JPH01251729A - Inner-lead bonding apparatus - Google Patents

Inner-lead bonding apparatus

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JPH01251729A
JPH01251729A JP7874488A JP7874488A JPH01251729A JP H01251729 A JPH01251729 A JP H01251729A JP 7874488 A JP7874488 A JP 7874488A JP 7874488 A JP7874488 A JP 7874488A JP H01251729 A JPH01251729 A JP H01251729A
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bonding tool
semiconductor element
cam
bonding
time
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Yukihiro Iketani
之宏 池谷
Keitaro Okano
岡野 恵太郎
Noriyasu Kashima
規安 加島
Koichiro Atsumi
幸一郎 渥美
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To bond a semiconductor element of different thicknesses without a need for a difficult adjustment operation and without a change in the pressurization time and a pressurization force by controlling that a prescribed pressurization process is completed in a definite time from a moment when it is detected that a bonding tool has been brought into contact with the semiconductor element. CONSTITUTION:A cam 7 is installed at an output axis of a servomotor 20 and drives a bonding tool 4. In addition, a gap sensor 23 used to detect a gap between a part of a rocking lever 11 and a part of a rocking lever 12 facing the lever directly above it is installed on the side of a point of action of the rocking lever 11. This gap sensor 23 is connected to a control circuit 22 at the outside and controls the servomotor 20. For example, when the bonding tool 4 is lowered and it is detected that its tip part has come into contact with the surface of a semiconductor element, a control operation to quicken a speed of revolution of the servomotor 20 is executed. A pressurization process by using the cam 7 is finished after a definite time. Accordingly, both the shift time of a cylinder (damper means) 14 for adjusting an operating amount of the bonding tool and a sinking amount of a rod become always constant.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、半導体素子をリードにボンディングするイ
ンナーリードボンディング装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an inner lead bonding apparatus for bonding a semiconductor element to a lead.

(従来の技術) ボンディングには、インナーリードボンディング装置を
用いて、半導体素子に形成された電極用バンプ(電極)
を、リードフレームのインナーリードにボンディングす
るようにしたものがある。
(Prior art) For bonding, an inner lead bonding device is used to bond electrode bumps (electrodes) formed on a semiconductor element.
There is one that is bonded to the inner lead of the lead frame.

こうしたインナーボンディング装置には、既に本出願人
が出願した特願昭62−64307号などに示されるよ
うに、モータを使ってボンディングツールを昇降させる
ものがある。
Some of these inner bonding devices use a motor to raise and lower a bonding tool, as shown in Japanese Patent Application No. 64307/1983 filed by the present applicant.

