JPH012088A - Active matrix liquid crystal display device and its manufacturing method - Google Patents

Active matrix liquid crystal display device and its manufacturing method

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JPH012088A
JPH012088A JP62-158093A JP15809387A JPH012088A JP H012088 A JPH012088 A JP H012088A JP 15809387 A JP15809387 A JP 15809387A JP H012088 A JPH012088 A JP H012088A
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JP
Japan
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liquid crystal
substrate
forming
display device
active element
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JP62-158093A
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JPS642088A (en
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恒夫 濱口
良彦 平井
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日本電気株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔座業上の利用分野〕 本発明は厚膜状の単結晶シリコン基板上に形成された電
界効果型トランジスタを有するアクティブ・マトリック
ス液晶表示装置およびその製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Commercial Use] The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device having a field effect transistor formed on a thick film single crystal silicon substrate, and a method for manufacturing the same.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、ツイスト・ネマティック型(TN型)t−中心と
した液晶表示装置(1,CD)の応用が発展し、腕時計
や電卓の分野で大賞にもちいられている。また、情報端
末やワープロ等の用途に、ドツトの組合せによシ文字や
図形等の任′を表示が可能なマトリックス型も使われ始
めている。マトリックス型LCDの構造は、ストライプ
状の電極を有する基板2枚を液晶を介して各基板上の電
極線が互いに垂直に父差するように対向して配置したも
のである。かかるLCDはマトリックス端子とよばれる
X−Y端子によ#)駆動される。
In recent years, the application of twisted nematic type (TN type) t-centered liquid crystal display devices (1, CD) has been developed and has been used in the fields of wristwatches and calculators. In addition, matrix types, which can display arbitrary characters such as letters and figures by combining dots, are beginning to be used in information terminals, word processors, and the like. The structure of a matrix type LCD is such that two substrates having striped electrodes are arranged facing each other with a liquid crystal interposed therebetween so that the electrode lines on each substrate are perpendicular to each other. Such an LCD is driven by XY terminals called matrix terminals.

このマトリックス型LCDの応用分野を広げるためには
、表示’MWの増大が必要である。しかし、従来のLC
Dの電圧妨過率変化特性はその立ち上がシがあまシ急峻
でないので、表示容量を増加させるために、マトリック
ス端子の走査本数を増加させると、選択画素と非i択画
素各々にかかる実効省土比が低下する。このため、艮好
なコントラストが得られる視野角も著しく狭くなるので
、従来のLCDでは、走査本数が60本位が限界であっ
た。
In order to expand the field of application of this matrix type LCD, it is necessary to increase the display MW. However, conventional LC
Since the voltage rejection rate change characteristic of D does not have a very steep rise, if the number of scans of the matrix terminal is increased in order to increase the display capacity, the effective The land saving ratio will decrease. For this reason, the viewing angle at which good contrast can be obtained becomes significantly narrower, so that in conventional LCDs, the maximum number of scanning lines was about 60 lines.

このマトリックス型LCDの表示谷tヶ大幅に増加させ
るために、LCDの各画素に液晶スイッチング用のアク
ティブ素子を配置したアクティブ・マトリックス液晶表
示装置が提案されている。
In order to significantly increase the display width of this matrix type LCD, an active matrix liquid crystal display device in which an active element for liquid crystal switching is arranged in each pixel of the LCD has been proposed.

