JPH0122753B2 - - Google Patents
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- JPH0122753B2 JPH0122753B2 JP58183445A JP18344583A JPH0122753B2 JP H0122753 B2 JPH0122753 B2 JP H0122753B2 JP 58183445 A JP58183445 A JP 58183445A JP 18344583 A JP18344583 A JP 18344583A JP H0122753 B2 JPH0122753 B2 JP H0122753B2
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- semiconductor laser
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/0624—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the near- or far field
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は注入電流を制御することにより、放射
ビームの偏向方向をスイツチすることができるよ
うにした半導体レーザに関する。
ビームの偏向方向をスイツチすることができるよ
うにした半導体レーザに関する。
半導体レーザは小型化、高効率化、高出力を可
能とする発光素子として光通信用光源に現在使用
され出している。光通信用光源には最初気体レー
ザが用いられ、その変調には超音波素子、電気光
学素子等の外部変調素子がこれまで用いられてき
た。
能とする発光素子として光通信用光源に現在使用
され出している。光通信用光源には最初気体レー
ザが用いられ、その変調には超音波素子、電気光
学素子等の外部変調素子がこれまで用いられてき
た。
これに対して半導体レーザでは注入する電流を
変調することにより出力光強度を変化させる所謂
直接変調が可能であり、したがつてシステム構成
の簡素化、信頼性の向上等が可能となり、実用上
極めて有効な手段となり得る。
変調することにより出力光強度を変化させる所謂
直接変調が可能であり、したがつてシステム構成
の簡素化、信頼性の向上等が可能となり、実用上
極めて有効な手段となり得る。
一方、以上のような時間域の変調技術に対して
空間域における光の変調技術（ビームの偏向、走
査等）もまた、光が画像等の２次元的情報処理技
術を得意とするところから応用上極めて重要な技
術である。
空間域における光の変調技術（ビームの偏向、走
査等）もまた、光が画像等の２次元的情報処理技
術を得意とするところから応用上極めて重要な技
術である。
このような空間的光変調技術については従来、
ミラーを回転する方法、超音波偏向素子や電気光
学素子を利用する方法等が採用されている。しか
しながらミラーを回転させる方法では高速化を図
ることができないこと、また超音波偏向素子や電
気光学素子では大きな偏向角を得ることができな
い等の欠点の他、いずれの方法においても外部変
調方式のため、システム構成が複雑になり、装置
の小型化を図ることができない等の欠点がある。
光の空間的変調が半導体レーザへの注入電流を制
御することにより直接実現できるようになればシ
ステムの小型化、信頼性の大巾な向上が図れるこ
とになり、光情報処理技術の発展に貢献するとこ
ろ大である。
ミラーを回転する方法、超音波偏向素子や電気光
学素子を利用する方法等が採用されている。しか
しながらミラーを回転させる方法では高速化を図
ることができないこと、また超音波偏向素子や電
気光学素子では大きな偏向角を得ることができな
い等の欠点の他、いずれの方法においても外部変
調方式のため、システム構成が複雑になり、装置
の小型化を図ることができない等の欠点がある。
光の空間的変調が半導体レーザへの注入電流を制
御することにより直接実現できるようになればシ
ステムの小型化、信頼性の大巾な向上が図れるこ
とになり、光情報処理技術の発展に貢献するとこ
ろ大である。
そこで本願発明者等は、特に注入電流を制御す
ることにより放射ビームの偏向方向をスイツチす
ることができる半導体レーザを開発する目的で鋭
意研究の結果、本発明を完成したものである。
ることにより放射ビームの偏向方向をスイツチす
