JPH01244687A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH01244687A JPH01244687A JP7228788A JP7228788A JPH01244687A JP H01244687 A JPH01244687 A JP H01244687A JP 7228788 A JP7228788 A JP 7228788A JP 7228788 A JP7228788 A JP 7228788A JP H01244687 A JPH01244687 A JP H01244687A
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- Japan
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- semiconductor laser
- polarizer
- laser chip
- lens
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関し、得に単一軸モード型半導
体レーザに関するものである。
体レーザに関するものである。
従来の半導体レーザは、第３図に示すように、ヒートシ
ンク２４に融着した半導体レーザチップ２１をステム２
３に固着し、ガラス２６付のキャップ２５で封止した構
造となっている。この半導体レーザのレーザ光２２はＴ
Ｅ波（横電界波）とＴＭ波（横磁界波）の合成波である
。従来、この種の半導体レーザは高速大容量通信に用い
られるため、単一軸モード性が重要であり、単一軸モー
ド性を損なう原因がＴＭ波であるため、半導体レーザチ
ップのステムとキャップから成るパッケージ内に組込ん
だ後に発光スペクトルを測定し、ＴＭ波の抑制状態を測
定し、ある一定規格で選別していた。
ンク２４に融着した半導体レーザチップ２１をステム２
３に固着し、ガラス２６付のキャップ２５で封止した構
造となっている。この半導体レーザのレーザ光２２はＴ
Ｅ波（横電界波）とＴＭ波（横磁界波）の合成波である
。従来、この種の半導体レーザは高速大容量通信に用い
られるため、単一軸モード性が重要であり、単一軸モー
ド性を損なう原因がＴＭ波であるため、半導体レーザチ
ップのステムとキャップから成るパッケージ内に組込ん
だ後に発光スペクトルを測定し、ＴＭ波の抑制状態を測
定し、ある一定規格で選別していた。
上述した従来の半導体レーザはＴＥ波とＴＭ波が混った
レーザ光を出射しており、単一軸モードを損うＴＭ波を
抑制する手段は講じられておらず単一軸モード特性が悪
い欠点がある。このため半導体レーザチップをパッケー
ジに組込んだ状態で発光スペクトルを測定し、ＴＭ波の
抑制を測定し、ある一定規格で選別していた。この結果
完成品状態であるため不良と判定されたものはパッケー
ジ・ヒートシンク等の部材骨及び作業工数を無駄にする
という欠点も生じる。
レーザ光を出射しており、単一軸モードを損うＴＭ波を
抑制する手段は講じられておらず単一軸モード特性が悪
い欠点がある。このため半導体レーザチップをパッケー
ジに組込んだ状態で発光スペクトルを測定し、ＴＭ波の
抑制を測定し、ある一定規格で選別していた。この結果
完成品状態であるため不良と判定されたものはパッケー
ジ・ヒートシンク等の部材骨及び作業工数を無駄にする
という欠点も生じる。
この発明の目的は、上述の問題点を解決し、単一軸モー
ドの優れた半導体レーザを供することにある。
ドの優れた半導体レーザを供することにある。
本発明の半導体レーザは半導体レーザチップの前方にＴ
Ｍ波を抑制するポラライザーを配置し、これら半導体レ
ーザチップ、ポラライザーを同一パッケージ内に組込ん
だ構成となっている。このように単一軸モード性を損う
ＴＭ波をポラライザーで抑制する構造であるため、単一
軸モード性不良を低減でき、これに伴ないパッケージ・
ヒートシンク等の部材費および作業工数も低減できると
いう利点を有している。
Ｍ波を抑制するポラライザーを配置し、これら半導体レ
ーザチップ、ポラライザーを同一パッケージ内に組込ん
だ構成となっている。このように単一軸モード性を損う
ＴＭ波をポラライザーで抑制する構造であるため、単一
軸モード性不良を低減でき、これに伴ないパッケージ・
ヒートシンク等の部材費および作業工数も低減できると
いう利点を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。ヒートシン
ク１０に固着された半導体レーザチップ９の前方に軸対
称に、レンズホルダー４にソルダー１１で固定された球
レンズ２を取付け、ＴＭ波を抑制するために、ステム７
に固定されて球レンズ前方に配置されたポラライザーホ
ルダー３に有機溶剤で固定し、半導体レーザチップ、球
レンズ、ポラライザーをガラス１３付のキャップ１２で
封止してポラライザー１をキャップ１２とステム７から
成るパッケージ内に入れる。これにより、単一軸モード
性の良好な発光スペクトルを有する半導体レーザを得る
ことができる利点がある。
ク１０に固着された半導体レーザチップ９の前方に軸対
称に、レンズホルダー４にソルダー１１で固定された球
レンズ２を取付け、ＴＭ波を抑制するために、ステム７
に固定されて球レンズ前方に配置されたポラライザーホ
ルダー３に有機溶剤で固定し、半導体レーザチップ、球
レンズ、ポラライザーをガラス１３付のキャップ１２で
封止してポラライザー１をキャップ１２とステム７から
成るパッケージ内に入れる。これにより、単一軸モード
性の良好な発光スペクトルを有する半導体レーザを得る
ことができる利点がある。
尚、半導体レーザチップの出射面前方に球レンズを配置
したのは、半導体レーザチップがら出射したレーザ光８
を平行光として、ポラライザーあるいはこの前方に配置
される光ファイバー等との光結合効率を高めるためであ
る。単一軸モード性向上には球レンズはなくてもよい。
したのは、半導体レーザチップがら出射したレーザ光８
