JPH01220830A - 処理装置及び方法 - Google Patents
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- JPH01220830A JPH01220830A JP63175332A JP17533288A JPH01220830A JP H01220830 A JPH01220830 A JP H01220830A JP 63175332 A JP63175332 A JP 63175332A JP 17533288 A JP17533288 A JP 17533288A JP H01220830 A JPH01220830 A JP H01220830A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（関連出願の相互参照）
本願は、共通譲渡人の関連ケースであって、関連する主
題を含む下記の各出願を、参照文献として包含するもの
である。
題を含む下記の各出願を、参照文献として包含するもの
である。
１９８５年１０月２４日に出願され現在は放棄されてい
る第７９０．９１８号の継続出願であり、１９８７年１
２月６日に出願された係属中の第０６０．９９１号であ
って、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）
及びロバート−７シューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈ
ｅｗｓ ）による「真空スライスキャリア（Ｖａｃｕｕ
ｍ ５ｌｉｃｅ Ｃａｒｒｉｅｒ ）Ｊ、１９８５年ｌ
θ月２４日に出願され現在は放棄されている第７９０．
７０８号の継続出願であり、１９８７年６月１２日に出
願された係属中の第０６０、．９７６号であって、セシ
ル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、ジョン
・スペンサ（ＪｏｈｎＳｐｅｎｃｅｒ ） 、テイム・
ウールドリソジ（ＴｉｅＷｏｏｌｄｒｉｄｇｅ ）、及
びデュアネ・カーク（ＤｕａｎｅＣａｒｔｅｒ ）によ
る「改良真空プロセッサ（ＡｄｖａｎｃｅｄＶａｃｕｕ
ｍ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ ）Ｊ 、１９８７年８月１
８日に発行された米国特許筒４．６８７，５４２号であ
って、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）
、ロバート・マシューズ（ＲｏｂｅｒｔＭａｔｔｈｅ
ｗｓ ）、及びランドール・ヒルデンブランド（Ｒａｎ
ｄａｌｌ Ｈｉｌｄｅｎｂｒａｎｄ ）による［真空処
理システム（Ｖａｃｕｕｍ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｓ
ｙｓｔｅｍ ）Ｊ、１９８５年１０月２４日に出願され
た係属中の第７９０，７０７号であって、セシル・デー
ビス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、デュアネ・カー
ク（ＤｕａｎｅＣａｒｔｅｒ ）及びレット・シュチア
（Ｒｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ）による「プラズマ補助エ
ツチング用装置１（Ａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒ Ｐｌａ
ｓｍａ−Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｅｔｃｈｉｎｇ ）Ｊ、１
９８６年１月３０日に出願された第８２４．３４２号の
継続出願であり、１９８７年６月１２日に出願された係
属中の第０６１，０１７号であって、セシル・デービス
（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、ロバート・ポーリ
ング（Ｒｏｂｅｒｔ Ｂｏｗｌｉｎｇ ）及びロバート
・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ ）に
よる「集積回路処理システム（■ｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃ１ｒｃｕｉｔ ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＳｙｓｔｅｍ
Ｎ 、 １９８６年１０月６日に出願された係属中の第９１５．
６０８号であって、ロバート・ポーリング（Ｒｏｂｅｒ
ｔ Ｂｏｗｌｉｎｇ ）、グレイトン・ララビー（Ｌａ
ｒｒａｂｅｅ ） 及びベンジャミン・リウ（Ｂｅｎ
ｊａｍｉｎＬｉｕ ）による「移動可能な粒子シールド
（ＭｏｖａｂｌｅＰａｒｔｉｃｌｅ ５ｈｉｅｌｄ ）
Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７
４．４４８号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ
Ｄａｖｉｓ ） 、ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅ
ｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ ）、リー・ロエベンシュタイ
ン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、ジョー・
アバーナシイ（Ｊｏｅ Ａｂｅｒｎａｔｈｙ ） 、及
びティモシイ・ウールドリソジ（Ｔｉｍｏｔｈｙ Ｗｏ
ｏｌｄｒｉｄｇｅ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅ
ｔｈｏｄ ） Ｊ、１９８７年７月１７日に出願された
係属中の第０７５．０１６号であって、セシル・デービ
ス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、リー・ロエベンシ
ュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、ロ
バート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ
） 、及びジョン・ジョーンズ（Ｊｏｈｎ Ｊｏｎｅ
ｓ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏ−ｃｅｓｓｉ
ｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）
Ｊ −。
る第７９０．９１８号の継続出願であり、１９８７年１
２月６日に出願された係属中の第０６０．９９１号であ
って、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）
及びロバート−７シューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈ
ｅｗｓ ）による「真空スライスキャリア（Ｖａｃｕｕ
ｍ ５ｌｉｃｅ Ｃａｒｒｉｅｒ ）Ｊ、１９８５年ｌ
θ月２４日に出願され現在は放棄されている第７９０．
７０８号の継続出願であり、１９８７年６月１２日に出
願された係属中の第０６０、．９７６号であって、セシ
ル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、ジョン
・スペンサ（ＪｏｈｎＳｐｅｎｃｅｒ ） 、テイム・
ウールドリソジ（ＴｉｅＷｏｏｌｄｒｉｄｇｅ ）、及
びデュアネ・カーク（ＤｕａｎｅＣａｒｔｅｒ ）によ
る「改良真空プロセッサ（ＡｄｖａｎｃｅｄＶａｃｕｕ
ｍ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ ）Ｊ 、１９８７年８月１
８日に発行された米国特許筒４．６８７，５４２号であ
って、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）
、ロバート・マシューズ（ＲｏｂｅｒｔＭａｔｔｈｅ
ｗｓ ）、及びランドール・ヒルデンブランド（Ｒａｎ
ｄａｌｌ Ｈｉｌｄｅｎｂｒａｎｄ ）による［真空処
理システム（Ｖａｃｕｕｍ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｓ
ｙｓｔｅｍ ）Ｊ、１９８５年１０月２４日に出願され
た係属中の第７９０，７０７号であって、セシル・デー
ビス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、デュアネ・カー
ク（ＤｕａｎｅＣａｒｔｅｒ ）及びレット・シュチア
（Ｒｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ）による「プラズマ補助エ
ツチング用装置１（Ａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒ Ｐｌａ
ｓｍａ−Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｅｔｃｈｉｎｇ ）Ｊ、１
９８６年１月３０日に出願された第８２４．３４２号の
継続出願であり、１９８７年６月１２日に出願された係
属中の第０６１，０１７号であって、セシル・デービス
（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、ロバート・ポーリ
ング（Ｒｏｂｅｒｔ Ｂｏｗｌｉｎｇ ）及びロバート
・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ ）に
よる「集積回路処理システム（■ｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃ１ｒｃｕｉｔ ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＳｙｓｔｅｍ
Ｎ 、 １９８６年１０月６日に出願された係属中の第９１５．
６０８号であって、ロバート・ポーリング（Ｒｏｂｅｒ
ｔ Ｂｏｗｌｉｎｇ ）、グレイトン・ララビー（Ｌａ
ｒｒａｂｅｅ ） 及びベンジャミン・リウ（Ｂｅｎ
ｊａｍｉｎＬｉｕ ）による「移動可能な粒子シールド
（ＭｏｖａｂｌｅＰａｒｔｉｃｌｅ ５ｈｉｅｌｄ ）
Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７
４．４４８号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ
Ｄａｖｉｓ ） 、ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅ
ｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ ）、リー・ロエベンシュタイ
ン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、ジョー・
アバーナシイ（Ｊｏｅ Ａｂｅｒｎａｔｈｙ ） 、及
びティモシイ・ウールドリソジ（Ｔｉｍｏｔｈｙ Ｗｏ
ｏｌｄｒｉｄｇｅ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅ
ｔｈｏｄ ） Ｊ、１９８７年７月１７日に出願された
係属中の第０７５．０１６号であって、セシル・デービ
ス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、リー・ロエベンシ
ュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、ロ
バート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ
） 、及びジョン・ジョーンズ（Ｊｏｈｎ Ｊｏｎｅ
ｓ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏ−ｃｅｓｓｉ
ｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）
Ｊ −。
１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７３．
９４３号であって、リー・ロエベンシュタイン （Ｌｅ
ｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、アラン・ローズ（
Ａｌａｎ Ｒｏｓｅ ） 、ロバートーｍ−ケネディ（
Ｒｏｂｅｒｔｍ ・Ｋｅｎｎｅｄｙ ） 、クレーブ・
ハフマン（ｃｒａｉｇＨｕｆｆｍａｎ ） 、及びセシ
ル・デービス（ｃｅｃｉｌＤａｖｉｓ ）による「処理
装置及び方法（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕ
ｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６
日に出願された係属中の第０７３．９４８号であって、
リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔ
ｅｉｎ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０
７３．９４２号であって、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔ
ｔ Ｊｕｃｈａ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃｉｌ
［１ａｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏ
ｄ Ｎ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第
０７４．４１９号であって、セシル・デービス（ｃｅｃ
ｉｌ Ｄａｖｉｓ ）及びロバート・マシューズ（Ｒｏ
ｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ ）による「処理装置及び
方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａ
ｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出
願された係属中の第０７４．３７７号であって、セシル
・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、レフト・
シュチャ（ＲｈｅｔｔＪｕｃｈａ ） 、ランドール・
ヒルデンブランド（Ｒａｎｄａｌｌ Ｈｉｌｄｅｎｂｒ
ａｎｄ ） 、リチャード・シュルツ（Ｒｉｃｈａｒｄ
５ｃｈｕｌｔｚ ） 、リー・ロエベンシュタイン（
Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、ロバート・マ
シューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ ）、クレ
ーブ・／’１フマン（ｃｒａｉｇ Ｈｕｆｆｍａｎ）、
ジョン・ジョーンズ（ＪｏｈｎＪｏｎｅｓ ）による「
処理装置及び方法（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐ、ｐａｒ
ａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）Ｊ、１９８７年７月
１６日に出願された係属中の第０７４．３９８号であっ
て、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）
、リ−・ロエヘンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓ
ｔｅｉｎ ） 、レット・シュチャ（ＲｈｅｔｔＪｕｃ
ｈａ ） 、ロバート・マシューズ（ＲｏｂｅｒｔＭａ
ｔｔｈｅｗｓ ） 、ランドール・ヒルデンブランド（
Ｒａｎｄａｌｌ Ｈｉｌｄｅｎｂｒａｎｄ ） 、ゾー
ン・フリーマン（Ｄｅａｎ Ｆｒｅｅｍａｎ ）及びジ
ョン・ジョーンズによる「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄＭｅｔｈｏ
ｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
４５６号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、レット・シュチャ（ＲｈｅｔｔＪｕｃ
ｈａ ） 、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓｅｐｈ Ｌｕｔ
ｔｍｅｒ ）、ルア４’ヨーク（Ｒｕｄｙ Ｙｏｒｋ
） 、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅ
ｎｓｔｅｉｎ ） 、ロバート°マシューズ（Ｒｏｂｅ
ｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ ）、及びランドール・ヒルデ
ンブランド（Ｒａｎｄａｌｌ Ｈｉｌｄｅｎｂｒａｎｄ
）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１・６日に出願された係属中の第０７４
．３９９号であって、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ
Ｊｕｃｈａ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤａ
ｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）
Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７
４．４５０号であって、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ
Ｊｕｃｈａ ） 、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤ
ａｖｉｓ ）及びジョン・ジョーンズ（Ｊｏｈｎ Ｊｏ
ｎｅｓ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）
Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
３７５号であって、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ Ｊ
ｕｃｈａ ） 、Ｄ、カーク（Ｄ、 Ｃａｒｔｅｒ ）
、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）及
びＳ、クランク（Ｓ、Ｃｒａｎｋ ）による「処理装置
及び方法（Ｐｒｏ−ｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕ
ｓ ａｎ’ｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１
６日に出願された係属中の第０７４．４１１号であって
、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ） 、
セシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤａｖｉｓ ） 、Ｄ、
カーク（Ｄ、 Ｃａｒｔｅｒ ） 、Ｓ、クランク（Ｓ
、 Ｃｒａｎｋ ） 及びジョン・ジョーンズ（Ｊｏ
ｈｎＪｏｎｅｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中
の第０７４．３９０号であって、レフト・シュチャ（Ｒ
ｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ） 、セシル・デービス（ｃｅ
ｃｉｌＤａｖｉｓ ）及びＳ、クランク（Ｓ、Ｃｒａｎ
ｋ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎ
ｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄＭｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
１１４号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、リ−・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ
Ｌｏｅｈｅｎｓｔｅｉｎ ） 、ディーン・フリーマン
（Ｄｅａｎ Ｆｒｅｅｍａｎ ）、ジェームス°プリス
（ＪａｍｅｓＢｕｒｒｉｓ ）による「処理装置及び方
法（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ ５１９８７年７月１６日に出願
された係属中の第０７４．３７３号であって、ディーン
・フリーマン（Ｄｅａｎ Ｆｒｅｅｍａｎ ）、ジェー
ムス６プリス（ＪａｍｅｓＢｕｒｒｉｓ ）、セシル・
デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）、及びリー・
ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｉｖｅｎｓｔｅｉ
ｎ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｎ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
３９１号であって、ディーン・フリーマン（Ｄｅａｎ
Ｆｒｅｅｍａｎ ）、ジェームスープリス（Ｊａｍｅｓ
Ｂｕｒｒｉｓ ）、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ）、及びり−・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ
Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）による［処理装置及び方法
（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
４１５号であって、ディーン・フリーマン（Ｄｅａｎ
Ｆｒｅｅｍａｎ ）、ジェームス・ブリス（Ｊａｍｅｓ
Ｂｕｒｒｉｓ ）、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ
Ｄａｖｉｓ ）、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ
Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）による「処理装置及び方法
（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０．７４
．４５１号であって、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓｅｐｈ
Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ
Ｄａｖｉｓ ） 、パトリシア・スミス（Ｐａｔｒｉｃ
ｉａ Ｓｍ１ｔｈ ）、ルディ・ヨーク（Ｒｕｄｙ Ｙ
ｏｒｋ ）、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏ
ｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）、及びレット・シュチャ（Ｒｈｅ
ｔｔ Ｊｕｃｈａ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅ
ｔｈｏｄ ）Ｊ −。
９４３号であって、リー・ロエベンシュタイン （Ｌｅ
ｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、アラン・ローズ（
Ａｌａｎ Ｒｏｓｅ ） 、ロバートーｍ−ケネディ（
Ｒｏｂｅｒｔｍ ・Ｋｅｎｎｅｄｙ ） 、クレーブ・
ハフマン（ｃｒａｉｇＨｕｆｆｍａｎ ） 、及びセシ
ル・デービス（ｃｅｃｉｌＤａｖｉｓ ）による「処理
装置及び方法（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕ
ｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６
日に出願された係属中の第０７３．９４８号であって、
リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔ
ｅｉｎ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０
７３．９４２号であって、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔ
ｔ Ｊｕｃｈａ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃｉｌ
［１ａｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏ
ｄ Ｎ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第
０７４．４１９号であって、セシル・デービス（ｃｅｃ
ｉｌ Ｄａｖｉｓ ）及びロバート・マシューズ（Ｒｏ
ｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ ）による「処理装置及び
方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａ
ｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出
願された係属中の第０７４．３７７号であって、セシル
・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、レフト・
シュチャ（ＲｈｅｔｔＪｕｃｈａ ） 、ランドール・
ヒルデンブランド（Ｒａｎｄａｌｌ Ｈｉｌｄｅｎｂｒ
ａｎｄ ） 、リチャード・シュルツ（Ｒｉｃｈａｒｄ
５ｃｈｕｌｔｚ ） 、リー・ロエベンシュタイン（
Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、ロバート・マ
シューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ ）、クレ
ーブ・／’１フマン（ｃｒａｉｇ Ｈｕｆｆｍａｎ）、
ジョン・ジョーンズ（ＪｏｈｎＪｏｎｅｓ ）による「
処理装置及び方法（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐ、ｐａｒ
ａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）Ｊ、１９８７年７月
１６日に出願された係属中の第０７４．３９８号であっ
て、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）
、リ−・ロエヘンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓ
ｔｅｉｎ ） 、レット・シュチャ（ＲｈｅｔｔＪｕｃ
ｈａ ） 、ロバート・マシューズ（ＲｏｂｅｒｔＭａ
ｔｔｈｅｗｓ ） 、ランドール・ヒルデンブランド（
Ｒａｎｄａｌｌ Ｈｉｌｄｅｎｂｒａｎｄ ） 、ゾー
ン・フリーマン（Ｄｅａｎ Ｆｒｅｅｍａｎ ）及びジ
ョン・ジョーンズによる「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄＭｅｔｈｏ
ｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
４５６号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、レット・シュチャ（ＲｈｅｔｔＪｕｃ
ｈａ ） 、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓｅｐｈ Ｌｕｔ
ｔｍｅｒ ）、ルア４’ヨーク（Ｒｕｄｙ Ｙｏｒｋ
） 、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅ
ｎｓｔｅｉｎ ） 、ロバート°マシューズ（Ｒｏｂｅ
ｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗｓ ）、及びランドール・ヒルデ
ンブランド（Ｒａｎｄａｌｌ Ｈｉｌｄｅｎｂｒａｎｄ
）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１・６日に出願された係属中の第０７４
．３９９号であって、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ
Ｊｕｃｈａ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤａ
ｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）
Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７
４．４５０号であって、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ
Ｊｕｃｈａ ） 、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤ
ａｖｉｓ ）及びジョン・ジョーンズ（Ｊｏｈｎ Ｊｏ
ｎｅｓ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）
Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
３７５号であって、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ Ｊ
ｕｃｈａ ） 、Ｄ、カーク（Ｄ、 Ｃａｒｔｅｒ ）
、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）及
びＳ、クランク（Ｓ、Ｃｒａｎｋ ）による「処理装置
及び方法（Ｐｒｏ−ｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕ
ｓ ａｎ’ｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１
６日に出願された係属中の第０７４．４１１号であって
、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ） 、
セシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤａｖｉｓ ） 、Ｄ、
カーク（Ｄ、 Ｃａｒｔｅｒ ） 、Ｓ、クランク（Ｓ
、 Ｃｒａｎｋ ） 及びジョン・ジョーンズ（Ｊｏ
ｈｎＪｏｎｅｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中
の第０７４．３９０号であって、レフト・シュチャ（Ｒ
ｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ） 、セシル・デービス（ｃｅ
ｃｉｌＤａｖｉｓ ）及びＳ、クランク（Ｓ、Ｃｒａｎ
ｋ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎ
ｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄＭｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
１１４号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、リ−・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ
Ｌｏｅｈｅｎｓｔｅｉｎ ） 、ディーン・フリーマン
（Ｄｅａｎ Ｆｒｅｅｍａｎ ）、ジェームス°プリス
（ＪａｍｅｓＢｕｒｒｉｓ ）による「処理装置及び方
法（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ ５１９８７年７月１６日に出願
された係属中の第０７４．３７３号であって、ディーン
・フリーマン（Ｄｅａｎ Ｆｒｅｅｍａｎ ）、ジェー
ムス６プリス（ＪａｍｅｓＢｕｒｒｉｓ ）、セシル・
デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）、及びリー・
ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｉｖｅｎｓｔｅｉ
ｎ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｎ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
３９１号であって、ディーン・フリーマン（Ｄｅａｎ
Ｆｒｅｅｍａｎ ）、ジェームスープリス（Ｊａｍｅｓ
Ｂｕｒｒｉｓ ）、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ）、及びり−・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ
Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）による［処理装置及び方法
（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
４１５号であって、ディーン・フリーマン（Ｄｅａｎ
Ｆｒｅｅｍａｎ ）、ジェームス・ブリス（Ｊａｍｅｓ
Ｂｕｒｒｉｓ ）、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ
Ｄａｖｉｓ ）、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ
Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）による「処理装置及び方法
（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０．７４
．４５１号であって、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓｅｐｈ
Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ
Ｄａｖｉｓ ） 、パトリシア・スミス（Ｐａｔｒｉｃ
ｉａ Ｓｍ１ｔｈ ）、ルディ・ヨーク（Ｒｕｄｙ Ｙ
ｏｒｋ ）、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏ
ｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）、及びレット・シュチャ（Ｒｈｅ
ｔｔ Ｊｕｃｈａ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅ
ｔｈｏｄ ）Ｊ −。
１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７３．
９４５号であって、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓｅｐｈ
Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤ
ａｖｉｓ ） 、パトリシア・スミス（Ｐａｔｒｉｃｉ
ａ Ｓｍ１ｔｈ ）、及びルディ・ヨーク（Ｒｕｄｙ
Ｙｏｒｋ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第
０７３．９３６号であって、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓ
ｅｐｈ Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、セシル・デービス（ｃｅ
ｃｉｌＤａｖ、ｉｓ ） 、パトリシア・スミス（Ｐａ
ｔｒｉｃｉａ Ｓｍ１ｔｈ ）、ルディ・ヨーク（Ｒｕ
ｄｙ Ｙｏｒｋ ）による［処理装置び方法（Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中
の第０７４．１１１号であって、ジョセフ・ルトマ（Ｊ
ｏｓｅｐｈ Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、ルデイ’ヨーク（Ｒ
ｕｄｙ Ｙｏｒｋ）、パトリシア・スミス（Ｐａｔｒｉ
ｃｉａ Ｓｍ１ｔｈ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃ
ｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅ
ｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係
属中の第０７４．３８６号であって、ルディ・ヨーク（
ＲｕｄｙＹｏｒｋ） 、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓｅｐ
ｈ Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、パトリシア・スミス（Ｐａｔ
ｒｉｃｉａ Ｓｍ１ｔｈ ）及びセシル・デービス（ｃ
ｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願され
た係属中の第０７４．４０７号であって、ルディ・ヨー
ク（ＲｕｄｙＹｏｒｋ） 、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓ
ｅｐｈ Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、パトリシア・スミス（Ｐ
ａｔｒｉｃｉａ Ｓｍ１ｔｈ ）、及びセシル・デービ
ス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処理装置及び
方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａ
ｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出
願された係属中の第０７５．０１８号であって、セシル
・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）、ジョー・ア
バーナシイ（ＪｏｅＡｂｅｒｎａｔｈｙ ） 、ロバー
ト・マシューズ （ＲｏｂｅｒｔＭａｔｔｈｅｗｓ ）
、ランドール・ヒルデンブランド（Ｒａｎｄａｌｌ Ｈ
ｉｌｄｅｎｂｒａｎｄ ） 、ブルース・シンプソン（
Ｂｒｕｃｅ Ｓｉｍｐｓｏｎ ） 、ジェームス・ボー
ルマン（Ｊａｍｅｓ Ｂｏｈｌｍａｎ ） 、、リー・
ロエヘンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ
）及びジョン・ジョーンズ（Ｊｏｈｎ Ｊｏｎｅｓ
）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏ−ｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、
１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
１１２号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ
Ｍａｔｔｈｅｗｓ ） 、ルディ・ヨーク（Ｒｕｄｙ
Ｙｏｒｋ）、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓｅｐｈ Ｌｕｔ
ｔｍｅｒ ）、ドウェイン・ジャクビック（Ｄｗａｉｎ
Ｊａｋｕｂｉｋ ） 及びジェームス・ハング（Ｊａ
ｔｍｅｓ Ｈｕｎｔｅｒ ）による「処理装置及び方法
（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
４４９号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ）、ブレツブ・スミス（ＧｒｅｇＳｍｉｔｈ
） 、ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔ
ｔｈｅｗｓ）、ジョン・ジョーンズ（Ｊｏｈｎ Ｊｏｎ
ｅｓ ）、ジェームス・スミス（Ｊａｍｅｓ Ｓｍ１ｔ
ｈ ）及びリチャード・シュルツ（Ｒｉｃｈａｒｄ ５
ｃｈｕｌｔｚ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ）Ｊ ５１９８７年７月１６日に出願された係属
中の第０７４．４０６号であって、セシル・デービス（
ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）、ディーン・フリーマン（
ＤｅａｎＦｒｅｅｍａｎ ） 、ロバート・マシューズ
（ＲｏｂｅｒｔＭａｔｔｈｅｗｓ） 、及びジョエル・
トムソンによる「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉ
ｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄＭｅｔｈｏｄ Ｎ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７３．
９４１号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ）、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌ
ｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）、シャーロッテ・ティプトン（
ｃｈａｒｌｏｔｔｅ Ｔｉｐｔｏｎ ）、ランデイ・ス
ミス（Ｒａｎｄｅｅ Ｓｍ１ｔｈ ）、Ｒ，ポールマイ
ヤ（Ｒ。
９４５号であって、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓｅｐｈ
Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤ
ａｖｉｓ ） 、パトリシア・スミス（Ｐａｔｒｉｃｉ
ａ Ｓｍ１ｔｈ ）、及びルディ・ヨーク（Ｒｕｄｙ
Ｙｏｒｋ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第
０７３．９３６号であって、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓ
ｅｐｈ Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、セシル・デービス（ｃｅ
ｃｉｌＤａｖ、ｉｓ ） 、パトリシア・スミス（Ｐａ
ｔｒｉｃｉａ Ｓｍ１ｔｈ ）、ルディ・ヨーク（Ｒｕ
ｄｙ Ｙｏｒｋ ）による［処理装置び方法（Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中
の第０７４．１１１号であって、ジョセフ・ルトマ（Ｊ
ｏｓｅｐｈ Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、ルデイ’ヨーク（Ｒ
ｕｄｙ Ｙｏｒｋ）、パトリシア・スミス（Ｐａｔｒｉ
ｃｉａ Ｓｍ１ｔｈ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃ
ｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅ
ｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係
属中の第０７４．３８６号であって、ルディ・ヨーク（
ＲｕｄｙＹｏｒｋ） 、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓｅｐ
ｈ Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、パトリシア・スミス（Ｐａｔ
ｒｉｃｉａ Ｓｍ１ｔｈ ）及びセシル・デービス（ｃ
ｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願され
た係属中の第０７４．４０７号であって、ルディ・ヨー
ク（ＲｕｄｙＹｏｒｋ） 、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓ
ｅｐｈ Ｌｕｔｔｍｅｒ ）、パトリシア・スミス（Ｐ
ａｔｒｉｃｉａ Ｓｍ１ｔｈ ）、及びセシル・デービ
ス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処理装置及び
方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａ
ｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出
願された係属中の第０７５．０１８号であって、セシル
・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）、ジョー・ア
バーナシイ（ＪｏｅＡｂｅｒｎａｔｈｙ ） 、ロバー
ト・マシューズ （ＲｏｂｅｒｔＭａｔｔｈｅｗｓ ）
、ランドール・ヒルデンブランド（Ｒａｎｄａｌｌ Ｈ
ｉｌｄｅｎｂｒａｎｄ ） 、ブルース・シンプソン（
Ｂｒｕｃｅ Ｓｉｍｐｓｏｎ ） 、ジェームス・ボー
ルマン（Ｊａｍｅｓ Ｂｏｈｌｍａｎ ） 、、リー・
ロエヘンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ
）及びジョン・ジョーンズ（Ｊｏｈｎ Ｊｏｎｅｓ
）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏ−ｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、
１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
１１２号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ
Ｍａｔｔｈｅｗｓ ） 、ルディ・ヨーク（Ｒｕｄｙ
Ｙｏｒｋ）、ジョセフ・ルトマ（Ｊｏｓｅｐｈ Ｌｕｔ
ｔｍｅｒ ）、ドウェイン・ジャクビック（Ｄｗａｉｎ
Ｊａｋｕｂｉｋ ） 及びジェームス・ハング（Ｊａ
ｔｍｅｓ Ｈｕｎｔｅｒ ）による「処理装置及び方法
（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
４４９号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ）、ブレツブ・スミス（ＧｒｅｇＳｍｉｔｈ
） 、ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔ
ｔｈｅｗｓ）、ジョン・ジョーンズ（Ｊｏｈｎ Ｊｏｎ
ｅｓ ）、ジェームス・スミス（Ｊａｍｅｓ Ｓｍ１ｔ
ｈ ）及びリチャード・シュルツ（Ｒｉｃｈａｒｄ ５
ｃｈｕｌｔｚ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ）Ｊ ５１９８７年７月１６日に出願された係属
中の第０７４．４０６号であって、セシル・デービス（
ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）、ディーン・フリーマン（
ＤｅａｎＦｒｅｅｍａｎ ） 、ロバート・マシューズ
（ＲｏｂｅｒｔＭａｔｔｈｅｗｓ） 、及びジョエル・
トムソンによる「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉ
ｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄＭｅｔｈｏｄ Ｎ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７３．
９４１号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ）、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌ
ｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）、シャーロッテ・ティプトン（
ｃｈａｒｌｏｔｔｅ Ｔｉｐｔｏｎ ）、ランデイ・ス
ミス（Ｒａｎｄｅｅ Ｓｍ１ｔｈ ）、Ｒ，ポールマイ
ヤ（Ｒ。
Ｐｏｈｌｍｅｉｅｒ）、ジョン９ジヨーンズ（Ｊｏｈｎ
Ｊｏｎｅｓ ）、ロバート・ポーリング（Ｒｏｂｅｒ
ｔ Ｂｏｗｌｉｎｇ ）、及び■、ラッセル（１，Ｒｕ
５ｓｅｌ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第
０７４．３７１号であって、リー・ロエベンシュタイン
（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、セシル・デ
ービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処理装置
及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日
に出願された係属中の第０７４．４１８号であって、ウ
ニイン・フィシャ（Ｗａｙｎｅ Ｆｉｓｈｅｒ ）によ
る「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐ
ａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７
年７月１６日に出願された係属中の第０７３．９３４号
であって、ウニイン・フィシャ（Ｗａｙｎｅ Ｆｉｓｈ
ｅｒ ）、トミイ・ベネット（ＴｏｍｍｙＢｅｎｎｅｔ
）、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）
、及びロバート・マンューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔ
ｈｅｗｓ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）
Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
４０３号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、ロバート・マンューズ（Ｒｏｂｅｒｔ
Ｍａｔｔｈｅｗｓ）及びウニイン・フイシャ（Ｗａｙｎ
ｅ Ｆｉｓｈｅｒ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１７日に出願された係属中の第０７５．
０１９号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、ディーン・フリーマン（ＤｅａｎＦｒ
ｅｅｍａｎ ） 、ロバート・マンューズ（Ｒｏｂｅｒ
ｔＭａｔｔｈｃｖｓ） 、及びジオエル・トムリン（Ｊ
ｏｅｌＴｏｍ ｌ ｉｎ）による［処理装置及び方法（
ＰｒｏｃｅｓＳｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍ
ｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された
係属中の第０７３．９３９号であって、セシル・デービ
ス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、ジオ−・アバーナ
シイ（ＪｏｅＡｂｅｒｎａｔｈｙ ） 、ロバート・マ
ンューズ（ＲｏｂｅｒｔＭａｔｔｈｅｗｓ） 、ランデ
イ’ヒルデンブランド（ＲａｎｄｙＨｉｌｄｅｎｂｒａ
ｎｄ ） 、ブルース・シンプソン（ＢｒｕｃｅＳｉｍ
ｐｓｏｎ ） 、ジェームス・ポールマン（Ｊａｍｅｓ
Ｂｏｈｌｍａｎ ） 、リー・ロエベンシュタイン（Ｌ
ｅｅＬｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）及びジョン・ジョーン
ズ（ＪｏｈｎＪｏｎｅｓ ）による「処理装置及び方法
（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願され
た係属中の第０７３．９４４号であって、セシル・デー
ビス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）及びレット・ジュチ
＋（ＲｈｅｔｔＪｕｃｈａ ）による「処理装置及び方
法（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ ％１９８７年７月１６日に出
願された係属中の第０７３．９３５号であって、シイア
ン・リウ（ＪｉａｎＬＩＬＩ）、セシル・デービス（ｃ
ｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）及びリー・ロエベンシュタイ
ン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）による「処理
装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐ−ｐａｒａ
ｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｎ、１９８７年７月１
６日に出願された係属中の第０７４．１２９号であって
、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓ
ｔｅｉｎ ）−、ディーン・フリーマン（Ｄｅａｎ Ｆ
ｒｅｅｍａｎ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤ
ａｖｉｓ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏ（ｅｓ
ｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ＝ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第
０７４．４５５号であって、リー・ロエベンシュタイン
（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、ディーン・
フリーマン（Ｄｅａｎ Ｆｒｅｅｍａｎ ）及びセシル
・デービス（ｃｅｃｉｌＤａｖｉｓ ）による「処理装
置及び方法（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ） Ｊ、１９８７年７月１６
日に出願された係属中の第０７４．４５３号であって、
リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔ
ｅｉｎ ） 、ディーン・フリーマン（Ｄｅａｎ Ｆｒ
ｅｅｍａｎ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤａ
ｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ八ｐｐａｒａｔｕｓへ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ 、１９８７年７月１６日に出願された係属
中の第０７３．９４９号であって、リー・ロエベンシュ
タイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）及びセシ
ル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処
理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａ
ｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月
１６日に出願された係属中の第０７４．３７９号であっ
て、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎ
ｓｔｅｉｎ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第
０７３．９３７号であって、リー・ロエベンシュタイン
（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）及びセシル・デ
ービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処理装置
及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日
に出願された係属中の第０７４．４２５号であって、リ
ー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｉｌｅｎｓｔ
ｅｉｎ ） 、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖ
ｉｓ ）及びレット・シュチャ（ＲｈｅｔｔＪｕｃｈａ
）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１
９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７３．９
４７号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａ
ｖｉｓ ）、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏ
ｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）及びレット・シュチャ（Ｒｈｅ
ｔｔＪｕｃｈａ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔ
ｈｏｄ ）Ｊ ％１９８７年７月１６日に出願された係
属中の第０７４．４５２号であって、レット・シュチャ
（Ｒｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ） 、セシル・デービス（
ｃｅｃｉｌＤａｖｉｓ ） 及ヒリ−・ロエベンシュタ
イン（ＬｅｅＬｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）による［処理
装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔ
ｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ ％１９８７年７月
１６日に出願された係属中の第０７４．４５４号であっ
て、レフト・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ）
、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤｄｖｉｓ）及ヒリー
・ロエベンシュタイン（ＬｅｅＬｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ
）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、
１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
４２２号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ
Ｍａｔｔｈｅｗｓ） 、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ
Ｊｕｃｈａ ）及びり−・ロエベンシュタイン（Ｌｅ
ｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）による「処理装置及び方
法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
１１３号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ
Ｍａｔｔｈｅｗｓ） 、リー・ロエベンシュタイン（Ｌ
ｅｅＬｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）、レット・シュチャ（Ｒ
ｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ）、ランデイ・ヒルデンブラン
ド（Ｒａｎｄｙ Ｈｉｌｄｅｎｂｒａｎｄ）、及びジョ
ン・ジョーンズ（Ｊｏｈｎ Ｊｏｎｅｓ）による「処理
装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔ
ｕｓ ａｎｄＭｅｔｈｏｄ） Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７３．
９４０号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤａ
ｖｉｓ ）及びロバート・マシューズ（ＲｏｂｅｒｔＭ
ａｔｔｈｅｗｓ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏ
ｄ ）Ｊ、１９８７年７月１７日に出願された係属中の
第０７５．０１７号であって、リー・ロエベンシュタイ
ン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）による「処理装
置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕ
ｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ ＼１９８７年７月１
６日に出願された係属中の第０７３．９４６号であって
、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）及び
ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗ
ｓ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、
１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７３．
９３８号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ）及びロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ
Ｍａｔｔｈｅｗｓ）による「処理装置及び方法（Ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅ
ｔｈｏｄ ）Ｊ ％（産業上の利用分野） 本発明は、集積回路及びその他の電子装置を製造する装
置と方法に関する。
Ｊｏｎｅｓ ）、ロバート・ポーリング（Ｒｏｂｅｒ
ｔ Ｂｏｗｌｉｎｇ ）、及び■、ラッセル（１，Ｒｕ
５ｓｅｌ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第
０７４．３７１号であって、リー・ロエベンシュタイン
（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、セシル・デ
ービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処理装置
及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日
に出願された係属中の第０７４．４１８号であって、ウ
ニイン・フィシャ（Ｗａｙｎｅ Ｆｉｓｈｅｒ ）によ
る「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐ
ａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７
年７月１６日に出願された係属中の第０７３．９３４号
であって、ウニイン・フィシャ（Ｗａｙｎｅ Ｆｉｓｈ
ｅｒ ）、トミイ・ベネット（ＴｏｍｍｙＢｅｎｎｅｔ
）、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）
、及びロバート・マンューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔ
ｈｅｗｓ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）
Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
４０３号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、ロバート・マンューズ（Ｒｏｂｅｒｔ
Ｍａｔｔｈｅｗｓ）及びウニイン・フイシャ（Ｗａｙｎ
ｅ Ｆｉｓｈｅｒ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１７日に出願された係属中の第０７５．
０１９号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、ディーン・フリーマン（ＤｅａｎＦｒ
ｅｅｍａｎ ） 、ロバート・マンューズ（Ｒｏｂｅｒ
ｔＭａｔｔｈｃｖｓ） 、及びジオエル・トムリン（Ｊ
ｏｅｌＴｏｍ ｌ ｉｎ）による［処理装置及び方法（
ＰｒｏｃｅｓＳｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍ
ｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された
係属中の第０７３．９３９号であって、セシル・デービ
ス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ） 、ジオ−・アバーナ
シイ（ＪｏｅＡｂｅｒｎａｔｈｙ ） 、ロバート・マ
ンューズ（ＲｏｂｅｒｔＭａｔｔｈｅｗｓ） 、ランデ
イ’ヒルデンブランド（ＲａｎｄｙＨｉｌｄｅｎｂｒａ
ｎｄ ） 、ブルース・シンプソン（ＢｒｕｃｅＳｉｍ
ｐｓｏｎ ） 、ジェームス・ポールマン（Ｊａｍｅｓ
Ｂｏｈｌｍａｎ ） 、リー・ロエベンシュタイン（Ｌ
ｅｅＬｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）及びジョン・ジョーン
ズ（ＪｏｈｎＪｏｎｅｓ ）による「処理装置及び方法
（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願され
た係属中の第０７３．９４４号であって、セシル・デー
ビス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）及びレット・ジュチ
＋（ＲｈｅｔｔＪｕｃｈａ ）による「処理装置及び方
法（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ ％１９８７年７月１６日に出
願された係属中の第０７３．９３５号であって、シイア
ン・リウ（ＪｉａｎＬＩＬＩ）、セシル・デービス（ｃ
ｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）及びリー・ロエベンシュタイ
ン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）による「処理
装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐ−ｐａｒａ
ｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｎ、１９８７年７月１
６日に出願された係属中の第０７４．１２９号であって
、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓ
ｔｅｉｎ ）−、ディーン・フリーマン（Ｄｅａｎ Ｆ
ｒｅｅｍａｎ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤ
ａｖｉｓ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏ（ｅｓ
ｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ＝ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第
０７４．４５５号であって、リー・ロエベンシュタイン
（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ） 、ディーン・
フリーマン（Ｄｅａｎ Ｆｒｅｅｍａｎ ）及びセシル
・デービス（ｃｅｃｉｌＤａｖｉｓ ）による「処理装
置及び方法（ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ） Ｊ、１９８７年７月１６
日に出願された係属中の第０７４．４５３号であって、
リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔ
ｅｉｎ ） 、ディーン・フリーマン（Ｄｅａｎ Ｆｒ
ｅｅｍａｎ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤａ
ｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ八ｐｐａｒａｔｕｓへ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ 、１９８７年７月１６日に出願された係属
中の第０７３．９４９号であって、リー・ロエベンシュ
タイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）及びセシ
ル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処
理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａ
ｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月
１６日に出願された係属中の第０７４．３７９号であっ
て、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎ
ｓｔｅｉｎ ）及びセシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
）Ｊ、１９８７年７月１６日に出願された係属中の第
０７３．９３７号であって、リー・ロエベンシュタイン
（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）及びセシル・デ
ービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）による「処理装置
及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１９８７年７月１６日
に出願された係属中の第０７４．４２５号であって、リ
ー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｉｌｅｎｓｔ
ｅｉｎ ） 、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖ
ｉｓ ）及びレット・シュチャ（ＲｈｅｔｔＪｕｃｈａ
）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、１
９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７３．９
４７号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａ
ｖｉｓ ）、リー・ロエベンシュタイン（Ｌｅｅ Ｌｏ
ｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）及びレット・シュチャ（Ｒｈｅ
ｔｔＪｕｃｈａ ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔ
ｈｏｄ ）Ｊ ％１９８７年７月１６日に出願された係
属中の第０７４．４５２号であって、レット・シュチャ
（Ｒｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ） 、セシル・デービス（
ｃｅｃｉｌＤａｖｉｓ ） 及ヒリ−・ロエベンシュタ
イン（ＬｅｅＬｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ ）による［処理
装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔ
ｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ ％１９８７年７月
１６日に出願された係属中の第０７４．４５４号であっ
て、レフト・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ）
、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤｄｖｉｓ）及ヒリー
・ロエベンシュタイン（ＬｅｅＬｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ
）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、
１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
４２２号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ
Ｍａｔｔｈｅｗｓ） 、レット・シュチャ（Ｒｈｅｔｔ
Ｊｕｃｈａ ）及びり−・ロエベンシュタイン（Ｌｅ
ｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）による「処理装置及び方
法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７４．
１１３号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ） 、ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ
Ｍａｔｔｈｅｗｓ） 、リー・ロエベンシュタイン（Ｌ
ｅｅＬｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）、レット・シュチャ（Ｒ
ｈｅｔｔ Ｊｕｃｈａ ）、ランデイ・ヒルデンブラン
ド（Ｒａｎｄｙ Ｈｉｌｄｅｎｂｒａｎｄ）、及びジョ
ン・ジョーンズ（Ｊｏｈｎ Ｊｏｎｅｓ）による「処理
装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔ
ｕｓ ａｎｄＭｅｔｈｏｄ） Ｊ、 １９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７３．
９４０号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌＤａ
ｖｉｓ ）及びロバート・マシューズ（ＲｏｂｅｒｔＭ
ａｔｔｈｅｗｓ）による「処理装置及び方法（Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏ
ｄ ）Ｊ、１９８７年７月１７日に出願された係属中の
第０７５．０１７号であって、リー・ロエベンシュタイ
ン（Ｌｅｅ Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ）による「処理装
置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕ
ｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ ＼１９８７年７月１
６日に出願された係属中の第０７３．９４６号であって
、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄａｖｉｓ ）及び
ロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｍａｔｔｈｅｗ
ｓ）による［処理装置及び方法（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ）Ｊ、
１９８７年７月１６日に出願された係属中の第０７３．
９３８号であって、セシル・デービス（ｃｅｃｉｌ Ｄ
ａｖｉｓ ）及びロバート・マシューズ（Ｒｏｂｅｒｔ
Ｍａｔｔｈｅｗｓ）による「処理装置及び方法（Ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅ
ｔｈｏｄ ）Ｊ ％（産業上の利用分野） 本発明は、集積回路及びその他の電子装置を製造する装
置と方法に関する。
（従来の技術と課題）
集積回路の製造における基本問題の１つは、粒子の存在
によって生じる欠陥である。例えば、導電層をパターン
形成するのに最小幾何形状０．８ミクロンのフォトリソ
グラフィーを用いる場合、０．５ミクロンの粒子が存在
すると、パターン形成ラインが欠陥を生じるほど狭くな
り、（開回路によって即座に、または電子移動によって
究極的に）回路の動作を妨げることがある。別の例とし
て、１００人のシリコン粒子が表面に付着し、成長中の
２００人の窒化物層内に含まれると、その後の処理工程
がシリコン粒子を乱さないとしても、その地点で誘電層
が破壊する可能性が高くなる。
によって生じる欠陥である。例えば、導電層をパターン
形成するのに最小幾何形状０．８ミクロンのフォトリソ
グラフィーを用いる場合、０．５ミクロンの粒子が存在
すると、パターン形成ラインが欠陥を生じるほど狭くな
り、（開回路によって即座に、または電子移動によって
究極的に）回路の動作を妨げることがある。別の例とし
て、１００人のシリコン粒子が表面に付着し、成長中の
２００人の窒化物層内に含まれると、その後の処理工程
がシリコン粒子を乱さないとしても、その地点で誘電層
が破壊する可能性が高くなる。
この問題は、集積回路の処理における次の２つの理由か
らますます厄介なものとなりつ＼ある。
らますます厄介なものとなりつ＼ある。
すなわち、第１に、デバイスの寸法がますます小さくな
るにつれ、“致命的欠陥”の寸法が小さくなるため、そ
れに応じより小さい粒子の存在を避ける必要がある。こ
れは、クリーンルームが実際にきれいであることを保証
する作業をいっそう困難とする。例えば、１ミクロン以
上の粒子についてクラス１ （つまり立方フィート当り
の粒子が１より少ない雰囲気）のクリーンルームは、１
００人にまで粒子の大きさが下がるとクラス１０００が
それより悪くなってしまう。
るにつれ、“致命的欠陥”の寸法が小さくなるため、そ
れに応じより小さい粒子の存在を避ける必要がある。こ
れは、クリーンルームが実際にきれいであることを保証
する作業をいっそう困難とする。例えば、１ミクロン以
上の粒子についてクラス１ （つまり立方フィート当り
の粒子が１より少ない雰囲気）のクリーンルームは、１
００人にまで粒子の大きさが下がるとクラス１０００が
それより悪くなってしまう。
第２に、大きいサイズの集積回路を使いたいという要望
も増している。例えば、５０．０００平方ミルより大き
いサイズの集積回路は現在、５年前に比べはるかに一般
的に使われている。これは、各々の致命的欠陥が以前よ
りも大きい処理ウェハの面積を破壊し易いことを意味す
る。すなわち、限界の欠陥サイズが小さくなっているだ
けでなく、限界の欠陥密度も小さくなっている。
も増している。例えば、５０．０００平方ミルより大き
いサイズの集積回路は現在、５年前に比べはるかに一般
的に使われている。これは、各々の致命的欠陥が以前よ
りも大きい処理ウェハの面積を破壊し易いことを意味す
る。すなわち、限界の欠陥サイズが小さくなっているだ
けでなく、限界の欠陥密度も小さくなっている。
このように、粒子は集積回路の製造歩留りにお・ け
る極めて有用な要素であるばかりか、その重要性は今後
も極めて迅速に増していくであろう。従って本発明の目
的は、粒子の汚染に対する処理の感度を減少でき、−船
釣に適用可能な集積回路の製造方法を提供することにあ
る。
る極めて有用な要素であるばかりか、その重要性は今後
も極めて迅速に増していくであろう。従って本発明の目
的は、粒子の汚染に対する処理の感度を減少でき、−船
釣に適用可能な集積回路の製造方法を提供することにあ
る。
粒子汚染の主な発生囚の１つは、人体から放出される粒
子及び半導体の処理施設（フロントエンド）内を動き回
る機器オペレータによって攪拌される粒子を含め、人に
原因していることである。
子及び半導体の処理施設（フロントエンド）内を動き回
る機器オペレータによって攪拌される粒子を含め、人に
原因していることである。
この主な発生源からの粒状汚染の可能性を減じるため、
当業界の一般的な傾向として、自動的な移送作業がより
多く使われるようになってきた。かかる作業では例えば
、ウェハのカセットを装置内に置（と、装置が自動的に
カセットからウェハを１つづつ装置内を通じて移送しく
必要な処理工程を行った）後、人手を使わずにカセット
へと戻す。
当業界の一般的な傾向として、自動的な移送作業がより
多く使われるようになってきた。かかる作業では例えば
、ウェハのカセットを装置内に置（と、装置が自動的に
カセットからウェハを１つづつ装置内を通じて移送しく
必要な処理工程を行った）後、人手を使わずにカセット
へと戻す。
しかし反面、自動移送作業の面に努力した結果、粒子の
別の発生源、つまり取扱及び搬送作業中にウェハと移送
機構から発生される粒子の重要性が注目されてきた。ウ
ェハの表面が別の硬い表面に軽くぶつかると、（シリコ
ン、酸化シリコン、その他の物質の）粒子が放出され易
い。従来のウェハ搬送器内における粒子密度は、上記の
粒子発生源のため一般に極めて高い。また、ウェハ搬送
用の従来機構の多くは、かなりの量の粒子を発生する。
別の発生源、つまり取扱及び搬送作業中にウェハと移送
機構から発生される粒子の重要性が注目されてきた。ウ
ェハの表面が別の硬い表面に軽くぶつかると、（シリコ
ン、酸化シリコン、その他の物質の）粒子が放出され易
い。従来のウェハ搬送器内における粒子密度は、上記の
粒子発生源のため一般に極めて高い。また、ウェハ搬送
用の従来機構の多くは、かなりの量の粒子を発生する。
この点に関する一般的な問題は、参考文献として本明細
書に含まれる米国特許第４．３４９，２４３号と第４，
４３９，２４４号で論じられている。
書に含まれる米国特許第４．３４９，２４３号と第４，
４３９，２４４号で論じられている。
数種類のウェハ処理が、参考文献として本明細書に記載
されている１９８１年１０月６日発行のウェーラン（Ｗ
ｈｅｌａｎ ）による米国特許第４．２９３．２４９号
、１９８１年１２月１５日発行のヘッド（Ｈｅａｄ）に
よる同第４．３０６．２９３号、及び１９７３年１０月
１６日発行のニガード（Ｎｙｇａａｒｄ ）による同第
３．７６５．７６３号に示されている。
されている１９８１年１０月６日発行のウェーラン（Ｗ
ｈｅｌａｎ ）による米国特許第４．２９３．２４９号
、１９８１年１２月１５日発行のヘッド（Ｈｅａｄ）に
よる同第４．３０６．２９３号、及び１９７３年１０月
１６日発行のニガード（Ｎｙｇａａｒｄ ）による同第
３．７６５．７６３号に示されている。
本願と同じ譲渡人の前掲した先行出願は、搬送中におけ
るウェハの表面摩損による粒子発生が減少されると真空
ウェハキャリヤを提供することによって、問題の上記局
面に対処してきた。これらの先行出願の教示は、ウェハ
を高真空下で下向きに運ぶことによって、搬送及び保管
中におけるキャリヤ内での粒子の発生を減少させるだけ
でなく、搬送及び保管中におけるウェハの活性面への付
着を減少させることも可能とした。
るウェハの表面摩損による粒子発生が減少されると真空
ウェハキャリヤを提供することによって、問題の上記局
面に対処してきた。これらの先行出願の教示は、ウェハ
を高真空下で下向きに運ぶことによって、搬送及び保管
中におけるキャリヤ内での粒子の発生を減少させるだけ
でなく、搬送及び保管中におけるウェハの活性面への付
着を減少させることも可能とした。
従って、ウェハは大気または低真空の状態とさえも出会
うことなく搬送、装填、取外及び処理できる。このこと
は、極めて有用である。というのは、約１０−’ ｔｏ
ｒｒ以下の圧力ではブラウン運動が約１００人より大き
いサイズの粒子を充分に支えられなくなり、それらの粒
子は低圧雰囲気から比較的迅速に落下するからである。
うことなく搬送、装填、取外及び処理できる。このこと
は、極めて有用である。というのは、約１０−’ ｔｏ
ｒｒ以下の圧力ではブラウン運動が約１００人より大き
いサイズの粒子を充分に支えられなくなり、それらの粒
子は低圧雰囲気から比較的迅速に落下するからである。
第２図は、異なるサイズの粒子が各雰囲気圧下で１ｍ落
下するのに必要な時間を示す。同図から、１０−５ｔｏ
ｒｒ以下の圧力では、１００人の粒子でも１秒間に１ｍ
落下し、それより大きい粒子はもっと速く落下すること
が分る。（大きな粒子は重力加速度で、単純に弾道的に
落下する。）つまり１０−’ ｔｏｒｒより低い圧力の
雰囲気だと、１００人より大きい粒子は弾道的にだけ移
動でき、ランダムな空気流やブラウン運動による重要な
ウェハ表面への移動は生じにくい。
下するのに必要な時間を示す。同図から、１０−５ｔｏ
ｒｒ以下の圧力では、１００人の粒子でも１秒間に１ｍ
落下し、それより大きい粒子はもっと速く落下すること
が分る。（大きな粒子は重力加速度で、単純に弾道的に
落下する。）つまり１０−’ ｔｏｒｒより低い圧力の
雰囲気だと、１００人より大きい粒子は弾道的にだけ移
動でき、ランダムな空気流やブラウン運動による重要な
ウェハ表面への移動は生じにくい。
本願で説明する各種実施例と第２図に示した特性曲線と
は次のような関連を有している。すなわち、先行出願は
、最初の真空処理ステーション（洗浄及びポンプ排気ス
テーション）内に装填された時点から、処理工程自体が
（例えば通常のフォトリソグラフィーステーションや湿
式処理工程に対して）より高い真空を必要とする場合を
除き処理の完了時点まで、ウェハが浮遊粒子に全くさら
されないようにウェハを処理する方法に関する最初の公
知教示であった。これは、ウエノ＼上への粒子付着の可
能性が全体として大きく減少されたことを意味する。
は次のような関連を有している。すなわち、先行出願は
、最初の真空処理ステーション（洗浄及びポンプ排気ス
テーション）内に装填された時点から、処理工程自体が
（例えば通常のフォトリソグラフィーステーションや湿
式処理工程に対して）より高い真空を必要とする場合を
除き処理の完了時点まで、ウェハが浮遊粒子に全くさら
されないようにウェハを処理する方法に関する最初の公
知教示であった。これは、ウエノ＼上への粒子付着の可
能性が全体として大きく減少されたことを意味する。
また前掲の先行出願は、２以上の処理モジュールで、装
填ロック及び真空ウェハ搬送機構と組合せて真空ウェハ
キャリヤの設計を用いて、完全な低粒子ウェハ移送シス
テムを与えることも教示している。これらの真空装填ロ
ックは、装填口・ツクがポンプ排気された後に真空ウェ
ハキャリヤを開き、所望のランダムなアクセス順序でキ
ャリヤからウェハを取り出し、そしてウェハを１つづつ
ポートを経て隣接する処理室内へ移す各機構を有効に組
み入れることが可能となる。さらに、装填ロック機構は
真空ウェハキャリヤを閉じて再密閉できるので、真空ウ
ェハキャリヤ内の真空状態を破らずに、装填ロック自体
を大気圧とし、真空ウェハキャリヤを取り出すことがで
きる。この方法は、第２図に示し且つ以下詳述する降下
現象を最大限利用している。次いで、ウェハは、場合に
よっては製造シーケンス全体を通じ、実質上粒子の存在
しない環境内で、キャリヤから装填ロックへ、処理室中
へ、また装填ロックを経てキャリヤへと戻すことができ
る。
填ロック及び真空ウェハ搬送機構と組合せて真空ウェハ
キャリヤの設計を用いて、完全な低粒子ウェハ移送シス
テムを与えることも教示している。これらの真空装填ロ
ックは、装填口・ツクがポンプ排気された後に真空ウェ
ハキャリヤを開き、所望のランダムなアクセス順序でキ
ャリヤからウェハを取り出し、そしてウェハを１つづつ
ポートを経て隣接する処理室内へ移す各機構を有効に組
み入れることが可能となる。さらに、装填ロック機構は
真空ウェハキャリヤを閉じて再密閉できるので、真空ウ
ェハキャリヤ内の真空状態を破らずに、装填ロック自体
を大気圧とし、真空ウェハキャリヤを取り出すことがで
きる。この方法は、第２図に示し且つ以下詳述する降下
現象を最大限利用している。次いで、ウェハは、場合に
よっては製造シーケンス全体を通じ、実質上粒子の存在
しない環境内で、キャリヤから装填ロックへ、処理室中
へ、また装填ロックを経てキャリヤへと戻すことができ
る。
処理ステーション（１つまたはそれより多い処理モジュ
ールを任意に含み得る）は、それに付設の２以上の装填
ロックを有する。これには、実際の及び潜在的な幾つか
の利点がある。第１に、−方の装填ロックから移送され
たウェハに対して処理を続行しつ＼、他方の装填ロック
を再装填できるので、処理量が高まる。第２に、何らか
の機械的作動不良が生じた場合、その作動不良を直すの
に処理モジュールへ通気する必要があれば、少なくとも
処理中のウェハを中央モジュール領域から（−の装填ロ
ック内へ、または−の処理モジュール内さえへと）移動
し、それらのウェハを大気にさらさせない状態に保てる
。これは、かなりひどい故障でも修復可能なことを意味
する。第３に、別々の移送アームが各々の装填ロック内
に設けられていれば、装填ロック内の１つの移送装置で
機械的な問題が生じても、その機械的不良を修復する補
修を待つ間、処理ステーションでは他方の装填ロックを
介して移送し生産を続行可能であるという利点がある。
ールを任意に含み得る）は、それに付設の２以上の装填
ロックを有する。これには、実際の及び潜在的な幾つか
の利点がある。第１に、−方の装填ロックから移送され
たウェハに対して処理を続行しつ＼、他方の装填ロック
を再装填できるので、処理量が高まる。第２に、何らか
の機械的作動不良が生じた場合、その作動不良を直すの
に処理モジュールへ通気する必要があれば、少なくとも
処理中のウェハを中央モジュール領域から（−の装填ロ
ック内へ、または−の処理モジュール内さえへと）移動
し、それらのウェハを大気にさらさせない状態に保てる
。これは、かなりひどい故障でも修復可能なことを意味
する。第３に、別々の移送アームが各々の装填ロック内
に設けられていれば、装填ロック内の１つの移送装置で
機械的な問題が生じても、その機械的不良を修復する補
修を待つ間、処理ステーションでは他方の装填ロックを
介して移送し生産を続行可能であるという利点がある。
本願で開示される各種の処理モジュールは、処理装置の
モジュール化において大巾な改善を与える。つまり、比
較的簡単な交換によって、反応器は非常に広範囲な機能
のうち任意の１つへと変更できる。以下の詳細な説明か
ら、利用可能な異なる機能の大部分は、ウェハサセプタ
及び関連構造において−すなわちボルト止めされた反応
器の頂部において−又は送り機構つまりウェハ真下の構
造において交換を行うだけで設置できることが明らかと
なろう。つまり、真空室とウェハ移送インタフェースの
基本構成はほとんど変わらない。
モジュール化において大巾な改善を与える。つまり、比
較的簡単な交換によって、反応器は非常に広範囲な機能
のうち任意の１つへと変更できる。以下の詳細な説明か
ら、利用可能な異なる機能の大部分は、ウェハサセプタ
及び関連構造において−すなわちボルト止めされた反応
器の頂部において−又は送り機構つまりウェハ真下の構
造において交換を行うだけで設置できることが明らかと
なろう。つまり、真空室とウェハ移送インタフェースの
基本構成はほとんど変わらない。
この能力は数多くの利点をもたらす。第１に、新たな処
理能力を付加する限界資本コストが大巾に減少する。第
２に、新たな機能を実行するのに装置を比較的容易に再
構成できるので、製造スペースの融通性が大巾に増す。
理能力を付加する限界資本コストが大巾に減少する。第
２に、新たな機能を実行するのに装置を比較的容易に再
構成できるので、製造スペースの融通性が大巾に増す。
第３に、反応器構造のための設計開発時間が大巾に減少
する。第４に、多くの重要なキーが広範囲の反応器を通
じて理想的に実施されるので、新たな反応器の使用時に
人員を訓練するのに必要な時間が大巾に減少する。
する。第４に、多くの重要なキーが広範囲の反応器を通
じて理想的に実施されるので、新たな反応器の使用時に
人員を訓練するのに必要な時間が大巾に減少する。
第５に、各種の機器に対する不慣れや混同に原因してオ
ペレータがミスしにくくなるので、ミスの損害も減る。
ペレータがミスしにくくなるので、ミスの損害も減る。
第６に、適切なスペア部品在庫の保管コストが減少する
。第７に、補修及び保守機能の多くは該当の交換モジュ
ールを生産用反応器内へ交換設置した後ライン外で実施
できるため、そのような機能の遅延損害も減少可能であ
る。第８に、不要な機能を実施するように構成された装
置が再構成可能なので、使われなくなった旧式装置の製
造スペース内における存在が最小限化される。
。第７に、補修及び保守機能の多くは該当の交換モジュ
ールを生産用反応器内へ交換設置した後ライン外で実施
できるため、そのような機能の遅延損害も減少可能であ
る。第８に、不要な機能を実施するように構成された装
置が再構成可能なので、使われなくなった旧式装置の製
造スペース内における存在が最小限化される。
こ＼に開示される各種クラスのモジュールは、それらモ
ジュールを設置するのに必要な“フットプリント（足形
域）”が最小になるという利点を与える。つまり、開示
されるような１つ以上の処理モジュールがクリーンルー
ム内に配置されたとき、必要なりリーンルームの床スペ
ース（非常に高価）が最小で済む。
ジュールを設置するのに必要な“フットプリント（足形
域）”が最小になるという利点を与える。つまり、開示
されるような１つ以上の処理モジュールがクリーンルー
ム内に配置されたとき、必要なりリーンルームの床スペ
ース（非常に高価）が最小で済む。
真空状態を破らずに１つの処理室から別の処理室ヘウェ
ハを移送する能力は、後述する実施例のモジエール式互
換性によって高められる。特に、こ＼に開示するような
モジュール式処理ユニ・ノドの利点の１つは、共通のス
テーション内にある２つのモジュール間で移送されるの
にウヱノ＼が装填ロックを通過しなくてもよいように、
単一の処理ステーションが、記載されたような処理モジ
ュールを幾つか含むことができる点にある。
ハを移送する能力は、後述する実施例のモジエール式互
換性によって高められる。特に、こ＼に開示するような
モジュール式処理ユニ・ノドの利点の１つは、共通のス
テーション内にある２つのモジュール間で移送されるの
にウヱノ＼が装填ロックを通過しなくてもよいように、
単一の処理ステーションが、記載されたような処理モジ
ュールを幾つか含むことができる点にある。
後述する各種モジュール設計の別の利点は、超有能な反
応器を与えること、すなわち何れか１つのプロセスで使
用可能なものより大きな適応能力を有することにある。
応器を与えること、すなわち何れか１つのプロセスで使
用可能なものより大きな適応能力を有することにある。
この点から、それらの特徴は逐次処理の面でも有利なこ
とも明らかとなろう。
とも明らかとなろう。
つまり、ウェハを取り出さずに、同一室内で２以上の処
理を実施するのが望ましいと認識されている。こ＼に開
示される反応器は、上記を実施するのに特に有利である
。何故なら、反応器設計の“過剰な”能力とは、２つの
逐次ステ・ノブを実施するために、反応器を構成するの
がより容易なことを意味するからである。
理を実施するのが望ましいと認識されている。こ＼に開
示される反応器は、上記を実施するのに特に有利である
。何故なら、反応器設計の“過剰な”能力とは、２つの
逐次ステ・ノブを実施するために、反応器を構成するの
がより容易なことを意味するからである。
上記以外の利点は、以下の実施例の説明から理解される
。
。
以下、本発明を添付の図面を参照して説明する。
（実施例）
本発明は、半導体の処理方法及び装置における重要な新
概念を与えるものである。以下に好ましい実施例を詳し
く論じるが、それらの実施例に含まれる概念は他の多く
の★施例でも使え、発明の範囲は以下に示す実施例によ
っては限定されないことを認識する必要がある。
概念を与えるものである。以下に好ましい実施例を詳し
く論じるが、それらの実施例に含まれる概念は他の多く
の★施例でも使え、発明の範囲は以下に示す実施例によ
っては限定されないことを認識する必要がある。
第１図は、真空装填ロック室１２内に位置した真空ウェ
ハキャリヤ１０の実例を示す。真空つエバキャリヤ１０
は、第４図にもや＼詳しく示しである。
ハキャリヤ１０の実例を示す。真空つエバキャリヤ１０
は、第４図にもや＼詳しく示しである。
真空ウェハキャリヤ１０は、そのドア１４を開いた状態
で示しである。ドア１４は、例えばヒンジ（図示せず）
によって、キャリヤ１０本体の側辺（第１及び４図で左
側）に旋回自在に取り付けられている。ドア１４は真空
シール１３ （第４図）を有し、それが真空ウェハキャ
リヤの本体と係合するので、真空ウェハキャリヤ１０の
外部を大気にさらしながらも、キャリヤｌＯの内部は、
数日間更には数十日間、その内圧を例えば１０−”Ｌｏ
ｒｒより高めるような漏れを生ぜずに、気密維持される
。
で示しである。ドア１４は、例えばヒンジ（図示せず）
によって、キャリヤ１０本体の側辺（第１及び４図で左
側）に旋回自在に取り付けられている。ドア１４は真空
シール１３ （第４図）を有し、それが真空ウェハキャ
リヤの本体と係合するので、真空ウェハキャリヤ１０の
外部を大気にさらしながらも、キャリヤｌＯの内部は、
数日間更には数十日間、その内圧を例えば１０−”Ｌｏ
ｒｒより高めるような漏れを生ぜずに、気密維持される
。
真空ウェハキャリヤ１０は、位置整合台１８と嵌合合体
する。位置整合台１８は第１図では一部しか示されてい
ないが、第４図に詳しく示しである。真空ウェハキャリ
ヤ１０が真空装填ロック室１２内に置かれたとき、真空
ウェハキャリヤ１０の位置は正確に分る。つまり、真空
ウェハキャリヤ１０は、位置整合台１８に固定された垂
直スロッ１−１７と係合する耳状部１６を有する。真空
ウェハキャリヤ１０は垂直スロット内を摺動して位置整
合台１８上に載置され、真空ウェハキャリヤ１０の位置
が厳密に分るようになっている。位置整合台１８に２つ
のテーパピン２１を備えることも役に立つ。第４図に示
すように、ピン２１は共に円錐状でもよいが、例えば一
方が円錐状、他方゛がクサビ状と異なる形状にも１得る
。真空ウェハキャリヤ１０が耳状部１６をスロット１７
と嵌合させて降下されたとき、真空ウェハキャリヤ１０
の下面のテーパ孔２３と係合するようにピン２１は位置
決めされている。機械的な整合を保証するためには、そ
の他店範囲の各種構成が使える。つまり、スロットＩ７
、耳状部１６及びピン２１を使用することによって、キ
ャリヤ１０と室１２とが整合（機械的整合）状態になる
。
する。位置整合台１８は第１図では一部しか示されてい
ないが、第４図に詳しく示しである。真空ウェハキャリ
ヤ１０が真空装填ロック室１２内に置かれたとき、真空
ウェハキャリヤ１０の位置は正確に分る。つまり、真空
ウェハキャリヤ１０は、位置整合台１８に固定された垂
直スロッ１−１７と係合する耳状部１６を有する。真空
ウェハキャリヤ１０は垂直スロット内を摺動して位置整
合台１８上に載置され、真空ウェハキャリヤ１０の位置
が厳密に分るようになっている。位置整合台１８に２つ
のテーパピン２１を備えることも役に立つ。第４図に示
すように、ピン２１は共に円錐状でもよいが、例えば一
方が円錐状、他方゛がクサビ状と異なる形状にも１得る
。真空ウェハキャリヤ１０が耳状部１６をスロット１７
と嵌合させて降下されたとき、真空ウェハキャリヤ１０
の下面のテーパ孔２３と係合するようにピン２１は位置
決めされている。機械的な整合を保証するためには、そ
の他店範囲の各種構成が使える。つまり、スロットＩ７
、耳状部１６及びピン２１を使用することによって、キ
ャリヤ１０と室１２とが整合（機械的整合）状態になる
。
また真空ウェハキャリヤ１０は、不注意に加えられる外
力によってドア１４が開くのを防ぐ安全用留め金１５を
有する。耳状部５００がヒンジ（図示せず）と反対側の
ドア１４の側辺から延び、ドアをキャリヤｌＯの本体に
止める。安全用止め金１５は、キャリヤ１０が非真空キ
ャリヤとして使われる場合にも、ドア１４を閉状態に保
つのに使える。耳状部５００はキャリヤ１０の側辺（第
４図では右側）に回転可能に取り付けられた安全用留め
金１５と係合する。しかし、通常の搬送状態下では、大
気圧が真空ウェハキャリヤ１０の内部真空に対してドア
１４を閉状態に保つので、その安全用留め金は必要ない
。耳状部１６をスロット１７に係合させて真空ウェハキ
ャリヤ１０が真空装填ロック室１２内に置かれると、固
定指状部１９が安全用留め金１５と係合し、それを耳状
部５００と反対側（第４図では上方）に回転させて解除
する結果、ドア１４が開放可能となる。固定指状部１９
は第４図に示すように、台１８から上方へ延びている。
力によってドア１４が開くのを防ぐ安全用留め金１５を
有する。耳状部５００がヒンジ（図示せず）と反対側の
ドア１４の側辺から延び、ドアをキャリヤｌＯの本体に
止める。安全用止め金１５は、キャリヤ１０が非真空キ
ャリヤとして使われる場合にも、ドア１４を閉状態に保
つのに使える。耳状部５００はキャリヤ１０の側辺（第
４図では右側）に回転可能に取り付けられた安全用留め
金１５と係合する。しかし、通常の搬送状態下では、大
気圧が真空ウェハキャリヤ１０の内部真空に対してドア
１４を閉状態に保つので、その安全用留め金は必要ない
。耳状部１６をスロット１７に係合させて真空ウェハキ
ャリヤ１０が真空装填ロック室１２内に置かれると、固
定指状部１９が安全用留め金１５と係合し、それを耳状
部５００と反対側（第４図では上方）に回転させて解除
する結果、ドア１４が開放可能となる。固定指状部１９
は第４図に示すように、台１８から上方へ延びている。
真空ウェハキャリヤ１０が位置整合台１８と嵌合合体さ
れたとき、ドア１４はドア開放シャフト２４の頂部とも
係合する。ドア１４はその下面に浅い溝（図示せず）を
備え、これがドア開放シャフト２４頂部の指状部及びア
ーム２５と係合する。
れたとき、ドア１４はドア開放シャフト２４の頂部とも
係合する。ドア１４はその下面に浅い溝（図示せず）を
備え、これがドア開放シャフト２４頂部の指状部及びア
ーム２５と係合する。
アーム２５は、所望に応じてドア１４を回転させるため
、ドア１４とそのキャリヤ１０本体への止め箇所近くで
係合するように位置する。つまり、装填ロック内が排気
され、差圧がもはやドア１４を閉状態に保持しなくなっ
た後、ドア開放シャフト２４を（第４図では時計方向に
）回転することによって、ドアが開放可能となる。また
、シャフト２４を第４図で反時計方向に回転することに
よって、ドアは閉じられる。
、ドア１４とそのキャリヤ１０本体への止め箇所近くで
係合するように位置する。つまり、装填ロック内が排気
され、差圧がもはやドア１４を閉状態に保持しなくなっ
た後、ドア開放シャフト２４を（第４図では時計方向に
）回転することによって、ドアが開放可能となる。また
、シャフト２４を第４図で反時計方向に回転することに
よって、ドアは閉じられる。
真空ウェハキャリヤ１０を真空装填ロック室１２内に置
き、そして装填ロックの１２０を閉じた後、高圧での（
乾燥窒素またはその他のきれいなガスによる）浄化（ｐ
ｕｒｇｅ ）が、通常装填ロック蓋２０内のマニホルド
２２（第１図）を介して施される。このマニホルド２２
は、ＩＥ２０内の孔、ガス源とＭ２Ｏ内の孔との接続部
、及び蓋２０の底面における孔からの開口を含む。ガス
は供給源から蓋２０内の孔を通って流れ、開口を経て蓋
２０から下向きに流出する。マニホルド２２からのガス
が垂直の流れを与え、粒子を下方へと運ぶ。
き、そして装填ロックの１２０を閉じた後、高圧での（
乾燥窒素またはその他のきれいなガスによる）浄化（ｐ
ｕｒｇｅ ）が、通常装填ロック蓋２０内のマニホルド
２２（第１図）を介して施される。このマニホルド２２
は、ＩＥ２０内の孔、ガス源とＭ２Ｏ内の孔との接続部
、及び蓋２０の底面における孔からの開口を含む。ガス
は供給源から蓋２０内の孔を通って流れ、開口を経て蓋
２０から下向きに流出する。マニホルド２２からのガス
が垂直の流れを与え、粒子を下方へと運ぶ。
またガス流は、大気にさらされている間真空ウェハキャ
リヤ１０上に付着した大粒子の一部を除去するのに役立
つ。
リヤ１０上に付着した大粒子の一部を除去するのに役立
つ。
この初期浄化段階（例えば３０秒間以上）後、室１２内
が１０−３ｔｏｒｒ以下までゆっくりポンプ排気される
。ランダムな粒子を巻き上げないように、この排気段階
は比較的ゆっくり行うべきである。つまり、低圧によっ
て粒子は空中から落下するが、粒子は室の底に留まって
いるので、できればそこから巻き上らないようにされね
ばならない。
が１０−３ｔｏｒｒ以下までゆっくりポンプ排気される
。ランダムな粒子を巻き上げないように、この排気段階
は比較的ゆっくり行うべきである。つまり、低圧によっ
て粒子は空中から落下するが、粒子は室の底に留まって
いるので、できればそこから巻き上らないようにされね
ばならない。
浮遊粒子が室内空気から実際に落下することを保証する
ため、真空装填ロックの内部をその後数秒間１０４また
は１Ｏ−４°ｔｏｒｒに保つことが必要である。空中か
ら落下可能な粒子が全て落下することを保証する場合も
同様である。
ため、真空装填ロックの内部をその後数秒間１０４また
は１Ｏ−４°ｔｏｒｒに保つことが必要である。空中か
ら落下可能な粒子が全て落下することを保証する場合も
同様である。
上記したようなキャリヤ１０と室１２の使用は、常に粒
子移動の支配的な形態である浮遊粒子の問題を大巾に減
じ、従って弾道的な輸送の問題として有効に対処できる
ようになる。
子移動の支配的な形態である浮遊粒子の問題を大巾に減
じ、従って弾道的な輸送の問題として有効に対処できる
ようになる。
装填ロックの傾斜底と研磨側壁を、室１２の変形として
使ってもよい、これは、側壁及び底に付着し、機械的な
振動によって乱される粒子の数を減少させるからである
。
使ってもよい、これは、側壁及び底に付着し、機械的な
振動によって乱される粒子の数を減少させるからである
。
また、真空計６２（第１図）が真空装填ロック室１２の
内部に接続している。真空計６２は高圧針（熱電対等）
、低圧針（電離真空計等）、及び装填ロックの内圧が大
気と等しくなった時点を正確に検知する示差センサを含
む。装填ロック内が所望の真空に達したことをこれらの
真空計が示すまで、真空ウェハキャリヤ１０のドアは開
かれない。
内部に接続している。真空計６２は高圧針（熱電対等）
、低圧針（電離真空計等）、及び装填ロックの内圧が大
気と等しくなった時点を正確に検知する示差センサを含
む。装填ロック内が所望の真空に達したことをこれらの
真空計が示すまで、真空ウェハキャリヤ１０のドアは開
かれない。
粗引きポンプとその隔離弁７０２（第３１図）が室内の
軟真空状態にした後、ゲートつまり隔離弁３９が開かれ
てポンプ３８を装填ロックの内部と接続し、ポンプ３８
の作動で室内を１０−’ｔｏｒｒ以下とし得る。
軟真空状態にした後、ゲートつまり隔離弁３９が開かれ
てポンプ３８を装填ロックの内部と接続し、ポンプ３８
の作動で室内を１０−’ｔｏｒｒ以下とし得る。
この時点で、真空ウェハキャリヤ１０と真空装填ロック
室１２内の側圧力はほり等しく、真空フィードスルー２
５を介してドア開放シャフト２４に接続されたドア駆動
モータ３３ （第４図）を作動することで、ドア１４が
開放可能となる。モータ３３が第１及び４図中時計方向
にシャフト２４を回転してドア１４を開き、また反時計
方向に回転してドア１４を閉じる。２つのセンサスイン
チア０８（第３１図）も真空装填ロック室１２内に含ま
れ、ドア１４が完全に開いた時点と完全に閉じた時点を
検出する。つまり、真空装填口・ツク室１２がポンプ排
気され数秒間放置された後、一方のセンサスインチがド
アの完全開放を検知するまで、ドア開放シャフト２４が
時計方向に回転されてドア１４を開く。
室１２内の側圧力はほり等しく、真空フィードスルー２
５を介してドア開放シャフト２４に接続されたドア駆動
モータ３３ （第４図）を作動することで、ドア１４が
開放可能となる。モータ３３が第１及び４図中時計方向
にシャフト２４を回転してドア１４を開き、また反時計
方向に回転してドア１４を閉じる。２つのセンサスイン
チア０８（第３１図）も真空装填ロック室１２内に含ま
れ、ドア１４が完全に開いた時点と完全に閉じた時点を
検出する。つまり、真空装填口・ツク室１２がポンプ排
気され数秒間放置された後、一方のセンサスインチがド
アの完全開放を検知するまで、ドア開放シャフト２４が
時計方向に回転されてドア１４を開く。
この期間中、移送アーム２８はドアの底より低い高さの
ホーム位置に保たれ、ドア１４が開くスペースを与えて
いる。ドア１４が完全の開いたことをセンサスイッチが
検出した後、移送アーム２８の作動が開始可能となる。
ホーム位置に保たれ、ドア１４が開くスペースを与えて
いる。ドア１４が完全の開いたことをセンサスイッチが
検出した後、移送アーム２８の作動が開始可能となる。
ドア１４を閉じるためには、ドア１４が閉じたことを他
方のセンサスインチが検出するまで、シャフト２４が反
時計方向に回転される。
方のセンサスインチが検出するまで、シャフト２４が反
時計方向に回転される。
移送アーム２８は２度の自由度を有する。つまり、移送
アームは垂直及び水平移動可能である。
アームは垂直及び水平移動可能である。
一方向の移動によって、移送アーム２８は真空ウェハキ
ャリヤ１０内へ、あるいは室間移送ボート３０を介して
隣接の処理モジュール、例えば処理モジュール５７０（
第９図）内へと達し得る。もう１つの自由度は移送アー
ム２８の垂直移動と対応し、真空ウェハキャリヤ１０内
からどのウェハを取り出すか、あるいは移送動作中にど
のスロットにウェハが置かれるかの選択を可能とする。
ャリヤ１０内へ、あるいは室間移送ボート３０を介して
隣接の処理モジュール、例えば処理モジュール５７０（
第９図）内へと達し得る。もう１つの自由度は移送アー
ム２８の垂直移動と対応し、真空ウェハキャリヤ１０内
からどのウェハを取り出すか、あるいは移送動作中にど
のスロットにウェハが置かれるかの選択を可能とする。
昇降駆動モータ３２が移送アーム２８を昇降させ、アー
ム駆動モータ３４が移送アーム２８を伸縮させる。これ
ら両モータは排気マニホルド３６内に収納されているの
で、どちらのモータも真空フィードスルーを必要としな
い。第１図に示すように、マニホルド３６は円筒状で、
室１２の底から下方に延びている。またマニホルド３６
は室１２の底を貫いて室１２内へわずかに延び、且つそ
こに取り付けられている。室１２の取付点とは反対側の
マニホルド３６の端部にポンプ３８が位置する。ポンプ
３８は、例えばターボ分子ポンブチする。排気マニホル
ド３６は、真空装填ロック室１２内へ直接通じるのでな
く、その頂部（室１２内へと延出したマニホルド３６の
先端）周囲に開孔４０を有する。つまり排気マニホルド
３６は、昇降駆動モータ３２、アーム駆動モータ３４ま
たはポンプ３８から真空装填ロック室１２へと直接届く
視線が存在しないように構成される。これによって、可
動要素からの粒子の装填ロック室内へと至る弾劾的輸送
が減じられる。第１図に示した構成が有用であることが
判明しているが、ウェハ４８の必要な移送を与えるのに
それ以外の構成も可能である。
ム駆動モータ３４が移送アーム２８を伸縮させる。これ
ら両モータは排気マニホルド３６内に収納されているの
で、どちらのモータも真空フィードスルーを必要としな
い。第１図に示すように、マニホルド３６は円筒状で、
室１２の底から下方に延びている。またマニホルド３６
は室１２の底を貫いて室１２内へわずかに延び、且つそ
こに取り付けられている。室１２の取付点とは反対側の
マニホルド３６の端部にポンプ３８が位置する。ポンプ
３８は、例えばターボ分子ポンブチする。排気マニホル
ド３６は、真空装填ロック室１２内へ直接通じるのでな
く、その頂部（室１２内へと延出したマニホルド３６の
先端）周囲に開孔４０を有する。つまり排気マニホルド
３６は、昇降駆動モータ３２、アーム駆動モータ３４ま
たはポンプ３８から真空装填ロック室１２へと直接届く
視線が存在しないように構成される。これによって、可
動要素からの粒子の装填ロック室内へと至る弾劾的輸送
が減じられる。第１図に示した構成が有用であることが
判明しているが、ウェハ４８の必要な移送を与えるのに
それ以外の構成も可能である。
昇降駆動モータ３２は副支持台４２を上下に駆動するよ
うに結合され、アーム駆動モータ３４はマニホルド３６
内でこの副支持台４２上に取り付けられている。モータ
３４はマニホルド３６内に固定されている。モータ３２
の駆動シャフトがネジ軸５１０を駆動する。ネジ軸５１
０は、副支持台４２内のネジ山を介して延びていて、モ
ータ３２の駆動軸の回転方向に応じ副支持台４２を上下
に駆動する。３本のロッド５２０．５２１及び５２２が
副支持台４２を貫いて延び、且つ副支持台と摺動係合可
能である。これらのロッドはマニホルド３６の頂部に固
着されている。また副支持台４２には、筒状の支持体４
６も固着されている。
うに結合され、アーム駆動モータ３４はマニホルド３６
内でこの副支持台４２上に取り付けられている。モータ
３４はマニホルド３６内に固定されている。モータ３２
の駆動シャフトがネジ軸５１０を駆動する。ネジ軸５１
０は、副支持台４２内のネジ山を介して延びていて、モ
ータ３２の駆動軸の回転方向に応じ副支持台４２を上下
に駆動する。３本のロッド５２０．５２１及び５２２が
副支持台４２を貫いて延び、且つ副支持台と摺動係合可
能である。これらのロッドはマニホルド３６の頂部に固
着されている。また副支持台４２には、筒状の支持体４
６も固着されている。
かかるマニホルド３６内のリンク機構によって、移送ア
ーム２８は垂直方向に容易に移動可能である。
ーム２８は垂直方向に容易に移動可能である。
移送アーム２８を極めてコンパクトに移動可能とする別
のリンク機構が、回転可能な移送アーム支持体４４内に
設けられている。つまり、筒状支持体４６が副支持台４
２から上方へ、マニホルド３６の頂部を貫いて延びてい
る。回転可能な移送アーム支持体４４は、筒状支持体４
６内の回転ロッド（図示せず）によって駆動可能に接続
されている。そして、筒状支持体４６がアーム支持体４
４に固定されている。つまり、回転ロッドは、アーム駆
動モータ３４によって駆動され、そしてアーム支持体４
４を駆動する。回転可能な移送ア−ム支持体４４は、回
転しないが上下に移動する筒状支持体４６に取り付けら
れている。回転可能な移送アーム支持体４４と移送アー
ム２８とのジヨイントが回転可能な移送アーム支持体４
４と筒状支持体４６とのジヨイントの角速度の２倍で移
動するように、内部のチェーン及びスプロケットリンク
機構が構成されている。勿論同じ結果を達成するのに、
それ以外の多くの機械的リンク機構も代りに使える。こ
れは次のことを意味する。すなわち、回転可能な移送ア
ーム支持体４４がホーム位置にあるとき、ウェハ４８は
筒状支持体４６のはソ°真上に支持されているが、回転
可能な移送アーム支持体４４が筒状支持体４６に対して
９０度回転するとき、移送アーム２８は回転可能な移送
アーム支持体４４に対して１８０度回転されるので、移
送アーム２８は、真空ウェハキャリヤ１０内へと、ある
いは室間移送ボート３０を貫いて隣接の処理室内へと真
っすぐに延出可能である。
のリンク機構が、回転可能な移送アーム支持体４４内に
設けられている。つまり、筒状支持体４６が副支持台４
２から上方へ、マニホルド３６の頂部を貫いて延びてい
る。回転可能な移送アーム支持体４４は、筒状支持体４
６内の回転ロッド（図示せず）によって駆動可能に接続
されている。そして、筒状支持体４６がアーム支持体４
４に固定されている。つまり、回転ロッドは、アーム駆
動モータ３４によって駆動され、そしてアーム支持体４
４を駆動する。回転可能な移送ア−ム支持体４４は、回
転しないが上下に移動する筒状支持体４６に取り付けら
れている。回転可能な移送アーム支持体４４と移送アー
ム２８とのジヨイントが回転可能な移送アーム支持体４
４と筒状支持体４６とのジヨイントの角速度の２倍で移
動するように、内部のチェーン及びスプロケットリンク
機構が構成されている。勿論同じ結果を達成するのに、
それ以外の多くの機械的リンク機構も代りに使える。こ
れは次のことを意味する。すなわち、回転可能な移送ア
ーム支持体４４がホーム位置にあるとき、ウェハ４８は
筒状支持体４６のはソ°真上に支持されているが、回転
可能な移送アーム支持体４４が筒状支持体４６に対して
９０度回転するとき、移送アーム２８は回転可能な移送
アーム支持体４４に対して１８０度回転されるので、移
送アーム２８は、真空ウェハキャリヤ１０内へと、ある
いは室間移送ボート３０を貫いて隣接の処理室内へと真
っすぐに延出可能である。
このリンク機構は、参考文献とじてこ＼に含まれる１９
８７年４月２１日付でデービス（Ｄａｖｉｓ ）等に付
与された米国特許第４，６５９，４１３号に詳しく記載
されている。
８７年４月２１日付でデービス（Ｄａｖｉｓ ）等に付
与された米国特許第４，６５９，４１３号に詳しく記載
されている。
移送アーム２８は、例えば０．７６２ｍｍ （０，０３
０インチ）の厚さの薄いバネ鋼片から成る。移送アーム
２８は３本のピン５０（第１及び３図）を有し、ウェハ
４８を支持する。３本のピン５０は各々、小肩１９００
（第３図）上に小円錐体５２（第３図）を含む。小円
錐体５２と小肩１９００は、シリコンを傷つけないよう
に充分軟質の材料で作製される。例えば、移送アーム２
８のうち搬送されるウェハと実際に唯一接触するこれら
の部分は、デーデル（Ａｒｄｅｌ−ユニオン・カーバイ
ト社製の熱可ヅ性フェニルアクリル樹脂）またはデルリ
ン（Ｄｅｌｒｉｎ）等の高温プラスチック（つまり真空
下で比較的蒸発しにくいプラスチック）で作製できる。
０インチ）の厚さの薄いバネ鋼片から成る。移送アーム
２８は３本のピン５０（第１及び３図）を有し、ウェハ
４８を支持する。３本のピン５０は各々、小肩１９００
（第３図）上に小円錐体５２（第３図）を含む。小円
錐体５２と小肩１９００は、シリコンを傷つけないよう
に充分軟質の材料で作製される。例えば、移送アーム２
８のうち搬送されるウェハと実際に唯一接触するこれら
の部分は、デーデル（Ａｒｄｅｌ−ユニオン・カーバイ
ト社製の熱可ヅ性フェニルアクリル樹脂）またはデルリ
ン（Ｄｅｌｒｉｎ）等の高温プラスチック（つまり真空
下で比較的蒸発しにくいプラスチック）で作製できる。
尚、各３本のピン５０の中心に小円錐体を設けることで
、ウェハ４８の移送アーム２８に対する非常にわずかな
不整合が補正可能となる。すなわち、こ＼に記すウェハ
搬送システムは、連続作業中における小さな不整合が累
積せず、減少される安定な機械的システムである。ウェ
ハ４８とピン５０間の接触は、ウェハのエツジでだけ生
じる。
、ウェハ４８の移送アーム２８に対する非常にわずかな
不整合が補正可能となる。すなわち、こ＼に記すウェハ
搬送システムは、連続作業中における小さな不整合が累
積せず、減少される安定な機械的システムである。ウェ
ハ４８とピン５０間の接触は、ウェハのエツジでだけ生
じる。
図示したウェハ４８の位置において、３本のピン５０の
うち１本がウェハ４８の外周４９（第４図）の平坦部５
６ （第４図）と接していることに注意されたい。これ
は本実施例において、移送アーム２８の３本のピン５０
は、取扱うべきウェハ４８の直径と同じ直径の円に限定
しないことを意味する。
うち１本がウェハ４８の外周４９（第４図）の平坦部５
６ （第４図）と接していることに注意されたい。これ
は本実施例において、移送アーム２８の３本のピン５０
は、取扱うべきウェハ４８の直径と同じ直径の円に限定
しないことを意味する。
各ウェハ４８の平坦部５６（第４図）がウェハの正確な
取扱いと干渉しないことを保証するため、真空ウェハキ
ャリヤ１０はその内部背側に平坦な接触面２９を有し、
各ウェハ４８の平坦部５６がこれに接する。ドア１４の
内面上の弾性要素２７（第４図）が、ドア１４の閉じて
いる状態で各ウェハを平坦面に対して押圧し、移行中に
おけるウェハとキャリヤの相対移動が最小限化される。
取扱いと干渉しないことを保証するため、真空ウェハキ
ャリヤ１０はその内部背側に平坦な接触面２９を有し、
各ウェハ４８の平坦部５６がこれに接する。ドア１４の
内面上の弾性要素２７（第４図）が、ドア１４の閉じて
いる状態で各ウェハを平坦面に対して押圧し、移行中に
おけるウェハとキャリヤの相対移動が最小限化される。
つまりウェハは突起６０とすり合わない。これはまた、
ドア１４が開かれたときに、各ウェハ４８の平坦部５６
の位置が正確に分ることを保証する。
ドア１４が開かれたときに、各ウェハ４８の平坦部５６
の位置が正確に分ることを保証する。
すなわち、ウェハは既知の所定の位置合せ状態にある。
動作時には、真空ウェハキャリヤ１０が真空装填ロック
室１２内に置かれ、ドア１４が開かれた後、昇降駆動モ
ータ３２が作動されて移送アーム２８を取り出したい最
初のウェハ４８の高さのすぐ下に移動させ、次いでアー
ム駆動モータ３４が作動されて移送アーム２８をキャリ
ヤｌＯの内部へと延ばす。これが、第１図に示したアー
ム２８の３位置のうち最左位置である。こ＼で昇降駆動
モータ３２を少し作動すると、移送アーム２８がわずか
に上昇し、その外周４９の３本のピン５゜が所望のウェ
ハを、それまで真空ウェハキャリヤＩＯ内で載置されて
いた突起６０ （第４図）から持ち上げる。
室１２内に置かれ、ドア１４が開かれた後、昇降駆動モ
ータ３２が作動されて移送アーム２８を取り出したい最
初のウェハ４８の高さのすぐ下に移動させ、次いでアー
ム駆動モータ３４が作動されて移送アーム２８をキャリ
ヤｌＯの内部へと延ばす。これが、第１図に示したアー
ム２８の３位置のうち最左位置である。こ＼で昇降駆動
モータ３２を少し作動すると、移送アーム２８がわずか
に上昇し、その外周４９の３本のピン５゜が所望のウェ
ハを、それまで真空ウェハキャリヤＩＯ内で載置されて
いた突起６０ （第４図）から持ち上げる。
尚第４図に示すように、突起６０は平坦面でなくテーバ
面なので、突起６０とその上に載っているウェハ４８と
の接触は面接触でなく線接触で、ウェハのエツジに制限
される。これは、゛数十平方ミリにもなることのあるキ
ャリヤとウェハ間の大きい面積での接触を防ぎ、こ＼で
用いる“線接触”は一般に数平方ミリ以下のはるかに小
さい面積でよい。本実施例で用いる“線接触”の別の定
義として、ウェハ支持体がウェハの表面とそのエツジか
ら１ミリ以内の地点でのみ接触する。つまり、移送アー
ム２８を上昇することによって、ウェハ４８が取り出さ
れ、移送アーム２８上面の３本のピン５０の小円錐体５
２が小肩１９００上に載置される。
面なので、突起６０とその上に載っているウェハ４８と
の接触は面接触でなく線接触で、ウェハのエツジに制限
される。これは、゛数十平方ミリにもなることのあるキ
ャリヤとウェハ間の大きい面積での接触を防ぎ、こ＼で
用いる“線接触”は一般に数平方ミリ以下のはるかに小
さい面積でよい。本実施例で用いる“線接触”の別の定
義として、ウェハ支持体がウェハの表面とそのエツジか
ら１ミリ以内の地点でのみ接触する。つまり、移送アー
ム２８を上昇することによって、ウェハ４８が取り出さ
れ、移送アーム２８上面の３本のピン５０の小円錐体５
２が小肩１９００上に載置される。
突起６０は、真空ウェハキャリヤ１０内で約４．７５ｍ
ｍ （０，１８フインチ）の中心−中心間隔を有する。
ｍ （０，１８フインチ）の中心−中心間隔を有する。
この中心−中心間隔からウェハ４８の厚さを引いた値は
、移送アーム２８と各３本のピン５０を加えた高さと比
べて充分なりリアランスを与えねばならないが、それよ
りはるかに大きくする必要はない。例えば、移送アーム
２８は各３本のピン５０の小円錐体５２の高さを含め、
約２．０３ｍｎ＋（０，０８０インチ）の厚さである。
、移送アーム２８と各３本のピン５０を加えた高さと比
べて充分なりリアランスを与えねばならないが、それよ
りはるかに大きくする必要はない。例えば、移送アーム
２８は各３本のピン５０の小円錐体５２の高さを含め、
約２．０３ｍｎ＋（０，０８０インチ）の厚さである。
ウェハ４８は例えば約０．５３ｍｍ （０，０２１イン
チ）の厚さにできるので、約２．１６ｍｍ （０，０８
５インチ）のクリアランスが得られる。ウェハの厚さと
直径は広く変化し得る。一般に、大きい直径のウェハは
ど大きい厚さを有するが、真空ウニハキ中すヤ１０のサ
イズ及び真空ウェハキャリヤ１０内の突起６０の中心間
隔は簡単に適宜調整できるので、この種の真空ウェハキ
ャリヤ１０はそうした直径の太きいウェハに対して使う
のにも適する。またキャリヤ１０は、所望に応じ、例え
ばＧａＡｓ等、もっと薄いウェハを搬送するのにも適し
ている。
チ）の厚さにできるので、約２．１６ｍｍ （０，０８
５インチ）のクリアランスが得られる。ウェハの厚さと
直径は広く変化し得る。一般に、大きい直径のウェハは
ど大きい厚さを有するが、真空ウニハキ中すヤ１０のサ
イズ及び真空ウェハキャリヤ１０内の突起６０の中心間
隔は簡単に適宜調整できるので、この種の真空ウェハキ
ャリヤ１０はそうした直径の太きいウェハに対して使う
のにも適する。またキャリヤ１０は、所望に応じ、例え
ばＧａＡｓ等、もっと薄いウェハを搬送するのにも適し
ている。
移送アーム２８がウェハ４８を取り出した後、アーム駆
動モータ３４が作動され、移送アーム２８をホーム位置
（第１図に示した中央位置）に移動する。これは、第１
図に示すように移送アーム２８の中央位置である。次い
で昇降駆動モータ３２が作動され、室間移送ポート３０
（第３図）内へと移動可能な高さに移送アーム２８を
移動させる。
動モータ３４が作動され、移送アーム２８をホーム位置
（第１図に示した中央位置）に移動する。これは、第１
図に示すように移送アーム２８の中央位置である。次い
で昇降駆動モータ３２が作動され、室間移送ポート３０
（第３図）内へと移動可能な高さに移送アーム２８を
移動させる。
室間移送ポート３０は、隔離ゲート３１によって覆われ
ている、第３図に示したゲート３１は、摺動接触を行う
ことによって室間移送ポート３０を密閉する。シャフト
５８０が（第３図に示すように）回転されると、設けら
れたリンク機構がゲート３１を（第３図に示すように）
上方に駆動し、ポート３０を覆う。ボート３０を開くに
は、シャフト５８０が反対方向に回転される。所望なら
、回転移動によって密閉を行うこともできる。（尚、摺
動接触が存在しない方が、内部発生粒子を減じる点で望
ましい。）室間移送ポート３０を覆う隔離ゲート３１は
空気シリンダによって作動できるが、その代りにステッ
プモータも使える。このように、合計４つのモータが使
われる。すなわち、そのうち２つが真空フィードスルー
のために用いられ、残り２つが排気マニホルド３６内に
含まれている。こ＼でアーム駆動モータ３４が再び作動
され、移送アーム２・８を室間移送ポート３０を介して
隣接の処理室内へと延出させる。これが、第１図に示し
たアーム２８の最古位置である。隣接の処理室は、例え
ば注入器、プラズマエッチ及び蒸着モジュールのように
ここに開示された処理モジュールあるいはその他の処理
モジュール等、数多（の異なる種類の処理モジュールの
うちのどの１つであってもよい。
ている、第３図に示したゲート３１は、摺動接触を行う
ことによって室間移送ポート３０を密閉する。シャフト
５８０が（第３図に示すように）回転されると、設けら
れたリンク機構がゲート３１を（第３図に示すように）
上方に駆動し、ポート３０を覆う。ボート３０を開くに
は、シャフト５８０が反対方向に回転される。所望なら
、回転移動によって密閉を行うこともできる。（尚、摺
動接触が存在しない方が、内部発生粒子を減じる点で望
ましい。）室間移送ポート３０を覆う隔離ゲート３１は
空気シリンダによって作動できるが、その代りにステッ
プモータも使える。このように、合計４つのモータが使
われる。すなわち、そのうち２つが真空フィードスルー
のために用いられ、残り２つが排気マニホルド３６内に
含まれている。こ＼でアーム駆動モータ３４が再び作動
され、移送アーム２・８を室間移送ポート３０を介して
隣接の処理室内へと延出させる。これが、第１図に示し
たアーム２８の最古位置である。隣接の処理室は、例え
ば注入器、プラズマエッチ及び蒸着モジュールのように
ここに開示された処理モジュールあるいはその他の処理
モジュール等、数多（の異なる種類の処理モジュールの
うちのどの１つであってもよい。
室間移送ポート３０を貫いて延びた移送アーム２８は、
移送アーム２８自体に用いられたピンのように、第３図
に示すようにウェハ支持ピン５３上にウェハ４８を置く
。（尚室間移送ポート３０は、移送アーム２８が室間移
送ポート３０を貫いて延びるときに、充分な垂直高さを
有しているので、ある程度の垂直移動が可能となり、そ
の結果移送アーム２８が垂直方向に移動して、例えば処
理室内のウェハ支持ピン５３等のウェハ支持体からウェ
ハを持ち上げたりあるいはその上ヘウェハを置くことが
できる。ウェハ４８はアーム２８によって、ピン５３の
頂部上に置かれる。
移送アーム２８自体に用いられたピンのように、第３図
