JPH01226154A - Plasma treatment equipment - Google Patents
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- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 241000951471 Citrus junos Species 0.000 description 1
- 241000218691 Cupressaceae Species 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマ処理装置に係り、特にプラズマの発光
状態が周期的に変化する場合に好適なプラズマ処理装置
に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a plasma processing apparatus, and particularly to a plasma processing apparatus suitable for a case where the emission state of plasma changes periodically.
従来のプラズマ処理、例えば、エツチングの終点判定方
法は、特開昭59−94423号に記載のように、エツ
チングの過程で生成される反応生成物の発光強度を時間
的に2次微分し、予め設定した2次微分値に対してのし
きい値(設定a)を越えたことを検出して終点物足を行
なうものがあった。Conventional plasma processing, for example, a method for determining the end point of etching, as described in JP-A No. 59-94423, involves quadratic temporal differentiation of the luminescence intensity of reaction products generated during the etching process, and There is a method that detects that a threshold value (setting a) for a set second-order differential value has been exceeded and performs an end point check.
上記従来技術は、エツチング過鵬においてプラズマの状
態が一定の状態に安定していることが前提となっている
。The above-mentioned prior art is based on the premise that the plasma state is stable in a constant state during etching.
一方、最近のエツチング加工方法の技術進歩には、めざ
ましいものがあり、例えば、磁場を利用して強いプラズ
マを発生させてエツチングを高速に行うマグネトロンエ
ツチング法などが脚光を浴びている。この柚のエツチン
グ方法では、エツチング速度の均一性を向上させるため
、磁場発生用のマグネットを回転する手段がとられてお
り、この場合、僅いプラズマを生成している領域が、マ
グネットの回転に応じて、周期的に変化する。この時、
第2図(a)に示すように発光強度も周期的に変化し、
従来技術に基(終、a?lI定方法では、プラズマの発
光状態がこのように変化する場合について配慮されてい
ないため、終点殉定がしづらく加工精度が悪くなるとい
う問題があった。On the other hand, there have been remarkable technological advances in recent etching methods, such as the magnetron etching method, which uses a magnetic field to generate strong plasma to perform etching at high speed. In this Yuzu etching method, in order to improve the uniformity of the etching speed, a method is used to rotate the magnet for generating the magnetic field, and in this case, the area where a small amount of plasma is generated is affected by the rotation of the magnet. It changes periodically accordingly. At this time,
As shown in Figure 2(a), the emission intensity also changes periodically,
The conventional method for determining the final point does not take into consideration the case where the plasma emission state changes in this way, so there is a problem in that it is difficult to determine the end point and the processing accuracy deteriorates.
本発明の目的は、プラズマの状態が周期的に変化する場
合でも、容易にプラズマ処理の終点判定が行えるプラズ
マ処理装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus that can easily determine the end point of plasma processing even when the plasma state changes periodically.
上記目的は、外的手段によって周期的に変化するプラズ
マ中の発光強度の入力信号を平滑化する平滑手段を具備
したプラズマ処理検出回路を有する装置とすることによ
り、達成される。The above object is achieved by providing an apparatus having a plasma processing detection circuit equipped with a smoothing means for smoothing an input signal of the luminescence intensity in the plasma which changes periodically by an external means.
プラズマ処理検出回路に平滑手段を設けることにより、
周期的に変化するプラズマ中の発光強度の入力信号の周
期的な変化が滑らかになるので、容易にプラズマ処理の
終点判定を行なうことができる。By providing a smoothing means in the plasma processing detection circuit,
Since the periodic change in the input signal of the periodically changing emission intensity in the plasma becomes smooth, it is possible to easily determine the end point of plasma processing.
以下、本発明の一実施例を第1区および第2図により説
明する。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to Section 1 and FIG. 2.
第1図において、処理室1は排気孔2から図示しない排
気装遁によって真空排気され、処理室l内には対向する
下81に&3および上部電極4が配置され、下S電極3
には高周波電源5曖こよって高周波電力が印加できるよ
うになっている。上81iL極4の裏面側には回転可能
なマグネット6が具備され、処理室lの外部に設置され
た回転駆動装置7によって偏心回転可能になっている。In FIG. 1, a processing chamber 1 is evacuated from an exhaust hole 2 by an exhaust system (not shown), and inside the processing chamber 1, &3 and an upper electrode 4 are arranged at a lower part 81 facing each other, and a lower S electrode 3
High-frequency power can be applied to the high-frequency power source 5 by means of a high-frequency power supply. A rotatable magnet 6 is provided on the back side of the upper 81iL pole 4, and can be eccentrically rotated by a rotation drive device 7 installed outside the processing chamber l.
