウレベルvLに変化される。
When the digital input signal Di is changed from the low level VL to the high level V)1, the base voltage of the shorting transistor T2 is determined by the change in the level of the digital input signal Di via the differentiating circuit consisting of the capacitor C1 and resistor R8. By being transmitted - made temporally high. For this reason,
Transistor T2 is temporarily in a completely on state,
Digital output signal DO is rapidly changed from high level VH to low level VL.

ところで、ディジタル入力信号Diが所定のハイレベル
V、4に固定されディジタル出力信号DOが所定のロウ
レベルvLに固定されるとき、上記トランジスタT2の
ベース電圧はロウレベルとされ、トランジスタT2はほ
ぼカットオフ状態とされる。この状態で、ディジタル入
力信号Diがハイレベル■HからロウレベルvLに変化
されると、短絡用トランジスタT2のベース電圧は、デ
ィジタル入力信号Diのレベル変化が上記微分回路を介
して伝達されることで、−時的に低くされる。
By the way, when the digital input signal Di is fixed at a predetermined high level V,4 and the digital output signal DO is fixed at a predetermined low level vL, the base voltage of the transistor T2 is set to a low level, and the transistor T2 is almost in a cut-off state. It is said that In this state, when the digital input signal Di is changed from the high level ■H to the low level vL, the base voltage of the shorting transistor T2 is changed due to the level change of the digital input signal Di being transmitted via the differentiating circuit. , - temporally lowered.

このため、トランジスタT2はさらにカットオフ状態と
され、ディジタル出力信号DOは、トランジスタTIを
介して、ロウレベルvLからハイレベルVoに急速に変
化される。
Therefore, the transistor T2 is further cut off, and the digital output signal DO is rapidly changed from the low level vL to the high level Vo via the transistor TI.

以上のように、この実施例のNTL回路では、短絡用ト
ランジスタT2のベースが、キャパシタC1を介して入
力トランジスタT3のエミッタに容量結合されるととも
に、抵抗R8を介して出カニミッタフォロワ回路を構成
する抵抗R6及びR7の共通結合されたノードに結合さ
れる。抵抗R8は、上記キャパシタC1とともにディジ
タル入力信号Diのレベル変化をトランジスタT2のベ
ースに伝達する微分回路を構成し、あわせて上記抵抗R
6及びR7とともにトランジスタT2のベースに所定の
バイアス電圧vbを与えるバイアス回路を構成する。こ
の実施例のNTL回路は、その回路構成がさらに簡素化
されるという利点を持つが、パルス性入力信号に対する
応答性は比較的良くない。
As described above, in the NTL circuit of this embodiment, the base of the shorting transistor T2 is capacitively coupled to the emitter of the input transistor T3 via the capacitor C1, and forms an output limiter follower circuit via the resistor R8. is coupled to a commonly coupled node of resistors R6 and R7. The resistor R8 together with the capacitor C1 constitutes a differentiating circuit that transmits the level change of the digital input signal Di to the base of the transistor T2.
6 and R7 constitute a bias circuit that applies a predetermined bias voltage vb to the base of the transistor T2. The NTL circuit of this embodiment has the advantage that its circuit configuration is further simplified, but its responsiveness to pulsed input signals is relatively poor.

以上の複数の実施例に示されるように、この発明をNT
L回路を基本構成とする高速論理集積回路等に通用した
場合、次のような作用効果が得られる。すなわち、 +1) N T L回路等の出カニミッタフォロワ回路
を構成する負荷手段と並列形態に、そのベースが入力ト
ランジスタのエミッタに容量結合されロウレベル出力時
にそのコンダクタンスが一時的に大きくされる短絡用ト
ランジスタを設けることで、ロウレベル出力時の当初に
おいて上記負荷手段を一時的に短絡し、出力信号のレベ
ル変化を高速化することができるという効果が得られる
As shown in the plurality of embodiments above, this invention can be applied to NT
When applied to high-speed logic integrated circuits having an L circuit as a basic configuration, the following effects can be obtained. That is, +1) A short-circuit circuit in which the base is capacitively coupled to the emitter of the input transistor and its conductance is temporarily increased when outputting a low level, in parallel form with a load means constituting an output limiter follower circuit such as an NTL circuit. By providing the transistor, it is possible to temporarily short-circuit the load means at the beginning of low level output, thereby speeding up the level change of the output signal.

(2)上記(1)項により、上記負荷手段の抵抗値を大
きくし、出カニミッタフォロワ回路の動作電流を小さく
して、NTL回路を低消費電力化できるという効果が得
られる。
(2) According to the above item (1), the resistance value of the load means is increased, the operating current of the output limiter follower circuit is decreased, and the power consumption of the NTL circuit can be reduced.

(3)上記(11項及び(2)項により、NTL回路等
の高速動作を阻害することなく、その低消費電力化を図
ることができるという効果が得られる。
(3) According to the above (11) and (2), it is possible to achieve the effect of reducing the power consumption of the NTL circuit, etc., without impeding the high-speed operation of the circuit.