を平行光として、ポラライザーあるいはこの前方に配置
される光ファイバー等との光結合効率を高めるためであ
る。単一軸モード性向上には球レンズはなくてもよい。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。ヒート
シンク１０にソルダーで融着した半導体レーザチップ９
をステム７にソルダーで融着し、さらに、半導体レーザ
チップ９の前方に軸対称にレンズホルダー４にソルダー
１１で固定された球レンズ２を取付けた半製品をモジュ
ールパッケージ１４に取付ける。さらに、この半製品の
光出力前方モジュールパッケージ１４内にＴＭ波を抑制
するポラライザー１を有機溶剤でポラライザーホルダー
３に軸対称に取付は固定する。さらにファイバー１５も
モジュールパッケージ内に取付けて本発明の半導体レー
ザができ上る。これにより、単一軸モード性の良好な発
光スペクトルを有する半導体レーザを得ることができる
利点がある。
シンク１０にソルダーで融着した半導体レーザチップ９
をステム７にソルダーで融着し、さらに、半導体レーザ
チップ９の前方に軸対称にレンズホルダー４にソルダー
１１で固定された球レンズ２を取付けた半製品をモジュ
ールパッケージ１４に取付ける。さらに、この半製品の
光出力前方モジュールパッケージ１４内にＴＭ波を抑制
するポラライザー１を有機溶剤でポラライザーホルダー
３に軸対称に取付は固定する。さらにファイバー１５も
モジュールパッケージ内に取付けて本発明の半導体レー
ザができ上る。これにより、単一軸モード性の良好な発
光スペクトルを有する半導体レーザを得ることができる
利点がある。
以上説明したように本発明は半導体レーザチップの出射
面前方に軸対称に平行ビームのためのレンズとポラライ
ザーを取付けることにより単一軸モード性を損なう原因
であるＴＭ波を抑制することができる効果がある。
面前方に軸対称に平行ビームのためのレンズとポラライ
ザーを取付けることにより単一軸モード性を損なう原因
であるＴＭ波を抑制することができる効果がある。
このため、高速大容量通信の重要ポイントである単一軸
モード性の良好な発光スペクトルを有する半導体レーザ
を得ることができ、単一軸モード性不良が低減できる。
モード性の良好な発光スペクトルを有する半導体レーザ
を得ることができ、単一軸モード性不良が低減できる。
また、パッケージ・ヒートシンク等の部材費および作業
工数の無駄を少なくすることもできる効果がある。
工数の無駄を少なくすることもできる効果がある。
第１図、第２図は本発明による半導体レーザの実施例の
断面図、第３図は従来の半導体レーザの断面図である。 １・・・ポラライザー、２・・・球レンズ、３・・・ポ
ラライザー−ホルダー、４・・・レンズホルダー、７゜
２３・・・ステム、８，２２・・・レーザ光、９，２１
・・・半導体レーザチップ、１０．２４・・・ヒートシ
ンク、１１・・・ソルダー、１２．２５・・・キャップ
、１３．２６・・・ガラス、１４・・・モジュールパッ
ケージ、１５・・・ファイバー。
断面図、第３図は従来の半導体レーザの断面図である。 １・・・ポラライザー、２・・・球レンズ、３・・・ポ
ラライザー−ホルダー、４・・・レンズホルダー、７゜
２３・・・ステム、８，２２・・・レーザ光、９，２１
・・・半導体レーザチップ、１０．２４・・・ヒートシ
ンク、１１・・・ソルダー、１２．２５・・・キャップ
、１３．２６・・・ガラス、１４・・・モジュールパッ
ケージ、１５・・・ファイバー。
Claims (1)
- ＴＭ波（横磁界波）を抑制するポラライザーを半導体レ
ーザチップ前方に配置し、前記ポラライザー及び半導体
レーザチップをステムとキャップから成るパッケージ内
に組込んだことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7228788A JPH01244687A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7228788A JPH01244687A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01244687A true JPH01244687A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13484915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7228788A Pending JPH01244687A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01244687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091257A3 (en) * | 2000-05-23 | 2002-06-06 | Honeywell Int Inc | System and method for vcsel polarization control |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP7228788A patent/JPH01244687A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091257A3 (en) * | 2000-05-23 | 2002-06-06 | Honeywell Int Inc | System and method for vcsel polarization control |
| US6963598B1 (en) | 2000-05-23 | 2005-11-08 | Finisar Corporation | System and method for VCSEL polarization control |
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