JPH0124799Y2 - - Google Patents
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- JPH0124799Y2 JPH0124799Y2 JP1984196987U JP19698784U JPH0124799Y2 JP H0124799 Y2 JPH0124799 Y2 JP H0124799Y2 JP 1984196987 U JP1984196987 U JP 1984196987U JP 19698784 U JP19698784 U JP 19698784U JP H0124799 Y2 JPH0124799 Y2 JP H0124799Y2
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- Prior art keywords
- memory
- magnetic bubble
- destruction
- bubble memory
- circuit
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Description
【考案の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この考案は装置に取付けられた磁気バブルメモ
リが不正に外されようとすると、磁気バブルメモ
リの記憶が自動的に破壊されるようにした磁気バ
ブルメモリの記憶破壊回路に関する。[Detailed description of the invention] "Industrial application field" This invention is a magnetic bubble memory that automatically destroys the memory of the magnetic bubble memory attached to the device when it is attempted to be removed illegally. This paper relates to a memory destruction circuit for bubble memory.
「従来の技術」
各種情報処理装置においてはプログラムや各種
データは磁気デイスクや磁気テープに記憶してお
き、必要に応じて記憶を読み出して利用すること
が行われている。このプログラムやデータには秘
密性の高いものがある。このようなものを記憶し
た磁気デイスクや磁気テープにおいては、キーワ
ード(パスワード)が用いられ、そのキーワード
を入力し、これと一致しないと外部からこれら磁
気デイスクが磁気テープをアクセスすることがで
きないようにされている。"Prior Art" In various information processing devices, programs and various data are stored on magnetic disks or magnetic tapes, and the storage is read out and used as needed. Some of these programs and data are highly confidential. Keywords (passwords) are used for magnetic disks and magnetic tapes that store such information.If the password does not match, these magnetic disks will not be able to access the magnetic tape from outside. has been done.
しかし磁気バブルメモリは、例えばカセツトに
されて用いられ、これを直接アクセスすることが
でき、キーワードのようなものを用いることはで
きず、磁気バブルメモリを入手できれば誰れでも
がその記憶内容を読み取ることができる。この点
から磁気バブルメモリの記憶内容につき秘密を保
持する対策が必要とされていた。 However, magnetic bubble memory is used in the form of a cassette, for example, and can be accessed directly; keywords cannot be used, and anyone who can obtain magnetic bubble memory can read its memory contents. I can do it. From this point of view, there has been a need for measures to maintain the confidentiality of the contents stored in magnetic bubble memories.
この考案の目的は磁気バブルメモリが不正に装
置から取り外されようとするとその記憶内容が自
動的に消去されるようにした磁気バブルメモリの
記憶破壊回路を提供することにある。 The purpose of this invention is to provide a memory destruction circuit for a magnetic bubble memory, which automatically erases the memory contents when the magnetic bubble memory is illegally removed from the device.
「問題点を解決するための手段」
この考案によれば磁気バブルメモリにその記憶
内容を消去する磁界を印加することができる破壊
コイルが設けられ、不正に磁気バブルメモリが装
置から外されようとすると破壊動作起動スイツチ
が動作し、そのスイツチの動作により、電源端子
に接続された破壊用電源から上記破壊コイルに破
壊電流を自動的に流す。この破壊電流により磁気
バブルメモリの記憶は破壊するが、磁気バブルメ
モリが物理的にまでは破壊しないように制限手段
が設けられる。``Means for solving the problem'' According to this invention, a destructive coil that can apply a magnetic field to erase the memory contents of the magnetic bubble memory is provided, and the magnetic bubble memory is prevented from being illegally removed from the device. Then, the destructive operation start switch is operated, and the operation of the switch automatically causes a destructive current to flow through the destructive coil from the destructive power source connected to the power supply terminal. This destructive current destroys the memory of the magnetic bubble memory, but a limiting means is provided to prevent the magnetic bubble memory from being physically destroyed.
「実施例」
図はこの考案による磁気バブルメモリの記憶破
壊回路の実施例を示す。図の右側に示すように破
壊コイル11が設けられる。この破壊コイル11
としては例えば磁気バブルメモリカセツトに内蔵
している消去用コイルを用いることができ、破壊
コイル11に破壊電流を流すことにより磁気バブ
ルメモリに記憶破壊磁界を印加し、バブルの極性
をすべて同一方向に磁化し、つまりその記憶内容
を消去することができるものである。"Embodiment" The figure shows an embodiment of a memory destruction circuit for a magnetic bubble memory according to this invention. A breaking coil 11 is provided as shown on the right side of the figure. This destruction coil 11
For example, an erasing coil built into a magnetic bubble memory cassette can be used, and by applying a memory destruction magnetic field to the magnetic bubble memory by passing a destruction current through the destruction coil 11, the polarity of all the bubbles is set in the same direction. It can be magnetized, meaning its stored contents can be erased.