すなわち、第4図に示されるようにワーク保持部1の上
方に、ツール保持部2ならびに圧縮ばね3で昇降自在に
支持されたボンディングツール4を設ける。またワーク
保持部2を支持したX−Y駆動部5の上方の基台6上に
、出力軸に円板状のカム7が取着されたACモータ8を
設置し、このカム7と上記ボンディングツール4とを運
動変換機構9を介して連結した構造にしている。具体的
には、運動変換機構9は、ACモータ8の出力軸側に隣
接して、カム7と組合うカムフォロア10が取着された
第1の揺動レバー11を設けるとともに、その第1の揺
動レバー11の作用点側にクランク形状の第2の揺動レ
バー12を回動自在に枢支する。この第2の揺動レバー
12の作用点側を、ボンディングツール4に連ねて上下
方向に昇降自在に設けた押圧棒13の上部端に回動自在
に枢支する。そして、第2の揺動レバー12の力点側と
第1の揺動レバー11の力点側との間に、ツール移動量
調整用のダンパー手段となるエアーシリンダ14を介装
した構造となっていて、カム7がACモータ8の作動に
追従して回転すれば、その運動が第1および第2の揺動
レバー11.12で上下の方向に沿う直線運動に変換さ
れ、押圧棒13を介してボンディングツール4を下降さ
せて、先端の抑圧部4aで半導体素子をリードフレーム
15に押圧していく。この抑圧で、半導体素子の電極用
バンプをリードフレーム15のインナーリードに圧着さ
せていくようしている。そして、半導体素子の厚みが変
ると、その分、エアーシリンダ14のロッドの沈み込ん
で、第2の揺動レバー12の揺動量を変えていく。
That is, as shown in FIG. 4, a bonding tool 4 supported by a tool holder 2 and a compression spring 3 so as to be movable up and down is provided above the workpiece holder 1. Further, an AC motor 8 having a disk-shaped cam 7 attached to its output shaft is installed on the base 6 above the X-Y drive unit 5 that supports the workpiece holding unit 2, and the cam 7 and the bonding The tool 4 is connected to the tool 4 via a motion conversion mechanism 9. Specifically, the motion conversion mechanism 9 includes a first swinging lever 11 adjacent to the output shaft side of the AC motor 8 to which a cam follower 10 that is combined with the cam 7 is attached; A crank-shaped second swing lever 12 is rotatably supported on the action point side of the swing lever 11. The action point side of the second swing lever 12 is rotatably supported on the upper end of a press rod 13 which is connected to the bonding tool 4 and is movable up and down in the vertical direction. An air cylinder 14 serving as a damper means for adjusting the tool movement amount is interposed between the force side of the second swing lever 12 and the force side of the first swing lever 11. , when the cam 7 rotates following the operation of the AC motor 8, the movement is converted into a linear movement along the vertical direction by the first and second swing levers 11, 12, and The bonding tool 4 is lowered and the semiconductor element is pressed against the lead frame 15 by the suppressing portion 4a at the tip. This suppression causes the electrode bumps of the semiconductor element to be crimped onto the inner leads of the lead frame 15. When the thickness of the semiconductor element changes, the rod of the air cylinder 14 sinks accordingly, changing the amount of swing of the second swing lever 12.

なお、13aは押圧棒13を昇降自在に支持する案内体
、11aは第1の揺動レバー11を支持する支柱である
Note that 13a is a guide body that supports the press rod 13 so as to be able to move up and down, and 11a is a support that supports the first swing lever 11.

(発明が解決しようとする課題) ところで、こうしたインナーボンディング装置のボンデ
ィングツール4は、カム高さが不変で有るので、半導体
素子の厚み(高さ)寸法によって半導体素子に加わる時
間(ボンディング時間)Tがボンディングツール4によ
る加圧で変化する難点がある。しかも、それと共に作動
するエアーシリンダ14の沈み込み量の変化で、加圧力
Fも変化してしまう難点をもっている。
(Problem to be Solved by the Invention) By the way, since the bonding tool 4 of such an inner bonding apparatus has a constant cam height, the time (bonding time) T applied to the semiconductor element depends on the thickness (height) of the semiconductor element. There is a problem that the pressure changes due to the pressure applied by the bonding tool 4. Moreover, there is a problem in that the pressurizing force F also changes due to a change in the amount of depression of the air cylinder 14 that operates together with it.

具体的には、加圧時間Tについて述べれば、第5図に示
されるようにボンディングツール4のツールストローク
Hにおいて、ワーク保持部1の上面に半導体素子がない
ときをrAJとすると、厚さHl、Hl (H,<Hl
)の半導体素子を置いたときには、ツールストロークH
はその分、rBJ、rcJと変化していく。ところが、
ここで、そのツールストロークHが変化するにしたがっ
て、カム7の特性上、抑圧始めの時期と抑圧終了の時期
も変化していくので、厚み寸法が厚くなるにしたがって
半導体素子に加わる時間Tが、当初の設定時間Toより
もrTtJ、rTzJに示される如く長くなってしまう
。むろん、これはツールストロークの傾きで表わされる
ボンディングツール4の下降速度を変えても同様である
Specifically, regarding the pressurizing time T, if rAJ is the time when there is no semiconductor element on the upper surface of the workpiece holding part 1 in the tool stroke H of the bonding tool 4 as shown in FIG. , Hl (H,<Hl
), the tool stroke H
changes to rBJ and rcJ accordingly. However,
Here, as the tool stroke H changes, due to the characteristics of the cam 7, the timing at which suppression begins and the timing at which suppression ends also changes, so as the thickness increases, the time T applied to the semiconductor element increases. As shown by rTtJ and rTzJ, it becomes longer than the initial set time To. Of course, this is the same even if the lowering speed of the bonding tool 4, which is represented by the inclination of the tool stroke, is changed.