(4)上記(11項〜(3)項により、NTL回路等を
含む高速論理集積回路等の高速動作を阻害することなく
低消費電力化できるため、その高集積化を図ることがで
きるという効果が得られる。
(4) The effect of the above items (11 to (3)) is that it is possible to reduce power consumption without hindering the high-speed operation of high-speed logic integrated circuits, etc., including NTL circuits, etc., and therefore, it is possible to achieve higher integration. is obtained.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない0例えば、各実施例にお
いて、入カニミッタフォロワ回路及び出カニミッタフォ
ロワ回路を構成するトランジスタのエミッタと回路の電
源電圧VEEとの間に設けられる負荷手段は、その電流
が比較的小さくされる定電流源であってもよい。ディジ
タル入力信号Di及びディジタル出力信号DOのハイレ
ベル■H及びロウレベルvLは、任意のレベルをとるこ
とができる。また、回路の電源電圧Vccは、回路の電
源電圧VEEを接地電位とすることで正の電源電圧に置
き換えることができるし、バイポーラトランジスタをP
NP型トランジスタに置き換えることでその極性を入れ
換えることもできる。入カニミッタフォロワ回路を構成
するトランジスタT3のエミッタと回路の電源電圧■E
Eとの間に設けられる抵抗R3には、スピードアンプ用
のキャパシタが設けられることもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that this invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, in each of the embodiments, the load means provided between the emitters of the transistors constituting the input limiter follower circuit and the output limiter follower circuit and the power supply voltage VEE of the circuit has a relatively small current. It may also be a constant current source. The high level ■H and low level vL of the digital input signal Di and the digital output signal DO can take arbitrary levels. In addition, the circuit power supply voltage Vcc can be replaced with a positive power supply voltage by setting the circuit power supply voltage VEE to the ground potential, and the bipolar transistor can be
The polarity can also be changed by replacing it with an NP type transistor. Power supply voltage of the emitter and circuit of transistor T3 that constitutes the input limiter follower circuit ■E
A capacitor for speed amplifier may be provided in the resistor R3 provided between E and E.