に示すようにウェハ支持ピン５３上にウェハ４８を置く
。（尚室間移送ポート３０は、移送アーム２８が室間移
送ポート３０を貫いて延びるときに、充分な垂直高さを
有しているので、ある程度の垂直移動が可能となり、そ
の結果移送アーム２８が垂直方向に移動して、例えば処
理室内のウェハ支持ピン５３等のウェハ支持体からウェ
ハを持ち上げたりあるいはその上ヘウェハを置くことが
できる。ウェハ４８はアーム２８によって、ピン５３の
頂部上に置かれる。
あるいは、処理室は、移送ボックス内に突起６０と同様
な離間した傾斜突起を有する固定具を具備してもよいし
、あるいはウェハを受は入れるその他の機械的構成を有
してもよい。但し何れの場合にも、移送ウェハ４８を受
は入れるのに使われる構成は、移送アーム２８がウェハ
の下面に達してそれを設置または除去できるように、（
少なくとも移送時に）ウェハの下面にクリアランスを持
たなければならない。移送ウェハを受は入れるのにウェ
ハ支持ビン５３が使われる場合には、処理室内における
ウェハ支持ビン５３の垂直移動を与えるため、ベローズ
（ｂｅｌｌｏｗｓ ）運動または真空フィードスルーを
設けるのが望ましいこともある。つまり一例として、処
理室がプラズマエツチングまたはＲＩＥ（反応イオンエ
ツチング）モジュールである場合にはベローズを設け、
移送アーム２８がウェハ４８の経路から引き出された後
、ウェハ４８を例えば垂直方向にサセプタ上へと移動し
てもよい。
な離間した傾斜突起を有する固定具を具備してもよいし
、あるいはウェハを受は入れるその他の機械的構成を有
してもよい。但し何れの場合にも、移送ウェハ４８を受
は入れるのに使われる構成は、移送アーム２８がウェハ
の下面に達してそれを設置または除去できるように、（
少なくとも移送時に）ウェハの下面にクリアランスを持
たなければならない。移送ウェハを受は入れるのにウェ
ハ支持ビン５３が使われる場合には、処理室内における
ウェハ支持ビン５３の垂直移動を与えるため、ベローズ
（ｂｅｌｌｏｗｓ ）運動または真空フィードスルーを
設けるのが望ましいこともある。つまり一例として、処
理室がプラズマエツチングまたはＲＩＥ（反応イオンエ
ツチング）モジュールである場合にはベローズを設け、
移送アーム２８がウェハ４８の経路から引き出された後
、ウェハ４８を例えば垂直方向にサセプタ上へと移動し
てもよい。
勿論、処理室は、例えばエンジニアリング検査モジュー
ルまたは蒸着モジュールとし得る。−例として、真空隔
離式顕微鏡の対物レンズは、真空内で下向きに置いたウ
ェハの検査を（適切に折り曲げられた光路を用いて）可
能とする。これは、クリーンルームへの頻繁な出入りに
よって生じるエンジニア時間及びクリーンルームの品質
を損わずに、頻繁なエンジニア検査を適宜行えることを
意味する。所望なら、検査モジュールを他のモジュール
と組合せも可能である。
ルまたは蒸着モジュールとし得る。−例として、真空隔
離式顕微鏡の対物レンズは、真空内で下向きに置いたウ
ェハの検査を（適切に折り曲げられた光路を用いて）可
能とする。これは、クリーンルームへの頻繁な出入りに
よって生じるエンジニア時間及びクリーンルームの品質
を損わずに、頻繁なエンジニア検査を適宜行えることを
意味する。所望なら、検査モジュールを他のモジュール
と組合せも可能である。
何れにせよ、移送アーム２８を引き出した後、所望なら
ゲート３１が閉位置に移動されてポート３０を閉じる。
ゲート３１が閉位置に移動されてポート３０を閉じる。
その後、ウェハ４８の処理が進行する。処理の終了後、
室間移送ポー）３０を覆っている隔離ゲートが再び開か
れ、移送アーム２８が再び延出され、移送アーム２８が
ウェハ４８を取り出すように昇降駆動モータ３２が少し
作動され、更にアーム駆動モータ３４が再び作動されて
移送アーム２８がホーム位置へと戻す。次いで、昇降駆
動モータ３２が作動されて移送アーム２８を正しい高さ
とし、真空ウェハキャリヤ内の所望なスロットにウェハ
４８を一致させる。その後、アーム駆動モータ３４が作
動されて移送アーム２８を真空ウェハキャリヤ１０内へ
と延出し、処理されたばかりのウェハ４８が一対の突起
６ｏの上方に位置するようになる。次いで、昇降駆動モ
ータ３２が少し作動されて移送アーム２８を降下させ、
ウェハが対応する突起６ｏ上に載置された後、アーム駆
動モータ３４が作動され、移送アーム２８をホーム位置
に後退させる。その後上記の工程順序が繰り返され、移
送アーム２８が更に別のウェハを処理のために選択する
。
室間移送ポー）３０を覆っている隔離ゲートが再び開か
れ、移送アーム２８が再び延出され、移送アーム２８が
ウェハ４８を取り出すように昇降駆動モータ３２が少し
作動され、更にアーム駆動モータ３４が再び作動されて
移送アーム２８がホーム位置へと戻す。次いで、昇降駆
動モータ３２が作動されて移送アーム２８を正しい高さ
とし、真空ウェハキャリヤ内の所望なスロットにウェハ
４８を一致させる。その後、アーム駆動モータ３４が作
動されて移送アーム２８を真空ウェハキャリヤ１０内へ
と延出し、処理されたばかりのウェハ４８が一対の突起
６ｏの上方に位置するようになる。次いで、昇降駆動モ
ータ３２が少し作動されて移送アーム２８を降下させ、
ウェハが対応する突起６ｏ上に載置された後、アーム駆
動モータ３４が作動され、移送アーム２８をホーム位置
に後退させる。その後上記の工程順序が繰り返され、移
送アーム２８が更に別のウェハを処理のために選択する
。
尚、上記した移送アーム２８と回転可能な移送アーム支
持体４４の機械的なリンク機構によれば、移送アーム２
８と移送アーム支持体４４の中心−中心間長さが等しい
と、移送されるウェハが正確に直線状に移動する。この
点は長所である。ウェハが移送ボックスから出し入れさ
れるとき、移送ウェハの側縁が真空ウェハキャリヤ１ｏ
の側面にぶつかったり、こすったりしないことを意味す
るからである。つまり、金属製のボックス側面に対する
ウェハの摩擦による粒子発生の危険を伴わずに、真空ウ
ェハキャリヤ１ｏのクリアランスを比較的小さくできる
（これは、キ十すヤ内での移送中にウェハがガタガタす
ることによる粒子の発生の減少に寄与する）。
持体４４の機械的なリンク機構によれば、移送アーム２
８と移送アーム支持体４４の中心−中心間長さが等しい
と、移送されるウェハが正確に直線状に移動する。この
点は長所である。ウェハが移送ボックスから出し入れさ
れるとき、移送ウェハの側縁が真空ウェハキャリヤ１ｏ
の側面にぶつかったり、こすったりしないことを意味す
るからである。つまり、金属製のボックス側面に対する
ウェハの摩擦による粒子発生の危険を伴わずに、真空ウ
ェハキャリヤ１ｏのクリアランスを比較的小さくできる
（これは、キ十すヤ内での移送中にウェハがガタガタす
ることによる粒子の発生の減少に寄与する）。
こうして真空ウェハキャリヤ１０内の全ウェハ（または
少な（ともその中の所望数だけ）が処理されるまで、ウ
ェハ毎に処理が続けられる。終了時点には、移送アーム
２８が空の状態でホーム位置に戻され、ドア１４の下縁
より下げられ、更に空間移送ボート３０を覆う隔離ゲー
ト３１が閉じられる。次いで、シャフト２４は、回転さ
れてドア１４を閉じ、そしてドア１４と真空ウェハキャ
リヤｌＯとの間に真空シール用の初期接触を与え、その
結実装填ロック内の圧力が上昇されたとき、真空ウェハ
キャリヤ１０は（差圧によって）密閉される準備が整え
られる。こ＼で、真空装填ロック室１２が再び加圧可能
となる。圧力が大気圧になったことを真空計６２の示差
センサが判定した所で、装填ロックＭ２０を開けること
ができ、（現在差圧によって密閉されている）真空ウェ
ハキャリヤ１０を手で取出可能となる。通常、キャリヤ
の頂面に折りハンドル１１が設けられ、装填ロック内で
真空ウェハキャリヤ１ｏに必要な容積を大巾に増すこと
なく手での取出作業を容易にする。
少な（ともその中の所望数だけ）が処理されるまで、ウ
ェハ毎に処理が続けられる。終了時点には、移送アーム
２８が空の状態でホーム位置に戻され、ドア１４の下縁
より下げられ、更に空間移送ボート３０を覆う隔離ゲー
ト３１が閉じられる。次いで、シャフト２４は、回転さ
れてドア１４を閉じ、そしてドア１４と真空ウェハキャ
リヤｌＯとの間に真空シール用の初期接触を与え、その
結実装填ロック内の圧力が上昇されたとき、真空ウェハ
キャリヤ１０は（差圧によって）密閉される準備が整え
られる。こ＼で、真空装填ロック室１２が再び加圧可能
となる。圧力が大気圧になったことを真空計６２の示差
センサが判定した所で、装填ロックＭ２０を開けること
ができ、（現在差圧によって密閉されている）真空ウェ
ハキャリヤ１０を手で取出可能となる。通常、キャリヤ
の頂面に折りハンドル１１が設けられ、装填ロック内で
真空ウェハキャリヤ１ｏに必要な容積を大巾に増すこと
なく手での取出作業を容易にする。
真空ウェハキャリヤ１０は取出後、所望に応じて運搬ま
たは保管できる。真空シール１３が真空ウェハキャリヤ
１０内を高真空に保っているので、ウェハ表面への粒子
の輸送（及び蒸気相汚染物の吸着）が最小にされる。デ
バイスを構成するために処理中のキャリヤｌＯ内に位置
したウェハの表面は、その表面への粒子の沈着を防ぐた
め下向きにする。
たは保管できる。真空シール１３が真空ウェハキャリヤ
１０内を高真空に保っているので、ウェハ表面への粒子
の輸送（及び蒸気相汚染物の吸着）が最小にされる。デ
バイスを構成するために処理中のキャリヤｌＯ内に位置
したウェハの表面は、その表面への粒子の沈着を防ぐた
め下向きにする。
尚、真空ウェハキャリヤ１０は、そのドアに取り付けら
れた弾性要素２７も含む。ドア１４が閉じられたとき、
弾性要素２７が軽い圧力をウェハ４８に加え、ウェハが
ガタガタして粒子を発生するのを防ぐ。弾性要素２７は
図示の実施例では一組のバネとして構成されているが、
その他の機械的構造（例えば弾性ポリマー製の突出ビー
ズ）も使える。使用するウェハが平坦面を有する場合に
は、真空ウェハキャリヤ１０の内側背面に平坦な接触面
２９が設けられ、ウェハの平坦面がそれに押圧されるよ
うにする。
れた弾性要素２７も含む。ドア１４が閉じられたとき、
弾性要素２７が軽い圧力をウェハ４８に加え、ウェハが
ガタガタして粒子を発生するのを防ぐ。弾性要素２７は
図示の実施例では一組のバネとして構成されているが、
その他の機械的構造（例えば弾性ポリマー製の突出ビー
ズ）も使える。使用するウェハが平坦面を有する場合に
は、真空ウェハキャリヤ１０の内側背面に平坦な接触面
２９が設けられ、ウェハの平坦面がそれに押圧されるよ
うにする。
また、真空ウェハキャリヤｌＯの側壁上の突起６０はテ
ーパ状である。これによって、ウェハの被支持面との接
触が大きな面積でなく、線に沿ってのみ生じることを保
証する。この結果、搬送中におけるウェハの損傷と粒子
の発生が減少される。
ーパ状である。これによって、ウェハの被支持面との接
触が大きな面積でなく、線に沿ってのみ生じることを保
証する。この結果、搬送中におけるウェハの損傷と粒子
の発生が減少される。
また、これによって前述のごとく、位置決め誤差の累積
も減少できる。機械的ジャムが発生した場合、そのジャ
ムの検査を可能とする窓（図示せず）を、装填ロック１
Ｅ２０に備えることもできる。
も減少できる。機械的ジャムが発生した場合、そのジャ
ムの検査を可能とする窓（図示せず）を、装填ロック１
Ｅ２０に備えることもできる。
上記実施例の利点は、機械的な作動不良が発生した時に
、その問題を処理する前に、真空ウニハキ中すヤ１０の
ドアを閉じることができる点にある。例えば、移送アー
ム２８がウェハを幾分取り出した所で、ウェハが３本の
ピン５０の全ての上に正しく載置されない場合、その問
題を処理する前に、ドア駆動モータ３３を作動してドア
１４を閉じることができる。同じく、移送アーム２８が
ホーム位置へ後退可能なら、空間移送ポート３０を閉じ
ることができる。こうした一部の機械的未調整の問題は
、通常の制御順序から外れることによって、簡単に補修
可能なこともある。例えば、移送アーム２８上における
ウェハ４８の位置は、ウェハ４８のエツジがドア１４の
外側または室間移送ポート３０を覆っている隔離ゲート
の外側へわずかに接するように、移送アーム２８を幾ら
か延ばすことによって調整できることもある。これでう
まくいかなければ、真空装填ロック室１２を（真空ウェ
ハキャリヤ１０のドア１４を閉じて）大気圧に戻し、装
填ロック蓋２０を用いて、その問題を手操作で補修でき
る。
、その問題を処理する前に、真空ウニハキ中すヤ１０の
ドアを閉じることができる点にある。例えば、移送アー
ム２８がウェハを幾分取り出した所で、ウェハが３本の
ピン５０の全ての上に正しく載置されない場合、その問
題を処理する前に、ドア駆動モータ３３を作動してドア
１４を閉じることができる。同じく、移送アーム２８が
ホーム位置へ後退可能なら、空間移送ポート３０を閉じ
ることができる。こうした一部の機械的未調整の問題は
、通常の制御順序から外れることによって、簡単に補修
可能なこともある。例えば、移送アーム２８上における
ウェハ４８の位置は、ウェハ４８のエツジがドア１４の
外側または室間移送ポート３０を覆っている隔離ゲート
の外側へわずかに接するように、移送アーム２８を幾ら
か延ばすことによって調整できることもある。これでう
まくいかなければ、真空装填ロック室１２を（真空ウェ
ハキャリヤ１０のドア１４を閉じて）大気圧に戻し、装
填ロック蓋２０を用いて、その問題を手操作で補修でき
る。
第６．７及び８図は、反応イオンエツチングに使用可能
な１つのウェハ反応器を示す。本願で説明する多くの処
理モジュールには、上記実施例の着想及び利点の少なく
とも一部と、その実施例から導かれた別の着想及び利点
とが合せて含まれている。非常によく似た反応器の設計
をプラズマエツチング、すなわち１００ ｍＴｏｒｒよ
り高い真空でのエツチングにも使える。当該分野で“プ
ラズマエツチング及び“反応イオンエツチング（つまり
“ＲＩＥ”）という用語は区別されることが多く、ＲＩ
Ｅはプラズマ衝撃が大きい、すなわち低圧での条件下に
おけるエツチングを指すのに使われ、ウェハは給電され
ている電極上に取り付けられる。但し本願では、この区
別を厳密に行わない。本願によって教示される幾つかの
特徴の一部はＲＩＥのエツチングプロセスにおける場合
の方が有利だが、本願の教示は通常区別されているプラ
ズマとＲＩＥ両エツチングに適用可能である。
な１つのウェハ反応器を示す。本願で説明する多くの処
理モジュールには、上記実施例の着想及び利点の少なく
とも一部と、その実施例から導かれた別の着想及び利点
とが合せて含まれている。非常によく似た反応器の設計
をプラズマエツチング、すなわち１００ ｍＴｏｒｒよ
り高い真空でのエツチングにも使える。当該分野で“プ
ラズマエツチング及び“反応イオンエツチング（つまり
“ＲＩＥ”）という用語は区別されることが多く、ＲＩ
Ｅはプラズマ衝撃が大きい、すなわち低圧での条件下に
おけるエツチングを指すのに使われ、ウェハは給電され
ている電極上に取り付けられる。但し本願では、この区
別を厳密に行わない。本願によって教示される幾つかの
特徴の一部はＲＩＥのエツチングプロセスにおける場合
の方が有利だが、本願の教示は通常区別されているプラ
ズマとＲＩＥ両エツチングに適用可能である。
第６図は、後述する第５Ａ及び５Ｂ図に示すよウナ処理
システムで使用可能な処理モジュール１０４を示す。
システムで使用可能な処理モジュール１０４を示す。
第６図は、反応イオンエツチングまたはプラズマエツチ
ングで使用可能な単一ウェハ反応器を示している。前述
したように、移送アーム２８は、ウェハ支持ビン５３（
第４図）上に置き、次いで後退する。この時点で、室１
１２、アース電極１１０、処理ガス分配器１２０、ベー
ス板１３８及び水晶製円筒体１１４を含む下方アセンブ
リ全体が、例えば空気シリンダまたは真空フィードスル
ー（図示せず）等を用いて上方向に移動される。
ングで使用可能な単一ウェハ反応器を示している。前述
したように、移送アーム２８は、ウェハ支持ビン５３（
第４図）上に置き、次いで後退する。この時点で、室１
１２、アース電極１１０、処理ガス分配器１２０、ベー
ス板１３８及び水晶製円筒体１１４を含む下方アセンブ
リ全体が、例えば空気シリンダまたは真空フィードスル
ー（図示せず）等を用いて上方向に移動される。
ヘローズ１２４が、モジュール１０４の内部トノ真空密
相互接続を保ちつ＼、上記の垂直動を可能とする。この
垂直動により、ウェハ支持ピン５３上に載っているウェ
ハの背面が給電電極１１８に接触し、この時点でウェハ
支持ピン５３の下面に取り付けられた摺動ビン支持体１
３０が仮バネ１３２に抗してわずかに後退する。（ウェ
ハが強すぎる力で給電電極１１８に対して押圧されない
ように、摺動ピン支持体１３０の少量の弾力性を保証す
るため、仮バネ１３２に代え他の弾性要素も使える。） アセンブリの上方向の動きの最後の部分によって、シー
ル１３５（第６図）が、室１１２の頂部の水晶製円筒体
１１４と給電電極１１８を取り囲む水晶片１１６との間
で閉じる。つまり、このシールが成されると、処理室の
内部は処理モジュール１０４の残り品内部から真空密閉
される。
相互接続を保ちつ＼、上記の垂直動を可能とする。この
垂直動により、ウェハ支持ピン５３上に載っているウェ
ハの背面が給電電極１１８に接触し、この時点でウェハ
支持ピン５３の下面に取り付けられた摺動ビン支持体１
３０が仮バネ１３２に抗してわずかに後退する。（ウェ
ハが強すぎる力で給電電極１１８に対して押圧されない
ように、摺動ピン支持体１３０の少量の弾力性を保証す
るため、仮バネ１３２に代え他の弾性要素も使える。） アセンブリの上方向の動きの最後の部分によって、シー
ル１３５（第６図）が、室１１２の頂部の水晶製円筒体
１１４と給電電極１１８を取り囲む水晶片１１６との間
で閉じる。つまり、このシールが成されると、処理室の
内部は処理モジュール１０４の残り品内部から真空密閉
される。
ヘリウム吹出ボート１３４が設けられ、ヘリウム供給源
をウェハの背面に接続している。このヘリウム空間は、
給電電極１１８の下方点とウェハとの間の空間が真空で
なくヘリウムで満たされていることを意味する。この状
態は、相当に低い熱抵抗、及びウェハと給電電極１１８
との間での高反復性の熱接触を保証する。給電電極１１
８には、冷媒を供給可能な冷媒マニホルドスペース１３
６を含めることもできる。
をウェハの背面に接続している。このヘリウム空間は、
給電電極１１８の下方点とウェハとの間の空間が真空で
なくヘリウムで満たされていることを意味する。この状
態は、相当に低い熱抵抗、及びウェハと給電電極１１８
との間での高反復性の熱接触を保証する。給電電極１１
８には、冷媒を供給可能な冷媒マニホルドスペース１３
６を含めることもできる。
別の実施例では、ピン５３は、板バネ１３２で支持され
た摺動ピン支持体１３０上に取り付けられず、固定され
る。ヘリウム吹出ボート１３４がウェハの背面と給電電
極１１８の表面との間で良好な熱接触を保証するので、
十分の数インチの公差によってウェハ４８に対する給電
電極１１８の良好なＲＦ結合が可能になり、そして、給
電電極１１８とウェハ４８との間での良好な熱接触も可
能になる。またこの大きさの公差は、上方部に対して下
方室部を確実に密閉できるようにするため、室壁の熱膨
張、シールの厚さの変化、ウェハの厚さの変化等に対す
るゆとりを充分に与えるべきものである。尚この実施例
では、ウェハの表面に隣接したプラズマの横方向の広が
りを最小限とするため、水晶製円筒体１１４と水晶片１
１６はわずかに異なる形状とするのが有効である。但し
、摺動ビン支持体１３０を使えば、第７図に示すように
プラズマをウェハ面４８のより近くに閉じ込められるこ
とが判明している。
た摺動ピン支持体１３０上に取り付けられず、固定され
る。ヘリウム吹出ボート１３４がウェハの背面と給電電
極１１８の表面との間で良好な熱接触を保証するので、
十分の数インチの公差によってウェハ４８に対する給電
電極１１８の良好なＲＦ結合が可能になり、そして、給
電電極１１８とウェハ４８との間での良好な熱接触も可
能になる。またこの大きさの公差は、上方部に対して下
方室部を確実に密閉できるようにするため、室壁の熱膨
張、シールの厚さの変化、ウェハの厚さの変化等に対す
るゆとりを充分に与えるべきものである。尚この実施例
では、ウェハの表面に隣接したプラズマの横方向の広が
りを最小限とするため、水晶製円筒体１１４と水晶片１
１６はわずかに異なる形状とするのが有効である。但し
、摺動ビン支持体１３０を使えば、第７図に示すように
プラズマをウェハ面４８のより近くに閉じ込められるこ
とが判明している。
第７図は閉じた位置にある第６図の処理モジュールの上
方部を示し、ウェハ４８が処理のためそこに保持されて
いる。反応器を閉じた後、ヘリウム吹出ボート１３４
（第６図）を介してヘリウム吹出が開始可能となる。同
時に、処理ガス分配器１２０を介して所望の処理ガスを
供給できる。
方部を示し、ウェハ４８が処理のためそこに保持されて
いる。反応器を閉じた後、ヘリウム吹出ボート１３４
（第６図）を介してヘリウム吹出が開始可能となる。同
時に、処理ガス分配器１２０を介して所望の処理ガスを
供給できる。
処理ガス分配器１２０は、存在するＲＦ電力から渦電流
を拾わないように、水晶からなっている。
を拾わないように、水晶からなっている。
また、水晶の表面は高絶縁性なので、水晶に近いプラズ
マ境界には、アースされている導電要素に近いプラズマ
境界に生じるほど、大きな境界間電圧及び電流が生じな
い。これは次のことを意味する。すなわち、水晶の近く
でのプラズマによる反応は、アースされている導電要素
近くで生じるほど高い比率で生じないので、被着が減少
される。
マ境界には、アースされている導電要素に近いプラズマ
境界に生じるほど、大きな境界間電圧及び電流が生じな
い。これは次のことを意味する。すなわち、水晶の近く
でのプラズマによる反応は、アースされている導電要素
近くで生じるほど高い比率で生じないので、被着が減少
される。
また、水晶はかなり良好な熱絶縁性なので、サセプタの
温度が（プラズマからの放射によって）１００または２
００℃に上昇する点にも留意すべきである。分配器の温
度上昇はそこへの被着を一層減じるため、上記の点はあ
る処理において有利である。
温度が（プラズマからの放射によって）１００または２
００℃に上昇する点にも留意すべきである。分配器の温
度上昇はそこへの被着を一層減じるため、上記の点はあ
る処理において有利である。
一般的なＲＩＥ動作条件（１０〜２００ミクロン圧、１
００〜８００ワツトの供給電力）下では、発生プラズマ
が給電電極１１８とアース電極１１０との間の室をはり
一様に満たす。従って、処理ガス分配器１２０はプラズ
マ中で最も密な部分へと突出する。処理ガス分配器１２
０は処理すべきウェハの直径のはｙ゛半分リング状であ
って、中空の支持体がベース板１３８上に取り付けられ
たガス接続部１４０（第６図）に導かれている。水晶製
の処理ガス分配器１２０には迅速接続マウントが設けら
れているので、所望に応じ迅速且つ容易に交換できる。
００〜８００ワツトの供給電力）下では、発生プラズマ
が給電電極１１８とアース電極１１０との間の室をはり
一様に満たす。従って、処理ガス分配器１２０はプラズ
マ中で最も密な部分へと突出する。処理ガス分配器１２
０は処理すべきウェハの直径のはｙ゛半分リング状であ
って、中空の支持体がベース板１３８上に取り付けられ
たガス接続部１４０（第６図）に導かれている。水晶製
の処理ガス分配器１２０には迅速接続マウントが設けら
れているので、所望に応じ迅速且つ容易に交換できる。
処理ガス分配器１２０は、例えば４ｃｍだけつ工ハの表
面から離間しているのが有効である。この間隔、処理ガ
ス分配器１２０の正確な形状、及びガス分配器に対する
気体供給ポート１２２の間隔はそれほど重要でない。こ
れらのパラメータは所望なら変更できるが、変更する場
合には、処理ガス分配器１２０のガス供給ボート１２２
からの処理ガスの拡散及び処理ガス生成物が次のものを
与えるように上記パラメータを選択すべきである。
面から離間しているのが有効である。この間隔、処理ガ
ス分配器１２０の正確な形状、及びガス分配器に対する
気体供給ポート１２２の間隔はそれほど重要でない。こ
れらのパラメータは所望なら変更できるが、変更する場
合には、処理ガス分配器１２０のガス供給ボート１２２
からの処理ガスの拡散及び処理ガス生成物が次のものを
与えるように上記パラメータを選択すべきである。
１）ウェハ４８の面でのプラズマ境界へと向かう処理ガ
ス及び処理ガス生成物の拡散支配の輸送、及び２）ウェ
ハ４８の面近くのプラズマ境界における処理ガス及び処
理ガス生成物のはｙｏ−様な濃度。
ス及び処理ガス生成物の拡散支配の輸送、及び２）ウェ
ハ４８の面近くのプラズマ境界における処理ガス及び処
理ガス生成物のはｙｏ−様な濃度。
例えば、処理ガス分配器１２０とウェハ面との間隔は１
〜１５ＣＩｆｉの範囲なら何れともし得る。
〜１５ＣＩｆｉの範囲なら何れともし得る。
これらの低圧条件下で、且つ給電電極１１８のプラズマ
との接触面積（この実施例ではウェハ４８の面積と実質
上等しい）対アース電極面積（この実施例ではアース電
極１１０の面積に室１１２の内面積とベース板１３８の
上方の露出面積とを加えた和に実質上等しい）との大き
い面積比が与えられることで、高密度のプラズマ衝撃が
ウェハ面５４で生じる。
との接触面積（この実施例ではウェハ４８の面積と実質
上等しい）対アース電極面積（この実施例ではアース電
極１１０の面積に室１１２の内面積とベース板１３８の
上方の露出面積とを加えた和に実質上等しい）との大き
い面積比が与えられることで、高密度のプラズマ衝撃が
ウェハ面５４で生じる。
アース電極１１０は、アース電極１１０内のマニホルド
空所に接続された冷却ライン１５０ （第６図）を用い
て冷却可能である。追加の冷却が必要なら、室１１２も
冷却し得る。尚、前述のごとく下方エツチング室１３８
の全体が垂直方向に移動できるように、冷却ライン１５
０は可撓性のホースである。同じ理由から、ガス接続部
１４０を介して処理ガスを処理ガス分配器１２０に供給
するガス供給管１５２も可撓性である。これらのホース
の屈曲が過剰の粒子を生じることが分った場合には、ベ
ース板１３８の側面を介したベローズ１２４の外からの
ガス供給を代りに行うこともできる。
空所に接続された冷却ライン１５０ （第６図）を用い
て冷却可能である。追加の冷却が必要なら、室１１２も
冷却し得る。尚、前述のごとく下方エツチング室１３８
の全体が垂直方向に移動できるように、冷却ライン１５
０は可撓性のホースである。同じ理由から、ガス接続部
１４０を介して処理ガスを処理ガス分配器１２０に供給
するガス供給管１５２も可撓性である。これらのホース
の屈曲が過剰の粒子を生じることが分った場合には、ベ
ース板１３８の側面を介したベローズ１２４の外からの
ガス供給を代りに行うこともできる。
第８図は、第６図の反応器の平面図を示す。処理ガス分
配器１２０の形状は、この平面図からより明瞭となろう
。また、ベース板１３８はアース電極１１０の周縁に沿
っである程度のスペースを含み、これがガス供給ポー１
−１２２ （第６図）から下方の真空ポンプへ至る通路
を与えることも明らかであろう。反応器内のガス流は全
てウェハの面から下向きであるので、この点も粒子の減
少を促す。任意選択の変形として、重要な容積内におけ
る粒子数の増加を検出可能とし、そして粒子カウントが
選定レベルに達するまで室１１２の開放を遅らせられる
ように、室１１２内に実位置真空粒子カウンタを設けて
もよい。
配器１２０の形状は、この平面図からより明瞭となろう
。また、ベース板１３８はアース電極１１０の周縁に沿
っである程度のスペースを含み、これがガス供給ポー１
−１２２ （第６図）から下方の真空ポンプへ至る通路
を与えることも明らかであろう。反応器内のガス流は全
てウェハの面から下向きであるので、この点も粒子の減
少を促す。任意選択の変形として、重要な容積内におけ
る粒子数の増加を検出可能とし、そして粒子カウントが
選定レベルに達するまで室１１２の開放を遅らせられる
ように、室１１２内に実位置真空粒子カウンタを設けて
もよい。
所望のエツチング作業の終了後、処理ガス分配器１２０
を介して供給されるガスが遮断され、処理モジュール１
０４が処理モジュールの残部と同じ圧力（１０−’ Ｔ
ｏｒｒ以下）にポンプ排気される。
を介して供給されるガスが遮断され、処理モジュール１
０４が処理モジュールの残部と同じ圧力（１０−’ Ｔ
ｏｒｒ以下）にポンプ排気される。
次いで、処理モジュールの熱安定化または存在し得る浮
遊粒子の放出のための放置時間を場合に応じて介在させ
た後、処理モジュール１０４を開き、移送アーム２８が
上述のように作動されてウェハを室１２から取り出す。
遊粒子の放出のための放置時間を場合に応じて介在させ
た後、処理モジュール１０４を開き、移送アーム２８が
上述のように作動されてウェハを室１２から取り出す。
移送アーム２８の室１２に対する位置は、第１図に示し
たアーム２８の最古位置である。
たアーム２８の最古位置である。
尚、上記の作業は全て非常に容易に制御できる。
サーボや複雑な負帰還機構は必要ない。上述のモータは
全て簡単なステップモータなので、この種の複数モジュ
ールはシングルコンピュータ制御システム２０６（第１
０図）によって制御可能である。システム全体としての
機械的安定性−すなわちウェハ支持ビン５３のテーパ、
真空ウェハキャリヤ内の突起６０の傾斜、及び真空ウェ
ハキャリヤ１０の背壁の平坦接触面２９によって生じる
わずかな位置決め誤差の固有補正−が小誤差の累積を防
ぎ、そして制御を容易とする。
全て簡単なステップモータなので、この種の複数モジュ
ールはシングルコンピュータ制御システム２０６（第１
０図）によって制御可能である。システム全体としての
機械的安定性−すなわちウェハ支持ビン５３のテーパ、
真空ウェハキャリヤ内の突起６０の傾斜、及び真空ウェ
ハキャリヤ１０の背壁の平坦接触面２９によって生じる
わずかな位置決め誤差の固有補正−が小誤差の累積を防
ぎ、そして制御を容易とする。
簡単な制御というこの利点は、機械的な整合が十分制御
されるために、一部達成される。前述したように、真空
ウェハキャリヤｌＯの位置整合台１８との嵌合合体が機
械的な整合の一要素を与える。何故なら、移送アーム２
８に対する位置整合台１８の位置は正確且つ永久的に較
正可能だからである。同じく、真空ウェハキャリヤ１０
は各寸法について制御する必要がなく、位置整合台１８
と係合する真空ウェハキャリヤ１０の底（またはその他
の部分）に対して突起６０の位置及び向きが正確に分る
ように制御されるだけでよい。この点は、前述のごとく
、真空ウェハキャリヤ１０が位置整合台１−８上に載置
されるまで摺動するチャネルを設けることによって達成
される。しかし、その他多くの機械的構成も代りに使え
る。コンピュータ制御システム２０６による更に別の制
御及び補正動作のため、各種の電子的及び機械的センサ
でシステムの位置及び動作に関する情報を与えることも
できる。
されるために、一部達成される。前述したように、真空
ウェハキャリヤｌＯの位置整合台１８との嵌合合体が機
械的な整合の一要素を与える。何故なら、移送アーム２
８に対する位置整合台１８の位置は正確且つ永久的に較
正可能だからである。同じく、真空ウェハキャリヤ１０
は各寸法について制御する必要がなく、位置整合台１８
と係合する真空ウェハキャリヤ１０の底（またはその他
の部分）に対して突起６０の位置及び向きが正確に分る
ように制御されるだけでよい。この点は、前述のごとく
、真空ウェハキャリヤ１０が位置整合台１−８上に載置
されるまで摺動するチャネルを設けることによって達成
される。しかし、その他多くの機械的構成も代りに使え
る。コンピュータ制御システム２０６による更に別の制
御及び補正動作のため、各種の電子的及び機械的センサ
でシステムの位置及び動作に関する情報を与えることも
できる。
同様に、移送アーム２Ｂのホーム位置とウェハを処理室
内へと挿し込む３本のピン５０（またはその他の支持構
成）との間でも、機械的な整合が達成されねばならない
。但し、この機械的な整合は、簡単な１回の設定較正と
すべきである。尚、前述したように、ドア１４が閉じら
れる度に、その内部のバネ要素が各ウェハ４８を真空ウ
ェハキャリヤ１０の平坦接触面２９に対し押圧するので
、角度の位置決めは真空ウェハキャリヤ自体によって保
持されている。真空ウェハキャリヤＩＯでの別個のポン
プ排気を可能とするため、迅速接続式の真空取付具を真
空ウェハキャリヤ１０に任意選択として設けることもで
きる。
内へと挿し込む３本のピン５０（またはその他の支持構
成）との間でも、機械的な整合が達成されねばならない
。但し、この機械的な整合は、簡単な１回の設定較正と
すべきである。尚、前述したように、ドア１４が閉じら
れる度に、その内部のバネ要素が各ウェハ４８を真空ウ
ェハキャリヤ１０の平坦接触面２９に対し押圧するので
、角度の位置決めは真空ウェハキャリヤ自体によって保
持されている。真空ウェハキャリヤＩＯでの別個のポン
プ排気を可能とするため、迅速接続式の真空取付具を真
空ウェハキャリヤ１０に任意選択として設けることもで
きる。
上記の装填ロック機構は真空ウェハキャリヤ１０と組合
せて用いる方が有効だが、それだけに限られない点に留
意すべきである。。この装填ロックは、内部が大気圧の
ウェハキャリヤとも組合せて使える。これは別の実施例
であるが、参考文献として含まれる１９８４年８月２７
日発行のバイ７（Ｂｉｍｅｒ ）等による米国特許第４
，６０９，１０３号に示されているような従来の装填ロ
ック動作と比べ、前述のごとき多くの利点を持っている
。
せて用いる方が有効だが、それだけに限られない点に留
意すべきである。。この装填ロックは、内部が大気圧の
ウェハキャリヤとも組合せて使える。これは別の実施例
であるが、参考文献として含まれる１９８４年８月２７
日発行のバイ７（Ｂｉｍｅｒ ）等による米国特許第４
，６０９，１０３号に示されているような従来の装填ロ
ック動作と比べ、前述のごとき多くの利点を持っている
。
また、前述の真空ウェハキャリヤ１０は、任意の所望数
のウェハを支持するように異なるサイズで作製可能な点
にも留意すべきである。更にこの種の真空ウェハキャリ
ヤ１０は、その他最大限まで任意の所望数のウェハを運
搬または保管するのに使える。これは、計画及び処理機
器の割当補給における別の融通性を与える。
のウェハを支持するように異なるサイズで作製可能な点
にも留意すべきである。更にこの種の真空ウェハキャリ
ヤ１０は、その他最大限まで任意の所望数のウェハを運
搬または保管するのに使える。これは、計画及び処理機
器の割当補給における別の融通性を与える。
第５Ａ図は、更に別の実施例を示している。この実施例
において、各々が真空ウェハキャリヤ１０を含む２つの
装填ロックが共に処理ステーション１０２に接続されて
いる。この処理ステーション１０２は、４つの処理モジ
ュールを含んでおり、そのうちの２つ以上は、処理モジ
ュール１０４またはこ＼に開示する他の処理モジュール
、あるいはそれ以外の任意な適切のモジュールである。
において、各々が真空ウェハキャリヤ１０を含む２つの
装填ロックが共に処理ステーション１０２に接続されて
いる。この処理ステーション１０２は、４つの処理モジ
ュールを含んでおり、そのうちの２つ以上は、処理モジ
ュール１０４またはこ＼に開示する他の処理モジュール
、あるいはそれ以外の任意な適切のモジュールである。
前記の実施例と異なり、移送アーム２８は室間移送ボー
ト３０を介して真空装填ロック室１２から処理ステーシ
ョン１０２内へと達したとき、ウェハ４８を２つのウェ
ハステージ１０５の一方上に置く。これらのウェハステ
ージ１０５はビン５３と同様の３ピン支持体または２突
起支持体であり、あるいはウェハを支持体上に置いた後
、移送アーム２８がウェハと接触せずに下降して瑳退す
るように支持されたウェハの下方にスペースが存在する
限り、その他の機械的構成ともし得る。用いるウェハ支
持体は、大きな面積に及ぶ接触ではな（、ウェハの下面
またはエツジと線接触をなすようにすべきである。
ト３０を介して真空装填ロック室１２から処理ステーシ
ョン１０２内へと達したとき、ウェハ４８を２つのウェ
ハステージ１０５の一方上に置く。これらのウェハステ
ージ１０５はビン５３と同様の３ピン支持体または２突
起支持体であり、あるいはウェハを支持体上に置いた後
、移送アーム２８がウェハと接触せずに下降して瑳退す
るように支持されたウェハの下方にスペースが存在する
限り、その他の機械的構成ともし得る。用いるウェハ支
持体は、大きな面積に及ぶ接触ではな（、ウェハの下面
またはエツジと線接触をなすようにすべきである。
別の移送アームアセンブリ１０６が、処理ステーショア
１０２内に設けられている。この移送アームアセンブリ
は、室１２内で使われているような移送アーム２８、回
転可能な移送アーム支持体４４及び筒状支持体４６とは
ソ゛同様だが、幾つか相違も存在する。第１に、前記装
填ロック内で使われた移送アーム２８は、ウェハを直線
状に移動しさえすればよい。これに対し、移送アームア
センブリ１０６は、処理モジュール１０４の任意の１つ
を選択すめために、半径方向にも移動可能でなければな
らない。つまり、追加の自由度が必要である。第２に、
移送アームアセンブリ１０６の到達範囲は、装填ロック
内で使われている移送アーム２８、回転可能な移送アー
ム支持体４４及び筒状支持体４６と同じにする必要がな
く、実際には処理モジュール１０４の適切な間隔を可能
とするために、移送アームアセンブリ１０６の到達範囲
はもっと大きくし得る。第３に、移送アームアセンブリ
１０６は、装填ロックで使われる移送アーム２８はど垂
直方向に移動する必要がない。第４に、図示の構成では
、移送アームアセンブリ１０６がウェハの平坦面と接す
るピン５０の１本を有していないので、同一の直径のウ
ェハを取扱う場合であっても、３ピン５０によって限定
される円の直径は移送アーム２８及び１２８と同一でな
い。
１０２内に設けられている。この移送アームアセンブリ
は、室１２内で使われているような移送アーム２８、回
転可能な移送アーム支持体４４及び筒状支持体４６とは
ソ゛同様だが、幾つか相違も存在する。第１に、前記装
填ロック内で使われた移送アーム２８は、ウェハを直線
状に移動しさえすればよい。これに対し、移送アームア
センブリ１０６は、処理モジュール１０４の任意の１つ
を選択すめために、半径方向にも移動可能でなければな
らない。つまり、追加の自由度が必要である。第２に、
移送アームアセンブリ１０６の到達範囲は、装填ロック
内で使われている移送アーム２８、回転可能な移送アー
ム支持体４４及び筒状支持体４６と同じにする必要がな
く、実際には処理モジュール１０４の適切な間隔を可能
とするために、移送アームアセンブリ１０６の到達範囲
はもっと大きくし得る。第３に、移送アームアセンブリ
１０６は、装填ロックで使われる移送アーム２８はど垂
直方向に移動する必要がない。第４に、図示の構成では
、移送アームアセンブリ１０６がウェハの平坦面と接す
るピン５０の１本を有していないので、同一の直径のウ
ェハを取扱う場合であっても、３ピン５０によって限定
される円の直径は移送アーム２８及び１２８と同一でな
い。
アセンブリ１０６の筒状支持体は回転可能とでき、この
場合にはその回転を駆動する第３のモータが設けられる
。つまり、移送アーム用の第３の自由度が与えられる。
場合にはその回転を駆動する第３のモータが設けられる
。つまり、移送アーム用の第３の自由度が与えられる。
同じく、アセンブリ１０６の移送アーム１２８の寸法は
所望に応じ簡単に変更できる。つまり、移送アームアセ
ンブリ１０６は、移送アーム支持体１４４上に回転可能
に取り付けられた移送アームを含む。筒状アーム支持体
１４４は筒状支持体（図示せず）に旋回可能に取り付け
られ、移送アーム支持体１４４に固定された内部シャフ
トが筒状支持体を貫いて下方に延びている。２対１のギ
ヤ機構を含む内部のチェーンドライブは、筒状支持体１
４６と移送アーム支持体１４４との間の差回転を更に別
の差回転、すなわち移送アーム支持体１４４と移送アー
ム１２８との間の角度の２倍へと変換する。移送アーム
アセンブリ１０６の下方に取り付けられたアーム駆動モ
ータが、移送アーム支持体１４４に固定されたシャフト
を回転するように結合されている。またアーム回転モー
タが、筒状支持体１４６を回転するように結合されてい
る。更に、昇降機構が移送アームアセンブリ１０６の垂
直方向の動きを与える。
所望に応じ簡単に変更できる。つまり、移送アームアセ
ンブリ１０６は、移送アーム支持体１４４上に回転可能
に取り付けられた移送アームを含む。筒状アーム支持体
１４４は筒状支持体（図示せず）に旋回可能に取り付け
られ、移送アーム支持体１４４に固定された内部シャフ
トが筒状支持体を貫いて下方に延びている。２対１のギ
ヤ機構を含む内部のチェーンドライブは、筒状支持体１
４６と移送アーム支持体１４４との間の差回転を更に別
の差回転、すなわち移送アーム支持体１４４と移送アー
ム１２８との間の角度の２倍へと変換する。移送アーム
アセンブリ１０６の下方に取り付けられたアーム駆動モ
ータが、移送アーム支持体１４４に固定されたシャフト
を回転するように結合されている。またアーム回転モー
タが、筒状支持体１４６を回転するように結合されてい
る。更に、昇降機構が移送アームアセンブリ１０６の垂
直方向の動きを与える。
尚、移送アームアセンブリ１０６に必要な垂直方向の動
きは一般に真空装填ロック室１２内の移送アーム２８に
必要な垂直方向の動きほど大きくない。なぜならば、移
送アーム１２８は、一般に真空ウェハキャリヤ１０内に
おける位置のように幾つかの垂直方向に分離したウェハ
位置のうちの１つを選択する必要がないが、一般に全て
はｙ゛同一平面内にある多数の可能なウェハモジュール
からウェハを取り出して置くのに使われるだけだからで
ある。従って任意選択として、移送アーム１２８の垂直
方向の動きは、油述した昇降モータアセンブリでなく空
気シリンダによって制御し得る。
きは一般に真空装填ロック室１２内の移送アーム２８に
必要な垂直方向の動きほど大きくない。なぜならば、移
送アーム１２８は、一般に真空ウェハキャリヤ１０内に
おける位置のように幾つかの垂直方向に分離したウェハ
位置のうちの１つを選択する必要がないが、一般に全て
はｙ゛同一平面内にある多数の可能なウェハモジュール
からウェハを取り出して置くのに使われるだけだからで
ある。従って任意選択として、移送アーム１２８の垂直
方向の動きは、油述した昇降モータアセンブリでなく空
気シリンダによって制御し得る。
つまり、移送アーム支持体１４４と同時にアセンブリ１
０６の筒状支持体を回転することによって、筒状アーム
アセンブリ１０６は延出されることなく回転可能である
。移送アームアセンブリ１０６を所望の位置に回転した
後、筒状支持体１４６を固定したま＼移送アーム支持体
１４４を回転すれば、アーム２８に関連して前述したよ
うに移送アーム１２８は延出可能である。
０６の筒状支持体を回転することによって、筒状アーム
アセンブリ１０６は延出されることなく回転可能である
。移送アームアセンブリ１０６を所望の位置に回転した
後、筒状支持体１４６を固定したま＼移送アーム支持体
１４４を回転すれば、アーム２８に関連して前述したよ
うに移送アーム１２８は延出可能である。
すなわち、移送アーム２８が真空装填ロック室１２の１
つから、処理すべきウェハ４８をウェハステージ１０５
の１つの上に置いた後、移送アームアセンブリ１０６は
回転され、必要ならばウェハの下方に移送アーム１２８
が（るように低い位置で延出され、移送アーム１２８が
ウェハ４８を取り出すように上昇され、そしてホーム位
置に後退される。次に、移送アームアセンブリ１０６は
再び回転され、そしてウェハが処理モジュール１０４の
１つのウェハ支持体上方または他方のウェハステージ１
０５上方にくるように移送アーム１２．８は延出される
。移送アームアセンブリ１０６を降下することによって
、ウェハ４８は処理モジュール１０４内のウェハ支持体
またはウェハステージ１０５上に置かれ、こ＼で移送ア
ーム１２８は後退可能となる。
つから、処理すべきウェハ４８をウェハステージ１０５
の１つの上に置いた後、移送アームアセンブリ１０６は
回転され、必要ならばウェハの下方に移送アーム１２８
が（るように低い位置で延出され、移送アーム１２８が
ウェハ４８を取り出すように上昇され、そしてホーム位
置に後退される。次に、移送アームアセンブリ１０６は
再び回転され、そしてウェハが処理モジュール１０４の
１つのウェハ支持体上方または他方のウェハステージ１
０５上方にくるように移送アーム１２．８は延出される
。移送アームアセンブリ１０６を降下することによって
、ウェハ４８は処理モジュール１０４内のウェハ支持体
またはウェハステージ１０５上に置かれ、こ＼で移送ア
ーム１２８は後退可能となる。
処理モジュール１０４は主処理ステーション１０２から
密閉分離でき、ウェハについての個々の単一ウェハ処理
が開始可能となる。一方、移送アーム１２８と２８は他
の動作を実施できる。処理モジュール１０４内のウェハ
の処理が完了すると、その処理モジュール１０４は処理
ステーション１０２の内部と同じ低圧にポンプ排気され
、処理モジュール１０４は開放可能となる。こ−で移送
アームアセンブリ１０６が作動されてそのウェハを取り
出し、一方のウェハステージ１０５上または別の処理モ
ジュール１０４内へのいずれかにそのウェハを移す。
密閉分離でき、ウェハについての個々の単一ウェハ処理
が開始可能となる。一方、移送アーム１２８と２８は他
の動作を実施できる。処理モジュール１０４内のウェハ
の処理が完了すると、その処理モジュール１０４は処理
ステーション１０２の内部と同じ低圧にポンプ排気され
、処理モジュール１０４は開放可能となる。こ−で移送
アームアセンブリ１０６が作動されてそのウェハを取り
出し、一方のウェハステージ１０５上または別の処理モ
ジュール１０４内へのいずれかにそのウェハを移す。
かかる実施例の１つの利点は、全ての処理モジュール１
０４が同じ作業を行うように構成でき、かなり遅い処理
作業の場合でも、処理ステーション１０２内に充分な数
の処理モジュール１０４を設ければ、ウェハの搬送にだ
け制限された処理量が可能となり、あるいは異なる処理
モジュール１０４内で異なる作業を行える点にある。
０４が同じ作業を行うように構成でき、かなり遅い処理
作業の場合でも、処理ステーション１０２内に充分な数
の処理モジュール１０４を設ければ、ウェハの搬送にだ
け制限された処理量が可能となり、あるいは異なる処理
モジュール１０４内で異なる作業を行える点にある。
すなわち、吸着汚染物や天然の配化物に原因する処理変
化が除かれるため、かかる実施例によって、望ましいも
のとしてますます強く認識されている逐次処理が容易に
使用される。例えば、２つのプロセスモジュール１０４
を酸化物成長用に、１つを窒化物被着用に、更に１つを
ポリシリコン被着用にそれぞれ構成すれば、酸窒化物ポ
リ−ポリコンデンサの同一位置での完全作業が可能とな
る。また、異なる処理モジュール１０４内に異なる処理
工程を設けることは、どのウェハがどの装置へ行くべき
かを人手確認に頼らず、適切な作業をプログラミングす
ることによって、多数のロフト分割及び処理の変化が同
時に実施可能なことを意味する。つまり、それぞれ異な
るサンプル処理モジュール１０４内で異なる作業を進行
させる能力が、処理上の融通性を更に与える。
化が除かれるため、かかる実施例によって、望ましいも
のとしてますます強く認識されている逐次処理が容易に
使用される。例えば、２つのプロセスモジュール１０４
を酸化物成長用に、１つを窒化物被着用に、更に１つを
ポリシリコン被着用にそれぞれ構成すれば、酸窒化物ポ
リ−ポリコンデンサの同一位置での完全作業が可能とな
る。また、異なる処理モジュール１０４内に異なる処理
工程を設けることは、どのウェハがどの装置へ行くべき
かを人手確認に頼らず、適切な作業をプログラミングす
ることによって、多数のロフト分割及び処理の変化が同
時に実施可能なことを意味する。つまり、それぞれ異な
るサンプル処理モジュール１０４内で異なる作業を進行
させる能力が、処理上の融通性を更に与える。
また、ウェアの転送順序全体は完全に任意であり、所望
に応じて選択し得る。例えば、１つの真空ウェハキャリ
ヤ１０からのウェハを完全に処理した後その真空ウェハ
キャリヤ１０に戻し、その処理し終ったウェハを含む真
空装填ロック室１２を処理ステーション１０２から密閉
分離し、処理後のウェハで満たされた真空ウェハキャリ
ヤ１゜を該真空装填ロック室１２から取り出す間、別の
真空装填ロック室１２内に入れた別の真空ウェハキャリ
ヤ１０内のウェハを処理することができる。
に応じて選択し得る。例えば、１つの真空ウェハキャリ
ヤ１０からのウェハを完全に処理した後その真空ウェハ
キャリヤ１０に戻し、その処理し終ったウェハを含む真
空装填ロック室１２を処理ステーション１０２から密閉
分離し、処理後のウェハで満たされた真空ウェハキャリ
ヤ１゜を該真空装填ロック室１２から取り出す間、別の
真空装填ロック室１２内に入れた別の真空ウェハキャリ
ヤ１０内のウェハを処理することができる。
あるいは、本構成のプログラム能力とランダムアクセス
の特性を用い、２つの真空ウェハキャリヤ１０間におい
て任意の所望な方法でウェハを組み換え及び交換するこ
ともできる。
の特性を用い、２つの真空ウェハキャリヤ１０間におい
て任意の所望な方法でウェハを組み換え及び交換するこ
ともできる。
また、本構成は２つの真空装填ロック室１２もしくは４
つの処理モジュール１０４に全く制限されないが、この
構成は、処理ステーション１０２内における別の数の処
理モジュール１０４、処理ステーション１０２に取り付
けられる別の数の真空装填ロック室１２、あるいはステ
ーション内における２以上の移送アームアセンブリ１０
６の使用へと、所望なら、変更可能である点も留意され
るべきである。
つの処理モジュール１０４に全く制限されないが、この
構成は、処理ステーション１０２内における別の数の処
理モジュール１０４、処理ステーション１０２に取り付
けられる別の数の真空装填ロック室１２、あるいはステ
ーション内における２以上の移送アームアセンブリ１０
６の使用へと、所望なら、変更可能である点も留意され
るべきである。
尚、本構成はウェハの向きを保存するものである。ウェ
ハが真空ウェハキャリヤ１０内でそれらの平坦部５６を
真空ウェハキャリヤ１ｏの背面の平坦接触面に向けて支
持されているとすれば、それらウェハは平坦部５６を処
理ステーション１０２の中心の方に向けてウェハステー
ジ１０５上に置かれる。移送アームアセンブリ１０６は
この向きを維持するので、ウェハ４８は何れかの真空ウ
ェハキャリヤ１０内に置き換えられたとき、その平坦部
５６が真空ウェハキャリヤ１０背面の平坦接触面２９に
向く。
ハが真空ウェハキャリヤ１０内でそれらの平坦部５６を
真空ウェハキャリヤ１ｏの背面の平坦接触面に向けて支
持されているとすれば、それらウェハは平坦部５６を処
理ステーション１０２の中心の方に向けてウェハステー
ジ１０５上に置かれる。移送アームアセンブリ１０６は
この向きを維持するので、ウェハ４８は何れかの真空ウ
ェハキャリヤ１０内に置き換えられたとき、その平坦部
５６が真空ウェハキャリヤ１０背面の平坦接触面２９に
向く。
第５Ｂ図は、処理モジュール１０４等こ＼に示す処理モ
ジュールのうち任意のもの、あるいは他の適切な処理モ
ジュールとし得る３つの処理モジュール５５４を有する
処理ステーション５５０を示す。処理モジュール５５４
は全て同種、各々異種、または２つ同種で残り１つは異
種の処理モジュールとすることができる。第６図の移送
アームアセンブリと同様な移送アームアセンブリ５５８
が、コンピュータ制御システム５６２の制御下で、ウェ
ハを任意、の処理モジュール５５４間において任意の順
序で移送する。真空装填ロック室５６５と５６６は第１
図の室１２と同様である。移送アームアセンブリ５５８
は、モジュール５５４と室５６５．５６６とに達して、
複数のウェハ（第５Ｂ図にはウェハ４８だけを示す）を
取り出しまたは引き渡し可能である。コンピュータ制御
システム５６２は、モジュール５５４、アセンブリ５５
８及び室５６５．５６６に必要な制御を与える。ウェハ
の移送ルートは、任意の所望な処理モジュール５５４間
で、任意の室５６５．５６６から任意の処理モジュール
５５４へ、及び任意の処理モジュール５５４から任意の
室５６５．５６６へと可能である。
ジュールのうち任意のもの、あるいは他の適切な処理モ
ジュールとし得る３つの処理モジュール５５４を有する
処理ステーション５５０を示す。処理モジュール５５４
は全て同種、各々異種、または２つ同種で残り１つは異
種の処理モジュールとすることができる。第６図の移送
アームアセンブリと同様な移送アームアセンブリ５５８
が、コンピュータ制御システム５６２の制御下で、ウェ
ハを任意、の処理モジュール５５４間において任意の順
序で移送する。真空装填ロック室５６５と５６６は第１
図の室１２と同様である。移送アームアセンブリ５５８
は、モジュール５５４と室５６５．５６６とに達して、
複数のウェハ（第５Ｂ図にはウェハ４８だけを示す）を
取り出しまたは引き渡し可能である。コンピュータ制御
システム５６２は、モジュール５５４、アセンブリ５５
８及び室５６５．５６６に必要な制御を与える。ウェハ
の移送ルートは、任意の所望な処理モジュール５５４間
で、任意の室５６５．５６６から任意の処理モジュール
５５４へ、及び任意の処理モジュール５５４から任意の
室５６５．５６６へと可能である。
室１２ （第１図）に関連して前述したように、任意の
室５６５．５６６内での処理作業前及び後において装填
ロック及び処理室の動作を制御するのに、通常閉ループ
の制御システムが設けられている。
室５６５．５６６内での処理作業前及び後において装填
ロック及び処理室の動作を制御するのに、通常閉ループ
の制御システムが設けられている。
第９図は第６図の処理モジュールの改良例を示し、この
実施例は、その場で発生される紫外線によって処理を高
める能力を含み、またウェハ面から離れた補助のプラズ
マ放電を介してウェハ面へと至るガス流によって生じる
活性化種を与える能力も与えられている。モジュールは
、１つのモジュールと１つの真空装填ロックだけを含む
処理ステーション５７０内に示しであるが、中心の取扱
室が複数の処理モジュール１０４及び１つ以上の真空装
填ロック室１２と組合された第５Ａ及び５Ｂ図のような
実施例でも使える。
実施例は、その場で発生される紫外線によって処理を高
める能力を含み、またウェハ面から離れた補助のプラズ
マ放電を介してウェハ面へと至るガス流によって生じる
活性化種を与える能力も与えられている。モジュールは
、１つのモジュールと１つの真空装填ロックだけを含む
処理ステーション５７０内に示しであるが、中心の取扱
室が複数の処理モジュール１０４及び１つ以上の真空装
填ロック室１２と組合された第５Ａ及び５Ｂ図のような
実施例でも使える。
また、粒子センサ２０２（第９図）が、真空装填ロック
室１２の内部に接続されるものとして明示しである。こ
の粒子センサ２０２は、粒子センサ２０２からの信号が
真空装填ロック室１２内に存在する粒子レベルの指示を
与える限り、物理的に真空ウェハキャリヤ１０の合体位
置に近接していなくともよい。粒子センサ２０２は通常
ポンプ排気路（図示せず）内で真空装填ロック１２より
下流に位置する。またこの粒子センサは、一定の″ｍｍ
続開間わたってカウントされた粒子数を示す出力信号を
与えるカウンタに、市販のレーザ粒子カウンタ（これが
個々の粒子を検出する）を組合せて成る。紫外線プラズ
マ空間２２０にはリング５７６を介して、例えばＨｚ
、ＡｒまたはＨｅ等紫外線の発生に有効なガスが供給さ
れる。紫外線を発生するのに使われる電源の周波数は、
例えば１００ＫＩＩｚまたは１３．５６ＭＨｚとし得る
。モジュール５７０は、処理室２１８を有し、こ＼に分
配器２１２（第１２図）または供給管２５０を介してガ
スが導入される。例えば、オゾンが分配器２１２を介し
て供給される。透明な真空壁２３８が、加熱モジュール
５７２からの放射熱を下方のウェハ４８へと通過可能に
している。
室１２の内部に接続されるものとして明示しである。こ
の粒子センサ２０２は、粒子センサ２０２からの信号が
真空装填ロック室１２内に存在する粒子レベルの指示を
与える限り、物理的に真空ウェハキャリヤ１０の合体位
置に近接していなくともよい。粒子センサ２０２は通常
ポンプ排気路（図示せず）内で真空装填ロック１２より
下流に位置する。またこの粒子センサは、一定の″ｍｍ
続開間わたってカウントされた粒子数を示す出力信号を
与えるカウンタに、市販のレーザ粒子カウンタ（これが
個々の粒子を検出する）を組合せて成る。紫外線プラズ
マ空間２２０にはリング５７６を介して、例えばＨｚ
、ＡｒまたはＨｅ等紫外線の発生に有効なガスが供給さ
れる。紫外線を発生するのに使われる電源の周波数は、
例えば１００ＫＩＩｚまたは１３．５６ＭＨｚとし得る
。モジュール５７０は、処理室２１８を有し、こ＼に分
配器２１２（第１２図）または供給管２５０を介してガ
スが導入される。例えば、オゾンが分配器２１２を介し
て供給される。透明な真空壁２３８が、加熱モジュール
５７２からの放射熱を下方のウェハ４８へと通過可能に
している。
紫外線及び遠隔プラズマの能力を有する第９図及びその
他の処理モジュールによって、以下の処理が行える。
他の処理モジュールによって、以下の処理が行える。
モジュール５７０で使える一処理は、側方モジュール５
７０（処理室２１８内へ直接光学的に結合されている）
で発生される補助の紫外線と遠隔プラズマ室２５４から
遠隔発生されるプラズマの何れかまたは両方を用いるポ
リシリコンを被着するためである。シランガスが処理室
内に導入される。遠隔プラズマを使わないときは、シラ
ンガスを分配器２１２を介して処理室２１８内へ導入す
ることもできる。処理室は被着温度に維持されるべきで
ある。ウェハを室２１８に配置した後、所望なら、ウェ
ハ及びその露出層と非反応性の適切なガス、例えばＮ２
を用いて浄化を行える。この処理の一例は次の通りであ
る。すなわち、まずウェハが室内に置かれる。次いで、
室内が排気されＮ２で浄化される（一般に室内の使用可
能な気圧は０．１〜７５０ Ｔｏｒｒである）。遠隔プ
ラズマが、シランガスから室２５４内で発生される。遠
隔プラズマは室２１８内に導入され、つ℃ハイ８の下向
き面５４に導かれる。室が、例えば５５０〜５７０℃の
被着温度に加熱される。補助の紫外線エネルギーが、リ
ング５７６を介して導入された気体例えばＨ２、Ａ ｒ
またはＨｅ等を、周波数１００ＫＨｚの電力３００ワツ
トを用い励起することによって、空間２２０から室２１
８内に結合される。すると次の反応が生じる。
７０（処理室２１８内へ直接光学的に結合されている）
で発生される補助の紫外線と遠隔プラズマ室２５４から
遠隔発生されるプラズマの何れかまたは両方を用いるポ
リシリコンを被着するためである。シランガスが処理室
内に導入される。遠隔プラズマを使わないときは、シラ
ンガスを分配器２１２を介して処理室２１８内へ導入す
ることもできる。処理室は被着温度に維持されるべきで
ある。ウェハを室２１８に配置した後、所望なら、ウェ
ハ及びその露出層と非反応性の適切なガス、例えばＮ２
を用いて浄化を行える。この処理の一例は次の通りであ
る。すなわち、まずウェハが室内に置かれる。次いで、
室内が排気されＮ２で浄化される（一般に室内の使用可
能な気圧は０．１〜７５０ Ｔｏｒｒである）。遠隔プ
ラズマが、シランガスから室２５４内で発生される。遠
隔プラズマは室２１８内に導入され、つ℃ハイ８の下向
き面５４に導かれる。室が、例えば５５０〜５７０℃の
被着温度に加熱される。補助の紫外線エネルギーが、リ
ング５７６を介して導入された気体例えばＨ２、Ａ ｒ
またはＨｅ等を、周波数１００ＫＨｚの電力３００ワツ
トを用い励起することによって、空間２２０から室２１
８内に結合される。すると次の反応が生じる。
５ｉｌｌａ ＞ ＳｉＨ２＋５ｉ２）１６ ＞ポリシリ
コン＋Ｈ２こ＼で光は、分子の励起レベルを高めること
によって被着を強める。次いでガスと熱が打ち切られ、
所望なら室が適切なガスで再び浄化される。その後ウェ
ハが取り出される。所望に応じ、ＨＣＩとＨＢｒの混合
物から形成された遠隔プラズマを用いて、クリーニング
工程を実施できる。
コン＋Ｈ２こ＼で光は、分子の励起レベルを高めること
によって被着を強める。次いでガスと熱が打ち切られ、
所望なら室が適切なガスで再び浄化される。その後ウェ
ハが取り出される。所望に応じ、ＨＣＩとＨＢｒの混合
物から形成された遠隔プラズマを用いて、クリーニング
工程を実施できる。
別の有用な処理は、窒化シリコンの被着である。
遠隔プラズマを発生するのに窒素源が使われる。
前述のように、局部発生された紫外線エネルギーが処理
室内に結合される。シリコン源、例えばジクロロシラン
（ＤＣ３）の混合ガスが、処理室内及びウェハ面５４に
導かれる。遠隔プラズマと紫外線エネルギーの組合せが
、被着速度を許容レベルにまで上げるのを可能とする。
室内に結合される。シリコン源、例えばジクロロシラン
（ＤＣ３）の混合ガスが、処理室内及びウェハ面５４に
導かれる。遠隔プラズマと紫外線エネルギーの組合せが
、被着速度を許容レベルにまで上げるのを可能とする。
処理の実例を次に示す。
１． ウェハを下向きにして処理室内に配置し、処理室
を閉じる。
を閉じる。
２、処理室内を排気し、所望なら適切なガス、例えばＮ
２で浄化する。
２で浄化する。
３、 ＤＯ５の混合ガスから遠隔プラズマを発生し、
窒素源例えばＮ２またはＮＨ３が処理室内に導入される
。
窒素源例えばＮ２またはＮＨ３が処理室内に導入される
。
４、処理室を被着温度、例えば５５０〜８００ ’ｃに
加熱する。
加熱する。
５、 紫外線エネルギーを発生して処理室内に導き、こ
れが処理ガスによって吸収され、ＤＣ３の分子励起レベ
ルを高める。
れが処理ガスによって吸収され、ＤＣ３の分子励起レベ
ルを高める。
６、 ガス流を止めて加熱し、適切なガス、例えばＮ２
で室内を浄化する。
で室内を浄化する。
７、処理室を開け、ウェハを処理室から取り出す。
８、 混合ガス、例えばＣＦ、と０２を用いて処理室を
クリーニングする。
クリーニングする。
こ＼で論じるクリーニング動作中、処理室は閉じておく
ことができる。
ことができる。
また処理モジュール５７０は、有機物の除去、金属汚染
物の除去、天然酸化物の除去、酸化、及び形成された酸
化膜上へのシールドの被着を逐次実施可能である。かか
る処理の一例を次に示す。
物の除去、天然酸化物の除去、酸化、及び形成された酸
化膜上へのシールドの被着を逐次実施可能である。かか
る処理の一例を次に示す。
１、 ウェハを低圧の処理室内に配置する。
２、 補助の紫外線を用い、オゾンを室内に導入して、
ウェハから有機化合物を除去する。
ウェハから有機化合物を除去する。
３、 ハロゲン化物と酸素を用いて金属汚染物を除去す
る。
る。
４、 フッ素の化学作用、例えば無水ＨＦ法を用いて、
前の工程で生じた天然酸化物を除去する。
前の工程で生じた天然酸化物を除去する。
５、室を排気した後、ウェハ及びその露出層と非反応性
の適切なガス、例えばＮ２またはＡｒを用いて、室内を
高圧、例えば７００ Ｔｏｒｒに浄化する。
の適切なガス、例えばＮ２またはＡｒを用いて、室内を
高圧、例えば７００ Ｔｏｒｒに浄化する。
６、酸化源例えば０２を導入し、例えば加熱モジュール
５７２のランプ５７４を付勢し壁２３８を介して放射熱
を与えウェハを加熱する・二とによって、ウェハまたは
少なくともその一部上に酸化膜を形成する。
５７２のランプ５７４を付勢し壁２３８を介して放射熱
を与えウェハを加熱する・二とによって、ウェハまたは
少なくともその一部上に酸化膜を形成する。
７、例えば、酸化源を停止し、Ｎ２またはＡｒで浄化す
ることによってアニール作業を行い、アニール作業後所
望なら、熱を停止してウェハを冷却可能とする。
ることによってアニール作業を行い、アニール作業後所
望なら、熱を停止してウェハを冷却可能とする。
８、所望なら、浄化作業を行って水分を取り除く。
９、室内を排気した後、適切なガス例えばＮ２またはＡ
ｒで、低圧例えば７５０〜０． Ｉ Ｔｏｒｒに浄化す
る。
ｒで、低圧例えば７５０〜０． Ｉ Ｔｏｒｒに浄化す
る。
１０、被着用のガス、例えばシランを室内に導しポリシ
リコンを被着する。あるいは窒化シリコンも使える。
リコンを被着する。あるいは窒化シリコンも使える。
１１、ウェハを、例えば５５０〜７００℃に加熱する。
１２、補助の紫外光を発生し、励起レベルを高める。
１３、熱及び被着ガスを除去し、適切なガス例えばＮ２
またはＡｒで室を浄化する。こ＼で窒化シリコン等別の
被着を行える。
またはＡｒで室を浄化する。こ＼で窒化シリコン等別の
被着を行える。
１４、ウェハを処理室から取り出した後、次のウェハを
入れる前に遠隔プラズマを用いて室内を清掃する。
入れる前に遠隔プラズマを用いて室内を清掃する。
特定の処理によって必要なら、上記の任意の工程及び／
又はそれらの一部を省略できる。
又はそれらの一部を省略できる。
第９図の処理モジュール５７０で行える別の処理は、窒
化シリコンの被着である。つまり、まずウェハが処理室
内に置かれる。排気後、必要なら適切なガス、例えばＮ
２で室内が浄化される。圧力は０．１〜７５０ Ｔｏｒ
ｒＯ間で可変である。酸素源、例えばＮ、Ｏまたは０２
が室内で励起され、遠隔プラズマを生成する。シリコン
源、例えばシランまたはジシランが、室２５４あるいは
分配器２１２から室２１８内に導入される。オゾンが分
配器゛２１２を介して室２１８内に導入される。ウェハ
