JPH01238906A - Method and apparatus for slicing wafer from semiconductor material - Google Patents

Method and apparatus for slicing wafer from semiconductor material

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JPH01238906A
JPH01238906A JP6769888A JP6769888A JPH01238906A JP H01238906 A JPH01238906 A JP H01238906A JP 6769888 A JP6769888 A JP 6769888A JP 6769888 A JP6769888 A JP 6769888A JP H01238906 A JPH01238906 A JP H01238906A
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wafer
polishing
polished
cut
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Takatoshi Ono
小野 喬利
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Abstract

PURPOSE:To contrive to simplify and miniaturize the structure of an apparatus and to enhance the working efficiency of the apparatus by a method wherein a cut-out wafer, which is produced by slicing semiconductor material having its edge face polished with a band saw, is suckingly held by utilizing the polished face of the water as a suction face in order to polish the cut face of the water. CONSTITUTION:The edge face of semiconductor material 6 is polished with polished wheelstone 16, which is arranged near a band saw 12. After the finish of the polishing of said edge face, the semiconductor material is sliced with the band saw 12. After that, each time one wafer 9 is cut down, the edge face of the semiconductor material 6 is polished. By repeating the polishing of edge face and the slicing, wafers 9, the edge face of each of which has been polished, are cut out one by one from the semiconductor material 6. By sucking the polished face of the cut-out wafer 9 with a proper sucking means 19, the face which is cut with the band saw 12 is polished flat with a polishing wheel 17.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコンインゴット等の半導体材料からウェ
ーハを切り出し、必要に応じ、その切り出したウェーハ
の切断面を研摩するウェーハ切り出し加工方法とその装
置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention provides a wafer cutting method and an apparatus for cutting out a wafer from a semiconductor material such as a silicon ingot, and polishing the cut surface of the cut wafer as necessary. It is related to.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ガリウムヒ素インゴット、シリコンインゴット、ガリウ
ムリンインゴット等の半導体材料からウェーハを切り出
す手段として、内周刃が広く利用されている。
Inner peripheral blades are widely used as a means for cutting out wafers from semiconductor materials such as gallium arsenide ingots, silicon ingots, and gallium phosphorous ingots.

この種の内周刃は、第6図に示すように、ドーナッツ状
の基台1の内周端縁部に砥粒を電着させて切れ刃2とし
、基台lの外周端縁部には複数の穴3を円周等間隔位置
に配設して、これを取り付は穴としたものが一般的であ
る。この種の内周刃4は、穴3を利用して内周刃4に半
径の外向きに張力Fを掛け、切れ刃2を緊張させた状態
で第5図に示すようにホルダ5に装着される。そして、
この内周刃4の装着状態で糸ルダ5を適宜の駆動手段を
用いて回転させ、インゴット保持手段に保持された半導
体材料6を内周刃4の中心穴に挿入し、半導体材料6を
矢印の方向に切り込むことにより、該半導体材料6のス
ライスが行われ、ウェーハが切り出されるのである。通
常、ホルダ5の内部側には切り出されたウェーハを吸着
によって受は止める吸着テーブル7が配置される。
As shown in FIG. 6, this type of internal peripheral cutter has abrasive grains electrodeposited on the inner peripheral edge of a donut-shaped base 1 to form a cutting edge 2, and the outer peripheral edge of the base l. Generally, a plurality of holes 3 are arranged at equal intervals around the circumference, and the holes are used for mounting. This type of inner circumferential cutter 4 is installed in a holder 5 as shown in FIG. 5 by applying tension F to the inner circumferential cutter 4 outward in the radius using the hole 3 and keeping the cutting edge 2 under tension. be done. and,
With the inner peripheral blade 4 attached, the thread rudder 5 is rotated using an appropriate driving means, and the semiconductor material 6 held by the ingot holding means is inserted into the center hole of the inner peripheral blade 4, and the semiconductor material 6 is inserted into the center hole of the inner peripheral blade 4. By cutting in the direction, the semiconductor material 6 is sliced and a wafer is cut out. Usually, a suction table 7 is arranged inside the holder 5 to receive the cut wafer by suction.

前記切り出されたウェーハは適宜の手段でホルダ5の外
に取り出され、次工程で洗浄や切断面の研摩が行われる
The cut wafer is taken out of the holder 5 by an appropriate means, and the next step is cleaning and polishing of the cut surface.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、内周刃を用いて半導体材料をスライスす
る方式は、内周刃の外径がほぼ1mにもなるので、これ
を取り付けた装置全体も大型化するという不具合がある
。また、内周刃で切断する場合、高精度の加工を行うた
めには切れ刃を緊張させてホルダ5に取り付けなければ
ならないが、その切れ刃の緊張は、穴3を半径の外方向
に張力を加えて行うものであるため、その張力の不均衡
によって軸心がずれたり、切れ刃2が変形し易く、その
切れ刃2の緊張調整が非常に難しく、作業性が悪いばか
りでなく、切れ刃2が変形すると加工精度も悪(なると
いう不都合があった。
However, in the method of slicing semiconductor material using an inner peripheral blade, the outer diameter of the inner peripheral blade is approximately 1 m, so there is a problem that the entire device equipped with this becomes large. In addition, when cutting with an internal cutting edge, in order to perform high-precision machining, it is necessary to tighten the cutting edge and attach it to the holder 5. Because the tension is unbalanced, the axis tends to shift and the cutting edge 2 is easily deformed, making it very difficult to adjust the tension of the cutting edge 2, which not only causes poor workability but also causes damage to the cutting edge. There was an inconvenience that if the blade 2 was deformed, the machining accuracy would deteriorate.