また、処理室lの側面にプラズマ光の採光窓9を設け、
分光器lOを介して、反応生成物の発光波長を選択して
通過させ、光電倍増管11および増幅器ルによって発光
強度を電気信号に変換増幅し、ローパスフィルタ13を
介してオフセット用の加算器14およびゲインアンプに
通し、さらにA/Di換器16を介してヤj定手段であ
るマイクロコンピュータ17に人力する。In addition, a plasma light lighting window 9 is provided on the side of the processing chamber l,
The emission wavelength of the reaction product is selected and passed through the spectrometer 1O, the emission intensity is converted and amplified into an electric signal by the photomultiplier tube 11 and the amplifier 10, and the emission wavelength is amplified by the photomultiplier tube 11 and the amplifier 10. The signal is then passed through a gain amplifier, and is further inputted via an A/DI converter 16 to a microcomputer 17 which is a voltage determining means.
マイクロコンピュータ17は、D/A変換器18を介し
て加算器14によるオフセット値をm!I!可能で、ゲ
インアンプbのゲインを調整oI能になっており、さら
毫こ高周波t#5の11源の1人」、「切」が可能とな
っている。マイクロコンピュータ17には予め設定した
設定値に基づいてエツチングの終点判定を行なうアルゴ
リズムが記憶されており、ローパスフィルタ13からの
データを基にして、例えば、発光強度の2次像分値を計
算し、計算した値と設定値とを比較して終点判定を行な
うようになっており、終点を判定すると、高周波t#5
による高周波電圧の印加を停止させるようになっている
。The microcomputer 17 converts the offset value from the adder 14 into m! via the D/A converter 18. I! It is possible to adjust the gain of gain amplifier b, and it is possible to turn off one of the 11 sources of high frequency t#5. The microcomputer 17 stores an algorithm for determining the end point of etching based on preset values, and calculates, for example, a secondary image component value of the emission intensity based on the data from the low-pass filter 13. , the end point is determined by comparing the calculated value and the set value, and when the end point is determined, the high frequency t#5
The application of high frequency voltage is stopped.
上記のように構成したプラズマ処理装置により。With the plasma processing apparatus configured as described above.
上部電極3上にプラズマ処理1例えば、エツチングすべ
きウニへ8を載置し、図示しない荘直により処理ガスを
処理室lに導入して高周波電力を印加する。この時、高
周波電源5による電場とマグネット6による磁場の相互
作用により、発光強度の強いプラズマを発生させること
ができる。このとき、プラズマは、磁場の影響を受けて
部分的に高密度な状態になるため、マグネット6を回転
させてエツチング処理の均一化を図っている。Plasma treatment 1, for example, a sea urchin to be etched 8, is placed on top of the upper electrode 3, and a treatment gas is introduced into the treatment chamber 1 by an unillustrated mechanism, and high frequency power is applied. At this time, due to the interaction between the electric field from the high-frequency power source 5 and the magnetic field from the magnet 6, plasma with strong emission intensity can be generated. At this time, the plasma becomes partially high-density due to the influence of the magnetic field, so the magnet 6 is rotated to make the etching process uniform.
このため、処理室1内にはマグネット6の回転に合わせ
て周期的にプラズマの強い時と弱い時が現われ、このと
き光電倍増管11を介して増幅器稔でm幅された信号は
、第2図の(a)のよう◆二周期Tで手さ(変化しなが
ら大きな変化をして行交。Therefore, periods of strong and weak plasma appear periodically in the processing chamber 1 in accordance with the rotation of the magnet 6, and at this time, the signal which is multiplied by m width at the amplifier terminal via the photomultiplier tube 11 is As shown in figure (a), ◆The hand moves in two cycles T (changes and changes in a big way).
