JPH01238014A - 間隙制御式露光方法及び装置 - Google Patents

間隙制御式露光方法及び装置

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Publication number
JPH01238014A
JPH01238014A JP63063194A JP6319488A JPH01238014A JP H01238014 A JPH01238014 A JP H01238014A JP 63063194 A JP63063194 A JP 63063194A JP 6319488 A JP6319488 A JP 6319488A JP H01238014 A JPH01238014 A JP H01238014A
Authority
JP
Japan
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mask
gap
substrate
wafer
directions
Prior art date
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Pending
Application number
JP63063194A
Other languages
English (en)
Inventor
Motoya Taniguchi
素也 谷口
Minoru Ikeda
稔 池田
Ryuichi Funatsu
隆一 船津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63063194A priority Critical patent/JPH01238014A/ja
Publication of JPH01238014A publication Critical patent/JPH01238014A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、間隙制御露光方法及び装置、特に、マスクに
半導体ウェハ、プリント基板、液晶用ガラス基板等(以
下、基板と称する)を近接させ、両者の間隙を制御した
状態で、マスクのパタンを基板に転写する間隙制御露光
方法及び装置に関するものである。
〔従来の技術〕
例えば、特公昭58−7055号公報には、ウェハを走
査してウェハ上の各点の高さを測定する測定手段と、ウ
ェハ上の各点の高さの値を記憶する記憶手段と、マスク
の下までウェハを移動させ、記憶手段の記憶しているウ
ェハ上の各点の高さに応じてマスクとウェハのギャップ
(間隙)をコントロールする移動手段とを設けた間隙制
御露光装置が開示されており、この装置を用いることに
よって、ウェハの周辺部でもマスクとウェハのギャップ
設定が可能となり、ウェハ全面についてマスクのパター
ンの正しい転写が行われる旨記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述の間隙制御露光装置によって測定されるものは、ウ
ェハまでのギャップであり、マスクとウェハとの相対的
なギャップを測定していない。そのため、マスク自身に
そり、たわみ、あるいは変形が生じた場合にはギャップ
の測定精度が低下する。すなわち、このような場合のギ
ャップ測定精度に対しては配慮がなされていなかった。
本発明は、従来技術の欠点をなくし、マスクのパターン
転写精度を向上するようにした間隙制御式露光方法及び
装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上述の課題を解決するためにとられた本発明の間隙制御
式露光方法の主たるものの構成は、マスクに基板を近接
させ、両者の間隙を制御した状態で、前記マスクのパタ
ンを前記基板に転写する間隙制御式露光方法において、
互いに直角をなす三方向を、それぞれX、Y、Z方向と
したとき、前記基板をX、Y方向に駆動され、Z方向に
調整可能な基板固定台に固定する工程と、2方向に調整
可能なマスク固定台に固定されている前記基板との間隙
測定用の間隙検出器により前記基板との距離を測定、調
整する工程と、前記基板固定台を前記マスク固定台の下
部に移動させ、該基板固定台に固定されている前記マス
クとの間隙測定用の間隙検出器を用い前記マスクとの距
離を測定、調整する工程とを有し、前記基板と前記マス
クとを平行に保つことを第1の特徴とし、前記マスクが
固定されるZ方向に調整可能なマスク固定台に、該マス
クと外形寸法、形状のほぼ等しい部材板状体に設けられ
た少なくとも一箇所の凹所内に非接触形の微小変位計を
組み込んである較正用プレートを取り付ける工程と、前
記基板をXY力方向駆動され、Z方向に調整可能な基板
固定台に固定する工程と、該基板固定台を前記マスク固
定台較正用プレートの下部に移動させ前記基板固定台に
固定されている間隙検出器を用いて前記基板と前記較圧
用プレートとの距離を間隙測定用の間隙検出器により測