また加圧力Fについて述べれば、ダンパー手段の特性、
すなわちエアーシリンダ14の特性を見ると、第6図に
示されるようにエアーシリンダストロークSと加圧力F
との間には、「Sl」までロッドがストロークした以降
で、所定の加圧力が得られる関係がある。つまり、「S
l」以降までエアーシリンダ14をストロークさせない
と、所定の加圧力が得られず、逆に半導体素子の厚みが
薄く、「Sl」なるロッドストロークよりも小さい場合
、所定の加圧力に到達しない結果をもたらす。具体的に
は、第5図の「T2」のときでrcJなる所定の加圧力
に到達するとすれば、rToJ。
Regarding the pressing force F, the characteristics of the damper means,
That is, looking at the characteristics of the air cylinder 14, as shown in FIG.
There is a relationship in which a predetermined pressing force is obtained after the rod has stroked to "Sl". In other words, “S
If the air cylinder 14 is not stroked beyond "Sl", the predetermined pressing force will not be obtained.On the other hand, if the thickness of the semiconductor element is thin and the stroke is smaller than the rod stroke "Sl", the predetermined pressing force will not be reached. bring. Specifically, if a predetermined pressing force of rcJ is reached at "T2" in FIG. 5, then rToJ.

「T1」のときはそれより以下のrag、rbJに示さ
れるように所定の加圧力が得られない。
At "T1", the predetermined pressing force cannot be obtained as shown by rag and rbJ below.

このため、厚さの異なる半導体素子をボンディングする
と、加圧時間(ボンディング時間)および加圧力の変化
から、接合状態が変ってしまう不都合があった。
For this reason, when semiconductor elements having different thicknesses are bonded, there is an inconvenience that the bonding state changes due to changes in pressurizing time (bonding time) and pressurizing force.

そこで、半導体素子の厚さが変る場合、その都度、ワー
ク保持部1の高さを変えて、ツールストロークが一定と
なるよう調整することが考えられるが、調整は微妙であ
るために、かなり難しく、かつまた時間もかなり費やす
もので、改善が要望されている。
Therefore, if the thickness of the semiconductor element changes, it may be possible to adjust the tool stroke by changing the height of the workpiece holder 1 each time, but this adjustment is delicate and is quite difficult. , and also consumes a considerable amount of time, and improvements are desired.

この発明はこのような事情に着目してなされたもので、
困難な調整作業を要せず、かつ加圧時間および加圧力が
変化することなしに、厚さの異なる半導体素子をボンデ
ィングすることができるインナーリードボンディング装
置を提供することを目的とする。
This invention was made with attention to these circumstances,
It is an object of the present invention to provide an inner lead bonding device capable of bonding semiconductor elements of different thicknesses without requiring difficult adjustment work and without changing pressurizing time and pressurizing force.

[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、ボンディングツールが半導
体素子に当接したときを検出するセンサーを設け、この
センサーの検出信号を受けてボンディングツールを駆動
するモータの回転速度を制御し、ボンディングツールが
前記半導体素子に当接した時点から一定の時間経過後に
ボンディングツールによる抑圧工程を終了させる制御手
段を設けた。
[Structure of the Invention (Means for Solving the Problem) In order to achieve the above object, a sensor is provided to detect when the bonding tool comes into contact with a semiconductor element, and the bonding tool is activated in response to a detection signal from the sensor. A control means is provided for controlling the rotational speed of the driving motor and for terminating the suppression process by the bonding tool after a predetermined period of time has elapsed from the time when the bonding tool came into contact with the semiconductor element.