また磁気バブルメモリが装置から不正に取り外
されようとすると動作する破壊動作起動スイツチ
12が必要に応じて複数設けられる。例えば磁気
バブルメモリのカセツトが収容された収容室のと
びらを不正に開けようとすると自動的に動作する
ように、そのとびらの可動部と関連して破壊動作
起動スイツチ12が設けられる。また磁気バブル
メモリカセツトをわずかでも外そうとすると直ち
に動作するスイツチが破壊動作起動スイツチ12
として設けられる。このスイツチ12は安全性を
高める点から、磁気バブルメモリを外すために必
要とする各種接続にそれぞれ応動するように複数
個を設けることが好ましい。図には特に示してな
いが、正規の操作員は例えばキーワードにより、
あるいはキー、または隠された解除スイツチによ
り、破壊動作起動スイツチ12が動作しても破壊
動作が発生しないようにされる。 Further, a plurality of destructive operation activation switches 12 are provided as necessary, which operate when the magnetic bubble memory is illegally removed from the device. For example, a destructive operation activation switch 12 is provided in association with the movable part of the door so that it will automatically operate if an attempt is made to open the door of a storage chamber in which a cassette of a magnetic bubble memory is housed. Also, if you try to remove the magnetic bubble memory cassette even slightly, the switch that operates immediately will activate the destructive operation activation switch 12.
It is established as From the viewpoint of increasing safety, it is preferable to provide a plurality of switches 12 so as to correspond to the various connections required to remove the magnetic bubble memory. Although not particularly shown in the figure, authorized operators can, for example, use keywords to
Alternatively, a key or a hidden release switch prevents the destructive operation from occurring even if the destructive operation activation switch 12 is activated.
この記憶破壊回路の電源端子13,14には破
壊用電源が接続される。この例では電源端子1
3,14に、商用電源15の出力を直流化する電
源回路16が接続される。あるいは電池17が接
続される。この例では電池17は2次電池であ
り、電池17の正側は端子13に接続され、電源
回路16の正側はダイオード18を通じて電源端
子13に接続される。電池17の負側は電源切替
回路19を通じ、更に主スイツチ21を通じて電
源端子14に接続される。電源端子14は充電回
路23を通じ、更に電源切替回路19を通じて電
源回路16の負側に接続される。電源切替回路1
9は点線で示すように常時は接点24により電池
17と主スイツチ21とが接続され、また切替接
点25により電源回路16の負側は電源端子14
と充電回路23の他端とに切替え接続される。 A destruction power source is connected to power supply terminals 13 and 14 of this memory destruction circuit. In this example, power terminal 1
3 and 14 are connected to a power supply circuit 16 that converts the output of the commercial power supply 15 into direct current. Alternatively, the battery 17 is connected. In this example, the battery 17 is a secondary battery, the positive side of the battery 17 is connected to the terminal 13 , and the positive side of the power supply circuit 16 is connected to the power supply terminal 13 through a diode 18 . The negative side of the battery 17 is connected to the power supply terminal 14 through a power supply switching circuit 19 and further through a main switch 21 . The power supply terminal 14 is connected to the negative side of the power supply circuit 16 through the charging circuit 23 and further through the power supply switching circuit 19. Power switching circuit 1
9, as shown by the dotted line, the battery 17 and the main switch 21 are normally connected by the contact 24, and the negative side of the power supply circuit 16 is connected to the power terminal 14 by the switching contact 25.
and the other end of the charging circuit 23.
起動スイツチ12が動作すると電源端子13,
14に接続された破壊用電源から破壊電流が破壊
コイル11に流される。この例では起動スイツチ
12が動作するとリレーが起動され、そのリレー
により破壊電流が流される。またこの破壊電流が
磁気バブルメモリを物理的に破壊しないように制
限する。例えば電源端子13に起動スイツチ12
の一端が接続され、また破壊コイル11の一端が
接続され、破壊コイル11の他端は電流制限用抵
抗器26を通じ、更にリレー接点27a、スイツ
チ28を通じて電源端子14に接続される。 When the start switch 12 operates, the power terminal 13,
A breakdown current is applied to the breakdown coil 11 from a breakdown power supply connected to the breakdown coil 14 . In this example, when the start switch 12 operates, the relay is activated, and the breakdown current is caused to flow through the relay. This destructive current is also limited so that it does not physically destroy the magnetic bubble memory. For example, the start switch 12 is connected to the power terminal 13.
One end of the breaking coil 11 is connected, and the other end of the breaking coil 11 is connected to the power supply terminal 14 through a current limiting resistor 26, a relay contact 27a, and a switch 28.
