JPH01201983A - Semiconductor laser device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体レーザ部と、それに対する反射形光回
路部とを有する半導体レーザ装置に関する。The present invention relates to a semiconductor laser device having a semiconductor laser section and a reflective optical circuit section for the semiconductor laser section.
従来、半導体レーザ部と、それに対する反射−１−・−
形光回路部とを有し、その反射形光回路部が、半導体レ
ーザ部と光学的にレンズを介して対向し且つ半導体層を
用いて構成されている回折格子部を有する、という構成
の半導体レーザ装置が提案されている。
このような構成を有する半導体レーザ装置によれば、半
導体レーザ部において、それを駆動することによって内
部発生する光が、反射形光回路部側に出射し、次で、そ
の反射形光回路部側から回折格子部の屈折率、回折格子
のピッチなどによって決まる周波数成分を有する光が、
反射して半導体レーザ部側に得られ、そしてその光が半
導体レーザ部に入射する、ということを繰返す機構で、
レーザ発振が生ずる。なお、このようにして生ずるレー
ザ発振によって得られるレーザ光は、半導体レーザ部の
反射形光回路部側とは反対側から外部に出射して得られ
る。
上述した従来の半導体レーザ装置の場合、半導体レーザ
部と回折格子部との間に十分長い距離をとらせることが
できるので、レーザ光を、分布帰還形半導体レーザや分
布反射形半導体レーザなどに比し、格段的に狭い周波数
帯域幅を有するものとして得ることができる。
従って、上述した従来の半導体レーザ装置は、波長多重
光伝送系における光源に適用して好適である。Conventionally, there has been provided a semiconductor laser section and a reflective optical circuit section corresponding to the semiconductor laser section, and the reflective optical circuit section is optically opposed to the semiconductor laser section via a lens and uses a semiconductor layer. A semiconductor laser device has been proposed that has a diffraction grating section configured as follows. According to the semiconductor laser device having such a configuration, when the semiconductor laser section is driven, light generated internally is emitted to the reflective optical circuit section side, and then emitted to the reflective optical circuit section side. Light with a frequency component determined by the refractive index of the diffraction grating, the pitch of the diffraction grating, etc.
It is a mechanism that repeats the process of being reflected and received by the semiconductor laser section, and then entering the semiconductor laser section.
Laser oscillation occurs. Note that the laser light obtained by the laser oscillation thus generated is obtained by being emitted to the outside from the side of the semiconductor laser section opposite to the reflective optical circuit section. In the case of the conventional semiconductor laser device described above, since it is possible to provide a sufficiently long distance between the semiconductor laser section and the diffraction grating section, the laser beam can be However, it can be obtained as having a significantly narrower frequency bandwidth. Therefore, the conventional semiconductor laser device described above is suitable for application as a light source in a wavelength multiplexed optical transmission system.
しかしながら、上述した従来の半導体レーザ装置の場合
、回折格子部が半導体レーザ部から機械的に離れた位置
に配されているので、大型化する、という欠点を有して
いた。
また、上述した従来の半導体レーザ装置の場合、回折格
子部を構成している半導体層が、屈折率に比較的高い温
度依存性を有するとともに、比較的高い線熱彫版係数を
有するため、レーザ光が、周波数に比較的高い温度依存
性を有して得られる、という欠点を有していた。
よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な半導体
レーザ装置を提案せんとするものである。However, in the case of the above-mentioned conventional semiconductor laser device, the diffraction grating section is arranged at a position mechanically separated from the semiconductor laser section, so it has the disadvantage of being large in size. In addition, in the case of the conventional semiconductor laser device described above, the semiconductor layer constituting the diffraction grating has a relatively high temperature dependence in its refractive index and a relatively high linear thermal engraving coefficient. They had the disadvantage that the light was obtained with a relatively high temperature dependence on frequency. Therefore, the present invention aims to propose a novel semiconductor laser device that does not have the above-mentioned drawbacks.