このアクティブ・マトリックス液晶表示装置においては
、絶縁体上の良質の結晶性をもった単結晶シリコンを形
成することは困難であることと耐光性の点からアクティ
ブ素子としては多結晶シリコンを半導体材料とした1=
’ B T構造の薄膜トランジスタ(TPT)が用いら
れている。かかる多結晶シリコンでは結晶性の点からア
クティブ素子の駆動用ICを作ることは困難であるため
、フラット・デイスプレィ一般にはアクティブ素子と駆
動回路は端子で接続する方法がとられていた。
In this active matrix liquid crystal display device, polycrystalline silicon is used as the semiconductor material for the active element because it is difficult to form single crystal silicon with good crystallinity on an insulator and from the viewpoint of light resistance. Did 1 =
' A thin film transistor (TPT) with a BT structure is used. Since it is difficult to manufacture an IC for driving an active element using polycrystalline silicon due to its crystallinity, a method of connecting an active element and a driving circuit with a terminal has been generally used for flat displays.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、400X60011ki素のデイスプレ
ィでは、縦400本、横640本の端子が出ているため
1040If所の接続と1040個のドライバが必要と
されているように、端子接続技術は限界に来ている。従
って、デイスプレィの高密度。
However, a 400x60011ki element display has 400 vertical and 640 horizontal terminals, requiring 1040 If connections and 1040 drivers, and the terminal connection technology has reached its limit. Hence the high density of the display.

高性能化が計れないだけでなく、かなシのコストがこの
接続工程に必要となる欠点があった。
Not only was it not possible to achieve high performance, but the connection process required additional costs.

本発明の目的は、このような従来の欠点を除去し、高歩
留りでかつ高性能のアクティブ・マトリックス液晶表示
装置およびその製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to eliminate such conventional drawbacks and provide a high-yield, high-performance active matrix liquid crystal display device and a method for manufacturing the same.

〔間許解決するための手段〕[Means for resolving the issue]

本発明のアクティブ・マトリックス液晶表示装置は、デ
ータ信号電極と走査信号電極とで定まる位置にアクティ
ブ素子を設けた素子基板と対向電極を有する対向基板と
が液晶を介して互いに対向して配置されてなるアクティ
ブ・マトリックス液晶表示装置において、前記素子基板
は保持基板に接着1−を介してデバイス層が形成され、
前記デバイス層には前記アクティブ素子のほかに液晶駆
動回路のうち少なくとも走査側駆動回路とデータ側駆動
回路が形成され、前記アクティブ素子は多結晶シリコン
またはアモルファスシリコンで形成され、前記液晶駆動
回路は単結晶シリコンで形成されていることと前記デバ
イスl−の反対面にはデータ信号電極と走査信号電極が
形成されている構成を有している。
In the active matrix liquid crystal display device of the present invention, an element substrate having an active element provided at a position determined by a data signal electrode and a scanning signal electrode and a counter substrate having a counter electrode are arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween. In the active matrix liquid crystal display device, the element substrate has a device layer formed on the holding substrate via an adhesive 1-, and
In addition to the active element, at least a scanning side driving circuit and a data side driving circuit of the liquid crystal driving circuit are formed in the device layer, the active element is formed of polycrystalline silicon or amorphous silicon, and the liquid crystal driving circuit is formed of a single layer. It is made of crystalline silicon and has a structure in which data signal electrodes and scanning signal electrodes are formed on the opposite side of the device l-.