(作用) ボンディングツールが半導体素子に触れたことが検出さ
れると、その瞬間から一定の時間に所定の抑圧工程を終
了させるべくボンディングツールを動かしていく。そし
て、これにより、半導体素子の厚みの違いに関係なく一
定時間で所期のボンディングを終わる。と同時に所期の
ボンディングが常に一定時間に行なわれることでダンパ
ー手段を一定な加圧力が得られるレベルにしていく。
(Operation) When it is detected that the bonding tool has touched the semiconductor element, the bonding tool is moved at a certain time from that moment in order to complete the predetermined suppression process. As a result, the desired bonding is completed within a certain period of time regardless of the difference in the thickness of the semiconductor elements. At the same time, the desired bonding is always performed at a constant time, so that the damper means is brought to a level where a constant pressing force can be obtained.

(実施例) 以下、この発明を第1図ないし第3図に示す一実施例に
もとづいて説明する。但し、図面において、先の「従来
の技術」の項で述べた構成部品と同じものには同一符号
を附してその説明を省略し、この項では発明の要部とな
る異なる部位について説明することにする。
(Example) The present invention will be described below based on an example shown in FIGS. 1 to 3. However, in the drawings, components that are the same as those described in the "Prior Art" section are given the same reference numerals and their explanations are omitted, and in this section, different parts that are the main parts of the invention will be explained. I'll decide.

すなわち、本実施例はボンディングツール4の駆動系を
制御した点で異なっている。具体的には、ACモータに
変えて位置速度制御機能をもったサーボモータ20が用
いられ、このサーボモータ20の出力軸にカム7が設け
られている。さらに、第1の揺動レバー11の作用点側
には、該第1の揺動レバ一部分とそれに対向する直上の
第2の揺動レバ一部分との間のギ、ヤップを検出するギ
ャップセンサ23(この発明のセンサに相当)が設けら
れている。そして、このギャップセンサー23が、第2
図に示されるような外部の制御回路22(制御手段に相
当)に接続され、サーボモータ20を制御する構造にし
ている。
That is, this embodiment differs in that the drive system of the bonding tool 4 is controlled. Specifically, a servo motor 20 having a position and speed control function is used in place of the AC motor, and a cam 7 is provided on the output shaft of this servo motor 20. Further, on the action point side of the first swing lever 11, there is a gap sensor 23 for detecting a gap between a portion of the first swing lever and a portion of the second swing lever directly above the first swing lever. (corresponding to the sensor of this invention) is provided. Then, this gap sensor 23
The servo motor 20 is connected to an external control circuit 22 (corresponding to control means) as shown in the figure to control the servo motor 20.

ホールド25を介してウィンドコンパレータ26を接続
する。またウィンドコンパレータ26の残る人力部にア
ンプ24の出力部を直接接続する。
A window comparator 26 is connected via the hold 25. Further, the output section of the amplifier 24 is directly connected to the remaining human power section of the window comparator 26.