更にこの例では破壊コイル11に一定時間破壊
電流を流すと自動的にこの電流が停止されて磁気
バブルメモリの物理的破壊が防止される。すなわ
ち起動スイツチ12は破壊時間制限回路29に接
続され、起動スイツチ12がオンにされると破壊
時間制限回路29内のリレーコイル27cに一定
時間電流を流す。 Furthermore, in this example, when a destructive current is passed through the destructive coil 11 for a certain period of time, this current is automatically stopped, thereby preventing physical destruction of the magnetic bubble memory. That is, the start switch 12 is connected to the breakdown time limit circuit 29, and when the start switch 12 is turned on, a current flows through the relay coil 27c in the breakdown time limit circuit 29 for a certain period of time.
スイツチ21,28は連動とされ、この記憶破
壊回路を動作状態にする際にオンされる。この状
態でリレーコイル27cと直列のトランジスタ3
1のベースには高レベルが与えられている。磁気
バブルメモリが外されようとして破壊動作起動ス
イツチ12が動作(オン)すると、その起動スイ
ツチ12を通じてトランジスタ31のコレクタエ
ミツタ間に電源端子13,14の電圧が印加さ
れ、トランジスタ31が直ちに導通し、リレーコ
イル27cに電流が流れ、そのリレーの接点27
aがオンとなつて、破壊コイル11に破壊電流が
流れ、磁気バブルメモリの記憶内容は瞬時にして
破壊される。 The switches 21 and 28 are interlocked and are turned on when the memory destruction circuit is put into operation. In this state, the transistor 3 connected in series with the relay coil 27c
1 base is given a high level. When the destructive operation start switch 12 operates (turns on) when the magnetic bubble memory is about to be removed, the voltage of the power supply terminals 13 and 14 is applied between the collector and emitter of the transistor 31 through the start switch 12, and the transistor 31 immediately becomes conductive. , a current flows through the relay coil 27c, and the contact 27 of the relay
a is turned on, a destructive current flows through the destructive coil 11, and the stored contents of the magnetic bubble memory are instantly destroyed.
この時、破壊コイル11に磁気バブルメモリを
物理的に破壊するような過大電流が流れようとし
ても電流制限用抵抗器26により破壊電流が制限
され、磁気バブルメモリが物理的に破壊するおそ
れはない。また破壊時間制限回路29内において
抵抗器32を通じてコンデンサ33に対する充電
が行われ、一定時間するとシユミツトトリガ回路
34がトリガされてその出力によりトランジスタ
31は不導通となり、従つてリレー接点27aは
オフとなる。このようにして破壊コイル11に一
定時間以上破壊電流が流れて磁気バブルメモリが
物理的に破壊するのを防止している。 At this time, even if an excessive current that physically destroys the magnetic bubble memory attempts to flow through the destruction coil 11, the current limiting resistor 26 limits the destruction current, and there is no risk of physically destroying the magnetic bubble memory. . Further, in the breakdown time limiting circuit 29, the capacitor 33 is charged through the resistor 32, and after a certain period of time, the Schmitt trigger circuit 34 is triggered and its output makes the transistor 31 non-conductive, and therefore the relay contact 27a is turned off. In this way, the magnetic bubble memory is prevented from being physically destroyed due to a destruction current flowing through the destruction coil 11 for a certain period of time or longer.
この実施例においては電流制限用抵抗器26の
両端は破壊電流検出回路35に接続され、電流制
限用抵抗器26に破壊電流が流れ、その両端電圧
が所定値を越えると、これが破壊電流検出回路3
5で検出され、その検出出力により、例えばフリ
ツプフロツプよりなる破壊確認回路36が駆動さ
れ、破壊電流が流れたことが記憶され、このこと
が例えば表示素子37で表示される。従つて磁気
バブルメモリに対する記憶破壊が行われると、そ
のことが破壊確認回路36に記憶される。このた
め磁気バブルメモリが持ち去られても、その記憶
内容は破壊されてしまつたものとなつたことが破
壊確認回路36で確認でき、つまり磁気バブルメ
モリに記憶していた内容が盗まれるおそれはなか
つたことが確認される。 In this embodiment, both ends of the current limiting resistor 26 are connected to a breakdown current detection circuit 35, and when a breakdown current flows through the current limiting resistor 26 and the voltage across it exceeds a predetermined value, the breakdown current detection circuit 3
5, the detection output drives a breakdown confirmation circuit 36 made of, for example, a flip-flop, and the fact that a breakdown current has flowed is memorized, and this is displayed on, for example, a display element 37. Therefore, when memory destruction is performed on the magnetic bubble memory, this fact is stored in the destruction confirmation circuit 36. Therefore, even if the magnetic bubble memory is taken away, the destruction confirmation circuit 36 can confirm that its memory contents have been destroyed, meaning that there is no risk that the contents stored in the magnetic bubble memory will be stolen. This confirms that
なお電池17は電源回路16の出力により、充
電回路23を通じて常時充電状態になつており、
停電などにより電源回路16から出力が得られな
い状態でも電池17により、この記憶破壊回路は
所期の動作をする。電池17を用いない場合は破
壊電源切替回路19内の接点24をオフとし、接
点25を電源端子14側に切替えればよい。また
電池17のみで動作させることもできることは明
らかである。 Note that the battery 17 is constantly charged through the charging circuit 23 by the output of the power supply circuit 16.