本発明による半導体レーザ装置は、上述した従来の半導
体レーザ装置の場合と同様に、半導体レーザ部と、それ
に対する反射形光回路部とを有する。
しかしながら、本発明による半導体し〜ザ装置は、この
ような構成を有する半導体レーザ装置において、その反
射形光回路部が、半導体レーザ部と連接しているリッジ
形導波路部と、そのリッジ形導波路部と半導体レーザ部
側とは反対側において一体に連結しているリッジ形回折
格子部とを有し、そして、それらリッジ形導波路部及び
リッジ形回折格子部がガラス層を用いて構成されている
。The semiconductor laser device according to the present invention includes a semiconductor laser section and a reflective optical circuit section therefor, as in the case of the conventional semiconductor laser device described above. However, in the semiconductor laser device according to the present invention, in the semiconductor laser device having such a configuration, the reflection type optical circuit section includes a ridge-shaped waveguide section connected to the semiconductor laser section and the ridge-shaped waveguide section. The waveguide section and the ridge-shaped diffraction grating section are integrally connected on the side opposite to the semiconductor laser section, and the ridge-shaped waveguide section and the ridge-shaped diffraction grating section are constructed using a glass layer. ing.
本発明による半導体レーザ装置によれば、上述した従来
の半導体レーザ装置の場合と同様に、半導体レーザ部と
、それに対する反射形光回路部とを有するので、上述し
た従来の半導体レーザ装置の場合と同様に、半導体レー
ザ部におい＝ ３ −
て、それを駆動することによって内部発生する光が、反
射形光回路部側に出射し、次で、その反射形光回路部側
から、そのリッジ型回折格子部の屈折率、回折格子のピ
ッチなどによって決まる周波数成分を有する光が反射し
て半導体レーザ部側に得られ、そして、その光が半導体
レーザ部に入射する、ということを繰返す機構で、レー
ザ発振が生ずる。なお、このようにして生ずるレーザ発
振によ〕で得られるレーザ光は、半導体レーザ部の反射
形光回路部側とは反対側から、または回折格子部の半導
体レーザ部側とは反対側から外部に出射して得られる。
また、本発明による半導体レーザ装置の場合、反射形光
回路部のリッジ形導波路部の長さによって、半導体レー
ザ部と反射形光回路部のリッジ形回折格子部との間に十
分長い距離をとらせることができるので、前述した従来
の半導体レーザ装置の場合と同様に、レーザ光を、分布
反射形半導体レーザや分布帰還形半導体レーザの場合に
比し、狭い周波数帯域幅を有するものとして得ることが
できる。
従って、本発明による半導体レーザ装置は、前述した従
来の半導体レーザ装置の場合と同様に、波長多重光伝送
系における光源に適用して好適である。
しかしながら、本発明による半導体レーザ装置によれば
、反射形光回路部が、そのリッジ形導波路部によって、
半導体レーザ部と機械的に連接しているので、前述した
従来の半導体レーザ装置の場合に比し、格段的に小型化
することができる。
また、本発明による半導体レーザ装置によれば、反射形
光回路部のリッジ形導波路部及びリッジ形回折格子部が
、ガラス層を用いて構成されているので、屈折率に半導
体層に比し格段的に低い温度依存性しか有しないととも
に、半導体層に比し格段的に低い線熱彫版係数しか有し
ないため、レーザ光が、周波数に前述した従来の半導体
レーザ装置の場合に比し格段的に低い温度依存性しか有
しないで得られる。According to the semiconductor laser device according to the present invention, as in the case of the conventional semiconductor laser device described above, it has a semiconductor laser section and a reflective optical circuit section for it, so that it is different from the case of the conventional semiconductor laser device described above. Similarly, in the semiconductor laser section, the light generated internally by driving it is emitted to the reflective optical circuit section, and then from the reflective optical circuit section, the light is reflected by its ridge-shaped diffraction. This is a mechanism that repeats the process in which light with a frequency component determined by the refractive index of the grating, the pitch of the diffraction grating, etc. is reflected to the semiconductor laser, and then enters the semiconductor laser. Oscillation occurs. The laser light obtained by the laser oscillation generated in this manner is transmitted externally from the side of the semiconductor laser section opposite to the reflection type optical circuit section, or from the side of the diffraction grating section opposite to the semiconductor laser section side. It can be obtained by emitting radiation. Furthermore, in the case of the semiconductor laser device according to the present invention, depending on the length of the ridge-shaped waveguide section of the reflective optical circuit section, a sufficiently long distance can be established between the semiconductor laser section and the ridge-shaped diffraction grating section of the reflective optical circuit section. As in the case of the conventional semiconductor laser device described above, the laser beam can be obtained as having a narrower frequency bandwidth compared to the case of a distributed reflection type semiconductor laser or a distributed feedback type semiconductor laser. be able to. Therefore, the semiconductor laser device according to the present invention is suitable for application as a light source in a wavelength multiplexed optical transmission system, as in the case of the conventional semiconductor laser device described above. However, according to the semiconductor laser device according to the present invention, the reflective optical circuit section has a ridge-shaped waveguide section.