また、本発明のアクティブ・マトリックス液晶表示装置
の製造方法は、データ信号電極と走食信信電極とで定ま
る位置にアクティブ素子を設けた素子基板と対向電極を
有する対向基板とが液晶を介して互いに対向して配置さ
れてなるアクティブ・マトリックス液晶表示装置の製造
方法において、前記素子基板は単結晶シリコン基板の一
主面に絶縁体を形成する工程と、前記絶縁体に下地の単
結晶シリコンに達するまでコンタクト穴を形成する工程
と、前記絶縁体上に多結晶シリコンまたはアモルファス
シリコンを形成しアクティブ素子を形成する工程と、前
記アクティブ素子から前記コンタクト穴に配線を形成す
る工程と、前記絶縁体の形成していない前記単結晶シリ
コン基板の一主面に液晶駆動回路のうち少なくとも走査
側駆動回路とデータ側駆動回路を形成する工程と、前記
アクティブ素子と前記液晶駆動回路を配線する工程と、
前記単結晶シリコン基板の一主面側を接層剤で抹持基板
に接層し前記絶縁体が露出するまで前記単結晶シリコン
基板t−m面から研磨する工程と、前記絶縁体の前記保
持基板と反対側の表面にデータ信号電極と走査信号電極
の信号電極を形成し前記信号電極と前記コンタクト穴を
通して前記アクティブ素子に配線を行なう工寝喀含んで
構成される。
Further, in the method for manufacturing an active matrix liquid crystal display device of the present invention, an element substrate having an active element provided at a position determined by a data signal electrode and a scanning signal electrode and a counter substrate having a counter electrode are connected via a liquid crystal. In the manufacturing method of active matrix liquid crystal display devices arranged opposite to each other, the element substrate includes a step of forming an insulator on one main surface of a single crystal silicon substrate, and a step of forming an insulator on the base single crystal silicon of the insulator. a step of forming a contact hole until it reaches the contact hole; a step of forming polycrystalline silicon or amorphous silicon on the insulator to form an active element; a step of forming a wiring from the active element to the contact hole; a step of forming at least a scanning side drive circuit and a data side drive circuit of the liquid crystal drive circuits on one main surface of the single crystal silicon substrate on which the single crystal silicon substrate is not formed; a step of wiring the active element and the liquid crystal drive circuit;
a step of contacting one main surface side of the single crystal silicon substrate to a removing substrate with a layering agent and polishing from the t-m plane of the single crystal silicon substrate until the insulator is exposed; and the holding of the insulator. The device includes a circuit board for forming signal electrodes such as data signal electrodes and scanning signal electrodes on the surface opposite to the substrate, and for wiring to the active element through the signal electrodes and the contact holes.

〔実施例〕〔Example〕

仄に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
Embodiments of the present invention will be briefly described with reference to the drawings.

第1図は本発明のアクティブ・マトリックス液晶表示装
置の一実施例を説明するための液晶画素部の断面図であ
シ、第2図は第1図に示す素子基板の模式的平面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a liquid crystal pixel section for explaining one embodiment of an active matrix liquid crystal display device of the present invention, and FIG. 2 is a schematic plan view of the element substrate shown in FIG. 1. .

第1図および第2図に示すように、この実施例はデータ
信号電極21と走査信号電極20とで定まる位置に液晶
画素スイ・ツチング用のアクティブ素子5を設けた素子
基板と対向電極14を有する対向基板15とが液晶層1
3を介して互いに対向して配置されてなるアクティブ・
マトリックス液晶表示装置に2いて、前記素子基板はデ
バイスI−が保持基板IK接着されてなシ、デバイス1
mには前記アクティブ素子5と液晶駆動回路のうち走査
II駆動回路22とデータ(iIll駆動回路23が形
成され、前記アクティブ素子5は多結晶シリコンまたは
アモルファスシリコンで形成され、前記奴晶駆動回路は
単結晶シリコンで形成されたアクティブ・マトリックス
液晶表示装置である。
As shown in FIGS. 1 and 2, this embodiment includes an element substrate having an active element 5 for switching liquid crystal pixels at a position determined by a data signal electrode 21 and a scanning signal electrode 20, and a counter electrode 14. The counter substrate 15 having the liquid crystal layer 1
3, which are arranged opposite to each other via
In the matrix liquid crystal display device 2, the element substrate has the device I- bonded to the holding substrate IK, and the device 1
Of the active element 5 and the liquid crystal drive circuit, a scan II drive circuit 22 and a data (iIll drive circuit 23) are formed in m, the active element 5 is formed of polycrystalline silicon or amorphous silicon, and the liquid crystal drive circuit is It is an active matrix liquid crystal display device made of single crystal silicon.

また、本実施例においては、走査側駆動回路22とデー
タ側駆動回路23をMOSトランジスタを用いて形成し
ている。
Furthermore, in this embodiment, the scanning side drive circuit 22 and the data side drive circuit 23 are formed using MOS transistors.

第3−および第4図はそれぞれかかる走査側駆動回路と
データ4A駆動回路の代表的な概念的回路図である。
3 and 4 are representative conceptual circuit diagrams of such a scanning side drive circuit and a data 4A drive circuit, respectively.