このように周期的に変動しながら変化する信号をローパ
スフィルタ13に通すことにより、周期的に変動する波
を第2図(b)の実線のように平滑化することができ、
この平滑化された信号を終点判定しやすいように加算器
14によってオフセットするとともに、ゲインアンプに
よってオフセットした信号を増幅して、A/D変換器1
6を介してマイクロコンピュータ17に入力することに
より、プラズマの発光強度に周期的変動がないものと同
様な終点判定アルゴリズムを用いて終点判定を行なうこ
とができる。By passing the periodically fluctuating signal through the low-pass filter 13, the periodically fluctuating wave can be smoothed as shown by the solid line in FIG. 2(b).
This smoothed signal is offset by an adder 14 to make it easier to determine the end point, and the offset signal is amplified by a gain amplifier, and the A/D converter 1
6 to the microcomputer 17, the end point can be determined using the same end point determination algorithm that does not have periodic fluctuations in the plasma emission intensity.
なお、このとき、マイクロコンピュータ17に入ってく
る入力信号は、ローパスフィルタ13を介すことによっ
て時間的に若干の遅れが生じ、第2図(b)の実線のよ
うになる。ここで、波線で示す波形は時間遅れがない場
合の理想波形である。しかし、この遅れは磁石の回転数
を適度に高めることによって減少させられる。At this time, the input signal entering the microcomputer 17 is slightly delayed in time by passing through the low-pass filter 13, resulting in a signal as shown by the solid line in FIG. 2(b). Here, the waveform shown by the dashed line is an ideal waveform when there is no time delay. However, this delay can be reduced by increasing the rotational speed of the magnet appropriately.
以上、本−実施例によれば、発光分光法を用いてエツチ
ングの終点を判定する場合において、プラズマの発光強
度が、周期的に変動する場合でも、入力信号をローパス
フィルタ13に通すことによりて周期的な変動部分を平
滑化できるので、容易に終点判定を行なうことができる
という効果がある。As described above, according to this embodiment, when determining the end point of etching using emission spectroscopy, even if the plasma emission intensity fluctuates periodically, the input signal can be passed through the low-pass filter 13. Since the periodic fluctuation portion can be smoothed, the end point can be easily determined.
また、ローパスフィルタ13を用いて平滑化する場合は
、装置への付加も簡単でソフトの変更も必要ないので簡
単に実施できるという効果がある。Further, when smoothing is performed using the low-pass filter 13, it is easy to add it to the device and there is no need to change the software, so it can be easily implemented.
次に、本発明の第2の実施例を第3図および第4図によ
り説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
第3図において第1図と同符号は同一部材を示す。本図
が第1図と異なる点は、第1図の平滑手段であるローパ
スフィルタ13に代わって位相波形合成器19を設けて
いる点である。In FIG. 3, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same members. This figure differs from FIG. 1 in that a phase waveform synthesizer 19 is provided in place of the low-pass filter 13, which is the smoothing means in FIG.
位相波形合成器19は、増幅器12を通って来た第2図
(a)に示すような周期変動を有する信号を人力して、
該信号を基にして時間的に遅れた信号、すなわち位相を
ずらした信号を作り出し、位相のずれていない信号と位
相のずれた信号とを加算して平均化し、出力するように
なっている。この場合、位相波形合成器19は第4図の
(a) 、 (b) 、 (c)に示すように、1周期
を3等分、すなわち、28位相をずらした三つの信号を
作り出し、この三つの信号を加算して平均化する。The phase waveform synthesizer 19 manually inputs the signal having periodic fluctuations as shown in FIG. 2(a) that has passed through the amplifier 12, and
Based on the signal, a time-delayed signal, that is, a phase-shifted signal is created, and the non-phase-shifted signal and the phase-shifted signal are added together, averaged, and output. In this case, the phase waveform synthesizer 19 divides one period into three equal parts, that is, creates three signals with a phase shift of 28, as shown in FIG. 4 (a), (b), and (c). Add and average the three signals.
また、この場合1位相波形合成Ia19での周期の設定
は、回転駆動装置7の回転を制御する回転制御揺回から
信号を受けて周期の設定を行なう。Further, in this case, the cycle in the one-phase waveform synthesis Ia 19 is set by receiving a signal from the rotation control swing that controls the rotation of the rotary drive device 7.
なお、回転駆動袋M7の回転が一定な場合には、位相波
形合成器19に直接に周期を設定すれば良く、この場合
には、回転制御器銀は不要である。Note that when the rotation of the rotary drive bag M7 is constant, the period may be directly set in the phase waveform synthesizer 19, and in this case, the rotation controller is not necessary.