ることができる半導体レーザを開発する目的で鋭
意研究の結果、本発明を完成したものである。
ここで電流注入型半導体レーザの動作原理を行
い、次に本発明の原理について説明する。
い、次に本発明の原理について説明する。
第１図は利得導波型と呼ばれる半導体レーザの
構造例を示すもので、１はｎ―GaAs基板、ｎ―
GaAs基板１には低屈折率層であるｎ―AlXGa1-X
Asバツフア層２、AlYGa1-YAs活性層３、低屈折
率層であるｐ―AlXGa1-XAsバツフア層４、ｐ―
GaAs層５、SiO2絶縁層６が順に積層され、更に
SiO2絶縁層６の一側面にはＰ側電極７が設けら
れ、ｎ―GaAs基板１の一側面には注入電流用電
極であるｎ側電極８が設けられ、またｎ側電極８
には電流注入部９が設けられる。
構造例を示すもので、１はｎ―GaAs基板、ｎ―
GaAs基板１には低屈折率層であるｎ―AlXGa1-X
Asバツフア層２、AlYGa1-YAs活性層３、低屈折
率層であるｐ―AlXGa1-XAsバツフア層４、ｐ―
GaAs層５、SiO2絶縁層６が順に積層され、更に
SiO2絶縁層６の一側面にはＰ側電極７が設けら
れ、ｎ―GaAs基板１の一側面には注入電流用電
極であるｎ側電極８が設けられ、またｎ側電極８
には電流注入部９が設けられる。
そして、電流注入部９から半導体層へ注入され
た電流はAlYGa1-YAs活性層３の中心部３ａにお
いて光エネルギーに変換されるが、この光は上下
の低屈折率層４，２に挾まれて活性層３に閉じこ
められ、横方向の光分布は注入電流密度によつて
決定される。
た電流はAlYGa1-YAs活性層３の中心部３ａにお
いて光エネルギーに変換されるが、この光は上下
の低屈折率層４，２に挾まれて活性層３に閉じこ
められ、横方向の光分布は注入電流密度によつて
決定される。
第２図は注入電流密度分布が中心部３ａに沿つ
て―ａからａまで一様に分布した場合の横方向基
本モードａ、１次モードｂ、２次モードｃの光強
度分布を示す。また、これら導波モードが半導体
レーザ端面から放射された時の遠視野像を第３図
に示す。
て―ａからａまで一様に分布した場合の横方向基
本モードａ、１次モードｂ、２次モードｃの光強
度分布を示す。また、これら導波モードが半導体
レーザ端面から放射された時の遠視野像を第３図
に示す。
ここで、横軸は半導体レーザ端面から見た放射
角度、縦軸は放射光強度である。基本モードの遠
視野像ａは中心軸上が最大強度となり、中心軸か
ら周辺へ単調に減少する光強度分布を持つのに対
し、１次モードの遠視野像ｂは双峰性を示し、２
次モードの遠視野像ｃは中央のピークが小さく、
両端のピークが大きい双蜂性を示す。いずれの場
合も遠視野像は中心軸に対して対称である。
角度、縦軸は放射光強度である。基本モードの遠
視野像ａは中心軸上が最大強度となり、中心軸か
ら周辺へ単調に減少する光強度分布を持つのに対
し、１次モードの遠視野像ｂは双峰性を示し、２
次モードの遠視野像ｃは中央のピークが小さく、
両端のピークが大きい双蜂性を示す。いずれの場
合も遠視野像は中心軸に対して対称である。
一方、注入電流密度分布が活性部３ａ内で非一
様に分布すると、各導波モードの放射ビームの角
度分布も中心軸に対して非対称になる。第４図
は、注入電流密度が非一様に分布した場合の各導
波モードに対する遠視野像の分布例を示す。
様に分布すると、各導波モードの放射ビームの角
度分布も中心軸に対して非対称になる。第４図
は、注入電流密度が非一様に分布した場合の各導
波モードに対する遠視野像の分布例を示す。
これによれば、遠視野像の変化の仕方は基本モ
ードと高次モードの間では本質的相違がある。即
ち、基本モードの放射ビームパターンａは注入電
流密度に勾配を持たせることにより、その最大強
度角度が左右いずれかに移動する変化を示す。こ
れに対して１次モードの放射ビームパターンｂ、
２次モードの放射ビームパターンｃでは双蜂性の
放射ビーム強度のピーク位置は殆んど変化しない
代りに、いずれか一方のピーク強度が減少する
と、他方のピークが最大強度となる変化を示す。
ードと高次モードの間では本質的相違がある。即
ち、基本モードの放射ビームパターンａは注入電
流密度に勾配を持たせることにより、その最大強
度角度が左右いずれかに移動する変化を示す。こ
れに対して１次モードの放射ビームパターンｂ、
２次モードの放射ビームパターンｃでは双蜂性の
放射ビーム強度のピーク位置は殆んど変化しない
代りに、いずれか一方のピーク強度が減少する