第5図及び第6図の実施例は、入力トランジスタT3を
並列形態とされる複数のトランジスタに置き換えること
で、任意のファンイン数を持たせることができる。第5
図において、トランジスタT4のベースと回路の電源電
圧Vccとの間に設けられるダイオードD1は、定電圧
Vcのレベルに応じて、複数のダイオード又はトランジ
スタに置き換えることができるし、キャパシタC2は設
けなくてもよい。第6図において、トランジスタT2の
ベースは、抵抗R8を介することなく、直接抵抗R6及
びR7の共通結合されたノードに結合することもよい、
さらに、各実施例の具体的な回路構成や電源電圧の組み
合わせ等は、種々の実施形態を採りうる。
The embodiments shown in FIGS. 5 and 6 can have an arbitrary fan-in number by replacing the input transistor T3 with a plurality of parallel transistors. Fifth
In the figure, the diode D1 provided between the base of the transistor T4 and the circuit power supply voltage Vcc can be replaced with a plurality of diodes or transistors depending on the level of the constant voltage Vc, and the capacitor C2 may not be provided. Good too. In FIG. 6, the base of transistor T2 may be directly coupled to the commonly coupled node of resistors R6 and R7 without going through resistor R8.
Further, the specific circuit configuration and combination of power supply voltages of each example can be variously implemented.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるNTL回路に通用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
なく、例えば、NTL回路によって構成されるフリップ
フロップ回路等やECLシリーズゲートを基本構成とす
る各種のECL回路等にも通用できる0本発明は、少な
くとも出カニミッタフォロワ回路を含む論理回路及びこ
のような論理回路を含む各種の半導体集積回路装置に広
く通用できる。
In the above description, the invention made by the present inventor was mainly applied to NTL circuits, which is the background field of application, but the present invention is not limited to this. The present invention is applicable to logic circuits including at least output limiter follower circuits and various semiconductor integrated circuit devices including such logic circuits. It can be widely used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。すなわち、論理回路の出カニミッタフォロワ回路を
構成する負荷手段と並列形態に、そのベースが入力トラ
ンジスタのエミッタに容量結合されロウレベル出力時に
そのコンダクタンスが一時的に大きくされる短絡用トラ
ンジスタを設けることで、ロウレベル出力時の当初にお
いて上記負荷手段を一時的に短絡し、出力信号のレベル
変化を高速化することができる。これにより、総合的に
論理回路の高速動作を阻害することなく、その低消費電
力化を図ることができる。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows. That is, by providing a shorting transistor whose base is capacitively coupled to the emitter of the input transistor and whose conductance is temporarily increased when outputting a low level, in parallel with the load means constituting the output limiter follower circuit of the logic circuit. By temporarily short-circuiting the load means at the beginning of low level output, it is possible to speed up the level change of the output signal. As a result, the power consumption of the logic circuit can be reduced without hindering the high-speed operation of the logic circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明が通用されたNTL回路の一実施例
を示す回路図、 第2図は、第1図のNTL回路の一実施例を示す入出力
特性図、 第3図は、第1図のNTL回路に含まれる短絡用トラン
ジスタのベース電圧とコレクタ電流の関係を示す特性図
、 第4図は、この発明が通用されたNTL回路の第2の実
施例を示す回路図、 第5図は、この発明が通用されたNTL回路の第3の実
施例を示す回路図、 第6図は、この発明が通用されたNTL回路の第4の実
施例を示す回路図、 第7図は、従来のNTL回路の一例を示す回路図である
。 T1〜T7・・・NPN型バイポーラトランジスタ、R
1−R8・・・抵抗、C1,C2・・・キャパシタ、C
L・・・負荷容量、Dl・・・ダイオード。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the NTL circuit to which the present invention is applied; Fig. 2 is an input/output characteristic diagram showing an embodiment of the NTL circuit of Fig. 1; 1 is a characteristic diagram showing the relationship between the base voltage and collector current of the short-circuiting transistor included in the NTL circuit; FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the NTL circuit to which the present invention is applied; FIG. 6 is a circuit diagram showing a third embodiment of the NTL circuit to which the present invention is applied; FIG. 6 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the NTL circuit to which the invention is applied; FIG. , is a circuit diagram showing an example of a conventional NTL circuit. T1 to T7...NPN type bipolar transistor, R
1-R8...Resistance, C1, C2...Capacitor, C
L...load capacitance, Dl...diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、そのコレクタが第1の電源電圧に結合されそのベー
スに内部出力信号を受ける第1のトランジスタ及び上記
第1のトランジスタのエミッタと第2の電源電圧との間
に設けられる第1の負荷手段からなる出力エミッタフォ
ロワ回路と、上記第1の負荷手段と並列形態に設けられ
上記出力エミッタフォロワ回路を介してロウレベルの出
力信号が出力されるとき一時的にそのコンダクタンスが
大きくされる第2のトランジスタとを具備することを特
徴とする論理回路。 2、上記論理回路は、エミッタフォロワ回路を付加した
NTL回路であり、そのコレクタが第2の負荷手段を介
して第1の電源電圧に結合されそのベースに入力信号を
受ける第3のトランジスタと、上記第3のトランジスタ
のエミッタと第2の電源電圧との間に設けられる第3の
負荷手段とを含むものであって、上記第1のトランジス
タのベースは上記第3のトランジスタのコレクタに結合
され、上記第2のトランジスタのベースは、第1のキャ
パシタを介して上記第3のトランジスタのエミッタに容
量結合されるものであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の論理回路。 3、上記第2のトランジスタのベースと第1の電源電圧
との間には、そのベースに所定の電圧を受ける第4のト
ランジスタが設けられ、上記第2のトランジスタのベー
スと第2の電源電圧との間には、上記第1のキャパシタ
とともに微分回路を構成しかつ上記第4のトランジスタ
とともに上記第2のトランジスタのベースに所定のバイ
アス電圧を与えるバイアス回路を構成する第4の負荷手
段が設けられるものであることを特徴とする特許請求の
範囲第1項又は第2項記載の論理回路。
[Claims] 1. A first transistor whose collector is coupled to a first power supply voltage and whose base receives an internal output signal; and a first transistor provided between the emitter of the first transistor and a second power supply voltage; an output emitter follower circuit consisting of a first load means arranged in parallel with the first load means, the conductance of which temporarily increases when a low level output signal is outputted through the output emitter follower circuit; A logic circuit comprising a second transistor. 2. The logic circuit is an NTL circuit to which an emitter follower circuit is added, and a third transistor whose collector is coupled to the first power supply voltage via a second load means and whose base receives an input signal; and third load means provided between the emitter of the third transistor and a second power supply voltage, the base of the first transistor being coupled to the collector of the third transistor. 2. The logic circuit according to claim 1, wherein the base of the second transistor is capacitively coupled to the emitter of the third transistor via a first capacitor. 3. A fourth transistor receiving a predetermined voltage at its base is provided between the base of the second transistor and the first power supply voltage, and a fourth transistor is provided between the base of the second transistor and the second power supply voltage. A fourth load means is provided between the first capacitor and the fourth transistor, which together with the first capacitor constitute a differentiator circuit, and together with the fourth transistor constitute a bias circuit which applies a predetermined bias voltage to the base of the second transistor. 3. The logic circuit according to claim 1 or 2, wherein the logic circuit is
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US07/557,109 US5283480A (en) 1988-04-02 1990-07-25 Semiconductor integrated circuit device with a plurality of logic circuits having active pull-down functions
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1869769A2 (en) * 2003-08-05 2007-12-26 STMicroelectronics, Inc. Improved radio frequency digital-to-analog converter

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1869769A2 (en) * 2003-08-05 2007-12-26 STMicroelectronics, Inc. Improved radio frequency digital-to-analog converter
EP1869769A4 (en) * 2003-08-05 2007-12-26 St Microelectronics Inc Improved radio frequency digital-to-analog converter

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