また、ホルダ5の内側にウェーハ保持用の吸着テーブル
7を設けなければならず、しかも同テーブル7に吸着さ
れたウェーハは外に取り出されて次工程に回されるが、
そのウェーハの取り出し作業は内周刃4の中心孔8を通
して、しかも切れ刃2に触れないようにして行わなけれ
ばならないため、制約が多く、必然的に装置構成が複雑
化し、また、装置設計の自由度も制限されるという欠点
がある。
In addition, a suction table 7 for holding wafers must be provided inside the holder 5, and the wafers suctioned to the table 7 are taken out and sent to the next process.
The wafer removal operation must be carried out through the center hole 8 of the inner circumferential cutter 4 without touching the cutting edge 2, which imposes many restrictions, inevitably complicating the equipment configuration, and making it difficult to design the equipment. The disadvantage is that the degree of freedom is also limited.

ところで、半導体材料6から切り出されたウェーハ9は
第7図(a)に示すように、切断面が凹凸しているので
、同図(b)に示すように一端面をチャックテーブル1
0に吸着固定して研摩砥石11を用いて表面を研摩した
場合、−見平坦に研摩されたように見えても、チャック
テーブル1oの吸着を解除すると、第7図(C)に示す
ように、スプリングバックによって吸着面9a側の凹凸
が表面側に現れて研摩した面が凹凸状になってしまうと
いう不都合が生しる。
By the way, since the cut surface of the wafer 9 cut out from the semiconductor material 6 is uneven as shown in FIG. 7(a), one end surface is placed on the chuck table 1 as shown in FIG. 7(b).
When the surface is polished using the polishing whetstone 11 while the chuck table 1o is suctioned and fixed, even if it appears to be polished flat, when the suction of the chuck table 1o is released, the surface is polished as shown in FIG. 7(C). Due to springback, the unevenness on the suction surface 9a side appears on the surface side, resulting in an inconvenience that the polished surface becomes uneven.

このような不都合を解消するためには、半導体材料6の
端面を研摩して平坦にしてからスライスし、その切り出
されたウェーハ9の平坦面をチャンクテーブル10側に
吸着させて切断面を研摩すれば、吸着を解除しても表面
側に凹凸が現れず平坦な精度のよい研摩面が得られる。
In order to eliminate this inconvenience, the end face of the semiconductor material 6 is polished to make it flat and then sliced, the flat face of the cut wafer 9 is sucked onto the chunk table 10 side, and the cut face is polished. For example, even after the suction is released, no unevenness appears on the surface side, and a flat and highly accurate polished surface can be obtained.

かかる観点から、内周刃の近傍に半導体材料の端面研摩
用の研摩砥石を別途設けることが提案されている。
From this point of view, it has been proposed to separately provide a polishing wheel for polishing the end face of the semiconductor material near the inner peripheral blade.

しかし、内周刃は、本来、大型装置であるため、第5図
の鎖線で示すように、内周刃の外側に研摩砥石を設ける
と装置がますます大きくなるという不都合がある。そこ
で、できるだけ装置の大型化を避ける観点から、研摩砥
石11をホルダ5の内側に設けることになるが、そうす
ると装置構成がますます複雑化してしまうという不都合
が住じる。
However, since the inner peripheral cutter is originally a large-sized device, there is a problem in that if a grinding wheel is provided outside the inner peripheral cutter, as shown by the chain line in FIG. 5, the device becomes even larger. Therefore, in order to avoid increasing the size of the device as much as possible, the polishing wheel 11 is provided inside the holder 5, but this has the disadvantage that the device configuration becomes even more complicated.

