JPH01234383A - 超伝導体装置のアニール装置 - Google Patents
超伝導体装置のアニール装置Info
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- JPH01234383A JPH01234383A JP63058852A JP5885288A JPH01234383A JP H01234383 A JPH01234383 A JP H01234383A JP 63058852 A JP63058852 A JP 63058852A JP 5885288 A JP5885288 A JP 5885288A JP H01234383 A JPH01234383 A JP H01234383A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、シリコン半導体やガリウムヒ素等の化合物半
導体などの半導体と超伝導体（特に高温超伝導体）とを
複合化して構成される超伝導体装置のアニール装置に関
し、 半導体と超伝導体とを複合化してなる超伝導体装置をア
ニールする装置において、半導体の品質に影響を与える
ことなく、超伝導体のみを選択的に加熱してアニールし
うるアニール装置を提供することを目的とし、 半導体と超伝導体とが複合化されてなる超伝導体装置を
酸素ガスが充填された外囲器内に置き、超伝導体のみの
加熱に作用する周波数の高周波電力を出力する高周波加
熱装置により超伝導体を選択的に加熱するよう構成した
。
導体などの半導体と超伝導体（特に高温超伝導体）とを
複合化して構成される超伝導体装置のアニール装置に関
し、 半導体と超伝導体とを複合化してなる超伝導体装置をア
ニールする装置において、半導体の品質に影響を与える
ことなく、超伝導体のみを選択的に加熱してアニールし
うるアニール装置を提供することを目的とし、 半導体と超伝導体とが複合化されてなる超伝導体装置を
酸素ガスが充填された外囲器内に置き、超伝導体のみの
加熱に作用する周波数の高周波電力を出力する高周波加
熱装置により超伝導体を選択的に加熱するよう構成した
。
本発明は、シリコン半導体やガリウムヒ素等の化合物半
導体などの半導体と超伝導体（特に高温超伝導体）とを
複合化して構成される超伝導体装置のアニール装置に関
する。
導体などの半導体と超伝導体（特に高温超伝導体）とを
複合化して構成される超伝導体装置のアニール装置に関
する。
超伝導体は転移温度を臨界点として電気抵抗ゼ口の特性
を示すものであるため、配線材料として好適である。配
線材料としての用途を考えた場合に問題となるのは、転
移温度である。現在のところ高い転移温度を示す超伝導
体としては、Ｌａ５ｒＣｕＯ系、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３０ｘ
系、−Ｘ２４ Ｂ！Ｉ ５ｒ１Ｃａ１Ｃｕ２ Ｏｘ系等のものが提示さ
れている。かかる高温超伝導体をトランジスタ、ダイオ
ード等の半導体デバイスの配線材料として用いた場合に
、配線材料での電力損失、またその電力消費による発熱
、伝号の伝達速度向上による動作の高速化において有利
となる。このような高温超伝導体と半導体との複合化に
つき研究が進められている。
を示すものであるため、配線材料として好適である。配
線材料としての用途を考えた場合に問題となるのは、転
移温度である。現在のところ高い転移温度を示す超伝導
体としては、Ｌａ５ｒＣｕＯ系、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３０ｘ
系、−Ｘ２４ Ｂ！Ｉ ５ｒ１Ｃａ１Ｃｕ２ Ｏｘ系等のものが提示さ
れている。かかる高温超伝導体をトランジスタ、ダイオ
ード等の半導体デバイスの配線材料として用いた場合に
、配線材料での電力損失、またその電力消費による発熱
、伝号の伝達速度向上による動作の高速化において有利
となる。このような高温超伝導体と半導体との複合化に
つき研究が進められている。