が、例えば２００〜５００℃に加熱される。
化シリコンの被着である。つまり、まずウェハが処理室
内に置かれる。排気後、必要なら適切なガス、例えばＮ
２で室内が浄化される。圧力は０．１〜７５０ Ｔｏｒ
ｒＯ間で可変である。酸素源、例えばＮ、Ｏまたは０２
が室内で励起され、遠隔プラズマを生成する。シリコン
源、例えばシランまたはジシランが、室２５４あるいは
分配器２１２から室２１８内に導入される。オゾンが分
配器゛２１２を介して室２１８内に導入される。ウェハ
が、例えば２００〜５００℃に加熱される。
紫外線が前記のごとく空間２２０で発生され、前記の励
起を与える。被着の実施後、ガス及び熱が停止され、所
望なら室を再び浄化できる。ウェハを取り出した後、例
えばＣＦ、及び０２から生成された遠隔プラズマを用い
て室を清掃可能である。
起を与える。被着の実施後、ガス及び熱が停止され、所
望なら室を再び浄化できる。ウェハを取り出した後、例
えばＣＦ、及び０２から生成された遠隔プラズマを用い
て室を清掃可能である。
圧力は例えば０．１〜７５０ Ｔｏｒｒ 、、ＳｉＨ４
対０２の比は例えば１〜５とし得る。
対０２の比は例えば１〜５とし得る。
こ＼に開示する１クラスの実施例はデグレーズ（ｄｅｇ
ｌａｚｅ ）処理を与え、この処理ではフッ素源のガス
種あるいは無水ＨＦと大比率の酸素とを含む発生源ガス
流の活性化生成物が、ウェハ表面から離れたプラズマ放
電より下方のウェハ表面を横切って流される。この実施
例は、シリコンを選択的に侵食しない乾式デグレーズ処
理が得られるという利点を持つ。この実施例は更に、デ
グレーズ処理を次の処理工程と逐次容易に組合せられる
という利点も有する。例えば、その場でのデグレーズは
天然酸化物を除去するのに使え、続く被着工程のための
清浄な界面を保証する。第９図に示した処理モジュール
５７０は、紫外線を付勢しない場合にも使用でき、別の
実施例では、空間２２０、リング５７６、及び空間２２
０での紫外線生成に関連するその他の構成部品を用いず
に構成することもできる。
ｌａｚｅ ）処理を与え、この処理ではフッ素源のガス
種あるいは無水ＨＦと大比率の酸素とを含む発生源ガス
流の活性化生成物が、ウェハ表面から離れたプラズマ放
電より下方のウェハ表面を横切って流される。この実施
例は、シリコンを選択的に侵食しない乾式デグレーズ処
理が得られるという利点を持つ。この実施例は更に、デ
グレーズ処理を次の処理工程と逐次容易に組合せられる
という利点も有する。例えば、その場でのデグレーズは
天然酸化物を除去するのに使え、続く被着工程のための
清浄な界面を保証する。第９図に示した処理モジュール
５７０は、紫外線を付勢しない場合にも使用でき、別の
実施例では、空間２２０、リング５７６、及び空間２２
０での紫外線生成に関連するその他の構成部品を用いず
に構成することもできる。
デグレーズ処理は、次のように好首尾な結果で実証され
ている。Ｈｅ３０００ｓｃｃｍと０．２０００ｓｃｃｍ
とＣＦ４２５０ ｓｃｃｍの各処理ガス流量を４００Ｗ
の放電中に適したところ、酸化物（シリコン）上のポリ
シリコンと比べ熱酸化物を用いて測定すると、酸化物対
ポリシリコンが３：１の選択性を与えることが判明した
。酸化物のエツチング速度は室温でわずか７人／分であ
ったが、この速度はもっと高い温度を使うことによって
容易に高められる。
ている。Ｈｅ３０００ｓｃｃｍと０．２０００ｓｃｃｍ
とＣＦ４２５０ ｓｃｃｍの各処理ガス流量を４００Ｗ
の放電中に適したところ、酸化物（シリコン）上のポリ
シリコンと比べ熱酸化物を用いて測定すると、酸化物対
ポリシリコンが３：１の選択性を与えることが判明した
。酸化物のエツチング速度は室温でわずか７人／分であ
ったが、この速度はもっと高い温度を使うことによって
容易に高められる。
つまり、この点に関する本願の教示は、遠隔プラズマを
通過したガス流を使えば、デグレーズを行うのに非常に
高い酸素比率を有利に使えるという点にある。この高い
酸素比率の導入は、ポリシリコンのエツチング速度を遅
くすることによって、選択性を高める作用をしている。
通過したガス流を使えば、デグレーズを行うのに非常に
高い酸素比率を有利に使えるという点にある。この高い
酸素比率の導入は、ポリシリコンのエツチング速度を遅
くすることによって、選択性を高める作用をしている。
また、これらのガス流は、遠隔プラズマが存在しないと
、補助のプラズマ衝撃がそれほど高い選択性を可能とし
ないので、うまく作用しない。
、補助のプラズマ衝撃がそれほど高い選択性を可能とし
ないので、うまく作用しない。
上記の実施例は、本願の教示に従って種々変更可能であ
る。例えば、もっと高い（酸化シリコンの）選択性を得
るためには、もっと高い比率の０２を使えばよい。や＼
高い速度は、もっと高い流量のＣＦ、を使えば得られる
。より高い温度も速度を速める。２．５Ｔｏｒｒの総圧
力は広く変更できる。
る。例えば、もっと高い（酸化シリコンの）選択性を得
るためには、もっと高い比率の０２を使えばよい。や＼
高い速度は、もっと高い流量のＣＦ、を使えば得られる
。より高い温度も速度を速める。２．５Ｔｏｒｒの総圧
力は広く変更できる。
注目に値する別の実施例は、第２３図に示したような反
応器で、（例えば） Ｈｅ ３０００ ｓｃｃｍとＣｈ
３０００ｓｅｃｍとＣＦ４１５０ ｓｃｃｍの各処理ガ
ス流量、（例えば） ２．５ Ｔｏｒｒの総圧力、ガス
流に印加されて活性化種を発生する（例えば）４００ワ
ツトのＲＦ電力、（例えば）２５０℃の基板温度を用い
る例である。
応器で、（例えば） Ｈｅ ３０００ ｓｃｃｍとＣｈ
３０００ｓｅｃｍとＣＦ４１５０ ｓｃｃｍの各処理ガ
ス流量、（例えば） ２．５ Ｔｏｒｒの総圧力、ガス
流に印加されて活性化種を発生する（例えば）４００ワ
ツトのＲＦ電力、（例えば）２５０℃の基板温度を用い
る例である。
第１０図は、第９図と同様な１つの処理モジュール２０
４を用いた実例システムの物理的構成の全体図を示す。
４を用いた実例システムの物理的構成の全体図を示す。
ウェハ搬送機構と真空装填ロック室１２を処理モジュー
ル２０４から分離する隔離ゲート３１ （第４図）とを
含め、装填ロック蓋及び処理モジュール２０４の動作は
、全て、例えば８０８８ベースのＰＣ（テキサス・イン
スツルメント社のプロフェッショナルコンピュータ等）
とし得るコンピュータ制御システムによって制御される
。コンピュータ制御システム２０６が、処理ステーショ
ンで実施される全ての処理のための制御ロジックを与え
る。処理メニューは、キーボードで設定し、メモリ内に
記憶され、そしてコンピュータ制御システム２０６によ
って自動的に実行可能である。例えば、コンピュータ制
御システムがある粒子数以下で真空ウェハキャリヤｌＯ
の開放を許容するならば、その粒子数はプログラムして
おくことができる。
ル２０４から分離する隔離ゲート３１ （第４図）とを
含め、装填ロック蓋及び処理モジュール２０４の動作は
、全て、例えば８０８８ベースのＰＣ（テキサス・イン
スツルメント社のプロフェッショナルコンピュータ等）
とし得るコンピュータ制御システムによって制御される
。コンピュータ制御システム２０６が、処理ステーショ
ンで実施される全ての処理のための制御ロジックを与え
る。処理メニューは、キーボードで設定し、メモリ内に
記憶され、そしてコンピュータ制御システム２０６によ
って自動的に実行可能である。例えば、コンピュータ制
御システムがある粒子数以下で真空ウェハキャリヤｌＯ
の開放を許容するならば、その粒子数はプログラムして
おくことができる。
第１１図は、かかるコンピュータ制御システムの動作の
フローチャートを示す。ロジックはステップ８００でス
タートし、入口ステップ８０２と８０３に進む。真空ウ
ェハキャリヤｌＯの装填後、装填ロック蓋２０が閉じら
れたかどうがかステップ５ｏｏＴ：検出され、粗引きポ
ンプポンプ隔離弁７０２がステップ８０４で開けられる
。また窒素隔離弁７０３がステップ８０２で開けられ、
窒素を室１２ （第１図）内に導き、前述のごとくマニ
ホルド２２（第１図）を介した室１２の気体浄化を与え
る。
フローチャートを示す。ロジックはステップ８００でス
タートし、入口ステップ８０２と８０３に進む。真空ウ
ェハキャリヤｌＯの装填後、装填ロック蓋２０が閉じら
れたかどうがかステップ５ｏｏＴ：検出され、粗引きポ
ンプポンプ隔離弁７０２がステップ８０４で開けられる
。また窒素隔離弁７０３がステップ８０２で開けられ、
窒素を室１２ （第１図）内に導き、前述のごとくマニ
ホルド２２（第１図）を介した室１２の気体浄化を与え
る。
次にロジックは、同時に行われなくともよいステップ８
０２と８０４から、状態８０６及びステツブ８０８に進
む。ステップ８０８では、コンピュータ制御システム２
０６が圧力をモニターし、ゲートつまり隔離弁３９を絞
って、適切な制御を与える。装填ロジックは適度な真空
にポンプ排気される。これでも尚真空ウェハキャリヤ内
の圧力より高いので、真空ウェハキャリヤのドア１４は
まだ開かない。状態８０６では、粒子のレベルが許容可
能な低さになったことを粒子センサ２０２を含む装填ロ
ック粒子カウンタ８５０が指示するまで、圧力が適度な
レベルに保たれる。カウンタによるカウントが適切なカ
ウントでないと、ロジックは状態８０６にループバック
する。適切なカウント、例えば零が検出されると、ロジ
ックはループを出て状態８１０に入る。状ａａ ｔ ｏ
で、所定の期間、例えば６０秒間粒子が検出されないと
、真空ウェハキャリヤ１０の開き（または閉じ）が安全
に可能となる。ろまり、真空ウェハキャリヤ１０が装填
ロック内に装填されたとき、何らかの理由で異常に高い
粒子濃度が導入されると、粒子汚染の危険が上記の閉ル
ープ制御系下で過ぎ去るまで、システムがウェハ４８を
汚染にさらさせない。
０２と８０４から、状態８０６及びステツブ８０８に進
む。ステップ８０８では、コンピュータ制御システム２
０６が圧力をモニターし、ゲートつまり隔離弁３９を絞
って、適切な制御を与える。装填ロジックは適度な真空
にポンプ排気される。これでも尚真空ウェハキャリヤ内
の圧力より高いので、真空ウェハキャリヤのドア１４は
まだ開かない。状態８０６では、粒子のレベルが許容可
能な低さになったことを粒子センサ２０２を含む装填ロ
ック粒子カウンタ８５０が指示するまで、圧力が適度な
レベルに保たれる。カウンタによるカウントが適切なカ
ウントでないと、ロジックは状態８０６にループバック
する。適切なカウント、例えば零が検出されると、ロジ
ックはループを出て状態８１０に入る。状ａａ ｔ ｏ
で、所定の期間、例えば６０秒間粒子が検出されないと
、真空ウェハキャリヤ１０の開き（または閉じ）が安全
に可能となる。ろまり、真空ウェハキャリヤ１０が装填
ロック内に装填されたとき、何らかの理由で異常に高い
粒子濃度が導入されると、粒子汚染の危険が上記の閉ル
ープ制御系下で過ぎ去るまで、システムがウェハ４８を
汚染にさらさせない。
所定期間粒子が存在しないことを粒子センサ２０２と２
０８ （第９図）が検出した後、ロジックは状態８１０
を出てステップ８１２と８１４に進む。ステップ８１２
で、隔離弁７０２が完全に開かれる。ステップ８１４で
は、窒素供給源に続く隔離弁７０３が閉じられる。次い
で、ロジックはステップ８１６に進む。ロジックがステ
ップ８１６にある間に、隔離弁７０７が開けられ、室１
２内の圧力が更に減じられる。その後、ロジックはステ
ップ８１６を出て状態８１８に入る。室１２内の圧力が
状＄８１８でモニターされ、その圧力が所望レベルに達
していないと、ロジックはステップ８２０に入る。ステ
ップ８２０では隔離弁７０７の絞りが調整され、ロジッ
クは状態８１８に再び入る。圧力が所望のレベルに達し
たときは、ロジックはステップ８１８を出てステップ８
２２に入る。ステップ８２２で、ドア１４が開けられる
。
０８ （第９図）が検出した後、ロジックは状態８１０
を出てステップ８１２と８１４に進む。ステップ８１２
で、隔離弁７０２が完全に開かれる。ステップ８１４で
は、窒素供給源に続く隔離弁７０３が閉じられる。次い
で、ロジックはステップ８１６に進む。ロジックがステ
ップ８１６にある間に、隔離弁７０７が開けられ、室１
２内の圧力が更に減じられる。その後、ロジックはステ
ップ８１６を出て状態８１８に入る。室１２内の圧力が
状＄８１８でモニターされ、その圧力が所望レベルに達
していないと、ロジックはステップ８２０に入る。ステ
ップ８２０では隔離弁７０７の絞りが調整され、ロジッ
クは状態８１８に再び入る。圧力が所望のレベルに達し
たときは、ロジックはステップ８１８を出てステップ８
２２に入る。ステップ８２２で、ドア１４が開けられる
。
一定の期間後粒子のレベルが異常に高いレベルに留まっ
ている場合には、制御ロジックに別のブランチを付加し
、別の浄化サイクルへ進むようにしてもよい。つまり、
この閉ループの粒子制御系は、周囲の粒子レベルが高い
間粒子導入の危険を最小限化することを保証する。また
この閉ループ粒子制御系は、手操作システムの動作順序
の誤りによって生じ得る不測の汚染防止に対しても有利
に働く。
ている場合には、制御ロジックに別のブランチを付加し
、別の浄化サイクルへ進むようにしてもよい。つまり、
この閉ループの粒子制御系は、周囲の粒子レベルが高い
間粒子導入の危険を最小限化することを保証する。また
この閉ループ粒子制御系は、手操作システムの動作順序
の誤りによって生じ得る不測の汚染防止に対しても有利
に働く。
更にコンピュータ制御システム２０６は、ポンプ系を作
業圧力へポンプ排気し、そしてドア１４（第１図）が開
かれるときに存在する粒子のレベルを制御することを可
能とする。真空ウェハキャリヤ１０のドア１４は、前述
のとと（シャフト２４を回転することによって開かれる
。上記のようなその位置での粒子カウンタ、例えば第３
１図のカウンタ８５０は、高圧真空ギャップコンデンサ
での電荷移送を測定する共振回路を用いるか、あるいは
（充分に多い粒子の場合には）多重折り曲げ光路を備え
たレーザ駆動式光学的空洞を用いるか、またはその他の
手段によって組み立てられる。
業圧力へポンプ排気し、そしてドア１４（第１図）が開
かれるときに存在する粒子のレベルを制御することを可
能とする。真空ウェハキャリヤ１０のドア１４は、前述
のとと（シャフト２４を回転することによって開かれる
。上記のようなその位置での粒子カウンタ、例えば第３
１図のカウンタ８５０は、高圧真空ギャップコンデンサ
での電荷移送を測定する共振回路を用いるか、あるいは
（充分に多い粒子の場合には）多重折り曲げ光路を備え
たレーザ駆動式光学的空洞を用いるか、またはその他の
手段によって組み立てられる。
その後、ウェハ４８を含む移送アーム２８の処理モジュ
ール内への通過を可能とするため、隔離ゲート３１ （
第３図）を開けることができる。真空負荷ロック室１２
内の粒子レベルが許容可能な低レベルで測定されるまで
、真空ウェハキャリヤドア１４も処理モジュール内へ至
る隔離ゲート３１もどちらも開けられないので、このダ
ブル禁止ロジックは有効である。両方を一諸に使えば相
互作用に基づく利点が得られるが、これらは別々の技術
で、独立に使用可能である。次いでウェハ移送アーム２
８によって、ウェハ４８を真空ウェハキャリヤ１０から
取り出せる。コンピュータ制御システム２０６（第１０
図）は移送アームを制御し、プログラム可能な任意の順
序で各ウェハ４８の取出または交換を行う。ウェハ４８
は、最終的に能動回路部品を含む側を下向きにして移送
される。
ール内への通過を可能とするため、隔離ゲート３１ （
第３図）を開けることができる。真空負荷ロック室１２
内の粒子レベルが許容可能な低レベルで測定されるまで
、真空ウェハキャリヤドア１４も処理モジュール内へ至
る隔離ゲート３１もどちらも開けられないので、このダ
ブル禁止ロジックは有効である。両方を一諸に使えば相
互作用に基づく利点が得られるが、これらは別々の技術
で、独立に使用可能である。次いでウェハ移送アーム２
８によって、ウェハ４８を真空ウェハキャリヤ１０から
取り出せる。コンピュータ制御システム２０６（第１０
図）は移送アームを制御し、プログラム可能な任意の順
序で各ウェハ４８の取出または交換を行う。ウェハ４８
は、最終的に能動回路部品を含む側を下向きにして移送
される。
任意選択として、初期のポンプ排気前に窒素シャワーを
制御するのに、上記以外の粒子カウンタ（または高圧下
で粒子を検知するのにより適した粒子センサ）も使える
。つまり、単純に固定の継続時間だけ窒素シャワーを施
す代りに、箱が異常に汚れた環境下にあることを粒子モ
ニターが示すまで引き延ばしてもよい。装填ロックを（
粗引きポンプで）軟真空にポンプ排気した後、窒素シャ
ワーポートを介してガスを吹き込み、下向きの流れを形
成するのが望ましいことさえある。また、装填ロックが
一定の軟真空圧に達した時点で尚粒子レベルが過剰であ
ることを粒子モニターが指示する場合、別の窒素シャワ
ーサイクルを開始することによって、装填ロックを軟真
空（例えば１００：１． ’Ｊ Ｔｏｒｒ程度）から再
び大気圧へ循環するのが望ましいこともある。
制御するのに、上記以外の粒子カウンタ（または高圧下
で粒子を検知するのにより適した粒子センサ）も使える
。つまり、単純に固定の継続時間だけ窒素シャワーを施
す代りに、箱が異常に汚れた環境下にあることを粒子モ
ニターが示すまで引き延ばしてもよい。装填ロックを（
粗引きポンプで）軟真空にポンプ排気した後、窒素シャ
ワーポートを介してガスを吹き込み、下向きの流れを形
成するのが望ましいことさえある。また、装填ロックが
一定の軟真空圧に達した時点で尚粒子レベルが過剰であ
ることを粒子モニターが指示する場合、別の窒素シャワ
ーサイクルを開始することによって、装填ロックを軟真
空（例えば１００：１． ’Ｊ Ｔｏｒｒ程度）から再
び大気圧へ循環するのが望ましいこともある。
第９図に示すような粒子センサ２０８が処理モジュール
の内部に接続され、これが別の禁止ロジックを制御する
のに使われる。真空処理系内で生じる粒子の大部分は、
実施される実際の処理によって発生される。それらの発
生源からの粒子汚染を減じるための変形として、例えば
処理モジュール５７０ （第９図）等の処理モジュール
へと至る隔離ゲート（第３図）は、ウェハ４８の処理後
、モジュール内における許容可能な低い粒子レベルを粒
子センサ２０８が示すまで、開かれない。さらに、両方
を一緒に使えば相互作用に基づく利点が得られるが、こ
れはちょうど記載したものと個別に適用可能な別の特徴
である。
の内部に接続され、これが別の禁止ロジックを制御する
のに使われる。真空処理系内で生じる粒子の大部分は、
実施される実際の処理によって発生される。それらの発
生源からの粒子汚染を減じるための変形として、例えば
処理モジュール５７０ （第９図）等の処理モジュール
へと至る隔離ゲート（第３図）は、ウェハ４８の処理後
、モジュール内における許容可能な低い粒子レベルを粒
子センサ２０８が示すまで、開かれない。さらに、両方
を一緒に使えば相互作用に基づく利点が得られるが、こ
れはちょうど記載したものと個別に適用可能な別の特徴
である。
第１２図は、第９図に示した処理モジュール５７０等、
処理の化学作用を紫外線で強める能力を与える処理モジ
ュールに関する一変形の詳細図を示す。この実施例はも
っと一般的な反応器でも実現できるが、こ＼に記す特徴
がそれとの関連で特定の利点を与えるので、その種の処
理モジュールについて説明する。
処理の化学作用を紫外線で強める能力を与える処理モジ
ュールに関する一変形の詳細図を示す。この実施例はも
っと一般的な反応器でも実現できるが、こ＼に記す特徴
がそれとの関連で特定の利点を与えるので、その種の処
理モジュールについて説明する。
第１２図は、紫外線強化型の真空処理モジュール゛５９
０に関する一実施例を示す。処理ガス分配器２１２が、
処理配管２１６に接続され、そして頂部室２１８内でリ
ング底の開口を介して処理ガスの下向き流を発生する。
０に関する一実施例を示す。処理ガス分配器２１２が、
処理配管２１６に接続され、そして頂部室２１８内でリ
ング底の開口を介して処理ガスの下向き流を発生する。
つまり、分配器２１２は、処理ガスの下向き流を、分配
器２１２の上方で下向きに配置され且つ３本の支持指状
部２１４（そのうちの１つだけを示す）によって支持さ
れたウェハ面５４の近くの頂部室２１８に与える。
器２１２の上方で下向きに配置され且つ３本の支持指状
部２１４（そのうちの１つだけを示す）によって支持さ
れたウェハ面５４の近くの頂部室２１８に与える。
支持指状部２１４は第３図のピン５３と同様である。こ
れら３本の支持指状部２１４は通常、水晶またはその信
置純度の誘電物質で作製される。
れら３本の支持指状部２１４は通常、水晶またはその信
置純度の誘電物質で作製される。
処理ガス分配器２１２は、処理すべきウェハ４８の直径
のぼり半分のリングであって、処理配管２１６に至る中
空の支持体を備えている。処理ガス分配器２１２はウェ
ハ４８から数■、約４ｃｍ離れて位置する。処理ガス分
配器２１２の正確な寸法は重要でない。これらのパラメ
ータは、所望なら変更し得るが、変更する場合には、処
理ガス及び処理ガス生成物のは譬′−様な濃度がウェハ
面５４全体にわたって生じるように選定されるべきであ
る。例えば、処理ガス分配器２１２のウェハ４８からの
間隔は１〜１５ｃｍの範囲で任意とし得る。処理ガス分
配器２１２を介して与えられる処理ガスは、遠隔プラズ
マによって発生された活性化種を備えた混合物を含め、
異なる数種類とし得る。
のぼり半分のリングであって、処理配管２１６に至る中
空の支持体を備えている。処理ガス分配器２１２はウェ
ハ４８から数■、約４ｃｍ離れて位置する。処理ガス分
配器２１２の正確な寸法は重要でない。これらのパラメ
ータは、所望なら変更し得るが、変更する場合には、処
理ガス及び処理ガス生成物のは譬′−様な濃度がウェハ
面５４全体にわたって生じるように選定されるべきであ
る。例えば、処理ガス分配器２１２のウェハ４８からの
間隔は１〜１５ｃｍの範囲で任意とし得る。処理ガス分
配器２１２を介して与えられる処理ガスは、遠隔プラズ
マによって発生された活性化種を備えた混合物を含め、
異なる数種類とし得る。
これら処理ガスとウェハ面５４上の薄膜物質との反応は
、頂部室２１Ｂの下方に位置した紫外線プラズマ空間２
２０から発せられる紫外線によって強められる。処理ガ
スの第２の流れが、配管２３０によって与えられるオリ
フィス２２２から紫外線プラズマ空間、つまり下方室２
２０内に供給され、そこで前方電極２２０に印加される
ＲＦ電力によってプラズマが発生される。供給ガスは、
例えばＨｚ 、Ａ ｒまたはＨｅとし得る。前方電極２
２４は紫外線を通すように穿孔されているが、その代り
に紫外線に対して透明な組成及び厚さで作製してもよい
。このプラズマ用のアース電極は、構造的な金属要素と
処理モジュールの金属壁２２８とによって与えられる。
、頂部室２１Ｂの下方に位置した紫外線プラズマ空間２
２０から発せられる紫外線によって強められる。処理ガ
スの第２の流れが、配管２３０によって与えられるオリ
フィス２２２から紫外線プラズマ空間、つまり下方室２
２０内に供給され、そこで前方電極２２０に印加される
ＲＦ電力によってプラズマが発生される。供給ガスは、
例えばＨｚ 、Ａ ｒまたはＨｅとし得る。前方電極２
２４は紫外線を通すように穿孔されているが、その代り
に紫外線に対して透明な組成及び厚さで作製してもよい
。このプラズマ用のアース電極は、構造的な金属要素と
処理モジュールの金属壁２２８とによって与えられる。
紫外光発生のために電極に印加される電力の周波数は、
例えば１００ＫＨｚまたは１３．５６ＭＨｚとし得る。
例えば１００ＫＨｚまたは１３．５６ＭＨｚとし得る。
この実施例では断面かはｔ’ ｌ（状であって、且つ、
はソ°円筒状の外表面を有する水晶製パンフル２３２が
、紫外線プラズマ空間２２０内のガス流を頂部室２１８
内のガス流から分離する。つまり、２つの室２１８と２
２０は別々のガス流を有し、頂部室２１８はバッフル２
３２の頂部とウェハ４８との間の開口２３４を介して排
気され、紫外線プラズマ空間２２０はバッフル２３２の
底部と水晶プレート５９２との間の開口２３６を介して
排気される。
はソ°円筒状の外表面を有する水晶製パンフル２３２が
、紫外線プラズマ空間２２０内のガス流を頂部室２１８
内のガス流から分離する。つまり、２つの室２１８と２
２０は別々のガス流を有し、頂部室２１８はバッフル２
３２の頂部とウェハ４８との間の開口２３４を介して排
気され、紫外線プラズマ空間２２０はバッフル２３２の
底部と水晶プレート５９２との間の開口２３６を介して
排気される。
圧力の差が排気空間で逆流を生じない限り、室２１８と
空間２２０は任意に異なる圧力で動作させてもよい。
空間２２０は任意に異なる圧力で動作させてもよい。
ウェハが３本の支持指状部２１４上に配置され、処理モ
ジュールが閉じられた後、電力を前方電極２２４に印加
してプラズマを発生可能にし、そして紫外線プラズマの
発生に適した気体が、配管２３０を通じて紫外線プラズ
マ空間２２０内へ導入可能となる。適切なガスにはＮＺ
、Ｈｚ 、Ｏ□及びその他多くの種が含まれる。特定
の用途で所望な紫外線スペクトルと合致する特定のガス
を選ぶことができる。紫外線源プラズマは、適切なガス
または適切なガスの混合物と適切な圧力を用い、特定の
室構成及び構造用の最小電力、例えば５０ワツトよりも
大きい電力を加えることによって発生可能である。
ジュールが閉じられた後、電力を前方電極２２４に印加
してプラズマを発生可能にし、そして紫外線プラズマの
発生に適した気体が、配管２３０を通じて紫外線プラズ
マ空間２２０内へ導入可能となる。適切なガスにはＮＺ
、Ｈｚ 、Ｏ□及びその他多くの種が含まれる。特定
の用途で所望な紫外線スペクトルと合致する特定のガス
を選ぶことができる。紫外線源プラズマは、適切なガス
または適切なガスの混合物と適切な圧力を用い、特定の
室構成及び構造用の最小電力、例えば５０ワツトよりも
大きい電力を加えることによって発生可能である。
第１２図に示した実施例では、ウェハ４８の背面は、透
明な真空壁２３８に近接しており、そしてその真空壁か
られずかに離れて支持されている。
明な真空壁２３８に近接しており、そしてその真空壁か
られずかに離れて支持されている。
これらの特徴は特に、後で詳述する迅速熱処理（ＲＴＰ
）能力を持つ実施例と関連している。
）能力を持つ実施例と関連している。
第１２図に示した実施例において、水晶製バッフル２３
２は、図面上水平に延び且つ紫外線に対して実質上透明
な部材２３９を含む。部材２３９は、バッフル２３２の
Ｈ状断面のクロスバ−を形成する。この紫外線透明窓は
、水晶、サファイヤまたはその他同様の物質で作製でき
る。
２は、図面上水平に延び且つ紫外線に対して実質上透明
な部材２３９を含む。部材２３９は、バッフル２３２の
Ｈ状断面のクロスバ−を形成する。この紫外線透明窓は
、水晶、サファイヤまたはその他同様の物質で作製でき
る。
任意選択として、両ガス流の完全な分離が必要でなけれ
ば、特に非常に短い波長の作業が所望なら、部材２３９
は中実でなく穿孔を形成してもよいし、あるいは完全に
省くこともできる。これを第１３図に示す。処理モジュ
ール６００は、第１２図の処理モジュール５９０と同様
である。ガス分配器６０２は第１２図のガス分配器２１
２と同様である。水晶製バッフル６０４は円筒状である
（第１３図に２つの矩形として示しである）。
ば、特に非常に短い波長の作業が所望なら、部材２３９
は中実でなく穿孔を形成してもよいし、あるいは完全に
省くこともできる。これを第１３図に示す。処理モジュ
ール６００は、第１２図の処理モジュール５９０と同様
である。ガス分配器６０２は第１２図のガス分配器２１
２と同様である。水晶製バッフル６０４は円筒状である
（第１３図に２つの矩形として示しである）。
頂部室６０５への処理ガスはガス分配器６０２を介して
、紫外線プラズマ空間６０７は配管６０９を介してそれ
ぞれ供給される。前方電極６１２は第１２図の前方電極
２２４と同様である。しかしこの例では、水晶製バッフ
ル２３２（第１２図）のクロスバ−が水晶製バッフル６
０４には存在しないので、空間６０５内の処理ガスが室
６０５内の処理ガスと混合可能である。
、紫外線プラズマ空間６０７は配管６０９を介してそれ
ぞれ供給される。前方電極６１２は第１２図の前方電極
２２４と同様である。しかしこの例では、水晶製バッフ
ル２３２（第１２図）のクロスバ−が水晶製バッフル６
０４には存在しないので、空間６０５内の処理ガスが室
６０５内の処理ガスと混合可能である。
第１４図は、処理モジュール５９０（第１２図）及び６
００ （第１３図）とはソ°同様な処理モジュール６２
０を示す。第１４図では、紫外線プラズマ空間２２０内
のプラズマが、はｙ゛同心円状の円筒として形成された
２つの電極２４４と２４６によって駆動される。更に、
紫外線プラズマ空間２２０内のガス分配器２４８が、第
１２図の配管２３０と異なる。第１４図の水晶製バッフ
ル２３２はＨ状である。また、処理モジュール６２０は
第３のガス供給管２５０を含み、これが後述するように
、遠隔プラズマによって発生された種を与えるのに使わ
れる。ガス供給管２５０は、頂部室２１２内に位置する
リング状のガス分配器２１２と、紫外線プラズマ空間２
２０内へ気体を与える供給管２５６とに加えて設けであ
る。更に、プラズマがウェハ面５４に近接して発生可能
なように、ＲＦ電力の供給されるサセプタ２５２が透明
な真空壁２３８の代りに設けである。電極２４４が供給
管２５０とスリップ嵌合いを形成する。このスリップ嵌
合いは密閉されず、下向きにだけ通気される。
００ （第１３図）とはソ°同様な処理モジュール６２
０を示す。第１４図では、紫外線プラズマ空間２２０内
のプラズマが、はｙ゛同心円状の円筒として形成された
２つの電極２４４と２４６によって駆動される。更に、
紫外線プラズマ空間２２０内のガス分配器２４８が、第
１２図の配管２３０と異なる。第１４図の水晶製バッフ
ル２３２はＨ状である。また、処理モジュール６２０は
第３のガス供給管２５０を含み、これが後述するように
、遠隔プラズマによって発生された種を与えるのに使わ
れる。ガス供給管２５０は、頂部室２１２内に位置する
リング状のガス分配器２１２と、紫外線プラズマ空間２
２０内へ気体を与える供給管２５６とに加えて設けであ
る。更に、プラズマがウェハ面５４に近接して発生可能
なように、ＲＦ電力の供給されるサセプタ２５２が透明
な真空壁２３８の代りに設けである。電極２４４が供給
管２５０とスリップ嵌合いを形成する。このスリップ嵌
合いは密閉されず、下向きにだけ通気される。
この用途では、プラズマがウェハに“近接している”と
称されるとき、これは、プラズマがウェハに充分接近し
ており、プラズマエツジでの暗空間を横切るＤＣバイア
スがウェハ面で顕著なプラズマ衝撃を誘起することを意
味する。衝撃の程度は、圧力、電力レベル、更にある程
度ガス流の成分によって制御されるＤＣバイアスの量に
多少依存する。
称されるとき、これは、プラズマがウェハに充分接近し
ており、プラズマエツジでの暗空間を横切るＤＣバイア
スがウェハ面で顕著なプラズマ衝撃を誘起することを意
味する。衝撃の程度は、圧力、電力レベル、更にある程
度ガス流の成分によって制御されるＤＣバイアスの量に
多少依存する。
つまり第１４図は、ウェハ面５４から離れたプラズマに
よって発生される活性化種用に設けられた別個の供給路
を示している。この種類の実施例では、処理モジュール
は、集積回路ウェハ４８が第１のプラズマによって発生
される活性化種に露出可能であるように構成されており
、この第１のプラズマは、ウェハから離れているが、ウ
ェハ４８より上方の処理ガス流中に存在するものである
。また、この処理モジュールは、集積回路ウェハ４８が
、第２のプラズマによって発生されるプラズマ衝撃にも
露出可能なようにも構成されており、この第２のプラズ
マは、ウェハの表面に実質上隣接する暗空間を有するも
のである。近接プラズマは比較的低電力なので、遠隔プ
ラズマは活性化種を発生でき、従ってプラズマ衝撃のエ
ネルギーを最適化するように近接プラズマの電力レベル
と周波数が調整可能である。
よって発生される活性化種用に設けられた別個の供給路
を示している。この種類の実施例では、処理モジュール
は、集積回路ウェハ４８が第１のプラズマによって発生
される活性化種に露出可能であるように構成されており
、この第１のプラズマは、ウェハから離れているが、ウ
ェハ４８より上方の処理ガス流中に存在するものである
。また、この処理モジュールは、集積回路ウェハ４８が
、第２のプラズマによって発生されるプラズマ衝撃にも
露出可能なようにも構成されており、この第２のプラズ
マは、ウェハの表面に実質上隣接する暗空間を有するも
のである。近接プラズマは比較的低電力なので、遠隔プ
ラズマは活性化種を発生でき、従ってプラズマ衝撃のエ
ネルギーを最適化するように近接プラズマの電力レベル
と周波数が調整可能である。
特に、かかる実施例では、ガス供給管内の遠隔プラズマ
と低電力の近接プラズマとの組合せから特別の利点が得
られる。遠隔プラズマの使用は、高密度の活性化種がウ
ェハ表面で得られることを意味する。また低電力の近接
プラズマの使用は、プラズマ衝撃のエネルギー及びフラ
ツクスを所望程度の異方性を誘起するのに必要なだけに
制限しながら、異方性エツチングを生じるのに充分なプ
ラズマ衝撃が得られることを意味する。これは、過剰な
プラズマ衝撃で起こり得る損傷を容易に回避させる。ま
たこの点は、反応の化学的作用の微調整も可能とする。
と低電力の近接プラズマとの組合せから特別の利点が得
られる。遠隔プラズマの使用は、高密度の活性化種がウ
ェハ表面で得られることを意味する。また低電力の近接
プラズマの使用は、プラズマ衝撃のエネルギー及びフラ
ツクスを所望程度の異方性を誘起するのに必要なだけに
制限しながら、異方性エツチングを生じるのに充分なプ
ラズマ衝撃が得られることを意味する。これは、過剰な
プラズマ衝撃で起こり得る損傷を容易に回避させる。ま
たこの点は、反応の化学的作用の微調整も可能とする。
これはプラズマ衝撃によって異方性を与えるのに充分な
だけ表面の化学的性質をシフトさせる点で望ましいが、
プラズマエツチング処理には他に２つの制約、つまり外
部被着の選択性及び制御が存在し、これらの条件全てを
最適化する化学的性質の選択は非常に制約されることが
ある。後述する特定の例の一部が実証しているように、
衝撃条件を独立に最適化する能力は最適な化学的性質の
形成において利点をもたらす。
だけ表面の化学的性質をシフトさせる点で望ましいが、
プラズマエツチング処理には他に２つの制約、つまり外
部被着の選択性及び制御が存在し、これらの条件全てを
最適化する化学的性質の選択は非常に制約されることが
ある。後述する特定の例の一部が実証しているように、
衝撃条件を独立に最適化する能力は最適な化学的性質の
形成において利点をもたらす。
また、低衝撃の条件下で高密度の活性化種を与える能力
は、低衝撃の条件下において高い処理量で処理が可能な
ことを意味し、これは本処理モジュール以前には容易に
達成できなかった。近接プラズマとして低電力のプラズ
マを用いる別の利点は、（抗選択性を劣化させる）ウェ
ハの加熱が最小限化可能なことである。
は、低衝撃の条件下において高い処理量で処理が可能な
ことを意味し、これは本処理モジュール以前には容易に
達成できなかった。近接プラズマとして低電力のプラズ
マを用いる別の利点は、（抗選択性を劣化させる）ウェ
ハの加熱が最小限化可能なことである。
一般的な用途において、遠隔プラズマは３００Ｗ以上で
、近接プラズマは１００Ｗ以下で動作される。しかし、
例えば銅膜をドープするアルミニウムの場合等、もっと
高い電力で動作する方が有利なこともある。従って、遠
隔プラズマは、近接プラズマに印加されるより４倍以上
の総電力レベルで動作可能なことが理解されるべきであ
る。別の例では、近接プラズマが２５Ｗと低い電力レベ
ルで動作されることもある。プラズマ衝撃のエネルギー
が低いことの利点は、低電力を得ることと必ずしも関係
ない。つまり、近接プラズマは２５０Ｖ以下のＤＣバイ
アスで動作可能で、例えば−船釣なレベルは２５〜１０
００ボルトの範囲内を取り得る。
、近接プラズマは１００Ｗ以下で動作される。しかし、
例えば銅膜をドープするアルミニウムの場合等、もっと
高い電力で動作する方が有利なこともある。従って、遠
隔プラズマは、近接プラズマに印加されるより４倍以上
の総電力レベルで動作可能なことが理解されるべきであ
る。別の例では、近接プラズマが２５Ｗと低い電力レベ
ルで動作されることもある。プラズマ衝撃のエネルギー
が低いことの利点は、低電力を得ることと必ずしも関係
ない。つまり、近接プラズマは２５０Ｖ以下のＤＣバイ
アスで動作可能で、例えば−船釣なレベルは２５〜１０
００ボルトの範囲内を取り得る。
第９及び３２図は、上記の能力を備えたプロセスモジュ
ールの全体図を示す。第９図では、遠隔プラズマ室２５
４が水晶製の出口管２５６によって処理モジュールに接
続されている。
ールの全体図を示す。第９図では、遠隔プラズマ室２５
４が水晶製の出口管２５６によって処理モジュールに接
続されている。
第１５図は遠隔プラズマ室を示す。例えば２．４５ＧＨ
ｚで動作するマグネトロン２６４が、例えば陽極酸化ア
ルミニウムから成り、約３．８ Ｘ ７．６ Ｘ２２．
９Ｃ１Ｏ（１，５Ｘ ３ Ｘ ９インチ）の寸法を有す
る共振空洞２６０に直結されている。ガス入口管２６６
が所望流量の処理ガスを与える１つ以上の質量流量制御
器に接続され、共振空洞２６０を通って水晶製の出口管
２５６へと至るガス通路２７０に続いている。こ＼で処
理ガスは、空洞からのＲＦ漏れに対して保護するシール
ド空間を通過する。用いる水晶は１／４波長、例えばこ
の例では約２．５ｃｍ（１インチ）より小さい外径を有
するので、１波長の（またはそれより大きい）シールド
２６８で妥当な隔離を与えられる。シールド２６８は、
水晶製出口管２５６の周囲に延び、通常反応器モジュー
ルに入る地点まで出口管２５６の全長にわたっている。
ｚで動作するマグネトロン２６４が、例えば陽極酸化ア
ルミニウムから成り、約３．８ Ｘ ７．６ Ｘ２２．
９Ｃ１Ｏ（１，５Ｘ ３ Ｘ ９インチ）の寸法を有す
る共振空洞２６０に直結されている。ガス入口管２６６
が所望流量の処理ガスを与える１つ以上の質量流量制御
器に接続され、共振空洞２６０を通って水晶製の出口管
２５６へと至るガス通路２７０に続いている。こ＼で処
理ガスは、空洞からのＲＦ漏れに対して保護するシール
ド空間を通過する。用いる水晶は１／４波長、例えばこ
の例では約２．５ｃｍ（１インチ）より小さい外径を有
するので、１波長の（またはそれより大きい）シールド
２６８で妥当な隔離を与えられる。シールド２６８は、
水晶製出口管２５６の周囲に延び、通常反応器モジュー
ルに入る地点まで出口管２５６の全長にわたっている。
同調スタブ２７２が、空洞の共振に対する同調を可能と
する。オゾンの発生を防ぐため、窒素浄化が共振空洞２
６０の内部に与えられるのが好ましい。冷却ライン（図
示せず）も使用できる。出口管は、例えばガス供給管２
５０（第９図）に接続される。
する。オゾンの発生を防ぐため、窒素浄化が共振空洞２
６０の内部に与えられるのが好ましい。冷却ライン（図
示せず）も使用できる。出口管は、例えばガス供給管２
５０（第９図）に接続される。
この実施例では、ガス通路２７０を通るガス流が共振マ
イクロ波系空洞とマグネトロンとの総負荷の大きな比率
を与える。従って、ガス流及び圧力が確立されるまで、
電源をオンにしない方がよい。例えば４００Ｗの電力が
印加される処理では、マグネトロン２６４への電力供給
前に、少なくとも５００ ｍＴｏｒｒの圧力及び少なく
とも５００ｓｅｃｍの流量とすべきである。これらは控
え目な数値であるが、空洞またはマグネトロン内でのア
ーク発生を防ぐ役割を果たす。勿論、もっと高い電力で
は、もっと高い最低条件が使われる。例えば、５０００
ｓｅｃｍの総ガス流が使われる処理例では、１０００Ｗ
程度め電力が使用可能である。
イクロ波系空洞とマグネトロンとの総負荷の大きな比率
を与える。従って、ガス流及び圧力が確立されるまで、
電源をオンにしない方がよい。例えば４００Ｗの電力が
印加される処理では、マグネトロン２６４への電力供給
前に、少なくとも５００ ｍＴｏｒｒの圧力及び少なく
とも５００ｓｅｃｍの流量とすべきである。これらは控
え目な数値であるが、空洞またはマグネトロン内でのア
ーク発生を防ぐ役割を果たす。勿論、もっと高い電力で
は、もっと高い最低条件が使われる。例えば、５０００
ｓｅｃｍの総ガス流が使われる処理例では、１０００Ｗ
程度め電力が使用可能である。
尚、遠隔プラズマの電力効率は、ガス通路２７０対共振
空洞２６０内部の容積比によって左右される。従って、
ガス流通路２７０は図示のはソ′円筒状とする代りに、
空洞の容積をもっと埋める形状に変更してもよい。
空洞２６０内部の容積比によって左右される。従って、
ガス流通路２７０は図示のはソ′円筒状とする代りに、
空洞の容積をもっと埋める形状に変更してもよい。
勿論、マグネトロン２６４を共振空洞２６０へ直接隣接
する代りに、マイクロ波工学の標準原則に従い、導波管
やその他のＲＦ伝送構造を用いて両者を接続してもよい
。つまり、活性化種がウェハ面へ達する前に緩和、再結
合または減衰する移行時間を最小限とするため、共振空
洞２６０を処理モジュール内に配置するのも有利である
。
する代りに、マイクロ波工学の標準原則に従い、導波管
やその他のＲＦ伝送構造を用いて両者を接続してもよい
。つまり、活性化種がウェハ面へ達する前に緩和、再結
合または減衰する移行時間を最小限とするため、共振空
洞２６０を処理モジュール内に配置するのも有利である
。
別の実施例では、送信器と受信器を結合しないで送信器
と受信器両方を同じアンテナへ結合するのに、３ポート
サーキユレータとして知られる通常のマイクロ波部品も
使える。また、マグネトロン２６４を共振空洞２６０か
ら部分的に分断するのにそれを用い、大きい反射電力が
空洞から戻さ些る条件下では、別の抵抗負荷が負荷機能
の一部を担うようにもし得る。
と受信器両方を同じアンテナへ結合するのに、３ポート
サーキユレータとして知られる通常のマイクロ波部品も
使える。また、マグネトロン２６４を共振空洞２６０か
ら部分的に分断するのにそれを用い、大きい反射電力が
空洞から戻さ些る条件下では、別の抵抗負荷が負荷機能
の一部を担うようにもし得る。
これは、処理条件を変えるこによって生じる負荷の変化
に対するＲＦ系の感度が大巾に減じるという利点を持つ
。またこれは、所望なら１つのＲＦ電源を２以上の遠隔
プラズマ発生空洞へ接続できるという利点も有する。
に対するＲＦ系の感度が大巾に減じるという利点を持つ
。またこれは、所望なら１つのＲＦ電源を２以上の遠隔
プラズマ発生空洞へ接続できるという利点も有する。
第９図に示した実施例において、水晶型の出口管２５６
は、非接触型のスリップ嵌合せ継手２５８によって第４
図に示したのと同様な第３のガス供給管２５０に接続さ
れている。このゆるいスリップ嵌合せは、処理中給送ガ
スの一部が直接排気空間へと洩れるのを許すが、これは
些細な問題である。こ＼でスリップ嵌合せを用いる利点
は、遠隔プラズマ室２５４からの全通路のガス流が水晶
製配管を通して実質上導かれるようにしつ＼、処理室の
垂直方向の動きを許容する点にある。前述したように、
垂直方向の動きはウェハの挿入及び取出しのために処理
室を開閉する役割を果たす。この点は、遠隔プラズマに
よって発生される活性化種の多くが極めて高い活性化状
態となるので、実用上有用な特徴であることが判明して
いる。これらの活性化種には、〇−等の基、酸素−ハロ
ゲン化合物等の擬像安定分子種、高い電子エネルギーを
持つ擬似安定状態の分子、更に特にプラズマに近い領域
では高い比率のイオン化種が含まれる。
は、非接触型のスリップ嵌合せ継手２５８によって第４
図に示したのと同様な第３のガス供給管２５０に接続さ
れている。このゆるいスリップ嵌合せは、処理中給送ガ
スの一部が直接排気空間へと洩れるのを許すが、これは
些細な問題である。こ＼でスリップ嵌合せを用いる利点
は、遠隔プラズマ室２５４からの全通路のガス流が水晶
製配管を通して実質上導かれるようにしつ＼、処理室の
垂直方向の動きを許容する点にある。前述したように、
垂直方向の動きはウェハの挿入及び取出しのために処理
室を開閉する役割を果たす。この点は、遠隔プラズマに
よって発生される活性化種の多くが極めて高い活性化状
態となるので、実用上有用な特徴であることが判明して
いる。これらの活性化種には、〇−等の基、酸素−ハロ
ゲン化合物等の擬像安定分子種、高い電子エネルギーを
持つ擬似安定状態の分子、更に特にプラズマに近い領域
では高い比率のイオン化種が含まれる。
かかる流れを選ぶのに使われる管は、破壊的化学作用に
抗するためにできる限り不活性であると共に、活性化種
の流れによって管壁から除去される種に基づくウェハの
汚染を最小とするためめにできる限り純粋でなければな
らない。水晶は、はとんどの発生源に対してこれら両基
準を満たす。用いるガス流がフッ素源を含んでいる場合
、配管はサファイア、焼結アルミナ、または銅で作製で
きる。更に、使用する処理の化学作用に応じて、水晶製
出口管２５６の侵食及びガス流内における化学作用の変
化が実行中の特定処理において許容可能であれば、水晶
を使う方が簡単であろう。
抗するためにできる限り不活性であると共に、活性化種
の流れによって管壁から除去される種に基づくウェハの
汚染を最小とするためめにできる限り純粋でなければな
らない。水晶は、はとんどの発生源に対してこれら両基
準を満たす。用いるガス流がフッ素源を含んでいる場合
、配管はサファイア、焼結アルミナ、または銅で作製で
きる。更に、使用する処理の化学作用に応じて、水晶製
出口管２５６の侵食及びガス流内における化学作用の変
化が実行中の特定処理において許容可能であれば、水晶
を使う方が簡単であろう。
第１６図は、別の処理モジュール６３０の詳細を示して
おり、この処理モジュール６３０は、多くの点で第１４
図に示したものと同様である。ウェハ４８は、処理の化
学作用を変更すること（例えばウニ凸面５４近くにフン
素の少ないプラズマを生成すること）が有用な場合には
、アルミニウム又は任意選択としてシリコンからなる導
電性サセプタ３００に対して保持されている。サセプタ
３００はウェハ４８の上方に位置し、頂部室２１８はウ
ェハ４８の下方に位置する。サセプタ３００は通路３０
２によって冷却される。所望なら、サセプタ３００は通
路３０２を介して、あるいはサセプタ３００を貫くヒー
タロッド（図示せず）を用いることによって加熱できる
。ウェハ４８は第１６図中３本の支持指状部２１４によ
ってサセプタ３００に対して保持され、その面５４はサ
セプタ３００から下方を向いている。
おり、この処理モジュール６３０は、多くの点で第１４
図に示したものと同様である。ウェハ４８は、処理の化
学作用を変更すること（例えばウニ凸面５４近くにフン
素の少ないプラズマを生成すること）が有用な場合には
、アルミニウム又は任意選択としてシリコンからなる導
電性サセプタ３００に対して保持されている。サセプタ
３００はウェハ４８の上方に位置し、頂部室２１８はウ
ェハ４８の下方に位置する。サセプタ３００は通路３０
２によって冷却される。所望なら、サセプタ３００は通
路３０２を介して、あるいはサセプタ３００を貫くヒー
タロッド（図示せず）を用いることによって加熱できる
。ウェハ４８は第１６図中３本の支持指状部２１４によ
ってサセプタ３００に対して保持され、その面５４はサ
セプタ３００から下方を向いている。
こ＼に開示するような紫外線発生及び遠隔プラズマの両
能力を備えた処理モジュール、例えば６３０内で実施可
能な処理は、導電性膜の被着である。導電性膜は、遠隔
マイクロ波で活性化された種で金属有機化合物を還元ま
たは分解することによって生成できる。例えばＺｎ、Ａ
Ａ、Ｉｎ、ｐｂはそれぞれ、ジメチル亜鉛、トリメチル
アルミニウム、トリメチルインジウム、テトラメチル鉛
等の金属有機化合物を水素またはアルゴン等の基と反応
させることによって生成できる。１つの実例では、シリ
コンまたはＨｇＣｄＴｅ基板（ウェハ）が処理室内に移
される。室が１０−”Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気される
。次いで、室は適切なガス例えば水素によって浄化され
、このガスは所望なら、例えば１００ｓｅｃｍでマイク
ロ波空洞を通って処理室内に入る。そして室は０．３
Ｔｏｒｒの圧力とされる。
能力を備えた処理モジュール、例えば６３０内で実施可
能な処理は、導電性膜の被着である。導電性膜は、遠隔
マイクロ波で活性化された種で金属有機化合物を還元ま
たは分解することによって生成できる。例えばＺｎ、Ａ
Ａ、Ｉｎ、ｐｂはそれぞれ、ジメチル亜鉛、トリメチル
アルミニウム、トリメチルインジウム、テトラメチル鉛
等の金属有機化合物を水素またはアルゴン等の基と反応
させることによって生成できる。１つの実例では、シリ
コンまたはＨｇＣｄＴｅ基板（ウェハ）が処理室内に移
される。室が１０−”Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気される
。次いで、室は適切なガス例えば水素によって浄化され
、このガスは所望なら、例えば１００ｓｅｃｍでマイク
ロ波空洞を通って処理室内に入る。そして室は０．３
Ｔｏｒｒの圧力とされる。
基板が５０°Ｃに加熱される。ジメチル亜鉛が、例えば
６．６ ｓｅｃｍでガス分配器２１２を介して室内に導
入される。次に、活性水素基が、例えば６ワツトで遠隔
マイクロ波空洞内において発生され、供給管２５０を介
し室内へ導かれてジメチル亜鉛と混合し、基板上に被着
する金属亜鉛と処理室からポンプ排出されるメタンとを
生成する。Ｚｎ膜は６０オングストロ一ム／分で形成さ
れ、２５×１０−６Ωｃｍの電気抵抗率を有する。
６．６ ｓｅｃｍでガス分配器２１２を介して室内に導
入される。次に、活性水素基が、例えば６ワツトで遠隔
マイクロ波空洞内において発生され、供給管２５０を介
し室内へ導かれてジメチル亜鉛と混合し、基板上に被着
する金属亜鉛と処理室からポンプ排出されるメタンとを
生成する。Ｚｎ膜は６０オングストロ一ム／分で形成さ
れ、２５×１０−６Ωｃｍの電気抵抗率を有する。
その場での紫外線エネルギー発生能力を備えた処理モジ
ュール６３０及びその他の処理モジュールで行える１つ
の処理は、ＨｇＣｄＴｅ上における天然酸化物の成長で
ある。ウェハを処理室２１８内に置いて室を閉じた後、
室が所望の低圧、例えば０．０５ Ｔｏｒｒに排気され
る。所望なら、適切なガス、例えばｏ２または不活性ガ
スを用いて、室の浄化を行うこともできる。酸素源、例
えば０２またはＮ、Ｏから発生された遠隔プラズマが室
２１８内に導入され、所望なら清掃を行う。遠隔プラズ
マを停止する。室が排気され、所望なら０２または不活
性ガスで浄化される。紫外線が空間２２０内で発生され
、室２１８内に導かれる。紫外線が室２１８内でガスの
必要な励起を与える。紫外線は適切な期間、例えば１時
間維持される。次いで室が排気され、適切なガス、例え
ばＮ２で浄化される。その後、室を開いてウェハ４８を
取り出す。
ュール６３０及びその他の処理モジュールで行える１つ
の処理は、ＨｇＣｄＴｅ上における天然酸化物の成長で
ある。ウェハを処理室２１８内に置いて室を閉じた後、
室が所望の低圧、例えば０．０５ Ｔｏｒｒに排気され
る。所望なら、適切なガス、例えばｏ２または不活性ガ
スを用いて、室の浄化を行うこともできる。酸素源、例
えば０２またはＮ、Ｏから発生された遠隔プラズマが室
２１８内に導入され、所望なら清掃を行う。遠隔プラズ
マを停止する。室が排気され、所望なら０２または不活
性ガスで浄化される。紫外線が空間２２０内で発生され
、室２１８内に導かれる。紫外線が室２１８内でガスの
必要な励起を与える。紫外線は適切な期間、例えば１時
間維持される。次いで室が排気され、適切なガス、例え
ばＮ２で浄化される。その後、室を開いてウェハ４８を
取り出す。
こ＼に開示する紫外線及び遠隔プラズマの能力を備えた
処理モジュール、例えば処理モジュール６３０で更に別
の処理を行うこともできる。つまり、ウェハを処理室内
に移した後、室を閉じる。
処理モジュール、例えば処理モジュール６３０で更に別
の処理を行うこともできる。つまり、ウェハを処理室内
に移した後、室を閉じる。
適切なガス、例えばＮ２で浄化を行うこともできる。遠
隔プラズマがＮ、Ｏから発生され、供給管２５０を介し
て室２１８内に導入される。シランガス、例えばＳ ｉ
Ｈａがガス分配器２１２を介して室内に導入される。
隔プラズマがＮ、Ｏから発生され、供給管２５０を介し
て室２１８内に導入される。シランガス、例えばＳ ｉ
Ｈａがガス分配器２１２を介して室内に導入される。
紫外線が空間２２０内で生成され、室２１８内に導かれ
る。これは、室２１８内のＮ、Ｏガスによって一部吸収
される。被着の完了後、所望ならＳ−Ｆ、から発生され
た遠隔プラズマを用いて清掃作業を行える。
る。これは、室２１８内のＮ、Ｏガスによって一部吸収
される。被着の完了後、所望ならＳ−Ｆ、から発生され
た遠隔プラズマを用いて清掃作業を行える。
処理ガス分配器２１２が、ウェハ面５４に近い頂部室２
１８に処理ガスを与える。別の処理ガス分配器３０６が
紫外線プラズマ空間２２０にガスを与え、そこで前方電
極２２４にＲＦ電力を印加することによって、ウェハ面
５４から離れた第２プラズマが任意に発生される。分配
器３０６を通過して流れる種及び前方電極２２４に印加
される電力レベルは、所望の波長及び強度の紫外線でウ
ェハ面を照射するように選ばれる。水晶製バッフル２３
２が頂部室２１８及び紫外線プラズマ空間２．２０から
ガス流を流出させるので、紫外線プラズマ空間２２０を
通るガス流は、第１２図に示したのと同様なガス流であ
って、頂部室２１８を汚染しない。第３のガス供給管２
５０は、遠隔プラズマ室で活性化されたガス流をウェハ
４８近くの頂部室２１８に与える。近接プラズマ用の電
圧はサセプタ３００に印加される。
１８に処理ガスを与える。別の処理ガス分配器３０６が
紫外線プラズマ空間２２０にガスを与え、そこで前方電
極２２４にＲＦ電力を印加することによって、ウェハ面
５４から離れた第２プラズマが任意に発生される。分配
器３０６を通過して流れる種及び前方電極２２４に印加
される電力レベルは、所望の波長及び強度の紫外線でウ
ェハ面を照射するように選ばれる。水晶製バッフル２３
２が頂部室２１８及び紫外線プラズマ空間２．２０から
ガス流を流出させるので、紫外線プラズマ空間２２０を
通るガス流は、第１２図に示したのと同様なガス流であ
って、頂部室２１８を汚染しない。第３のガス供給管２
５０は、遠隔プラズマ室で活性化されたガス流をウェハ
４８近くの頂部室２１８に与える。近接プラズマ用の電
圧はサセプタ３００に印加される。
次に、硫化亜鉛等の化合物が、反応器内で気相から被着
される処理を説明する。この反応器は、真空ウェハ移送
を含む真空処理システムと適合可能な一様性を向上し及
び／又は気相での核形成を避けるため、各々が１つ以上
の反応ガス供給源に接続された２つのガス分配器が使わ
れる。この処理例は、ＺｎＳのようなＩＩ−Ｖｌ膜を良
好な一様性及び良好な膜品質で迅速に被着できるという
利点を有する。
される処理を説明する。この反応器は、真空ウェハ移送
を含む真空処理システムと適合可能な一様性を向上し及
び／又は気相での核形成を避けるため、各々が１つ以上
の反応ガス供給源に接続された２つのガス分配器が使わ
れる。この処理例は、ＺｎＳのようなＩＩ−Ｖｌ膜を良
好な一様性及び良好な膜品質で迅速に被着できるという
利点を有する。
Ｃｄ５５ ＺｎＳ、ｐｂｓ、、ＣｄＳｅ ５ＺｎＳｅ等
の硫化物、セレン化物、テルル化物膜、及びその他のｎ
−ｒＶ化合物の被着は、金属有機化合物と硫化物または
セレン化物のガスを用いることによって生成できる。有
機金属化合物（金属有機物）は、例えばジメチルテルル
、ジメチル亜鉛、トリメチルアルミ、テトラエチル鉛の
群から選ぶことができる。硫化物は、例えば硫化水素と
、セレン化ガスは、例えばセレン化水素とそれぞれし得
る。必要な励起は、処理室に導入された遠隔プラズマ室
２５４内で活性化された不活性ガスと、処理室に接続さ
れた空間２２０内で発生される紫外線との何れかまたは
両方によって与えられる。サセプタ３００は、そこに貫
くヒータロッド（図示せず、）を用いることによって加
熱できる。また、ＺｎＳ等の被着膜にＰｂＳをドープす
ることも可能である。例えば、テトラエチル鉛とジメチ
ル亜鉛の混合物が第１の分配器３１０ （第１７図）を
介して導入され、また硫化水素が第２の分配器３１２（
第１７図）を介して導入され、ＺｎＳとＰｂＳの混合物
を生成する。
の硫化物、セレン化物、テルル化物膜、及びその他のｎ
−ｒＶ化合物の被着は、金属有機化合物と硫化物または
セレン化物のガスを用いることによって生成できる。有
機金属化合物（金属有機物）は、例えばジメチルテルル
、ジメチル亜鉛、トリメチルアルミ、テトラエチル鉛の
群から選ぶことができる。硫化物は、例えば硫化水素と
、セレン化ガスは、例えばセレン化水素とそれぞれし得
る。必要な励起は、処理室に導入された遠隔プラズマ室
２５４内で活性化された不活性ガスと、処理室に接続さ
れた空間２２０内で発生される紫外線との何れかまたは
両方によって与えられる。サセプタ３００は、そこに貫
くヒータロッド（図示せず、）を用いることによって加
熱できる。また、ＺｎＳ等の被着膜にＰｂＳをドープす
ることも可能である。例えば、テトラエチル鉛とジメチ
ル亜鉛の混合物が第１の分配器３１０ （第１７図）を
介して導入され、また硫化水素が第２の分配器３１２（
第１７図）を介して導入され、ＺｎＳとＰｂＳの混合物
を生成する。
１つの実例では、ＨｇＣｄＴｅ基板が形成済の極薄の不
活性化誘電層（この例では厚さが１００オングトスロー
ム以下の硫化物薄膜）と共に用いられた。基板温度５０
℃、総圧１５０〜２００ミリＴｏｒｒとし、一方のガス
分配器を介し３０ｓｃｃｍでＨ２Ｓ、他方のガス分配器
を介し２〜３ ｓｅｃｍでジメチル亜鉛（（ｃＨ：＋）
ｚＺｎ）をそれぞれ流した。
活性化誘電層（この例では厚さが１００オングトスロー
ム以下の硫化物薄膜）と共に用いられた。基板温度５０
℃、総圧１５０〜２００ミリＴｏｒｒとし、一方のガス
分配器を介し３０ｓｃｃｍでＨ２Ｓ、他方のガス分配器
を介し２〜３ ｓｅｃｍでジメチル亜鉛（（ｃＨ：＋）
ｚＺｎ）をそれぞれ流した。
これらの条件により、約３５０オングストローム／分の
速度で良好な電気的性質をもつ膜が成長した。
速度で良好な電気的性質をもつ膜が成長した。
任意選択として、ＺｎＳ被着の実施前に、同じ反応器内
で不活性化層を形成することもできる。
で不活性化層を形成することもできる。
これは特に、ＨｇＣｄＴａ上へＭｉｓゲートを作製する
のに有利である。１つの実例では、ＨｇＣｄＴｅ基板の
天然酸化物を希釈Ｈ（ｌで除去し、ＤＩ（脱イオン化）
水で洗浄し、窒素で乾燥した、そして真空下の処理室内
に移した。室を、例えば３０ｓｅｃｍの硫化水素で浄化
し、０．２ ｔｏｒｒの真空としてから、基板を１００
℃の温度に加熱した。硫化水素とＨｇＣｄＴｅ表面を補
助の紫外線源で照射して、Ｈｇ Ｃｄ Ｔ ｅ上の残留
酸化物を化学的に減少し、且つ、薄い不活性化硫化物膜
を形成する水素とイオウとを含む励起状態の種（分子及
び基）を生成した。その後、ジメチル亜鉛を、例えば２
〜３ ｓｅｃｍで導入することによって、ＺｎＳが不活
性化後のＨｇ Ｃｄ Ｔ ｅ上に被着された。
のに有利である。１つの実例では、ＨｇＣｄＴｅ基板の
天然酸化物を希釈Ｈ（ｌで除去し、ＤＩ（脱イオン化）
水で洗浄し、窒素で乾燥した、そして真空下の処理室内
に移した。室を、例えば３０ｓｅｃｍの硫化水素で浄化
し、０．２ ｔｏｒｒの真空としてから、基板を１００
℃の温度に加熱した。硫化水素とＨｇＣｄＴｅ表面を補
助の紫外線源で照射して、Ｈｇ Ｃｄ Ｔ ｅ上の残留
酸化物を化学的に減少し、且つ、薄い不活性化硫化物膜
を形成する水素とイオウとを含む励起状態の種（分子及
び基）を生成した。その後、ジメチル亜鉛を、例えば２
〜３ ｓｅｃｍで導入することによって、ＺｎＳが不活
性化後のＨｇ Ｃｄ Ｔ ｅ上に被着された。
ＺｎＳの成長速度は温度に非常に敏感なことが判明し、
基板温度は高い方が望ましい。ＨｇＣｄＴｅ物質の安定
性の点では最大成長温度が約１２０”Ｃ以下に設定され
るが、高品質膜の迅速な成長を達成するためには、成長
温度を９０−１２０’Ｃの範囲に高めるのが望ましいと
考えられる。これらのガスの気相反応は５０℃では大き
な問題でないが、１００〜１２０℃の温度ではもっとは
るかに顕著となる。反゛応器として使われるように構成
された処理モジュール６４０の別の利点は、気相での反
応による問題を生じることなく、上記高温の使用を容易
にすることである。
基板温度は高い方が望ましい。ＨｇＣｄＴｅ物質の安定
性の点では最大成長温度が約１２０”Ｃ以下に設定され
るが、高品質膜の迅速な成長を達成するためには、成長
温度を９０−１２０’Ｃの範囲に高めるのが望ましいと
考えられる。これらのガスの気相反応は５０℃では大き
な問題でないが、１００〜１２０℃の温度ではもっとは
るかに顕著となる。反゛応器として使われるように構成
された処理モジュール６４０の別の利点は、気相での反
応による問題を生じることなく、上記高温の使用を容易
にすることである。
より滑らかな膜を得るため、希釈ガスを反応ガス流と混
合させ、及び／又は反応ガスをもっと高い流量で流すこ
ともできる。適切な希釈ガスには、水素、ヘリウム、及
びアルゴンが含まれる。
合させ、及び／又は反応ガスをもっと高い流量で流すこ
ともできる。適切な希釈ガスには、水素、ヘリウム、及
びアルゴンが含まれる。
その場の紫外線からの照射下における硫化亜鉛膜の成長
もテストされ、その結果紫外線照射にょつ大巾に速い膜
成長が得られることが判明した。
もテストされ、その結果紫外線照射にょつ大巾に速い膜
成長が得られることが判明した。
補助の紫外線照射は、他の被着においても有効であろう
。
。
第１７図は、反応器として使われる処理モジュール６４
０を示す。この反応器の構成は、前述の被着処理及びそ
の他の種類の被着に有効である。
０を示す。この反応器の構成は、前述の被着処理及びそ
の他の種類の被着に有効である。
分配器３１０と３１２が各々別々にバッフル３１４内に
処理ガスの流れを放出し、パンフル３１４は、これらの
ガス流をウェハ４８の面５４近くの頂部室２１８へと上
方に差し向ける。このウェハ４８は、３本の支持指状部
２１４（第７図には１本だけ、第３図には３本命てが示
しである）によって導電性サセプタ３００に対し保持さ
れている。
処理ガスの流れを放出し、パンフル３１４は、これらの
ガス流をウェハ４８の面５４近くの頂部室２１８へと上
方に差し向ける。このウェハ４８は、３本の支持指状部
２１４（第７図には１本だけ、第３図には３本命てが示
しである）によって導電性サセプタ３００に対し保持さ
れている。
尚、図示の実施例において、３本の支持指状部２１４は
、比較的長く、それらの基部でそれぞれのたわみ板３１
６によって頂部室２１８から充分離れて支持されている
。各指状部は２つの（またはそれより多い）板バネ（図
示せず）で支持されているので、指状部は垂直方向にた
わみ可能だが、常に垂直軸を維持しようとする。この構
成の利点は、ウェハ面５４に近いは！゛全ての露出表面
、特にウェハ面より上流側の各表面が水晶あるいは別の
比較的純粋で不活性な物質によって作製される反応器を
与えるのを助ける点にある。種（ｃＨ：＋）ｚＺｎは極
めて反応性が強いので、水晶以外の露出表面を最小限に
することは（粒子の汚染を引き起こす可能性のある）付
着の回避を促す。またこの実施例では、係合対のテフロ
ン被覆（登録商標）バッフル３１８．３２０が排出ガス
流をベローズ１２４から分離するために使われており、
ベローズの移動時に剥れる恐れのあるベローズへの付着
を回避している。
、比較的長く、それらの基部でそれぞれのたわみ板３１
６によって頂部室２１８から充分離れて支持されている
。各指状部は２つの（またはそれより多い）板バネ（図
示せず）で支持されているので、指状部は垂直方向にた
わみ可能だが、常に垂直軸を維持しようとする。この構
成の利点は、ウェハ面５４に近いは！゛全ての露出表面
、特にウェハ面より上流側の各表面が水晶あるいは別の
比較的純粋で不活性な物質によって作製される反応器を
与えるのを助ける点にある。種（ｃＨ：＋）ｚＺｎは極
めて反応性が強いので、水晶以外の露出表面を最小限に
することは（粒子の汚染を引き起こす可能性のある）付
着の回避を促す。またこの実施例では、係合対のテフロ
ン被覆（登録商標）バッフル３１８．３２０が排出ガス
流をベローズ１２４から分離するために使われており、
ベローズの移動時に剥れる恐れのあるベローズへの付着
を回避している。
本願で説明する実施例の幾つかは、ウェハの迅速な加熱
を可能とする放射熱源を備え、そして通常必要な長い熱
傾斜時間を含まない高温処理という利点を与える。第１
８図に、迅速な熱処理を行うための構成を示す。
を可能とする放射熱源を備え、そして通常必要な長い熱
傾斜時間を含まない高温処理という利点を与える。第１
８図に、迅速な熱処理を行うための構成を示す。
第１８図は、ウェハ４８が透明な真空壁２３８に対して
またはそれに近接して保持された処理モジ子−ル６５０
を示している。第１８図に示すように、例えば１８０ｋ
Ｗの高温白熱灯３３０等の加熱要素リングが、上方の固
定反射器３３４（第１９Ａ図）に取り付けられている。
またはそれに近接して保持された処理モジ子−ル６５０
を示している。第１８図に示すように、例えば１８０ｋ