Since it is mechanically connected to the semiconductor laser section, it can be much smaller than the conventional semiconductor laser device described above. Further, according to the semiconductor laser device according to the present invention, since the ridge-shaped waveguide section and the ridge-shaped diffraction grating section of the reflective optical circuit section are constructed using a glass layer, the refractive index is lower than that of the semiconductor layer. Since it has a significantly lower temperature dependence and a much lower linear thermal engraving coefficient than the semiconductor layer, the laser beam has a significantly lower frequency than the conventional semiconductor laser device mentioned above. can be obtained with a relatively low temperature dependence.
【実施例１１
次に第１図〜第４図を伴って本発明による半導体レーザ
装置の第１の実施例を述べよう。
第１図に示す本発明による半導体レーザ装置は、前述し
た従来の半導体レーザ装置の場合と同様に、半導体レー
ザ部１と、それに対する反射形光回路部２とを有する。
この場合、半導体レーザ部１としては、原理的に、半導
体基板１１上に、クラッド層としての半導体層１２、活
性層としての半導体層１３及び他のクラッド層としての
半導体層１４とがそれらの順に積層されている構成を有
する積層体１０を有し、そして、その積層体１０のクラ
ッド層としての半導体層１４上に電極１５が付され、ま
た半導体基板１のクラッド層としての半導体層１４側と
は反対側に他の電極（図示せず）が付されている、とい
うそれ自体は公知の半導体レーザ部を用い得る。ただし
、この場合、積層体１０の一方の側端面上は、従来公知
の半導体レーザ装置の場合と同様に反射膜１６が付され
ているが、他の側端面上には、従来公知の半導体レーザ
装置の場合における反射膜に代え無反射膜１７が付され
ている。
また、反射形光回路部２は、シリコン、石英などでなる
基板３１上に、例えば、Ｓ ＋ ０２でなるクツラド層
としてのガラス層３２と、１ａ２０５・Ｎｂ２Ｏ３・Ｓ
ｉ３Ｎ４・Ｔ ＋ ０２・ＺｎＯでなるコア層としての
リッジ形ガラス層３３と、例えば、Ｓｉｏ２でなるクラ
ッド層としてのガラス層３４とがそれらの順に積層され
ている積層体３０を有し、そして、その積層体３０の一
方の側端面上に無反射膜３６が付され、また、積層体３
０のガラス層３３及び３４との間の界面に、無反射膜３
６側とは反対側の領域において、機械的な凹凸面でなる
回折格子３５が形成され、そして、その積層体３ｏの回
折格子３５が形成されていない領域を、半導体レーザ部
１とその無反射膜１７側において、反射膜３６を介して
連接しているリッジ形導波路部２１とし、回折格子３５
が形成されない領域をリッジ形導波路部２１と半導体レ
ーザ部１側とは反対側において一体に連結しているリッ
ジ形回折格子部２２としている構成を有する。
以上が、本発明による半導体レーザ装置の第１の実施例
の構成である。
このような構成を有する本発明による半導体レーザ装置
によれば、前述した従来の半導体レーザ装置の場合と同
様に、半導体レーザ部１と、それに対する反射形光回路
部２とを有するので、上述した従来の半導体レーザ装置
の場合と同様に、半導体レーザ部１において、それを駆
動することによって内部発生する光が、反射形光回路部
２側に出射し、次で、その反射形光回路部２側から、そ
のリッジ形回折格子部２２の反射率、回折格子３５のピ
ッチなどによって決まる周波数成分を有する光が反射し
て得られ、そして、その光が半導体レーザ部１に入射す
る、ということを繰返す動作を行うことによって、レー
ザ発振が生ずる。なお、このようにして生ずるレーザ発
振によって得られるレーザ光は、半一 ８ −
導体レーザ部１の反射形光回路部２側とは反対側から、
または反射形光回路部２の半導体レーザ部１側とは反対
側から外部に出射して得られる。
また、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レーザ
装置の場合、反射形光回路部２のリッジ形導波路部２１
の長さによって、半導体レーザ部１と反射形光回路部２
のリッジ形回折格子部２２との間に十分長い距離をとら
せることができるので、前述した従来の半導体レーザ装
置の場合と同様に、レーザ光を、分布反射形半導体レー
ザや分布帰還形半導体レーザの場合に比し、狭い周波数
帯域幅を有するものとして得ることができる。
従って、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レー
ザ装置は、前述した従来の半導体レーザ装置の場合と同
様に、波長多重光伝送系における光源に適用して好適で
ある。
しかしながら、第１図〜第４図に示す本発明による半導
体レーザ装置によれば、反射形先回路部２が、そのリッ
ジ形導波路部２１によって、半導体レーザ部１と機械的
に連接しているので、前述した従来の半導体レーザ装置
の場合に比し、格段的に小型化することができる。
また、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レーザ
装置によれば、反射形光回路部２のリッジ形導波路部２
１及びリッジ形回折格子部２２が、ガラス層３２〜３４
を用いて構成されているので、屈折率に半導体層に比し
格段的に低い温度依存性しか有しないとともに、半導体
層に比し格段的に低い線熱彫版係数しか有しないため、
レーザ光が、周波数に前述した従来の半導体レーザ装置
の場合に比し格段的に低い温度依存性しか有しないで得
られる。