位相波形合成器19を除く他の部分の作用はH紀−実施
例と同様であり、説明を省略する。The functions of the other parts except for the phase waveform synthesizer 19 are the same as those of the H period embodiment, and the explanation thereof will be omitted.
以上、本実2の実施例によれば、朋記−実施例と同様に
、プラズマの発光強度が周期的に変動する場合でも、位
相の異なる信号を作り出して加算し平均化させることに
より、周期的に変動する信号を平滑化できるので、容易
に終点判定を行なうことができるという効果がある。As described above, according to the second embodiment of this report, even when the plasma emission intensity fluctuates periodically, it is possible to generate signals with different phases, add them, and average them. Since signals that fluctuate can be smoothed, it is possible to easily determine the end point.
なお、本実施例では位相をずらした信号を加算するよう
にしているので、出力される信号に時間遅れが生じるが
、回転駆動装置7の回転数を適度に高めることにより、
遅れは減少させられる。In addition, in this embodiment, since signals with shifted phases are added, a time delay occurs in the output signal, but by appropriately increasing the rotation speed of the rotary drive device 7,
Delays are reduced.
また、本実施例では位相のずれた信号を1周期を3等分
して作り出しているが、等分する数はこれに限られるも
のではない。Further, in this embodiment, the phase-shifted signals are generated by dividing one period into three equal parts, but the number of equal parts is not limited to this.
次に、本発明の第3の実施例を第5図により説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第5図において第1図と同符号は同一部材を示す。本図
が第1図と異なる点は、第1図の平滑手段であるローパ
スフィルタ13に代わって、分光器10、光電倍増管1
1および増幅器化をそれぞれ複数個、この場合は、2個
ずつ設け、それぞれの信号を人力するようにした波形合
本器21を設けている点である。In FIG. 5, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same members. The difference between this figure and FIG. 1 is that instead of the low-pass filter 13, which is the smoothing means in FIG.
A plurality of waveform combiners 21 (in this case, two) are provided, and the respective signals are input manually.
分光器10は、この場合、円周を等分割するように18
00 の位置量こ設けであるが、円周を等分割 ′する
ように2個以上設けても良い。In this case, the spectrometer 10 divides the circumference equally into 18
00 position amount is provided, but two or more may be provided so as to equally divide the circumference.
波形合成器mは、それぞれの増幅器化を通りて来た第2
図(a)に示すような周期変動を有する信号を人力して
、該信号を加算し平均化して出力するようになっている
。この場合、波形合成器21に人力される信号は、一方
で*<、他方で弱く変動した信号で、時間的に同時刻の
検出信号が人力される。The waveform synthesizer m receives the second
The system manually generates signals having periodic fluctuations as shown in Figure (a), adds the signals, averages them, and outputs the results. In this case, the signals manually input to the waveform synthesizer 21 are *< on the one hand, weakly fluctuating signals on the other hand, and detection signals at the same time are input manually.
波形合成器4を除く他の部分の作用は前記一実施例と同
様であり、説明を省略する0
以上、本実3の実施例によれば、i!ff記−実施例と
同様に、プラズマの発光強度が周期的に変動する場合で
も、処理室!内で発生するプラズマの発光を複数箇所で
採光し信号に換えて、該信号を加算して平均化させるこ
とにより、膚期的に変動する信号を平滑化できるので、
容易に終点判定を行なうことができるという効果がある
。The functions of the other parts except for the waveform synthesizer 4 are the same as those in the previous embodiment, and the explanation will be omitted.As described above, according to the third embodiment, i! ff - Similar to the example, even if the plasma emission intensity fluctuates periodically, the processing chamber! By capturing the light emitted from the plasma generated within the chamber at multiple locations, converting it into a signal, and then adding and averaging the signals, it is possible to smooth out signals that fluctuate over time.
This has the advantage that it is possible to easily determine the end point.
また、波形合成器21に人力する信号は同時刻の信号が
人力されるので、平滑化した信号には前記弔1おとび第
2の実施例のような時間遅れは発生せず、より正確な終
点判定が行なえるという効果がある。In addition, since the signals manually input to the waveform synthesizer 21 are signals at the same time, the smoothed signal does not have a time delay as in the first and second embodiments, and is more accurate. This has the effect of making it possible to determine the end point.