本発明は上記各事情に迄みなされたものであり、その目
的は装置の小型化と簡易化を回り、さらに、装置設計の
自由度を大きくでき、しかも作業性の改善と加工精度の
向上を共に図ることができる半導体材料からのウェーハ
切り出し加工方法とその装置を提供することにある。
The present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to reduce the size and simplicity of the device, and also to increase the degree of freedom in device design, as well as to improve workability and processing accuracy. It is an object of the present invention to provide a method for cutting out a wafer from a semiconductor material and an apparatus therefor, which can be used together.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明は上記目的を達成するために次のように構成され
ている。すなわち、本発明の半導体材料からのウェーハ
切り出し加工方法の第1は、半導体材料の端面を研摩し
、この研摩完了後に当該半導体材料をバンドソーによっ
てスライスすることを特徴きして構成されており、また
、同方法の第2は、半導体材料の端面を研摩し、この研
摩完了後に当該半導体材料をバンドソーによってスライ
スしてウェーハを切り出し、この切り出したウェーハを
研摩されている側の面を吸着面としてウェーハ吸着手段
によって吸着保持し前記バンドソーによる切断面を研摩
砥石によって研摩することを特徴として構成されており
、また、本発明の半導体材料からのウェーハ切り出し装
置は第1に、半導体材料をスライスするハンドソーと、
このバンドソーの近傍に配置され、半導体材料の端面を
研摩する研摩砥石と、を含むことを特徴として構成され
ており、さらに、本発明装置は第2に、半導体材料の端
面を研摩する第1の研摩砥石と、この第1の研摩砥石に
よって一端面が研摩された半導体材料をスライスするバ
ンドソーと、このバンドソーによって半導体材料から切
り出されたウェーハを研摩面側から吸着保持するウェー
ハ吸着手段と、このウェーハ吸着手段によって吸着され
ているウェーハの前記バンドソーによる切断面を研摩す
る第2の研摩砥石とが配列されていることを特徴として
構成されている。
In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows. That is, the first method of cutting out a wafer from a semiconductor material according to the present invention is characterized in that the end face of the semiconductor material is polished, and after this polishing is completed, the semiconductor material is sliced with a band saw. The second method is to polish the end face of the semiconductor material, and after the polishing is completed, slice the semiconductor material with a band saw to cut out the wafer, and then attach the cut wafer to the wafer using the polished side as the suction surface. The device is characterized in that the wafer is suctioned and held by a suction means and the cut surface by the band saw is polished by a polishing stone, and the device for cutting out a wafer from a semiconductor material of the present invention firstly comprises a hand saw for slicing the semiconductor material. ,
The apparatus of the present invention is characterized in that it includes a polishing wheel disposed near the band saw and polishing the end surface of the semiconductor material. A polishing whetstone, a band saw for slicing the semiconductor material whose one end surface has been polished by the first polishing whetstone, a wafer suction means for suctioning and holding the wafer cut from the semiconductor material by the band saw from the polished surface side, and the wafer. The present invention is characterized in that a second polishing grindstone is arranged to polish the cut surface of the wafer that is being sucked by the sucking means by the band saw.

〔作用〕[Effect]

上記のように構成されている本発明において、半導体材
料はバンドソーの近傍に配置されている研摩砥石(第1
の研摩砥石)によって端面が研摩され、この端面研摩完
了後にバンドソーによって半導体材料のスライスが行わ
れる。そして、1個のウェーハを切り出すごとに、半導
体材料の端面研摩が行われ、この端面研摩とスライスを
繰り返すことにより、半導体材料から一端面が研摩され
たウェーハが次々に切り出されるのである。
In the present invention configured as described above, the semiconductor material is a polishing wheel (first grindstone) disposed near the band saw.
The end face is polished by a grinding wheel), and after the end face polishing is completed, the semiconductor material is sliced by a band saw. Each time a wafer is cut out, the semiconductor material is polished at its end face, and by repeating this end face polishing and slicing, wafers with one end face polished are cut out one after another from the semiconductor material.

そして、バンドソーの下流位置に第2の研摩砥石を備え
た装置では、前記バンドソーによって切り出されたウェ
ーハは研摩された側の面が適宜の吸着手段に吸着され、
前記バンドソーによって切断された切断面が第2の研摩
砥石によって平坦に研摩される。
In an apparatus equipped with a second polishing wheel at a position downstream of the band saw, the polished side of the wafer cut out by the band saw is sucked by a suitable suction means,
The cut surface cut by the band saw is polished flat by a second polishing stone.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.

第1図には本発明の第1の実施例を示す装置構成が示さ
れている。この第1図の装置は、インゴット保持手段に
保持されている半導体材料を端面研摩した後にスライス
する形式の装置例を示している。
FIG. 1 shows an apparatus configuration showing a first embodiment of the present invention. The apparatus shown in FIG. 1 is an example of an apparatus in which the semiconductor material held by the ingot holding means is sliced after its end face is polished.

同図において、シリコンインゴット等の半導体材料6を
切断するバンドソー12は鉄鋼やステンレス等からなる
帯状の基板13の端縁部に砥粒を電着等により形成して
切れ刃2としたものである。
In the figure, a band saw 12 for cutting a semiconductor material 6 such as a silicon ingot has a cutting edge 2 formed by forming abrasive grains on the edge of a band-shaped substrate 13 made of steel, stainless steel, etc. by electrodeposition or the like. .