Ｗの高温白熱灯３３０等の加熱要素リングが、上方の固
定反射器３３４（第１９Ａ図）に取り付けられている。
上方の固定反射器３３４及び下方の固定反射器３３２が
加熱効率を最大限とし、すなわち高温白熱灯３３０から
放出される光パワーのうち、透明な真空壁２３８を介し
てウェハ４８へ光学的に導かれる部分を改善する。制御
システム２０６は温度センサを用い、反射器３３６を選
定位置へと上下に移動することによって、反射器の形状
を変更制御するのも可能である。
加熱効率を最大限とし、すなわち高温白熱灯３３０から
放出される光パワーのうち、透明な真空壁２３８を介し
てウェハ４８へ光学的に導かれる部分を改善する。制御
システム２０６は温度センサを用い、反射器３３６を選
定位置へと上下に移動することによって、反射器の形状
を変更制御するのも可能である。
第１９ ｆｉ、図は、上方固定反射器３３４の幾何形状
を断面で示す。反射器３３４０表面は、ランプに接近し
た側に３つの直線、すなわち表面３３８．３４０及び３
４２を有し、各表面ははソ°円錐台状に形成され、高温
白熱灯３３０からの直接光を壁２３８の方へ反射するよ
うに位置している。この実施例における光路の幾何光学
特性が、第１９Ａ図に示しである。
を断面で示す。反射器３３４０表面は、ランプに接近し
た側に３つの直線、すなわち表面３３８．３４０及び３
４２を有し、各表面ははソ°円錐台状に形成され、高温
白熱灯３３０からの直接光を壁２３８の方へ反射するよ
うに位置している。この実施例における光路の幾何光学
特性が、第１９Ａ図に示しである。
しかし、図示の実施例は良好な結果と利点を実証してい
るが、こ−に説明する概念の利点を保持しつ−１その他
各種の反射器の幾何形４ｆｆｉも代りに使える。加熱要
素及び反射器の構成が、加熱モジュールを形成する。他
の種類の加熱モジュールも可能で、発生熱は、−例とし
て第１８図の構成で、ウェハ４８へと熱的に導かれる。
るが、こ−に説明する概念の利点を保持しつ−１その他
各種の反射器の幾何形４ｆｆｉも代りに使える。加熱要
素及び反射器の構成が、加熱モジュールを形成する。他
の種類の加熱モジュールも可能で、発生熱は、−例とし
て第１８図の構成で、ウェハ４８へと熱的に導かれる。
可動の上方反射器３３６（第１８図）は、駆動装置３４
４によって垂直方向に制御移動可能である。反射器３３
６は、上方固定反射器３３４の中心の円形開口内に位置
する。反射器３３６の移動は、第１９Ｂ及び１９Ｃ図に
示すように、放射加熱パターンの一成分の面積分布を制
御可能とし、第２０図に示すような熱流の分布をもたら
す。駆動装置３３４は、第１８図に示すごとく反射器３
３６の上方に位置する。
４によって垂直方向に制御移動可能である。反射器３３
６は、上方固定反射器３３４の中心の円形開口内に位置
する。反射器３３６の移動は、第１９Ｂ及び１９Ｃ図に
示すように、放射加熱パターンの一成分の面積分布を制
御可能とし、第２０図に示すような熱流の分布をもたら
す。駆動装置３３４は、第１８図に示すごとく反射器３
３６の上方に位置する。
第２０図に示すように、上方の曲線６５２は第１９Ａ、
１９Ｂ及び１９Ｃ図のウェハ４８のエツジ（第２０図中
左側）からウェハ４８の中心（第２０図中右側）゛に至
る熱エネルギーの分布を示す。
１９Ｂ及び１９Ｃ図のウェハ４８のエツジ（第２０図中
左側）からウェハ４８の中心（第２０図中右側）゛に至
る熱エネルギーの分布を示す。
点線６５４と実線６５６との間の領域が反射器３３６の
寄与分であり、実線６５６より下の領域が固定反射器３
３２と３３４の寄与分である。これは、反射器３３６が
第１９Ｃ図に示した上方位置にあるときの、熱エネルギ
ーの相対分布を表わしている。第２０図の曲線６５９は
、反射器３３６が第１９Ｂ図に示した下方位置にあると
きの、熱エネルギーの相対分布を表わす。曲線６５９の
うちの実線６５７より下の領域が固定反射器の寄与分を
、実線６５７と点線６５８との間の領域が可動反射器３
３６の寄与分をそれぞれ示す。
寄与分であり、実線６５６より下の領域が固定反射器３
３２と３３４の寄与分である。これは、反射器３３６が
第１９Ｃ図に示した上方位置にあるときの、熱エネルギ
ーの相対分布を表わしている。第２０図の曲線６５９は
、反射器３３６が第１９Ｂ図に示した下方位置にあると
きの、熱エネルギーの相対分布を表わす。曲線６５９の
うちの実線６５７より下の領域が固定反射器の寄与分を
、実線６５７と点線６５８との間の領域が可動反射器３
３６の寄与分をそれぞれ示す。
可動の上方反射器３３６ （その先端が頂角９０度の円
錐体とはソ′同様な形状を持つ）が第１９Ｂ図に示すよ
うにその下方位置にあると、追加の加熱はウェハのエツ
ジに与えられる。一方、可動の上方反射器３３６が第１
９Ｃ図に示すようにその上方位置にあると、その放射成
分はウェハのエツジへ選択的に導かれず、ウェハの中心
が追加の加熱を受ける。見易くするため、第１９Ｂ及び
１９０図は白熱灯のフィラメントと平行に発せられる光
放射の成分だけをトレースしているが、第１９Ｂ図にお
いて、広い範囲の角度にわたって発せられた光が同様に
反射されることは明らかであろう。
錐体とはソ′同様な形状を持つ）が第１９Ｂ図に示すよ
うにその下方位置にあると、追加の加熱はウェハのエツ
ジに与えられる。一方、可動の上方反射器３３６が第１
９Ｃ図に示すようにその上方位置にあると、その放射成
分はウェハのエツジへ選択的に導かれず、ウェハの中心
が追加の加熱を受ける。見易くするため、第１９Ｂ及び
１９０図は白熱灯のフィラメントと平行に発せられる光
放射の成分だけをトレースしているが、第１９Ｂ図にお
いて、広い範囲の角度にわたって発せられた光が同様に
反射されることは明らかであろう。
反射器３３２と３３６は、例えば金を被覆したアルミニ
ウムで形成され、各反射器内の通路を流れる水によって
冷却可能である。反射器３３４は、所望に応じ任意の適
切な反射物質で被覆し得る。
ウムで形成され、各反射器内の通路を流れる水によって
冷却可能である。反射器３３４は、所望に応じ任意の適
切な反射物質で被覆し得る。
高温白熱灯３３０へ入力される電力は、コンピュータ制
御システム２０６（第３１図）から与えられる制御信号
の１つによって制御される。一般に、白熱灯への電力は
高い電力レベル（例えば全電力の４０％）へと高速で傾
斜増加され、処理に応じである時間（例えば１５秒）そ
こに保たれる。
御システム２０６（第３１図）から与えられる制御信号
の１つによって制御される。一般に、白熱灯への電力は
高い電力レベル（例えば全電力の４０％）へと高速で傾
斜増加され、処理に応じである時間（例えば１５秒）そ
こに保たれる。
次いで処理が完了するまで、低い安定レベル（例えば全
電力の１６％）に傾斜減少される。
電力の１６％）に傾斜減少される。
別の例として、実行すべき特定の処理がその処理中ウェ
ハを６００℃の温度に保つ必要があれば、白熱灯電力は
全電力（すなわち合計５４００ワツト）の（例えば）３
０％でオンされ、ウェハがは＼゛所望処理温度に達する
までそのレベルに保たれ、到達したら、処理の完了まで
ウェハを所望の処理温度に維持するレベルへと電力が傾
斜減少される。
ハを６００℃の温度に保つ必要があれば、白熱灯電力は
全電力（すなわち合計５４００ワツト）の（例えば）３
０％でオンされ、ウェハがは＼゛所望処理温度に達する
までそのレベルに保たれ、到達したら、処理の完了まで
ウェハを所望の処理温度に維持するレベルへと電力が傾
斜減少される。
１つの実例システムでは、直径約１５ｃｍ （６インチ
）で、約１５ｃｍ（６インチ）の水晶プレートと対面し
た（金メツキアルミニウム製の）反射器内に１８１ｋＷ
の白熱灯がリング状に位置する。
）で、約１５ｃｍ（６インチ）の水晶プレートと対面し
た（金メツキアルミニウム製の）反射器内に１８１ｋＷ
の白熱灯がリング状に位置する。
水晶プレートの露出部は、透明な真空壁２３８を与え、
そして壁２３８に近接して保持された約１０ｃｍ（４イ
ンチ）のウェハの背面の放射加熱を可能とするのに充分
なだけの大きさの開口を有する。
そして壁２３８に近接して保持された約１０ｃｍ（４イ
ンチ）のウェハの背面の放射加熱を可能とするのに充分
なだけの大きさの開口を有する。
１つの実例処理では、上記の白熱灯電力によって、ウェ
ハが６００℃に保たれる一方、Ｈ２４０ｓｅｃｍ及びＷ
Ｆ ａ ８ ｓｅｃｍの処理ガス流は５００ミリＴｏ
ｒｒの総圧力でウェハの前面に与えられる。この化学作
用は、毎分２０００人の速度で、高品質のタングステン
薄膜の共形被着が得られることを首尾よく実証した。
ハが６００℃に保たれる一方、Ｈ２４０ｓｅｃｍ及びＷ
Ｆ ａ ８ ｓｅｃｍの処理ガス流は５００ミリＴｏ
ｒｒの総圧力でウェハの前面に与えられる。この化学作
用は、毎分２０００人の速度で、高品質のタングステン
薄膜の共形被着が得られることを首尾よく実証した。
一実施例では、ウェハを約９００℃へ迅速加熱するのに
、固定反射器と白熱灯との組合せが使われる。ウェハは
、結晶構造に何らのスリップも生じることなく、毎秒少
なくとも２００℃で約１１００℃まで加熱できる。加熱
装置は、以下詳述する動的な放射熱源である。
、固定反射器と白熱灯との組合せが使われる。ウェハは
、結晶構造に何らのスリップも生じることなく、毎秒少
なくとも２００℃で約１１００℃まで加熱できる。加熱
装置は、以下詳述する動的な放射熱源である。
入射放射エネルギーの強度と半径方向の分布とは共に調
整可能である。白熱灯への入力電力の調整は、ウェハの
温度を調整するのに使える。この実施例では（光パーミ
ッタ等の）温度測定装置を用いて、処理すべきウェハの
温度変化を検出する。
整可能である。白熱灯への入力電力の調整は、ウェハの
温度を調整するのに使える。この実施例では（光パーミ
ッタ等の）温度測定装置を用いて、処理すべきウェハの
温度変化を検出する。
加熱及び冷却中にウェハを横切って適切な放射エネルギ
ー分布を達成するために、可動の反射器３３６は約３．
８ｃｍ （１’／１インチ）の総距離だけ移動できれば
よい。例えば、曲線６５２が加熱中の分布を表わし、曲
線６５９が冷却中の分布を表わす。
ー分布を達成するために、可動の反射器３３６は約３．
８ｃｍ （１’／１インチ）の総距離だけ移動できれば
よい。例えば、曲線６５２が加熱中の分布を表わし、曲
線６５９が冷却中の分布を表わす。
第１８図に示した実施例では、例えば毎秒２００℃の速
度でウェハの温度を１１００℃以上の最終温度へと傾斜
上昇する間、ウェハの半径方向に沿った温度変化は１％
以下に保たれるという制御の実証に成功した。
度でウェハの温度を１１００℃以上の最終温度へと傾斜
上昇する間、ウェハの半径方向に沿った温度変化は１％
以下に保たれるという制御の実証に成功した。
所望の処理作業の終了後、ガス供給が停止されるかある
いは代りに不活性な種に切り換えられ、部分的に作製さ
れた集積回路ウェハの制御冷却、あるいは存在し得る浮
遊粒子の沈降のため、処理室を開く前に任意選択として
ホールド時間が介在される。所望なら、ガス浄化を行う
こともできる。
いは代りに不活性な種に切り換えられ、部分的に作製さ
れた集積回路ウェハの制御冷却、あるいは存在し得る浮
遊粒子の沈降のため、処理室を開く前に任意選択として
ホールド時間が介在される。所望なら、ガス浄化を行う
こともできる。
第２１Ａ及び２１Ｂ図は、迅速加熱処理の能力を持つ真
空処理システムにおいて、ウェハ４８と透明真空壁２３
８との間での導電熱結合を減じる２つの変形例を示す。
空処理システムにおいて、ウェハ４８と透明真空壁２３
８との間での導電熱結合を減じる２つの変形例を示す。
尚、これらの図面に示した反射器の構成は、第１８図に
示したものと形状が異なる。
示したものと形状が異なる。
第２１Ａ図は、ウェハ４８の表面積のほとんどが透明真
空壁２３８と接触しない実施例を示す。
空壁２３８と接触しない実施例を示す。
そのため、透明真空壁２３８は下向きに延びているリン
グ３５０を含んで形成され、ウェハ４Ｂが３本の支持指
状部２１４によって上昇されたとき、リング３５０はウ
ェハ４８の外周４９近くでウェハ４８と接触する。浄化
ガスライン３５２が、ウェハ４８の背面への浄化ガス（
例えば、アルゴン）の供給を可能とする。
グ３５０を含んで形成され、ウェハ４Ｂが３本の支持指
状部２１４によって上昇されたとき、リング３５０はウ
ェハ４８の外周４９近くでウェハ４８と接触する。浄化
ガスライン３５２が、ウェハ４８の背面への浄化ガス（
例えば、アルゴン）の供給を可能とする。
第２１Ｂ図は、ウェハ４８が透明真空壁２３８と全く直
接接触しない実施例を示す。そのため、真空壁２３８よ
り薄い第２の透明プレート３５８が、指状部２１４によ
って押圧されたウェハ４８と接触する。プレート３５８
は壁２３８の下側に位置する。第２の透明プレート３５
８は透明真空壁２３８より大巾に薄いので、この導電結
合は、透明真空壁２３８と全面接触する場合より小さい
熱負荷をウェハに与える。１つの実例において、真空壁
２３８は約１．３１（０，５インチ）の厚さであり、第
２の透明プレート３５８は約１．５ｍｍ（０，０６イン
チ）の厚さである。前例と同じく、浄化ガスライン３５
２が、ウェハ４８の背面への浄化ガス（例えば、Ａｒ）
の供給を可能とする。
接接触しない実施例を示す。そのため、真空壁２３８よ
り薄い第２の透明プレート３５８が、指状部２１４によ
って押圧されたウェハ４８と接触する。プレート３５８
は壁２３８の下側に位置する。第２の透明プレート３５
８は透明真空壁２３８より大巾に薄いので、この導電結
合は、透明真空壁２３８と全面接触する場合より小さい
熱負荷をウェハに与える。１つの実例において、真空壁
２３８は約１．３１（０，５インチ）の厚さであり、第
２の透明プレート３５８は約１．５ｍｍ（０，０６イン
チ）の厚さである。前例と同じく、浄化ガスライン３５
２が、ウェハ４８の背面への浄化ガス（例えば、Ａｒ）
の供給を可能とする。
第２の透明プレート３５８を透明真空壁２３８から離す
のも有効である。
のも有効である。
上記再実施例で使われる浄化ガスの供給は、ウェハを横
切って−様な温度分布を達成するのに寄与する。更に、
透明真空壁に近い領域への浄化ガスの供給は、被着また
はエツチング効果が累積して透明度を劣化させたり、粒
子を発生させたりしないようにするのに寄与する。
切って−様な温度分布を達成するのに寄与する。更に、
透明真空壁に近い領域への浄化ガスの供給は、被着また
はエツチング効果が累積して透明度を劣化させたり、粒
子を発生させたりしないようにするのに寄与する。
第２１Ｃ図は、迅速熱処理の能力を持つ真空処理システ
ムにおいて、ウェハ４８と透明真空壁２３８との間での
導電熱結合を減少する更に別の方法を示す。ウェハ４８
は、頂部室２１８が閉じられたとき、ウェハが真空壁２
３８かられずかな距離（例えばＩｎ）だけ離れるような
高さに、支持指状部２１４によって支持される。
ムにおいて、ウェハ４８と透明真空壁２３８との間での
導電熱結合を減少する更に別の方法を示す。ウェハ４８
は、頂部室２１８が閉じられたとき、ウェハが真空壁２
３８かられずかな距離（例えばＩｎ）だけ離れるような
高さに、支持指状部２１４によって支持される。
第２１Ａ、２１Ｂ及び２１Ｃ図に示した導電熱結合を減
少する各方式はウェハ処理で、有用だが、他の種類の加
工品にも適用できる。
少する各方式はウェハ処理で、有用だが、他の種類の加
工品にも適用できる。
水晶で作製可能な透明真空壁２３８は大きな温度変動を
受け、そして一般に金属で作製され非常に異なる熱膨張
係数を有する室との間で真空密閉を維持しなければなら
ないので、透明真空壁２３８と反応器本体との間で、第
２１Ｄ図に示すような特殊の真空シールを用いる方が有
利なこともある。
受け、そして一般に金属で作製され非常に異なる熱膨張
係数を有する室との間で真空密閉を維持しなければなら
ないので、透明真空壁２３８と反応器本体との間で、第
２１Ｄ図に示すような特殊の真空シールを用いる方が有
利なこともある。
（ヘリコツレックス（Ｈｅｌｉｃｏｆｌｅｘ） （登録
商標）シールとして商業的に周知な）かかるシールは、
ステンレス鋼製のジャケット６６２内に閉じ込められた
インコネル（Ｉｎｃｏｎｅｌ （登録商標））製のへリ
ソクス６６０を含み、軟金属型のジャケット６６４（例
えばアルミニウム）がステンレス、ｔｉＪ！！ジャケッ
ト６６２の密閉表面を取り囲んでいる。シールが締め付
けられると、軟質金属製ジャケット６６４の塑性変形は
、洩れのないシールを与える。弾性変形は、主に硬質の
インコネル製ヘリックス６００によって与えられる。
商標）シールとして商業的に周知な）かかるシールは、
ステンレス鋼製のジャケット６６２内に閉じ込められた
インコネル（Ｉｎｃｏｎｅｌ （登録商標））製のへリ
ソクス６６０を含み、軟金属型のジャケット６６４（例
えばアルミニウム）がステンレス、ｔｉＪ！！ジャケッ
ト６６２の密閉表面を取り囲んでいる。シールが締め付
けられると、軟質金属製ジャケット６６４の塑性変形は
、洩れのないシールを与える。弾性変形は、主に硬質の
インコネル製ヘリックス６００によって与えられる。
このようなシールは、参考文献として下記に示されてい
るように、（例えば６００°Ｆの温度で周期的にベータ
アウトされる）超高真空システムでの使用が示唆されて
いる。■、サカイ（１゜３ａｋａｉ）等、「弾性金属ガ
スケット ”ヘリコツレックス°の密閉概念（Ｓｅａｌ
ｉｎｇ Ｃｏｎｃｅｐｔ ｏｆ ＥｌａｓｔｉｃＭｅｔ
ａｌ Ｇａ５ｋｅｔ ’Ｈｅ１ｉｃｏｆｌｅｘ’） Ｊ
、３２真空（Ｖａｃｕｕｍ）３３ （１９８２） ；
ハジメ イシマル（Ｈａｊｉｍｅ Ｉｓｈｉｍａｒｕ）
等、「超高真空用のアルミフランジ及びアルミシールを
備えたベータ可能なアルミ真空室及びベローズ（Ｂａｋ
ａｂｌｅ ＡＩｕｍｉｎｕｎ＋Ｖａｃｕｕｍ Ｃｈａｍ
ｂｅｒ ａｎｄ Ｂｅｌｌｏｗｓ ｗｉｔｈ ａｎ Ａ
ｌｕｎｉｎｕｍＦｌａｎｇｅ ａｎｄ Ａｌｕｍｉｎｕ
ｍ ５ｅａｌ ｆ６ｒ Ｕｌｔｒａ ＨｉｇｈＶａｃｕ
ｕｍ）Ｊ 、２６１ Ｅ Ｅ Ｅ核科学に関する会報４
０００ （１９７９）；フレミング（Ｒ，Ｂ、 ｈｅｍ
−ｉｎｇ）等、［トカマク融合試験反応炉に関する非円
形大孔用のベータ可能シールの開発（Ｄｅｖｅｌｏｐｍ
ｅｎｔｏｆ Ｂａｋａｂｌｅ ５ｅａｌｓ ｆｏｒ Ｌ
ａｒｇｅ Ｎｏｎ−Ｃ１ｒｃｕｌｅｒ Ｐｏｒｔｏｎ
Ｔｏｋａｍａｋ Ｆｕｓｉｏｎ Ｔｅ５ｔ Ｒｅａｃｔ
ｏｒ）Ｊ、１７真空科学・技術ジャーナル（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ） ３３７ （１９８０）
；ハジメイシマル（Ｈａｊｉｍｅ ［ｓｈｉｍａｒｕ）
等、「超高真空用のアルミフランジとアルミシールを備
えたベータ可能なアルミ真空室及びベローズ（Ｂａｋａ
ｂｌｅ ＡＩｕｍｉｎｕｍＶａｃｕｕｍ Ｃｈａｍｂｅ
ｒ ａｎｄ Ｂｅｌｌｏｗｓ ｗｉｔｈ ａｎ Ａｌｕ
ｎｉｎｕｍＦｌａｎｇｅ ａｎｄ Ａｌｕｍｉｎｕ
ｍ ５ｅａｌ ｆｏｒ ［ｌ１ｔｒａ Ｈ４ｇ
ｈＶａｃｕｕｍ）Ｊ １５真空科学・技術ジャーナル（
Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ） 、１８５３（１９７
８）。本出願人は、当初かかるシールは比較的高い温度
（例えば６００’Ｆ）で大きい圧力差に耐えると共に真
空シールを維持する能力があるために市販されたが、そ
のようなシールが迅速に変化する温度環境内で異なる２
金属間に真空シールを与えることは示唆されておらず、
また特に真空処理システムにおける迅速な熱処理のため
の真空シールを与えることも示唆されていない。
るように、（例えば６００°Ｆの温度で周期的にベータ
アウトされる）超高真空システムでの使用が示唆されて
いる。■、サカイ（１゜３ａｋａｉ）等、「弾性金属ガ
スケット ”ヘリコツレックス°の密閉概念（Ｓｅａｌ
ｉｎｇ Ｃｏｎｃｅｐｔ ｏｆ ＥｌａｓｔｉｃＭｅｔ
ａｌ Ｇａ５ｋｅｔ ’Ｈｅ１ｉｃｏｆｌｅｘ’） Ｊ
、３２真空（Ｖａｃｕｕｍ）３３ （１９８２） ；
ハジメ イシマル（Ｈａｊｉｍｅ Ｉｓｈｉｍａｒｕ）
等、「超高真空用のアルミフランジ及びアルミシールを
備えたベータ可能なアルミ真空室及びベローズ（Ｂａｋ
ａｂｌｅ ＡＩｕｍｉｎｕｎ＋Ｖａｃｕｕｍ Ｃｈａｍ
ｂｅｒ ａｎｄ Ｂｅｌｌｏｗｓ ｗｉｔｈ ａｎ Ａ
ｌｕｎｉｎｕｍＦｌａｎｇｅ ａｎｄ Ａｌｕｍｉｎｕ
ｍ ５ｅａｌ ｆ６ｒ Ｕｌｔｒａ ＨｉｇｈＶａｃｕ
ｕｍ）Ｊ 、２６１ Ｅ Ｅ Ｅ核科学に関する会報４
０００ （１９７９）；フレミング（Ｒ，Ｂ、 ｈｅｍ
−ｉｎｇ）等、［トカマク融合試験反応炉に関する非円
形大孔用のベータ可能シールの開発（Ｄｅｖｅｌｏｐｍ
ｅｎｔｏｆ Ｂａｋａｂｌｅ ５ｅａｌｓ ｆｏｒ Ｌ
ａｒｇｅ Ｎｏｎ−Ｃ１ｒｃｕｌｅｒ Ｐｏｒｔｏｎ
Ｔｏｋａｍａｋ Ｆｕｓｉｏｎ Ｔｅ５ｔ Ｒｅａｃｔ
ｏｒ）Ｊ、１７真空科学・技術ジャーナル（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ） ３３７ （１９８０）
；ハジメイシマル（Ｈａｊｉｍｅ ［ｓｈｉｍａｒｕ）
等、「超高真空用のアルミフランジとアルミシールを備
えたベータ可能なアルミ真空室及びベローズ（Ｂａｋａ
ｂｌｅ ＡＩｕｍｉｎｕｍＶａｃｕｕｍ Ｃｈａｍｂｅ
ｒ ａｎｄ Ｂｅｌｌｏｗｓ ｗｉｔｈ ａｎ Ａｌｕ
ｎｉｎｕｍＦｌａｎｇｅ ａｎｄ Ａｌｕｍｉｎｕ
ｍ ５ｅａｌ ｆｏｒ ［ｌ１ｔｒａ Ｈ４ｇ
ｈＶａｃｕｕｍ）Ｊ １５真空科学・技術ジャーナル（
Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ） 、１８５３（１９７
８）。本出願人は、当初かかるシールは比較的高い温度
（例えば６００’Ｆ）で大きい圧力差に耐えると共に真
空シールを維持する能力があるために市販されたが、そ
のようなシールが迅速に変化する温度環境内で異なる２
金属間に真空シールを与えることは示唆されておらず、
また特に真空処理システムにおける迅速な熱処理のため
の真空シールを与えることも示唆されていない。
但し出願人の実験によれば、エラストマシール材が放射
加熱にさらされない限り、一般にはエラストマシールが
良好に機能することが示されている。
加熱にさらされない限り、一般にはエラストマシールが
良好に機能することが示されている。
前述したように、一般に使われる電力レベル（１２〜５
０ｋＷの白熱灯電力）は金被覆したアルミ製の反射器で
も素速く溶かしてしまうほどなので、放射加熱モジュー
ルは冷却通路を含んでいる。しかし第２２図は、この点
が間接的に達成される別の構造を示す。反射器３６０の
一部が冷却通路を含んでいないので、この実施例の放射
加熱モジュールの命中は冷却通路を含むものより小さい
。冷却は反射器３６０の側壁サイズを、放射加熱モジュ
ールが冷却通路３６４を含むハウジング組体３６２の内
径内にスリップ嵌合せされるように選ぶことによって達
成される。つまり、白熱灯の電源がオンされると、反射
器３６０が加熱し、その側壁がハウジング組立体３６２
と良好に接触するまで膨張する。しかしこの接触時点で
、ハウジング組立体３６２への熱伝導が効率的な冷却を
与えるので、反射器３６０の加熱は固有に自己制限され
る。放射加熱モジュールのベース３３６は内部に冷却通
路（図示せず）を有するが、これらの通路とその接続は
加熱モジュールの命中を増大しない。つまり、第２２図
に示した例は、は＼゛２５．４ｃｍ（１０インチ）巾の
放射熱源を与える一方で、標準的な２５．４ｃｍ（１０
インチ）真空フランジ内に嵌合する加熱モジュールを与
える。勿論坐りの深さは、背後に頂部室２１８が位置す
る透明真空壁２３８を通じて効率的な放射結合が得られ
るように選ばれる。強化された真空フランジの適合性に
よって、この実施例は超高真空処理ステーション（つま
り１０−９Ｔｏｒｒ以下の圧力で作動するプロセスモジ
ュール）と組合せて用いるのに特に有利である。
０ｋＷの白熱灯電力）は金被覆したアルミ製の反射器で
も素速く溶かしてしまうほどなので、放射加熱モジュー
ルは冷却通路を含んでいる。しかし第２２図は、この点
が間接的に達成される別の構造を示す。反射器３６０の
一部が冷却通路を含んでいないので、この実施例の放射
加熱モジュールの命中は冷却通路を含むものより小さい
。冷却は反射器３６０の側壁サイズを、放射加熱モジュ
ールが冷却通路３６４を含むハウジング組体３６２の内
径内にスリップ嵌合せされるように選ぶことによって達
成される。つまり、白熱灯の電源がオンされると、反射
器３６０が加熱し、その側壁がハウジング組立体３６２
と良好に接触するまで膨張する。しかしこの接触時点で
、ハウジング組立体３６２への熱伝導が効率的な冷却を
与えるので、反射器３６０の加熱は固有に自己制限され
る。放射加熱モジュールのベース３３６は内部に冷却通
路（図示せず）を有するが、これらの通路とその接続は
加熱モジュールの命中を増大しない。つまり、第２２図
に示した例は、は＼゛２５．４ｃｍ（１０インチ）巾の
放射熱源を与える一方で、標準的な２５．４ｃｍ（１０
インチ）真空フランジ内に嵌合する加熱モジュールを与
える。勿論坐りの深さは、背後に頂部室２１８が位置す
る透明真空壁２３８を通じて効率的な放射結合が得られ
るように選ばれる。強化された真空フランジの適合性に
よって、この実施例は超高真空処理ステーション（つま
り１０−９Ｔｏｒｒ以下の圧力で作動するプロセスモジ
ュール）と組合せて用いるのに特に有利である。
第２２図に示した処理モジュールは、内部の遠隔マイク
ロ波プラズマ発生、ＲＦ近接プラズマの発生、及びモジ
ュール内の同じ処理室に加えられる放射熱用の別々のエ
ネルギー源を有する。各エネルギー源は単独に、または
任意の組合せで別々に制御可能である。この処理モジュ
ールは、その場の乾燥清掃、高温天然酸化物の除去、放
射熱を用いた強化膜被着を与える。また、放射熱と組合
された遠隔プラズマ源による低温でのエビタキャル膜成
長も可能である。更に、その場のＲＦと遠隔プラズマの
組合せを用いることによって、等方性及び異方性処理を
含む乾燥も可能である。前エツチング、エツチング及び
後エツチングの各処理、直接反応及び／又は迅速熱処理
も実施できる。このため、処理モジュールはウェハを移
動せずに、幾つかの異なる処理を逐次実施可能である。
ロ波プラズマ発生、ＲＦ近接プラズマの発生、及びモジ
ュール内の同じ処理室に加えられる放射熱用の別々のエ
ネルギー源を有する。各エネルギー源は単独に、または
任意の組合せで別々に制御可能である。この処理モジュ
ールは、その場の乾燥清掃、高温天然酸化物の除去、放
射熱を用いた強化膜被着を与える。また、放射熱と組合
された遠隔プラズマ源による低温でのエビタキャル膜成
長も可能である。更に、その場のＲＦと遠隔プラズマの
組合せを用いることによって、等方性及び異方性処理を
含む乾燥も可能である。前エツチング、エツチング及び
後エツチングの各処理、直接反応及び／又は迅速熱処理
も実施できる。このため、処理モジュールはウェハを移
動せずに、幾つかの異なる処理を逐次実施可能である。
第２３図の実施例では、ウェハ４８が透明真空壁２３８
の下方に示してあり、壁２３８はその上方に少し離れて
位置する。壁２３８に近いウェハ２３８の面にガスを供
給するために、浄化ガスライン３５２が設けられている
。ウェハ４８、壁２３８及び加熱モジュールの構成は、
第２１Ａ及び２１Ｂ図に示したのと同様である。但し第
２３図では、壁２３８とウェハ４８の間にシリコン電極
６７０が設けられている。直接加熱されるのはこのシリ
コン電極であり、ウェハは熱伝導によって加熱される。
の下方に示してあり、壁２３８はその上方に少し離れて
位置する。壁２３８に近いウェハ２３８の面にガスを供
給するために、浄化ガスライン３５２が設けられている
。ウェハ４８、壁２３８及び加熱モジュールの構成は、
第２１Ａ及び２１Ｂ図に示したのと同様である。但し第
２３図では、壁２３８とウェハ４８の間にシリコン電極
６７０が設けられている。直接加熱されるのはこのシリ
コン電極であり、ウェハは熱伝導によって加熱される。
シリコン電極６７０はそのエツジ周囲で、ＲＦ導体リン
グ６７２に接続されている。
グ６７２に接続されている。
ウェハ４８の面５４に近い近接プラズマ用の電圧は、Ｒ
Ｆ導体リング６７２を介してシリコン電極６７０に供給
される。ウェハ４８、シリコン電極６７０、及びＲＦａ
ｔ体リンプリング６フ２電気的に結合されている。第２
３図の処理モジュール６７５は、（第１６図の給送管６
７５等のガス分配器によって与えられる）遠隔プラズマ
と（第１６図の分配器２１２等のガス分配器を介した）
近接プラズマとの両方を発生できる。
Ｆ導体リング６７２を介してシリコン電極６７０に供給
される。ウェハ４８、シリコン電極６７０、及びＲＦａ
ｔ体リンプリング６フ２電気的に結合されている。第２
３図の処理モジュール６７５は、（第１６図の給送管６
７５等のガス分配器によって与えられる）遠隔プラズマ
と（第１６図の分配器２１２等のガス分配器を介した）
近接プラズマとの両方を発生できる。
第２３図は４つの別々のエネルギー源、つまり内部発生
紫外線、遠隔ＭＷ（マイクロ波）プラズマ発生、ＲＦ近
接プラズマ発生、及び放射熱用の各エネルギー源を有す
る。各エネルギー源は個別に制御可能であり、単独にま
たは任意の組合せで使用できる。処理モジュール６７５
は、その場での乾燥清掃を与えられる。また処理モジュ
ール６７５は、高温天然酸化物の除去、紫外線を用いた
強化膜被着、及び放射熱を同時に施すのに使え、あるい
は所望エネルギー源の任意の他の組合せ、例えば放射熱
と遠隔ＭＷ （マイクロ波）プラズマ源との組合せで低
温のエピタキシャル膜成長を行え、あるいは所望エネル
ギー源の任意の他の組合せ、例えば近接ＲＦ及び遠隔Ｍ
Ｗ （マイクロ波）プラズマの組合せで等方性及び異方
性処理を含む乾式エツチングを行え、あるいは所望エネ
ルギー源の任意の他の組合せ、例えば直接反応及び／又
は迅速熱処理で前エツチング、エツチング及び後エツチ
ング処理を行え為。
紫外線、遠隔ＭＷ（マイクロ波）プラズマ発生、ＲＦ近
接プラズマ発生、及び放射熱用の各エネルギー源を有す
る。各エネルギー源は個別に制御可能であり、単独にま
たは任意の組合せで使用できる。処理モジュール６７５
は、その場での乾燥清掃を与えられる。また処理モジュ
ール６７５は、高温天然酸化物の除去、紫外線を用いた
強化膜被着、及び放射熱を同時に施すのに使え、あるい
は所望エネルギー源の任意の他の組合せ、例えば放射熱
と遠隔ＭＷ （マイクロ波）プラズマ源との組合せで低
温のエピタキシャル膜成長を行え、あるいは所望エネル
ギー源の任意の他の組合せ、例えば近接ＲＦ及び遠隔Ｍ
Ｗ （マイクロ波）プラズマの組合せで等方性及び異方
性処理を含む乾式エツチングを行え、あるいは所望エネ
ルギー源の任意の他の組合せ、例えば直接反応及び／又
は迅速熱処理で前エツチング、エツチング及び後エツチ
ング処理を行え為。
第２４図に示す処理モジュール６８０は第２３図の処理
モジュール６７５と同様でか、追加の紫外線光源が含ま
れている。ランプモジュール６８２が透明真空壁２３８
の上方に位置する。ウェハ４８は壁２３８の下方に位置
している。シリコン電極６７０が壁２３８とウェハ４８
との間に位置する。シリコン電極６７０は壁２３８から
離れ、ウェハ４８と接触している。ＲＦ導体リング６７
２がシリコン電極６７０と接触し、頂部室２１２内でウ
ェハ４８の面５４に接触して近接プラズマを形成するた
めのＲＦ電力を供給する。ガス浄化供給管３５２が、前
記と同じ機能を果たす。遠隔プラズマが供給管２５０を
介して与えられる。処理ガス分配器２１２が、ウェハ４
８の面近くに処理ガスを与える。水晶製バッフル２３２
４ま断面がＨ状である。指状部２１４が、ウェハ４８を
シリコン電極６７０に対して支持する。ガス分配器２４
８が紫外線プラズマ空間２２０用のガスを供給する。
モジュール６７５と同様でか、追加の紫外線光源が含ま
れている。ランプモジュール６８２が透明真空壁２３８
の上方に位置する。ウェハ４８は壁２３８の下方に位置
している。シリコン電極６７０が壁２３８とウェハ４８
との間に位置する。シリコン電極６７０は壁２３８から
離れ、ウェハ４８と接触している。ＲＦ導体リング６７
２がシリコン電極６７０と接触し、頂部室２１２内でウ
ェハ４８の面５４に接触して近接プラズマを形成するた
めのＲＦ電力を供給する。ガス浄化供給管３５２が、前
記と同じ機能を果たす。遠隔プラズマが供給管２５０を
介して与えられる。処理ガス分配器２１２が、ウェハ４
８の面近くに処理ガスを与える。水晶製バッフル２３２
４ま断面がＨ状である。指状部２１４が、ウェハ４８を
シリコン電極６７０に対して支持する。ガス分配器２４
８が紫外線プラズマ空間２２０用のガスを供給する。
空間２２０の内外垂直壁に沿ってそれぞれ配置された電
極６８４と６８５が、空間２２０内でのプラズマの形成
に必要な電圧を与える。一般に、モジュール６８０の下
方部はモジュール６２０と同様である。
極６８４と６８５が、空間２２０内でのプラズマの形成
に必要な電圧を与える。一般に、モジュール６８０の下
方部はモジュール６２０と同様である。
好首尾な結果が実証されている１つの処理では、銅をド
ープしたアルミ（Ａｊ！：Ｃｕ）膜、例えば多量に銅を
ドープしたアルミ膜エツチングが可能である。プラズマ
を発生させ、そしてウェハ面でプラズマ衝撃を与えるた
めにＲＦ電力が使われ、供給混合ガスがＢＣｌｌ、塩素
及び炭化水素源（例えばメタン等のアルキル基）を含む
。基礎物質に応じて、低揮発性の残留物を除去するのに
、低圧力での後エツチング段が使える。
ープしたアルミ（Ａｊ！：Ｃｕ）膜、例えば多量に銅を
ドープしたアルミ膜エツチングが可能である。プラズマ
を発生させ、そしてウェハ面でプラズマ衝撃を与えるた
めにＲＦ電力が使われ、供給混合ガスがＢＣｌｌ、塩素
及び炭化水素源（例えばメタン等のアルキル基）を含む
。基礎物質に応じて、低揮発性の残留物を除去するのに
、低圧力での後エツチング段が使える。
上記処理の実例は、好首尾な結果で次のように実証され
ている。最初の構造は、２％の銅でドープされた５００
０人の厚さのアルミ層を含んでいた。初期のガス流は総
圧力１００ミリＴｏｒｒ、印、加ＲＦｔ力レベル３５０
ワットで、単一のウェハ反応器内にＢ Ｃ１３６０ｓｃ
ｃｍ、 Ｃ１２２０ｓｃｃｍ及びＣＨ４５ｓｃｃｍを含
み、ウェハは下向きの姿勢で反応器内に保持された。一
般に、供給電力は３００〜１０００ワツトの間とし得る
。流量がいかに変化可能かの一例として、Ｃβ２はｌＯ
〜ｌＯ１００５ｃの範囲、ＢＣｊ！２は６０〜２５０５
ｃｃｍの範囲、ＣＨ４は０〜１５ｓｃｃｍの範囲内の流
量が可能であった。
ている。最初の構造は、２％の銅でドープされた５００
０人の厚さのアルミ層を含んでいた。初期のガス流は総
圧力１００ミリＴｏｒｒ、印、加ＲＦｔ力レベル３５０
ワットで、単一のウェハ反応器内にＢ Ｃ１３６０ｓｃ
ｃｍ、 Ｃ１２２０ｓｃｃｍ及びＣＨ４５ｓｃｃｍを含
み、ウェハは下向きの姿勢で反応器内に保持された。一
般に、供給電力は３００〜１０００ワツトの間とし得る
。流量がいかに変化可能かの一例として、Ｃβ２はｌＯ
〜ｌＯ１００５ｃの範囲、ＢＣｊ！２は６０〜２５０５
ｃｃｍの範囲、ＣＨ４は０〜１５ｓｃｃｍの範囲内の流
量が可能であった。
第１の実施例では、上記の条件で酸化物上のＡｊ７：Ｃ
ｕがきれいに除去されることが判明した。第２の実施例
では、タングステン上の銅をドープしてアルミ膜を上記
の条件でエツチングしたところ、一部の銅残留物が残る
ことが判明した。この第２の実施例では、総圧力４０ミ
リＴｏｒｒ、印加ＲＦ電力レベル２５０ワットで、ガス
流をＢＣｊ！＋９０ｓｃｃｍとＣｊ！ｚ １５ｓｃｃ
ｍに変更した後エツチングを１２０秒間用いた。得られ
た構造は、はソ垂直にエツチングされた側壁、はとんど
ないか皆無のライン巾腐食、及びフォトレジストに対す
るはｙ゛２．５対１の選択性を示し、（＃４残留物の全
くない）きれいな表面を残した。
ｕがきれいに除去されることが判明した。第２の実施例
では、タングステン上の銅をドープしてアルミ膜を上記
の条件でエツチングしたところ、一部の銅残留物が残る
ことが判明した。この第２の実施例では、総圧力４０ミ
リＴｏｒｒ、印加ＲＦ電力レベル２５０ワットで、ガス
流をＢＣｊ！＋９０ｓｃｃｍとＣｊ！ｚ １５ｓｃｃ
ｍに変更した後エツチングを１２０秒間用いた。得られ
た構造は、はソ垂直にエツチングされた側壁、はとんど
ないか皆無のライン巾腐食、及びフォトレジストに対す
るはｙ゛２．５対１の選択性を示し、（＃４残留物の全
くない）きれいな表面を残した。
この実施例は大きな利点をもたらすが、別の実施例は更
に他の利点を与える。使用する反応器は第２３及び２４
図と同様、放射加熱とプラズマ衝撃の両方をウェハ面に
施せるものである。エツチング中、ウェハを（例えば）
約２００℃に加熱し、銅在留物がそこに留まるのを防ぐ
。
に他の利点を与える。使用する反応器は第２３及び２４
図と同様、放射加熱とプラズマ衝撃の両方をウェハ面に
施せるものである。エツチング中、ウェハを（例えば）
約２００℃に加熱し、銅在留物がそこに留まるのを防ぐ
。
この実施例における放射加熱能力の別のを利な使用例は
、残留物の室壁からの除去を高めることである。例えば
、ウェハの取出後、サセプタを処理温度（７００℃等）
より著しく高い温度へ加熱することによって、非常に効
率的な室の清掃を行える。処理室は極めて小さいので、
室壁は全て放射熱の伝達によって、少なくとも幾らかサ
セプタと熱的に結合される。プラズマ内に非常に活性の
解離生成物を生じる供給ガスを流入し、高温と活性種と
の組合せで残留物を極めて迅速に除去することもできる
。適切な供給ガスには、ＢＣｌ３等の塩素源やＳＦ６等
のフッ素源が含まれる。
、残留物の室壁からの除去を高めることである。例えば
、ウェハの取出後、サセプタを処理温度（７００℃等）
より著しく高い温度へ加熱することによって、非常に効
率的な室の清掃を行える。処理室は極めて小さいので、
室壁は全て放射熱の伝達によって、少なくとも幾らかサ
セプタと熱的に結合される。プラズマ内に非常に活性の
解離生成物を生じる供給ガスを流入し、高温と活性種と
の組合せで残留物を極めて迅速に除去することもできる
。適切な供給ガスには、ＢＣｌ３等の塩素源やＳＦ６等
のフッ素源が含まれる。
別の実施例では、処理中ウェハを例えば数百度の温度へ
加熱するのに放射加熱が使われる。この処理は、ウェハ
上に銅残留物を残すことなく、多量の銅をドープしたア
ルミ （例えば２％銅）の迅速なエツチングを可能とす
る。清掃作業では、酸素も使わねばならないことがある
。
加熱するのに放射加熱が使われる。この処理は、ウェハ
上に銅残留物を残すことなく、多量の銅をドープしたア
ルミ （例えば２％銅）の迅速なエツチングを可能とす
る。清掃作業では、酸素も使わねばならないことがある
。
第２５Ａ図は、フォトレジストのエツジビード除去及び
フォトレジストの同時ベーキングを行うエツジ優先処理
用モジュールの全体図を示すが、こ＼に記す概念は他の
処理工程を達成するシステムにも適用できる。第２５Ａ
図は処理モジュール６９０を示し。この処理モジュール
６９０は、この実施例では水晶型の出口管２５６によっ
て、前述のごとく処理ガス流内に活性化種を発生する遠
隔プラズマ室２５４に接続されている。ウェハのエツジ
における反応速度を増加させるため、円錐状のバッフル
４００が使われている。チャネル形成用のパンフル４０
０と支持体６９２は断面が■状である。管２５６に接続
された供給管２５０からのガスが、バッフル４００と支
持体６９２との間に形成されたチャネルによって上方且
つ外側に差し向けられる。このガスは、ウェハ４８の外
周４９近くでチャネルを出る。ウェハ４８は、その円錐
状先端が下を向いたパフフルの頂部と透明な真空壁２３
８との間に位置する。加熱モジュール６９４が壁２３８
の上方に位置している。
フォトレジストの同時ベーキングを行うエツジ優先処理
用モジュールの全体図を示すが、こ＼に記す概念は他の
処理工程を達成するシステムにも適用できる。第２５Ａ
図は処理モジュール６９０を示し。この処理モジュール
６９０は、この実施例では水晶型の出口管２５６によっ
て、前述のごとく処理ガス流内に活性化種を発生する遠
隔プラズマ室２５４に接続されている。ウェハのエツジ
における反応速度を増加させるため、円錐状のバッフル
４００が使われている。チャネル形成用のパンフル４０
０と支持体６９２は断面が■状である。管２５６に接続
された供給管２５０からのガスが、バッフル４００と支
持体６９２との間に形成されたチャネルによって上方且
つ外側に差し向けられる。このガスは、ウェハ４８の外
周４９近くでチャネルを出る。ウェハ４８は、その円錐
状先端が下を向いたパフフルの頂部と透明な真空壁２３
８との間に位置する。加熱モジュール６９４が壁２３８
の上方に位置している。
第２５Ｂ図は、第２５Ａ図とはソ′同様な処理モジュー
ル６９５の詳細図を示す。これら再実施例の相違は主に
次の点にある。第２５Ａ図では、透明真空壁２３８を介
してウェハを照射するか、あるいはウェハを押しつける
シリコンサセプタを照射する放射加熱モジュールによっ
て、ウェハが加熱され、一方第２５Ｂ図では、ウェハは
単に抵抗加熱サセプタ２５２である。
ル６９５の詳細図を示す。これら再実施例の相違は主に
次の点にある。第２５Ａ図では、透明真空壁２３８を介
してウェハを照射するか、あるいはウェハを押しつける
シリコンサセプタを照射する放射加熱モジュールによっ
て、ウェハが加熱され、一方第２５Ｂ図では、ウェハは
単に抵抗加熱サセプタ２５２である。
第２５Ｂ図では、遠隔プラズマ室２５４（第２５Ａ図）
からの活性化種のガス流が、漏斗状ガス分配器４１６と
供給管２５０との間の（第９図に示したのと同様な）ス
リップ嵌合せ継手２５８によって漏斗状ガス分配器４１
６に接続されいる。
からの活性化種のガス流が、漏斗状ガス分配器４１６と
供給管２５０との間の（第９図に示したのと同様な）ス
リップ嵌合せ継手２５８によって漏斗状ガス分配器４１
６に接続されいる。
スリップ嵌合せ継手２５８は、こ＼に開示する各種モジ
ュールの処理室を開閉する処理モジュール２９５の上下
動を許容するために設けられている。
ュールの処理室を開閉する処理モジュール２９５の上下
動を許容するために設けられている。
管２５６の延出部からなる供給管２５０は前述のごとく
、反応器の開閉につれて移動しない水晶管とし得る。ベ
ローズ４１４がスリップ嵌合せ継手を取り囲み、粒子を
持ち込む恐れのある何らの摺動継手も必要とせず有効に
気密状態を得ている。
、反応器の開閉につれて移動しない水晶管とし得る。ベ
ローズ４１４がスリップ嵌合せ継手を取り囲み、粒子を
持ち込む恐れのある何らの摺動継手も必要とせず有効に
気密状態を得ている。
しかし、第１４図に示したように排気空間へ通気された
だけのスリップ嵌合せ継手を代りに用いることもできる
。
だけのスリップ嵌合せ継手を代りに用いることもできる
。
はソ円錐状バッフル４００は、小突起（図示せず）によ
って漏斗状ガス分配器４１６内に支持され、約１１１の
厚さのチャネル、つまり流路４０８を定める。漏斗状ガ
ス分配器４１６上に取り付けられたバネピン４０６が、
ウェハ４８を加熱サセプタ２５２に対して保持する。こ
のサセプタ２５２はウェハ４８の外周４９に沿って深さ
約１．２７ ｃｍ（０，５インチ）の凹部４１２を含む
ように形成されるのが好ましい。この凹部４１２が背面
ビードの除去を容易とする。フォトレジストがスピン塗
布（すなわち回転するウェハ上に液として被着）された
とき、フォトレジストが背面領域のほとんどに被覆され
ないとしても、得られるエツジビードは通常ウェハの全
エツジの周囲に延びる。そしてこの背面ビードの除去は
エツジビード除去用の乾式処理法では著しく困難である
。サセプタの凹部４１２を取り囲むリング状の突起４０
４が、ウェハの外周４９近くにおける活性化種の滞留時
間を更に高める。このエツジビードが、取扱及び処理中
における粒子源となる。
って漏斗状ガス分配器４１６内に支持され、約１１１の
厚さのチャネル、つまり流路４０８を定める。漏斗状ガ
ス分配器４１６上に取り付けられたバネピン４０６が、
ウェハ４８を加熱サセプタ２５２に対して保持する。こ
のサセプタ２５２はウェハ４８の外周４９に沿って深さ
約１．２７ ｃｍ（０，５インチ）の凹部４１２を含む
ように形成されるのが好ましい。この凹部４１２が背面
ビードの除去を容易とする。フォトレジストがスピン塗
布（すなわち回転するウェハ上に液として被着）された
とき、フォトレジストが背面領域のほとんどに被覆され
ないとしても、得られるエツジビードは通常ウェハの全
エツジの周囲に延びる。そしてこの背面ビードの除去は
エツジビード除去用の乾式処理法では著しく困難である
。サセプタの凹部４１２を取り囲むリング状の突起４０
４が、ウェハの外周４９近くにおける活性化種の滞留時
間を更に高める。このエツジビードが、取扱及び処理中
における粒子源となる。
温度の選択は、フォトレジストの種類及び（ベーキング
されたまたはベーキングされない）状態によって決まる
。温度が高いほど速度が速まる。
されたまたはベーキングされない）状態によって決まる
。温度が高いほど速度が速まる。
しかし、処理の化学作用を変えることで、低温の処理を
著しく補償できる。通常のパターン形成されたベーキン
グされないレジスト膜を処理する場合、この作業用の最
大温度は１００℃であることが判明した。この温度より
高いと、フォトレジストが流動し始め、パターンの輪郭
限定を壊してしまう。
著しく補償できる。通常のパターン形成されたベーキン
グされないレジスト膜を処理する場合、この作業用の最
大温度は１００℃であることが判明した。この温度より
高いと、フォトレジストが流動し始め、パターンの輪郭
限定を壊してしまう。
円錐状バッフル４００の平坦面つまりベース面４２０は
、処理作業中ウェハ４８に近接して保持される。円錐状
バッフル４００のベース面４２０の半径は、ウェハ４８
の半径より約１鶴小さい。
、処理作業中ウェハ４８に近接して保持される。円錐状
バッフル４００のベース面４２０の半径は、ウェハ４８
の半径より約１鶴小さい。
円錐状バッフル４００は通常、その平坦なベース面４２
０を除き、全表面が強度に陽極酸化されたアルミで作製
される。この平坦なベース面４２０は、平坦ベース面４
２０のエツジを通り越して拡散し、従ってウェハ４８の
より中心部のレジスト材料を侵食する恐れのあるゲッタ
活性化種を手助けするのに充分な反応性を有する。
０を除き、全表面が強度に陽極酸化されたアルミで作製
される。この平坦なベース面４２０は、平坦ベース面４
２０のエツジを通り越して拡散し、従ってウェハ４８の
より中心部のレジスト材料を侵食する恐れのあるゲッタ
活性化種を手助けするのに充分な反応性を有する。
天然酸化物が存在する場合でも、そのアルミニウム面は
分配器の越えて拡散しようとするオゾンや単原子酸素等
の酸化種を取り除くのに充分な能力を有するので、作業
のエツジ優先選択性が改善される。
分配器の越えて拡散しようとするオゾンや単原子酸素等
の酸化種を取り除くのに充分な能力を有するので、作業
のエツジ優先選択性が改善される。
エツジ選択性は更に、通気ライン４０２を介して接続管
４１０に供給される浄化ガスを吹き込むことによって高
められ、そしてこの通気ライン４０２は、円錐状パンフ
ル４００を貫いて延び、円錐状パンフル４００のベース
面４２０とウェハ面５４との間の狭いスペース（例えば
約１１の高さ）の出口を形成している。
４１０に供給される浄化ガスを吹き込むことによって高
められ、そしてこの通気ライン４０２は、円錐状パンフ
ル４００を貫いて延び、円錐状パンフル４００のベース
面４２０とウェハ面５４との間の狭いスペース（例えば
約１１の高さ）の出口を形成している。
反応速度を早めるため、サセプタ２５２は少なくとも１
００℃の温度に加熱される。通常のレジスト材料では１
２０〜１３０℃の温度が有効だが、温度の選択は特定の
処理条件に依存する。例えば、より高い再流動温度を有
するレジスト材料が一般により高い温度を可能とする。
００℃の温度に加熱される。通常のレジスト材料では１
２０〜１３０℃の温度が有効だが、温度の選択は特定の
処理条件に依存する。例えば、より高い再流動温度を有
するレジスト材料が一般により高い温度を可能とする。
エツジビードの除去は、ある処理においては、灰化でウ
ェハ面のほとんどからレジストを除去した後に実施され
る工程として有用なこともあり、またレジストの全面除
去が所望の目的で、特にレジストの残部が除去された後
も留まっている厄介なエツジビードの場合には、第２５
Ｂ図の構造を３００℃等もっと高い温度でも任意選択と
して作動し得る。
ェハ面のほとんどからレジストを除去した後に実施され
る工程として有用なこともあり、またレジストの全面除
去が所望の目的で、特にレジストの残部が除去された後
も留まっている厄介なエツジビードの場合には、第２５
Ｂ図の構造を３００℃等もっと高い温度でも任意選択と
して作動し得る。
フォトレジストのエツジビード除去を好首尾な結果で実
証した実際の処理例を次に示す。第２５Ｂ図に示したの
と同様な構成の反応器内で、サセプタ２５２を１００℃
に保ちながら、ｏ、１０００ｓｃｃｌｌＩとＨｚ ２０
０ｓｃｃｍから成り総圧力Ｉ Ｔｏｒｒの処理ガス流を
、ウェハより上方側の４００Ｗのマイクロ波放電によっ
て活性化した。この処理例では１２０秒間で、２ミクロ
ンの厚さのレジスト被覆のスピンの形成で生じたエツジ
ビード（推定約３ミクロンの厚さ）が首尾よく除去され
た。この時間中に加えられた熱は、フォトレジスト処理
において有用な工程として周知な“軟ベーキングも達成
した。
証した実際の処理例を次に示す。第２５Ｂ図に示したの
と同様な構成の反応器内で、サセプタ２５２を１００℃
に保ちながら、ｏ、１０００ｓｃｃｌｌＩとＨｚ ２０
０ｓｃｃｍから成り総圧力Ｉ Ｔｏｒｒの処理ガス流を
、ウェハより上方側の４００Ｗのマイクロ波放電によっ
て活性化した。この処理例では１２０秒間で、２ミクロ
ンの厚さのレジスト被覆のスピンの形成で生じたエツジ
ビード（推定約３ミクロンの厚さ）が首尾よく除去され
た。この時間中に加えられた熱は、フォトレジスト処理
において有用な工程として周知な“軟ベーキングも達成
した。
第２６Ａ図は、ウェハ４８をその場で清掃する単一ウニ
バスバッタリングシステムの実施例を示す。このウェハ
スパッタリングシステムは、前記した何れの実施例とも
異なり、ウェハ４８の下方の頂部室２１８の他に、ウェ
ハの上方の処理空間４３０を含む。頂部室２１８がその
場での清掃用に使われ、上方処理空間４３０がスパッタ
ー被着用に使われるが、このシステム能力の他の使い方
も可能である。
バスバッタリングシステムの実施例を示す。このウェハ
スパッタリングシステムは、前記した何れの実施例とも
異なり、ウェハ４８の下方の頂部室２１８の他に、ウェ
ハの上方の処理空間４３０を含む。頂部室２１８がその
場での清掃用に使われ、上方処理空間４３０がスパッタ
ー被着用に使われるが、このシステム能力の他の使い方
も可能である。
またこの実施例は、使われるウェハ移送の点てもや一異
なる。ウェハ移送アーム２８は、３本の支持指状部２１
４（第１２図）のように、下方から機械的に支持された
３本の支持指状部２１４（そのうち２本だけが第２６Ｂ
及び２６Ｃ図に示しである）上に下向きにしてウェハ４
８を置く。
なる。ウェハ移送アーム２８は、３本の支持指状部２１
４（第１２図）のように、下方から機械的に支持された
３本の支持指状部２１４（そのうち２本だけが第２６Ｂ
及び２６Ｃ図に示しである）上に下向きにしてウェハ４
８を置く。
図中ウェハ４８は、前述したようにアーム２８によって
指状部２１４上に置かれている。次に、ウェハ４８がサ
セプタ４３８に接触するまで指状部２１４を上方向に移
動した後、室が閉じられる。
指状部２１４上に置かれている。次に、ウェハ４８がサ
セプタ４３８に接触するまで指状部２１４を上方向に移
動した後、室が閉じられる。
サセプタ４３８と室２１８の（第２６Ｂ図に示したよう
な）垂直外壁９１３の頂部との間に、１つ以上のシール
９１１が位置する。所望ならこ＼で、頂部室２１８ （
第２６Ａ図）内において処理工程を実行できる。３本の
指状部４４０（そのうち２本だけが第２６Ｂ及び２６Ｃ
図に示されている）が、旋回可能なサセプタ４３８の周
囲から（第２６Ｂ図に示すように）下方に延びている。
な）垂直外壁９１３の頂部との間に、１つ以上のシール
９１１が位置する。所望ならこ＼で、頂部室２１８ （
第２６Ａ図）内において処理工程を実行できる。３本の
指状部４４０（そのうち２本だけが第２６Ｂ及び２６Ｃ
図に示されている）が、旋回可能なサセプタ４３８の周
囲から（第２６Ｂ図に示すように）下方に延びている。
指状部４４０上記の代りに、サセプタ４３８を貫いて延
びてもよい。指状部２１４と４４０は同じ垂直軸を中心
に１２０度の間隔で離間されるが、その軸を中心として
相互にずらされている。モータまたはソレノイド９１０
が付勢されると、指状部４４０は、垂直軸に沿って上方
向に移動し、外周４９に近い位置でウェハ４８と係合す
る。ウェハ４８の面５４は下向きであり、そして指状部
４４０は面５４とその外周４９近くで係合する。
びてもよい。指状部２１４と４４０は同じ垂直軸を中心
に１２０度の間隔で離間されるが、その軸を中心として
相互にずらされている。モータまたはソレノイド９１０
が付勢されると、指状部４４０は、垂直軸に沿って上方
向に移動し、外周４９に近い位置でウェハ４８と係合す
る。ウェハ４８の面５４は下向きであり、そして指状部
４４０は面５４とその外周４９近くで係合する。
支持体９１２（第２６Ｂ及び２６Ｃ図）がサセプタ４３
８と別のモータ９２０ （第２６Ａ図）とに取り付けら
れている。モータ９２０は処理モジュール９１４の外側
に取り付けられ、真空シール９２２（第２６Ａ図）を介
して支持体９１２に接続されている。つまり、支持体９
１２は、処理モジュール９１４（第２６Ａ図）の全体的
支持構造へ回転可能に取り付けられ、そして軸９１６（
第２６Ａ図）を中心に回転する。第２６Ｂ図に示すよう
に軸９１６を中心に反時計方向に回転すると、支持９１
２は第２６Ｂ図に示した位置から９０度ずれた第２６Ｃ
図に示す位置へと移動する。サセプタ４３８、ソレノイ
ド９１０及びウェハ４８も同様に回転される。シャッタ
９１８は第２６Ｂ図では閉位置、第２６Ｃ及び２６Ａ図
では開位置にあるものとして示されている。シャッタ９
１８はモータ９２４（第２６Ａ図）によって、その開位
置及び閉位置間で回転される。モータ９２４は、処理モ
ジュール９１４の外側に取り付けられ、真空シール９２
６を介してシャッタ９１８に接続されている。
８と別のモータ９２０ （第２６Ａ図）とに取り付けら
れている。モータ９２０は処理モジュール９１４の外側
に取り付けられ、真空シール９２２（第２６Ａ図）を介
して支持体９１２に接続されている。つまり、支持体９
１２は、処理モジュール９１４（第２６Ａ図）の全体的
支持構造へ回転可能に取り付けられ、そして軸９１６（
第２６Ａ図）を中心に回転する。第２６Ｂ図に示すよう
に軸９１６を中心に反時計方向に回転すると、支持９１
２は第２６Ｂ図に示した位置から９０度ずれた第２６Ｃ
図に示す位置へと移動する。サセプタ４３８、ソレノイ
ド９１０及びウェハ４８も同様に回転される。シャッタ
９１８は第２６Ｂ図では閉位置、第２６Ｃ及び２６Ａ図
では開位置にあるものとして示されている。シャッタ９
１８はモータ９２４（第２６Ａ図）によって、その開位
置及び閉位置間で回転される。モータ９２４は、処理モ
ジュール９１４の外側に取り付けられ、真空シール９２
６を介してシャッタ９１８に接続されている。
ウェハがアーム２８で指状部２１４上に移され、そして
アーム２８が後退した後、指状部２１４は上方向に移動
されウェハ４８をサセプタ４３８に対してクランプする
。これが第２６Ｂ図に示た状態である。ウェハが第２６
Ｂ図に示す水平位置にある間、例えば遠隔プラズマを介
してＣＦ４と０、の混合ガスを流し、そしてまたウェハ
面から離れたプラズマからその場での紫外線照射を任意
に与えることによって、前述のごとく清掃作業を実施で
きる。
アーム２８が後退した後、指状部２１４は上方向に移動
されウェハ４８をサセプタ４３８に対してクランプする
。これが第２６Ｂ図に示た状態である。ウェハが第２６
Ｂ図に示す水平位置にある間、例えば遠隔プラズマを介
してＣＦ４と０、の混合ガスを流し、そしてまたウェハ
面から離れたプラズマからその場での紫外線照射を任意
に与えることによって、前述のごとく清掃作業を実施で
きる。
上記の作業後、指状部４４０は、上方向に移動され、そ
してウェハをサセプタ４３８に対してクランプする。次
いで指状部２１４は下げられ、そして頂部室２１８が開
けられる。サセプタ４３８は、第２６Ｂ図に示すはＸ′
水平位置から第２６Ｃ図に示すはソ゛垂直位置へ、モー
タ９２０（第２６Ａ図）によって反時計方向に回転され
る。モータ９２０でサセプタ４３８を旋回することによ
って、ウェハ４８が処理空間４３０内−に移される。ウ
ェハ４８が第２６Ｃ図に示すように上方すなわち垂直位
置にきた後、例えば旋回可能サセプタ４３８が旋回する
軸と直交する別の軸を中心に旋回可能なシャッタ９１８
が、頂部室２１８からの隔離を保証するのに使われる。
してウェハをサセプタ４３８に対してクランプする。次
いで指状部２１４は下げられ、そして頂部室２１８が開
けられる。サセプタ４３８は、第２６Ｂ図に示すはＸ′
水平位置から第２６Ｃ図に示すはソ゛垂直位置へ、モー
タ９２０（第２６Ａ図）によって反時計方向に回転され
る。モータ９２０でサセプタ４３８を旋回することによ
って、ウェハ４８が処理空間４３０内−に移される。ウ
ェハ４８が第２６Ｃ図に示すように上方すなわち垂直位
置にきた後、例えば旋回可能サセプタ４３８が旋回する
軸と直交する別の軸を中心に旋回可能なシャッタ９１８
が、頂部室２１８からの隔離を保証するのに使われる。
ウェハ４８が第２６Ｃ図に示す垂直位置に回転された後
、シャッタ９１８が第２６Ｂ図に示す閉位置にある状態
で、スパンタモジュール９３０が時間的に電力供給され
、シャッタ９１８にスパッタリングを施すことによって
ターゲットを清掃する。次いで、シャッタ９１８を第２
６Ｃ図に示す開位置に後退させる。スパッタ被着は、は
ｙ′通常の条件下で行われる。その後、上方室を１００
ｍＴｏｒｒより低い圧力（例えば３ Ｑ ｍＴｏｒｒ）
に保ち、シャッタ９１８を回転してスパッタターゲット
４３２を露出させ、そして陰極４３６ （第２６Ａ図）
とスパッタターゲット４３２との間に１００ＯＶの電位
を印加する。被着効率を高めるため、ウェハ４８とスパ
ッタターゲット４３２との間に小バイアス（例えば２０
０Ｖ）を加えることもできる。
、シャッタ９１８が第２６Ｂ図に示す閉位置にある状態
で、スパンタモジュール９３０が時間的に電力供給され
、シャッタ９１８にスパッタリングを施すことによって
ターゲットを清掃する。次いで、シャッタ９１８を第２
６Ｃ図に示す開位置に後退させる。スパッタ被着は、は
ｙ′通常の条件下で行われる。その後、上方室を１００
ｍＴｏｒｒより低い圧力（例えば３ Ｑ ｍＴｏｒｒ）
に保ち、シャッタ９１８を回転してスパッタターゲット
４３２を露出させ、そして陰極４３６ （第２６Ａ図）
とスパッタターゲット４３２との間に１００ＯＶの電位
を印加する。被着効率を高めるため、ウェハ４８とスパ
ッタターゲット４３２との間に小バイアス（例えば２０
０Ｖ）を加えることもできる。
スパッタ作業の完了後、シャッタを閉じ、サセプタ４３
８及びウェハ４８が第２６Ｂ図に示す位置に回転される
。
８及びウェハ４８が第２６Ｂ図に示す位置に回転される
。
頂部室２１２内で処理を行いたい場合には、指状部２１
４が上昇され、そして頂部室２１２が閉じられる。次い
で、指状部４４０が下げられる。
４が上昇され、そして頂部室２１２が閉じられる。次い
で、指状部４４０が下げられる。
そして所望の処理、例えば清掃処理が実施される。
その後ウェハは、第１．３及び４図に関連して前述した
ことく、アーム２８によって処理モジュール９１４から
移送される。
ことく、アーム２８によって処理モジュール９１４から
移送される。
別の方法で、ウェハを処理モジュール９１４から移送す
ることもできる。つまり、サセプタ４３８が第２６Ｂ図
の位置へ時計方向に回転された後、移送アーム２８が処
理モジュール９１４内に入れられる。アーム２８がウェ
ハ４８の下方に位置された後、ピン５０（第１及び３図
）はウェハ４８と接触するまで垂直上方向に移動可能で
ある。次いで指状部４４０が下降され、そしてアーム２
８がわずかに下げられて処理モジュール９１４の外に出
される。スパッタ中、圧力は２００ ｍＴｏｒｒ以下と
すべきである。
ることもできる。つまり、サセプタ４３８が第２６Ｂ図
の位置へ時計方向に回転された後、移送アーム２８が処
理モジュール９１４内に入れられる。アーム２８がウェ
ハ４８の下方に位置された後、ピン５０（第１及び３図
）はウェハ４８と接触するまで垂直上方向に移動可能で
ある。次いで指状部４４０が下降され、そしてアーム２
８がわずかに下げられて処理モジュール９１４の外に出
される。スパッタ中、圧力は２００ ｍＴｏｒｒ以下と
すべきである。
第２７図は、ウェハ４８と同様な数枚のウェハ９４２を
同時に処理する能力を持つ処理モジュール９４０を示す
。第１．３及び４図で論じた室１２とアーム２８が、第
１図に示したキャリヤから処理モジュール９４０ヘウエ
ハを移送する。処理モジュール９４０は、例えば１００
気圧の高圧に耐えられる鋼製の外側ジャケット９４４を
有する。ジャケット９４４は、例えば３００シリーズの
ステンレス鋼で作製できる。ウェハ９４２は、アーム２
８（第１．３及び４図）と同様なアーム（図示せず）に
よって処理モジュール９４０内に置かれる。各ウェハは
水晶ロッド９４８のスロット９４６内に置かれる。水晶
ロッド９４８は、頂部室９５０を通って垂直に延びてい
る。第２７図には２本のロッド９４８だけが示しである
が、追加のロンドー例えば１本のロッドが室９５０の右
側に位置し、第２７図のように位置したウェハ９４２と
係合するーを設けることもできる。スロット９４６間の
距離は、アームが積み重ねられたウェハ６４２に達して
取り出せるのに充分なものとする。別の例では、アーム
が最下のウェハを置けるように、スロット９４６のうち
最下のスロットが室９５０の底９５２から充分な距離だ
け離される。ウェハ９４２は中間スロットの各々に頂部
スロットから入れていき、最後に底のスロットが満たさ
れる。
同時に処理する能力を持つ処理モジュール９４０を示す
。第１．３及び４図で論じた室１２とアーム２８が、第
１図に示したキャリヤから処理モジュール９４０ヘウエ
ハを移送する。処理モジュール９４０は、例えば１００
気圧の高圧に耐えられる鋼製の外側ジャケット９４４を
有する。ジャケット９４４は、例えば３００シリーズの
ステンレス鋼で作製できる。ウェハ９４２は、アーム２
８（第１．３及び４図）と同様なアーム（図示せず）に
よって処理モジュール９４０内に置かれる。各ウェハは
水晶ロッド９４８のスロット９４６内に置かれる。水晶
ロッド９４８は、頂部室９５０を通って垂直に延びてい
る。第２７図には２本のロッド９４８だけが示しである
が、追加のロンドー例えば１本のロッドが室９５０の右
側に位置し、第２７図のように位置したウェハ９４２と
係合するーを設けることもできる。スロット９４６間の
距離は、アームが積み重ねられたウェハ６４２に達して
取り出せるのに充分なものとする。別の例では、アーム
が最下のウェハを置けるように、スロット９４６のうち
最下のスロットが室９５０の底９５２から充分な距離だ
け離される。ウェハ９４２は中間スロットの各々に頂部
スロットから入れていき、最後に底のスロットが満たさ
れる。
下方室９５５と室９５０の内壁９５７は、水晶で作製さ
れる。ジャケット９４４と内壁９５７との間のスペース
は、内壁に加わる応力を最小限とするために、高圧の作
業中室９５０内の圧力と等しくされる。ジャケット９４
４及び内壁９５７と室９５０との間のスペースにそれぞ
れ接続された制御式の逆止ガス弁９６０と９６２がコン
ピュータ制御システム２０６によって操作され、必要に
応じ過圧を排出することで、内壁９５７に加わる差圧の
応力が大きくなり過ぎないように圧力を制御する。例え
ば、室９５０内の圧力がジャケット９４４と内壁９５７
との間のスペース内の圧力より大きくなると、システム
２０６が弁９６２を作動し、そして再圧力が適切なレベ
ル、例えばはソ゛等しくなるまで圧力を放出する。
れる。ジャケット９４４と内壁９５７との間のスペース
は、内壁に加わる応力を最小限とするために、高圧の作
業中室９５０内の圧力と等しくされる。ジャケット９４
４及び内壁９５７と室９５０との間のスペースにそれぞ
れ接続された制御式の逆止ガス弁９６０と９６２がコン
ピュータ制御システム２０６によって操作され、必要に
応じ過圧を排出することで、内壁９５７に加わる差圧の
応力が大きくなり過ぎないように圧力を制御する。例え
ば、室９５０内の圧力がジャケット９４４と内壁９５７
との間のスペース内の圧力より大きくなると、システム
２０６が弁９６２を作動し、そして再圧力が適切なレベ
ル、例えばはソ゛等しくなるまで圧力を放出する。
底９５２は、下方室９５５に供給されるガスを頂部室９
５０内へと上方に移動可能とする複数の孔９６５を有す
る。下方室９５５への気体は、管９７０〜９７２を、介
して供給される。管９７０〜９７２は任意の適切な材料
で作製できる。管９７０と９７１は、室９５０内で所望
の処理を行うのに使われる処理ガスを、下方室９５５へ
と高圧力（１００気圧）で供給する。管９７２は、ジャ
ケット９４４と内壁９５７との間のスペースに浄化ガス
を供給する。必要な真空状態は、ポンプ９７５によって
室１２に、ポンプ９７６によって室９５５に、別のポン
プ（図示せず）により管９７８を介して室９５５にそれ