第3図に示すように、走査側駆動回路は走:!1−電極
の数だけシフトレジスタ32を有する。これらの各シフ
トレジスタ32に垂直同期信号26が入りその出力信号
をドライバ25に入れ液晶の駆動に適した電圧にに侠し
て走査信号27として出力する。
As shown in FIG. 3, the scanning side drive circuit is configured to scan:! The number of shift registers 32 is equal to the number of 1-electrodes. A vertical synchronizing signal 26 is input to each of these shift registers 32, and its output signal is input to a driver 25 where it is adjusted to a voltage suitable for driving the liquid crystal and output as a scanning signal 27.

一万、第4図に示すように、データ側扇動回路はデータ
信号の畝だけサンプルホールド回路28を有する。これ
らの各サンプルホールド回路28はビデオ信号29を水
平同期信号30によシゲートを閉じてホールドし、この
値をドライバ25に入れデータ信号31として出力する
As shown in FIG. 4, the data-side instigator circuit has sample-and-hold circuits 28 only for the ridges of the data signal. Each of these sample and hold circuits 28 holds the video signal 29 by closing the gate in accordance with the horizontal synchronizing signal 30, and inputs this value into the driver 25 and outputs it as a data signal 31.

以上説明したこれらの回路は前述したように通常のMO
S−ICにみられる如く、MOS)ランジスタで構成さ
れる。従って、これらの回路は液晶画素スイッチング用
のMOSトランジスタの形成プロセスと同じプロセスで
形成することができる。
These circuits explained above are normal MO
As seen in S-IC, it is composed of MOS) transistors. Therefore, these circuits can be formed using the same process as that for forming MOS transistors for switching liquid crystal pixels.

次に、第5図(a)〜(C)は、本発明のかかるアクテ
ィブ・マトリックス液晶表示装置の製造方法の一実施例
を説明するための工程順に配置した素子基板の断面図で
ある。
Next, FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views of element substrates arranged in the order of steps for explaining an embodiment of the method for manufacturing an active matrix liquid crystal display device according to the present invention.

まづ、第5図(a)に示すように、単結晶シリコン基板
4上に熱ば化によシ厚さ1μmの二酸化シリコン層3を
所要の部分に形成し、単結晶が露出している部分には液
晶駆動回路24であるMOS1Cを形成する。しかる後
、二酸化シリコン層3上に多結晶シリコンを堆積し電界
効果トランジスタ(FET)を形成してアクティブ素子
5とする。
First, as shown in FIG. 5(a), a silicon dioxide layer 3 with a thickness of 1 μm is formed on a single-crystal silicon substrate 4 at the required portions to expose the single crystal. A MOS 1C, which is a liquid crystal drive circuit 24, is formed in that portion. Thereafter, polycrystalline silicon is deposited on the silicon dioxide layer 3 to form a field effect transistor (FET) to form the active element 5.

このlI’ E Tのゲート構造は、第1図に示すよう
に、シングルゲート構造またはダブルゲート構造である
。なお、ダブルゲート構造はゲートが2個直夕詐5並ん
だ構造であり、PETが2個並んだ回路に相当する。第
5図(a)はかかる回路を示す。
The gate structure of this lI'ET is a single gate structure or a double gate structure, as shown in FIG. Note that the double gate structure is a structure in which two gates are arranged directly side by side, and corresponds to a circuit in which two PETs are arranged side by side. FIG. 5(a) shows such a circuit.

