JPH01254802A - 露光用位置合わせ装置 - Google Patents
露光用位置合わせ装置Info
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- JPH01254802A JPH01254802A JP63082799A JP8279988A JPH01254802A JP H01254802 A JPH01254802 A JP H01254802A JP 63082799 A JP63082799 A JP 63082799A JP 8279988 A JP8279988 A JP 8279988A JP H01254802 A JPH01254802 A JP H01254802A
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- exposure mask
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
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- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、露光用マスクと基板とを近接させて基板の露
光を行なう露光装置に用いるのに好適の露光用位置合わ
せ装置に関する。
光を行なう露光装置に用いるのに好適の露光用位置合わ
せ装置に関する。
（従来の技術）
従来から、露光用マスクを基板に近接させてごくわずか
な隙間を露光用マスクと基板との間にもたせ、基板を露
光する露光装置が知られている。
な隙間を露光用マスクと基板との間にもたせ、基板を露
光する露光装置が知られている。
たとえば、第７図は大型の液晶デイスプレィ（ＬＣＤ）
に用いる露光装置を示しており、この第７図において、
ｌは露光用光源、２は反射放物面鏡。
に用いる露光装置を示しており、この第７図において、
ｌは露光用光源、２は反射放物面鏡。
３はコリメートレンズ、４は露光用マスク、５は基板で
あり、基板５はその露光される面の側にフォトレジスト
膜が塗布形成されたガラス基板からなり、露光用マスク
４には所望のパターンが形成され、この露光装置は、解
像能力を向上させるために露光用マスク４と基板５との
対向間隙ｔを、３０μ〜１００μという極めて小さく設
定した状態で、かつ、塵埃の発生を防止、フォトレジス
トの露光用マスク４への付着を防＋ｈ、露光用マスク４
及び基板５に錫が発生するのを防止する目的で、露光用
マスク４と基板５とは接触しない状態で、平行光束Ｐを
照射して基板５を露光し、基板５にパターン像を形成す
るものである。
あり、基板５はその露光される面の側にフォトレジスト
膜が塗布形成されたガラス基板からなり、露光用マスク
４には所望のパターンが形成され、この露光装置は、解
像能力を向上させるために露光用マスク４と基板５との
対向間隙ｔを、３０μ〜１００μという極めて小さく設
定した状態で、かつ、塵埃の発生を防止、フォトレジス
トの露光用マスク４への付着を防＋ｈ、露光用マスク４
及び基板５に錫が発生するのを防止する目的で、露光用
マスク４と基板５とは接触しない状態で、平行光束Ｐを
照射して基板５を露光し、基板５にパターン像を形成す
るものである。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、基板５には縦横３５０ｍｍの正方形状のもの
が用いられ、露光用マスク４には縦横４５０ｍ＋ｍの正
方形状のものが用いられていて、その対向開面積は極め
て大きいのであり、この対向開面積の大きさに較べて対
向間隙ｔを極めて小さく設定しなければならず、そこで
、従来は、エアマイクロ測定装置を用いて、第８図に示
すように、少なくとも３点Ａ、Ｂ、Ｇにおける対向間隙
上を測定して露光用マスク４と基板５との対向間隙ｔを
所定間隙に設定しているが、第９図に示すように、基板
５はそのフォトレジスト膜が形成された面の側に凹凸Ｌ
１が少なくとも２０μはあり、また、露光用マスク４も
自重によるたわみｔｔ、が６μ程度あるので。
が用いられ、露光用マスク４には縦横４５０ｍ＋ｍの正
方形状のものが用いられていて、その対向開面積は極め
て大きいのであり、この対向開面積の大きさに較べて対
向間隙ｔを極めて小さく設定しなければならず、そこで
、従来は、エアマイクロ測定装置を用いて、第８図に示
すように、少なくとも３点Ａ、Ｂ、Ｇにおける対向間隙