と、他方のピークが最大強度となる変化を示す。
これ等の結果から一般に次のようなことが言え
る。即ち、半導体レーザの活性層内で横方向の基
本モードが励振されている場合に注入電流密度分
布を一様分布からある勾配をもつ不均一分布に
徐々に変化させると、放射ビーム角度を中心から
連続的に左右に変化させることができ、したがつ
て注入電流分布を変化させることにより放射ビー
ムの空間的掃引（走査）が可能となる。
る。即ち、半導体レーザの活性層内で横方向の基
本モードが励振されている場合に注入電流密度分
布を一様分布からある勾配をもつ不均一分布に
徐々に変化させると、放射ビーム角度を中心から
連続的に左右に変化させることができ、したがつ
て注入電流分布を変化させることにより放射ビー
ムの空間的掃引（走査）が可能となる。
これに対して、活性層内に高次モードが励振さ
れている場合、注入電流密度分布に勾配を持たせ
ると、遠視野像としての双蜂性ピークのいずれか
一方の強度が増大し、同時に他方のピーク強度が
減少する。
れている場合、注入電流密度分布に勾配を持たせ
ると、遠視野像としての双蜂性ピークのいずれか
一方の強度が増大し、同時に他方のピーク強度が
減少する。
この原理を応用すると、放射ビームの偏向スイ
ツチングが可能になる。
ツチングが可能になる。
一方半導体レーザの活性層内に注入電流の不均
一分布を形成する基本的方法は第５図に示すよう
に、注入電流用電極８を２つの電極８ａ，８ｂに
分け、更に電極８ａ，８ｂの電流注入部９ａ，９
ｂをSiO2絶縁層６に埋設した構造で、この電極
８ａ，８ｂからの注入電流比を変化させることに
より活性層３内の電流分布を制御するものであ
る。しかし、この構造ではｐ―AlXGa1-XAsバツ
フア層４、ｐ―GaAs層５の横方向組成が一様な
ため、電流が左右に拡散してしまい、特に活性層
中央部３ａの電流密度が減少しないので基本モー
ド発振を生じ易い。この構造で基本モード発振を
抑制し、高次モード発振のみを行わせるために
は、電極間隙を可成り拡げる必要があるが、あま
り間隙を拡げると高次モード間に結合発振を生
じ、安定な偏向スイツチが実現されない。
一分布を形成する基本的方法は第５図に示すよう
に、注入電流用電極８を２つの電極８ａ，８ｂに
分け、更に電極８ａ，８ｂの電流注入部９ａ，９
ｂをSiO2絶縁層６に埋設した構造で、この電極
８ａ，８ｂからの注入電流比を変化させることに
より活性層３内の電流分布を制御するものであ
る。しかし、この構造ではｐ―AlXGa1-XAsバツ
フア層４、ｐ―GaAs層５の横方向組成が一様な
ため、電流が左右に拡散してしまい、特に活性層
中央部３ａの電流密度が減少しないので基本モー
ド発振を生じ易い。この構造で基本モード発振を
抑制し、高次モード発振のみを行わせるために
は、電極間隙を可成り拡げる必要があるが、あま
り間隙を拡げると高次モード間に結合発振を生
じ、安定な偏向スイツチが実現されない。
そこで、本発明では上記原理に基いて出射ビー
ムの安定な偏向スイツチを実現するために、独立
した２つの電流注入用電極を有する半導体レーザ
において上記両電極間を電気的に絶縁するもので
ある。
ムの安定な偏向スイツチを実現するために、独立
した２つの電流注入用電極を有する半導体レーザ
において上記両電極間を電気的に絶縁するもので
ある。
そして、以上の構成により活性層中央部の電流
密度を減少させ、基本モードの発振を抑え、高次
モードのみを励起させることができる。この状態
において上記２つの電極へ注入する電流比を変化
させることにより出射ビームの安定な偏向スイツ
チを実現することができるのである。
密度を減少させ、基本モードの発振を抑え、高次
モードのみを励起させることができる。この状態
において上記２つの電極へ注入する電流比を変化
させることにより出射ビームの安定な偏向スイツ
チを実現することができるのである。
本発明において独立した２つの電流注入用電極
間を電気的に絶縁する方法としては種々の方法が
考えられるが、以下にこれを例示する。
間を電気的に絶縁する方法としては種々の方法が
考えられるが、以下にこれを例示する。
第６〜第９図は、この実施例を示すもので、第
１図、第５図と共通する部分については符号を共
通して説明を省略する。
１図、第５図と共通する部分については符号を共
通して説明を省略する。
第６図の構造は、電流注入部９ａ，９ｂの直下
に位置する半導体層４，５部分に異種材料（例え
ば、亜鉛）を拡散またはイオン注入することによ