しかし、半導体と超伝導体とを複合化する場合に問題と
なるのは、超伝導体のアニールにより半導体が損傷され
てしまう点である。
なるのは、超伝導体のアニールにより半導体が損傷され
てしまう点である。
すなわち、超伝導体の製造に当って最終的に超伝導特性
を得るためには、ペロブスカイト構造にする必要がある
。そのためには各物質を焼結した後アニールする必要が
ある。このアニールは高温（約９００℃）下で数〜数十
時間性なわれる。かかる高温下に半導体をさらすことは
半導体と超伝導体とが反応したり、熱拡散等により当該
半導体が損傷することとなる。
を得るためには、ペロブスカイト構造にする必要がある
。そのためには各物質を焼結した後アニールする必要が
ある。このアニールは高温（約９００℃）下で数〜数十
時間性なわれる。かかる高温下に半導体をさらすことは
半導体と超伝導体とが反応したり、熱拡散等により当該
半導体が損傷することとなる。
本発明は、半導体と超伝導体とを複合化してなる超伝導
体装置をアニールする装置において、半導体の品質に影
響を与えることなく、超伝導体のみを選択的に加熱して
アニールしうるアニール装置を提供することを目的とす
る。
体装置をアニールする装置において、半導体の品質に影
響を与えることなく、超伝導体のみを選択的に加熱して
アニールしうるアニール装置を提供することを目的とす
る。
上記課題を解決するために、本発明は半導体と超伝導体
とが複合化されてなる超伝導体装置を酸素ガスが充填さ
れた外囲器内に置き、超伝導体のみの加熱に作用する周
波数の高周波電力を出力する高周波加熱装置により超伝
導体を選択的に加熱するよう構成した。
とが複合化されてなる超伝導体装置を酸素ガスが充填さ
れた外囲器内に置き、超伝導体のみの加熱に作用する周
波数の高周波電力を出力する高周波加熱装置により超伝
導体を選択的に加熱するよう構成した。
超伝導体装置を外囲器内に置き、酸素ガス霧囲器中にお
いて、高周波加熱装置により高周波電力を与える。この
とき、高周波電力の周波数は半導体の加熱に寄与する値
ではなく、当該高周波電力は超伝導体にのみ作用する。
いて、高周波加熱装置により高周波電力を与える。この
とき、高周波電力の周波数は半導体の加熱に寄与する値
ではなく、当該高周波電力は超伝導体にのみ作用する。
このように、超伝導体のみを選択的に加熱することがで
きるので、半導体への熱の影響を防止することができる
。
きるので、半導体への熱の影響を防止することができる
。
次に、本発明に係る実施例を図面に基づいて説明する。
ｌよ叉隻頂
第１図に本発明に係る超伝導体のアニール装置の第１実
施例を示す。
施例を示す。
まず、超伝導体装置１について述べる。超伝導体装置１
は、例えばシリコン半導体、ガリウムヒ素等の化合物半
導体（以下、単に半導体という、）ウェーハ２上に薄膜
高温超伝導体３が積層されて複合化の形をとっている。
は、例えばシリコン半導体、ガリウムヒ素等の化合物半
導体（以下、単に半導体という、）ウェーハ２上に薄膜
高温超伝導体３が積層されて複合化の形をとっている。
この薄膜高温超伝導体３は、以後のプロセスにおいてパ
ターニングされ、例えば、配線材に供される。
ターニングされ、例えば、配線材に供される。
かかる超伝導体１のアニール装置は、酸素ガスが導入可
能に形成された石英チューブ等の外囲器４と、超伝導体
装置１を外囲器４内において保持する熱伝導性のよい支
持体５と、この支持体５内に設けられた加熱し−タ（半
導体２の加熱用）６と、外囲器４の外周に巻回された高
周波加熱コイル７と、この高周波加熱コイル７に所定周
波数ｆの（数Ｍ〜Ｇ Ｈｚ ）高周波電力を供給するＲ
Ｆ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ）発生源８と、
を備えて構成される。上記高周波加熱コイル７とＲＦ発
生源８とにより高周波加熱装置が構成される。
能に形成された石英チューブ等の外囲器４と、超伝導体
装置１を外囲器４内において保持する熱伝導性のよい支