上を測定して露光用マスク４と基板５との対向間隙ｔを
所定間隙に設定しているが、第９図に示すように、基板
５はそのフォトレジスト膜が形成された面の側に凹凸Ｌ
１が少なくとも２０μはあり、また、露光用マスク４も
自重によるたわみｔｔ、が６μ程度あるので。
この露光用マスク４と基板５とが接触するのを確実に避
けて露光用マスク４と基板５とを極力接近させるのは困
難である。
けて露光用マスク４と基板５とを極力接近させるのは困
難である。
そこで１本発明の目的は、露光用マスクと基板との接触
を確実に避けつつ露光用マスクと基板との隙間を極めて
接近させることのできる露光用位置合わせ装置を提供す
ることにある。
を確実に避けつつ露光用マスクと基板との隙間を極めて
接近させることのできる露光用位置合わせ装置を提供す
ることにある。
（ｙＡ題を解決するための手段）
この目的を達成するため、本発明の請求項１に記載の露
光用位置合せ装置は、 露光用マスクと基板との略対向面全域を少なくとも走査
するようにかつ前記露光用マスクと前記基板との対向間
隙に向かって走査平行光束が仮想的に平面を構成してい
るとみなせる程度の面状走査ビームとして出射されるよ
うにセットされる走査光学系と、 前記対向間隙を通過した面状走査ビームを受光する受光
部を有し、前記露光用マスクと前記基板との接近に基づ
く光量変化により前記対向間隙が所定間隙にセットされ
たか否かを判定する判定処理回路と、 を少なくとも有する構成とした。
光用位置合せ装置は、 露光用マスクと基板との略対向面全域を少なくとも走査
するようにかつ前記露光用マスクと前記基板との対向間
隙に向かって走査平行光束が仮想的に平面を構成してい
るとみなせる程度の面状走査ビームとして出射されるよ
うにセットされる走査光学系と、 前記対向間隙を通過した面状走査ビームを受光する受光
部を有し、前記露光用マスクと前記基板との接近に基づ
く光量変化により前記対向間隙が所定間隙にセットされ
たか否かを判定する判定処理回路と、 を少なくとも有する構成とした。
この目的を達成するため、本発明の請求項２に記載の露
光用位置合せ装置は、 露光用マスクと基板との略対向面全域を少なくともカバ
ーするようにかつ前記露光用マスクと前記基板との対向
間隙に向かって仮想的に平面を構成しているとみなせる
程度の面状平行ビームが出射されるようにセットされる
光学系と、前記対向間隙を通過した面状平行ビームを受
光する受光部を有し、前記露光用マスクと前記基板との
接近に基づく光量変化により前記対向間隙が所定間隙に
セットされたか否かを判定する判定処理回路と。
光用位置合せ装置は、 露光用マスクと基板との略対向面全域を少なくともカバ
ーするようにかつ前記露光用マスクと前記基板との対向
間隙に向かって仮想的に平面を構成しているとみなせる
程度の面状平行ビームが出射されるようにセットされる
光学系と、前記対向間隙を通過した面状平行ビームを受
光する受光部を有し、前記露光用マスクと前記基板との
接近に基づく光量変化により前記対向間隙が所定間隙に
セットされたか否かを判定する判定処理回路と。
を少なくとも有する構成とした。
（実施例）
以下に、本発明に係る露光用位置合わせ装置の実施例を
図面を参照しつつ説明する。
図面を参照しつつ説明する。
第１図、第２図は本発明に係る露光用位置合わせ装置の
第１実施例を示す図であって、この第１図、第２図にお
いて、 １０は基板、１１は露光用マスクである。基板
１０はガラス基板からなり、基板１０にはその露光され
る而１０ａの側にフォトレジスト膜が形成されている。
第１実施例を示す図であって、この第１図、第２図にお
いて、 １０は基板、１１は露光用マスクである。基板
１０はガラス基板からなり、基板１０にはその露光され
る而１０ａの側にフォトレジスト膜が形成されている。
基板１０と露光用マスク１１とは共に正方形状とされ、
基板１０は露光用マスク７に対して対向間隙方向（矢印
Ｘ方向）から露光用マスク１１に接近され、露光する際
には露光用マスク１１に対して所定間隙をあけて対向さ
れるものである。
基板１０は露光用マスク７に対して対向間隙方向（矢印
Ｘ方向）から露光用マスク１１に接近され、露光する際
には露光用マスク１１に対して所定間隙をあけて対向さ
れるものである。
この対向間１１Ｊｔｔには、仮想的１こ平面を構成して
いるとみなせる程度の面状走査ビームＰ′が放射状に入
射されるもので、１２はその面状走査ビームＰ′を出射
する走査光学系である。この走査光学系１２はヘリウム
ネオンレーザ−１３とガルバノミラ−１４とから大略構