このバンドソー12は駆動プーリ14と従動プーリ15
とに掛けられて両ブー914.15間を周回走行する。
This band saw 12 has a driving pulley 14 and a driven pulley 15.
It is hooked up to 914.15 and travels around between both Boo 914.15.

そして、このバンドソー12の近傍位置には研摩砥石1
6が図示されていないモータの駆動によって回転自在に
配設されている。このバンドソー12と研摩砥石16と
の配置関係は、例えば、第2図に示すように、製造加工
ラインの上流側に研摩砥石16を設け、下流側にバンド
ソー12を設けてもよく、その逆に、第3図に示す如く
、上流側にバンドソー12を設け、下流側に研摩砥石1
6を設けてもよい。この場合、いずれの場合も、バンド
ソー12の対向側に、半導体材料6から切り出されたウ
ェーハを吸着保持する吸着テーブル19を半導体材料6
に対向させ、同材料6の切り込み移動に連動するように
設けである。
A grinding wheel 1 is located near the band saw 12.
6 is rotatably arranged by the drive of a motor (not shown). Regarding the arrangement relationship between the band saw 12 and the polishing wheel 16, for example, as shown in FIG. , as shown in FIG. 3, a band saw 12 is installed on the upstream side, and a grinding wheel 1 is installed on the downstream side.
6 may be provided. In either case, a suction table 19 for suctioning and holding a wafer cut out from the semiconductor material 6 is placed on the opposite side of the band saw 12.
It is provided so as to face the material 6 and to be interlocked with the movement of the cut in the material 6.

本第1の実施例は上記のように構成されており、以・下
、その作用を説明する。第2図に示す配置構成の場合は
、まず、上流位置で回転している研摩砥石16により、
半導体材料6の端面研摩が行われる。この端面研摩が完
了した後に、半導体材料6を下流方向に送って行けば、
半導体材料6はバンドソーによって切断され、その切り
出されたウェーハは研摩面側から吸着テーブル19に吸
着されて回収され、次工程に搬送される。
The first embodiment is constructed as described above, and its operation will be explained below. In the case of the arrangement shown in FIG. 2, first, the polishing wheel 16 rotating at the upstream position
Edge polishing of the semiconductor material 6 is performed. After this end face polishing is completed, if the semiconductor material 6 is sent downstream,
The semiconductor material 6 is cut by a band saw, and the cut wafer is collected from the polishing surface by a suction table 19 and transported to the next process.

この半導体材料6の切断加工に際し、研摩砥石16の研
摩面16aをバンドソー12の端面12aよりもウェー
ハの厚み分tたけ前方(図では左側)に位置をずらして
おけば、半導体材料6を研摩した後、その研摩面16a
と平行にそのまま下流側に移動することで、該半導体材
料6は目的とするウェーハの厚みでもって自動的にスラ
イスされることになる。
When cutting the semiconductor material 6, the semiconductor material 6 can be polished by shifting the polishing surface 16a of the polishing wheel 16 a distance t in front of the end surface 12a of the band saw 12 by the thickness of the wafer (to the left in the figure). After that, the polished surface 16a
By moving downstream in parallel with the semiconductor material 6, the semiconductor material 6 is automatically sliced to the desired thickness of the wafer.

そして、このスライスの完了後に、半導体材料6は元の
上流位置に復帰移動され、続いて前方(図の左方向)に
送り込まれて端面の研摩が研摩砥石16によって行われ
、次のスライス加工に移行する。
After this slicing is completed, the semiconductor material 6 is moved back to its original upstream position, then fed forward (towards the left in the figure), and its end face is polished by the polishing wheel 16 before being ready for the next slicing process. Transition.

このように端面研摩とスライス加工を繰り返すことによ
り、所定厚のウェーハが次々に切り出されるのである。
By repeating the end face polishing and slicing in this manner, wafers of a predetermined thickness are successively cut out.

また、第3図に示す配置関係の場合は、上流位置で、端
面研摩された半導体材料6の切断がバンドソー12によ
って行われ、この切断完了後に同材料6は下流位置に送
られ、そこで研摩砥石16による切断面の端面研摩が行
われる。そして、この端面研摩の完了後に、半導体材料
6は元の上流位置に復帰移動する。そして、同材料6は
ウェーハの厚み分だけ前方(図の左方)に送り出されて
がらハンドソー12側に送られてスライスされる。
Further, in the case of the arrangement shown in FIG. 3, the semiconductor material 6 whose end face has been polished is cut by the band saw 12 at the upstream position, and after the cutting is completed, the material 6 is sent to the downstream position where the polishing wheel is used. 16, the end face of the cut surface is polished. After the end face polishing is completed, the semiconductor material 6 returns to its original upstream position. Then, the material 6 is sent forward (to the left in the figure) by the thickness of the wafer and sent to the hand saw 12 side where it is sliced.