持体５と、この支持体５内に設けられた加熱し−タ（半
導体２の加熱用）６と、外囲器４の外周に巻回された高
周波加熱コイル７と、この高周波加熱コイル７に所定周
波数ｆの（数Ｍ〜Ｇ Ｈｚ ）高周波電力を供給するＲ
Ｆ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ）発生源８と、
を備えて構成される。上記高周波加熱コイル７とＲＦ発
生源８とにより高周波加熱装置が構成される。
加熱し−タ６は、図示しないが、支持体５に取付けられ
た磁気誘導の影響を受けない熱電対等の温度検出器と、
その温度検出器からの検出信号に基づいて加熱温度を一
定に保つよう加熱し−タ６への供給電力を制御する温度
制御装置とによってフィードバックコントロールされる
。
た磁気誘導の影響を受けない熱電対等の温度検出器と、
その温度検出器からの検出信号に基づいて加熱温度を一
定に保つよう加熱し−タ６への供給電力を制御する温度
制御装置とによってフィードバックコントロールされる
。
なお、温度検出器は上記のように接触式ではなく、石英
チューブの外囲器４の外側から検出可能な光パイロメー
タ等を使用して非接触検出方式としてもよい。
チューブの外囲器４の外側から検出可能な光パイロメー
タ等を使用して非接触検出方式としてもよい。
外囲器４の一方の端部にはヒンジａｉ構等により開閉可
能とされた出入口１５が設けられており、この出入口１
５を介して支持体５が外囲器４の内外に出入可能となっ
ている。
能とされた出入口１５が設けられており、この出入口１
５を介して支持体５が外囲器４の内外に出入可能となっ
ている。
次に、作用を説明する。半導体３のアニールは加熱ヒー
タ６により行う、加熱ヒータ６に通電すると、加熱し−
タ６に発生したジュール熱は支持体５を媒体として半導
体３に伝導され、半導体３が間接的に加熱される。この
ときの加熱温度は半導体３と超伝導体２とが反応しない
温度まで上昇させるものとし、フィードバックコントロ
ールにより適正な温度を一定に保つ。
タ６により行う、加熱ヒータ６に通電すると、加熱し−
タ６に発生したジュール熱は支持体５を媒体として半導
体３に伝導され、半導体３が間接的に加熱される。この
ときの加熱温度は半導体３と超伝導体２とが反応しない
温度まで上昇させるものとし、フィードバックコントロ
ールにより適正な温度を一定に保つ。
一方、ＲＦ発生源８により加熱コイル７に通電する。こ
の通電により、ＲＦ発生周波数ｆと同じ周波数の交番磁
界が外囲器４内に発生ずる。この交番磁界の磁力線は超
伝導体２を通過する際、超伝導体２内にうず電流を発生
せしめ、そのうず電流の交番振動によりジュール熱が発
生する。このジュール熱により超伝導体２は加熱アニー
ルされることとなる。このとき、加熱コイル７による磁
力線によっては半導体３および支持体５が加熱されるこ
とがない、その理由は次の通りである。
の通電により、ＲＦ発生周波数ｆと同じ周波数の交番磁
界が外囲器４内に発生ずる。この交番磁界の磁力線は超
伝導体２を通過する際、超伝導体２内にうず電流を発生
せしめ、そのうず電流の交番振動によりジュール熱が発
生する。このジュール熱により超伝導体２は加熱アニー
ルされることとなる。このとき、加熱コイル７による磁
力線によっては半導体３および支持体５が加熱されるこ
とがない、その理由は次の通りである。
電気伝導率を示す比抵抗の点から考えてみる。
高温超伝導体の比抵抗は、室温で数ｍΩ・ＣＩの値を示
す、これに対して、一般に半導体デバイスや基板に用い
られているシリコンやガリウムヒ素等の材料あるいは支
持体５を構成する材料の比抵抗は、上記超伝導体の比抵
抗に比べて大きな値を示す、比抵抗の値は結局において
自由電子の数に対応するものであり、超伝導体２の自由
電子の数は約１０２１／Ｃｌ１３で他の材料に比べて圧
倒的に多く、したがってそれだけ加熱され易いというこ
とができる。そして、ＲＦ発生源８により外囲器４内に
発生させる交番磁界の周波数ｆを超伝導体に適合する周