そして、ウィンドコンパレータ26に制御部27を接続
した構造となっている。そして、サンプルホールド25
は、制御部27からのサンプルホールド信号に従って、
ボンディングツール4が半導体素子に当接する前の状態
のセンサー出力をサンプルホールドし、このサンプルホ
ールド出力を基準値としてウィンドコンパレータ26に
供給するようにしている。またウィンドコンパレータ2
6には、上記基準値を中心値として所定幅の非検出レベ
ル領域を演算処理によって設定する構成となっていて、
その非検出レベル領域とギャップセンサ23からの出力
とのレベル比較から、検出出力が非検出レベル領域を外
れたときに検出信号を発生させることができるようにし
ている。そして、第1の揺動レバー11と第2の揺動レ
バー12の間のギャップが小さくなるにしたがい検出出
力が非検出レベル領域を外れることで、制御部27にお
いてボンディングツール4の先端が半導体素子の上面に
確実に当接したものと判断するようにしている。また制
御部27には、半導体素子に当接したと認識すると、そ
の位置からrToJなる一定時間に抑圧に必要な工程が
終わるようカム7の回転速度を変化させる設定がなされ
、この設定にもとづきサーボモータ20の回転速度を制
御させる構造にしている。さらに制御部27では、ボン
ディングツール4の下降当初は高速で、その後、ボンデ
ィングツール4が半導体素子に当たるまでは低速となる
、高速移動領域Xと低速移動領域Yとを組合わせた制御
をサーボモータ20に課してもいる。
The structure is such that a control section 27 is connected to the window comparator 26. And sample hold 25
According to the sample hold signal from the control section 27,
The sensor output before the bonding tool 4 contacts the semiconductor element is sampled and held, and this sampled and held output is supplied to the window comparator 26 as a reference value. Also window comparator 2
6 has a configuration in which a non-detection level region of a predetermined width is set by arithmetic processing with the reference value as a center value,
Based on a level comparison between the non-detection level region and the output from the gap sensor 23, a detection signal can be generated when the detection output deviates from the non-detection level region. Then, as the gap between the first swing lever 11 and the second swing lever 12 becomes smaller, the detection output goes out of the non-detection level region. It is determined that the object has definitely come into contact with the top surface of the object. The control unit 27 is also set to change the rotational speed of the cam 7 so that when it recognizes that it has come into contact with a semiconductor element, the process necessary for suppression is completed within a certain period of time rToJ from that position, and based on this setting, the servo The structure is such that the rotational speed of the motor 20 is controlled. Further, the control unit 27 controls the servo motor 20 to control the bonding tool 4 in a combination of a high speed movement region It is also imposed on

しかして、こうしたインナーリードボンディング装置は
、サーボモータ20が回転すると、これに追従してカム
7が回転していく。これにより、第1の揺動レバー11
はカムフォロア10を介して下降側に揺動を始めていき
、押圧棒13が第2の揺動レバー12を介して下降して
いく。こうした下降当初の移動は、かなりの速度で行な
われ、その後、途中から低速となっていく。そして、こ
の押圧棒13の下降に伴い、ボンディングツール4が圧
縮ばね3の弾性力に抗して下降していき、ボンディング
ツール4の先端が半導体素子の上面に当接していく。
Thus, in such an inner lead bonding device, when the servo motor 20 rotates, the cam 7 rotates following the rotation of the servo motor 20. As a result, the first swing lever 11
begins to swing downward via the cam follower 10, and the press rod 13 moves downward via the second swing lever 12. This movement at the beginning of the descent is carried out at a considerable speed, and then the speed slows down midway through. As the pressing rod 13 descends, the bonding tool 4 descends against the elastic force of the compression spring 3, and the tip of the bonding tool 4 comes into contact with the upper surface of the semiconductor element.

一方、こうしたボンディングツール4の下降中、サンプ
ルホールド25ではギャップセンサ23からの出力をサ
ンプルホールドし、そのサンプルホールド出力を基準値
としてウィンドコンパレータ26に出力している。そし
て、第1の揺動レバー11と第2の揺動レバー12との
ギャップが小さくなって、ギャップセンサ23からの出
力がウィンドコンパレータ26で演算された非検出レベ
ル領域を超えると、制御部27ではボンディングツール
4の先端が半導体素子の上面に確実に当接したと認識し
、その瞬間から一定時間に抑圧に要する一定量のストロ
ークだけ動いていく。
On the other hand, while the bonding tool 4 is being lowered, the sample hold 25 samples and holds the output from the gap sensor 23, and outputs the sample hold output to the window comparator 26 as a reference value. Then, when the gap between the first swing lever 11 and the second swing lever 12 becomes smaller and the output from the gap sensor 23 exceeds the non-detection level region calculated by the window comparator 26, the control unit 27 Then, it is recognized that the tip of the bonding tool 4 has securely contacted the upper surface of the semiconductor element, and from that moment on, it moves by a certain amount of stroke required for suppression in a certain period of time.