定、調整する工程とを有し、前記基板と前記マスクとを
所望の間に間隙制御することを第2の特徴とし、さらに
第1の特徴と第2の特徴とを合せ有することを第3の特
徴とするものであり。
本発明の間隙制御式露光装置の主たるものは、マスクに
基板を近接させ、両者の間隙を制御した状態で、前記マ
スクのパタンを前記基板に転写する間隙制御式露光装置
において、互いに直角をなす三方向をそれぞれx、y、
’z力方向したとき、X。
Y方向に移動可能に組み合されたテーブル上にZ方向駆
動手段が取り付けられている前記ウェハ固定手段と、前
記テーブルに固定されている非接触形の微小変位計と、
Z方向駆動手段が取り付けられている前記マスクの固定
手段と、該マスクの固定手段に固定されている非接触形
の微小変位計とを有していることを特徴とするものであ
る。
〔作用〕
この発明の間隙制御露光方法では、ウェハステージを、
ウェハ測定用のギャップセンサ(間隙検出器)の下で走
査し、ウェハまでのギャップが均一となるように、ウェ
ハの高さ制御を行なう。次に、ウェハステージに固定し
たマスク測定用のギャップセンサで、マスクまでのギャ
ップが均一となるように、マスクの高さ制御を行なうの
で、ウェハとマスクとを平行に保つことができる。
また、マスクとほぼ同一の厚さでかつ、その中央にギャ
ップセンサを組み込んだ較正用プレート全、マスクの替
りにマスクステージに取付け、この較正用プレートまで
のギャップをマスク測定用のギャップセンサで、マスク
までのギャップと同一の値となるように、較正用プレー
トの高さを制御する。この状態で、較正用プレート内に
組み込んだギャップセンサで較正用プレートとウェハと
のギャップをal!I定し、この値と、ウェハ測定用の
ギャップセンサの値とから、所望のギャップに対するウ
ェハ高さの制#量が決定され、マスクとウェハとの実際
のギャップを校正することができる。
従って、これらの動作によりギャップの校正が完了すれ
ば、以後はマスクとウェハとを所望の値に間隙制御して
露光することが可能となる。
〔実施例〕
以下、実施例を第1〜第7図を用いて説明する。
これらの図で同一の部には同一の符号が付しである。
第1図は斜視図、第2図は断面図で、1はウェハステー
ジで、レール2上をY軸方向に直進移動可能なYテーブ
ル3と、Yテーブル3上をX軸方向に直進移動可能なX
テーブル4と、Xテーブル4上に設けられた3個のウェ
ハ上下駆動装置5A。
5B及び5Cにより上下及び傾斜方向に位置決め制御可
能で、ウェハ6を真空吸着可能なウェハチャック7とよ
りなっている。8は露光光源及びマスク9とウェハ6と
のアライメントの検出を行なう光学系等が設けられてい
る露光チェンバで、露光チェンバー8には下面の露光中
心の位置に設けられた3個のマスク上下駆動装置10A
、IOB及びIOCにより上下方向及び傾斜方向に位置
決め制御可能で、マスク9を真空吸着可能なマスクステ
ージ11が設けられている。
12はXテーブル4上に固定されているマスク測定用ギ
ャップセンサで、マスク9の表面までのギャップを測定
するための非接触形の微小変位計で、Xテーブル4とと
もに、平面内を移動できるようになっており、13はウ
ェハステージ1の上方に、僅かな間隙を隔てた位置に、
露光チェンバ8のセンサホルダ14に取り付けられてい
るウェハ測定用のギャップセンサであり、15はマスク
測定用のギャップセンサ12の検出結果に応じて、ウェ
ハチャック7のウェハ上下駆動装置5A。
5B、5Cを制御し、ウェハ測定用のギャップセンサ1
3の検出結果に応じてマスクステージ11のマスク上下
駆動装置10A、IOB、IOCを制御するコントロー
ラであり、gはギャップ寸法を示している。
次に、この装置を用い、ウェハ6とマスク9との間隙制
御を行なう方法について説明する。
ウェハ6は、ウェハチャック7に設けた真空みぞ7aに
より真空吸着し、この状態で、ウェハ測走用のギャップ
センサ13の下部において、Xテーブル4及びYテーブ
ル3を平面移動し、ウェハ6上の複数点、例えば3点に
おけるギャップをウェハt1す走用のギャップセンサ1
3で測定する。
ウェハ?11す走用のギャップセンサ13の各11tl
l定点の謂定値が一定値Vwとなるように、ウェハチャ
ック7を3つのウェハ上下駆動装置5A、5B。
5Cで駆動することにより、ウェハ6の表面が、ギャッ
プセンサ13に対して平行になるように制御する。
次に、ウェハステージ7を、平面移動し、Xテーブル4
上に固定したマスク測定用のギャップセンサ12がマス
クステージ11に設けた真空みぞLlaにより真空吸着
されているマスク9の下になるように移動させ、マスク
測定用のギャップセンサ12で、マスク9の表面の複数
個所、例えば3点を測定する。そして、この泪す定値(
電圧値)が一定値V、どなるようにマスク上下駆動装置
10A、IOB、IOCでマスクステージ11を制御す
ることにより、マスク9はマスク測定用のギャップセン
サ12の走行平面に対して平行に制御されたことになる