波数に選ぶことにより、超伝導体のみ高周波加熱を施し
、他の部材を加熱することがない。
す、これに対して、一般に半導体デバイスや基板に用い
られているシリコンやガリウムヒ素等の材料あるいは支
持体５を構成する材料の比抵抗は、上記超伝導体の比抵
抗に比べて大きな値を示す、比抵抗の値は結局において
自由電子の数に対応するものであり、超伝導体２の自由
電子の数は約１０２１／Ｃｌ１３で他の材料に比べて圧
倒的に多く、したがってそれだけ加熱され易いというこ
とができる。そして、ＲＦ発生源８により外囲器４内に
発生させる交番磁界の周波数ｆを超伝導体に適合する周
波数に選ぶことにより、超伝導体のみ高周波加熱を施し
、他の部材を加熱することがない。
加えて、超伝導体２は半導体３上に薄膜で設けられるな
め、選択周波数ｆを高域側に設定することにより表皮効
果によって薄膜の超伝導体２のみ選択的に加熱すること
ができる。
め、選択周波数ｆを高域側に設定することにより表皮効
果によって薄膜の超伝導体２のみ選択的に加熱すること
ができる。
ここで、高周波加熱による加熱の侵入深さδは、δ＝
□ ・・・（１）ｆＴｉｒ７１ｔ で与えられる。ここに、ｆはＲＦ周波数、σは導電率、
μは比透磁率である。上記（１）式より、ＲＦ周波数ｆ
を調整することにより、加熱の深さδを任意に調整可能
であることがわかる。
□ ・・・（１）ｆＴｉｒ７１ｔ で与えられる。ここに、ｆはＲＦ周波数、σは導電率、
μは比透磁率である。上記（１）式より、ＲＦ周波数ｆ
を調整することにより、加熱の深さδを任意に調整可能
であることがわかる。
以上述べたように、本実施例においては、加熱し−タ６
のジュール熱を支持体５を介して間接的に伝達せしめて
半導＃−３を加熱する。一方、超伝導体２に対しては高
周波加熱により直接的かつ選択的に加熱する。このよう
にして超伝導体２と半導体３とを相互に干渉ないしは悪
影響を与えることなく、加熱してアニールを行うことが
可能となる。
のジュール熱を支持体５を介して間接的に伝達せしめて
半導＃−３を加熱する。一方、超伝導体２に対しては高
周波加熱により直接的かつ選択的に加熱する。このよう
にして超伝導体２と半導体３とを相互に干渉ないしは悪
影響を与えることなく、加熱してアニールを行うことが
可能となる。
なお、上記実施例は、加熱し−タ６と高周波加熱装置（
ＲＦ発生源８、加熱コイル７）とを併用した例について
説明したが、超伝導体装置１を上記構成の高周波加熱装
置のみにて加熱するようにしてもよい。
ＲＦ発生源８、加熱コイル７）とを併用した例について
説明したが、超伝導体装置１を上記構成の高周波加熱装
置のみにて加熱するようにしてもよい。
星λＪＩＬ男
第２図に第２の実施例を示す、この第２実施例において
第１実施例（第１図）と異る点は、超伝導体２および半
導体３の両方共に高周波加熱によリアニールするよう構
成した点である。共通部分には同一の符号を附して以下
説明する。
第１実施例（第１図）と異る点は、超伝導体２および半
導体３の両方共に高周波加熱によリアニールするよう構
成した点である。共通部分には同一の符号を附して以下
説明する。
ＲＦ発生源としては、超伝導体２の加熱用のＲＦ発生源
（以下、第１ＲＦ発生源という、）９と、半導体３の加
熱用のＲＦ発生源（以下、第２ＲＦ発生源という、）１
０との２つが設けられている。第１ＲＦ発生源９のＲＦ
周波数ｆ１と第２ＲＦ発生源１０のＲＦ周波数ｆ２とは
それぞれ加熱対象に適合すべく相互に異なる値に設定さ
れる。
（以下、第１ＲＦ発生源という、）９と、半導体３の加
熱用のＲＦ発生源（以下、第２ＲＦ発生源という、）１
０との２つが設けられている。第１ＲＦ発生源９のＲＦ
周波数ｆ１と第２ＲＦ発生源１０のＲＦ周波数ｆ２とは
それぞれ加熱対象に適合すべく相互に異なる値に設定さ
れる。
第１ＲＦ発生源９からのＲＦ周波数ｆ１は、例えば数Ｍ
Ｈ〜ＧＨ２のオーダであり、第２ＲＦ発生涯１０のＲＦ
周波数ｆ２は、例えば数１０〜数１００ＫＨ７のオーダ