り低抵抗層１０ａ，１０ｂを形成するものであ
る。
に位置する半導体層４，５部分に異種材料（例え
ば、亜鉛）を拡散またはイオン注入することによ
り低抵抗層１０ａ，１０ｂを形成するものであ
る。
以上の構造においては電流注入部９ａ，９ｂよ
り注入された電流は低抵抗層１０ａ，１０ｂに集
中し易くなり、電極８ａ，８ｂ間の絶縁度が改善
される。その結果活性層の電流分布もまた、双蜂
性を有するようになり、基本モードの発振が抑制
され、高次モード発振が生じ易くなる。
り注入された電流は低抵抗層１０ａ，１０ｂに集
中し易くなり、電極８ａ，８ｂ間の絶縁度が改善
される。その結果活性層の電流分布もまた、双蜂
性を有するようになり、基本モードの発振が抑制
され、高次モード発振が生じ易くなる。
この方法によると、電極間隙を余り拡げる必要
がないので高次モード間の競合発振も起りにくゝ
なり、安定した偏向ビームスイツチングが実現で
きる。
がないので高次モード間の競合発振も起りにくゝ
なり、安定した偏向ビームスイツチングが実現で
きる。
第７図ａは電極８ａ，８ｂ間の絶縁度を向上さ
せるために、電極８ａ，８ｂ間に半導体層４，５
部分を穿つ溝１１を形成するもので、この構造に
よつても活性層中心部３ａへの電流注入が妨げら
れ、高次モードのみの発振が可能となる。
せるために、電極８ａ，８ｂ間に半導体層４，５
部分を穿つ溝１１を形成するもので、この構造に
よつても活性層中心部３ａへの電流注入が妨げら
れ、高次モードのみの発振が可能となる。
第７図ｂは、第７図ｂの溝１１に替えて電極８
ａ，８ｂ間の半導体層４，５にプロトン照射等を
行い、ここに高抵抗層１２を形成し、高次モード
のみの発振を可能とする半導体レーザの素子構造
の例である。
ａ，８ｂ間の半導体層４，５にプロトン照射等を
行い、ここに高抵抗層１２を形成し、高次モード
のみの発振を可能とする半導体レーザの素子構造
の例である。
第８図ａは、第７図ａの素子構造において発光
領域外側の半導体層４，５をエツチング等により
取除いたものであり、これにより注入電流が電流
注入部９ａ，９ｂ下に効率良く集中し、高次モー
ド発振をより効率良く行うことのできる半導体レ
ーザの素子構造とすることができる。
領域外側の半導体層４，５をエツチング等により
取除いたものであり、これにより注入電流が電流
注入部９ａ，９ｂ下に効率良く集中し、高次モー
ド発振をより効率良く行うことのできる半導体レ
ーザの素子構造とすることができる。
第８図ｂは、第７図ｂの素子構造において発光
領域外側の半導体層４，５をエツチング等により
取除いたものであり、第８図ａと同様に高次モー
ド発振を効率良く行うことのできる素子構造の例
である。
領域外側の半導体層４，５をエツチング等により
取除いたものであり、第８図ａと同様に高次モー
ド発振を効率良く行うことのできる素子構造の例
である。
第９図は、ｎ―GaAs基板１を用いた以上の実
施例に対してｐ―GaAs基板１２を用いた偏向ス
イツチ機能を有する半導体レーザの構成例であ
り、この構成ではｐ―GaAs基板１２とｎ―AlX
Ga1-XAsバツフア層２との間にｎ―GaAs層から
なる逆バイアス層１３を設け、電極８ａ，８ｂ下
にあるｎ―GaAs層１３、ｐ―GaAs基板１２に
はエツチング等によりＶ溝１４ａ，１４ｂを形成
する。この素子構造において電極８ａ，８ｂより
電流を注入すると、ｎ―GaAs層１３、ｐ―
GaAs基板１２のＰ―Ｎ接合部分には逆バイアス
が加わることになり、この領域を電流は通過する
ことができず、電流はＶ溝１４ａ，１４ｂから基
板１２側に抜けることになる。したがつて注入電
流はＶ溝１４ａ，１４ｂに近接した活性部分３
ｂ，３ｃのみを通過することになり、基本モード
発振が抑制され、高次モード発振が可能な半導体
レーザが形成される。
施例に対してｐ―GaAs基板１２を用いた偏向ス
イツチ機能を有する半導体レーザの構成例であ
り、この構成ではｐ―GaAs基板１２とｎ―AlX
Ga1-XAsバツフア層２との間にｎ―GaAs層から
なる逆バイアス層１３を設け、電極８ａ，８ｂ下
にあるｎ―GaAs層１３、ｐ―GaAs基板１２に
はエツチング等によりＶ溝１４ａ，１４ｂを形成
する。この素子構造において電極８ａ，８ｂより
電流を注入すると、ｎ―GaAs層１３、ｐ―
GaAs基板１２のＰ―Ｎ接合部分には逆バイアス
が加わることになり、この領域を電流は通過する
ことができず、電流はＶ溝１４ａ，１４ｂから基
板１２側に抜けることになる。したがつて注入電