なお、ウェハ測定用のギャップセンサ13及びマスク測
定用のギャップセンサ12は、例えば、静電容量形微小
変位計が適当であり、これは、所定のスタンドオフギャ
ップ(例えば、100μm市後)を中心に、±50μm
に対して±IOV程度の電圧の変化が得られるものであ
る。なお、ギャップセンサの種類としては、静電容量形
変位計。
エアマイクロメータ、渦電流形変位計、あるいは、反射
光量刑変位計等があげられるが、被測定物の基板の表面
状態、材質、及び変形性等により、目標とする精度を達
成できるものを選択すればよい。
上述の操作により、ウェハ6とマスク9とが平行に保た
れたことになるが、相互の絶対的なギャップ寸法gは、
上述の電圧Vw、及びV、により変化する。このため、
このギャップ寸法gを正確に設定するための較正が必要
である。次にその較正方法について説明する。
第3図及び第4図はそれぞれ較正に用いるギャップ測定
用の較正用プレート16の断面図及び平面図で、マスク
9(第2図参照)の厚さTと等しい厚さで、中央部に厚
さTより薄形の、例えば非接触形微小変位計よりなる。
ギャップセンサ17を組み込んだものであるが、非接触
形微小変位計は複数個所に設けるようにしてもよい。こ
の較正用プレート16はマスク9と同様にマスクステー
ジ11に吸着固定されるので、外径、形状も同構造にす
るとよい。そして、上面16a、下面16bとも、高精
度、例えば、平面度、平行度とも0.571 m以下程
度に、鏡面仕上した金属製が好ましい。
一方、このギャップセンサ17としては、ウェハd1す
走用のギャップセンサ13、あるいは、マスク測定用の
ギャップセンサ12と同様の、静電容量形変位計が、精
度上、好ましいが、限定するものではない。
校正用プレート16に組み込んだギャップセンサ17の
出力の零調整を行なうには、第5図に示す如く、校正用
プレート16を、平面度のより鏡面仕上げした金属板1
8の表面18aに押しあて、この時のギャップセンサ1
7の出力電圧v、′をovとなるようにする。
以上の準備をあらかじめ行なった較正用プレート16を
、第6図に示すように、マスク9のがわりにマスクステ
ージ11に真空吸着により固定する。次にウェハステー
ジ1を較正用プレート16の下で平面走査し、マスク測
定用のギャップセンサ12で、較正用プレート16の下
面16bを複数点、例えば、マスク9を測定したと同一
位置を測定し、この出力電圧が、各測定点で全て第2図
によって示したマスク9の測定電圧V、どなるように、
マスクの上下駆動機構10A、IOB。
10Cを制御する。すなわち、この動作により。
マスク9の下面(パターン形成面)とこの較正用゛プレ
ート16の下面16bとを同一面とすることができる。
次に、第7図に示すように、ウェハ6をウェハステージ
1で、較正用プレート16の下で、走査し、その時のギ
ャップセンサ17の出力電圧■、′を測定する。
本実施例の露光方法は、ウェハ6にマスク9のパターン
をステップ&リピート方式で露光するので、この測定は
、ステップ&リピート毎のウェハ6の位置で行なうこと
により、各露光ショット位置でのマスク9とウェハ6と
のギャップを測定することができる。較正用プレート1
6とウェハ6とのギャップ寸法gは、出力電圧V 、1
  に相当するギャップであり、各露光位置毎のギャッ
プ寸法gの平均値となる出力電圧V m a ’ とす
る。
以上の測定により、現在のギャップ寸法gと、ウェハ測
定用のギャップセンサ13の出力電圧Vwとの関係が求
められたことになる。
すなわち、マスク9とウェハ6とのギャップ寸法gを所
望の値g′にするには、第2図によって示したウェハ6
の高さ制御時に、ウェハ測定用のギャップセンサ13の
出力電圧Vwをg−g’に相当する電圧だけ増減した電
圧値V m ’  になるように、ウェハ6の高さをウ
ェハ上下駆動装置5A。
5B、5Cで制御すればよいことになる。
なお、以上述べた、ギャップ校正は、原理的には、1度
行なえばよいが、装置の温度変化による各ギャップセン
サの出力ドリフト等により校正精度が低下する可能性が
あるため、定期的に実施することが望ましい。
この実施例の間隙露光式露光方法によれば、マスクに形
成して回路パターンをウェハ等の基板上に近接露光によ
り転写する露光装置において、マスクとウェハとの間隙
を、所望の値に高精度に制御して露光できるため、半導
体ウェハの露光装置のみならず、プリント基板、液晶基
板等の露光装置に応用することにより、パターン転写績
・度が向上し、歩留りを大幅に向上することができ、X
線を用いる露光装置にも使用することができる。
〔発明の効果〕
本発明は、マスクのパターン転写精度を向上することが
できる間隙制御式露光方法及び装置を提供可能とするも
ので、産業上の効果の大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の間隙制御式露光方法の一実施例を実施
する装置の要部の斜視図、第2図は同じく使用状態の断