次に、第5図(b)にボすように、菓子形成面をエポキ
シまたはポリイミドなどの接N層2によシ石英ガラス等
の保持基板1に接看する。次に、デバイス層を除く単結
晶シリコン基板4t−メカニカル・ケミカルボリジング
によシ除去する。この場合のボリシングは化学液に有機
アミンを用いているので、二酸化シリコンIm 3 F
i加工されず、ポリシングカロエを二酸化シリコンfB
3の深さで止めることができる。
Next, as shown in FIG. 5(b), the surface on which the confectionery is to be formed is brought into contact with a holding substrate 1 made of quartz glass or the like through a contact layer 2 made of epoxy or polyimide. Next, the single crystal silicon substrate 4t excluding the device layer is removed by mechanical/chemical boring. In this case, borising uses an organic amine as the chemical solution, so silicon dioxide Im 3 F
i Not processed, polishing color silicon dioxide fB
It can be stopped at a depth of 3.

次に、第夕図(C)に示すように、ボリシング加工面に
データ信号電極および走査信号電憔の信号電$i9をI
TO等で形成する。
Next, as shown in FIG.
Formed with TO or the like.

このようにして形成した基板と第1図に示すITO等の
対向電極14に一全面に形成した対向基板15と勿グラ
スファイバ等のスペーサを介して組み合わせて液晶セル
とする。シールは通常のエポキシ系有機シールを用いる
。このセルに液晶を注入し赦晶層13とし、しかる後封
止することによりアクティブ・マトリックス液晶表示装
置が得られる。
The substrate thus formed is combined with a counter substrate 15 formed over the entire surface of the counter electrode 14 of ITO or the like shown in FIG. 1 via a spacer such as a glass fiber to form a liquid crystal cell. A normal epoxy organic seal is used for the seal. An active matrix liquid crystal display device is obtained by injecting liquid crystal into this cell to form a crystal-tolerant layer 13 and then sealing it.

ここで菓子基板と対向基板に対しラビングによシ配向処
理をおこなう。この場合、ポリイミド等の配向処理膜を
塗布することが多いが不可欠ではゝないので第1図では
り省略した。また、液晶は市販品のTN型漱晶でセル厚
が8μmを用い、偏向板は同様に市販品を用いた。この
TN型液晶とこの偏向板を用いたLCDをスタティク駆
動で駆動した場合、5:1のコントラスト比CBが得ら
れる視野角は±50@である。
Here, the confectionery substrate and the opposing substrate are subjected to alignment treatment by rubbing. In this case, an alignment film of polyimide or the like is often applied, but it is not essential, so it is omitted in FIG. In addition, the liquid crystal used was a commercially available TN type Sone crystal with a cell thickness of 8 μm, and the deflection plate was also a commercially available product. When an LCD using this TN type liquid crystal and this polarizing plate is statically driven, the viewing angle at which a contrast ratio CB of 5:1 can be obtained is ±50@.

このような菓子構成で400X640画素、ピッチ0.
05mmで形成したアクティブ・マトリクス液晶表示装
置は、スタティック駆動時とほぼ同一の表示性能を示す
。更に、模擬信号として2000本走査時相当の信号ま
で印加した場合は、スタティック駆動時とほぼ同じ表示
性能が得られる。向、この表示装置の駆動信号咳は、従
来のM 08 )ランジスタ又は’f’FTを積層した
アクティブ・マトリックス液晶表示装置に用いる信号と
同様の信号を用いることができる。この表示装置に中間
調を含むテレビ画面を出した場合、はぼ忠実に階調を表
現した上に高コントラストであシ、又、画面内でコント
ラスト班を生じることもない。
With this confectionery configuration, 400x640 pixels, pitch 0.
An active matrix liquid crystal display device formed with a thickness of 0.05 mm exhibits almost the same display performance as when statically driven. Furthermore, if a signal equivalent to 2000 lines of scanning is applied as a simulated signal, almost the same display performance as in static driving can be obtained. For the drive signal of this display device, a signal similar to that used in a conventional active matrix liquid crystal display device in which M 08 ) transistors or 'f'FTs are stacked can be used. When a television screen containing halftones is displayed on this display device, the gradations are expressed very faithfully and the contrast is high, and contrast spots do not occur within the screen.

本実施例によるパネルは駆動回路を積層しているため、
端子の数が1040本から10本と著しく減少し、端子
の接続工程が著しく廟略になる。
Since the panel according to this example has drive circuits laminated,
The number of terminals is significantly reduced from 1040 to 10, and the process of connecting the terminals is significantly simplified.