このように、第2図および第3図のいずれの配置構成に
おいても、半導体材料6の端面研摩が完了した後に同材
料6のスライスが行われ、ウェーハが切り出されるので
ある。
In this manner, in both the arrangements shown in FIGS. 2 and 3, after the end face polishing of the semiconductor material 6 is completed, the semiconductor material 6 is sliced and the wafer is cut out.

1述の如く、末弟1の実施例によれば、半導体材料6の
端面を研摩した後に同材料6のスライスを行うものであ
るから、切り出されたウェーハの一面は必ず研摩されて
いる。したがって、この研摩されている面を吸着面とし
てウェーハを第7図(b)に示すようにチャック缶−ブ
ル10に吸着固定し、表面(切断面)を研摩砥石11に
よって研摩できるから、研摩完了後にチャックテーブル
IOの吸着を解除しても、第7図(c)に示すように「
ウェーハ吸着面9aの凹凸がスプリングバックによって
表面側に現れる」ということがなく、これにより、バン
ドソー12による切断面を平坦に研摩することが可能と
なる。
As described above, according to the embodiment of the youngest brother 1, the end face of the semiconductor material 6 is polished and then the same material 6 is sliced, so that one side of the cut wafer is always polished. Therefore, the wafer is suctioned and fixed to the chuck can bull 10 using this polished surface as the suction surface as shown in FIG. Even if the adsorption of the chuck table IO is released later, as shown in Fig. 7(c), "
The unevenness of the wafer suction surface 9a does not appear on the surface side due to springback, and as a result, the cut surface by the band saw 12 can be polished flat.

また、バンドソー12の切れ刃2の緊張は、ブー’JL
4.15の一方(又は両方)を中心軸上との外方向(第
1図のZ方向)に移動するだけで達成され、しかも、こ
の緊張調整に際して切れ刃2が不均一な力を受けて変形
することもないので、その切れ刃緊張の作業性は大幅に
改善される。
In addition, the tension of the cutting edge 2 of the band saw 12 is
4. This can be achieved simply by moving one (or both) of Since there is no deformation, the workability of tensioning the cutting edge is greatly improved.

さらに、バンドソー12を掛けるプーリ14.15の直
径は従来例の内周刃の直径よりも十分に小さくできるの
で、内周刃を用いた切断装置に較べ装置の大幅な小型化
を達成できる。しかも、装置構成が簡易であるので、装
置コストの低減が図れ経済的利益も大きい。そのうえ、
バンドソー12の近傍には広範囲の自由空間が形成され
るから、その自由空間内に研摩砥石16やウェーハ9の
回収装置を任意の態様で配設できるので、装置設計の自
由度も大きくなり、切断加工ラインの状況に応じ、装置
構成および装置の配置態様を最適に設定できる。
Furthermore, the diameter of the pulleys 14, 15 on which the band saw 12 is attached can be made sufficiently smaller than the diameter of the inner peripheral blade of the conventional example, so that the device can be significantly miniaturized compared to a cutting device using an internal peripheral blade. Furthermore, since the device configuration is simple, the cost of the device can be reduced and the economic benefits are great. Moreover,
Since a wide free space is formed near the band saw 12, the polishing wheel 16 and the wafer 9 recovery device can be arranged in any manner in the free space, which increases the degree of freedom in device design. The device configuration and device arrangement can be optimally set according to the processing line situation.

さらに、装置構成上、バンドソー12の切れ刃2と、研
摩砥石16との平行出しが容易であり、このことは研摩
の加工精度と加工能率を高める上でも望ましい。
Furthermore, due to the configuration of the device, it is easy to align the cutting edge 2 of the band saw 12 and the polishing wheel 16 in parallel, which is desirable in terms of improving the polishing accuracy and processing efficiency.

−taに、バンドソー12は装置構成が簡易であり、ま
た、装置を小型化できるという利点がある反面、内周刃
に較べ、切断面が粗くなり、既述の如く、この粗い面を
第7図(b)で示すようにチャックテーブル10で吸着
して表面研摩をすると、粗さが粗い分だけその吸着粗面
の凹凸がスプリングバックにより研摩面により大きく現
れるという欠点があり、従来からパントン−は半導体材
料の切断装置として利用されていない。
-ta, although the band saw 12 has the advantage of having a simple device configuration and being able to downsize the device, the cutting surface is rougher than that of an internal blade, and as mentioned above, this rough surface is As shown in Figure (b), when the surface is polished by suction with the chuck table 10, there is a drawback that the unevenness of the suction rough surface becomes larger due to springback due to the roughness of the suction surface. has not been used as a cutting device for semiconductor materials.