次に、本発明の第4の実施例を第6図により説明する。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第6図において第1図と同符号は同一部材を示す。本図
が第1図と異なる点は、弗1図の平滑手段であるローパ
スフィルタ13に代わって4M9J取込み制御器nを設
けている点である。In FIG. 6, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same members. This figure differs from FIG. 1 in that a 4M9J intake controller n is provided in place of the low-pass filter 13, which is the smoothing means in FIG.
信号取込み制御器nは、増幅器12を通って来た!I!
2図(a)に示すような周期変動を有する信号を、該信
号の周期に合わせ断続的に、例えば、第2図(a) に
示す波形の頂部の信号値をサンプリングするようにしで
ある。この場合、回転駆動装置7は一定回転で駆動する
もので、回転か動装置7の回転周期と同周期の設定値を
取込み周期設定器田に設定し、信号取込み制御器器に信
号のサンプリングのタイミングを指示するようにしであ
る。Signal acquisition controller n came through amplifier 12! I!
A signal having periodic fluctuations as shown in FIG. 2(a) is sampled intermittently in accordance with the period of the signal, for example, the signal value at the top of the waveform shown in FIG. 2(a). In this case, the rotary drive device 7 is driven at a constant rotation, and a setting value of the same rotation period as the rotation period of the rotary drive device 7 is set in the acquisition period setting field, and the signal sampling control device is set to a value that is the same as the rotation period of the rotary drive device 7. It is meant to indicate the timing.
このように、回転駆動装置t7の回転周期と同期して取
り込んだ信号は、周期変動のない信号から断続的に人力
したものと同一とみなすことができるので、増幅器12
を堰って来た周期変動を有する信号を平滑化することが
できる。In this way, the signal taken in in synchronization with the rotation period of the rotary drive device t7 can be considered to be the same as the signal input intermittently manually from a signal with no period fluctuation, so the amplifier 12
It is possible to smooth out a signal having periodic fluctuations.
信号取込み制御器nを除曵他の部分の作用は朋記−*凡
例と同様であり、親切を省略する。Except for the signal acquisition controller n, the functions of the other parts are the same as in the legend, and detailed explanations will be omitted.
以上、本実4の実施例によれば、前記一実施例と同様に
、プラズマの発光強度が周期的に変動する場合でも、周
期変動する信号の周期に合わせて信号をサンプリングす
るようにしているので檜プラズマ発光状態の同条件の時
の信号を入力していることになり、周期的に変動する信
号を平滑化でき、容易に終点判定を行なうことができる
という効果がある。As described above, according to the fourth embodiment, the signal is sampled in accordance with the cycle of the periodically fluctuating signal even when the plasma emission intensity fluctuates periodically, as in the previous embodiment. Therefore, the signal under the same conditions of the cypress plasma emission state is inputted, which has the effect that periodically fluctuating signals can be smoothed and the end point can be easily determined.
また、信号取込み制御器nから出力される信号は、信号
取込み制御器ηでサンプリングした信号がそのまま出力
され、時間遅れが少ないので、前記一実施例に比べさら
に正確な終点判定が行なえるという効果がある。In addition, the signal output from the signal acquisition controller n is the signal sampled by the signal acquisition controller η and is output as it is, and there is less time delay, so it has the effect that more accurate end point determination can be performed than in the previous embodiment. There is.
これら本実施例では、偏心回転するマグネット6を有す
る装置の場合のプラズマ発光状態について記載したが、
外的手段としては、例えば、マグネット6を自公転させ
たものや、複数の電磁石を設けて該電磁石に供給する電
力を制御して回転磁場を与えるようにしたものであって
も、本実施例の効果は同様にある。In these embodiments, the plasma emission state in the case of a device having an eccentrically rotating magnet 6 has been described.
As an external means, for example, the magnet 6 may be rotated around its axis, or a plurality of electromagnets may be provided and the electric power supplied to the electromagnets may be controlled to provide a rotating magnetic field. The effect is the same.
また、前記したそれぞれの実施例を組み合わせても同様
な効果を得ることができる。Furthermore, similar effects can be obtained by combining the respective embodiments described above.
本発明によれは、プラズマ状態が周期的に変化する場合
でも、容易にプラズマ処理の終点判定を行なうことがで
きるという効果がある。According to the present invention, even when the plasma state changes periodically, the end point of plasma processing can be easily determined.
