JPH01222451A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH01222451A JPH01222451A JP4898388A JP4898388A JPH01222451A JP H01222451 A JPH01222451 A JP H01222451A JP 4898388 A JP4898388 A JP 4898388A JP 4898388 A JP4898388 A JP 4898388A JP H01222451 A JPH01222451 A JP H01222451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- contact hole
- substrate
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタリング装置に関し、特にスパッタリン
グ時の、半導体基板、支持部の機構に関する。
グ時の、半導体基板、支持部の機構に関する。
従来、この種のスパッタリング装置の半導体基板の支持
機構は、半導体基板を固定させてスパッタを行なう方式
と、軸を固定して半導体基板を回転させながらスパッタ
を行なう方式とがある。
機構は、半導体基板を固定させてスパッタを行なう方式
と、軸を固定して半導体基板を回転させながらスパッタ
を行なう方式とがある。
上述した従来のスパッタリング装置では、スパッタリン
グ時 スパッタ粒子の垂直成分、斜め成分の比率が一定となっ
てしまい、半導体基板の周辺部でのステップカバレッジ
が悪いという欠点がある。
グ時 スパッタ粒子の垂直成分、斜め成分の比率が一定となっ
てしまい、半導体基板の周辺部でのステップカバレッジ
が悪いという欠点がある。
上述した従来のスパッタリング装置に対し、本発明はス
パッタリング中、半導体基板とターゲットとの距離を周
期的に変化させる機構を有するという相違点と、同じく
スパッタリング中、半導体基板を支える駆動軸を弧を描
く様に回転運動させる機構を有するという相違点を持っ
ている。
パッタリング中、半導体基板とターゲットとの距離を周
期的に変化させる機構を有するという相違点と、同じく
スパッタリング中、半導体基板を支える駆動軸を弧を描
く様に回転運動させる機構を有するという相違点を持っ
ている。
本発明のスパッタリング装置はスパッタリングにより被
着する薄膜のステップカバレッジを改善する為、スパッ
タリング中、半導体基板とターゲットとの距離を周期的
に変化させる機構と半導体基板を、支える駆動軸を弧を
描く様に回転運動させる機構を有している。
着する薄膜のステップカバレッジを改善する為、スパッ
タリング中、半導体基板とターゲットとの距離を周期的
に変化させる機構と半導体基板を、支える駆動軸を弧を
描く様に回転運動させる機構を有している。
スパッタリング中に半導体基板を前後にピストン運動さ
せることにより、ターゲットと半導体基板との距離を周
期的に変え、距離が長い時はスパッタリング粒子の垂直
成分の比率が斜め成分より大きくなるので、コンタクト
ホール底面に膜が堆積し、また距離が短い時は逆に斜め
成分の比率が大きくなり、コンタクトホール側壁に膜が
堆積することが可能となり、その結果ステップカバレッ
ジは改善される。
せることにより、ターゲットと半導体基板との距離を周
期的に変え、距離が長い時はスパッタリング粒子の垂直
成分の比率が斜め成分より大きくなるので、コンタクト
ホール底面に膜が堆積し、また距離が短い時は逆に斜め
成分の比率が大きくなり、コンタクトホール側壁に膜が
堆積することが可能となり、その結果ステップカバレッ
ジは改善される。
またスパッタリング中に半導体基板を支える駆動軸を弧
を描く様に回転運動させることにより、上述した様にス
パッタリング粒子の垂直成分及び斜め成分の比率が変わ
り、コンタクトホールでのステップカバレッジは改善さ
れる。
を描く様に回転運動させることにより、上述した様にス
パッタリング粒子の垂直成分及び斜め成分の比率が変わ
り、コンタクトホールでのステップカバレッジは改善さ
れる。
第１図は本発明の実施例１のスパッタチャンバーの断面
図である。スパッタリング中、駆動軸５を直線運動駆動
部８によりターゲット１に対して前後にピストン運動さ
せる。ターゲット１と基板３との距離；Ｒ（以下Ｒと略
す）が小さい程、スパッタリング粒子の斜め成分が、垂
直成分より多くなり、コンタクトホールの側壁にターゲ
ツト材が被着し、逆にＲが大きい程、スパッタリング粒
子の垂直成分が多くなり、フンタクトホールの底部に、
ターゲツト材が被着する。故に基板３がターゲット１に
対して前後にピストン運動することにより、ターゲット
と基板の距離を周期的に変わりコンタクトホールのステ
ップカバレッジが改善されるという利点がある。
図である。スパッタリング中、駆動軸５を直線運動駆動
部８によりターゲット１に対して前後にピストン運動さ
せる。ターゲット１と基板３との距離；Ｒ（以下Ｒと略
す）が小さい程、スパッタリング粒子の斜め成分が、垂
直成分より多くなり、コンタクトホールの側壁にターゲ
ツト材が被着し、逆にＲが大きい程、スパッタリング粒
子の垂直成分が多くなり、フンタクトホールの底部に、
ターゲツト材が被着する。故に基板３がターゲット１に
対して前後にピストン運動することにより、ターゲット
と基板の距離を周期的に変わりコンタクトホールのステ