成されている。ヘリウムネオンレーザ−１３は平行光束
をガルバノミラ−１４に向かって出射するもので、ガル
バノミラ−１４は所定角度範囲内で周期的に往復回動さ
れ、走査平行光束はガルバノミラ−１４によって反射さ
れて露光用マスク１１と基板ｌＯとの略対向面全域を放
射状に少なくとも走査する走査平行光束となる。
いるとみなせる程度の面状走査ビームＰ′が放射状に入
射されるもので、１２はその面状走査ビームＰ′を出射
する走査光学系である。この走査光学系１２はヘリウム
ネオンレーザ−１３とガルバノミラ−１４とから大略構
成されている。ヘリウムネオンレーザ−１３は平行光束
をガルバノミラ−１４に向かって出射するもので、ガル
バノミラ−１４は所定角度範囲内で周期的に往復回動さ
れ、走査平行光束はガルバノミラ−１４によって反射さ
れて露光用マスク１１と基板ｌＯとの略対向面全域を放
射状に少なくとも走査する走査平行光束となる。
この基板１０と露光用マスク１１との縦横には、受光部
１５が設けられている。この受光部１５は横方行受光部
１７と縦方向受光部１６とからなっている。各受光部１
６．１７は遮光板１８．１８と、−次元ラインセンサ１
９．１９とスリット２０を有する。このスリット２０は
面状走査ビームＰ′の入射光量が最大となるようにあら
かじめ調整する。また、鱈光用マスク１１に対する面状
走査ビームＰ′の対向間隙方向の距離も走査光学系１２
を調整セットすることによりあらかじめ設定する。なお
、露光用マスク１１に対する面状走査ビームＰ′の対向
間隙方向の距離は、対向間隙ｔの設定に応じて適宜変更
できる。
１５が設けられている。この受光部１５は横方行受光部
１７と縦方向受光部１６とからなっている。各受光部１
６．１７は遮光板１８．１８と、−次元ラインセンサ１
９．１９とスリット２０を有する。このスリット２０は
面状走査ビームＰ′の入射光量が最大となるようにあら
かじめ調整する。また、鱈光用マスク１１に対する面状
走査ビームＰ′の対向間隙方向の距離も走査光学系１２
を調整セットすることによりあらかじめ設定する。なお
、露光用マスク１１に対する面状走査ビームＰ′の対向
間隙方向の距離は、対向間隙ｔの設定に応じて適宜変更
できる。
その−次元ラインセンサ１９．１９は対向間隙ｔを通過
した面状走査ビームＰ′に基づき一連の光電変換信号を
判定処理回路２１に向かって出力するもので１判定処理
回路２１は露光用マスク１１と基板１０との接近に基づ
く光量変化により、対向間隙ｔが所定間隙にセットされ
たか否かを判定する機能を有し、この実施例では、露光
用マスク１１に基板ｌＯを矢印方向Ｘから徐々に接近さ
せて、面状走査ビームＰ′の一部が遮られたときの信号
変化に基づき所定間隙であるか否かの判定を行なうよう
になっている。
した面状走査ビームＰ′に基づき一連の光電変換信号を
判定処理回路２１に向かって出力するもので１判定処理
回路２１は露光用マスク１１と基板１０との接近に基づ
く光量変化により、対向間隙ｔが所定間隙にセットされ
たか否かを判定する機能を有し、この実施例では、露光
用マスク１１に基板ｌＯを矢印方向Ｘから徐々に接近さ
せて、面状走査ビームＰ′の一部が遮られたときの信号
変化に基づき所定間隙であるか否かの判定を行なうよう
になっている。
第３図は本発明に係る露光用位置合わせ装置の第２実施
例を示す図であり、ガルバノミラ−１４を周期的に往復
回動させて略対向面全域を縦方向と横方向とから放射状
に少なくとも走査する代りに、ヘリウムネオンレーザ−
１３を所定角度範囲内で周期的に往復回動させて一方向
から面状走査ビームＰ′を放射させる構成としたもので
ある。このものによれば、−次元ラインセンサ１９の個
数を削減できる。
例を示す図であり、ガルバノミラ−１４を周期的に往復
回動させて略対向面全域を縦方向と横方向とから放射状
に少なくとも走査する代りに、ヘリウムネオンレーザ−
１３を所定角度範囲内で周期的に往復回動させて一方向
から面状走査ビームＰ′を放射させる構成としたもので
ある。このものによれば、−次元ラインセンサ１９の個
数を削減できる。
第４図は本発明に係る露光用位置合わせ装置の第３実施
例を示すもので、ヘリウムネオンレーザ−１３を往復回
動させて一方向から面状走査ビームＰ′を放射させる代
りに、露光用マスク１１の一辺に沿ってヘリウムネオン
レーザ−１３を直線的に往復動させる構成としたもので
ある。この実施例によれば、縦カ行又は横方向のうちい
ずれか一方の方向について面状走査ビームＰ′が遮ぎら
れた筒所を知ることができる。なお、露光用マスク１１