さらに、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レー
ザ装置の場合、半導体レーザ部１と反射形光回路部２と
が、半導体レーザ部１の無反射膜１７と反射形光回路部
２の無反射膜３６とを介して連接し、また、反射形光回
路部２を構成しているガラス層３２〜３４の屈折率を、
そのガラス層３２〜３４の構成材料を適当に選択するこ
とによって、半導体レーザ部１０半導体層１２〜１４の
屈折率に近い値にすることができ、さらに、反射形光回
路部２を構成しているガラス層３２〜３４が、光に対し
て半導体層に比し低い損失しか与えないので、レーザ光
を、前述した従来の半導体レーザ装置の場合に比し、狭
い周波数帯域幅を有するものとして得ることができる。
ちなみに、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レ
ーザ装置の場合、反射形光回路部２のリッジ形導波路部
２１とリッジ形回折格子部２２どの間の反射率Ｒ２をリ
ッジ形回折格子部２１の長さや回折格子の深さなどを適
当に選ぶことによって、０．９で得ることができ、また
、半導体レーザ部１と反射形光回路部２との間の反射率
Ｒ１を０．１．０．０５で得ることができ、そして、こ
のような場合、レーザ光を、反射形光回路部２のリッジ
形導波路部２１の長さＬ と半導体レーザ部１の長さＬ
１との比Ｌ２ ／Ｌ１に対して、第５図に示すよう−１
１＝
な周波数帯域幅を有するものとして得ることができた。
このため、上述した比Ｌ２ ／Ｌ１を４以上に選ぶこと
によって、レーザ光を、２０ＫＨｚ以下の周波数帯域幅
を有するものとして得ることができた。また、反射形光
回路部２から半導体レーザ部１に入射する光の波長レス
ポンス特性を、第６図に示すように得ることができた。
【実施例２】
次に、第２図を伴って本発明による半導体レーザ装置の
第２の実施例を述べよう。
第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。
第７図に示す本発明による半導体レーザ装置は、次の事
項を除いて、第１図で上述した本発明による半導体レー
ザ装置と同様の構成を有する。
すなわち、半導体レーザ部１において、積層体１０を構
成している基板１１が、半導体層１２〜１４を積層して
いる領域１１Ａ以外の比較的広い面積の領域１１Ｂを有
し、また、積層体１０の側端面に付された無反射膜１７
が省略され、さらに、反射形光回路部２が、基板１１の
領域１１Ａ上に、その領域１１Ｂを反射形光回路部２の
基板３１とし、且つ無反射膜３６が省略されて、領域１
１Ｂとガラス層３２〜３４との間の熱彫版係数の差を緩
和するための例えばアモルファスシリコンでなるバッフ
ァ層４１を介して形成されている。
以上が、本発明による半導体レーザ装置の第２の実施例
の構成である。
このような構成を有する本発明による半導体レーザ装置
によれば、上述した事項を除いて、第１図で上述した本
発明による半導体し〜ザ装置と同様の構成を有するので
、詳細説明は省略するが、第１図〜第４図で上述した本
発明による半導体レーザ装置と同様の作用効果が得られ
る。
なお、上述においては、本発明による半導体レーザ装置
の２つの実施例を示したに過ぎず、本発明の精神を脱す
ることなしに、種々の変型、変更をなし得るであろう。Embodiment 11 Next, a first embodiment of a semiconductor laser device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. The semiconductor laser device according to the present invention shown in FIG. 1 has a semiconductor laser section 1 and a reflective optical circuit section 2 therefor, as in the case of the conventional semiconductor laser device described above. In this case, in principle, the semiconductor laser section 1 includes a semiconductor layer 12 as a cladding layer, a semiconductor layer 13 as an active layer, and a semiconductor layer 14 as another cladding layer on a semiconductor substrate 11 in that order. It has a stacked body 10 having a stacked structure, and an electrode 15 is attached on the semiconductor layer 14 as a cladding layer of the stacked body 10, and the side of the semiconductor layer 14 as the cladding layer of the semiconductor substrate 1 is attached. A semiconductor laser section that is known per se, in which another electrode (not shown) is attached on the opposite side, can be used. However, in this case, a reflective film 16 is attached on one side end face of the stacked body 10 as in the case of a conventionally known semiconductor laser device, but a reflective film 16 is attached on the other side end face. A non-reflective film 17 is provided in place of the reflective film in the case of the device. Further, the reflective optical circuit section 2 includes a glass layer 32 as a cuturad layer made of, for example, S + 02, and a glass layer 32 made of S + 02 and 1a205/Nb2O3/S on a substrate 31 made of silicon, quartz, or the like.