しかも、本パネルは小型であるので、ビデオカメラ寺の
ビューファインダに適するだけでなく、投射型デイスプ
レィに応用することによりlmX1m角の良好な投射画
面を得ることもでき、また中間、A表示も良好である。
Moreover, since this panel is small, it is not only suitable for viewfinders in video cameras, but also can be applied to projection displays to obtain a good projection screen of 1 m x 1 m square, and also has good intermediate and A display. It is.

次に、本発明のアクティブ・マトリックス表示装置の応
用例について述べる。
Next, an application example of the active matrix display device of the present invention will be described.

上記の実施例で述べたものは、直視型のデイスプレィと
しても、仄のような投射型デイスプレィとしても用いら
れる。すなわち、直視型に対し、1 m X 1 m角
程度の超大画面の表示としては、液晶パネルにキセノン
ランプ等からの強い光を照射してそれを投影する投射型
デイスプレィが適する。
The embodiments described above can be used both as direct-view displays and as shadow-like projection displays. That is, in contrast to the direct view type, a projection type display, in which a liquid crystal panel is irradiated with strong light from a xenon lamp or the like and projected, is suitable for displaying a super large screen of about 1 m x 1 m square.

従来のレーザ熱書き込みの液晶パネルを用いた投射型デ
イスプレィの液晶パネルを本発明の液晶パネルと賦き侯
えることにより、レーザ及びその扇動回路関係が必要な
くなるので、小型の投射型デイスプレィが実現できる。
By combining the liquid crystal panel of a projection type display using a conventional laser thermal writing liquid crystal panel with the liquid crystal panel of the present invention, a laser and its instigator circuit are not required, so a small projection type display can be realized. .

なお、投射光学系は従来のものを用いることができる。Note that a conventional projection optical system can be used.

例えば、液晶パネルとして、400X6401!1ll
e、  ピッチ0.05mmの本発明のアクティブ・マ
トリックス表示装置を用いれば、液晶パネルが着しく小
型になるため、者しく小型の投射光学系が実現出来る。
For example, as a liquid crystal panel, 400X6401!1ll
e. If the active matrix display device of the present invention with a pitch of 0.05 mm is used, the liquid crystal panel can be made considerably smaller, so that a reasonably compact projection optical system can be realized.

又、投射系には、通常のオーバー・ヘッド・プロジェク
タ(いわゆる011P)も用いることができる。
Furthermore, a normal overhead projector (so-called 011P) can also be used as the projection system.