Even in a state where no output is obtained from the power supply circuit 16 due to a power outage or the like, the memory destruction circuit operates as expected by the battery 17. When the battery 17 is not used, the contact 24 in the destructive power supply switching circuit 19 may be turned off, and the contact 25 may be switched to the power supply terminal 14 side. It is also clear that it can be operated using only the battery 17.
必要に応じて電源端子13,14に電圧検出回
路38が接続され、電源端子13,14間の電圧
が低下して破壊コイル11に電流を流しても磁気
バブルメモリの記憶を消去することができない状
態になると、これを電圧検出回路38が検出し、
表示素子39に表示するなどの響報を発する。ス
イツチ21,28の一方は省略してもよい。 A voltage detection circuit 38 is connected to the power terminals 13 and 14 as necessary, so that the voltage between the power terminals 13 and 14 decreases and the memory of the magnetic bubble memory cannot be erased even if current is passed through the destruction coil 11. When the state is reached, the voltage detection circuit 38 detects this,
A sound message is emitted by displaying it on the display element 39 or the like. One of the switches 21 and 28 may be omitted.
「考案の効果」
以上述べたようにこの考案の記憶破壊回路によ
れば、磁気バブルメモリが取り去られようとする
と、破壊動作起動スイツチが動作して直ちに破壊
電流が破壊コイルに流れ、磁気バブルメモリの記
憶が破壊される。従つて磁気バブルメモリが持ち
去られてもそれまでに記憶していた内容が盗まれ
るおそれはない。誤つて破壊動作起動スイツチを
動作しても、磁気バブルメモリが物理的に破壊さ
れるのは防止するようにされているため、その磁
気バブルメモリをメモリとして何度も使用するこ
とができる。``Effect of the invention'' As described above, according to the memory destruction circuit of this invention, when the magnetic bubble memory is about to be removed, the destruction operation start switch operates and the destruction current immediately flows through the destruction coil, causing the magnetic bubble Memory storage is destroyed. Therefore, even if the magnetic bubble memory is taken away, there is no risk that the previously stored contents will be stolen. Since the magnetic bubble memory is prevented from being physically destroyed even if the destruction operation activation switch is operated by mistake, the magnetic bubble memory can be used as a memory many times.
図はこの考案による磁気バブルメモリの記憶破
壊回路の実施例を示す図である。
11:破壊コイル、12:破壊動作起動スイツ
チ、13,14:電源端子、19:破壊電源切替
回路、26:電流制限用抵抗器、29:破壊時間
制限回路。
The figure shows an embodiment of a memory destruction circuit for a magnetic bubble memory according to this invention. 11: Destruction coil, 12: Destruction operation start switch, 13, 14: Power supply terminal, 19: Destruction power supply switching circuit, 26: Current limiting resistor, 29: Destruction time limiting circuit.
Claims (1)
磁界を発生することができる破壊コイルと、 破壊用電源が接続されるべき電源端子と、 不正に上記磁気バブルメモリが装置から外され
ようとすると動作して上記破壊コイルに上記電源
端子を通じて破壊電流を供給する破壊動作起動ス
イツチと、 上記破壊電流が供給された際に上記磁気バブル
メモリが物理的に破壊されるのを防止する制限手
段とを具備する磁気バブルメモリの記憶破壊回
路。[Claims for Utility Model Registration] A destructive coil capable of generating a magnetic field that erases the memory contents of a magnetic bubble memory, a power supply terminal to which a power source for destruction is to be connected, and a device in which the magnetic bubble memory is illegally used. a destructive operation activation switch that operates when the magnetic bubble memory is about to be removed from the circuit and supplies a destructive current to the destructive coil through the power supply terminal; A memory destruction circuit for a magnetic bubble memory, comprising a limiting means for preventing.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984196987U JPH0124799Y2 (en) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984196987U JPH0124799Y2 (en) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61114598U JPS61114598U (en) | 1986-07-19 |
JPH0124799Y2 true JPH0124799Y2 (en) | 1989-07-26 |
Family
ID=30754945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1984196987U Expired JPH0124799Y2 (en) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0124799Y2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004055824A2 (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for protection of an mram device against tampering |
EP1659474A1 (en) * | 2004-11-15 | 2006-05-24 | Thomson Licensing | Method and USB flash drive for protecting private content stored in the USB flash drive |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP1984196987U patent/JPH0124799Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61114598U (en) | 1986-07-19 |
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