流はＶ溝１４ａ，１４ｂに近接した活性部分３
ｂ，３ｃのみを通過することになり、基本モード
発振が抑制され、高次モード発振が可能な半導体
レーザが形成される。
次に、以上のように形成される偏向スイツチ機
能を有する半導体レーザの応用例について述べる
と、第１０図は光フアイバー１５，１６への光信
号入力を半導体レーザ上の電極８ａ，８ｂへの注
入電流を変化させることによりスイツチする様子
を示すものである。
能を有する半導体レーザの応用例について述べる
と、第１０図は光フアイバー１５，１６への光信
号入力を半導体レーザ上の電極８ａ，８ｂへの注
入電流を変化させることによりスイツチする様子
を示すものである。
本発明に係る偏向スイツチ機能を有する半導体
レーザの場合、放射ビームの角度が一定してお
り、したがつて光フアイバー１５，１６を所定の
位置に設置すれば、半導体レーザからの出射光は
光フアイバー１５，１６のいずれか一方には必ず
入り、外部への漏れ光を生ずることがない。
レーザの場合、放射ビームの角度が一定してお
り、したがつて光フアイバー１５，１６を所定の
位置に設置すれば、半導体レーザからの出射光は
光フアイバー１５，１６のいずれか一方には必ず
入り、外部への漏れ光を生ずることがない。
これに対して基本モードが励起されるビーム掃
引レーザでは注入電流を変化させると、ビームが
一方の光フアイバーから他方の光フアイバーへ移
動する際、光がフアイバー外に漏れてしまう。
引レーザでは注入電流を変化させると、ビームが
一方の光フアイバーから他方の光フアイバーへ移
動する際、光がフアイバー外に漏れてしまう。
また以上の偏向スイツチではフアイバー断面上
を光ビームが横切るため、パルス的な信号切換え
を行う際のパルス信号波形の立上り、立下がり部
分に横断時間分のなまりを生ずる。これに対して
本発明の偏向スイツチ機能を有する半導体レーザ
ではビーム位置が変化しないため、注入電流パル
ス波形そのまゝが光パルスとなつて光フアイバー
中に伝送される。このことは将来の超高速光スイ
ツチを実現する上で最も重要な特長となる。
を光ビームが横切るため、パルス的な信号切換え
を行う際のパルス信号波形の立上り、立下がり部
分に横断時間分のなまりを生ずる。これに対して
本発明の偏向スイツチ機能を有する半導体レーザ
ではビーム位置が変化しないため、注入電流パル
ス波形そのまゝが光パルスとなつて光フアイバー
中に伝送される。このことは将来の超高速光スイ
ツチを実現する上で最も重要な特長となる。
また従来の電気光学結晶を用いた光偏向器の偏
向角度が１〜２℃しかないのに対して、本発明の
偏向スイツチ機能を有する半導体レーザでは、ビ
ーム偏向角度を１次モードで10゜前後、２次モー
ドでは14〜15゜前後とれ、その実用上の価値は頗
る大きい。
向角度が１〜２℃しかないのに対して、本発明の
偏向スイツチ機能を有する半導体レーザでは、ビ
ーム偏向角度を１次モードで10゜前後、２次モー
ドでは14〜15゜前後とれ、その実用上の価値は頗
る大きい。
第１図は、単一電極を有する利得導波型半導体
レーザの原理構成図、第２図ａ，ｂ，ｃは同上の
利得導波型半導体レーザの各発振モードの横方向
光強度分布図、第３図ａ，ｂ，ｃは、同上の各導
波モードがレーザ端面から出射したときの遠視野
像図の例、第４図ａ，ｂ，ｃは活性層内の注入電
流密度分布が不均一な場合の各導波モードに対す
る出射ビームの遠視野像図の例、第５図は活性層
中に不均一な注入電流分布を生じさせるための独
立した２つの電流注入用電極を有する半導体レー
ザの原理構成図、第６図は同上の両電極間を電気
的に絶縁した本発明の半導体レーザの一実施例を
示す原理構成図、第７図ａ，ｂは両電極間を他の
方法で絶縁した本発明の半導体レーザの他の実施
例で、第７図ａは両電極間に溝を設けて絶縁した
例、第７図ｂは高抵抗層を形成することにより絶
縁した例、第８図ａ，ｂは同上の第７図ａ，ｂの
改良例で、それぞれの半導体層４，５の発光領域
外側をエツチングすることにより高次モード発振
を効率良く行わせるようにした半導体レーザの構
成図、第９図は両電極間に電気的に絶縁するため
の他の実施例を示す構成図、第１０図は、本発明
の半導体レーザの適用例を示す斜視図である。 図中、８ａ，８ｂは２つの独立した電流注入用
電極、３ａは活性層３の中央部。
レーザの原理構成図、第２図ａ，ｂ，ｃは同上の
利得導波型半導体レーザの各発振モードの横方向
光強度分布図、第３図ａ，ｂ，ｃは、同上の各導
波モードがレーザ端面から出射したときの遠視野