本実施例(本発明)は、バンドソー12に研摩砥石16
を組み合わせ、半導体材料6の端面を研摩してから切断
を行うことで、前記バンドソー12の欠点(ウェーハの
表面研摩に際して研摩面に吸着面側の凹凸が大きく現れ
るという欠点)を解消し、かつ、バンドソー12の有す
る前記各種の利点を生かすことで、内周刃に研摩砥石を
組み合わせる形式の提案装置よりも優れた装置を提供す
ることが可能になる。
In this embodiment (the present invention), the band saw 12 has a grinding wheel 16.
By combining the above, and cutting the semiconductor material 6 after polishing its end face, the drawback of the band saw 12 (the drawback that large irregularities on the suction surface side appear on the polished surface when polishing the surface of the wafer) is solved, and By taking advantage of the various advantages of the band saw 12, it is possible to provide a device that is superior to the proposed device in which an abrasive wheel is combined with an inner peripheral blade.

第4図には本発明に係る第2の実施例が示されている。FIG. 4 shows a second embodiment of the invention.

この第2の実施例は前記第1の実施例と同様に半導体材
料6の端面研摩を行った後に同材料6のスライスを行う
ように構成されるが、前記第1の実施例と異なるところ
は、切り出されたウェーハの切断面を研摩する専用の研
摩砥石を別途設け、切断のオンライン上で、ウェーハの
切り出しとそのウェーへの切断面の研摩とを連続して行
うように構成したことである。なお、この第2の実施例
の説明においては、前記第1の実施例と同一の部材には
同一の符号を付し、その重複説明は省略することにする
This second embodiment is configured to slice the semiconductor material 6 after polishing the end face of the semiconductor material 6 in the same manner as the first embodiment, but differs from the first embodiment. , a dedicated grinding wheel for polishing the cut surface of the cut wafer is provided separately, and the cutting of the wafer and the polishing of the cut surface of the wafer are performed continuously during online cutting. . In the description of the second embodiment, the same members as in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and their repeated explanation will be omitted.

第4図において、切断加工ライン上の上流側に第1の研
摩砥石16が、下流側にバンドソー12がそれぞれ設け
られ、前記第1の実施例と同様に、半導体材料6の端面
研摩が第1の研摩砥石16によって行われた後、バンド
ソー12によって同材料6のスライスが行われウェーハ
9が切り出される。こノウエーハ9の切り出し時には、
ウェーハ吸着手段としての吸着テーブル19がバンドソ
ー12を挟んで半導体材料6の研摩端面に対向し、同材
料6が切り込み方向に移動するにつれて吸着テーブル1
9も同方向に連動し、切り出されたウェーハを落とすこ
とな(確実に吸着保持するようにしている。
In FIG. 4, a first polishing wheel 16 is provided on the upstream side of the cutting line, and a band saw 12 is provided on the downstream side, and as in the first embodiment, the end face of the semiconductor material 6 is polished on the first grinding wheel 16. The material 6 is then sliced by the band saw 12 to cut out the wafer 9. When cutting out this wafer 9,
A suction table 19 serving as a wafer suction means faces the polished end surface of the semiconductor material 6 with the band saw 12 in between, and as the material 6 moves in the cutting direction, the suction table 19
9 also moves in the same direction to ensure that the cut wafer is not dropped (to ensure that it is held by suction).

ハンドソー12よりもさらに下流の位置には第2の研摩
砥石17が、図示されていないモータの駆動によって回
転自在に設けられている。末弟2の実施例では、前記ハ
ンドソー12によって切り出されたウェーハ9は、第1
の研摩砥石16で研摩された面を吸着面として吸着テー
ブル19に吸着され、同テーブル19の移動によって第
2の研摩砥石17の研摩位置に運ばれてくる。そして、
この第2の研摩砥石17によって、ウェーハ9のバンド
ソー12による切断面が研摩される。
A second abrasive grindstone 17 is provided at a position further downstream of the hand saw 12 and is rotatably driven by a motor (not shown). In the embodiment of the youngest brother 2, the wafer 9 cut out by the hand saw 12 is
The surface polished by the second polishing wheel 16 is used as a suction surface to be attracted to the suction table 19, and the movement of the table 19 brings it to the polishing position of the second polishing wheel 17. and,
The cut surface of the wafer 9 by the band saw 12 is polished by the second polishing whetstone 17 .

この切断面の研摩に際しては、前記の如く、すでに平坦
に研摩されている方の面が吸着テーブル19に吸着され
ているから、第2の研摩砥石17によってウェーハ9の
表面(切断面)を研摩した後で、ウェーハ9の吸着を解
放しても、前記スプリングバックに起因する吸着面側の
凹凸が表面側に現れるということはなく、ウェーハ9は
研摩砥石16.17により両面に渡って平坦に研摩され
る。
When polishing this cut surface, the surface (cut surface) of the wafer 9 is polished by the second polishing wheel 17 because the surface that has already been polished flat is suctioned to the suction table 19 as described above. Even after the suction of the wafer 9 is released, the unevenness on the suction surface side caused by the springback does not appear on the surface side, and the wafer 9 is flattened on both sides by the polishing wheels 16 and 17. Polished.