の縦横の辺に沿ってヘリウムネオンレーザ−１３を直線
的に往復動させる構成とすれば、面状走査ビームＰ′が
遮ぎられた縦方向の箇所と横方向の箇所とを知ることが
できる。
例を示すもので、ヘリウムネオンレーザ−１３を往復回
動させて一方向から面状走査ビームＰ′を放射させる代
りに、露光用マスク１１の一辺に沿ってヘリウムネオン
レーザ−１３を直線的に往復動させる構成としたもので
ある。この実施例によれば、縦カ行又は横方向のうちい
ずれか一方の方向について面状走査ビームＰ′が遮ぎら
れた筒所を知ることができる。なお、露光用マスク１１
の縦横の辺に沿ってヘリウムネオンレーザ−１３を直線
的に往復動させる構成とすれば、面状走査ビームＰ′が
遮ぎられた縦方向の箇所と横方向の箇所とを知ることが
できる。
第５図は本発明に係る露光用位置合わせ装置の第４実施
例を示すもので第１実施例から第３実施例に示す走査光
学系１２を用いる代りに、露光用マスク１１と基板ＩＯ
との対向面全域を略カバーするようにかつその露光用マ
スク１１と基板１０との対向間隙に向かって仮想的に平
面を構成としているとみなせる程度の面状平行ビームＰ
”が出射されるように光学系を構成したものであり、こ
の第５図において、２２は負のパワーをもつシリンドリ
カルレンズ２３と正のパワーをもつシリンドリカルレン
ズ２４とからなるビームエキスパンダーである。この実
施例によれば、走査光学系１２を用いなくても露光用マ
スク１１と基板ｌＯとの略対向面全域についての対向間
隙を少なくともカバーできる。
例を示すもので第１実施例から第３実施例に示す走査光
学系１２を用いる代りに、露光用マスク１１と基板ＩＯ
との対向面全域を略カバーするようにかつその露光用マ
スク１１と基板１０との対向間隙に向かって仮想的に平
面を構成としているとみなせる程度の面状平行ビームＰ
”が出射されるように光学系を構成したものであり、こ
の第５図において、２２は負のパワーをもつシリンドリ
カルレンズ２３と正のパワーをもつシリンドリカルレン
ズ２４とからなるビームエキスパンダーである。この実
施例によれば、走査光学系１２を用いなくても露光用マ
スク１１と基板ｌＯとの略対向面全域についての対向間
隙を少なくともカバーできる。
第６図は本発明に係る露光用位置合わせ装置の第５実施
例を示すもので１面状率行ビームＰ′のみを一次元ライ
ンセンサ１９に結像させるために。
例を示すもので１面状率行ビームＰ′のみを一次元ライ
ンセンサ１９に結像させるために。
−次元ラインセンサ１９が延びる方向に長く延びる正の
パワーをもつシリンドリカルレンズ２５を設ける構成と
して、基板ＩＯ又は露光用マスク１１により乱反射され
たビームをスリット２０により遮光する構成としたもの
である。
パワーをもつシリンドリカルレンズ２５を設ける構成と
して、基板ＩＯ又は露光用マスク１１により乱反射され
たビームをスリット２０により遮光する構成としたもの
である。
（発明の効果）
本発明に係る露光用位置合せ装置は、以上説明したよう
に構成したので、露光用マスクと基板との接触を確実に
避けつつ露光用マスクと基板との隙間を極めて接近させ
ることができるという効果を奏する。
に構成したので、露光用マスクと基板との接触を確実に
避けつつ露光用マスクと基板との隙間を極めて接近させ
ることができるという効果を奏する。
第１図は、本発明に係る露光用位置合わせ装置の第１実
施例を説明するための概念構成を示す平面図、第２図は
第１図に示す露光用位置合わせ装置を側面方向から目視
した概念図、第３図は本発明に係る露光用位置合わせ装
置の第２実施例を説明するための概念構成を示す平面図
、第４図は本発明に係る露光用位置合わせ装置の第３実
施例を説明するための概念構成を示す平面図、第５図は
本発明に係る露光用位置合わせ装置の第４実施例を説明
するための概念構成を示す部分斜視図、第６図は本発明
に係る露光用位置合わせ装置の第５実施例を説明するた
めの概念構成を示す部分斜視図、第７図は露光装置の概
略構成を示す模式図、第８図は第７図に示す露光用マス
クと基板との位置関係を示す平面図、第９図は第７図に
示す露光用マスクと基板との対向間隙を拡大して示す側
面図である。 １０・・・基板 １１・・・露光用マスク １２・・・走査光学系 １３・・・ヘリウムネオンレーザ− １４・・・ガルバノミラ− １５・・・受光部 ２２・・・ビームエキスパンダー ｔ・・・対向間隙 Ｐ′・・・面状走査ビーム Ｐ”・・・面状平行ビーム 第５因 七−、−４７ ５母 −二