ぞれつくりだされる。こ＼に示した他の処理モジュール
と異なり、処理モジュール９４０の処理室９５０は、ウ
ェハを上方へ頂部室内に移動することによって密閉しな
い。処理モジュール９４０においては、処理室９５０は
、ベローズ９８１を用い内壁９５７の垂直部９８０を上
下動することによって、密閉及び解放される。
５０内へと上方に移動可能とする複数の孔９６５を有す
る。下方室９５５への気体は、管９７０〜９７２を、介
して供給される。管９７０〜９７２は任意の適切な材料
で作製できる。管９７０と９７１は、室９５０内で所望
の処理を行うのに使われる処理ガスを、下方室９５５へ
と高圧力（１００気圧）で供給する。管９７２は、ジャ
ケット９４４と内壁９５７との間のスペースに浄化ガス
を供給する。必要な真空状態は、ポンプ９７５によって
室１２に、ポンプ９７６によって室９５５に、別のポン
プ（図示せず）により管９７８を介して室９５５にそれ
ぞれつくりだされる。こ＼に示した他の処理モジュール
と異なり、処理モジュール９４０の処理室９５０は、ウ
ェハを上方へ頂部室内に移動することによって密閉しな
い。処理モジュール９４０においては、処理室９５０は
、ベローズ９８１を用い内壁９５７の垂直部９８０を上
下動することによって、密閉及び解放される。
開状態において、アーム２８と同様な移送アーム２８が
室９５０にアクセスし、ゲート３１が（第２７図に示す
ように）開のとき、ウェハ９４２をポート３０を介して
移送する。室９５０を閉じて、処理が行われる。ヒータ
９８２が室９５０内で内壁９５７上に位置し、室９５０
内で行われる処理用の熱を与える。
室９５０にアクセスし、ゲート３１が（第２７図に示す
ように）開のとき、ウェハ９４２をポート３０を介して
移送する。室９５０を閉じて、処理が行われる。ヒータ
９８２が室９５０内で内壁９５７上に位置し、室９５０
内で行われる処理用の熱を与える。
動作時には、（第１．３及び４図を参照して前述したよ
うに）キャリヤ１０が開かれ、そしてウェハ９４７がキ
ャリヤ１０から室９５０内へ移送される。次いでゲート
３１が閉じられる。ガスが、管９７０と９７１からジャ
ケット９４４と内壁９５７及び両室９５０と９５５との
間のスペース内にそれぞれ供給される。次いで室９５０
を閉じ、そして管９７０．９７１及び９７２を介して供
給される気体、例えばそれぞれ酸素、水素及び窒素から
成る気体により高圧で処理が実施される。所望に応じ、
ヒータ９８２からの熱を与えることもできる。管９７０
と９７１からのガスに対する処理の中断後、管９７２か
らの気体、例えばＮ２によって室９５０が浄化される。
うに）キャリヤ１０が開かれ、そしてウェハ９４７がキ
ャリヤ１０から室９５０内へ移送される。次いでゲート
３１が閉じられる。ガスが、管９７０と９７１からジャ
ケット９４４と内壁９５７及び両室９５０と９５５との
間のスペース内にそれぞれ供給される。次いで室９５０
を閉じ、そして管９７０．９７１及び９７２を介して供
給される気体、例えばそれぞれ酸素、水素及び窒素から
成る気体により高圧で処理が実施される。所望に応じ、
ヒータ９８２からの熱を与えることもできる。管９７０
と９７１からのガスに対する処理の中断後、管９７２か
らの気体、例えばＮ２によって室９５０が浄化される。
その後、室９５０が所望の真空にされる。次いで所望な
ら、真空処理を実施できる。室９５０を開き、ウェハが
ボート３０を介してキャリヤｌＯに移送される。キャリ
ヤ１０は第１．３及び４図を参照して前述したように閉
じられる。モジュール９４０は５枚のウェハを受は入れ
可能なものとして示したが、それより多いまたは少ない
ウェハを受は入れることもできる。５枚より少ないウェ
ハは、例えば１回に１ウエハづつ処理できる。
ら、真空処理を実施できる。室９５０を開き、ウェハが
ボート３０を介してキャリヤｌＯに移送される。キャリ
ヤ１０は第１．３及び４図を参照して前述したように閉
じられる。モジュール９４０は５枚のウェハを受は入れ
可能なものとして示したが、それより多いまたは少ない
ウェハを受は入れることもできる。５枚より少ないウェ
ハは、例えば１回に１ウエハづつ処理できる。
高圧処理モジュールは、集積回路ウェハが主に真空下で
搬送及び処理されるシステムと適合可能である。圧力容
器は、極めて小さく、例えば０．２リツトルとでき、す
なわち、総加工容積を有し、その容積についてほとんど
全ての内点が室内に装填されるウェハのうちの１つの１
〜ＺＣＩＩ１以内に入る。
搬送及び処理されるシステムと適合可能である。圧力容
器は、極めて小さく、例えば０．２リツトルとでき、す
なわち、総加工容積を有し、その容積についてほとんど
全ての内点が室内に装填されるウェハのうちの１つの１
〜ＺＣＩＩ１以内に入る。
モジュール９４０は、数枚のウェハを同時に処理するの
が有効な場合、酸化物の成長等によって制限される反応
である遅い処理等その他の用途も有する。これは所望に
より、管９７０〜９７２からガスを与えずに行うことも
できる。つまり、このモジュール９４０はそれぞれの用
途に特有な集積回路を処理するのにも適する。
が有効な場合、酸化物の成長等によって制限される反応
である遅い処理等その他の用途も有する。これは所望に
より、管９７０〜９７２からガスを与えずに行うことも
できる。つまり、このモジュール９４０はそれぞれの用
途に特有な集積回路を処理するのにも適する。
高圧作業に関する機械的強度の制約は、設計するには容
易である。これはまた、高圧モジュールの加圧及び排気
がより迅速に実施可能なことも意味する。更に、真空処
理システムと適合可能なモジュール内で高圧処理（例え
ば高圧酸化）を行う能力によって、処理量が増大し、そ
して真空処理システム外で必要な酸化工程を実施する必
要性が除去される。
易である。これはまた、高圧モジュールの加圧及び排気
がより迅速に実施可能なことも意味する。更に、真空処
理システムと適合可能なモジュール内で高圧処理（例え
ば高圧酸化）を行う能力によって、処理量が増大し、そ
して真空処理システム外で必要な酸化工程を実施する必
要性が除去される。
この種類の実施例は、低粒子用真空処理システムとの適
合を有利に可能としつ＼、（通常高粒子の作業である）
従来炉の能力を与える。またこの種類の実施例は、非常
にコンパクトな領域に（通常比較的多量の床空間と配管
を必要とする）従来の炉の能力を与えるという利点があ
る。
合を有利に可能としつ＼、（通常高粒子の作業である）
従来炉の能力を与える。またこの種類の実施例は、非常
にコンパクトな領域に（通常比較的多量の床空間と配管
を必要とする）従来の炉の能力を与えるという利点があ
る。
処理モジュール９４０を用いる例では、高圧力での気相
酸化または硫化を用いて不活性化層を形成するように、
ＨｇＣｄＴｅを処理可能である。つまり、Ｈｇ Ｃｄ
Ｔ ｅ基板が５０−１５０℃に加熱され、薄い酸化膜が
形成される。イオウ源例えばＨ２Ｓが、５０〜１００気
圧の圧力で管９７０から、例えば１００’ｓｃｃｍで供
給される。この結果、薄い硫化物の絶縁膜が形成される
。また、例えば１００ｓｅｃｍの酸素と例えば４０ｓｅ
ｃｍの水素を用いて酸化を行い、ＩＯ〜１００気圧の圧
力で水蒸気／酸素の混合物を生成することもできる。
酸化または硫化を用いて不活性化層を形成するように、
ＨｇＣｄＴｅを処理可能である。つまり、Ｈｇ Ｃｄ
Ｔ ｅ基板が５０−１５０℃に加熱され、薄い酸化膜が
形成される。イオウ源例えばＨ２Ｓが、５０〜１００気
圧の圧力で管９７０から、例えば１００’ｓｃｃｍで供
給される。この結果、薄い硫化物の絶縁膜が形成される
。また、例えば１００ｓｅｃｍの酸素と例えば４０ｓｅ
ｃｍの水素を用いて酸化を行い、ＩＯ〜１００気圧の圧
力で水蒸気／酸素の混合物を生成することもできる。
第２８図は、注入器として用いるのに適した処理モジュ
ール１０００を示す。注入器は、ウェハ、例えばウェハ
４８の表面ドープ材を置くかまたは注入するのに使われ
る。ウェハ４８が、第１．３及び４図を参照して前述し
たアーム２８と同様なアーム（図示せず）によってモジ
ュールｉｏｏ。
ール１０００を示す。注入器は、ウェハ、例えばウェハ
４８の表面ドープ材を置くかまたは注入するのに使われ
る。ウェハ４８が、第１．３及び４図を参照して前述し
たアーム２８と同様なアーム（図示せず）によってモジ
ュールｉｏｏ。
内に置かれる。この際、室１２キャリヤ１０が、第１．
３及び４図を参照して前述したように使われる。真空ポ
ンプ１００２及び弁１００４がモジュール１００４の内
部と接続され、必要な真空を与える。必要に応じ、その
他のポンプ及び弁を設けることもできる。
３及び４図を参照して前述したように使われる。真空ポ
ンプ１００２及び弁１００４がモジュール１００４の内
部と接続され、必要な真空を与える。必要に応じ、その
他のポンプ及び弁を設けることもできる。
ウェハ４８は、室１２と（第３図のポート３０と同様な
）ポートとを介し、アーム（図示せず）によってキャリ
ヤ１０から頂部室１００６内に置かれる。ウェハは指状
部２１４上に置かれ、そしてこれら指状部は導電性とな
るように強度に陽極酸化されたアルミまたはシリコンで
構成し得る。
）ポートとを介し、アーム（図示せず）によってキャリ
ヤ１０から頂部室１００６内に置かれる。ウェハは指状
部２１４上に置かれ、そしてこれら指状部は導電性とな
るように強度に陽極酸化されたアルミまたはシリコンで
構成し得る。
頂部室１００６は、ベローズ１００８の上向き垂直方向
の移動によって閉じられる。ウェハ４８が室１００６の
上部の電極１０１０と接触するまで、指状部２１４はウ
ェハ４８を上昇させる。これが第２８図に示されたウェ
ハ４８の位置である。ウェハ４８の下向き面５４に注入
すべき物質を含むガスが、例えばＡｓのガス源（図示せ
ず）から管１０１４を介して加熱室１０１２内に導かれ
る。
の移動によって閉じられる。ウェハ４８が室１００６の
上部の電極１０１０と接触するまで、指状部２１４はウ
ェハ４８を上昇させる。これが第２８図に示されたウェ
ハ４８の位置である。ウェハ４８の下向き面５４に注入
すべき物質を含むガスが、例えばＡｓのガス源（図示せ
ず）から管１０１４を介して加熱室１０１２内に導かれ
る。
管１０１４からのガスは加熱室１０１２内で、特定のド
ープ材に適した温度、例えばヒ素の場合３５０℃、リン
の場合２８０℃に加熱される。次いでガスは管１０２２
を介し、マイクロ波空洞１０２０内へと上方に流れる。
ープ材に適した温度、例えばヒ素の場合３５０℃、リン
の場合２８０℃に加熱される。次いでガスは管１０２２
を介し、マイクロ波空洞１０２０内へと上方に流れる。
別のガス、例えばＨｅまたはＡｒを、管１０２４を介し
て空洞１０２０内に導くこともできる。あるいは、ｐ形
ドープ材として使われる別のガス、例えばＢ Ｆ ’ｓ
を管１０２４を介して送ることもできる。ガスは空洞１
０２０内でマイクロ波エネルギーを受ける。ガスは空洞
１０２０内で、例えばＱ、 ｌ Ｔｏｒｒの圧力の遊離
基となる。気体は空洞１０２０を出て、管１０２６を通
り、頂部室１００６の下方に位置した下方室１０２８内
に入る。管１０２６は、下方室１ｏ２８より下側の室ｌ
０３０の中心部を通過している。室１０２８は、その垂
直軸に沿い、ベローズ１００８によって部分的に取り囲
まれている。
て空洞１０２０内に導くこともできる。あるいは、ｐ形
ドープ材として使われる別のガス、例えばＢ Ｆ ’ｓ
を管１０２４を介して送ることもできる。ガスは空洞１
０２０内でマイクロ波エネルギーを受ける。ガスは空洞
１０２０内で、例えばＱ、 ｌ Ｔｏｒｒの圧力の遊離
基となる。気体は空洞１０２０を出て、管１０２６を通
り、頂部室１００６の下方に位置した下方室１０２８内
に入る。管１０２６は、下方室１ｏ２８より下側の室ｌ
０３０の中心部を通過している。室１０２８は、その垂
直軸に沿い、ベローズ１００８によって部分的に取り囲
まれている。
ガスは下方室１０２８から、水晶性のシャワーヘッド１
０３２を通って頂部室１００６内に入る。
０３２を通って頂部室１００６内に入る。
シャワーヘッド１０３２は、頂部室１００６と下方室１
０２８との間で水平方向に延びている。シャワーヘッド
１０３２は、下方室１０２８内のガスが頂部室１００６
内へと通過するのを可能とする多数の開口１０３６を有
する。シャワーヘッドは水晶製バッフル１０４０の一部
である。パンフル１０４０は円筒状であり、その軸は、
両室１００６と１０２８との中心部を通って垂直に延び
、そしてシャワーヘッド１０３２は水平に延びている。
０２８との間で水平方向に延びている。シャワーヘッド
１０３２は、下方室１０２８内のガスが頂部室１００６
内へと通過するのを可能とする多数の開口１０３６を有
する。シャワーヘッドは水晶製バッフル１０４０の一部
である。パンフル１０４０は円筒状であり、その軸は、
両室１００６と１０２８との中心部を通って垂直に延び
、そしてシャワーヘッド１０３２は水平に延びている。
所望なら、シャワーヘッド１０３２は第３０Ｃ図に示す
ようなものとできる。頂部室１００６内でガスがウェハ
４８に向かって加速され、ガス中の物質を面５４内に注
入する。イオン流は、室１００６内の圧力に従って調整
されねばならない。室１００６の外側のバッフル１０４
０の周囲に、２枚のバイアスプレート１０４２と１０４
３が位置する。プレート１０４２と１０４３には、負と
正の電圧がそれぞれ印加される。プレート１０４２は、
プレート１０４３の下方にそれから離れて位置する。
ようなものとできる。頂部室１００６内でガスがウェハ
４８に向かって加速され、ガス中の物質を面５４内に注
入する。イオン流は、室１００６内の圧力に従って調整
されねばならない。室１００６の外側のバッフル１０４
０の周囲に、２枚のバイアスプレート１０４２と１０４
３が位置する。プレート１０４２と１０４３には、負と
正の電圧がそれぞれ印加される。プレート１０４２は、
プレート１０４３の下方にそれから離れて位置する。
磁石１０４８がプレート１０４３のすぐ上に位置する。
一般に、磁場はウニへ面５４がらの自由電子をはね返す
のに充分な強度とする必要がある。
のに充分な強度とする必要がある。
例えば１０−１０，０００ボルトの正電圧が電極１０１
０に印加される。遊離基は、室１００６内で制御され、
そしてウェハ４８に向がって加速される。電極１０１０
は、必要なら、開口１ｏ３４を介して流体を流すことに
よって冷却できる。
０に印加される。遊離基は、室１００６内で制御され、
そしてウェハ４８に向がって加速される。電極１０１０
は、必要なら、開口１ｏ３４を介して流体を流すことに
よって冷却できる。
処理モジュール１０００は真空ウェハ移送器を用いたシ
ステムに適合可能で、そこではウェハが一般に、真空下
で下向きにして移送及び処理される。
ステムに適合可能で、そこではウェハが一般に、真空下
で下向きにして移送及び処理される。
処理ガスライン３２及び前記の管９７０〜９７２等その
他の給送管、ガスライン及び管は、表面での粒子取り込
みを減じるために、それらの内面上に小溝または小突条
を有するように形成（あるいは被覆）される。抵抗を減
じるために航空輸送手段の外側に小突条を用いることは
、［溝が航空機の抵抗を減少する（ Ｇｒｏｏｖｅｓ
Ｒｅｄｕｃｅｓ ＡｉｒｃｒａｆｔＤｒａｇ） Ｊ 、
ＮＡＳＡ技術概要（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｂｒ１ｅｆｓ
５（２）、１９２頁（１９８０）、及び「達成された使
命（Ｍｉｓｓｉｏｎ Ａｃｃｏｍｐｌｉｓｈｅｄ）Ｊ
、Ｎ入ＳＡ技術概要（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｂｒ１ｅｆ
ｓ） １１ （３） 、８２頁（１９８７）によって
示唆されている。しかし本発明で小突条を用いたのは、
配管壁土の淀み境界層を安定化し、従って配管中を流れ
るガスが壁土に付着している粒子にその解離に充分な圧
力を加える可能性を減少するるためである。処理ガス源
がどんな清掃度の場合でも、これはガス中に取り込まれ
室内へと運ばれる粒子の数を減少するという利点がある
。
他の給送管、ガスライン及び管は、表面での粒子取り込
みを減じるために、それらの内面上に小溝または小突条
を有するように形成（あるいは被覆）される。抵抗を減
じるために航空輸送手段の外側に小突条を用いることは
、［溝が航空機の抵抗を減少する（ Ｇｒｏｏｖｅｓ
Ｒｅｄｕｃｅｓ ＡｉｒｃｒａｆｔＤｒａｇ） Ｊ 、
ＮＡＳＡ技術概要（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｂｒ１ｅｆｓ
５（２）、１９２頁（１９８０）、及び「達成された使
命（Ｍｉｓｓｉｏｎ Ａｃｃｏｍｐｌｉｓｈｅｄ）Ｊ
、Ｎ入ＳＡ技術概要（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｂｒ１ｅｆ
ｓ） １１ （３） 、８２頁（１９８７）によって
示唆されている。しかし本発明で小突条を用いたのは、
配管壁土の淀み境界層を安定化し、従って配管中を流れ
るガスが壁土に付着している粒子にその解離に充分な圧
力を加える可能性を減少するるためである。処理ガス源
がどんな清掃度の場合でも、これはガス中に取り込まれ
室内へと運ばれる粒子の数を減少するという利点がある
。
これら小突条の形状及びサイズに関する幾つがの実施例
を第２９Ａ、２９Ｂ、２９Ｃ１２９Ｄ、２９Ｅ、２９Ｆ
及び２９Ｇ図に示す。前記ＮＡＳＡ技術概要（Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｂｒ１ｅｆｓ）の文献は航空輸送手段の外
側に小突条を用いることを示唆しているが、本発明での
利点はそれらの溝または小突条を、配管中を流れるガス
が壁土に付着している粒子にその解離に充分な圧力を加
える可能性を減じるのに用いている点にある。ＮＡＳＡ
刊行の文献は、溝が乱流の発端バーストを閉じ込めるの
で、バーストは移動する航空機を取り囲む境界層へと拡
がらず且つ乱さないと指摘している。第２９Ａ−Ｇ図に
示すように、溝のほとんどの実施例ははｒ■状であるが
、それ以外の各種形状も取り得る。例えば、対称または
非対称断面の丸まった、または鋭い頂端にしてもよい。
を第２９Ａ、２９Ｂ、２９Ｃ１２９Ｄ、２９Ｅ、２９Ｆ
及び２９Ｇ図に示す。前記ＮＡＳＡ技術概要（Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｂｒ１ｅｆｓ）の文献は航空輸送手段の外
側に小突条を用いることを示唆しているが、本発明での
利点はそれらの溝または小突条を、配管中を流れるガス
が壁土に付着している粒子にその解離に充分な圧力を加
える可能性を減じるのに用いている点にある。ＮＡＳＡ
刊行の文献は、溝が乱流の発端バーストを閉じ込めるの
で、バーストは移動する航空機を取り囲む境界層へと拡
がらず且つ乱さないと指摘している。第２９Ａ−Ｇ図に
示すように、溝のほとんどの実施例ははｒ■状であるが
、それ以外の各種形状も取り得る。例えば、対称または
非対称断面の丸まった、または鋭い頂端にしてもよい。
空気力学的な性能を最適化するためには、さまざまな断
面形状の非対称溝を、幾つかの規則的順序で配列しても
よい。つまり、本発明においてそれらの溝または小突条
は、配管壁上の淀み境界層を安定化するのに使われる。
面形状の非対称溝を、幾つかの規則的順序で配列しても
よい。つまり、本発明においてそれらの溝または小突条
は、配管壁上の淀み境界層を安定化するのに使われる。
処理ガス源がどんな清浄度の場合でも、これはガス中に
取り込まれ室内へと運ばれる粒子の数を減少するという
利点がある。第２９Ａ〜２９Ｇ図には各々１つか２つの
溝または小突条しか示してないが、こ−に開示の処理モ
ジュールに関連して示した管、給送管、分配器等の内壁
の一部として同様の多くの溝または小突条が含まれてい
る。
取り込まれ室内へと運ばれる粒子の数を減少するという
利点がある。第２９Ａ〜２９Ｇ図には各々１つか２つの
溝または小突条しか示してないが、こ−に開示の処理モ
ジュールに関連して示した管、給送管、分配器等の内壁
の一部として同様の多くの溝または小突条が含まれてい
る。
第２９Ａ図は、管１１０２の壁の７条の溝１１００を示
す。管１１０２の一部だけが管内壁の一部を横切って見
た断面で示されており、これは第２９Ａ〜２９Ｇ図の他
のバイブにも当てはまる。溝１１００は深さ約０．２５
４ｔｍ （０，０１０インチ）、頂端１１０４（第２９
Ａ図中左側）から頂端１００６ （第２９Ａ図中右側）
までの巾約１．１４日（０，０４５インチ）とし得る。
す。管１１０２の一部だけが管内壁の一部を横切って見
た断面で示されており、これは第２９Ａ〜２９Ｇ図の他
のバイブにも当てはまる。溝１１００は深さ約０．２５
４ｔｍ （０，０１０インチ）、頂端１１０４（第２９
Ａ図中左側）から頂端１００６ （第２９Ａ図中右側）
までの巾約１．１４日（０，０４５インチ）とし得る。
第２９Ｂ図は、管１１１２の壁（７）Ｖ条溝１１１０を
示す、溝１１１０は両頂端１１１４ （左）と１１１５
（右）間の巾が約０．２５４鶴〜約０．５０８龍（０
，０１０〜０．０２０インチ）の範囲で、約０、５０８
■■（０，０２０インチ）の深さを有する。
示す、溝１１１０は両頂端１１１４ （左）と１１１５
（右）間の巾が約０．２５４鶴〜約０．５０８龍（０
，０１０〜０．０２０インチ）の範囲で、約０、５０８
■■（０，０２０インチ）の深さを有する。
第２９Ｃ図においては、突起１１２０が管１１２２の内
壁から延びている。突起１１２０は３角形状の断面を有
し、頂端１１２４の角度が９０度、底辺左側の角度が３
０度、底辺右側の角度が６０度である。頂端１１２４か
ら底辺までの距離は、例えば約（１２５４鶴（０，０１
インチ）、底辺両端間の距離は、例えば約０．５８４
＋ｎ （０，０２３インチ）とし得る。各種の突起間に
溝またば突条が形成されてもよい、管１１５２の別の突
起１１５０が第２９Ｆ図に示してあり、基本の形状は突
起１１２０と同じである。突起１１５ｏは前例と同じ各
角度を有し、その底辺両端間の距離は、例えば約１．１
７龍（０，０４６インチ）、底辺がら頂端１１５４まで
の高さは、例えば約０．５０８ ａｍ（０，０２インチ
）である。
壁から延びている。突起１１２０は３角形状の断面を有
し、頂端１１２４の角度が９０度、底辺左側の角度が３
０度、底辺右側の角度が６０度である。頂端１１２４か
ら底辺までの距離は、例えば約（１２５４鶴（０，０１
インチ）、底辺両端間の距離は、例えば約０．５８４
＋ｎ （０，０２３インチ）とし得る。各種の突起間に
溝またば突条が形成されてもよい、管１１５２の別の突
起１１５０が第２９Ｆ図に示してあり、基本の形状は突
起１１２０と同じである。突起１１５ｏは前例と同じ各
角度を有し、その底辺両端間の距離は、例えば約１．１
７龍（０，０４６インチ）、底辺がら頂端１１５４まで
の高さは、例えば約０．５０８ ａｍ（０，０２インチ
）である。
別の３角形状突起１１３０が第２９Ｄ図に示しである。
突起１１３０は、角度６０度の頂端１１３２、角度４０
度の左側の底辺、及び角度８０度の右側の底辺を有する
。突起は管１１３４の内壁から延びている。３角形の底
辺両端間の距離は約０．７１１鰭（０，０２８インチ）
、底辺がら頂端１１３２までの距離は約０．５０８龍（
０，０２０インチ）とし得る。管１１６２の別の突起１
１６０が第２９Ｇ図に示してあり、基本の形状は突起１
１３０と同じである。突起１１６０は突起１１３０と同
じ各角度を有し、その底辺両端間の距離は、例えば約０
．７１１ｍｍ（０，０２８インチ）、底辺から頂端１１
６４までの高さは、例えば約０、５０８１ｍ（０，０２
インチ）である。
度の左側の底辺、及び角度８０度の右側の底辺を有する
。突起は管１１３４の内壁から延びている。３角形の底
辺両端間の距離は約０．７１１鰭（０，０２８インチ）
、底辺がら頂端１１３２までの距離は約０．５０８龍（
０，０２０インチ）とし得る。管１１６２の別の突起１
１６０が第２９Ｇ図に示してあり、基本の形状は突起１
１３０と同じである。突起１１６０は突起１１３０と同
じ各角度を有し、その底辺両端間の距離は、例えば約０
．７１１ｍｍ（０，０２８インチ）、底辺から頂端１１
６４までの高さは、例えば約０、５０８１ｍ（０，０２
インチ）である。
第２９Ｅ図は、管１１４２の内壁のＶ条溝１１４０を示
す。両頂端１１４４ （左）と１１４５（右）間の距離
は、例えば約０．２５４鶴（０，０１０インチ）とし得
る。各頂端１１４４と１１４５は丸められている。溝１
１４０は、例えば約０．５０８ｍｍ（０，０２０インチ
）の深さとし得る。
す。両頂端１１４４ （左）と１１４５（右）間の距離
は、例えば約０．２５４鶴（０，０１０インチ）とし得
る。各頂端１１４４と１１４５は丸められている。溝１
１４０は、例えば約０．５０８ｍｍ（０，０２０インチ
）の深さとし得る。
上記したような反応器で極めて顕著な成功を収めた１種
類の処理は、耐熱性金属を含む材料に対する非等方性の
フッ素エツチングである。
類の処理は、耐熱性金属を含む材料に対する非等方性の
フッ素エツチングである。
炭化水素と臭素源、例えばＨＢｒまたはＣＦＪｒとの組
合せが、フッ素ベースのエツチングに対して非常に強い
不活性化の化学作用を与えることが見い出された。、Ｓ
Ｆ６、ＮＦ３、ＨＦ１Ｆ２、ＣＦａ 、Ｃ２Ｆ６ 、Ｂ
Ｆ３またはＳｉＦ４等のフッ素源を、フッ素ベースのエ
ツチングに用いることができる。例えば、好首尾な結果
で実証された一実施例は次の通りである。最初の構造は
タングステンの薄膜を含んでいた。初期のガス流は総圧
力２５０ミリＴｏｒｒ ｓ印加ＲＦ電力しペル５００ワ
ットで、Ｓ Ｆ、 ５０ ｓｅｃｍ 、 ＣＨ，５ｓｃ
ｃｍ及びＨＢｒ １５ ｓｅｃｍを含んでいた。パター
ンがはっきりなり始めた後、後述するようにＷＦ６２０
ｓｅｃｍの追加流を加えた。こうして得られた構造は、
はソ“垂直なエッチ側壁、はんのわずかなライン巾の侵
食、及びレジストに対する優れた選択性を示した。別の
処理では、オーバエツチング時の負荷として作用するＷ
Ｆｂを含むフッ素源が、ライン巾の損を減じることが判
明した。
合せが、フッ素ベースのエツチングに対して非常に強い
不活性化の化学作用を与えることが見い出された。、Ｓ
Ｆ６、ＮＦ３、ＨＦ１Ｆ２、ＣＦａ 、Ｃ２Ｆ６ 、Ｂ
Ｆ３またはＳｉＦ４等のフッ素源を、フッ素ベースのエ
ツチングに用いることができる。例えば、好首尾な結果
で実証された一実施例は次の通りである。最初の構造は
タングステンの薄膜を含んでいた。初期のガス流は総圧
力２５０ミリＴｏｒｒ ｓ印加ＲＦ電力しペル５００ワ
ットで、Ｓ Ｆ、 ５０ ｓｅｃｍ 、 ＣＨ，５ｓｃ
ｃｍ及びＨＢｒ １５ ｓｅｃｍを含んでいた。パター
ンがはっきりなり始めた後、後述するようにＷＦ６２０
ｓｅｃｍの追加流を加えた。こうして得られた構造は、
はソ“垂直なエッチ側壁、はんのわずかなライン巾の侵
食、及びレジストに対する優れた選択性を示した。別の
処理では、オーバエツチング時の負荷として作用するＷ
Ｆｂを含むフッ素源が、ライン巾の損を減じることが判
明した。
ＣＨ，の比率及び臭素源の比率を高めると、より一層堅
固な不活性化作用が得られる。例えば次の条件が零のラ
イン巾侵食をもたらすことが判明した。ＳＦ６４０ ｓ
ｅｃｍ 、 ＣＦ４ １５ ｓｅｃｍ及びＨＢｒ ２５
ｓｅｃｍで、総圧力４７０ミリＴｏｒｒ 、。
固な不活性化作用が得られる。例えば次の条件が零のラ
イン巾侵食をもたらすことが判明した。ＳＦ６４０ ｓ
ｅｃｍ 、 ＣＦ４ １５ ｓｅｃｍ及びＨＢｒ ２５
ｓｅｃｍで、総圧力４７０ミリＴｏｒｒ 、。
印加ＲＦ電力レベル４００ワット。比較的高い総圧力の
使用が、−様性の維持を助ける。
使用が、−様性の維持を助ける。
不活性化被着の速度を更に速めると、負のエツチングバ
イアスが達成可能である。見本の実施例として、タング
ステンの薄膜を次の初期ガス流を用いてエツチングした
。ＳＦｈ ５０ ｓｅｅｍ ５ＣＦ４１３ ｓｃｃｍ及
びＨＢｒ ２５ ｓｅｃｍで、総圧力４７０ミリＴｏｒ
ｒ 、印加ＲＦ電力レベル４００ワット。
イアスが達成可能である。見本の実施例として、タング
ステンの薄膜を次の初期ガス流を用いてエツチングした
。ＳＦｈ ５０ ｓｅｅｍ ５ＣＦ４１３ ｓｃｃｍ及
びＨＢｒ ２５ ｓｅｃｍで、総圧力４７０ミリＴｏｒ
ｒ 、印加ＲＦ電力レベル４００ワット。
使用したレジストパターンは、最小ピッチ２．７ミクロ
ン（最小ライン巾１−７ミクロンと最小スペース巾１ミ
クロン）の最小ピッチであった。この化学作用の使用は
、最終的に０．６〜０．７ミクロンのエツチングスペー
ス巾を生じることが判明した。
ン（最小ライン巾１−７ミクロンと最小スペース巾１ミ
クロン）の最小ピッチであった。この化学作用の使用は
、最終的に０．６〜０．７ミクロンのエツチングスペー
ス巾を生じることが判明した。
つまり、この化学作用は約０．１５〜０．２ミクロンの
“負のエツチングバイアス”を与えた。上限として、他
の条件を変えずにメタンの流量を２１ｓｅｃｍに増すと
、エツチングが完全に停止、すなわちタングステンのエ
ツチング速度が零になることが他の実験で実証されてい
る。
“負のエツチングバイアス”を与えた。上限として、他
の条件を変えずにメタンの流量を２１ｓｅｃｍに増すと
、エツチングが完全に停止、すなわちタングステンのエ
ツチング速度が零になることが他の実験で実証されてい
る。
またこの種類の不活性化化学作用は、強い異方性のシリ
コンエツチングを与えることも発見された。実験により
好首尾な結果が実証された特定の一実施例においては、
次のようなエツチング化学作用を用いた。初期のガス流
はＳＦ６５０ ｓｅｃｍ 。
コンエツチングを与えることも発見された。実験により
好首尾な結果が実証された特定の一実施例においては、
次のようなエツチング化学作用を用いた。初期のガス流
はＳＦ６５０ ｓｅｃｍ 。
ＣＦ４５ ｓｃｃｍ及びＨＢｒ １５ ｓｃｃｍを含み
、総圧力２５０ミリＴｏｒｒ 、印加ＲＦ電力レベル５
００ワットであった。
、総圧力２５０ミリＴｏｒｒ 、印加ＲＦ電力レベル５
００ワットであった。
これらの条件はシリコンを２５秒間で深さ３ミクロンエ
ツチングし、レジストに対する優れた選択性を維持しな
がら、はＸ°垂直のシリコン側壁をもたらした。但し、
これらのエツチング条件は特に酸化物に対しては選択性
を示さなかった。つまり、このエツチング化学作用はト
レンチをエツチングするのに特に有効である。デバイス
構造におけるトレンチの利点は以前から認識されていた
が、通常トレンチは、遅く、且つ、トレンチ底の凹凸、
溝切りまたは逆行曲りのようにエンチングによる極めて
望ましくない人為構造を生じ易い低圧力のエツチング条
件によって、作製されていた。こうした低圧力処理の困
難を避けられるのも利点である。
ツチングし、レジストに対する優れた選択性を維持しな
がら、はＸ°垂直のシリコン側壁をもたらした。但し、
これらのエツチング条件は特に酸化物に対しては選択性
を示さなかった。つまり、このエツチング化学作用はト
レンチをエツチングするのに特に有効である。デバイス
構造におけるトレンチの利点は以前から認識されていた
が、通常トレンチは、遅く、且つ、トレンチ底の凹凸、
溝切りまたは逆行曲りのようにエンチングによる極めて
望ましくない人為構造を生じ易い低圧力のエツチング条
件によって、作製されていた。こうした低圧力処理の困
難を避けられるのも利点である。
別の種類のフッ素エツチング用の化学作用では、ＳＦｂ
等のフッ素源と、ＨＢｒ等の臭素源と、非常に弱い酸素
源（例えば−酸化炭素）を含む供給混合ガスを用いる。
等のフッ素源と、ＨＢｒ等の臭素源と、非常に弱い酸素
源（例えば−酸化炭素）を含む供給混合ガスを用いる。
この化学作用は、フォトレジストに対する良好な選択性
を示しながら、異方性の高速フッ素エツチングを与える
。
を示しながら、異方性の高速フッ素エツチングを与える
。
好首尾な結果で実証された処理の実例を次に示す。最初
の構造は、形成有機フォトレジストのパターン化層によ
って被覆されたタングステンの薄膜を含んでいた。初期
のガス流はＳ Ｆ、２５ｓｃｃｍｓＨＢ ｒ ２５ｓｃ
ｃｍ及びＣ０Ｃ０３０ｓｃを含み、総圧力３００ミリＴ
ｏｒｒｓ印加ＲＦ電力レベル１７５ワツトであった。オ
ーバエツチング期間中は、ＷＦ。
の構造は、形成有機フォトレジストのパターン化層によ
って被覆されたタングステンの薄膜を含んでいた。初期
のガス流はＳ Ｆ、２５ｓｃｃｍｓＨＢ ｒ ２５ｓｃ
ｃｍ及びＣ０Ｃ０３０ｓｃを含み、総圧力３００ミリＴ
ｏｒｒｓ印加ＲＦ電力レベル１７５ワツトであった。オ
ーバエツチング期間中は、ＷＦ。
２０ＳＣＣＩｌの追加流を有効に加えた。こうして得ら
れた構造は、急勾配傾斜の側壁、はんのわずかなライン
巾侵食、及びフオトレジス１に対する約２対ｌの選択性
を示した。
れた構造は、急勾配傾斜の側壁、はんのわずかなライン
巾侵食、及びフオトレジス１に対する約２対ｌの選択性
を示した。
この化学作用は、−酸化炭素の代りに別の弱い酸素源を
用いることによって変更できる。つまり、Ｎ、ＯやＣＯ
□等の弱い酸素源が代りに使える。
用いることによって変更できる。つまり、Ｎ、ＯやＣＯ
□等の弱い酸素源が代りに使える。
事実、０００代りに極めて小流量（ｌ ｓｅｃｍ以下）
の０２を用いるという利点を得ることもできるが、この
ような非常に小さい流量は従来の半導体製造装置で再現
性よく制御するのは困難である。
の０２を用いるという利点を得ることもできるが、この
ような非常に小さい流量は従来の半導体製造装置で再現
性よく制御するのは困難である。
別の種類のフッ素エツチング用の化学作用では、フッ素
Ｒ（Ｓ Ｆ ｂ 等）と、フルオロシラン（Ｓ ｉ Ｆ
４等）と、臭素源（ＨＢｒ等）と、−酸化炭素等の弱
い酸素源を含む供給混合ガスを用いる。この化学作用は
、フォトレジストに対して良好な選択性を示して、異方
性の高速フッ素エツチングを与える。
Ｒ（Ｓ Ｆ ｂ 等）と、フルオロシラン（Ｓ ｉ Ｆ
４等）と、臭素源（ＨＢｒ等）と、−酸化炭素等の弱
い酸素源を含む供給混合ガスを用いる。この化学作用は
、フォトレジストに対して良好な選択性を示して、異方
性の高速フッ素エツチングを与える。
好首尾な結果で実証されたこの処理の実例を次に示す最
初の構造は、有機フォトレジスト材料のパターン形成層
で被覆されたタングステンの薄膜を含んでいた。初期の
ガス流は５ｉＦａ ２５ｓｅｃｍ、Ｓ Ｆ６ ２５ｓｃ
ｃｍ、 ＨＢｒ ２５ｓｃｃｍ及びＣ０Ｃ０３０ｓｃを
含み、総圧力３５０ミリＴｏｒｒｓ印加ＲＦ電力レベル
１７５ワツトであった。オーバエツチングの期間中はレ
ジストの侵食を避けるため、ＷＦｂ３０ｓｃｃｍの追加
流を上記のガス流に加えた。こうして得られた構造は、
はソ゛垂直のエツチング側壁、はんのわずかなライン巾
侵食、及びフォトレジストに対する約３対１の選択性を
示した。
初の構造は、有機フォトレジスト材料のパターン形成層
で被覆されたタングステンの薄膜を含んでいた。初期の
ガス流は５ｉＦａ ２５ｓｅｃｍ、Ｓ Ｆ６ ２５ｓｃ
ｃｍ、 ＨＢｒ ２５ｓｃｃｍ及びＣ０Ｃ０３０ｓｃを
含み、総圧力３５０ミリＴｏｒｒｓ印加ＲＦ電力レベル
１７５ワツトであった。オーバエツチングの期間中はレ
ジストの侵食を避けるため、ＷＦｂ３０ｓｃｃｍの追加
流を上記のガス流に加えた。こうして得られた構造は、
はソ゛垂直のエツチング側壁、はんのわずかなライン巾
侵食、及びフォトレジストに対する約３対１の選択性を
示した。
２段のシャワーヘッド２８０ （第３０Ｃ図）が、ウェ
ハ４８の下面５４近くで第３のガス供給管２５０と頂部
室２１８との間に配置される。このようなシャワーヘッ
ドの一例を第３０Ｃ図に示す。
ハ４８の下面５４近くで第３のガス供給管２５０と頂部
室２１８との間に配置される。このようなシャワーヘッ
ドの一例を第３０Ｃ図に示す。
２つのバッフル２８４と２８６がハウジング２８２内に
固定の関係で水平に保持され、バッフル２８６がパンフ
ル２８４の下方に位置する。第３のガス供給管２５０が
バッフル２８６の下方に位置し、そしてガスはガス供給
管２５０からバッフル２８６の孔２９０とパンフル２８
４の開口１２０２とを通って上方に進む。両バッフルは
、第３供給管２５０からの処理ガスがウェハ頂部室２１
８内へ直接流入するのを阻止するように配置され、また
第２バツフル２８４のどの孔２８８も第１パンフル２８
６の孔２９０と整列一致しないように位置合せされてい
る。シャワーヘッド２８０は、所望に応じこ＼に開示の
処理モジュールと組合せて使える。ハウジング２８２は
、幾つかの形状とでき、そして例えば漏斗の狭部を供給
管２５０の周囲に配置し、且つ、両バッフルを漏斗の上
方円筒状部に配置する漏斗形状としてもよい。
固定の関係で水平に保持され、バッフル２８６がパンフ
ル２８４の下方に位置する。第３のガス供給管２５０が
バッフル２８６の下方に位置し、そしてガスはガス供給
管２５０からバッフル２８６の孔２９０とパンフル２８
４の開口１２０２とを通って上方に進む。両バッフルは
、第３供給管２５０からの処理ガスがウェハ頂部室２１
８内へ直接流入するのを阻止するように配置され、また
第２バツフル２８４のどの孔２８８も第１パンフル２８
６の孔２９０と整列一致しないように位置合せされてい
る。シャワーヘッド２８０は、所望に応じこ＼に開示の
処理モジュールと組合せて使える。ハウジング２８２は
、幾つかの形状とでき、そして例えば漏斗の狭部を供給
管２５０の周囲に配置し、且つ、両バッフルを漏斗の上
方円筒状部に配置する漏斗形状としてもよい。
２段のシャワーヘッドは、この実施例において、ｔｕｆ
ｒａｍｃｏａｔｅｄ” （テフロン含浸（登録商標）陽
極酸化）アルミ、テフロンまたは水晶で作製される。好
首尾な結果の実験により、他の幾何形状のシャワーヘッ
ドも機能するが（例えば円形リングを持つ水晶管で、ガ
ス分散孔がウェハから離れて位置したもの）、２段型シ
ャワーヘッドの方がその高い処理量と一様性のためより
有効であム。
ｒａｍｃｏａｔｅｄ” （テフロン含浸（登録商標）陽
極酸化）アルミ、テフロンまたは水晶で作製される。好
首尾な結果の実験により、他の幾何形状のシャワーヘッ
ドも機能するが（例えば円形リングを持つ水晶管で、ガ
ス分散孔がウェハから離れて位置したもの）、２段型シ
ャワーヘッドの方がその高い処理量と一様性のためより
有効であム。
遠隔プラズマ処理は比較的新しいので、非一様性に対処
する従来の方法はほとんどない。ある製造メーカーは、
２つの同心円に沿って比較的大きい孔（内径約６．３５
酊（０，２５インチ）を持ち、中心に１つの小さい孔（
内径約３．８１ｍｍ（０，１５インチ））を持つ単一の
シャワーヘッドを使用した。これはシャワーヘッドを設
けないのと比べ改善されているが、別の市販のフォトレ
ジストストリンパが設備されているので、著しく高いス
トリップ速度がウェハの中心で生じる。レジスト除去の
パターンは、シャワーヘッドの孔のパターンを明らかに
反映する。ウェハの半径方向に沿ったレジスト除去のプ
ロットを第３０Ａ図に示す。比較のため、シャワーヘッ
ドを用いない場合の結果を第３０Ｂ図に示す。
する従来の方法はほとんどない。ある製造メーカーは、
２つの同心円に沿って比較的大きい孔（内径約６．３５
酊（０，２５インチ）を持ち、中心に１つの小さい孔（
内径約３．８１ｍｍ（０，１５インチ））を持つ単一の
シャワーヘッドを使用した。これはシャワーヘッドを設
けないのと比べ改善されているが、別の市販のフォトレ
ジストストリンパが設備されているので、著しく高いス
トリップ速度がウェハの中心で生じる。レジスト除去の
パターンは、シャワーヘッドの孔のパターンを明らかに
反映する。ウェハの半径方向に沿ったレジスト除去のプ
ロットを第３０Ａ図に示す。比較のため、シャワーヘッ
ドを用いない場合の結果を第３０Ｂ図に示す。
第３０Ｂ図の各曲線は、ウェハの中心からの距離が増す
につれ、レジストの除去量（厚）が減少することを示し
ている。第３０Ａ図の各曲線は、２段型シャワーヘッド
の使用がレジスト除去の一様性を大巾に改善することを
示している。
につれ、レジストの除去量（厚）が減少することを示し
ている。第３０Ａ図の各曲線は、２段型シャワーヘッド
の使用がレジスト除去の一様性を大巾に改善することを
示している。
単一シャワーヘッドの欠陥は、反応器内におけるガス流
の性質に基づいている。流れは粘性のある層流なので、
管を横切る速度分布は次のようになる。
の性質に基づいている。流れは粘性のある層流なので、
管を横切る速度分布は次のようになる。
Ｒ′
管壁近＜ （ｒ＝Ｒ）ではガス速度が非常に低いが、
管中心（ｒ＝ｏ）ではガスははるかに速く移動し、平均
速度＜ｖ＞の２倍にまでなる。このような速度分布のガ
スがウェハに衝突すると、速度が低い所より速度が高い
所で、より多くの反応物が移動する。これによって非一
様性が観測されるが、こ−に開示の実施例はこの問題を
解消している。
管中心（ｒ＝ｏ）ではガスははるかに速く移動し、平均
速度＜ｖ＞の２倍にまでなる。このような速度分布のガ
スがウェハに衝突すると、速度が低い所より速度が高い
所で、より多くの反応物が移動する。これによって非一
様性が観測されるが、こ−に開示の実施例はこの問題を
解消している。
その解決法は、ガス流内の一点と他点との間での速度差
を減じることにある。これは、ウェハへ達する前にガス
流が上式（１）で与えられる安定状態へ戻ってしまわな
いように、反応器の断面積が大きい放出管の下流で行わ
れなければならない。シャワーヘッドの孔を直接通過す
るガスの速度が著しく変化しないので、そのガス部分の
何れにも、放出管からウェハへと直接の、つまり“直視
の”通路が与えられてはならない。直視通路が残ってい
ると、ガスはそこを優先的に通過する。
を減じることにある。これは、ウェハへ達する前にガス
流が上式（１）で与えられる安定状態へ戻ってしまわな
いように、反応器の断面積が大きい放出管の下流で行わ
れなければならない。シャワーヘッドの孔を直接通過す
るガスの速度が著しく変化しないので、そのガス部分の
何れにも、放出管からウェハへと直接の、つまり“直視
の”通路が与えられてはならない。直視通路が残ってい
ると、ガスはそこを優先的に通過する。
直視通路を避けるためには、第２のシャワーヘッドつま
りパンフルが必要である。このバッフルの重要な特徴は
、第３０Ｃ図に示したように、下方シャワーヘッドを介
した放出管からの直接のガス流を阻止することにある。
りパンフルが必要である。このバッフルの重要な特徴は
、第３０Ｃ図に示したように、下方シャワーヘッドを介
した放出管からの直接のガス流を阻止することにある。
これによって、各ガス部分が充分混合され、比較的−様
な速度分布が下方パンフルの下側に現われる。流入ガス
と出会う第１のシャワーヘッド部品は、（１）第２のシ
ャワーヘッド部品を通るガスの直接通過を阻止する多数
の接続バッフル、または（２）前方への動きを完全に止
め、第２のシャワーヘッド部品へ至る前に速度ベクトル
を強制的に軸方向から半径方向に変化させる１つの一体
バンフル、または（３） （１）と（２）の間の中間構
造で構成し得る。
な速度分布が下方パンフルの下側に現われる。流入ガス
と出会う第１のシャワーヘッド部品は、（１）第２のシ
ャワーヘッド部品を通るガスの直接通過を阻止する多数
の接続バッフル、または（２）前方への動きを完全に止
め、第２のシャワーヘッド部品へ至る前に速度ベクトル
を強制的に軸方向から半径方向に変化させる１つの一体
バンフル、または（３） （１）と（２）の間の中間構
造で構成し得る。
バッフル及びハウジングについて別の形状を用いた結果
を第３０Ｄ図に示す。第３０Ｄ図の各曲線は、第１のシ
ャワーヘッドが第２のシャワーヘッドの中心孔をちょう
ど覆う円錐状バッフルから成るような２段型シャワーヘ
ッド概念の実施によって得られた、最適ではないが改善
された灰化の一様性を示す。これは、使われている固有
の化学作用は異なるが、円錐状バッフルなしの第２のシ
ャワーヘッドを用いて得られた第３０Ａ図と比較可能で
ある。上記シャワーヘッドは、第３０Ｃ図に示したパン
フル２８４と同様なバッフルを有することができる。ま
た、供給管２５０の先端真上に位置し、頂端を上向きに
した円錐体から成る下方パフフルを有することもできる
。円錐体の直径は、供給管２５０の直径よりやへ大きく
すればよい。円錐体を逆さに配置するのも可能である。
を第３０Ｄ図に示す。第３０Ｄ図の各曲線は、第１のシ
ャワーヘッドが第２のシャワーヘッドの中心孔をちょう
ど覆う円錐状バッフルから成るような２段型シャワーヘ
ッド概念の実施によって得られた、最適ではないが改善
された灰化の一様性を示す。これは、使われている固有
の化学作用は異なるが、円錐状バッフルなしの第２のシ
ャワーヘッドを用いて得られた第３０Ａ図と比較可能で
ある。上記シャワーヘッドは、第３０Ｃ図に示したパン
フル２８４と同様なバッフルを有することができる。ま
た、供給管２５０の先端真上に位置し、頂端を上向きに
した円錐体から成る下方パフフルを有することもできる
。円錐体の直径は、供給管２５０の直径よりやへ大きく
すればよい。円錐体を逆さに配置するのも可能である。
これ以外の２シヤワーヘツドの構成も可能である。
壁に沿ってその後に生じるガスの遅れが、ウェハへの到
達前に新たに形成されたガスの速度分布を著しく左右し
ないように、室壁はシャワーヘッド及びウェハから充分
に離れて位置する必要がある。この−様な速度分布の効
果は、参考文献として本明細書に含まれるシュリヒテン
グ（ＨｏＳｃｈｌｉｃｈｔｉｎｇ）著、「境界層の理論
（Ｂｏｕｎｄａｒｙ−Ｌａｙｅｒ Ｔｈｅｏｒｙ） Ｊ
（第７版、１９７９）から引例した第３０Ｅ図に示
すように、表面上に厚さｄの−様に厚い境界層を形成す
ることにある。−様な境界層は、ウェハに対する反応物
の−様な輸送をもたらす。
達前に新たに形成されたガスの速度分布を著しく左右し
ないように、室壁はシャワーヘッド及びウェハから充分
に離れて位置する必要がある。この−様な速度分布の効
果は、参考文献として本明細書に含まれるシュリヒテン
グ（ＨｏＳｃｈｌｉｃｈｔｉｎｇ）著、「境界層の理論
（Ｂｏｕｎｄａｒｙ−Ｌａｙｅｒ Ｔｈｅｏｒｙ） Ｊ
（第７版、１９７９）から引例した第３０Ｅ図に示
すように、表面上に厚さｄの−様に厚い境界層を形成す
ることにある。−様な境界層は、ウェハに対する反応物
の−様な輸送をもたらす。
シャワーヘッドを形成する材料は、セラミック、強度の
陽極酸化アルミ、ステンレス鋼、テフロン、または水晶
が使え、処理ガスとの適合性に依存して選ばれる。寸法
は、−様な速度分布に影響を及ぼさないように反応器の
壁がウェハから充分に離れていれば、任意のウェハサイ
ズと合うように選べる。各孔のサイズは、ガス全体の通
過を妨げたり、表面における反応種の損失を生じないよ
うに、また加工し易いように充分大きく （は”ｉ’
２．５４ ＊ｍ〜６．３５麿ｍ（０，１〜０．２５イン
チ））とすべきである。２つのシャワーヘッド部品間の
距離は、少なくとも径の２倍の大きさとすべきである。
陽極酸化アルミ、ステンレス鋼、テフロン、または水晶
が使え、処理ガスとの適合性に依存して選ばれる。寸法
は、−様な速度分布に影響を及ぼさないように反応器の
壁がウェハから充分に離れていれば、任意のウェハサイ
ズと合うように選べる。各孔のサイズは、ガス全体の通
過を妨げたり、表面における反応種の損失を生じないよ
うに、また加工し易いように充分大きく （は”ｉ’
２．５４ ＊ｍ〜６．３５麿ｍ（０，１〜０．２５イン
チ））とすべきである。２つのシャワーヘッド部品間の
距離は、少なくとも径の２倍の大きさとすべきである。
２つのシャワーヘッド部品は、下向き処理用の向きで配
置することもできる。
置することもできる。
つまり、この種類の実施例は次の利点を与える。
（１）速い流れの遠隔プラズマシステム内における全て
の等方性処理への適用、（２）−様な処理結果の促進、
（３）高速のエツチング及び被着用の高い反応物処理量
の維持、（４）処理適合性のための弾力的な材料選択、
（５）下向き処理の包含。
の等方性処理への適用、（２）−様な処理結果の促進、
（３）高速のエツチング及び被着用の高い反応物処理量
の維持、（４）処理適合性のための弾力的な材料選択、
（５）下向き処理の包含。
関連の背景情報は、参考文献として本明細書に含まれる
ホワード（ｃ，Ｊ、Ｈｏｗａｒｄ）の論文、ｖｏｌ。
ホワード（ｃ，Ｊ、Ｈｏｗａｒｄ）の論文、ｖｏｌ。
８３、Ｊ、 Ｐｈｙｓ、 Ｃｈｅｍ、、 ６頁（１９
７９）に見い出せる。
７９）に見い出せる。
こ＼に開示する一方法は、ポリマー、その他の有機残留
物を除去する処理であるデスカム（ｄｅｓｃｕｍ）処理
を与える。この処理では改善された結果を達成するため
に、２段のシャワーヘッド（第３０Ｃ図）を含む分配器
を介して供給される遠隔プラズマを用いる。
物を除去する処理であるデスカム（ｄｅｓｃｕｍ）処理
を与える。この処理では改善された結果を達成するため
に、２段のシャワーヘッド（第３０Ｃ図）を含む分配器
を介して供給される遠隔プラズマを用いる。
フォトレジストを用いる場合の一般的な処理条件が、“
デスカム”と称される工程である。通常のフォトレジス
ト処理は、レジストの露出形成後に、完全に清浄なパタ
ーンを与えない。パターンの中には、取り除くことが望
まれる領域や、高分子量ポリマー化合物の顕著な残留物
を尚含む領域が存在する。通常これらは、強い侵食性の
等方性エツチングで除去されねばならない。例えば、非
露出領域内における１、４ミクロンの厚さのフォトレジ
スト層は、その領域内に０．５ミクロン以上のレジスト
残留物を尚含み、これを取り除く必要がある。通常これ
は湿式処理工程として行われているが、こ−に開示する
実施例はこの機能を乾式処理で行う方法を与える。
デスカム”と称される工程である。通常のフォトレジス
ト処理は、レジストの露出形成後に、完全に清浄なパタ
ーンを与えない。パターンの中には、取り除くことが望
まれる領域や、高分子量ポリマー化合物の顕著な残留物
を尚含む領域が存在する。通常これらは、強い侵食性の
等方性エツチングで除去されねばならない。例えば、非
露出領域内における１、４ミクロンの厚さのフォトレジ
スト層は、その領域内に０．５ミクロン以上のレジスト
残留物を尚含み、これを取り除く必要がある。通常これ
は湿式処理工程として行われているが、こ−に開示する
実施例はこの機能を乾式処理で行う方法を与える。
この処理の一実施例においては、パターン化フォトレジ
ストのデスカムが、１００℃及び総圧ＩＴｏｒｒで、０
２ １０００ＳＣＣＩＩＩとＨ２２００ｓｃｃｍから成
る混合処理ガスを用い、好首尾な結果で実証された。質
量流量の選択は、０□の質量流量に比例した大きい除去
速度をもたらす一方、質量流量と圧力に反比例するウェ
ハの半径方向における−様な除去を保つよろに設定され
た。反応器は、全てのガスが４００Ｗの電力を供給され
る遠隔プラズマ室２５４を通過するように設定された。
ストのデスカムが、１００℃及び総圧ＩＴｏｒｒで、０
２ １０００ＳＣＣＩＩＩとＨ２２００ｓｃｃｍから成
る混合処理ガスを用い、好首尾な結果で実証された。質
量流量の選択は、０□の質量流量に比例した大きい除去
速度をもたらす一方、質量流量と圧力に反比例するウェ
ハの半径方向における−様な除去を保つよろに設定され
た。反応器は、全てのガスが４００Ｗの電力を供給され
る遠隔プラズマ室２５４を通過するように設定された。
処理の化学作用は、その他、０□と次の種のうち１つ以
上とで構成することもできる。この種とは、Ｎ２０、Ｈ
，０１Ｈ２、ＣＦ ａ、ＣＨＦｆｆ、ＨＣｌＨＢｒ及び
（１２である。これらのうち、一部の例では下記の理由
から付加ガスとして最も有効である。（ａ） Ｎ ２０
の付加は、特に低温においてＨ２はど速度を高めない、
（ｂｌハロゲン含有ガスは、基板上に存在する金属に有
害な影響を及ぼす危険を与える。この制約を度外視すれ
ば、ＣＦ４とＣＨＦ３はＨ２より１桁速いデスカム速度
を与えるので、非常に良好な付加ガスである。ＣＦ、及
びＣＨＦ３に伴う残りの問題は、Ｆ原子の存在による反
応器材料との適合性の問題である。この点は、テフロン
（登録商標）製のシャワーヘッドを使うことで解消でき
る。
上とで構成することもできる。この種とは、Ｎ２０、Ｈ
，０１Ｈ２、ＣＦ ａ、ＣＨＦｆｆ、ＨＣｌＨＢｒ及び
（１２である。これらのうち、一部の例では下記の理由
から付加ガスとして最も有効である。（ａ） Ｎ ２０
の付加は、特に低温においてＨ２はど速度を高めない、
（ｂｌハロゲン含有ガスは、基板上に存在する金属に有
害な影響を及ぼす危険を与える。この制約を度外視すれ
ば、ＣＦ４とＣＨＦ３はＨ２より１桁速いデスカム速度
を与えるので、非常に良好な付加ガスである。ＣＦ、及
びＣＨＦ３に伴う残りの問題は、Ｆ原子の存在による反
応器材料との適合性の問題である。この点は、テフロン
（登録商標）製のシャワーヘッドを使うことで解消でき
る。
水素極の使用は、レジスト材料内の不飽和結合を開くの
を助けることによって、反応に有利に寄与し得る。
を助けることによって、反応に有利に寄与し得る。
選択性はデスカム処理においてそれほど重要ではないが
、実際上こ＼に記す処理はシリコンに対して良好な選択
性を有し、この点も利点である。
、実際上こ＼に記す処理はシリコンに対して良好な選択
性を有し、この点も利点である。
使用するレジストは、標準的なポジティブレジストとし
た。指定のテスト例では、ＭＦ−３１４発色剤で発色さ
れたシプリー（Ｓｈｉｐｌｅｙ） １８１３（登録商
標）を用いた。パターン形成は約２５゜ｎ＋ｓｅｃ間ｉ
ライン波長で行い、不足露出による“スカム”を与えた
。レジストは、検討の目的上そのままのＳｉ上に施した
が、実際の使用時には、フォトレジストをアルミ等エツ
チングすべき膜の頂部に施して実行される。サンプルを
処理し、所望のパターン間にかなりの量の非露出フォト
レジストを残した。事実、ＳＥＭ画像の測定から、所望
のレジストパターン間に残っているはＬ’ ５０００人
のフォトレジストが認められ、これは実際のケースで見
られるものより少なくとも１桁悪いと推定される。本ケ
ースでは、中間“スカム”が、光学的顕微鏡法によって
６分間で除去された。従って、むしろ５００人のスカム
が一般に存在する実際のケースでは、処理が１分より短
くなるはずである。
た。指定のテスト例では、ＭＦ−３１４発色剤で発色さ
れたシプリー（Ｓｈｉｐｌｅｙ） １８１３（登録商
標）を用いた。パターン形成は約２５゜ｎ＋ｓｅｃ間ｉ
ライン波長で行い、不足露出による“スカム”を与えた
。レジストは、検討の目的上そのままのＳｉ上に施した
が、実際の使用時には、フォトレジストをアルミ等エツ
チングすべき膜の頂部に施して実行される。サンプルを
処理し、所望のパターン間にかなりの量の非露出フォト
レジストを残した。事実、ＳＥＭ画像の測定から、所望
のレジストパターン間に残っているはＬ’ ５０００人
のフォトレジストが認められ、これは実際のケースで見
られるものより少なくとも１桁悪いと推定される。本ケ
ースでは、中間“スカム”が、光学的顕微鏡法によって
６分間で除去された。従って、むしろ５００人のスカム
が一般に存在する実際のケースでは、処理が１分より短
くなるはずである。
エツチングまたは被着用途のための活性化種を発生する
遠隔プラズマを用いる処理に伴う一般的な問題は、ウェ
ハの表面における処理の一様性が劣る点にある。これは
、ウェハの表面の真上に淀みガスの境界層を形成するガ
スの流体力学の結果である。淀みガスは、ウェハへの、
及びそのウェハからの反応物及び生成物の輸送を妨げる
。この問題はフォトレジストの灰化で例証されでおり、
レジストの除去は一般にウェハのエツジにおけるよりも
、反応室への放出管の入口真近で数倍大きくなる。この
例では、−様性が良くないために、デスカム用途用の装
置を用いることができない。
遠隔プラズマを用いる処理に伴う一般的な問題は、ウェ
ハの表面における処理の一様性が劣る点にある。これは
、ウェハの表面の真上に淀みガスの境界層を形成するガ
スの流体力学の結果である。淀みガスは、ウェハへの、
及びそのウェハからの反応物及び生成物の輸送を妨げる
。この問題はフォトレジストの灰化で例証されでおり、
レジストの除去は一般にウェハのエツジにおけるよりも
、反応室への放出管の入口真近で数倍大きくなる。この
例では、−様性が良くないために、デスカム用途用の装
置を用いることができない。
特別に設計された２段のシャワーヘッドを遠隔プラズマ
のガス分配器として用いるという本願の教示は、−様性
が大巾に改善されるという利点を与える。
のガス分配器として用いるという本願の教示は、−様性
が大巾に改善されるという利点を与える。
次に第３１図を参照すると、真空処理システム用の電気
計装及び制御系７００のブロック図が示しである。この
系は、８０８８ベースＰＣ，つまりテキサス・インスツ
ルメント社のプロフェッショナルコンピュータとし得る
コンピュータ制御システム２０６によって制御可能であ
る。コンピュータ制御システムは、要望に応じ特定の処
理シーケンスを実施するようにプログラムできる。処理
が開始されると、コンピュータ制御システム２０６が処
理フローをモニターして制御する。
計装及び制御系７００のブロック図が示しである。この
系は、８０８８ベースＰＣ，つまりテキサス・インスツ
ルメント社のプロフェッショナルコンピュータとし得る
コンピュータ制御システム２０６によって制御可能であ
る。コンピュータ制御システムは、要望に応じ特定の処
理シーケンスを実施するようにプログラムできる。処理
が開始されると、コンピュータ制御システム２０６が処
理フローをモニターして制御する。
系は多数の処理モニター計器を存し、これらが制御シス
テム２０６に入力信号を与える一方、これらの入力信号
及びプログラムされた処理シーケンスに基づき、制御シ
ステム２０６は制御器あるいは特定の構成部品のいずれ
かに出力を与える。
テム２０６に入力信号を与える一方、これらの入力信号
及びプログラムされた処理シーケンスに基づき、制御シ
ステム２０６は制御器あるいは特定の構成部品のいずれ
かに出力を与える。
コンピュータ制御システム２０６の各入／出力を以下説
明する。
明する。
真空ウェハキャリヤ１０（第１図）を真空装填ロック室
１２内に置き、そして装填ロック蓋２０を閉じた後、自
動処理シーケンスが始められる。
１２内に置き、そして装填ロック蓋２０を閉じた後、自
動処理シーケンスが始められる。
処理シーケンス及びスタートを含むコンピュータ制御シ
ステムとのキーボードを介した対話は、メニュー駆動さ
れる。初期の起動シーケンス中、実際の処理を開始する
前に、粗引きポンプ、ターボ分子ポンプ、必要なら低温
真空ポンプが全て始動される。
ステムとのキーボードを介した対話は、メニュー駆動さ
れる。初期の起動シーケンス中、実際の処理を開始する
前に、粗引きポンプ、ターボ分子ポンプ、必要なら低温
真空ポンプが全て始動される。
浄化及びポンプ排気機のシーケンスは第１１図に示して
あり、以下必要に応じ同図も参照する。
あり、以下必要に応じ同図も参照する。
処理８００がスタートすると、コンピュータ制御システ
ムが装填ロック粗引きポンプ用制御器７０１に信号を送
り、同制御器は、ステップ８０４に示すように、粗引き
ポンプ用装填ロック隔離弁７０２を開く信号を送る。こ
れで、粗引きポンプが真空装填ロック室１２内を真空に
引き始める。
ムが装填ロック粗引きポンプ用制御器７０１に信号を送
り、同制御器は、ステップ８０４に示すように、粗引き
ポンプ用装填ロック隔離弁７０２を開く信号を送る。こ
れで、粗引きポンプが真空装填ロック室１２内を真空に
引き始める。
次いでステップ８０２に示すように、制御システム２０
６が装填ロック窒素浄化弁７０３を開（信号を送る。こ
れで、装填ロック室１２の窒素浄化が始まり、真空ウェ
ハキャリヤ１０の外表面を汚染している粒子をその表面
から吹き飛ばし、そして真空系による除去を可能とする
。また、装填シーケンス中に真空装填ロック室１２へ至
る通路で見つかった粒子の除去も可能とする。
６が装填ロック窒素浄化弁７０３を開（信号を送る。こ
れで、装填ロック室１２の窒素浄化が始まり、真空ウェ
ハキャリヤ１０の外表面を汚染している粒子をその表面
から吹き飛ばし、そして真空系による除去を可能とする
。また、装填シーケンス中に真空装填ロック室１２へ至
る通路で見つかった粒子の除去も可能とする。
次いで制御システム２０６が装填ロック圧力制御器７０
４に圧力設定点信号を与え、同制御器はステップ８０８
に示す窒素浄化中に電気信号を装填ロック圧力制御弁７
０５に与える。
４に圧力設定点信号を与え、同制御器はステップ８０８
に示す窒素浄化中に電気信号を装填ロック圧力制御弁７
０５に与える。
ステップ８０６に示すように、装填ロック粒子センサ２
０２及び粒子カウンタ８５０は、浄化処理中に検出した
粒子の数に対応する入力信号をコンピュータ制御システ
ムを与える。ステップ８１０に示すように、粒子カウン
タ８５０が所定の時間全く粒子を検出しないと、制御シ
ステム２０６が信号を送り、ステップ８１４に示すよう
に装填ロック窒素浄化弁７０３を閉じ、そしてステップ
８１２に示すように装填ロック圧力制御器７０４を介し
て装填ロック圧力制御弁７０５を全開して浄化処理を完
了する。
０２及び粒子カウンタ８５０は、浄化処理中に検出した
粒子の数に対応する入力信号をコンピュータ制御システ
ムを与える。ステップ８１０に示すように、粒子カウン
タ８５０が所定の時間全く粒子を検出しないと、制御シ
ステム２０６が信号を送り、ステップ８１４に示すよう
に装填ロック窒素浄化弁７０３を閉じ、そしてステップ
８１２に示すように装填ロック圧力制御器７０４を介し
て装填ロック圧力制御弁７０５を全開して浄化処理を完
了する。
次いでステップ８１６に示すように、制御システム２０
６が装填ロックターボポンプ隔離弁７０７を開く信号を
装填ロックターボポンプ制御器７０６に送る。
６が装填ロックターボポンプ隔離弁７０７を開く信号を
装填ロックターボポンプ制御器７０６に送る。
装填ロック内の真空が真空ウェハキャリヤ１０以上にな
るまで、ターボ分子ポンプが装填ロックをポンプ排気し
続ける。ステップ８１８に示すように、真空装填ロック
内の真空が装填ロック真空計６２からコンピュータ制御
システムへ人力として与えられる。
るまで、ターボ分子ポンプが装填ロックをポンプ排気し
続ける。ステップ８１８に示すように、真空装填ロック
内の真空が装填ロック真空計６２からコンピュータ制御
システムへ人力として与えられる。
真空が充分に下がった後、制御システム２０６が真空ウ
ェハキャリヤドアモータ７０７に信号を送り、ステップ
８２２に示すように真空ウェハキャリヤドア１４を全開
する。最後のウェハの処理シーケンスが完了するまで、
ドア１４は通常開いたま＼である。
ェハキャリヤドアモータ７０７に信号を送り、ステップ
８２２に示すように真空ウェハキャリヤドア１４を全開
する。最後のウェハの処理シーケンスが完了するまで、
ドア１４は通常開いたま＼である。
こ＼でウェハ４８は、制御システム２０８によって制御
される移送アーム２８を介し、ウェハキャリヤ１０から
処理室へ任意の所望順序で移動可能である。制御システ
ム２０６が移送アーム２８を移動可能とする前に、真空
ウェハキャリヤドア１４が全開であることを真空ウェハ
キャリヤセンサ７０８を指示しなければならない。制御
システム２０６が移送アーム制御器７０９に信号を送り
、ウェハ移送アーム２８をそのホーム位置から、処理の
ために選ばれたウェハの下方に近接するがそれには接触
しない位置へと移動し、これが制御システム２０６に入
力される。
される移送アーム２８を介し、ウェハキャリヤ１０から
処理室へ任意の所望順序で移動可能である。制御システ
ム２０６が移送アーム２８を移動可能とする前に、真空
ウェハキャリヤドア１４が全開であることを真空ウェハ
キャリヤセンサ７０８を指示しなければならない。制御
システム２０６が移送アーム制御器７０９に信号を送り
、ウェハ移送アーム２８をそのホーム位置から、処理の
ために選ばれたウェハの下方に近接するがそれには接触
しない位置へと移動し、これが制御システム２０６に入
力される。
移送アーム２８がウェハの下に位置すると、ウェハがそ
の位置に存在するかどうかを示す信号を、ウェハ移送ア
ームセンサ７１０が制御システム２０６に送る。ウェハ
アーム移送センサ７１０は容量型近接検出器である。ウ
ェハの存在が検出されると、制御システムは移送アーム
制御器７０９に信号を送り、移送シーケンスの継続を可
能とする。移送アーム２８が垂直に上方に移動し、そし
てウェハ４８を突起６０から持ち上げる。
の位置に存在するかどうかを示す信号を、ウェハ移送ア
ームセンサ７１０が制御システム２０６に送る。ウェハ
アーム移送センサ７１０は容量型近接検出器である。ウ
ェハの存在が検出されると、制御システムは移送アーム
制御器７０９に信号を送り、移送シーケンスの継続を可
能とする。移送アーム２８が垂直に上方に移動し、そし
てウェハ４８を突起６０から持ち上げる。
ここで第１．３及び４図に関連して説明したように、ウ
ェハを３本のビン５０上に支持した移送アーム２８は、
真空ウェハキャリヤ１０から外へ水平に移動する。移送
アーム２８が真空ウェハキャリヤ１０から出た後、移送
アーム制御器７０９は、隔離ゲート３１ （第３図）を
通過して処理室内の３本のテーパ状ピン５３の頂部へと
載置可能な適切な垂直位置に移送アーム２８を位置決め
する。
ェハを３本のビン５０上に支持した移送アーム２８は、
真空ウェハキャリヤ１０から外へ水平に移動する。移送
アーム２８が真空ウェハキャリヤ１０から出た後、移送
アーム制御器７０９は、隔離ゲート３１ （第３図）を
通過して処理室内の３本のテーパ状ピン５３の頂部へと
載置可能な適切な垂直位置に移送アーム２８を位置決め
する。
所望なら、ウェハ４８を隔離ゲート３１を介して移動し
ようとする前のある時点で、一般には最後の処理シーケ
ンスの終わりに、装填ロック室が前記のごとく行ったの
と同様なポンプ排気及び浄化処理を、処理室がし終って
いる。制御システム２０６が処理室圧力制御器７１１に