この第2の研摩砥石17による研摩が完了した後に、そ
のウェーハ9は下流位置で搬送用吸着テーブル18に引
き渡され、洗浄等の所望の工程位置へ運ばれる。
After the polishing by the second polishing whetstone 17 is completed, the wafer 9 is transferred to a transfer suction table 18 at a downstream position, and is transported to a desired process position such as cleaning.

前記のように末弟2の実施例は前記第1の実施例と同様
な効果を得る他に、切断加工ライン上でウェーハの切り
出しとその切り出されたウェーハの両面に渡る研摩が連
続して行われることとなり、ウェーハ9の処理工程が効
率化されるという新たな効果が得られる。
As mentioned above, in addition to obtaining the same effects as the first embodiment, the second and youngest embodiment also continuously performs wafer cutting and polishing on both sides of the cut wafer on the cutting line. As a result, a new effect can be obtained in that the processing steps for the wafer 9 are made more efficient.

本発明は上記各実施例に限定されることはなく様々な実
施の態様を取り得る。例えば、上記各実施例では、半導
体材料6から切り出されたウェーハ9を受は取る吸着テ
ーブル19を半導体材料6の切り込み方向の移動に連続
して追従移動させ、吸着テーブルの吸着面を半導体材料
6の研摩端面に対向させているが、これと異なり、吸着
テーブル19を追従移動させずにウェーハ9の切り出し
完了位置に待機させておき、切り出されたウェーハ9を
その位置で受は取るように構成してもよい、また、研摩
砥石16.17はホイールタイプに限らず、ヘルドタイ
プのものでもよい。またさらに、バンドソー表面に、研
摩砥石を電着等の手段で、固着し、バンドソー自体に研
摩機能を持たせてもよい。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can take various embodiments. For example, in each of the above embodiments, the suction table 19 for receiving and receiving the wafer 9 cut out from the semiconductor material 6 is moved continuously following the movement of the semiconductor material 6 in the cutting direction, and the suction surface of the suction table is moved to receive the wafer 9 cut out from the semiconductor material 6. However, unlike this, the suction table 19 is not moved to follow, but is kept waiting at a position where cutting out of the wafer 9 is completed, and the cut out wafer 9 is received at that position. Furthermore, the polishing wheels 16 and 17 are not limited to the wheel type, but may be of the heald type. Furthermore, a polishing stone may be fixed to the surface of the band saw by electrodeposition or the like, so that the band saw itself has a polishing function.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は、半導体材料のスライスをバンドソーにより行
うように構成したものであるから、内周刃を用いる装置
に較べ装置構成の簡易化と装置の小型化を図ることがで
き、装置コストの低減が図れる。また、装置設計の自由
度を大きくできるので、切断加工ラインの情況に応じ装
置を最適形態に設計することができる。また、内周刃を
用いた装置ではスライスされたウェーハを装置内部から
取り出すための複雑な手順が必要となるが、本発明のバ
ンドソーを用いる方式ではこの複雑な手順は不要となる
から、作業の迅速化を達成でき、作業能率を高めること
ができる。
Since the present invention is configured to slice the semiconductor material using a band saw, the device configuration can be simplified and the device can be made smaller compared to a device using an internal peripheral blade, and the device cost can be reduced. I can figure it out. Further, since the degree of freedom in device design can be increased, the device can be designed in an optimal form depending on the situation of the cutting line. Additionally, equipment using an internal blade requires a complicated procedure to take out the sliced wafer from inside the equipment, but the method using the band saw of the present invention eliminates this complicated procedure, making the work easier. Speed can be achieved and work efficiency can be increased.

また、半導体材料は必ず端面が研摩された後でスライス
されるものであるから、切り出されたウェーへの切断面
を研摩する場合、切断前に研摩した面を吸着テーブルに
吸着させた状態で研摩を行えば、その表面(切断面)の
研摩完了後に、スプリングバック現象によって吸着側の
面の凹凸が表面側に現れるという従来の不都合は確実に
防止でき、ウェーハの両面に渡り精度のよい平坦な研摩
面が得られることになる。
In addition, since semiconductor materials are always sliced after their end faces are polished, when polishing the cut surfaces of cut out waes, the polished surfaces are adsorbed on a suction table before being polished. By doing this, the conventional problem of unevenness appearing on the suction side surface due to the springback phenomenon after the polishing of the surface (cut surface) is completed can be reliably prevented. A polished surface will be obtained.