である６以上の各ＲＦ発生源９．１０にはそれぞれ外囲
器４の外周に二重に巻回された第１、第２の加熱コイル
１１．１２が接続されている。第１加熱コイル１１は第
１ＲＦ周波数ｆ１で励磁され、第２加熱コイル１２は第
２ＲＦ周波数ｆ２で励磁される。したがって、外囲器４
内には、第１ＲＦ周波数ｆ１の交番磁界と第２ＲＦ周波
数ｆ２交番磁界が存在することになる。超伝導体装置１
は半導体３を下にしてカーボンサセプタ１３上に載置さ
れる。カーボンサセプタ１３は支持体１４上に載置され
ている。なお支持体１４が外囲器４の開閉可能な出入口
１５側から出入り可能に構成されている点は第１実施例
の場合と同様である。
Ｈ〜ＧＨ２のオーダであり、第２ＲＦ発生涯１０のＲＦ
周波数ｆ２は、例えば数１０〜数１００ＫＨ７のオーダ
である６以上の各ＲＦ発生源９．１０にはそれぞれ外囲
器４の外周に二重に巻回された第１、第２の加熱コイル
１１．１２が接続されている。第１加熱コイル１１は第
１ＲＦ周波数ｆ１で励磁され、第２加熱コイル１２は第
２ＲＦ周波数ｆ２で励磁される。したがって、外囲器４
内には、第１ＲＦ周波数ｆ１の交番磁界と第２ＲＦ周波
数ｆ２交番磁界が存在することになる。超伝導体装置１
は半導体３を下にしてカーボンサセプタ１３上に載置さ
れる。カーボンサセプタ１３は支持体１４上に載置され
ている。なお支持体１４が外囲器４の開閉可能な出入口
１５側から出入り可能に構成されている点は第１実施例
の場合と同様である。
次に、作用を説明する。第１および第２のＲＦ発生源９
．１０により第１および第２の加熱コイル１１および１
２を励磁することにより、外囲器４内には第１ＲＦ周波
数ｆ１の交番磁界および第２ＲＦ周波数ｆ２の交番磁界
が生じる。
．１０により第１および第２の加熱コイル１１および１
２を励磁することにより、外囲器４内には第１ＲＦ周波
数ｆ１の交番磁界および第２ＲＦ周波数ｆ２の交番磁界
が生じる。
こ、のとき、第１ＲＦ周波数ｆ１の磁力線は超伝導体２
のみに作用して当該超伝導体２を直接的に加熱し、半導
体３およびカーボンサセプタ１３には作用しない、しか
し、第２ＲＦ周波数ｆ２の磁力線はカーボンサセプタ１
３に作用し、うず電流によるジュール熱を発生させるが
、超伝導体２には作用しない、このジュール熱は当該カ
ーボンサセプタ１３上に載置された半導体３に伝達され
、これによって半導体３は間接的に加熱される。
のみに作用して当該超伝導体２を直接的に加熱し、半導
体３およびカーボンサセプタ１３には作用しない、しか
し、第２ＲＦ周波数ｆ２の磁力線はカーボンサセプタ１
３に作用し、うず電流によるジュール熱を発生させるが
、超伝導体２には作用しない、このジュール熱は当該カ
ーボンサセプタ１３上に載置された半導体３に伝達され
、これによって半導体３は間接的に加熱される。
このように、ＲＦ周波数ｆ 、ｆ を適当な値に選
択することにより、前述の加熱対象の材料の比抵抗の相
違および表皮効果の作用によって、相互に独立して互に
干渉ないしは悪影響を与えることなく加熱アニールする
ことができる。
択することにより、前述の加熱対象の材料の比抵抗の相
違および表皮効果の作用によって、相互に独立して互に
干渉ないしは悪影響を与えることなく加熱アニールする
ことができる。
以上に述べた、第２実施例によれば、超伝導体２を第１
の高周波加熱装置（第１ＲＦ発生源９、第１加熱コイル
１１）により直接的に高周波加熱する、一方、半導体３
を第２の高周波加熱装置（第２ＲＦ発生源１０、第２加
熱コイル１２）によりカーボンサセプタ１３を介して間
接的に高周波加熱するものである。これにより、超伝導
体２と半導体３とを相互に独立して個別的に選択加熱す
ることができる。
の高周波加熱装置（第１ＲＦ発生源９、第１加熱コイル
１１）により直接的に高周波加熱する、一方、半導体３
を第２の高周波加熱装置（第２ＲＦ発生源１０、第２加
熱コイル１２）によりカーボンサセプタ１３を介して間
接的に高周波加熱するものである。これにより、超伝導
体２と半導体３とを相互に独立して個別的に選択加熱す