信号を送り、同制御器７１１は更に処理室粗引きポンプ
隔離弁７１２を開く信号を送る。次いで制御システム２
０６は、窒素浄化弁７１３を開く信号を送った後、処理
室圧力制御器７１４に設定点信号を送り、更に同制御器
１１４が処理室絞り弁７１５を制御し、窒素浄化処理の
間処理室内を適切な真空に維持する。この浄化処理は、
制御システム２０６によってモニターされている所定の
時間中に処理粒子カウンタ２０８が粒子の不在を検出す
るまで継続される。
ようとする前のある時点で、一般には最後の処理シーケ
ンスの終わりに、装填ロック室が前記のごとく行ったの
と同様なポンプ排気及び浄化処理を、処理室がし終って
いる。制御システム２０６が処理室圧力制御器７１１に
信号を送り、同制御器７１１は更に処理室粗引きポンプ
隔離弁７１２を開く信号を送る。次いで制御システム２
０６は、窒素浄化弁７１３を開く信号を送った後、処理
室圧力制御器７１４に設定点信号を送り、更に同制御器
１１４が処理室絞り弁７１５を制御し、窒素浄化処理の
間処理室内を適切な真空に維持する。この浄化処理は、
制御システム２０６によってモニターされている所定の
時間中に処理粒子カウンタ２０８が粒子の不在を検出す
るまで継続される。
上記の状態が達成されると、制御システムは処理室窒素
浄化弁７１３を閉じ、そして処理室圧力制御器７１４は
処理室隔離弁７１５を閉じる。制御システム２０６は処
理室ターボポンプ制御器７１６に信号を送り、処理室タ
ーボポンプ隔離弁７１７を開く。処理室真空センサ７１
８が、真空情報を制御システム２０６に与える。
浄化弁７１３を閉じ、そして処理室圧力制御器７１４は
処理室隔離弁７１５を閉じる。制御システム２０６は処
理室ターボポンプ制御器７１６に信号を送り、処理室タ
ーボポンプ隔離弁７１７を開く。処理室真空センサ７１
８が、真空情報を制御システム２０６に与える。
真空センサ７１８からの入力信号によって指示される処
理室内の真空と、真空センサ６２によって指示される装
填ロック内の真空と逅所定のレベルより低いと、制御シ
ステムが隔離ゲート３１に信号を送って開く。
理室内の真空と、真空センサ６２によって指示される装
填ロック内の真空と逅所定のレベルより低いと、制御シ
ステムが隔離ゲート３１に信号を送って開く。
次に移送シーケンスに移ると、移送アーム２８がウェハ
４８と共に、隔離ゲート３１を通り処理室内へと水平に
移動する。次いで移送アーム２８が下降され、そしてウ
ェハ４８が処理室内の３本のテーパ状ピン５３上に載置
される。ウェハがアームから取り除かれたことをウェハ
移送アームセンサ７１０が指示すべきように、移送アー
ム２８は充分に下降される。ウェハ４８がもはや移送ア
ーム２８上に存在しないことをウェハ移送アームセンサ
７１０が指示すると、制御システム２０６は移送アーム
制御器７０９に信号を送り、移送アーム２８を隔離ゲー
トを介して処理室から取り出し、そのホーム位置へと戻
す。上記のシーケンスが完了すると、制御システム２０
６はベローズ空気シリンダ（図示せず）に信号を送り、
それを上昇して、処理シーケンスの開始準備のために処
理室を閉める。
４８と共に、隔離ゲート３１を通り処理室内へと水平に
移動する。次いで移送アーム２８が下降され、そしてウ
ェハ４８が処理室内の３本のテーパ状ピン５３上に載置
される。ウェハがアームから取り除かれたことをウェハ
移送アームセンサ７１０が指示すべきように、移送アー
ム２８は充分に下降される。ウェハ４８がもはや移送ア
ーム２８上に存在しないことをウェハ移送アームセンサ
７１０が指示すると、制御システム２０６は移送アーム
制御器７０９に信号を送り、移送アーム２８を隔離ゲー
トを介して処理室から取り出し、そのホーム位置へと戻
す。上記のシーケンスが完了すると、制御システム２０
６はベローズ空気シリンダ（図示せず）に信号を送り、
それを上昇して、処理シーケンスの開始準備のために処
理室を閉める。
制御システム２０６は、どんな構成の真空処理装置が使
われる場合でも、実施される処理作業の何れでも制御す
るようにプログラムできる。制御システム２０６は、真
空処理装置の構成に応じ、幾つかの方法の１つによって
所望のウェハ温度を設定可能である。真空処理装置が抵
抗加熱される基板を用いる例では、加熱基板温度センサ
７２０からの温度情報が制御システム２０６．に与えら
れ、制御システム２０６が制御信号を加熱基板温度制御
器７２４に与え、これが加熱基板電源７２５を制御する
。別の実施例では、制御システムが放射加熱ランプ電源
制御器７２１に入力を与え、この制御器７２１は、電力
の量と、ランプ電源７２２から放射加熱ランプに入力さ
れる電力の変化速度とを制御する。更に別の実施例では
、制御システム２０６が熱交換制御弁７２３に入力を与
え、これが基板への冷却水の流量を制御する。更に、マ
イクロ波プラズマを用いる場合には、制御システムは、
マイクロ波プラズマ温度センサ７２６からマイクロ波プ
ラズマ温度を受は取り、マイクロ波プラズマ電源制御器
７２７に制御信号を送って、これがマイクロ波プラズマ
電源を７２８を制御し適切なプラズマ温度を達成する。
われる場合でも、実施される処理作業の何れでも制御す
るようにプログラムできる。制御システム２０６は、真
空処理装置の構成に応じ、幾つかの方法の１つによって
所望のウェハ温度を設定可能である。真空処理装置が抵
抗加熱される基板を用いる例では、加熱基板温度センサ
７２０からの温度情報が制御システム２０６．に与えら
れ、制御システム２０６が制御信号を加熱基板温度制御
器７２４に与え、これが加熱基板電源７２５を制御する
。別の実施例では、制御システムが放射加熱ランプ電源
制御器７２１に入力を与え、この制御器７２１は、電力
の量と、ランプ電源７２２から放射加熱ランプに入力さ
れる電力の変化速度とを制御する。更に別の実施例では
、制御システム２０６が熱交換制御弁７２３に入力を与
え、これが基板への冷却水の流量を制御する。更に、マ
イクロ波プラズマを用いる場合には、制御システムは、
マイクロ波プラズマ温度センサ７２６からマイクロ波プ
ラズマ温度を受は取り、マイクロ波プラズマ電源制御器
７２７に制御信号を送って、これがマイクロ波プラズマ
電源を７２８を制御し適切なプラズマ温度を達成する。
はとんど全ての処理において、所望の結果を達成するの
に１つ以上の処理ガスが使われる。制御システム２０６
がマニホルド弁制御器７２９に信号を送り、この制御器
７２９は、マニホルド弁７３０のうちどれが使われか、
従ってどのガス及び如何なる大きさの流量が答弁を通っ
て流されるかを制御する。
に１つ以上の処理ガスが使われる。制御システム２０６
がマニホルド弁制御器７２９に信号を送り、この制御器
７２９は、マニホルド弁７３０のうちどれが使われか、
従ってどのガス及び如何なる大きさの流量が答弁を通っ
て流されるかを制御する。
幾つかの実施例では、ウェハの処理を高めるためにその
場での紫外線エネルギーが与えられる。
場での紫外線エネルギーが与えられる。
ＵＶ（ここでＵＶは紫外光を定義するものとして使う）
室のインピーダンスとの整合のため、制御システム２０
６がＵＶ同調器７３１に信号を与える。更に、制御シス
テムはＵＶ電源制御器７３２にも信号を送り、これがＵ
Ｖ発信器電源７３３を調整する。
室のインピーダンスとの整合のため、制御システム２０
６がＵＶ同調器７３１に信号を与える。更に、制御シス
テムはＵＶ電源制御器７３２にも信号を送り、これがＵ
Ｖ発信器電源７３３を調整する。
一部の実施例では、ウェハ４８の面に向けて帯電粒子を
加速するのに、真空処理装置が低電力の無線周波数エネ
ルギーを用いる。制御システム２０６が無線周波数同調
器７３４に入力を与え、その結果ＵＶ送信器のインピー
ダンスが処理室内のＲＦ（ここでＲＦは無線周波数を定
義するものとして使われる）のインピーダンスと整合可
能になる。
加速するのに、真空処理装置が低電力の無線周波数エネ
ルギーを用いる。制御システム２０６が無線周波数同調
器７３４に入力を与え、その結果ＵＶ送信器のインピー
ダンスが処理室内のＲＦ（ここでＲＦは無線周波数を定
義するものとして使われる）のインピーダンスと整合可
能になる。
処理室内にプラズマを発生したり、その中の基板を加熱
するのにＲＦエネルギーが使われるときには、無線周波
数温度センサ７３５は処理室内のＲＦ電極の温度に対応
した信号を制御システム２０６に与える。すると制御シ
ステムがＲＦ電源制御器７３６に信号を与え、これが送
信器の出力電力を調整するＲＦ電源７３７に信号を与え
て適切なＲＦ電極温度を達成する。
するのにＲＦエネルギーが使われるときには、無線周波
数温度センサ７３５は処理室内のＲＦ電極の温度に対応
した信号を制御システム２０６に与える。すると制御シ
ステムがＲＦ電源制御器７３６に信号を与え、これが送
信器の出力電力を調整するＲＦ電源７３７に信号を与え
て適切なＲＦ電極温度を達成する。
処理が完了すると、制御システムが該当のマニホルド弁
７３０を閉じ、前記した該当の電源を停止する。
７３０を閉じ、前記した該当の電源を停止する。
所望なら、処理の完了時、制御システム２０６が前述し
たように処理室の浄化サイクルを開始する。この浄化サ
イクルは固定の時間、あるいは処理室粒子カウンタ２０
８が所定時間の間０粒子を指示するまで続けられる。
たように処理室の浄化サイクルを開始する。この浄化サ
イクルは固定の時間、あるいは処理室粒子カウンタ２０
８が所定時間の間０粒子を指示するまで続けられる。
次いで制御システム２０６は窒素浄化弁７１３を閉じ、
そして装填ロックと処理室との間の真空差を制御システ
ムでモニターしながら、ポンプ排気処理がｊｌｌ′Ｖｔ
される。処理室真空センサと装填ロック真空センサから
制御システム２０６への入力信号とが画室間の真空差が
所定の量より小さいことを指示すると、制御システムは
信号を送り、ベローズを下動させることによって処理室
を開く。
そして装填ロックと処理室との間の真空差を制御システ
ムでモニターしながら、ポンプ排気処理がｊｌｌ′Ｖｔ
される。処理室真空センサと装填ロック真空センサから
制御システム２０６への入力信号とが画室間の真空差が
所定の量より小さいことを指示すると、制御システムは
信号を送り、ベローズを下動させることによって処理室
を開く。
処理室が開いた後、制御システム２０６は移送アーム制
御器７０９に信号を送り、ウェハ４８を処理室から回収
してそれを真空ウェハキャリヤに戻す。
御器７０９に信号を送り、ウェハ４８を処理室から回収
してそれを真空ウェハキャリヤに戻す。
つまり、移送アーム制御器７０９は移送アーム２８を、
そのホーム位置から隔離ゲート４介し処理室内のウェハ
４８下方の地点へと水平に移動させる。ウェハ移送アー
ムセンサ７１０は、ウェハ４８に接近したことを検知す
ると、制御システムに信号を与える。この信号の受信後
、移送アーム２８が垂直に上昇し、ウェハ４８をテーパ
状ピン５３から持ち上げる。次いで移送アーム２８は隔
離ゲート３１を通り、真空装填ロック室１２内に移動す
る。その後移送アーム制御器７０９は、移送アーム２８
を、当初そごからウェハが取り出されたスロットの垂直
位置へと垂直に上下動する。
そのホーム位置から隔離ゲート４介し処理室内のウェハ
４８下方の地点へと水平に移動させる。ウェハ移送アー
ムセンサ７１０は、ウェハ４８に接近したことを検知す
ると、制御システムに信号を与える。この信号の受信後
、移送アーム２８が垂直に上昇し、ウェハ４８をテーパ
状ピン５３から持ち上げる。次いで移送アーム２８は隔
離ゲート３１を通り、真空装填ロック室１２内に移動す
る。その後移送アーム制御器７０９は、移送アーム２８
を、当初そごからウェハが取り出されたスロットの垂直
位置へと垂直に上下動する。
移送アーム２８は、適切な垂直位置にくると、 −
真空ウェハキャリヤ１０内へと水平に移動する。
真空ウェハキャリヤ１０内へと水平に移動する。
この時点で、ウェハ４８は該ウェハを真空ウェハキャリ
ヤ１０内に支持すべき突起６０のすぐ上方に位置する。
ヤ１０内に支持すべき突起６０のすぐ上方に位置する。
次いで、移送アーム制御器７０９は、移送アーム２８に
指示してウェハを突起６０上に載置可能な地点へと垂直
に下降させる。移送アーム２８は下降を続け、ウェハ４
８下方の所定位置で停止する。その後、制御システムが
ウェハ移送アームセンサ７１０をサンプリングし、移送
アーム２８に近接したウェハが他に存在しないかどうか
を調べる。存在しなければ、移送アームは、真空ウェハ
キャリヤを出てそのホーム位置へと水平に移動される。
指示してウェハを突起６０上に載置可能な地点へと垂直
に下降させる。移送アーム２８は下降を続け、ウェハ４
８下方の所定位置で停止する。その後、制御システムが
ウェハ移送アームセンサ７１０をサンプリングし、移送
アーム２８に近接したウェハが他に存在しないかどうか
を調べる。存在しなければ、移送アームは、真空ウェハ
キャリヤを出てそのホーム位置へと水平に移動される。
その後、移送アームは、真空ウェハキャリヤ内の他の任
意のウェハへと移動し、そのウェハキャリヤから該ウェ
ハを取り出し、処理し、交換するプロセスを開始可能で
ある。この進行動作は、制御システム２０６によりどの
ウェハについても、キャリヤ内でのそれらの位置に係わ
りなく、プログラムの要求に応じて繰り返すことができ
る。
意のウェハへと移動し、そのウェハキャリヤから該ウェ
ハを取り出し、処理し、交換するプロセスを開始可能で
ある。この進行動作は、制御システム２０６によりどの
ウェハについても、キャリヤ内でのそれらの位置に係わ
りなく、プログラムの要求に応じて繰り返すことができ
る。
任意選択の実施例では、高真空であって、且つ、低湿度
を必要とする処理の場合、真空処理装置は低温真空ポン
プを使える。これらの低温真空ポンプは、前述したター
ボ分子ポンプの場合と同じ方法で使われる。この点に関
連した制御器は、第３１図に、装填ロック制御器７３７
及び処理室低温ポンプ制御器７３８として示しである。
を必要とする処理の場合、真空処理装置は低温真空ポン
プを使える。これらの低温真空ポンプは、前述したター
ボ分子ポンプの場合と同じ方法で使われる。この点に関
連した制御器は、第３１図に、装填ロック制御器７３７
及び処理室低温ポンプ制御器７３８として示しである。
これらの制御器が、装填ロック低温ポンプ隔離弁７３９
と処理室低温ポンプ隔離弁７４０をそれぞれ制御する。
と処理室低温ポンプ隔離弁７４０をそれぞれ制御する。
低温ポンプは、室内に存在するガスから水分を除去する
のに使われる。これは、ｌＩｇｃｄＴｅに関連した処理
に対して有用である。
のに使われる。これは、ｌＩｇｃｄＴｅに関連した処理
に対して有用である。
全てのウェハの処理が完了し、真空ウェハキャリヤ内に
戻されると、制御システムは、真空ウェハドアモータ７
０７に信号を送り、ドア１４を閉じる。次いで制御シス
テム２０６は真空ウェハキャリヤドアセンサ７０８をチ
エツクし、ドア１４が実際に閉じていることを検証する
。その後制御システムは、装填ロック粗引きポンプ隔離
弁７０２、装填ロックターボ分子ポンプ隔離弁７１７、
または装填ロック低温ポンプ隔離弁７３９を、それぞれ
に対応した装填ロック制御器７０１．７０６．７３７を
用いて閉じる。更に制御システムは、処理室粗引きポン
プ隔離弁、処理室ターボ分子ポンプ隔離弁、または低温
ポンプ隔離弁を、それぞれに該当する処理室制御器？１
１７１６．７３８を用いて閉じる。また、隔離ゲート３
１も閉じる。
戻されると、制御システムは、真空ウェハドアモータ７
０７に信号を送り、ドア１４を閉じる。次いで制御シス
テム２０６は真空ウェハキャリヤドアセンサ７０８をチ
エツクし、ドア１４が実際に閉じていることを検証する
。その後制御システムは、装填ロック粗引きポンプ隔離
弁７０２、装填ロックターボ分子ポンプ隔離弁７１７、
または装填ロック低温ポンプ隔離弁７３９を、それぞれ
に対応した装填ロック制御器７０１．７０６．７３７を
用いて閉じる。更に制御システムは、処理室粗引きポン
プ隔離弁、処理室ターボ分子ポンプ隔離弁、または低温
ポンプ隔離弁を、それぞれに該当する処理室制御器？１
１７１６．７３８を用いて閉じる。また、隔離ゲート３
１も閉じる。
次いで、制御システムは通気弁７４１を開ける信号を送
り、この通気弁７４１は、装填ロック室１２及び処理室
を大気圧に戻す。その後蓋２０は、装填ロックを開け、
そして真空ウェハキャリヤ１０を取り出す。
り、この通気弁７４１は、装填ロック室１２及び処理室
を大気圧に戻す。その後蓋２０は、装填ロックを開け、
そして真空ウェハキャリヤ１０を取り出す。
第３２図を参照すると、処理モジュール１３００が示し
である。この処理モジュールは遠隔及び近接プラズマを
有する。ウェハキャリヤ１０、（アーム２８と同様な）
アーム及び室１２が、ウニ／Ｓ４８をキャリヤ１０から
処理モジュール１３００へと移送するのに使われる。処
理モジュール１３００は、ガス分配器１３０２を頂部処
理室１３０４の上部に位置するガス分配リング１３０４
に取り付けた状態で、示しである。ガス分配器１３０２
は、リング３０４を介して近接プラズマ用のガスを供給
する。リング１３０４は室１３０６の垂直軸を中心に配
置されている。ガスは、リング１３０４底部の複数の開
口１３１Ｏを通じてリング１３０４から出る。室１３０
６の垂直壁は、水晶で作成できていて室１３０６の垂直
軸を中心に円筒を形成する。室１３０６の底に電極１３
１２が位置する。
である。この処理モジュールは遠隔及び近接プラズマを
有する。ウェハキャリヤ１０、（アーム２８と同様な）
アーム及び室１２が、ウニ／Ｓ４８をキャリヤ１０から
処理モジュール１３００へと移送するのに使われる。処
理モジュール１３００は、ガス分配器１３０２を頂部処
理室１３０４の上部に位置するガス分配リング１３０４
に取り付けた状態で、示しである。ガス分配器１３０２
は、リング３０４を介して近接プラズマ用のガスを供給
する。リング１３０４は室１３０６の垂直軸を中心に配
置されている。ガスは、リング１３０４底部の複数の開
口１３１Ｏを通じてリング１３０４から出る。室１３０
６の垂直壁は、水晶で作成できていて室１３０６の垂直
軸を中心に円筒を形成する。室１３０６の底に電極１３
１２が位置する。
（第３２図に示したように）閉状態にある室１３０６の
頂部に電極１３１４が位置する。例えば、周囲温度を２
５℃に維持するため、所望なら電極１３１４用の熱交換
器（図示せず）を設けることもできる。
頂部に電極１３１４が位置する。例えば、周囲温度を２
５℃に維持するため、所望なら電極１３１４用の熱交換
器（図示せず）を設けることもできる。
室１３０６はベローズ１３１６によって開閉される。ベ
ローズ１３１６は、室１３０６の垂直壁を上方に移動し
て、電極１３１４またはモジュール１３００の隣接部に
接触させる。室１３０６の垂直壁が接触する箇所に、シ
ール（図示せず）を設けることもできる。つまり、ベロ
ーズが室１３０６を上界して該室を閉じ、下降して室を
開く。開位置で、アームは、ウェハ４８をキャリヤ１０
から室１２を介し、室１３０６内の指状部つまりピン１
３２０上に移送可能である。これらの指状部１３０２は
指状部２１４（第１２図）及びピン５３ （第３図）と
同様である。室１３０６が閉じられると、指状部１３２
０は上昇し、ウェハ４８を電極１３１４との接触状態に
置く。
ローズ１３１６は、室１３０６の垂直壁を上方に移動し
て、電極１３１４またはモジュール１３００の隣接部に
接触させる。室１３０６の垂直壁が接触する箇所に、シ
ール（図示せず）を設けることもできる。つまり、ベロ
ーズが室１３０６を上界して該室を閉じ、下降して室を
開く。開位置で、アームは、ウェハ４８をキャリヤ１０
から室１２を介し、室１３０６内の指状部つまりピン１
３２０上に移送可能である。これらの指状部１３０２は
指状部２１４（第１２図）及びピン５３ （第３図）と
同様である。室１３０６が閉じられると、指状部１３２
０は上昇し、ウェハ４８を電極１３１４との接触状態に
置く。
遠隔プラズマは管１３２２を通る垂直軸に沿って室１３
０６の底に供給される。管１３２２は、遠隔プラズマ発
生器１３２６から、電極１３１２を貫き室１３０６内へ
と延びている。管１３２２は電ｉｔ ３１２との間にス
リップ嵌合せ１３２８を有し、電極１３１２を含めた室
１３０６の垂直移動を許容する。電極１３１２の下側に
は、ポンプ１３３２及び弁１３３４に接続された室１３
３０が位置する。これにより、室１３０６及び１３３０
を通るほぼ下向きのガス流が与えられる。近接プラズマ
は、画電極１３１２と１３１４との間に適切な電圧を印
加することによって与えられる。電圧は、室１３０６内
のガスを所望に励起するＲＦ雷電圧する。ポンプ１３３
２及び弁１３３４が、室１３０６内に所望の真空を与え
る。これにより、発生器１３２６からの遠隔プラズマと
室１３０６内で発生される近接プラズマとが、ウェハ面
５４に協働作用する。ガス分配器１３０２も、電極１３
１２に対してスリップ嵌合せを有する。ガス分配器１３
０２は室１３０６の垂直壁に沿って延びている。処理モ
ジュール１３００は各種の処理を行える。
０６の底に供給される。管１３２２は、遠隔プラズマ発
生器１３２６から、電極１３１２を貫き室１３０６内へ
と延びている。管１３２２は電ｉｔ ３１２との間にス
リップ嵌合せ１３２８を有し、電極１３１２を含めた室
１３０６の垂直移動を許容する。電極１３１２の下側に
は、ポンプ１３３２及び弁１３３４に接続された室１３
３０が位置する。これにより、室１３０６及び１３３０
を通るほぼ下向きのガス流が与えられる。近接プラズマ
は、画電極１３１２と１３１４との間に適切な電圧を印
加することによって与えられる。電圧は、室１３０６内
のガスを所望に励起するＲＦ雷電圧する。ポンプ１３３
２及び弁１３３４が、室１３０６内に所望の真空を与え
る。これにより、発生器１３２６からの遠隔プラズマと
室１３０６内で発生される近接プラズマとが、ウェハ面
５４に協働作用する。ガス分配器１３０２も、電極１３
１２に対してスリップ嵌合せを有する。ガス分配器１３
０２は室１３０６の垂直壁に沿って延びている。処理モ
ジュール１３００は各種の処理を行える。
遠隔及び近接面プラズマを用い、処理モジュール１３０
０により好首尾な結果で実施されたー処理は、シリコン
ドープアルミ、例えば１％のシリコンがドープされたア
ルミのエツチングである。
０により好首尾な結果で実施されたー処理は、シリコン
ドープアルミ、例えば１％のシリコンがドープされたア
ルミのエツチングである。
マイクロ波とＲＦの組合せエツチングにより、個々のエ
ツチング速度の和の２倍以上に高められた共°働による
エツチング速度が次の条件下で得られた。ガス流は、Ｂ
ＣＩＩｓ ８０ｓｅｃｍと、Ｃｊ！２２０ｓｃｃｍと
、Ｈｅ １０’００ｓｃｃｍ、 ｌ’３圧力Ｉ Ｔｏｒ
ｒ、周波数１３．５６ＭＨｚの（ウェハの面近くにプラ
ズマを発生するのに印加された）２２５Ｗ ＲＦ電力及
び周波数２４５０ＭＨｚの４００Ｗマイクロ波電力であ
った。使用温度は、約２５℃の周囲温度であった。流れ
は使用した特定の条件に最適化されなかったので、この
結果は非常に高いわけではないエツチング速度に基づき
得られたものであるが、それでも２つの効果を組み合わ
せた共働の利点を示している。混合ガスは全て管１３２
２から室１１３０６内へ導入してもよいし、あるいは上
記しなかったその他のガスを含む混合ガスの一部をリン
グ１３０４を介して導入してもよい。更に、炭化水素源
、例えばメタンをリング１３０４を介し導入してもよく
、またはメタンを遠隔発生されるプラズマの一部として
もよい。
ツチング速度の和の２倍以上に高められた共°働による
エツチング速度が次の条件下で得られた。ガス流は、Ｂ
ＣＩＩｓ ８０ｓｅｃｍと、Ｃｊ！２２０ｓｃｃｍと
、Ｈｅ １０’００ｓｃｃｍ、 ｌ’３圧力Ｉ Ｔｏｒ
ｒ、周波数１３．５６ＭＨｚの（ウェハの面近くにプラ
ズマを発生するのに印加された）２２５Ｗ ＲＦ電力及
び周波数２４５０ＭＨｚの４００Ｗマイクロ波電力であ
った。使用温度は、約２５℃の周囲温度であった。流れ
は使用した特定の条件に最適化されなかったので、この
結果は非常に高いわけではないエツチング速度に基づき
得られたものであるが、それでも２つの効果を組み合わ
せた共働の利点を示している。混合ガスは全て管１３２
２から室１１３０６内へ導入してもよいし、あるいは上
記しなかったその他のガスを含む混合ガスの一部をリン
グ１３０４を介して導入してもよい。更に、炭化水素源
、例えばメタンをリング１３０４を介し導入してもよく
、またはメタンを遠隔発生されるプラズマの一部として
もよい。
処理モジュール１３００で行える別の処理は、ポリシリ
コンの被着である。不活性ガス及びシリコン源、例えば
ＳｉＨ，及び／又はＳ ｉ ２ Ｈｂから成る混合ガス
は、遠隔プラズマ及び近接プラズマで使われ、遠隔及び
近接両プラズマを別々に用いた場合の速度の和を上回る
改善された被着速度を生じる。−例として、ＲＦ電力は
処理室内において１３．５６ＭＨｚ、ｔｏｏワットで、
遠隔プラズマ発生器は２．４５０ＭＨｚ 、４００ワツ
トで動作する。ガスはヘリウム１０００ｓｃｃｍとＳｉ
Ｈｉ５０ｓｃｃｍである。アルゴンも使用可能な不活性
ガスの別の例である。圧力は１．Ｔｏｒｒ、温度は２５
℃とし得る。Ｓ ｉ Ｈａはリング１３０４を介して処
理室内に導入され、残りのガスは発生器１３２６を通過
する。これらの結果は使用する特定の条件に最適化され
ずに得られたものであるが、それでも２つの効果を組み
合わせた共働の利点を示している。
コンの被着である。不活性ガス及びシリコン源、例えば
ＳｉＨ，及び／又はＳ ｉ ２ Ｈｂから成る混合ガス
は、遠隔プラズマ及び近接プラズマで使われ、遠隔及び
近接両プラズマを別々に用いた場合の速度の和を上回る
改善された被着速度を生じる。−例として、ＲＦ電力は
処理室内において１３．５６ＭＨｚ、ｔｏｏワットで、
遠隔プラズマ発生器は２．４５０ＭＨｚ 、４００ワツ
トで動作する。ガスはヘリウム１０００ｓｃｃｍとＳｉ
Ｈｉ５０ｓｃｃｍである。アルゴンも使用可能な不活性
ガスの別の例である。圧力は１．Ｔｏｒｒ、温度は２５
℃とし得る。Ｓ ｉ Ｈａはリング１３０４を介して処
理室内に導入され、残りのガスは発生器１３２６を通過
する。これらの結果は使用する特定の条件に最適化され
ずに得られたものであるが、それでも２つの効果を組み
合わせた共働の利点を示している。
表面の損傷は、圧力をｌ Ｔｏｒｒ以上に高めることに
よって減少できる。つまりこの処理は、遠隔及び近接両
プラズマ間での共働効果によって改善された結果をもた
らす。被着速度を改善しつつ、表面の損傷が最小限化さ
れる。遠隔及び近接プラズマは別々に制御できる。この
処理はシリコン、ＧａＡｓ及びＨｇＣｄＴｅ基板に対し
て使える。
よって減少できる。つまりこの処理は、遠隔及び近接両
プラズマ間での共働効果によって改善された結果をもた
らす。被着速度を改善しつつ、表面の損傷が最小限化さ
れる。遠隔及び近接プラズマは別々に制御できる。この
処理はシリコン、ＧａＡｓ及びＨｇＣｄＴｅ基板に対し
て使える。
処理モジュール１３００で行える別の処理は、酸化シリ
コンの被着である。ヘリウム、０□及びＳｉＨ４から成
る混合ガスは、遠隔プラズマ及び近接プラズマで使われ
、遠隔及び近接両プラズマを別々に用いた場合の速度の
和を上回る改善された被着速度を生じる。−例として、
ＲＦ電力は処理室内において１３．５６ＭＨｚ 、１０
０ワツトで、遠隔プラズマ発生器は２４５０ＭＨｚ 、
４００ワツトで動作する。ガスはヘリウム１０００ ｓ
ｅｃｍ。
コンの被着である。ヘリウム、０□及びＳｉＨ４から成
る混合ガスは、遠隔プラズマ及び近接プラズマで使われ
、遠隔及び近接両プラズマを別々に用いた場合の速度の
和を上回る改善された被着速度を生じる。−例として、
ＲＦ電力は処理室内において１３．５６ＭＨｚ 、１０
０ワツトで、遠隔プラズマ発生器は２４５０ＭＨｚ 、
４００ワツトで動作する。ガスはヘリウム１０００ ｓ
ｅｃｍ。
０□１００ｓｅｃｍ及びＳｉＨ４５０ｓｃｃｍである。
圧力はＩ Ｔｏｒｒ、温度は２５℃とし得る。Ｓ ｉＨ
ａはリング１３０４を介して処理室内に導入され、残り
のガスは発生器１３２６を通過する。表面の損傷は、圧
力をｌ Ｔｏｒｒ以上に高めることによって減少できる
。温度は、２５〜４００℃の範囲とし得る。この処理は
、遠隔及び近接両プラズマ間での共働効果によって改善
された結果をもたらす。つまり、これらの結果は使用す
る特定の条件に最適化されずに得られたものであるが、
それでも２つの効果を組み合わせた共働の利点を示して
いる。
ａはリング１３０４を介して処理室内に導入され、残り
のガスは発生器１３２６を通過する。表面の損傷は、圧
力をｌ Ｔｏｒｒ以上に高めることによって減少できる
。温度は、２５〜４００℃の範囲とし得る。この処理は
、遠隔及び近接両プラズマ間での共働効果によって改善
された結果をもたらす。つまり、これらの結果は使用す
る特定の条件に最適化されずに得られたものであるが、
それでも２つの効果を組み合わせた共働の利点を示して
いる。
被着速度を改善しつつ、表面の損傷が最小限化される。
遠隔及び近接プラズマは別々に制御できる。
この処理はシリコン、ＧａＡｓ及びＨｇＣｄＴｅ基板に
対して使える。
対して使える。
処理モジュール１３００で行える別の処理は、窒化シリ
コンの被着である。ヘリウム、Ｎ、とＮ Ｈ３との群の
中の１つ及びＳ ｉ Ｈａまたは５ｉＨ４Ｃｊ！２の群
の中の１つから成る混合ガスは遠隔プラズマ及び近接プ
ラズマで使われ、遠隔及び近接両プラズマを別々に用い
た場合の速度の和を上回る改善された被着速度を生じる
。−例として、ＲＦ電力は処理室内において、１３．５
６ＭＨｚ 。
コンの被着である。ヘリウム、Ｎ、とＮ Ｈ３との群の
中の１つ及びＳ ｉ Ｈａまたは５ｉＨ４Ｃｊ！２の群
の中の１つから成る混合ガスは遠隔プラズマ及び近接プ
ラズマで使われ、遠隔及び近接両プラズマを別々に用い
た場合の速度の和を上回る改善された被着速度を生じる
。−例として、ＲＦ電力は処理室内において、１３．５
６ＭＨｚ 。
１００ワツトで、遠隔プラズマ発生器は２４５０ＭＨｚ
、４００ワツトで動作する。使用ガスはヘリウム１００
０ｓｃｃ＋ａ、 ＮｚとＮ Ｈｓの群の中の１つ１００
ｓｅｃｍ、及びＳｉＨ４またはＳ ｉ Ｈｚ Ｃｌ ｚ
の群の中の１つ５０ｓｅｃｍである。圧力はＩ Ｔｏｒ
ｒＳ温度は２５℃とし得る。ＳｉＨ４またはＳｉ）＋２
Ｃｌ 、はリング１３０４を介して処理室内に導入され
、残りのガスは発生器１３２６を通過する。表面の損傷
は、圧力をｌ Ｔｏｒｒ以上に高めることによって減少
できる。温度は、２５〜４００°Ｃの範囲とし得る。こ
の処理は、遠隔及び近接両プラズマ間での共働効果によ
って改善された結果をもたらす。つまり、これらの結果
は使用する特定の条件に最適化されずに得られたもので
あるが、それでも２つの効果を組み合わせた共働の利点
を示している。
、４００ワツトで動作する。使用ガスはヘリウム１００
０ｓｃｃ＋ａ、 ＮｚとＮ Ｈｓの群の中の１つ１００
ｓｅｃｍ、及びＳｉＨ４またはＳ ｉ Ｈｚ Ｃｌ ｚ
の群の中の１つ５０ｓｅｃｍである。圧力はＩ Ｔｏｒ
ｒＳ温度は２５℃とし得る。ＳｉＨ４またはＳｉ）＋２
Ｃｌ 、はリング１３０４を介して処理室内に導入され
、残りのガスは発生器１３２６を通過する。表面の損傷
は、圧力をｌ Ｔｏｒｒ以上に高めることによって減少
できる。温度は、２５〜４００°Ｃの範囲とし得る。こ
の処理は、遠隔及び近接両プラズマ間での共働効果によ
って改善された結果をもたらす。つまり、これらの結果
は使用する特定の条件に最適化されずに得られたもので
あるが、それでも２つの効果を組み合わせた共働の利点
を示している。
被着速度を改善しつつ、表面の損傷が最小限化される。
遠隔及び近接プラズマは別々に制御できる。
この処理はシリコン、ＧａＡｓ及びＨｇＣｄＴｅ基板に
対して使える。
対して使える。
処理モジュール１３００で行える別の処理は、ＧａＡｓ
のエツチングである。ヘリウム、Ｃｔ（、、及びＣＦ４
またはＮ２の群の中の１つから成る混合ガスは、遠隔プ
ラズマ及び近接プラズマで使われ、遠隔及び近接両プラ
ズマを別々に用いた場合の速度の和を上回る改善された
エツチング速度を生じる。−例として、ＲＦ電力は処理
室内において、１３．５６ＭＨｚ 、 １００ワツトで
、遠隔プラズマ発生器は２４５０ＭＨｚ 、４００ワツ
トで動作する。使用ガスはヘリウム１０００ｓｃｃｍ、
ＣＨ４２５０ｓｃｃｍ、及びＣＦ、またはＮ２の群の
中の１つ１００ｓｅｃｍである。圧力はＩ Ｔｏｒｒ、
温度は２５℃とし得る。ＣＨ，はリング１３０４を介し
て処理室内に導入され、そして残りのガスは発生器１３
２６を通過する。この処理は、遠隔及び近接両プラズマ
間での共働効果によって改善された結果をもたらす。つ
まり、これらの結果は使用する特定の条件に最適化され
ずに得られたものであるが、それでも２つの効果を組み
合わせた共働の利点を示している。エツチング速度を改
善しつつ、表面の損傷が最小限化される。遠隔及び近接
プラズマは別々に制御できる。得られるエツチングは部
分的に異方性である。異方性のレベルはＲＦプラズマ及
びマイクロ波の相対的電力レベル、並びに圧力によって
制御可能である。
のエツチングである。ヘリウム、Ｃｔ（、、及びＣＦ４
またはＮ２の群の中の１つから成る混合ガスは、遠隔プ
ラズマ及び近接プラズマで使われ、遠隔及び近接両プラ
ズマを別々に用いた場合の速度の和を上回る改善された
エツチング速度を生じる。−例として、ＲＦ電力は処理
室内において、１３．５６ＭＨｚ 、 １００ワツトで
、遠隔プラズマ発生器は２４５０ＭＨｚ 、４００ワツ
トで動作する。使用ガスはヘリウム１０００ｓｃｃｍ、
ＣＨ４２５０ｓｃｃｍ、及びＣＦ、またはＮ２の群の
中の１つ１００ｓｅｃｍである。圧力はＩ Ｔｏｒｒ、
温度は２５℃とし得る。ＣＨ，はリング１３０４を介し
て処理室内に導入され、そして残りのガスは発生器１３
２６を通過する。この処理は、遠隔及び近接両プラズマ
間での共働効果によって改善された結果をもたらす。つ
まり、これらの結果は使用する特定の条件に最適化され
ずに得られたものであるが、それでも２つの効果を組み
合わせた共働の利点を示している。エツチング速度を改
善しつつ、表面の損傷が最小限化される。遠隔及び近接
プラズマは別々に制御できる。得られるエツチングは部
分的に異方性である。異方性のレベルはＲＦプラズマ及
びマイクロ波の相対的電力レベル、並びに圧力によって
制御可能である。
処理モジュール１３００で行える別の処理は、ウェハの
少なくとも一部を形成するＺｎＳまたはＨｇ Ｃｄ Ｔ
ｅのエツチングである。ヘリウム等の不活性ガスと原
子フッ素源との混合ガスが、遠隔プラズマを発生するの
に使われる。近接プラズマは、少なくとも遠隔プラズマ
の生成物とアルキル基を含む種から発生される。遠隔プ
ラズマと近接プラズマを発生するのに使われる各電力は
、エツチング速度改善のため別々に制御される。遠隔及
び近接両プラズマは、それぞれ別々に用いた場合の速度
の和を上回る改善されたエツチング速度を生じる。遠隔
プラズマと組み合わせて近接プラズマを発生するのに比
較的低いＲＦ主電力使われ、比較的高いエツチング速度
で部分的に異方性のエツチングを与える。遠隔プラズマ
及び近接プラズマは別々に制御できるので、改善された
輪郭（プロフィル）制御とエツチングの選択性とを達成
できる。
少なくとも一部を形成するＺｎＳまたはＨｇ Ｃｄ Ｔ
ｅのエツチングである。ヘリウム等の不活性ガスと原
子フッ素源との混合ガスが、遠隔プラズマを発生するの
に使われる。近接プラズマは、少なくとも遠隔プラズマ
の生成物とアルキル基を含む種から発生される。遠隔プ
ラズマと近接プラズマを発生するのに使われる各電力は
、エツチング速度改善のため別々に制御される。遠隔及
び近接両プラズマは、それぞれ別々に用いた場合の速度
の和を上回る改善されたエツチング速度を生じる。遠隔
プラズマと組み合わせて近接プラズマを発生するのに比
較的低いＲＦ主電力使われ、比較的高いエツチング速度
で部分的に異方性のエツチングを与える。遠隔プラズマ
及び近接プラズマは別々に制御できるので、改善された
輪郭（プロフィル）制御とエツチングの選択性とを達成
できる。
その場でのデスカムはエツチングの前に、エツチング後
の灰化は酸素源から形成された遠隔プラズマを用いてそ
れぞれ行える。アルキル基を含む種は、例えばメタン、
エタン、フン化メチル、塩化メチル、ヨウ化メチル、ま
たは臭化メチルとし得る。原子フッ素源は、例えばフッ
素、ＣＦ、、ＳＦ６ 、ＮＦ３ 、ＣｚＦｈまたはプラ
ズマの存在下でフッ素原子を放出するその他任意のガス
状フッ素化合物とし得る。使用電力は、例えばＲＦで２
５０ワツト以下、ＭＷで４００ワツトとし得る。
の灰化は酸素源から形成された遠隔プラズマを用いてそ
れぞれ行える。アルキル基を含む種は、例えばメタン、
エタン、フン化メチル、塩化メチル、ヨウ化メチル、ま
たは臭化メチルとし得る。原子フッ素源は、例えばフッ
素、ＣＦ、、ＳＦ６ 、ＮＦ３ 、ＣｚＦｈまたはプラ
ズマの存在下でフッ素原子を放出するその他任意のガス
状フッ素化合物とし得る。使用電力は、例えばＲＦで２
５０ワツト以下、ＭＷで４００ワツトとし得る。
流量は、ＣＦａ １００ＳＣＣＩＩ１％ ＣＨ４１２
５３ＣＣＩＩ＋％及びヘリウム１０００ｓｅｃｍとし得
る。圧力は例えばＱ、 ｇ Ｔｏｒｒとし得る。被着速
度を改善しつつ、表面の損傷が最小限化される。遠隔及
び近接プラズマは別々に制御できる。得られるエツチン
グは部分的に異方性である。異方性のレベルはＲＦプラ
ズマ及びマイクロ波の相対的電力レベル、並びに圧力に
よって制御可能である。
５３ＣＣＩＩ＋％及びヘリウム１０００ｓｅｃｍとし得
る。圧力は例えばＱ、 ｇ Ｔｏｒｒとし得る。被着速
度を改善しつつ、表面の損傷が最小限化される。遠隔及
び近接プラズマは別々に制御できる。得られるエツチン
グは部分的に異方性である。異方性のレベルはＲＦプラ
ズマ及びマイクロ波の相対的電力レベル、並びに圧力に
よって制御可能である。
処理モジュール１３００で行える別の処理は、フォトレ
ジストの灰化である。酸素と、灰化強化ガス、例えばＣ
Ｆａ 、ＣＨＦ２ 、Ｎ２１ＨｚＯ１ＨＣ１，ＨＢｒ
％ Ｃｊ’ｚ及びＮ、Ｏの群の中の１つ以上とから成る
混合ガスは、遠隔プラズマ及び近接プラズマで使われ、
遠隔及び近接両プラズマを別々に用いた場合の速度の和
を上回る改善された灰化速度を生じる。−例として、Ｒ
Ｆ主電力処理室内において、１３．５６ＭＨｚ 、 ２
２５ワツトで、遠隔プラズマ発生器は２４５０ ＭＨｚ
、４００ワツトで動作する。使用ガスはＣＦｎ４３ｓ
ｅｃｍ及び酸素９９６ｓｅｃｍとした。圧力は０．６３
Ｔｏｒｒ、温度は２５℃とし得る。ガスは全て、遠隔
プラズマ発生器１３２６を通過させることができる。こ
の処理は、遠隔及び近接両プラズマ間での共働効果によ
って改善された結果をもたらす。つまり、これらの結果
は使用する特定の条件に最適化されずに得られたもので
あるが、それでも２つの効果を組み合わせた共働の利点
を示している、エツチング速度を改善しつつ、表面の損
傷が最小限化される。遠隔及び近接プラズマは別々に制
御できる。
ジストの灰化である。酸素と、灰化強化ガス、例えばＣ
Ｆａ 、ＣＨＦ２ 、Ｎ２１ＨｚＯ１ＨＣ１，ＨＢｒ
％ Ｃｊ’ｚ及びＮ、Ｏの群の中の１つ以上とから成る
混合ガスは、遠隔プラズマ及び近接プラズマで使われ、
遠隔及び近接両プラズマを別々に用いた場合の速度の和
を上回る改善された灰化速度を生じる。−例として、Ｒ
Ｆ主電力処理室内において、１３．５６ＭＨｚ 、 ２
２５ワツトで、遠隔プラズマ発生器は２４５０ ＭＨｚ
、４００ワツトで動作する。使用ガスはＣＦｎ４３ｓ
ｅｃｍ及び酸素９９６ｓｅｃｍとした。圧力は０．６３
Ｔｏｒｒ、温度は２５℃とし得る。ガスは全て、遠隔
プラズマ発生器１３２６を通過させることができる。こ
の処理は、遠隔及び近接両プラズマ間での共働効果によ
って改善された結果をもたらす。つまり、これらの結果
は使用する特定の条件に最適化されずに得られたもので
あるが、それでも２つの効果を組み合わせた共働の利点
を示している、エツチング速度を改善しつつ、表面の損
傷が最小限化される。遠隔及び近接プラズマは別々に制
御できる。
得られる灰化は部分的に異方性である。異方性のレベル
はＲＦプラズマ及びマイクロ波の相対的電力レベル、並
びに圧力によって制御可能である。
はＲＦプラズマ及びマイクロ波の相対的電力レベル、並
びに圧力によって制御可能である。
処理モジュール１３００で行える別の処理は、窒化シリ
コンのエツチングである。フッ素及びヘリウム源は、遠
隔プラズマ及び近接プラズマで使われ、遠隔及び近接両
プラズマを別々に用いた場合の和を上回る改善されたエ
ッチ速度を生した。
コンのエツチングである。フッ素及びヘリウム源は、遠
隔プラズマ及び近接プラズマで使われ、遠隔及び近接両
プラズマを別々に用いた場合の和を上回る改善されたエ
ッチ速度を生した。
−例として、ＲＦ主電力処理室内において１３．５６Ｍ
Ｈｚ 、２５５ワツトで、遠隔プラズマ発生器は２４５
０ＭＨｚ 、４００ワツトで動作する。使用ガスはフッ
素源、例えばＣＦ４ ２００ｓｅｃｍ及びヘリウム１０
００ｓｅｃｍとした。その他のフッ素源は、それぞれ単
独またはＣＦ、と任意に組み合わされたＦ２、ＣＨＦ３
、Ｃ２Ｆ１、ＳＦ６、ＮＦ３が可能である。圧力は０．
７ Ｔｏｒｒ、 ／！ｊ、度は２５°Ｃとし得る。この
処理は、遠隔及び近接両プラズマ間での共働効果によっ
て改善された結果をもたらす。
Ｈｚ 、２５５ワツトで、遠隔プラズマ発生器は２４５
０ＭＨｚ 、４００ワツトで動作する。使用ガスはフッ
素源、例えばＣＦ４ ２００ｓｅｃｍ及びヘリウム１０
００ｓｅｃｍとした。その他のフッ素源は、それぞれ単
独またはＣＦ、と任意に組み合わされたＦ２、ＣＨＦ３
、Ｃ２Ｆ１、ＳＦ６、ＮＦ３が可能である。圧力は０．
７ Ｔｏｒｒ、 ／！ｊ、度は２５°Ｃとし得る。この
処理は、遠隔及び近接両プラズマ間での共働効果によっ
て改善された結果をもたらす。
つまり、これらの結果は使用する特定の条件に最適化さ
れずに得られたものであるが、それでも２つの効果を組
み合わせた共働の利点を示している。
れずに得られたものであるが、それでも２つの効果を組
み合わせた共働の利点を示している。
エツチング速度を改善しつつ、表面の損傷が最小限（ヒ
される。遠隔及び近接プラズマは別々に制御できる。得
られるエツチングは部分的に異方性である。異方性のレ
ベルはＲＦプラズマ及びマイクロ波の相対的電力レベル
、並びに圧力によって制御可能である。
される。遠隔及び近接プラズマは別々に制御できる。得
られるエツチングは部分的に異方性である。異方性のレ
ベルはＲＦプラズマ及びマイクロ波の相対的電力レベル
、並びに圧力によって制御可能である。
処理モジュール１３００で行える別の処理は、ポリシリ
コンのエツチングである。フン素及びヘリウム源は、遠
隔プラズマ及び近接プラズマで使われ、遠隔及び近接両
プラズマを別々に用いた場合の和を上回る改善されたエ
ツチング速度を生じた。−例として、ＲＦ主電力処理室
内において、１３．５６ＭＨｚ 、２５５ワツトで、遠
隔プラズマ発生器は２４５０ＭＨｚ、４００ワツトで動
作する。使用ガスはフッ素源、例えばＣＦ、２００ｓｅ
ｃｍ及びヘリウム１０００ｓｅｃｍとした。その他のフ
ッ素源は、それぞれ単独またはＣＦ ４ と任意に組み
合わされたＦ２、ＣＨＦ１、Ｃ２Ｆ４．ＳＦ６、Ｆ、が
可能である。圧力は０．７ Ｔｏｒｒ、温度は２５“Ｃ
とし得る。この処理は、遠隔及び近接両プラズマ間での
共働効果によって改善された結果をもたらす。つまり、
これらの結果は使用する特定の条件に最適化されずに得
られたものであるが、それでも２つの効果を組み合わせ
た共働の利点を示している。エツチング速度を改善しつ
つ、表面の損傷が最小限化される。遠隔及び近接プラズ
マは別々に制御できる。得られるエツチングは部分的に
異方性である。異方性のレベルはＲＦプラズマ及びマイ
クロ波の相対的電力レベル、並びに圧力によって制御可
能である。
コンのエツチングである。フン素及びヘリウム源は、遠
隔プラズマ及び近接プラズマで使われ、遠隔及び近接両
プラズマを別々に用いた場合の和を上回る改善されたエ
ツチング速度を生じた。−例として、ＲＦ主電力処理室
内において、１３．５６ＭＨｚ 、２５５ワツトで、遠
隔プラズマ発生器は２４５０ＭＨｚ、４００ワツトで動
作する。使用ガスはフッ素源、例えばＣＦ、２００ｓｅ
ｃｍ及びヘリウム１０００ｓｅｃｍとした。その他のフ
ッ素源は、それぞれ単独またはＣＦ ４ と任意に組み
合わされたＦ２、ＣＨＦ１、Ｃ２Ｆ４．ＳＦ６、Ｆ、が
可能である。圧力は０．７ Ｔｏｒｒ、温度は２５“Ｃ
とし得る。この処理は、遠隔及び近接両プラズマ間での
共働効果によって改善された結果をもたらす。つまり、
これらの結果は使用する特定の条件に最適化されずに得
られたものであるが、それでも２つの効果を組み合わせ
た共働の利点を示している。エツチング速度を改善しつ
つ、表面の損傷が最小限化される。遠隔及び近接プラズ
マは別々に制御できる。得られるエツチングは部分的に
異方性である。異方性のレベルはＲＦプラズマ及びマイ
クロ波の相対的電力レベル、並びに圧力によって制御可
能である。
遠隔及び近接プラズマを利用したその他の処理は、銅を
ドープしたアルミ膜のエツチングである。
ドープしたアルミ膜のエツチングである。
この処理は、例えばモジュール１３００または第２４図
のモジュール６８０で実行される。例えばＣβ２、ＣＣ
ｌ４または５ｉＣｊ！４とし得る塩素源と、例えばＣＨ
ａ 、ＢＣＩｌｘとし得る炭化水素源が使われる。炭化
水素は省けるが、ライン巾の損失が生じる。−例として
、処理室内の電極に印加されるＲＦ主電力１３．５６Ｍ
Ｈｚ、約２５０ワツトとできる。遠隔プラズマ発生器に
は、周波数２４５０ＭＨｚ 、４００ワツトの電力を供
給できる。処理室、例えば処理室１３０６ （第３２図
）の圧力は０．１５ Ｔｏｒｒとし得る。処理室内の温
度は周囲温度、例えば約２５°Ｃとし得る。使用ガスは
、ＢＣｌｘ ８０ｓｃｃｍ、 Ｃ１ｚ （塩素） ｌ
Ｏｓｃｃｍ及び炭化水素、例えばＣＨ，（メタン）
５ｓｅｃｍとじ得る。これらの結果は使用する特定の条
件に最適化されずに得られたものであるが、それでも２
つの効果を組み合わせた共働の利点を示している。ガス
分配器１３０２及び管１３２２からのガスは、所望に応
じ同種またし異種とできる。この処理は、得られるエツ
チング表面における残留物、例えば塩化銅を減少可能と
する。エツチングは、遠隔及び近接両プラズマを用いる
ことによって強化される。これは、表面の損傷を滅じ、
そしてフォトレジストの完全性を維持するより低いＲＦ
主電力使用を可能とする。圧力はｌ Ｔｏｒｒ強からＩ
Ｔｏｒｒ弱の間とすべきである。
のモジュール６８０で実行される。例えばＣβ２、ＣＣ
ｌ４または５ｉＣｊ！４とし得る塩素源と、例えばＣＨ
ａ 、ＢＣＩｌｘとし得る炭化水素源が使われる。炭化
水素は省けるが、ライン巾の損失が生じる。−例として
、処理室内の電極に印加されるＲＦ主電力１３．５６Ｍ
Ｈｚ、約２５０ワツトとできる。遠隔プラズマ発生器に
は、周波数２４５０ＭＨｚ 、４００ワツトの電力を供
給できる。処理室、例えば処理室１３０６ （第３２図
）の圧力は０．１５ Ｔｏｒｒとし得る。処理室内の温
度は周囲温度、例えば約２５°Ｃとし得る。使用ガスは
、ＢＣｌｘ ８０ｓｃｃｍ、 Ｃ１ｚ （塩素） ｌ
Ｏｓｃｃｍ及び炭化水素、例えばＣＨ，（メタン）
５ｓｅｃｍとじ得る。これらの結果は使用する特定の条
件に最適化されずに得られたものであるが、それでも２
つの効果を組み合わせた共働の利点を示している。ガス
分配器１３０２及び管１３２２からのガスは、所望に応
じ同種またし異種とできる。この処理は、得られるエツ
チング表面における残留物、例えば塩化銅を減少可能と
する。エツチングは、遠隔及び近接両プラズマを用いる
ことによって強化される。これは、表面の損傷を滅じ、
そしてフォトレジストの完全性を維持するより低いＲＦ
主電力使用を可能とする。圧力はｌ Ｔｏｒｒ強からＩ
Ｔｏｒｒ弱の間とすべきである。
別の有用な処理は、酸化シリコンに対する選択性と所望
の異方性とを達成するためのタングステン材料（層）の
オーバエツチングである。例えばＣＦａ 、ＣｔＦｂ
、ＨＦ、Ｆｚ 、ＮＦ：ｌまたはＳＦ、とじ得るフッ素
源と、例えばＣＨ，とじ得る炭化水素源と、ＨＢｒとが
使われる。炭化水素及びＨＢｒは省けるが、両用存在す
る方が改善されたエツチングが得られる。炭化水素は、
エッチフグ中に側壁の不活性化を行い、ラインｌ】の損
失を減少させる。−例として、まず、タングステン層の
大部分を、例えばここで論じるタングステン処理の１つ
を用いてエツチングする。この工程後、−例として次の
条件下で、遠隔及び近接プラズマ用いてエツチングを継
続する。ＲＦ電力は処理室内において適切な周波数で５
０ワツトとし、遠隔プラズマ発生器は４００ワツトで動
作する。使用ガスはフッ素源、例えばＳＦａ４０ｓｅｃ
ｍ、臭素源、例えばＨＢｒ ４０ ｓｅｃｍ、及び炭化
水素源、例えばＣＨ４（メタン） ５ｓｅｃｍとし得
る。圧力は０．１３Ｔｏｒｒ、温度は２５℃とし得る。
の異方性とを達成するためのタングステン材料（層）の
オーバエツチングである。例えばＣＦａ 、ＣｔＦｂ
、ＨＦ、Ｆｚ 、ＮＦ：ｌまたはＳＦ、とじ得るフッ素
源と、例えばＣＨ，とじ得る炭化水素源と、ＨＢｒとが
使われる。炭化水素及びＨＢｒは省けるが、両用存在す
る方が改善されたエツチングが得られる。炭化水素は、
エッチフグ中に側壁の不活性化を行い、ラインｌ】の損
失を減少させる。−例として、まず、タングステン層の
大部分を、例えばここで論じるタングステン処理の１つ
を用いてエツチングする。この工程後、−例として次の
条件下で、遠隔及び近接プラズマ用いてエツチングを継
続する。ＲＦ電力は処理室内において適切な周波数で５
０ワツトとし、遠隔プラズマ発生器は４００ワツトで動
作する。使用ガスはフッ素源、例えばＳＦａ４０ｓｅｃ
ｍ、臭素源、例えばＨＢｒ ４０ ｓｅｃｍ、及び炭化
水素源、例えばＣＨ４（メタン） ５ｓｅｃｍとし得
る。圧力は０．１３Ｔｏｒｒ、温度は２５℃とし得る。
この処理は、酸化シリコンとフォトレジストに対する選
択性を高める遠隔及び近接両プラズマ間での共働効果に
よって改善された結果をもたらす。またエツチングは、
プラズマ発生中にマイクロ波（ＭＷ）と無線周波数（Ｒ
Ｆ）両電力の別々の調整を可能とすることによって改善
される。圧力は約Ｑ、 ｌ Ｔｏｒｒかから５Ｔｏｒｒ
Ｏ間とすべきである。
択性を高める遠隔及び近接両プラズマ間での共働効果に
よって改善された結果をもたらす。またエツチングは、
プラズマ発生中にマイクロ波（ＭＷ）と無線周波数（Ｒ
Ｆ）両電力の別々の調整を可能とすることによって改善
される。圧力は約Ｑ、 ｌ Ｔｏｒｒかから５Ｔｏｒｒ
Ｏ間とすべきである。
炭化水素と臭素源との組合せが、フッ素ベースのエツチ
ングに対して非常に強力な不活性化化学作用を与えるこ
とが見いだされた。例えば、好首尾な結果で実証された
一実施例は次の通りである。
ングに対して非常に強力な不活性化化学作用を与えるこ
とが見いだされた。例えば、好首尾な結果で実証された
一実施例は次の通りである。
すなわち、最初の構造はタングステンの薄膜を含んでい
た。初期のガス流は、Ｓ Ｆｂ ５０ＳＣＣＩＩ１％Ｃ
Ｈａ ５ ｓｃｃｍ及びＨＢｒ １５ｓｃｃｍを含み、
総圧力２５０ミリＴｏｒｒ、印加ＲＦ電力レベル５００
ワットとした。パターンが明らかになり始めた後、後で
詳述するようにＷＦ６２０ｓｅｃｍを付加した。こうし
て得られた構造はほぼ垂直なエツチング壁、はんのわず
かなライン中腐食、及びレジストに対する優れた選択性
を示した。
た。初期のガス流は、Ｓ Ｆｂ ５０ＳＣＣＩＩ１％Ｃ
Ｈａ ５ ｓｃｃｍ及びＨＢｒ １５ｓｃｃｍを含み、
総圧力２５０ミリＴｏｒｒ、印加ＲＦ電力レベル５００
ワットとした。パターンが明らかになり始めた後、後で
詳述するようにＷＦ６２０ｓｅｃｍを付加した。こうし
て得られた構造はほぼ垂直なエツチング壁、はんのわず
かなライン中腐食、及びレジストに対する優れた選択性
を示した。
ＣＨ，の比率及び臭素源の比率を増せば、より一層堅固
な不活性化作用を達成できる。例えば、下記の条件が零
のライン巾腐食を生じることが判明した。すなわち、Ｓ
Ｆ６４０ ｓｃｃｍ 、 ＣＨａｌ ５ ｓｃｃｍ及び
ＨＢｒ ２５ ｓｃｃｍで、総圧力４７０ミリＴｏｒｒ
及び印加ＲＦ電力レベル４００ワット。
な不活性化作用を達成できる。例えば、下記の条件が零
のライン巾腐食を生じることが判明した。すなわち、Ｓ
Ｆ６４０ ｓｃｃｍ 、 ＣＨａｌ ５ ｓｃｃｍ及び
ＨＢｒ ２５ ｓｃｃｍで、総圧力４７０ミリＴｏｒｒ
及び印加ＲＦ電力レベル４００ワット。
比較的高い総圧力の使用が、−様性の維持を助ける。
不活性化被着の速度を更に速めると、負の工・ノチング
バイアスが達成可能である。見本の実施例として、タン
グステンの薄膜を次の初期ガス流を用いてエツチングし
た。すなわち、ＳＦ、５０ＳＣＣＩＩＩ ％ ＣＨ，１
８ｓｅｃｍ及びＨ’Ｂｒ ２５ ｓｃｃ＋ａで、総圧力
４７０ミリＴｏｒｒ及び印加ＲＦ電力レベル４００ワッ
ト、使用したレジストパターンは、２．７ミクロン（１
，７ミクロンの最小ライン巾と１ミクロンの最小スペー
ス巾）の最小ピッチを有していた。この化学作用の使用
は、最終的に０．６〜０．７ミクロンのエツチングスペ
ース巾を生じることが判明した。つまり、゛この化学作
用は約０．１５〜０．２ミクロンの“負のエツチングバ
イアス”を与えた。上限として、他の条件を変えずにメ
タンの流量を２１ｓｅｃ＋ｓに増すと、エツチングが完
全に停止、すなわちタングステンのエツチング速度が零
になることが、他の実験で実証されている。
バイアスが達成可能である。見本の実施例として、タン
グステンの薄膜を次の初期ガス流を用いてエツチングし
た。すなわち、ＳＦ、５０ＳＣＣＩＩＩ ％ ＣＨ，１
８ｓｅｃｍ及びＨ’Ｂｒ ２５ ｓｃｃ＋ａで、総圧力
４７０ミリＴｏｒｒ及び印加ＲＦ電力レベル４００ワッ
ト、使用したレジストパターンは、２．７ミクロン（１
，７ミクロンの最小ライン巾と１ミクロンの最小スペー
ス巾）の最小ピッチを有していた。この化学作用の使用
は、最終的に０．６〜０．７ミクロンのエツチングスペ
ース巾を生じることが判明した。つまり、゛この化学作
用は約０．１５〜０．２ミクロンの“負のエツチングバ
イアス”を与えた。上限として、他の条件を変えずにメ
タンの流量を２１ｓｅｃ＋ｓに増すと、エツチングが完
全に停止、すなわちタングステンのエツチング速度が零
になることが、他の実験で実証されている。
またこの種類の不活性化化学作用は、強い異方性のシリ
コンエツチングを与えることも発見された。実験により
好首尾な結果が実証された特定の一実例においては、次
のようなエツチング化学作用を用いた。すなわち、初期
のガス流はＳ Ｆ ｂ５０ ｓｃｃｍ、 ＣＨ４５ｓｃ
ｃｍ及びＨＢｒ １５ ｓｃｃｍを含み、総圧力２５
０ミリＴｏｒｒ 、印加ＲＦ電力レベル５００ワットで
あった。
コンエツチングを与えることも発見された。実験により
好首尾な結果が実証された特定の一実例においては、次
のようなエツチング化学作用を用いた。すなわち、初期
のガス流はＳ Ｆ ｂ５０ ｓｃｃｍ、 ＣＨ４５ｓｃ
ｃｍ及びＨＢｒ １５ ｓｃｃｍを含み、総圧力２５
０ミリＴｏｒｒ 、印加ＲＦ電力レベル５００ワットで
あった。
これらの条件はシリコンを２５秒間で深さ３ミクロンエ
ツチングし、レジストに対する優れた選択性を維持しな
がら、はソ°垂直のシリコン側壁をもたらした。但し、
これらのエツチング条件は特に酸化物に対しては選択性
を示さなかった。つまり、このエツチング化学作用はト
レンチをエツチングするのに特に有効である。デバイス
構造におけるトレンチの利点は以前から認識されていた
が、通常トレンチは、遅く、且つ、トレンチの底の凹凸
、溝切りまたは逆行曲り等エツチングによる極めて望ま
しくない人為構造を生じ易い低圧力のエツチング条件で
作製されていた。こうした低圧力処理の困難を避けられ
るのも利点である。
ツチングし、レジストに対する優れた選択性を維持しな
がら、はソ°垂直のシリコン側壁をもたらした。但し、
これらのエツチング条件は特に酸化物に対しては選択性
を示さなかった。つまり、このエツチング化学作用はト
レンチをエツチングするのに特に有効である。デバイス
構造におけるトレンチの利点は以前から認識されていた
が、通常トレンチは、遅く、且つ、トレンチの底の凹凸
、溝切りまたは逆行曲り等エツチングによる極めて望ま
しくない人為構造を生じ易い低圧力のエツチング条件で
作製されていた。こうした低圧力処理の困難を避けられ
るのも利点である。
別の種類のフッ素エツチング用の化学作用では、ＳＦ、
等のフッ素源と、Ｉ−Ｉ Ｂ ｒ等の臭素源と、非常に
弱い酸素源（例えば−酸化炭素）とを含む供給混合ガス
を用いる。この化学作用は、フォトレジストに対する良
好な選択性を示しながら、異方性の高速フッ素エツチン
グを与える。
等のフッ素源と、Ｉ−Ｉ Ｂ ｒ等の臭素源と、非常に
弱い酸素源（例えば−酸化炭素）とを含む供給混合ガス
を用いる。この化学作用は、フォトレジストに対する良
好な選択性を示しながら、異方性の高速フッ素エツチン
グを与える。
好首尾な結果で実証された処理の実例を次に示す。最初
の構造は、形成有機フォトレジストのパターン化層によ
って被覆されたタングステンの薄膜を含んでいた。初期
のガス流はＳ Ｆ６２５ｓｃｃｍ、ＨＢｒ ２５ ｓｃ
ｃｍ及びＣＯＣ０４０ｓｃを含み、総圧力３００ミリＴ
ｏｒｒ ％印加ＲＦ電力レベル１７５ワットであった。
の構造は、形成有機フォトレジストのパターン化層によ
って被覆されたタングステンの薄膜を含んでいた。初期
のガス流はＳ Ｆ６２５ｓｃｃｍ、ＨＢｒ ２５ ｓｃ
ｃｍ及びＣＯＣ０４０ｓｃを含み、総圧力３００ミリＴ
ｏｒｒ ％印加ＲＦ電力レベル１７５ワットであった。
オーバエツチング期間中は、ＷＦ、 ２０ ｓｅｃｍの
追加流を有効に加えた。こうして得られた構造は、急勾
配傾斜の側壁、はんのわずかなライン巾侵食、及びフォ
トレジストに対する約２対１の選択性を示した。
追加流を有効に加えた。こうして得られた構造は、急勾
配傾斜の側壁、はんのわずかなライン巾侵食、及びフォ
トレジストに対する約２対１の選択性を示した。
この化学作用は、−酸化炭素の代りに別の弱い酸素源を
用いることによって変更できる。つまり、ＮｔＯやＣＯ
□等の弱い酸素源が代りに使える。
用いることによって変更できる。つまり、ＮｔＯやＣＯ
□等の弱い酸素源が代りに使える。
事実、ＣＯの代りに極めて小流量（１ｓｅｃｍ以下）の
０□を用いるという利点を得ることもできるが、このよ
うな非常に小さい流量を従来の半導体製造装置で再現性
よく制御するのは困難である。
０□を用いるという利点を得ることもできるが、このよ
うな非常に小さい流量を従来の半導体製造装置で再現性
よく制御するのは困難である。
別の種類のフッ素エツチング用の化学作用では、フッ素
源（ＳＦｔ、等）と、フルオロシラン（５ｉＦｎ等）と
、臭素源（ＨＢｒ等）と、−酸化炭素等の弱い酸素源を
含む供給混合ガスを用いる。この化学作用は、フォトレ
ジストに対して良好な選択性を示して、異方性の高速フ
ッ素エツチングを与える。
源（ＳＦｔ、等）と、フルオロシラン（５ｉＦｎ等）と
、臭素源（ＨＢｒ等）と、−酸化炭素等の弱い酸素源を
含む供給混合ガスを用いる。この化学作用は、フォトレ
ジストに対して良好な選択性を示して、異方性の高速フ
ッ素エツチングを与える。
好首尾な結果で実証されたこの処理の実例を次に示す最
初の構造は、有機フォトレジスト材料のパターン形成層
で被覆されたタングステンの薄膜を含んでいた。初期の
ガス流は５ｉＦ４２５ ｓｃｃｍ、Ｓ Ｆｂ ２５ ｓ
ｅｃｍ 、 ＨＢｒ ２５ ｓｅｃｍ及び００３０ ｓ
ｅｃｍを含み、層圧力３５０ミリＴｏｒｒ、印加ＲＦ電
力レベル１７５ワットであった。オーバエツチングの期
間中はレジストの侵食を避けるため、ＷＦ６３０ ｓｅ
ｃｍの追加流を上記のガス流に加えた。こうして得られ
た構造は、はヌ゛垂直のエツチング側壁、はんのわずか
なライン中侵食、及びフォトレジストに対する約３対１
の選択性を示した。
初の構造は、有機フォトレジスト材料のパターン形成層
で被覆されたタングステンの薄膜を含んでいた。初期の
ガス流は５ｉＦ４２５ ｓｃｃｍ、Ｓ Ｆｂ ２５ ｓ
ｅｃｍ 、 ＨＢｒ ２５ ｓｅｃｍ及び００３０ ｓ
ｅｃｍを含み、層圧力３５０ミリＴｏｒｒ、印加ＲＦ電
力レベル１７５ワットであった。オーバエツチングの期
間中はレジストの侵食を避けるため、ＷＦ６３０ ｓｅ
ｃｍの追加流を上記のガス流に加えた。こうして得られ
た構造は、はヌ゛垂直のエツチング側壁、はんのわずか
なライン中侵食、及びフォトレジストに対する約３対１
の選択性を示した。
処理モジュール１３００で行うのに適した別の処理は、
低圧力での窒化シリコンのエツチングである。このエツ
チングでは、１００ ｓｅｃｍで流れるＳＦ、と５００
０ｓｃｃｍで流れるＨｅから成る遠隔プラズマ用の混合
ガスを用いる。基板は２５℃の温度を有する。ＲＦプラ
ズマは発生しなかった。窒化シリコンのエツチング速度
は、毎分３７オングストロームであった。二酸化シリコ
ンはエツチングされないことが認められた。追加のフッ
素源としては、Ｆ２、ＣＦ４またはＣ，Ｆ、等を使える
。これらの追加源が、エツチングの酸化シリコンに対す
る選択性を減少させることがある。
低圧力での窒化シリコンのエツチングである。このエツ
チングでは、１００ ｓｅｃｍで流れるＳＦ、と５００
０ｓｃｃｍで流れるＨｅから成る遠隔プラズマ用の混合
ガスを用いる。基板は２５℃の温度を有する。ＲＦプラ
ズマは発生しなかった。窒化シリコンのエツチング速度
は、毎分３７オングストロームであった。二酸化シリコ
ンはエツチングされないことが認められた。追加のフッ
素源としては、Ｆ２、ＣＦ４またはＣ，Ｆ、等を使える
。これらの追加源が、エツチングの酸化シリコンに対す
る選択性を減少させることがある。
エツチング速度は、ＲＦ近接プラズマを追加使用するこ
とによって高められる。この処理は、ＧａＡｓ及び１１
ｇＣｄＴｅ処理でも有用である。
とによって高められる。この処理は、ＧａＡｓ及び１１
ｇＣｄＴｅ処理でも有用である。
別の処理では、上記タングステンエツチングの１つでタ
ングステン膜のほとんどをエツチングした後、遠隔及び
近接両プラズマを用いることによって、二酸化シリコン
及びフォトレジストに対して異方性且つ選択性のエツチ
ングを与えるのに本処理が使われる。使用した混合ガス
はＳＦ、４０ｓｃｃｍ ％ ＨＢｒ １３ ｓｅｃｍ
、及び炭化水素、例えばＣＨ４（メタン） ５５ｃａ
ｎＩから成る。使用圧力及び温度はそれぞれ０．１３
Ｔｏｒｒ及び２５℃（周囲温度）であった。近接及び遠
隔プラズマを発生するのに用いたＲＦ及びＭＷ電力はそ
れぞれ、４０．４００ワツトであった。近接及び遠隔プ
ラズマは、選択性及び異方性を含めたエツチング特性を
改善する共働効果を生じる。またこれは、近接及び遠隔
プラズマ発生の別々の制御を含む。
ングステン膜のほとんどをエツチングした後、遠隔及び
近接両プラズマを用いることによって、二酸化シリコン
及びフォトレジストに対して異方性且つ選択性のエツチ
ングを与えるのに本処理が使われる。使用した混合ガス
はＳＦ、４０ｓｃｃｍ ％ ＨＢｒ １３ ｓｅｃｍ
、及び炭化水素、例えばＣＨ４（メタン） ５５ｃａ
ｎＩから成る。使用圧力及び温度はそれぞれ０．１３
Ｔｏｒｒ及び２５℃（周囲温度）であった。近接及び遠
隔プラズマを発生するのに用いたＲＦ及びＭＷ電力はそ
れぞれ、４０．４００ワツトであった。近接及び遠隔プ
ラズマは、選択性及び異方性を含めたエツチング特性を
改善する共働効果を生じる。またこれは、近接及び遠隔
プラズマ発生の別々の制御を含む。
第３３図は、ドア１４が開いた状態のウェハキャリヤ１
０を示す。移送アーム２８が、キャリヤ１０と台１５０
０との間でウェハ４８を移送するものとして示しである
。アーム２８は第１．３及び４図に関連して前述したよ
うに作用する。アーム２８は、室１２と同様な装填ロッ
ク室１５０２内に位置する。台１５００は、その底辺に
沿ってヒンジ止めされ、垂直位置から第３３図に示した
水平位置へと回転可能である。台は室１５０２と共にシ
ールを形成する。これは、ポンプ１５０４によって室１
５０２内に真空を形成可能とする。
０を示す。移送アーム２８が、キャリヤ１０と台１５０
０との間でウェハ４８を移送するものとして示しである
。アーム２８は第１．３及び４図に関連して前述したよ
うに作用する。アーム２８は、室１２と同様な装填ロッ
ク室１５０２内に位置する。台１５００は、その底辺に
沿ってヒンジ止めされ、垂直位置から第３３図に示した
水平位置へと回転可能である。台は室１５０２と共にシ
ールを形成する。これは、ポンプ１５０４によって室１
５０２内に真空を形成可能とする。
あるいは、ドアまたは隔離ゲート（図示せず）は、アー
ムが台１５００へ延びるように、室１５０２を介して密
閉可能な開口を設けるように含まれている。真空下でウ
ェハを含むキャリヤ１０は、室１５０２内に置かれる。
ムが台１５００へ延びるように、室１５０２を介して密
閉可能な開口を設けるように含まれている。真空下でウ
ェハを含むキャリヤ１０は、室１５０２内に置かれる。
室１５０２はポンプ１５０４によって所望の真空にポン
プ排気される。室１５０２内の粒子をモニターするのに
、カウンタ８５０と同様な粒子カウンタを使用できる。
プ排気される。室１５０２内の粒子をモニターするのに
、カウンタ８５０と同様な粒子カウンタを使用できる。
第１１及び３１図を含む各図を参照して論じたように、
所望の粒子条件が得られるまで、ドア１４は開かない。
所望の粒子条件が得られるまで、ドア１４は開かない。
所望なら、浄化を行える。所望の真空が確立されると、
ドア１４が開かれる。次いで、きれいなガス、例えばＮ