以上の実施例および応用例についての説明は全てモノク
ロの画面であったが、通常おこなわれているように、対
向基板上に各−系に対応して九GB各ドツトのカラーフ
ィルタを形成することにより、容易にカラー画面がI1
1伏型、投射型のいづれをも得ることができる。また、
投射型の場合は、本発明によるアクティブ・マトリック
ス表示装置を3枚用い、各々に8083枚のうちの1枚
を組み合わせた上、それらを合成してカラー画面を得る
ことも可能である。
Although the above embodiments and application examples have all been explained using monochrome screens, it is also possible to form color filters of 9 GB dots for each system on the opposing substrate, as is usually done. This makes it easy to change the color screen to I1.
You can get either a prone type or a projection type. Also,
In the case of a projection type, it is also possible to use three active matrix display devices according to the present invention, each of which is combined with one of the 8083 display devices, and then combine them to obtain a color screen.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、従来はアクティブ素子とその駆動
回路が別であるために端子の接続が必要であシワデイス
プレィの胃性油化が得られなかったのに対し、本発明は
周辺駆動回路を各同素のアクティブ素子と同一基板上に
作製することにより、端子数の大幅な削減を実現し、ま
た投射型に応用することによシ、超小型の投射型デイス
プレィを得られる効果がある。史に、コントロール回路
および信号処理1gl路をも同一基板上に作製すること
により、少数の外付は受動部品のみでテレビ装置または
情報端末装置を構成できる効果がある。
As explained above, in the past, since the active element and its drive circuit were separate, it was necessary to connect the terminals, and it was not possible to obtain a stomach-like oily appearance of the wrinkle display. By fabricating this on the same substrate as each allotropic active element, it is possible to significantly reduce the number of terminals, and by applying it to a projection type, it is possible to obtain an ultra-small projection type display. . Historically, by fabricating the control circuit and the signal processing circuit on the same substrate, a television set or information terminal device can be constructed with only a small number of external passive components.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明のアクティブ・マトリックス液晶表示装
置の一実施例を説明するための准晶画素部の断面図、第
2図は第1図に示す素子基板の模式的平面図、第3図お
よび第4図はそれぞれ第2図に示す走査側駆動回路の概
念的回路図およびデータ1ltlI駆動回路の概念的回
路図、第5図(a)〜(C)は本発明のアクティブ・マ
トリックス液晶表示装置の製造方法を説明するための工
程順に配置した素子基板の断面図である。 1・・・・・・透明基板、2・・・・・・接着ノー、3
・・・・・・二酸化シリコン層、4・・・・・・単結晶
シリコン基板、5・・・・・・マクティプ素子、6・・
・・・・二酸化シリコン、7・・・・・・株持基叡、8
・・・・・・コンタクト穴、9・・・・・・信号電像、
10・・・・・・ドレイン領域、11・・・・・・ソー
ス領域、12・・・・・・ゲート電極、13・・・・・
・液晶層、14・・・・・・対向を惟、15・・・・・
・対向基板、16・・・・・・ドレイン電憶、17・・
・・・・ソース電極、18・・・・・・lff1I累電
惟、19・・・・・・データ信号電極、2o・・・・・
・走査信号電憔、21・・・・・・データ信号電極、2
2・・・・・・定食11I11駆動回路、23・・・・
・・データ1klIIIJA動回路、24・・・・・°
液晶駆動回路、25・・・・・・ドライバ、26・・・
・・・垂直同期信号、27・・・・・・走査信号、28
・・・・・・サンプルホールド回路、29・・・・・・
ビデオ信号、30・・・・・・水平同期信号、31・・
・・・・データ信号。 ゛(ソ 帛1 図 第2 冒 第3 図 弗4 回 第S 図
FIG. 1 is a sectional view of a quasi-crystalline pixel section for explaining one embodiment of the active matrix liquid crystal display device of the present invention, FIG. 2 is a schematic plan view of the element substrate shown in FIG. 1, and FIG. and FIG. 4 are conceptual circuit diagrams of the scanning side drive circuit and data 1ltlI drive circuit shown in FIG. 2, respectively, and FIGS. 5(a) to (C) are the active matrix liquid crystal display of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of an element substrate arranged in the order of steps for explaining a method for manufacturing the device. 1...Transparent substrate, 2...No adhesive, 3
...Silicon dioxide layer, 4...Single crystal silicon substrate, 5...Mactip element, 6...
...Silicon dioxide, 7...Stock holding Kiei, 8
...Contact hole, 9...Signal image,
10...Drain region, 11...Source region, 12...Gate electrode, 13...
・Liquid crystal layer, 14... Opposite, 15...
・Counter substrate, 16...Drain electric storage, 17...
...Source electrode, 18...lff1I accumulation electrode, 19...Data signal electrode, 2o...
・Scanning signal electrode, 21... Data signal electrode, 2
2... Set meal 11I11 drive circuit, 23...
・・Data 1klIIIJA moving circuit, 24・・・・・°
Liquid crystal drive circuit, 25...driver, 26...
... Vertical synchronization signal, 27 ... Scanning signal, 28
...Sample and hold circuit, 29...
Video signal, 30...Horizontal synchronization signal, 31...
...Data signal.゛(Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure S