ることができる。
なお、図示してないが、各加熱温度を一定に保つために
、超伝導１４１′２に対する温度検出器および半導体３
に対する温度検出器をそれぞれ設け、各設定値になるよ
うフィードバック制御する構成とすることも可能である
。
、超伝導１４１′２に対する温度検出器および半導体３
に対する温度検出器をそれぞれ設け、各設定値になるよ
うフィードバック制御する構成とすることも可能である
。
以上述べた通り本発明によれば、半導体と超伝導体とが
複合化された状態で超伝導体のアニールを行う場合、半
導体の品質に影響を与えることなく、選択的に超伝導体
のみを加熱アニールすることができる。
複合化された状態で超伝導体のアニールを行う場合、半
導体の品質に影響を与えることなく、選択的に超伝導体
のみを加熱アニールすることができる。
第１図は本発明の第１実施例を示す断面図、第２図は本
発明の第２実施例を示す断面図である。 ｌ・・・超伝導体装置、 ２・・・超伝導体、 ３・・・半導体、 ４・・・外囲器、 ５・・・支持体、 ６・・・加熱し−タ、 ７・・・加熱コイル、 ８・・・ＲＦ発生源。 ４ｎｏ−
発明の第２実施例を示す断面図である。 ｌ・・・超伝導体装置、 ２・・・超伝導体、 ３・・・半導体、 ４・・・外囲器、 ５・・・支持体、 ６・・・加熱し−タ、 ７・・・加熱コイル、 ８・・・ＲＦ発生源。 ４ｎｏ−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体（３）と超伝導体（２）とが複合化されてなる
超伝導体装置（１）のアニール装置において、 前記超伝導体装置を不活性ガス霧囲気中に置くための外
囲器（４）と、 前記超伝導体装置のうち超伝導体の加熱に作用する周波
数の高周波伝力を出力する高周波加熱装置（７、８）と
、 を備えたことを特徴とする超伝導体装置のアニール装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058852A JPH01234383A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 超伝導体装置のアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058852A JPH01234383A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 超伝導体装置のアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01234383A true JPH01234383A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13096214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63058852A Pending JPH01234383A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 超伝導体装置のアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01234383A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010103280A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP63058852A patent/JPH01234383A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010103280A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
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