ップカバレッジが改善されるという利点がある。
第２図は本発明の実施例２の縦断面図である。
スパッタリング中、駆動軸５を回転運動駆動９により、
弧を描く様に回転運動をさせる。上記動作により基板３
は常にターゲラ）１に対して、傾きを持ち、しかも、駆
動軸５が弧を描く様に回転する為、コンタクトホール側
壁に、ターゲツト材がコンスタントに被着する為、コン
タクトホールにステップカバレッジは改善されるという
利点がある。
弧を描く様に回転運動をさせる。上記動作により基板３
は常にターゲラ）１に対して、傾きを持ち、しかも、駆
動軸５が弧を描く様に回転する為、コンタクトホール側
壁に、ターゲツト材がコンスタントに被着する為、コン
タクトホールにステップカバレッジは改善されるという
利点がある。
以上説明した様に本発明は、スパッタ装置にスパッタリ
ング中、半導体基板を前後にピストン運動させ基板とタ
ーゲットとの距離を周期的に変える機構を設け、またス
パッタリング中に半導体基板を支える駆動軸を弧を描く
様に回転させる駆動軸を設けることにより、コンタクト
ホールのステップカバレッジを改善する効果がある。
ング中、半導体基板を前後にピストン運動させ基板とタ
ーゲットとの距離を周期的に変える機構を設け、またス
パッタリング中に半導体基板を支える駆動軸を弧を描く
様に回転させる駆動軸を設けることにより、コンタクト
ホールのステップカバレッジを改善する効果がある。
第１図は本発明の実施例１の縦断面図、第２図は本発明
の実施例２の縦断面図である。 １・・・・・・ターゲット、２・・・・・・Ｄ、Ｃ電源
、３・・・・・・基板、４・・・・・・基板ホルダー、
５・・・・・・駆動軸、６・・・・・・スパッタチャン
バー、７・・・・・・シールド板、８・・・・・・直線
運動駆動部、９・・・・・・回転運動駆動部。 代理人 弁理士 内 原 音
の実施例２の縦断面図である。 １・・・・・・ターゲット、２・・・・・・Ｄ、Ｃ電源
、３・・・・・・基板、４・・・・・・基板ホルダー、
５・・・・・・駆動軸、６・・・・・・スパッタチャン
バー、７・・・・・・シールド板、８・・・・・・直線
運動駆動部、９・・・・・・回転運動駆動部。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (2)
- （１）半導体基板に配線材料としての金属薄膜もしくは
層間材料としての絶縁膜を被着させる為のスパッタリン
グ装置において、該金属薄膜もしくは該絶縁膜のスパッ
タ時、半導体基板とターゲットとの距離を周期的に変化
させる機構を有することを特徴とするスパッタリング装
置。 - （２）スパッタ中、該半導体基板を支える駆動軸が、弧
を描く様に回転運動させる機構を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載のスパッタリング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4898388A JPH01222451A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4898388A JPH01222451A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01222451A true JPH01222451A (ja) | 1989-09-05 |
Family
ID=12818477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4898388A Pending JPH01222451A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01222451A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0692551A1 (en) * | 1994-07-15 | 1996-01-17 | Applied Materials, Inc. | Sputtering apparatus and methods |
| US6299739B1 (en) * | 1998-04-23 | 2001-10-09 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Method of forming metal wiring film |
-
1988
- 1988-03-01 JP JP4898388A patent/JPH01222451A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0692551A1 (en) * | 1994-07-15 | 1996-01-17 | Applied Materials, Inc. | Sputtering apparatus and methods |
| US6299739B1 (en) * | 1998-04-23 | 2001-10-09 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Method of forming metal wiring film |
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