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)データ信号電極と走査信号電極とで定まる位置に
アクティブ素子を設けた素子基板と対向電極を有する対
向基板とが液晶を介して互いに対向して配置されてなる
アクティブ・マトリックス液晶表示装置において、前記
素子基板は保持基板に接着層を介してデバイス層が形成
され、前記デバイス層には前記アクティブ素子のほかに
液晶駆動回路のうち少なくとも走査側駆動回路とデータ
側駆動回路が形成され、前記アクティブ素子は多結晶シ
リコンまたはアモルファスシリコンで形成され、前記液
晶駆動回路は単結晶シリコンで形成されていることと前
記デバイス層の反対面にはデータ信号電極と走査信号電
極が形成されていることを特徴とするアクティブ・マト
リックス液晶表示装置。
(1) In an active matrix liquid crystal display device in which an element substrate having an active element provided at a position determined by a data signal electrode and a scanning signal electrode and a counter substrate having a counter electrode are arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween. , in the element substrate, a device layer is formed on a holding substrate via an adhesive layer; in addition to the active element, at least a scanning side driving circuit and a data side driving circuit of the liquid crystal driving circuit are formed on the device layer; The active element is formed of polycrystalline silicon or amorphous silicon, the liquid crystal drive circuit is formed of single crystal silicon, and data signal electrodes and scanning signal electrodes are formed on the opposite side of the device layer. Features an active matrix liquid crystal display device.
(2)データ信号電極と走査信号電極とで定まる位置に
アクティブ素子を設けた素子基板と対向電極を有する対
向基板とが液晶を介して互いに対向して配置されてなる
アクティブ・マトリックス液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記素子基板は単結晶シリコン基板の一主面に絶
縁体を形成する工程と、前記絶縁体に下地の単結晶シリ
コンに達するまでコンタクト穴を形成する工程と、前記
絶縁体上に多結晶シリコンまたはアモルファスシリコン
を形成しアクティブ素子を形成する工程と、前記アクテ
ィブ素子から前記コンタクト穴に配線を形成する工程と
、前記絶縁体の形成していない前記単結晶シリコン基板
の一主面に液晶駆動回路のうち少なくとも走査側駆動回
路とデータ側駆動回路を形成する工程と、前記アクティ
ブ素子と前記液晶駆動回路を配線する工程と、前記単結
晶シリコン基板の一主面側を接着剤で保持基板に接着し
前記絶縁体が露出するまで前記単結晶シリコン基板を裏
面から研磨する工程と、前記絶縁体の前記保持基板と反
対側の表面にデータ信号電極と走査信号電極の信号電極
を形成し前記信号電極と前記コンタクト穴を通して前記
アクティブ素子に配線を行なう工程とを含むことを特徴
とするアクティブ・マトリックス液晶表示装置の製造方
法。
(2) An active matrix liquid crystal display device in which an element substrate having an active element at a position determined by a data signal electrode and a scanning signal electrode and a counter substrate having a counter electrode are arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween. In the manufacturing method, the element substrate includes a step of forming an insulator on one main surface of a single crystal silicon substrate, a step of forming a contact hole in the insulator until it reaches the underlying single crystal silicon, and a step of forming a contact hole on the insulator. a step of forming an active element by forming polycrystalline silicon or amorphous silicon; a step of forming a wiring from the active element to the contact hole; A process of forming at least a scanning side drive circuit and a data side drive circuit of the liquid crystal drive circuit, a process of wiring the active element and the liquid crystal drive circuit, and holding one main surface side of the single crystal silicon substrate with an adhesive. polishing the single crystal silicon substrate from the back side until the insulator bonded to the substrate is exposed; and forming signal electrodes of data signal electrodes and scanning signal electrodes on the surface of the insulator opposite to the holding substrate. A method of manufacturing an active matrix liquid crystal display device, comprising the step of wiring the active element through the signal electrode and the contact hole.
JP62-158093A 1987-06-24 Active matrix liquid crystal display device and its manufacturing method Pending JPH012088A (en)

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JPS642088A JPS642088A (en) 1989-01-06
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