すなわち、第3図に示されるように例えばワーク保持部
1の上面に半導体素子がない状態をrAJとしたとき、
「従来の技術」のときと同様にrTo Jなる加圧時間
が設定されているものとすれば、異なる厚さ「Hl」の
半導体素子をワーク保持部1に置いたときは、半導体素
子の上面にボンディングツール4が当接したことが検出
されると、従来において費やしていた加圧時間r”r、
 −ToJ分、サーボモータ20の回転速度を速める制
御がなされ、カム7による抑圧工程を「To」で終了さ
せていく。
That is, as shown in FIG. 3, for example, when rAJ is a state in which there is no semiconductor element on the upper surface of the workpiece holder 1,
Assuming that the pressurizing time rTo J is set as in the case of the "prior art", when a semiconductor element with a different thickness "Hl" is placed on the workpiece holder 1, the upper surface of the semiconductor element When it is detected that the bonding tool 4 has come into contact with
Control is performed to increase the rotational speed of the servo motor 20 by -ToJ, and the suppression process by the cam 7 is ended at "To".

また異なる厚さ「H2」の半導体素子をワーク保持部1
に置いたときは、半導体素子の上面にボンディングツー
ル4が当接したことが検出されると、従来において費や
していた加圧時間rT2−ToJ分、サーボモータ20
の回転速度を速める制御がなされ、カム7による押圧工
程をrToJで終了させていく。
In addition, semiconductor elements with different thicknesses "H2" are held in the workpiece holding part 1.
When it is placed in
Control is performed to increase the rotational speed of the cam 7, and the pressing process by the cam 7 is completed at rToJ.

むろん、こうして半導体素子の厚さに関わらずに、常に
「To」なる加圧時間に設定されることは、第3図の各
rag、rbJ、rcJの線図でも明らかなようにシリ
ンダ14の移動時間も、シリンダ14のロッドの沈み込
み量も常に一定となる。
Of course, regardless of the thickness of the semiconductor element, the pressurization time is always set to "To", as is clear from the diagrams of rag, rbJ, and rcJ in FIG. Both the time and the amount of depression of the rod of the cylinder 14 are always constant.

そして、こうした抑圧工程により、半導体素子の電極用
バンプがリードフレームのインナーリードに圧着され、
ボンディングされていく。
Through this suppression process, the electrode bumps of the semiconductor element are crimped to the inner leads of the lead frame.
They are bonded.

かくして、半導体素子の厚さが変っても、加圧時間、加
圧力とも変化させることなく、ボンディングを行なうこ
とができる。むろん、半導体素子にボンディングツール
4に当接した後、一定時間に一定量のストロークを動か
すだけなので、たとえボンディングツール4の下降速度
が変っても、加圧時間、加圧力は変化することはない。
In this way, even if the thickness of the semiconductor element changes, bonding can be performed without changing either the pressurizing time or the pressurizing force. Of course, after the bonding tool 4 contacts the semiconductor element, the stroke is simply moved by a certain amount in a certain period of time, so even if the descending speed of the bonding tool 4 changes, the pressurizing time and force will not change. .

したがって、厚みが変っても接合状態が変化するような
ことはなくなる。またボンディングツール4を下降当初
は高速で、途中から低速で下降させた構造の採用により
、ボンディングツール4が半導体素子に衝突するときの
ダメージを最小にしつつ、ボンディングツール4が半導
体素子に当接するまでの時間(タクトタイム)を短縮す
ることができる。特に、当接する直前にボンディングツ
ール4の下降速度を遅くすることこができることによる
Therefore, even if the thickness changes, the bonding state will not change. In addition, by adopting a structure in which the bonding tool 4 is lowered at high speed at the beginning and lowered at low speed from the middle, damage when the bonding tool 4 collides with the semiconductor element is minimized, and until the bonding tool 4 contacts the semiconductor element. time (takt time) can be shortened. Particularly, this is because the descending speed of the bonding tool 4 can be slowed down just before the bonding tool 4 makes contact.

しかも、「従来の技術」の項で述べたような困難な調整
作業はほとんどなくなる。
Moreover, the difficult adjustment work described in the section of ``Prior Art'' is almost eliminated.