第1図は本発明の一実施例であるプラズマ処理装置を示
す構成図、第2図(a)は第1図の装置により発生する
プラズマの発光強度を示す線図、第2図<b>は第1図
の装置により処理したプラズマ発光強度を示す線図、第
3図は本発明の第2の実施例であるプラズマ処理装置を
示す構成図、第4図は第3図の装置により信号の位相を
ずらしたときの波形の概念を示す図、第5図は本発明の
第3の実施例であるプラズマ処理装置を示す構成図、第
6図は本発明の第4の実施例であるプラズマ処理装置を
示す構成図である。
l・・・・・・処理室、lO・・・・・・分光器、11
・・・・・・光電倍増t、13・・・・・・ローパスフ
ィルタ、17・・・・・・マイクロコンピュータ、19
・・・・・・位相波形含酸器、ム・・・・・・波形合成
器、n・・・・・・、信号取込み制御器l−\4
代理人 弁理士 小 川 勝 男l′−゛1\6.
、
+−,、、/
42図
T
時間t
第3凶
イ4図FIG. 1 is a configuration diagram showing a plasma processing apparatus which is an embodiment of the present invention, FIG. 2(a) is a diagram showing the emission intensity of plasma generated by the apparatus of FIG. 1, and FIG. 2<b> 1 is a diagram showing the plasma emission intensity processed by the apparatus shown in FIG. 1, FIG. FIG. 5 is a configuration diagram showing a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a fourth embodiment of the present invention. FIG. 1 is a configuration diagram showing a plasma processing apparatus. l... Processing chamber, lO... Spectrometer, 11
......Photoelectric multiplication t, 13...Low pass filter, 17...Microcomputer, 19
・・・・・・Phase waveform oxidizer, waveform synthesizer, n・・・・・・, signal acquisition controller l-\4 Agent: Patent attorney Katsuo Ogawa l'-゛1\6.
, +-,,,/ Figure 42 T Time t 3rd evil A 4
Claims (1)
光強度の入力信号を平滑化する平滑手段を具備したプラ
ズマ処理検出回路を有することを特徴とするプラズマ処
理装置。 2、前記平滑手段は前記入力信号をローパスフィルタに
通して行なう特許請求の範囲第1項記載のプラズマ処理
装置。 3、前記平滑手段は前記入力信号に該入力信号の位相を
ずらした信号値を加算して行なう特許請求の範囲1項記
載のプラズマ処理装置。 4、前記平滑手段は前記プラズマ中の発光を複数個の検
出器で検出し、該検出器によって検出した入力信号を加
算して行なう特許請求の範囲第1項記載のプラズマ処理
装置。 5、前記平滑手段は前記入力信号を該入力信号の周期と
合わせてサンプリングして行なう特許請求の範囲第1項
記載のプラズマ処理装置。 6、外的手段によって周期的に変化するプラズマ中の発
光強度の入力信号を平滑化し、該平滑化した発光強度を
用いてプラズマ処理の終点判定を行なうことを特徴とす
るプラズマ処理終点判定方法。[Scope of Claims] 1. A plasma processing apparatus characterized by having a plasma processing detection circuit equipped with a smoothing means for smoothing an input signal of the luminescence intensity in plasma which changes periodically by an external means. 2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the smoothing means passes the input signal through a low-pass filter. 3. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the smoothing means adds to the input signal a signal value obtained by shifting the phase of the input signal. 4. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the smoothing means detects light emission in the plasma using a plurality of detectors, and adds input signals detected by the detectors. 5. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the smoothing means samples the input signal in accordance with the period of the input signal. 6. A method for determining the end point of plasma processing, which comprises smoothing an input signal of the luminescence intensity in the plasma that changes periodically by external means, and determining the end point of the plasma processing using the smoothed luminescence intensity.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5148688A JPH01226154A (en) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | Plasma treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP5148688A JPH01226154A (en) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | Plasma treatment equipment |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2630997A Division JPH11243078A (en) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | Plasma end-point judging method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01226154A true JPH01226154A (en) | 1989-09-08 |
Family
ID=12888291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP5148688A Pending JPH01226154A (en) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | Plasma treatment equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01226154A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1988-03-07 JP JP5148688A patent/JPH01226154A/en active Pending
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