施例を説明するための概念構成を示す平面図、第２図は
第１図に示す露光用位置合わせ装置を側面方向から目視
した概念図、第３図は本発明に係る露光用位置合わせ装
置の第２実施例を説明するための概念構成を示す平面図
、第４図は本発明に係る露光用位置合わせ装置の第３実
施例を説明するための概念構成を示す平面図、第５図は
本発明に係る露光用位置合わせ装置の第４実施例を説明
するための概念構成を示す部分斜視図、第６図は本発明
に係る露光用位置合わせ装置の第５実施例を説明するた
めの概念構成を示す部分斜視図、第７図は露光装置の概
略構成を示す模式図、第８図は第７図に示す露光用マス
クと基板との位置関係を示す平面図、第９図は第７図に
示す露光用マスクと基板との対向間隙を拡大して示す側
面図である。 １０・・・基板 １１・・・露光用マスク １２・・・走査光学系 １３・・・ヘリウムネオンレーザ− １４・・・ガルバノミラ− １５・・・受光部 ２２・・・ビームエキスパンダー ｔ・・・対向間隙 Ｐ′・・・面状走査ビーム Ｐ”・・・面状平行ビーム 第５因 七−、−４７ ５母 −二
Claims (2)
- （１）露光用マスクと基板との略対向面全域を少なくと
も走査するようにかつ前記露光用マスクと前記基板との
対向間隙に向かって走査平行光束が仮想的に平面を構成
しているとみなせる程度の面状走査ビームとして出射さ
れるようにセットされる走査光学系と、 前記対向間隙を通過した面状走査ビームを受光する受光
部を有し、前記露光用マスクと前記基板との接近に基づ
く光量変化により前記対向間隙が所定間隙にセットされ
たか否かを判定する判定処理回路と、 を少なくとも有する露光用位置合わせ装置。 - （２）露光用マスクと基板との略対向面全域を少なくと
もカバーするようにかつ前記露光用マスクと前記基板と
の対向間隙に向かって仮想的に平面を構成しているとみ
なせる程度の面状平行ビームが出射されるようにセット
される光学系と、 前記対向間隙を通過した面状平行ビームを受光する受光
部を有し、前記露光用マスクと前記基板との接近に基づ
く光量変化により前記対向間隙が所定間隙にセットされ
たか否かを判定する判定処理回路と、 を少なくとも有する露光用位置合わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082799A JPH01254802A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 露光用位置合わせ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082799A JPH01254802A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 露光用位置合わせ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01254802A true JPH01254802A (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=13784454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63082799A Pending JPH01254802A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 露光用位置合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01254802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008015314A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Nsk Ltd | 露光装置 |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP63082799A patent/JPH01254802A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008015314A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Nsk Ltd | 露光装置 |
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