面図、第3図は同じく一実施例を実施する際に用いるギ
ャップ測定用の較正用プレートの断面図、第4図は同じ
く平面図、第5図は同じく較正用プレートの調整方法を
説明する断面図、第6図及び第7図は、第3図及び第4
図の較正用プレートを用いる本発明の間隙制御式露光方
法の一実施例のそれぞれ異なる状態の断面図である。 −1・・・ウェハステージ、3・・・Yテーブル、4・
・・Xテーブル、5A、5B、5C・・・ウェハ上下駆
動装置6・・・ウェハ、7・・・ウェハチャック、8・
・露光チェンバ、9・・・マスク、IOA、IOB、I
OC山マスク上下駆動装−111・・・マスクステージ
、12・・(マスク測定用の)ギャップセンサ、14・
・・(ウェハ測定用の)ギャップセンサ、15・・・コ
ントローラ、16・・・較正用プレート、17・・・ギ
ャップセンサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、マスクに基板を近接させ、両者の間隙を制御した状
    態で、前記マスクのパタンを前記基板に転写する間隙制
    御式露光方法において、互いに直角をなす三方向をそれ
    ぞれ、X、Y、Z方向としたとき、前記基板をX、Y方
    向に駆動され、Z方向に調整可能な基板固定台に固定す
    る工程と、Z方向に調整可能なマスク固定台に固定され
    ている前記基板との間隙測定用の間隙検出器により前記
    基板との距離を測定、調整する工程と、前記基板固定台
    を前記マスク固定台の下部に移動させ、該基板固定台に
    固定されている前記マスクとの間隙測定用の間隙検出器
    を用い前記マスクとの距離を測定、調整する工程とを有
    することを特徴とする間隙制御式露光方法。 2、マスクに基板を近接させ、両者の間隙を制御した状
    態で、前記マスクのパタンを前記基板に転写する間隙制
    御露光方法において、互いに直角をなす三方向をそれぞ
    れX、Y、Z方向としたとき、前記マスクが固定され、
    Z方向に調整可能なマスク固定台に、該マスクと外形寸
    法、形状のほぼ等しい板状体に設けられた少なくとも一
    箇所の凹所内に非接触形の微小変位計を組み込んである
    較正用プレートを取り付ける工程と、前記基板をXY方
    向に駆動され、Z方向に調整可能な基板固定台に固定す
    る工程と、該基板固定台を前記マスク固定台較正用プレ
    ートの下部に移動させ、前記基板固定台に固定されてい
    る間隙検出器を用いて前記基板と前記較正用プレートと
    の距離を測定、調整する工程とを有することを特徴とす
    る間隙制御式露光方法。 3、特許請求の範囲第1項記載の各工程の後に、特許請
    求の範囲第2項記載の各工程を行なうことを特徴とする
    間隙制御式露光方法。 4、前記間隙制御式露光方法が、X線を用いる露光方法
    である特許請求の範囲第1項又は第2項又は第3項記載
    の間隙制御式露光方法。 5、マスクに基板を近接させ、両者の間隙を制御した状
    態で、前記マスクのパタンを前記基板に転写する間隙制
    御式露光装置において、互いに直角をなす三方向をそれ
    ぞれX、Y、Z方向としたとき、X、Y方向に移動可能
    に組み合されたテーブル上にZ方向駆動手段が取り付け
    られている前記ウェハ固定手段と、前記テーブルに固定
    されている非接触形の微小変位計と、Z方向駆動手段が
    取り付けられている前記マスクの固定手段と、該マスク
    の固定手段に固定されている非接触形の微小変位計とを
    有していることを特徴とする間隙制御式露光装置。 6、特許請求の範囲第5項の微小変位形の全て又は一部
    が、静電容量形微小変位計である間隙制御式露光装置。 7、前記マスクと外形寸法、形状のほぼ等しい板状体に
    設けられた少なくとも一箇所の凹所内に非接触形の微小
    変位計を組み込んである特許請求の範囲第5項の間隙制
    御式露光装置で使用する較正用プレート。 8、特許請求の範囲第7項の微小変位計の全て又は一部
    が、静電容量形微小変位計である較正用プレート。
JP63063194A 1988-03-18 1988-03-18 間隙制御式露光方法及び装置 Pending JPH01238014A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013257528A (ja) * 2012-05-17 2013-12-26 Ulvac Japan Ltd 露光装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013257528A (ja) * 2012-05-17 2013-12-26 Ulvac Japan Ltd 露光装置

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