Ｚ （窒素）を導入することによって、室１５０２が
周囲圧力に通気される。台、ドア、または遠隔ゲートが
開かれる。これでアーム２８は、ウェハ４８下方でキャ
リヤ１０内へと到達可能となる。アームはわずかに上昇
されてウェハを持ち上げる。この状態が第３３図の最左
位置である。次いでアームが、室１５０２の開口１５１
０を介して外へ移動される。ウェハ４８は、３本のピン
５０ （そのうち２本だけが第３３図に示しである）の
外周４９に接触する。ウェハ４８は面５４を有し、その
内部及び／又は上面にデバイスつまり集積回路が構成さ
れている。第３３図の最古位置において、アーム２８は
台１５００上に位置して示しである。台１５００は、第
１３及び４図のピン５３と同様な３本のビン１５１２
（そのうち２本だけが第３３図に示しである）を有す
る。アームはわずかに下降されてウェハ４８をビン１５
１２上に置く。
ドア１４が開かれる。次いで、きれいなガス、例えばＮ
Ｚ （窒素）を導入することによって、室１５０２が
周囲圧力に通気される。台、ドア、または遠隔ゲートが
開かれる。これでアーム２８は、ウェハ４８下方でキャ
リヤ１０内へと到達可能となる。アームはわずかに上昇
されてウェハを持ち上げる。この状態が第３３図の最左
位置である。次いでアームが、室１５０２の開口１５１
０を介して外へ移動される。ウェハ４８は、３本のピン
５０ （そのうち２本だけが第３３図に示しである）の
外周４９に接触する。ウェハ４８は面５４を有し、その
内部及び／又は上面にデバイスつまり集積回路が構成さ
れている。第３３図の最古位置において、アーム２８は
台１５００上に位置して示しである。台１５００は、第
１３及び４図のピン５３と同様な３本のビン１５１２
（そのうち２本だけが第３３図に示しである）を有す
る。アームはわずかに下降されてウェハ４８をビン１５
１２上に置く。
次いでウェハ４８は、別の移送機構１５２０によって取
り出しできる。移送機構１５２０はアーム２８と同様な
別の移送アーム、あるいはその他の適切な機構とし得る
。ウェハは全て、１回にｌウェハづつ台１５００へと移
送可能である。１つの方法として、１枚のウェハは、機
構１５２０によって移送された非真空処理システム（図
示せず）内で処理した後、台１５００へ、更にキャリヤ
１０へと戻すことができる。その後、次のウェハをキャ
リヤ１０から台１５００に移送できる。キャリヤＩＯを
閉じたいときには、台、ドア、または遠隔ゲートを閉じ
る必要がある。つまり室１５０２を真空にし、そしてガ
ス例えばＮ２を用いて室が再び浄化される。特定のカウ
ンタがコンピュータ制御システム２０６によってモニタ
ー可能であり、そして所望の条件が満たされた後ドア１
４は閉じられる。ウェハはアーム２８により、前述のご
とく下向きにして移送できる。コンピュータ制御システ
ム２０６（第１Ｏ及び３１図）は、アーム２８と室１５
０２に必要な制御を与える。
り出しできる。移送機構１５２０はアーム２８と同様な
別の移送アーム、あるいはその他の適切な機構とし得る
。ウェハは全て、１回にｌウェハづつ台１５００へと移
送可能である。１つの方法として、１枚のウェハは、機
構１５２０によって移送された非真空処理システム（図
示せず）内で処理した後、台１５００へ、更にキャリヤ
１０へと戻すことができる。その後、次のウェハをキャ
リヤ１０から台１５００に移送できる。キャリヤＩＯを
閉じたいときには、台、ドア、または遠隔ゲートを閉じ
る必要がある。つまり室１５０２を真空にし、そしてガ
ス例えばＮ２を用いて室が再び浄化される。特定のカウ
ンタがコンピュータ制御システム２０６によってモニタ
ー可能であり、そして所望の条件が満たされた後ドア１
４は閉じられる。ウェハはアーム２８により、前述のご
とく下向きにして移送できる。コンピュータ制御システ
ム２０６（第１Ｏ及び３１図）は、アーム２８と室１５
０２に必要な制御を与える。
第３４図に示した全体構成は、第３３図と同様である。
但しウェハ、例えばウェハ４８は台上に置かれず、その
代わりにアーム２８によって非真空キャリヤ１５４０内
に置かれる。１枚以上のウェハ（または全て）をキャリ
ヤ１５４０内に置（ことができる。キャリヤ１５４０は
、例えば室１５０２から延びた支持体上に位置する。ロ
ボットアームとし得る移送機構１５４２が、手１５４４
及びつめ１５４６を有する。このつめ１５４６は、キャ
リヤ１５４０を把持して、例えばフォトリソグラフィ用
の非真空処理装置（図示せず）へと移動させる。またキ
ャリヤ１５４０は他の手段、例えば手操作で移動及び交
換することもできる。ポンプ排気のシーケンス及び全体
の動作については、第３３図に関連して前述した。
代わりにアーム２８によって非真空キャリヤ１５４０内
に置かれる。１枚以上のウェハ（または全て）をキャリ
ヤ１５４０内に置（ことができる。キャリヤ１５４０は
、例えば室１５０２から延びた支持体上に位置する。ロ
ボットアームとし得る移送機構１５４２が、手１５４４
及びつめ１５４６を有する。このつめ１５４６は、キャ
リヤ１５４０を把持して、例えばフォトリソグラフィ用
の非真空処理装置（図示せず）へと移動させる。またキ
ャリヤ１５４０は他の手段、例えば手操作で移動及び交
換することもできる。ポンプ排気のシーケンス及び全体
の動作については、第３３図に関連して前述した。
第３５及び３６図の移送機構は、第３３及び３４図に示
したものとそれぞれほぼ同様である。
したものとそれぞれほぼ同様である。
ドア１４が開いた状態のウェハキャリヤ１ｏを示しであ
る。台１６００が、アーム２８からウェハ４８を受は取
るものとして示しである。アーム２８は第１．３及び４
図に関連して前述したように作用する。アーム２８は、
（第１．３及び４図に示した）室１２と同様な装填ロッ
ク室１６ｏ２内に位置する。台１６００は第３３図に示
した台１５００と同様であって、その底辺に沿って垂直
位置から第３５図に示した水平位置へ回転可能である。
る。台１６００が、アーム２８からウェハ４８を受は取
るものとして示しである。アーム２８は第１．３及び４
図に関連して前述したように作用する。アーム２８は、
（第１．３及び４図に示した）室１２と同様な装填ロッ
ク室１６ｏ２内に位置する。台１６００は第３３図に示
した台１５００と同様であって、その底辺に沿って垂直
位置から第３５図に示した水平位置へ回転可能である。
この台は室１６０２と共にシールを形成する。これが、
ポンプ１６０４によって室１６０２内に真空を形成可能
とする。あるいは、ドアまたは遠隔ゲート（図示せず）
は、アームが台１６００へ延びるように、室１６０２を
通る密閉可能な開口を設けるように含められる。真空下
でウェハを含むキャリヤ１０は、室１６０２内に置かれ
る。
ポンプ１６０４によって室１６０２内に真空を形成可能
とする。あるいは、ドアまたは遠隔ゲート（図示せず）
は、アームが台１６００へ延びるように、室１６０２を
通る密閉可能な開口を設けるように含められる。真空下
でウェハを含むキャリヤ１０は、室１６０２内に置かれ
る。
室１６０２はポンプ１６０４によって所望の真空にポン
プ排気される。室１６０２内の粒子をモニターするのに
、カウンタ８５０と同様な粒子カウンタを使用できる。
プ排気される。室１６０２内の粒子をモニターするのに
、カウンタ８５０と同様な粒子カウンタを使用できる。
第１１及び３１図を含む各図を参照して論じたように、
所望の粒子条件が得られるまで、ドア１４は開かない。
所望の粒子条件が得られるまで、ドア１４は開かない。
所望の真空が確立されると、ドア１４が開かれる。次い
で、室１２及び処理モジュールに関連して前述したよう
に、きれいなガス、例えばＮ２ （窒素）を導入するこ
とによって、室１６０２の浄化を行うことができる。台
、ドア、または隔離ゲートが開かれる。
で、室１２及び処理モジュールに関連して前述したよう
に、きれいなガス、例えばＮ２ （窒素）を導入するこ
とによって、室１６０２の浄化を行うことができる。台
、ドア、または隔離ゲートが開かれる。
これでアーム２８は、ウェハ４８の下方でキャリヤ１０
内へ到達可能となる。アームはわずかに上昇されてウェ
ハを持ち上げる。この状態が第３５図の最左位置である
。次いでアームが、室１６０２の開口１６１０を介して
外へ移動される。ウエノ＼は、３本のピン５０（そのう
ち２本だけが第３５図に示しである）上に！３２置され
る。第３５図の最古位置において、アーム２８は台１６
００上に位置して示しである。台１６００は、第１．３
及び４図のピン５３と同様な３本のピン１６１２ （
そのうち２本だけが第３５図に示しである）を有する。
内へ到達可能となる。アームはわずかに上昇されてウェ
ハを持ち上げる。この状態が第３５図の最左位置である
。次いでアームが、室１６０２の開口１６１０を介して
外へ移動される。ウエノ＼は、３本のピン５０（そのう
ち２本だけが第３５図に示しである）上に！３２置され
る。第３５図の最古位置において、アーム２８は台１６
００上に位置して示しである。台１６００は、第１．３
及び４図のピン５３と同様な３本のピン１６１２ （
そのうち２本だけが第３５図に示しである）を有する。
アームはわずかに下降されてウェハ４８をピン１６１２
上に置く。
上に置く。
次いでウェハ４８は、真空エンクロージャ１６２１内に
配置された別の移送機構１６２０によって取り出しでき
る。このエンクロージャ１６２１は、同じ形状、移送及
び閉じ込め機構を基本的に有し、ここに図示した標準的
なモジュールと同じでない。
配置された別の移送機構１６２０によって取り出しでき
る。このエンクロージャ１６２１は、同じ形状、移送及
び閉じ込め機構を基本的に有し、ここに図示した標準的
なモジュールと同じでない。
移送機構１６２０は、アーム２８と同様な別の移送アー
ム、あるいはその他の適切な機構とし得る。
ム、あるいはその他の適切な機構とし得る。
ウェハは全て、１回に１ウエハづつ台１６００へと移送
可能である。１つの方法として、１枚のウェハは、機構
１６２０によって移送された真空下の非標準的な処理シ
ステム（室１６２１を除き示してない）内で処理した後
、台１６００へ、更にキャリヤ１０へと戻すことができ
る。その後、次のウェハをキャリヤ１０から台１６００
に移送できる。キャリヤ１０を閉じたいときには、台、
ドア、または隔離ゲートを閉じる必要がある。つまり室
１６０２を真空にし、ガス例えばＮ２を用いて室が再び
浄化される。特定のカウンタは、コンピュータ制御シス
テム２０６によってモニター可能であって、所望の条件
が満たされた後ドア１４は閉じられる。ウェハは、アー
ム２８により、前述のごとく下向きにして移送できる。
可能である。１つの方法として、１枚のウェハは、機構
１６２０によって移送された真空下の非標準的な処理シ
ステム（室１６２１を除き示してない）内で処理した後
、台１６００へ、更にキャリヤ１０へと戻すことができ
る。その後、次のウェハをキャリヤ１０から台１６００
に移送できる。キャリヤ１０を閉じたいときには、台、
ドア、または隔離ゲートを閉じる必要がある。つまり室
１６０２を真空にし、ガス例えばＮ２を用いて室が再び
浄化される。特定のカウンタは、コンピュータ制御シス
テム２０６によってモニター可能であって、所望の条件
が満たされた後ドア１４は閉じられる。ウェハは、アー
ム２８により、前述のごとく下向きにして移送できる。
コンピュータ制御システム２０６（第１０及び３１図）
は、アーム２８及び室１５０２に必要な制御を与える。
は、アーム２８及び室１５０２に必要な制御を与える。
第３６図に示した全体構成は、第３５図と同様である。
但しウェハ、例えばウェハ４８は台上に置かれず、その
代゛わりにアーム２８によって密閉可能でないキャリヤ
１６４０内に置かれる。１枚以上のウェハ（または全て
）をキャリヤ１６４０内に置くことができる。移送機構
１６４２が手１６４４及びつめ１６４６を有する。この
つめ１６４６は、キャリヤ１６４０を把持して、ここに
図示した標準型のモジュールでない処理装置へと移動さ
せる。またキャリヤ１６４０は他の手段、例えば手操作
で移動及び交換することもできる。
代゛わりにアーム２８によって密閉可能でないキャリヤ
１６４０内に置かれる。１枚以上のウェハ（または全て
）をキャリヤ１６４０内に置くことができる。移送機構
１６４２が手１６４４及びつめ１６４６を有する。この
つめ１６４６は、キャリヤ１６４０を把持して、ここに
図示した標準型のモジュールでない処理装置へと移動さ
せる。またキャリヤ１６４０は他の手段、例えば手操作
で移動及び交換することもできる。
ポンプ排気のシーケンス及び全体の動作については、第
３５図に関連して前述した。
３５図に関連して前述した。
処理モジュール２０００を第３７図に示す。処理モジュ
ール２０００の構成部品の多くは、前述した他のモジュ
ールの構成部品と同じである。キャリヤ１０及び室１２
は、第１．３図及び４図に関連して論じたように動作す
る。ウェハ４８は、その最左位置がキャリヤ１０内にあ
る状態であり、中間位置が室１２内を移動中の状態で示
しである。
ール２０００の構成部品の多くは、前述した他のモジュ
ールの構成部品と同じである。キャリヤ１０及び室１２
は、第１．３図及び４図に関連して論じたように動作す
る。ウェハ４８は、その最左位置がキャリヤ１０内にあ
る状態であり、中間位置が室１２内を移動中の状態で示
しである。
第１１図に関連して述べた種類の粒子制御装置を、モジ
ュール２０００及びその他ここに開示のモジュールで使
うことができる。最古位置のウェハ４８は、処理室２０
０２内に配置されている。遠隔プラズマ発生器２０１０
が、管２０１２を介して供給される混合ガスから、マイ
クロ波エネルギ−を用いて遠隔プラズマを発生する。供
給管２５０が、発生器２０２０からの遠隔プラズマを室
２００２に与える。管２０２０と２０２２が真空接続部
を介し、紫外線空間２０２４及び２００２にそれぞれ接
続されている。また管２０２０と２０２２は、ガス分配
リング２０２６と２０２８にそれぞれ接続されている。
ュール２０００及びその他ここに開示のモジュールで使
うことができる。最古位置のウェハ４８は、処理室２０
０２内に配置されている。遠隔プラズマ発生器２０１０
が、管２０１２を介して供給される混合ガスから、マイ
クロ波エネルギ−を用いて遠隔プラズマを発生する。供
給管２５０が、発生器２０２０からの遠隔プラズマを室
２００２に与える。管２０２０と２０２２が真空接続部
を介し、紫外線空間２０２４及び２００２にそれぞれ接
続されている。また管２０２０と２０２２は、ガス分配
リング２０２６と２０２８にそれぞれ接続されている。
空間２０２４は室２００２の下方に位置する。水晶製パ
ンフル２０３０が、空間２０２４を室２００２から分離
している。供給管２５０は、水晶製パンフル２０３０と
の間にスリップ嵌合せを有する。水晶製バッフル２０３
０は基本的にＨ状断面を有し、供給管２５０がクロスバ
−の中心を通過している。リング２０２６が空間２０２
４内に位置し、リング２０２８が室２００２内に位置す
る。
ンフル２０３０が、空間２０２４を室２００２から分離
している。供給管２５０は、水晶製パンフル２０３０と
の間にスリップ嵌合せを有する。水晶製バッフル２０３
０は基本的にＨ状断面を有し、供給管２５０がクロスバ
−の中心を通過している。リング２０２６が空間２０２
４内に位置し、リング２０２８が室２００２内に位置す
る。
モジュール２０００は、ポンプ２０４０及び弁２０４２
を有する。水晶製パフフルが、室２００２の側面及び底
の一部を形成している。また水晶製バッフルは第３７図
において、その上方つまり閉位置の状態で示しである。
を有する。水晶製パフフルが、室２００２の側面及び底
の一部を形成している。また水晶製バッフルは第３７図
において、その上方つまり閉位置の状態で示しである。
ベローズ２０３２が、水晶製バッフル２０３０のための
垂直方向の動きを与える。加熱モジュール２０５０が室
２００２の上方に位置する。透明プレー）２０５２が、
加熱モジュール２０５０及び室２００２を分離している
。加熱モジュール２５０からの熱は、プレート２０５２
を介し放射によってウェハ４８へ導かれる。プレー１−
２０５２が、第３７図に示した閉位置において室の頂部
を形成する。面５４を下向きにしたウェハ４８が、プレ
ー）２０５２のすぐ下に位置する。
垂直方向の動きを与える。加熱モジュール２０５０が室
２００２の上方に位置する。透明プレー）２０５２が、
加熱モジュール２０５０及び室２００２を分離している
。加熱モジュール２５０からの熱は、プレート２０５２
を介し放射によってウェハ４８へ導かれる。プレー１−
２０５２が、第３７図に示した閉位置において室の頂部
を形成する。面５４を下向きにしたウェハ４８が、プレ
ー）２０５２のすぐ下に位置する。
加熱モジュール２０５０は、加熱要素からなる２つのリ
ング２０６０と２０６２を備えている。
ング２０６０と２０６２を備えている。
リング２０６０がリング２０６２の外側に位置する。各
リングは複数の加熱ランプ、例えばリング２０６０では
２４個で、リング２０６２では１２個でそれぞれ構成さ
れている。両リングは別々に制御可能である。反射器２
０７０が、リング２０６０と２０６２からの熱をプレー
ト２０５２を介して差し向ける。加熱モジュール２０５
０は、第３８．３９及び４０図に関連して詳述する。第
３８．３９及び４０図は、第３７図に示した基本処理モ
ジュール２０００の変形例を示している。従って、第３
８．３９及び４０図の議論は主に各図間での相違に焦点
を絞る。
リングは複数の加熱ランプ、例えばリング２０６０では
２４個で、リング２０６２では１２個でそれぞれ構成さ
れている。両リングは別々に制御可能である。反射器２
０７０が、リング２０６０と２０６２からの熱をプレー
ト２０５２を介して差し向ける。加熱モジュール２０５
０は、第３８．３９及び４０図に関連して詳述する。第
３８．３９及び４０図は、第３７図に示した基本処理モ
ジュール２０００の変形例を示している。従って、第３
８．３９及び４０図の議論は主に各図間での相違に焦点
を絞る。
第３８図は、加熱モジュール２０５０、リング２０６０
の内の２つのランプ２１００と２１０２、及びリング２
０６２の内の２つのランプ２１０４と２１０６を備えた
処理モジュール２０００を示す。反射器２０７０も第３
８図に示しである。リング２０６０とリング２０６２の
各ランプに接続されたそれぞれの電源が、コンピュータ
制御シスムチ２０６によって別々に制御される。これが
、必要に応じた多種類の加熱形態を可能とする。ヒータ
空間２１１０が、両リング２０６０と２０６２、反射器
２０７０の一部、及びプレート２０５２の間に位置する
。ヒータ空間はプレー）２０５２の上方に位置し、それ
を越えて横方向に延びている。
の内の２つのランプ２１００と２１０２、及びリング２
０６２の内の２つのランプ２１０４と２１０６を備えた
処理モジュール２０００を示す。反射器２０７０も第３
８図に示しである。リング２０６０とリング２０６２の
各ランプに接続されたそれぞれの電源が、コンピュータ
制御シスムチ２０６によって別々に制御される。これが
、必要に応じた多種類の加熱形態を可能とする。ヒータ
空間２１１０が、両リング２０６０と２０６２、反射器
２０７０の一部、及びプレート２０５２の間に位置する
。ヒータ空間はプレー）２０５２の上方に位置し、それ
を越えて横方向に延びている。
供給管２５０及びリング２０２６．２０２８は、第３７
図に関連して前述したように配置されている。水晶製バ
ッフル２０３０は断面で示しである。
図に関連して前述したように配置されている。水晶製バ
ッフル２０３０は断面で示しである。
垂直軸２１２０は、モジュール２０００の中心部を通っ
て延びている。供給管２５０、バッフル２０３０、リン
グ２０２６と２０２８、プレート２０５２、反射器２０
７０、及びリング２１００と２１０２は、軸２１２０を
中心に同心円状に位置する。バッフル２０３０及びリン
グ２０２６．２０２８は、ベローズ２０３２により軸２
１２０に沿って垂直方向に移動する。室２００２は閉位
置状態で示してあり、水晶製円筒体２２１０が固定の上
方支持体２２１２に接している。ここで論じたように、
シール２２１４は、モジュール２０００の内部の室２０
０２と残部との間の必要な分離を与えるように設けられ
る。室２００２からのほぼ下向きの流れが、ポンプ２０
４０ （第３７図）によって与えられる。
て延びている。供給管２５０、バッフル２０３０、リン
グ２０２６と２０２８、プレート２０５２、反射器２０
７０、及びリング２１００と２１０２は、軸２１２０を
中心に同心円状に位置する。バッフル２０３０及びリン
グ２０２６．２０２８は、ベローズ２０３２により軸２
１２０に沿って垂直方向に移動する。室２００２は閉位
置状態で示してあり、水晶製円筒体２２１０が固定の上
方支持体２２１２に接している。ここで論じたように、
シール２２１４は、モジュール２０００の内部の室２０
０２と残部との間の必要な分離を与えるように設けられ
る。室２００２からのほぼ下向きの流れが、ポンプ２０
４０ （第３７図）によって与えられる。
２つの電極２２３０と２２３２が、空間２０２４用の垂
直壁を与える。電極２２３０と２２３２は、軸２１２０
と同心円状の円筒体である。電極２２３０は電極２２３
２を取り巻いて配置されている。画電極２２３０と２２
３２は、紫外線発生能力を有する他の処理モジュールに
関連して前述したように、リング２０２６から空間２０
２４内に埋入されるガスを励起するのに必要な電力を与
える。電極２２３０と２２３２への電気接続は、導体２
２４０と２２４２を介して成される。電源から供給され
る電力は、前述のごとくコンピュータ制御システム２０
６によって制御される。センサアレイ２２４４が、バッ
フル２０３０の外壁に沿って上方に延び、パンフルの頂
部を越え、そして更に室２００２内へと水平に延びてい
る。複数の温度センサ２２４６（数は変更可能だがその
うち３つだけが第３８．３９及び４０図に示しである）
が、アレイ２２４４の水平部分上に配置されている。セ
ンサ２２４６は、ウェハ４８の面５４のすぐ下に位置し
て、それらが配置されている領域の温度をそれぞれ測定
する。プレート２０５２内の開口２２５０がプレートの
外周から中心へと水平に延び、更にそこからプレー）２
０５２の下面へと下方に延びている。
直壁を与える。電極２２３０と２２３２は、軸２１２０
と同心円状の円筒体である。電極２２３０は電極２２３
２を取り巻いて配置されている。画電極２２３０と２２
３２は、紫外線発生能力を有する他の処理モジュールに
関連して前述したように、リング２０２６から空間２０
２４内に埋入されるガスを励起するのに必要な電力を与
える。電極２２３０と２２３２への電気接続は、導体２
２４０と２２４２を介して成される。電源から供給され
る電力は、前述のごとくコンピュータ制御システム２０
６によって制御される。センサアレイ２２４４が、バッ
フル２０３０の外壁に沿って上方に延び、パンフルの頂
部を越え、そして更に室２００２内へと水平に延びてい
る。複数の温度センサ２２４６（数は変更可能だがその
うち３つだけが第３８．３９及び４０図に示しである）
が、アレイ２２４４の水平部分上に配置されている。セ
ンサ２２４６は、ウェハ４８の面５４のすぐ下に位置し
て、それらが配置されている領域の温度をそれぞれ測定
する。プレート２０５２内の開口２２５０がプレートの
外周から中心へと水平に延び、更にそこからプレー）２
０５２の下面へと下方に延びている。
開口２２５０については後で詳述する。指状部２２６０
（３本のうち１本だけを第３８図に示す）がウェハ４８
をプレート２０５２に対して保持し、そしてこれらの指
状部は前記の指状部５３と同じである。アレイ２２４４
は、ここに示した他の加熱モジュール、例えば第１８及
び１９図に示したものでも使用できる。
（３本のうち１本だけを第３８図に示す）がウェハ４８
をプレート２０５２に対して保持し、そしてこれらの指
状部は前記の指状部５３と同じである。アレイ２２４４
は、ここに示した他の加熱モジュール、例えば第１８及
び１９図に示したものでも使用できる。
反射器２０７０は平らな先端２２７２を含む円誰台状の
部分を存し、円錐状の表面２２７４が平らな先端２２７
２から離れて上方に延びている。
部分を存し、円錐状の表面２２７４が平らな先端２２７
２から離れて上方に延びている。
平らな先端２２７２の中心は軸２１２０と一致している
。次に反射器２０７０の表面について論じるが、これら
表面は第３８図では断面で示しである。また別の円錐状
表面２２７６が、表面２２７４より大きい角度で軸２１
２０から離れるように更に上方に延びている。表面２２
７６からは、水平な表面２２７８が軸２１２０と直角に
円錐状の表面２２８０へと延びている。表面２２８０は
、水平表面２２７８から、下方に且つ軸２１２０に対し
て外側へと水平表面２２８２まで延びている。
。次に反射器２０７０の表面について論じるが、これら
表面は第３８図では断面で示しである。また別の円錐状
表面２２７６が、表面２２７４より大きい角度で軸２１
２０から離れるように更に上方に延びている。表面２２
７６からは、水平な表面２２７８が軸２１２０と直角に
円錐状の表面２２８０へと延びている。表面２２８０は
、水平表面２２７８から、下方に且つ軸２１２０に対し
て外側へと水平表面２２８２まで延びている。
水平表面２２８２は、表面２２８０から、軸２１２０に
対し直角に外側へと更に別の円錐状表面２２８４まで延
びている。表面２２８４は、表面２２８２から、下方に
且つ軸２１２０に対し外側に向かって延びている。表面
２２８４の最外部は、軸２１０２に沿って先端２２７２
とぼぼ同じ距離にある。表面２２７４と２２７６は、軸
２１０２に沿って表面２２８２の位置とほぼ同じ距離で
接っしている。
対し直角に外側へと更に別の円錐状表面２２８４まで延
びている。表面２２８４は、表面２２８２から、下方に
且つ軸２１２０に対し外側に向かって延びている。表面
２２８４の最外部は、軸２１０２に沿って先端２２７２
とぼぼ同じ距離にある。表面２２７４と２２７６は、軸
２１０２に沿って表面２２８２の位置とほぼ同じ距離で
接っしている。
先端２２７２及び各表面２２７２．２２７６．２２７８
．２２８０．２２８２と２２８４が、反射器２０７０の
上部を形成している。先端２２７２はプレート２０５２
から離間している。
．２２８０．２２８２と２２８４が、反射器２０７０の
上部を形成している。先端２２７２はプレート２０５２
から離間している。
反射器２７０の下部は、軸２１２０に関して同心円上の
円筒状表面２２９０を有する。表面２２９０の下端は、
ウェハ４８の下方に延び、そして同じくウェハ４８より
下方に延びたプレート２０５２のリング状の足２２９２
によって室２００２から分離されている。足２２９２は
、ウェハ４８の外周の外側に延び、そしてそこから離間
している。
円筒状表面２２９０を有する。表面２２９０の下端は、
ウェハ４８の下方に延び、そして同じくウェハ４８より
下方に延びたプレート２０５２のリング状の足２２９２
によって室２００２から分離されている。足２２９２は
、ウェハ４８の外周の外側に延び、そしてそこから離間
している。
すなわち、第３８図に示すように、足２２９２は、プレ
ート２０５２の本体から、ウェハ４８よりも大きい距離
だけ軸２１２０に沿って下方に延びている。反射器２０
７０は、表面２２９０から、上方へ且つ軸２１２０から
はなれる方向に延びた円錐状の表面２３０２を有する。
ート２０５２の本体から、ウェハ４８よりも大きい距離
だけ軸２１２０に沿って下方に延びている。反射器２０
７０は、表面２２９０から、上方へ且つ軸２１２０から
はなれる方向に延びた円錐状の表面２３０２を有する。
水平表面２３０２が、その接続地点から表面２３００へ
、軸２１２０と直角に外側へと延びている。反射器の上
下両部は、各々連続状の表面を形成しているが、相互に
は接続されていない。表面２２８４は、表面２２７４と
ランプ２１００．２１０２の加熱要素と、軸２１２０に
沿ってほぼ同じ距離にある。表面２２８４は、ランプ２
１００と２１０２からの熱を表面２３００とほぼ平行に
ウェハに向かって反射させる角度とし、より多くの熱集
中がウェハの外周に近い領域に向かうようにする。ラン
プ２１０４．２１０６の加熱要素は、表面２２７６．２
２８０と、軸２１２０に沿ってほぼ同じ距離にある。表
面２２７６と２２８０は、ランプ２１０４と２１０６か
らの熱をウェハ４８へと反射し、両ランプからの熱のよ
り多くの集中がウェハの中心領域に向かうようにしてい
る。表面２３００は、上方且っ軸２１２０に向かう方向
で表面２２７６へ熱を反射させる角度にできる。表面２
３０２も熱を上方に差し向け、下向きに反射させる。表
面２２９０はＭ２１２０に向かって、且つ、ウェハのエ
ツジ上に追加の熱を水平方向に差し向ける。全体として
、反射器２０７０の各表面及び先端が、最大の熱量をウ
ェハ４８に与えるように、空間２１１０を介して熱を方
向付は及び再方向付けする。ここに示した特定の反射器
２０７は、加熱モジュール２０５０用の反射器を実施す
るための１つの方法に過ぎない。ウェハ４８はプレート
２０５２に接つしているので、ウェハ４８の上面は被着
中保護される。
、軸２１２０と直角に外側へと延びている。反射器の上
下両部は、各々連続状の表面を形成しているが、相互に
は接続されていない。表面２２８４は、表面２２７４と
ランプ２１００．２１０２の加熱要素と、軸２１２０に
沿ってほぼ同じ距離にある。表面２２８４は、ランプ２
１００と２１０２からの熱を表面２３００とほぼ平行に
ウェハに向かって反射させる角度とし、より多くの熱集
中がウェハの外周に近い領域に向かうようにする。ラン
プ２１０４．２１０６の加熱要素は、表面２２７６．２
２８０と、軸２１２０に沿ってほぼ同じ距離にある。表
面２２７６と２２８０は、ランプ２１０４と２１０６か
らの熱をウェハ４８へと反射し、両ランプからの熱のよ
り多くの集中がウェハの中心領域に向かうようにしてい
る。表面２３００は、上方且っ軸２１２０に向かう方向
で表面２２７６へ熱を反射させる角度にできる。表面２
３０２も熱を上方に差し向け、下向きに反射させる。表
面２２９０はＭ２１２０に向かって、且つ、ウェハのエ
ツジ上に追加の熱を水平方向に差し向ける。全体として
、反射器２０７０の各表面及び先端が、最大の熱量をウ
ェハ４８に与えるように、空間２１１０を介して熱を方
向付は及び再方向付けする。ここに示した特定の反射器
２０７は、加熱モジュール２０５０用の反射器を実施す
るための１つの方法に過ぎない。ウェハ４８はプレート
２０５２に接つしているので、ウェハ４８の上面は被着
中保護される。
第３９図に示したモジュール２０００の加熱モジュール
２０５０及び反射器２０７０は、第３８図に示したもの
と同じなのでこれ以上説明しない。
２０５０及び反射器２０７０は、第３８図に示したもの
と同じなのでこれ以上説明しない。
リング２０２６．２０２８、バッフル２０３０、プレー
）２０５２、供給管２５０及びモジュール２０００下部
のほぼ全体の構成もだいたい同じなので、変形部分だけ
を次に論じる。
）２０５２、供給管２５０及びモジュール２０００下部
のほぼ全体の構成もだいたい同じなので、変形部分だけ
を次に論じる。
第３９図においては、電極２３１０がウェハ４８とプレ
ート２０５２との間に配置されている。
ート２０５２との間に配置されている。
プレート２０５２は導電性であって、例えば黒鉛または
シリコンで作成できる。導体２３１２が、電極２３１０
にそのエツジ近くで取り付けられている。第３９図に示
すように室２００２が閉じているとき、指状部２２６０
がウェハ４８を電極２３１０に接触保持している。尚、
指状部２２６０はノツチ２３３０を有し、この指状部の
上端がプレート２０５２に接っする状態でウェハがノツ
チ内に位置し、これによってウェハが電極２３１０（あ
るいは第３８図の例ではプレート２０５２）に対して保
持される。但し、第１．３及び４図のピン５３を使うこ
ともできる。加熱モジュール２０５０からの熱は、表面
２２９０が熱を軸２１２０の方へ差し向けていることに
よって、ウェハ４８の外周を除き全て電極２３１０上に
差し向けられる。センサ２２４６も、各位置、例えば外
周近く、半径の約半分の地点、及び中心近くにおけろウ
ェハの温度を与えるという同じ機能を果たす。この構成
が近接プラズマの使用を可能とする。ＲＦ主電力、電極
２３１０と円筒状の支持体２３１１に印加される。これ
により、前述したＲＦ強化のプラズマが前記処理及び前
記室洗浄のために使用できるようになる。
シリコンで作成できる。導体２３１２が、電極２３１０
にそのエツジ近くで取り付けられている。第３９図に示
すように室２００２が閉じているとき、指状部２２６０
がウェハ４８を電極２３１０に接触保持している。尚、
指状部２２６０はノツチ２３３０を有し、この指状部の
上端がプレート２０５２に接っする状態でウェハがノツ
チ内に位置し、これによってウェハが電極２３１０（あ
るいは第３８図の例ではプレート２０５２）に対して保
持される。但し、第１．３及び４図のピン５３を使うこ
ともできる。加熱モジュール２０５０からの熱は、表面
２２９０が熱を軸２１２０の方へ差し向けていることに
よって、ウェハ４８の外周を除き全て電極２３１０上に
差し向けられる。センサ２２４６も、各位置、例えば外
周近く、半径の約半分の地点、及び中心近くにおけろウ
ェハの温度を与えるという同じ機能を果たす。この構成
が近接プラズマの使用を可能とする。ＲＦ主電力、電極
２３１０と円筒状の支持体２３１１に印加される。これ
により、前述したＲＦ強化のプラズマが前記処理及び前
記室洗浄のために使用できるようになる。
第４０図においては、指状部２２６０がノツチ２３３０
より深いノツチ２３３２を有し、そしてこの指状部２２
６０の先端がプレート２３１０に接する一方、ウェハ４
８がプレート２３１０から空間２３３４を挟み離れて位
置するのを可能としている。プレート２０５２内の開口
２２５０が浄化ガス、例えばヘリウム及びＨ２等の不活
性ガスをウェハ４８の上面に与え、そのウェハ面への被
着を防いでいる。センサ２２４６は、第３８及び３９図
の場合と同じ機能を果たす。反射器２０７０の表面２２
９０は、ウェハ４８の外周へ熱を差し向けるように充分
下方にまで延びている。第３７．３８．３９及び４０図
に示したモジュール２０００の各種変形例は、ウェハ外
周での加熱改善という点で基本的モジュール概念の柔軟
性を示すものである。
より深いノツチ２３３２を有し、そしてこの指状部２２
６０の先端がプレート２３１０に接する一方、ウェハ４
８がプレート２３１０から空間２３３４を挟み離れて位
置するのを可能としている。プレート２０５２内の開口
２２５０が浄化ガス、例えばヘリウム及びＨ２等の不活
性ガスをウェハ４８の上面に与え、そのウェハ面への被
着を防いでいる。センサ２２４６は、第３８及び３９図
の場合と同じ機能を果たす。反射器２０７０の表面２２
９０は、ウェハ４８の外周へ熱を差し向けるように充分
下方にまで延びている。第３７．３８．３９及び４０図
に示したモジュール２０００の各種変形例は、ウェハ外
周での加熱改善という点で基本的モジュール概念の柔軟
性を示すものである。
上記で特に指定されていなければ、ＲＦとＭＷとの両プ
ラズマ及び紫外線の発生で使われる電力及び周波数は、
他の処理パラメータと同様広く変更可能である。ここで
用いられる低圧力という用語は、周囲圧よりも低い圧力
を示す。
ラズマ及び紫外線の発生で使われる電力及び周波数は、
他の処理パラメータと同様広く変更可能である。ここで
用いられる低圧力という用語は、周囲圧よりも低い圧力
を示す。
ここに開示した全ての処理モジュールは、第１．３．４
．５Ａ、及び５Ｂ図に示したような室１２及びアーム２
８を１つ以上備えて使用可能である。
．５Ａ、及び５Ｂ図に示したような室１２及びアーム２
８を１つ以上備えて使用可能である。
シリコン、ＧａＡｓ及びＨｇＣｄＴｅの例をここでは示
したが、ゲルマニウムなどそれ以外の材料でウェハを作
製することもできる。またウェハは、例えば結晶材料の
単一片または大きい基板上に配置された小結晶など、多
くのさまざまな形態で構成できる。ここで開示したよう
に発生されるプラズマは、遊離基を含む。ここではウェ
ハ４８等のウェハを開示したが、他の種類の平坦な加工
品もここに開示の技術で使用可能である。
したが、ゲルマニウムなどそれ以外の材料でウェハを作
製することもできる。またウェハは、例えば結晶材料の
単一片または大きい基板上に配置された小結晶など、多
くのさまざまな形態で構成できる。ここで開示したよう
に発生されるプラズマは、遊離基を含む。ここではウェ
ハ４８等のウェハを開示したが、他の種類の平坦な加工
品もここに開示の技術で使用可能である。
ウェハ４８を処理した結果は、電子装置、例えば集積回
路またはディスクリート半導体装置となる。処理が完了
した後、ウェハが各デバイスに分割される。回路及びデ
バイスは、例えば参考文献として本明細書に含まれる１
９８４年８月１４日付けでオルフット（０ｒｃｕｔｔ
）等に発行された米国特許第４，４６５，８９８号、及
び１９６９年４月１５日付けでビルヒラ（Ｂｉｒｃｈｌ
ｅｒ ）等に発行された米国特許第３．４３９．２３８
号に開示されているようなパッケージ内に密閉される。
路またはディスクリート半導体装置となる。処理が完了
した後、ウェハが各デバイスに分割される。回路及びデ
バイスは、例えば参考文献として本明細書に含まれる１
９８４年８月１４日付けでオルフット（０ｒｃｕｔｔ
）等に発行された米国特許第４，４６５，８９８号、及
び１９６９年４月１５日付けでビルヒラ（Ｂｉｒｃｈｌ
ｅｒ ）等に発行された米国特許第３．４３９．２３８
号に開示されているようなパッケージ内に密閉される。
その後、これらのパッケージはプリント回路板を作製す
るのに使われる。意図する機能を達成するのにパッケー
ジ化集積回路がなければ作動し得ないプリント回路板は
、コンピュータ、写真複写機、プリンタ、電話通信機機
、計算器、及びその他電子情報時代の必需品である全て
の電子機器で必要な電気構成部品である。つまり、かか
る回路及びデバイスが存在しなければ、電子機器は機能
できない。
るのに使われる。意図する機能を達成するのにパッケー
ジ化集積回路がなければ作動し得ないプリント回路板は
、コンピュータ、写真複写機、プリンタ、電話通信機機
、計算器、及びその他電子情報時代の必需品である全て
の電子機器で必要な電気構成部品である。つまり、かか
る回路及びデバイスが存在しなければ、電子機器は機能
できない。
本願は、１つの処理システム、更なる利点を与える数多
くの追加特徴をそれぞれ含む多数の種類の処理ステーシ
ョン及び多数の種類の処理方法を記述するものである。
くの追加特徴をそれぞれ含む多数の種類の処理ステーシ
ョン及び多数の種類の処理方法を記述するものである。
（発明の効果）
本発明の利点は、過剰なプラズマ衝撃によって生じる可
能性のある損傷を減じる点にある。
能性のある損傷を減じる点にある。
本発明の追加の利点は、外側被着の選択性及び制御の最
適化を可能としつつ、プラズマ衝撃を最適化して異方性
を与えられる点にある。
適化を可能としつつ、プラズマ衝撃を最適化して異方性
を与えられる点にある。
本発明の更なる利点は、低衝撃の条件下において高い処
理量で処理を作業可能とする点にある。
理量で処理を作業可能とする点にある。
本発明の更に別の利点は、前エツチングによるデスカム
、前エツチングによるＵ■レジスト処理、強化エツチン
グ、後エツチングによるレジスト除去、酸化物の除去、
金属汚染物の除去、有機物の除去、及び強化被着を含む
一連のその場での作業を達成可能とする点にある。
、前エツチングによるＵ■レジスト処理、強化エツチン
グ、後エツチングによるレジスト除去、酸化物の除去、
金属汚染物の除去、有機物の除去、及び強化被着を含む
一連のその場での作業を達成可能とする点にある。
また本発明は、処理室の迅速な浄化を有利に可能とする
点にある。
点にある。
以上の記載に関連して、以下の各項を開示する。
１、処理室内で加工品を処理する装置において、ｔａ）
加工品を支持可能で内部に配設された加工品支持体
を有する第１室、 （ｂｌ 前記第１室から離れ、且つ、前記第１室と流
体連通して遊離基を発生する第２室、（ｃ１前記第１室
内にあって、第３室内で、且つ、前記加工品に隣接して
プラズマを形成するように位置された一対の電源を存す
る第３室、及び ＋ｄｌ 前記第１室内で、且つ、前記第３室に隣接し
て、前記加工品を照射する紫外線を発生する第４室、 を備えた装置。
加工品を支持可能で内部に配設された加工品支持体
を有する第１室、 （ｂｌ 前記第１室から離れ、且つ、前記第１室と流
体連通して遊離基を発生する第２室、（ｃ１前記第１室
内にあって、第３室内で、且つ、前記加工品に隣接して
プラズマを形成するように位置された一対の電源を存す
る第３室、及び ＋ｄｌ 前記第１室内で、且つ、前記第３室に隣接し
て、前記加工品を照射する紫外線を発生する第４室、 を備えた装置。
２、前記加工品が下向きの処理すべき面を有する第１項
記載の装置。
記載の装置。
３、前記第３室が第４室と流体連通している第１項記載
の装置。
の装置。
４、前記第３室が前記第４室から実質上透明な窓によっ
て分離されている第１項記載の装置。
て分離されている第１項記載の装置。
５、前記実質上透明な窓が水晶からなる第４項記載の装
置。
置。
６、前記実質上透明な窓がサファイアからなる第４項記
載の装置。
載の装置。
７、前記第２．３及び４室が別々に制御され単独に動作
する第１項記載の装置。
する第１項記載の装置。
８、前記第２．３及び４室が別々に制御され任意の組合
せで動作する第１項記載の装置。
せで動作する第１項記載の装置。
９、前記第４室が前記加工品の下方に位置する第１項記
載の装置。
載の装置。
１０、前記第３室が前記加工品の上下に前記一対の電極
を有する第１項記載の装置。
を有する第１項記載の装置。
１１、前記第２室からのプラズマが前記加工品の下側か
らその表面へと導かれる第１項記載の装置。
らその表面へと導かれる第１項記載の装置。
１２、前記加工品がウェハである第１項記載の装置。
１３、ウェハを処理する方法において、（ａｌ ウェ
ハを処理室内へと移送する段階、（ｂ） 周囲より低
い圧力を前記処理室に加えて、処理室を周囲圧より低く
維持する段階、（ｃ） 前記処理室から分離した遠隔
プラズマ室に第１ガスを与え、そして遠隔プラズマを発
生する段階、 （ｄｌ 前記第１プラズマと別個の第２プラズマを、
前記ウェハの面近くで発生する段階、 ｔｅｌ 前記ウェハから分離した前記真空室内の紫外
線エネルギー源からの紫外線エネルギーでウェハを照射
する段階、 （ｆ） 前記遠隔プラズマを前記処理室内に配置され
たウェハ上に流す段階、 を含む方法。
ハを処理室内へと移送する段階、（ｂ） 周囲より低
い圧力を前記処理室に加えて、処理室を周囲圧より低く
維持する段階、（ｃ） 前記処理室から分離した遠隔
プラズマ室に第１ガスを与え、そして遠隔プラズマを発
生する段階、 （ｄｌ 前記第１プラズマと別個の第２プラズマを、
前記ウェハの面近くで発生する段階、 ｔｅｌ 前記ウェハから分離した前記真空室内の紫外
線エネルギー源からの紫外線エネルギーでウェハを照射
する段階、 （ｆ） 前記遠隔プラズマを前記処理室内に配置され
たウェハ上に流す段階、 を含む方法。
１４、ウェハ（４８）が、該ウェハ（４８）から分離さ
れているがウェハより上流側の処理ガス流の流れ（２５
０）内に存在する第１のプラズマによって発生される活
性化種にさらされると共に、ウェハの面にほぼ隣接する
暗部を有する第２のプラズマによって発生されるイオン
衝撃にさらされる処理装置（６３０）及び方法。遠隔プ
ラズマで活性化種を発生でき、従って近接プラズマの電
力レベルがイオン衝撃エネルギー最適化のため調整可能
なように、近接プラズマを比較的低い電力に保つのが有
効である。処理すべきウェハの面を照射する紫外線は、
真空室（６３０）内に位置するがウェハ（４８）の面（
５４）から離れているプラズマによって発生される。ガ
ス流系は、紫外線発生プラズマが独自のガス供給管（３
０６）を有し、紫外線発生プラズマからの反応生成物が
実質上ウェハ面（５４）へと流入または拡散しないよう
に設計するのが有効である。通常紫外線プラズマ空間と
ウェハ面に近い処理空間との間に透明な隔離窓を含め、
紫外線プラズマがウェハ面近くで使われる場合と少し異
なる真空レベルで動作可能となるようにするのが有効で
あるが、この透明窓は完全な真空シールとして作用する
ほど充分に厚くしない。
れているがウェハより上流側の処理ガス流の流れ（２５
０）内に存在する第１のプラズマによって発生される活
性化種にさらされると共に、ウェハの面にほぼ隣接する
暗部を有する第２のプラズマによって発生されるイオン
衝撃にさらされる処理装置（６３０）及び方法。遠隔プ
ラズマで活性化種を発生でき、従って近接プラズマの電
力レベルがイオン衝撃エネルギー最適化のため調整可能
なように、近接プラズマを比較的低い電力に保つのが有
効である。処理すべきウェハの面を照射する紫外線は、
真空室（６３０）内に位置するがウェハ（４８）の面（
５４）から離れているプラズマによって発生される。ガ
ス流系は、紫外線発生プラズマが独自のガス供給管（３
０６）を有し、紫外線発生プラズマからの反応生成物が
実質上ウェハ面（５４）へと流入または拡散しないよう
に設計するのが有効である。通常紫外線プラズマ空間と
ウェハ面に近い処理空間との間に透明な隔離窓を含め、
紫外線プラズマがウェハ面近くで使われる場合と少し異
なる真空レベルで動作可能となるようにするのが有効で
あるが、この透明窓は完全な真空シールとして作用する
ほど充分に厚くしない。
第１図は半導体集積回路ウェハの真空処理及び搬送と適
合可能な装填ロックの見本実施例を示す図である。第２
図は各種サイズの粒子について、各種圧力の空気中を落
下するのに必要な時間を示すグラフである。第３図は処
理ステーションにおける見本のウェハを移送するための
構成を示し、ウェハは隣接する真空装填ロック室１２か
ら室間移送ポート３０を介して到達する移送アーム２８
によって３本のピン上に置かれている状態を示す図であ
る。第４図は第１図のと同様な装填ロック内の位置整合
台１８上に嵌合合体されたマルチウェハ式真空ウェハキ
ャリヤ１０の見本実施例を更に拡大して示す図である。 第５Ａ及び５Ｂ図は処理モジュールとウェハ移送台及び
装填ロックを含む見本の処理ステーションの平面図であ
る。第６図は第５Ａ及び５Ｂ図に示した処理ステーショ
ン内の処理モジュールの１つとして使用可能な処理モジ
ュール用の構成を示す図である。第７図は実際のエツチ
ング処理時にそうされる閉じた状態における第６図のプ
ラズマ反応器を示す図である。 第８図は第６図の反応器の平面図である。第９図は第６
図の処理モジュールの改良型を示す図であって、その見
本の実施例はその場で発生される紫外線による処理強化
の能力を含む他、（ウェハ面から離れた追加のプラズマ
放電を通るガス流によって発生される）活性化種をウェ
ハ面に与えることによって得られる能力も備えており、
モジュールは、１つだけのモジュールと１つの装填ロッ
クを含む処理ステーション内に位置して示しであるが、
第５Ａ及び５Ｂ図のと同様な実施例でも使用できるもの
を示す図である。第１０図はここに記す実施例の一部を
実現するのに使用可能な処理ステーションの物理的構成
を示す図である。第１１図は真空処理系で粒子に対する
保護を行う装填ロック制御システム用のフローチャート
を示す図である。第１２図は第９図に示したような実施
例において、その場で発生される紫外線による処理強化
の能力を実現する構造の詳細図である。第１３図は第１
２図の構造の代替例を示す図であって、（第１２図の実
施例では）紫外線源プラズマのガス流を、ウェハ面近く
の処理ガス流から分離するのを助けていた隔離窓が含ま
れていないものを示す図である。第１４図は第１２図の
構造の更に別の例を示す図であって、ここでは紫外線源
を与えるプラズマがほぼ円筒状の電極間で発生され、（
ウェハ面から離れた追加のプラズマ放電中を通るガス流
によって発生される）活性化種をウェハ面に与える能力
が更に備えられているものを示す図である。第１５図は
、第１４図に示したような実施例において、ウェハ面か
ら離れたプラズマ放電中を通るガス流によって活性化種
を発生する構造の一例を示す図である。第１６図はウェ
ハ面に直近したプラズマからのプラズマ衝撃、遠隔プラ
ズマ放電からの活性化種の付与、及び強い紫外線による
ウェハ面の照射の複合能力を与えるモジュールの一例を
示す図である。第１７図は２つ別々のガス供給分配器を
与え、２つのソース種を用いて化学的な蒸着作業を行う
のに特に有利な処理モジュールの一例を示す図である。 第１８図はウェハ損傷の危険を減じながら迅速熱処理を
実施可能とする処理モジュールの一部を示す図である。 第１９Ａ、１９Ｂ及び１９Ｃ図は第１８図の熱源の動作
がウェハの半径方向に沿った加熱分布を如何に変更する
かを模式的に示す図である。第２０図は第１９Ｂ及び１
９ｃ図の状態でのウェハの直径に沿った加熱分布の見本
プロットを示す図である。 第２１Ａ及び２１Ｂ図は迅速熱処理の実施例において、
ウェハと透明真空壁との間の空隙に浄化ガスを供給する
見本のガス流接続構成を含み、ウェハと透明真空窓との
間の導電熱伝達を減じる２つの構造を示す図である。第
２１Ｃ図は上記導電熱伝達を最小限とする第３の方法を
示す図である。 第２１Ｄ図は迅速熱処理の環境下で広い温度変化にさら
される透明真空壁で使用可能な見本の真空シールを示す
図である。第２２図は加熱源の命中が最小となっていて
、迅速熱処理用加熱源の別の構成を示す図である。第２
３図は高温処理（及び浄化）、プラズマ衝撃、及び遠隔
発生された活性化種のウェハ面に対する付与の複合能力
を与える処理モジュールの詳細を示す図である。第２４
図は高温処理（及び清掃）、プラズマ衝撃、遠隔発生さ
れた活性化種のウェハ面に対する付与、及びその場で発
生される強い紫外線のウェハ面への照射の複合能力を与
える処理モジュールを示す図である。第２５Ａ及び２５
Ｂ図は（特にフォトレジストベーク及び／又はエツジビ
ード除去のための）エツジ優先処理能力を備えた処理モ
ジュールを示す図である。第２６Ａ図は清掃及びスパッ
タ被着を可能とする処理モジュールを示す図である。第
２６Ｂ及び２６Ｃ図はモジュール内でのウェハ移送用シ
ステムを含み、第２６Ａ図のモジュールの詳細を示す図
である。第２７図は複数のウェハが高圧（または任意選
択として低圧）下で同時に処理される真空処理系と適合
可能な処理モジュールを示す図である。第２８図は真空
処理系と適合可能なイオン注入処理モジュールの見本の
実施例を示す図である。第２９Ａから２９０図は半導体
処理モジュールでそれぞれ利点を与える幾つかの見本実
施例における処理ガス配管の内壁の拡大断面図ある。第
３０Ａから３０Ｂ図は分配器の構造と、この構造により
デスカム処理で達成される改善結果とを示す図である。 第３１図はコンピュータ制御システムのブロック図であ
る。第３２図は遠隔及び近接プラズマ両方を含む処理モ
ジュールを示す図である。第３３及び３４図は真空キャ
リヤと周囲との間でウェハを移送するのに適した装填ロ
ック室を示す図である。第３５及び３６図はそれぞれ第
３３及び３４図と同様な図で、真空キャリヤと真空処理
系に至る移送機構との間でウェハを移送するのに適した
装填ロック室を示す図である。 第３７図から第４０図は２つの環状ランプを有する真空
プロセサの詳細図である。 ４８・・・加工品（ウェハ）、 ５４・・・加工品の面、 １３００・・・処理モジュール、 １３０６・・・処理室、 １３１２．１３１４・・・近接プラズマ（電極）、１３
２６・・・遠隔プラズマ（発生器）。 ｈ’１．５Ｂ ｂ′り、８ Ｎ〕 θ へ ５９θ ノ ロθθ ノ 除去された厚さ（オングストローム）
合可能な装填ロックの見本実施例を示す図である。第２
図は各種サイズの粒子について、各種圧力の空気中を落
下するのに必要な時間を示すグラフである。第３図は処
理ステーションにおける見本のウェハを移送するための
構成を示し、ウェハは隣接する真空装填ロック室１２か
ら室間移送ポート３０を介して到達する移送アーム２８
によって３本のピン上に置かれている状態を示す図であ
る。第４図は第１図のと同様な装填ロック内の位置整合
台１８上に嵌合合体されたマルチウェハ式真空ウェハキ
ャリヤ１０の見本実施例を更に拡大して示す図である。 第５Ａ及び５Ｂ図は処理モジュールとウェハ移送台及び
装填ロックを含む見本の処理ステーションの平面図であ
る。第６図は第５Ａ及び５Ｂ図に示した処理ステーショ
ン内の処理モジュールの１つとして使用可能な処理モジ
ュール用の構成を示す図である。第７図は実際のエツチ
ング処理時にそうされる閉じた状態における第６図のプ
ラズマ反応器を示す図である。 第８図は第６図の反応器の平面図である。第９図は第６
図の処理モジュールの改良型を示す図であって、その見
本の実施例はその場で発生される紫外線による処理強化
の能力を含む他、（ウェハ面から離れた追加のプラズマ
放電を通るガス流によって発生される）活性化種をウェ
ハ面に与えることによって得られる能力も備えており、
モジュールは、１つだけのモジュールと１つの装填ロッ
クを含む処理ステーション内に位置して示しであるが、
第５Ａ及び５Ｂ図のと同様な実施例でも使用できるもの
を示す図である。第１０図はここに記す実施例の一部を
実現するのに使用可能な処理ステーションの物理的構成
を示す図である。第１１図は真空処理系で粒子に対する
保護を行う装填ロック制御システム用のフローチャート
を示す図である。第１２図は第９図に示したような実施
例において、その場で発生される紫外線による処理強化
の能力を実現する構造の詳細図である。第１３図は第１
２図の構造の代替例を示す図であって、（第１２図の実
施例では）紫外線源プラズマのガス流を、ウェハ面近く
の処理ガス流から分離するのを助けていた隔離窓が含ま
れていないものを示す図である。第１４図は第１２図の
構造の更に別の例を示す図であって、ここでは紫外線源
を与えるプラズマがほぼ円筒状の電極間で発生され、（
ウェハ面から離れた追加のプラズマ放電中を通るガス流
によって発生される）活性化種をウェハ面に与える能力
が更に備えられているものを示す図である。第１５図は
、第１４図に示したような実施例において、ウェハ面か
ら離れたプラズマ放電中を通るガス流によって活性化種
を発生する構造の一例を示す図である。第１６図はウェ
ハ面に直近したプラズマからのプラズマ衝撃、遠隔プラ
ズマ放電からの活性化種の付与、及び強い紫外線による
ウェハ面の照射の複合能力を与えるモジュールの一例を
示す図である。第１７図は２つ別々のガス供給分配器を
与え、２つのソース種を用いて化学的な蒸着作業を行う
のに特に有利な処理モジュールの一例を示す図である。 第１８図はウェハ損傷の危険を減じながら迅速熱処理を
実施可能とする処理モジュールの一部を示す図である。 第１９Ａ、１９Ｂ及び１９Ｃ図は第１８図の熱源の動作
がウェハの半径方向に沿った加熱分布を如何に変更する
かを模式的に示す図である。第２０図は第１９Ｂ及び１
９ｃ図の状態でのウェハの直径に沿った加熱分布の見本
プロットを示す図である。 第２１Ａ及び２１Ｂ図は迅速熱処理の実施例において、
ウェハと透明真空壁との間の空隙に浄化ガスを供給する
見本のガス流接続構成を含み、ウェハと透明真空窓との
間の導電熱伝達を減じる２つの構造を示す図である。第
２１Ｃ図は上記導電熱伝達を最小限とする第３の方法を
示す図である。 第２１Ｄ図は迅速熱処理の環境下で広い温度変化にさら
される透明真空壁で使用可能な見本の真空シールを示す
図である。第２２図は加熱源の命中が最小となっていて
、迅速熱処理用加熱源の別の構成を示す図である。第２
３図は高温処理（及び浄化）、プラズマ衝撃、及び遠隔
発生された活性化種のウェハ面に対する付与の複合能力
を与える処理モジュールの詳細を示す図である。第２４
図は高温処理（及び清掃）、プラズマ衝撃、遠隔発生さ
れた活性化種のウェハ面に対する付与、及びその場で発
生される強い紫外線のウェハ面への照射の複合能力を与
える処理モジュールを示す図である。第２５Ａ及び２５
Ｂ図は（特にフォトレジストベーク及び／又はエツジビ
ード除去のための）エツジ優先処理能力を備えた処理モ
ジュールを示す図である。第２６Ａ図は清掃及びスパッ
タ被着を可能とする処理モジュールを示す図である。第
２６Ｂ及び２６Ｃ図はモジュール内でのウェハ移送用シ
ステムを含み、第２６Ａ図のモジュールの詳細を示す図
である。第２７図は複数のウェハが高圧（または任意選
択として低圧）下で同時に処理される真空処理系と適合
可能な処理モジュールを示す図である。第２８図は真空
処理系と適合可能なイオン注入処理モジュールの見本の
実施例を示す図である。第２９Ａから２９０図は半導体
処理モジュールでそれぞれ利点を与える幾つかの見本実
施例における処理ガス配管の内壁の拡大断面図ある。第
３０Ａから３０Ｂ図は分配器の構造と、この構造により
デスカム処理で達成される改善結果とを示す図である。 第３１図はコンピュータ制御システムのブロック図であ
る。第３２図は遠隔及び近接プラズマ両方を含む処理モ
ジュールを示す図である。第３３及び３４図は真空キャ
リヤと周囲との間でウェハを移送するのに適した装填ロ
ック室を示す図である。第３５及び３６図はそれぞれ第
３３及び３４図と同様な図で、真空キャリヤと真空処理
系に至る移送機構との間でウェハを移送するのに適した
装填ロック室を示す図である。 第３７図から第４０図は２つの環状ランプを有する真空
プロセサの詳細図である。 ４８・・・加工品（ウェハ）、 ５４・・・加工品の面、 １３００・・・処理モジュール、 １３０６・・・処理室、 １３１２．１３１４・・・近接プラズマ（電極）、１３
２６・・・遠隔プラズマ（発生器）。 ｈ’１．５Ｂ ｂ′り、８ Ｎ〕 θ へ ５９θ ノ ロθθ ノ 除去された厚さ（オングストローム）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 処理室内で加工品を処理する装置において、（ａ）加
工品を支持可能で内部に配設された加工品支持体を有す
る第１室、 （ｂ）前記第１室から離れ、且つ、前記第１室と流体連
通して遊離基を発生する第２室、 （ｃ）前記第１室内にあって、第３室内で、且つ、前記
加工品に隣接してプラズマを形成するように位置された
一対の電源を有する第３室、及び（ｄ）前記第１室内で
、且つ、前記第３室に隣接して、前記加工品を照射する
紫外線を発生する第４室、 を備えた装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US7445687A | 1987-07-16 | 1987-07-16 | |
| US074456 | 1987-07-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220830A true JPH01220830A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=22119660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63175332A Pending JPH01220830A (ja) | 1987-07-16 | 1988-07-15 | 処理装置及び方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0299243B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01220830A (ja) |
| KR (1) | KR970000204B1 (ja) |
| DE (1) | DE3873846T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015125733A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6016383A (en) * | 1990-01-19 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method including an infrared camera to measure substrate temperature |
| US5155336A (en) * | 1990-01-19 | 1992-10-13 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method |
| US6072160A (en) * | 1996-06-03 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing the efficiency of radiant energy sources used in rapid thermal processing of substrates by energy reflection |
| US6479411B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-11-12 | Angela T. Hui | Method for forming high quality multiple thickness oxide using high temperature descum |
| JP5311765B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-10-09 | 住友化学株式会社 | 半導体エピタキシャル結晶基板およびその製造方法 |
| CN116092953B (zh) * | 2023-03-07 | 2023-07-18 | 天津中科晶禾电子科技有限责任公司 | 一种晶圆键合装置、方法及复合衬底组件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61265819A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-25 | 日本真空技術株式会社 | 基板乾処理の方法および装置 |
| JPS62136573A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3916822A (en) * | 1974-04-26 | 1975-11-04 | Bell Telephone Labor Inc | Chemical vapor deposition reactor |
| US4282267A (en) * | 1979-09-20 | 1981-08-04 | Western Electric Co., Inc. | Methods and apparatus for generating plasmas |
| JPS5833829A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Toshiba Corp | 薄膜形成装置 |
| US4517223A (en) * | 1982-09-24 | 1985-05-14 | Sovonics Solar Systems | Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy |
| JPS61231716A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Hitachi Ltd | 成膜装置 |
-
1988
- 1988-06-23 DE DE8888109989T patent/DE3873846T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-23 EP EP88109989A patent/EP0299243B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-14 KR KR1019880008769A patent/KR970000204B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-07-15 JP JP63175332A patent/JPH01220830A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61265819A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-25 | 日本真空技術株式会社 | 基板乾処理の方法および装置 |
| JPS62136573A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015125733A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP6069578B2 (ja) * | 2014-02-24 | 2017-02-01 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3873846T2 (de) | 1993-03-04 |
| EP0299243B1 (en) | 1992-08-19 |
| EP0299243A1 (en) | 1989-01-18 |
| KR890002979A (ko) | 1989-04-12 |
| DE3873846D1 (de) | 1992-09-24 |
| KR970000204B1 (ko) | 1997-01-06 |
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