なお、一実施例では2つの揺動レバーを用いて構成され
た運動変換機構をもつインナーリードボンディング装置
にこの発明を適用したが、それ以外の運動変換機構をも
つインナーリードボンディング装置にも適用してもよい
In one embodiment, the present invention was applied to an inner lead bonding device having a motion conversion mechanism configured using two swing levers, but the present invention is also applicable to inner lead bonding devices having other motion conversion mechanisms. You can.

[発明の効果] 以上説明したようにこの発明によれば、加圧時間および
加圧力が変化することなしに、厚さの異なる半導体素子
をボンディングすることがてき、接合状態の変化を防い
で、接合不良をなくすことができる。しかも、困難な調
整作業はほとんど必要としない。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, semiconductor elements of different thickness can be bonded without changing the pressurizing time and the pressurizing force, preventing changes in the bonding state, Bonding defects can be eliminated. Moreover, hardly any difficult adjustment work is required.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図ないし第3図はこの発明の一実施例を示し、第1
図はインナーリードボンディング装置を示す側面図、第
2図はその制御回路を示すブロック図、第3図はボンデ
ィング時のボンディングツールの動きを、エアーシリン
ダの動きと共に示した線図、第4図は従来のインナーリ
ードボンディング装置を示す側面図、第5図はそのボン
ディング時のボンディングツールの動きを、エアーシリ
ンダの動きと共に示した線図、第6図はエアーシリンダ
で構成されたダンパー手段の特性を示す線図である。 4・・・ボンディングツール、9・・・運動変換機構、
14・・・エアーシリンダ(ダンパー手段)、20・・
・サーボモータ、22・・・制御回路(171)御手段
)、23・・・ギャップセンサ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第2図 第3図
Figures 1 to 3 show one embodiment of the present invention.
The figure is a side view showing the inner lead bonding device, Figure 2 is a block diagram showing its control circuit, Figure 3 is a diagram showing the movement of the bonding tool during bonding together with the movement of the air cylinder, and Figure 4 is a diagram showing the movement of the bonding tool during bonding. A side view showing a conventional inner lead bonding device, Fig. 5 is a diagram showing the movement of the bonding tool during bonding together with the movement of the air cylinder, and Fig. 6 shows the characteristics of the damper means composed of the air cylinder. FIG. 4... Bonding tool, 9... Movement conversion mechanism,
14...Air cylinder (damper means), 20...
- Servo motor, 22... control circuit (171) control means), 23... gap sensor. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  出力軸にカムが設けられたモータの前記カムと昇降自
在なボンディングツールとを、前記カムと組合うカムフ
ォロアを備えて構成された運動変換機構を介して連結し
、かつ該運動変換機構の駆動力伝達経路の途中にツール
移動量調整用のダンパー手段を介装し、前記カムによる
ボンディングツールの上下動で半導体素子を押圧してイ
ンナリードにボンディングさせるインナーリードボンデ
ィング装置において、前記ボンディングツールが半導体
素子に当接したときを検出するセンサーを設け、このセ
ンサーの検出信号を受けて前記モータの回転速度を制御
し、前記ボンディングツールが前記半導体素子に当接し
た時点から一定の時間経過後に前記ボンディングツール
による押圧工程を終了させる制御手段を設けたことを特
徴とするインナーリードボンディング装置。
The cam of a motor provided with a cam on its output shaft and a bonding tool that can be raised and lowered are connected via a motion conversion mechanism configured with a cam follower that is combined with the cam, and the driving force of the motion conversion mechanism is In an inner lead bonding apparatus, a damper means for adjusting the amount of tool movement is interposed in the middle of a transmission path, and the semiconductor element is pressed and bonded to the inner lead by vertical movement of the bonding tool by the cam, wherein the bonding tool is attached to the semiconductor element. A sensor is provided to detect when the bonding tool contacts the semiconductor element, and the rotational speed of the motor is controlled in response to a detection signal from the sensor, and the bonding tool An inner lead bonding apparatus characterized in that it is provided with a control means for terminating a pressing process.
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