像図の例、第４図ａ，ｂ，ｃは活性層内の注入電
流密度分布が不均一な場合の各導波モードに対す
る出射ビームの遠視野像図の例、第５図は活性層
中に不均一な注入電流分布を生じさせるための独
立した２つの電流注入用電極を有する半導体レー
ザの原理構成図、第６図は同上の両電極間を電気
的に絶縁した本発明の半導体レーザの一実施例を
示す原理構成図、第７図ａ，ｂは両電極間を他の
方法で絶縁した本発明の半導体レーザの他の実施
例で、第７図ａは両電極間に溝を設けて絶縁した
例、第７図ｂは高抵抗層を形成することにより絶
縁した例、第８図ａ，ｂは同上の第７図ａ，ｂの
改良例で、それぞれの半導体層４，５の発光領域
外側をエツチングすることにより高次モード発振
を効率良く行わせるようにした半導体レーザの構
成図、第９図は両電極間に電気的に絶縁するため
の他の実施例を示す構成図、第１０図は、本発明
の半導体レーザの適用例を示す斜視図である。 図中、８ａ，８ｂは２つの独立した電流注入用
電極、３ａは活性層３の中央部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 独立した２つの電流注入用電極を有し、高次
モードの発振状態において上記２つの電極へ注入
する電流比を変化させることにより出射ビームの
偏向スイツチを行う半導体レーザにおいて、 上記両電極間を電気的に絶縁することにより、
活性層中央部の電流密度を減少させ、基本モード
の発振を抑え、高次モードのみを励起させるよう
にしたことを特徴とする出射ビームの偏向スイツ
チ機能を有する半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183445A JPS6076182A (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 出射ビ−ムの偏向スイツチ機能を有する半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183445A JPS6076182A (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 出射ビ−ムの偏向スイツチ機能を有する半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076182A JPS6076182A (ja) | 1985-04-30 |
| JPH0122753B2 true JPH0122753B2 (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=16135891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183445A Granted JPS6076182A (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 出射ビ−ムの偏向スイツチ機能を有する半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076182A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281383A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体レ−ザ |
| JPS63177490A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JP4912719B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-04-11 | アンリツ株式会社 | 半導体光素子及び光スイッチングシステム並びに波長可変レーザ |
| JP6331447B2 (ja) * | 2014-02-14 | 2018-05-30 | オムロン株式会社 | 静電容量型圧力センサ及び入力装置 |
-
1983
- 1983-10-01 JP JP58183445A patent/JPS6076182A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6076182A (ja) | 1985-04-30 |
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