このウェーハの切断面の研摩に際し、その研摩を行う専
用の研摩砥石(第2の研摩砥石)を切断加工ライン上に
配設した構成では、半導体材料のスライスと切り出され
たウェーハの研摩を連続的に行うことができ、ウェーハ
加工の処理工程は大幅に効率化されることになる。
When polishing the cut surface of the wafer, in a configuration in which a dedicated polishing wheel (second polishing wheel) for polishing is placed on the cutting line, the semiconductor material is sliced and the cut wafer is polished continuously. This will greatly improve the efficiency of the wafer processing process.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例を示す斜視構成図、第2
図および第3図は同実施例におけるバントソーと研摩砥
石との配置例を示す説明図、第4図は本発明の第2実施
例を示す構成説明図、第5図は内周刃を用いた半導体材
料の切断装置を示す断面説明図、第6図は内周刃の説明
図、第7図は半導体材料から切り出されたウェーハの切
断面の研摩態様を示す説明図である。 ■・・・基台、2・・・切れ刃、3・・・穴、4・・・
内周刃、5・・・ホルダ、6・・・半導体材料、7・・
・吸着テーブル、8・・・中心孔、9・・・ウエーノ1
.9a・・・吸着面、lO・・・チャックテーブル、1
1・・・研摩砥石、12・・・ノくンドソー、12a・
・・端面、13・・・基板、14・・・駆動プーリ、1
5・・・従動プーリ、16・・・研摩砥石(第1の研摩
砥石)、17・・・第2の研摩砥石、18・・・搬送用
吸着テーブル、19・・・吸着テーブル。 出願人   株 式 会 社  デ ィ ス コ代理人
   弁  理  士  五十嵐   清第1区 !2 第4巳
FIG. 1 is a perspective configuration diagram showing the first embodiment of the present invention;
3 and 3 are explanatory diagrams showing an example of the arrangement of the bunt saw and the grinding wheel in the same embodiment, FIG. 4 is an explanatory diagram showing the configuration of the second embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view showing a semiconductor material cutting device, FIG. 6 is an explanatory view of an inner peripheral blade, and FIG. 7 is an explanatory view showing a polishing mode of a cut surface of a wafer cut out from a semiconductor material. ■... Base, 2... Cutting edge, 3... Hole, 4...
Inner peripheral blade, 5... Holder, 6... Semiconductor material, 7...
・Suction table, 8... Center hole, 9... Ueno 1
.. 9a...Adsorption surface, lO...Chuck table, 1
1... Polishing whetstone, 12... Nokundo saw, 12a.
... End face, 13 ... Board, 14 ... Drive pulley, 1
5... Driven pulley, 16... Grinding wheel (first grinding wheel), 17... Second grinding wheel, 18... Suction table for transportation, 19... Suction table. Applicant Stock Company Disco Agent Patent Attorney Igarashi Kiyoshi 1st District! 2 Fourth Snake

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体材料をスライスしてウェーハを切り出す切
断方法において、半導体材料の端面を研摩し、この研摩
完了後に当該半導体材料をバンドソーによってスライス
することを特徴とする半導体材料からのウェーハ切り出
し加工方法。
(1) A cutting method for cutting out a wafer by slicing a semiconductor material, which comprises polishing the end face of the semiconductor material, and slicing the semiconductor material using a band saw after the polishing is completed.
(2)半導体材料をスライスするバンドソーと、このバ
ンドソーの近傍に配置され、半導体材料の端面を研摩す
る研摩砥石と、を含むことを特徴とする半導体材料から
のウェーハ切り出し加工装置。
(2) A processing device for cutting out a wafer from a semiconductor material, comprising a band saw for slicing the semiconductor material, and a polishing wheel disposed near the band saw for polishing the end face of the semiconductor material.
(3)半導体材料の端面を研摩し、この研摩完了後に当
該半導体材料をバンドソーによってスライスしてウェー
ハを切り出し、この切り出したウェーハを研摩されてい
る側の面を吸着面としてウェーハ吸着手段によって吸着
保持し前記バンドソーによる切断面を研摩砥石によって
研摩することを特徴とする半導体材料からのウェーハ切
り出し加工方法。
(3) Polish the end face of the semiconductor material, and after completing this polishing, slice the semiconductor material with a band saw to cut out a wafer, and hold the cut wafer by suction with a wafer suction means with the polished side as the suction surface. A method for cutting out a wafer from a semiconductor material, comprising polishing the cut surface by the band saw with a grindstone.
(4)半導体材料の端面を研摩する第1の研摩砥石と、
この第1の研摩砥石によって一端面が研摩された半導体
材料をスライスするバンドソーと、このバンドソーによ
って半導体材料から切り出されたウェーハを研摩面側か
ら吸着保持するウェーハ吸着手段と、このウェーハ吸着
手段によって吸着されているウェーハの前記バンドソー
による切断面を研摩する第2の研摩砥石とが配列されて
いることを特徴とする半導体材料からのウェーハ切り出
し加工装置。
(4) a first polishing wheel for polishing the end face of the semiconductor material;
A band saw for slicing the semiconductor material whose one end surface has been polished by the first polishing grindstone; a wafer suction means for suctioning and holding the wafer cut from the semiconductor material by the band saw from the polished surface side; A wafer cutting processing apparatus from a semiconductor material, characterized in that a second polishing wheel for polishing the cut surface of the wafer cut by the band saw is arranged.
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JP2007250962A (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Disco Abrasive Syst Ltd Manufacturing method of wafer
US7637801B2 (en) 2000-09-28 2009-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha Method of making solar cell

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