It has a laminate 30 in which a ridge-shaped glass layer 33 as a core layer made of i3N4·T + 02·ZnO and a glass layer 34 as a cladding layer made of, for example, Sio2 are laminated in that order, and, A non-reflective film 36 is applied on one side end surface of the laminate 30, and
A non-reflective film 3 is provided at the interface between the glass layers 33 and 34 of
In the region opposite to the side 6, a diffraction grating 35 made of a mechanically uneven surface is formed, and the region of the stacked body 3o where the diffraction grating 35 is not formed is connected to the semiconductor laser section 1 and its non-reflective surface. On the film 17 side, a ridge-shaped waveguide section 21 is connected via a reflective film 36, and a diffraction grating 35 is formed.
The ridge-shaped diffraction grating section 22 is configured such that the region where the ridge-shaped waveguide section 21 is not formed is integrally connected to the ridge-shaped waveguide section 21 on the side opposite to the semiconductor laser section 1 side. The above is the configuration of the first embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention. According to the semiconductor laser device according to the present invention having such a configuration, as in the case of the conventional semiconductor laser device described above, it has the semiconductor laser section 1 and the reflective optical circuit section 2 therefor. As in the case of a conventional semiconductor laser device, when the semiconductor laser section 1 is driven, light generated internally is emitted to the reflective optical circuit section 2 side. From the side, light having a frequency component determined by the reflectance of the ridge-shaped diffraction grating section 22, the pitch of the diffraction grating 35, etc. is obtained by reflection, and that light is incident on the semiconductor laser section 1. Laser oscillation occurs by performing repeated operations. Note that the laser light obtained by the laser oscillation generated in this way is transmitted from the side opposite to the reflective optical circuit section 2 side of the conductor laser section 1.
Alternatively, it can be obtained by emitting the light to the outside from the opposite side of the reflective optical circuit section 2 from the semiconductor laser section 1 side. Furthermore, in the case of the semiconductor laser device according to the present invention shown in FIGS. 1 to 4, the ridge-shaped waveguide section 21 of the reflective optical circuit section 2
Depending on the length of the semiconductor laser section 1 and the reflective optical circuit section 2,
Since a sufficiently long distance can be provided between the ridge-shaped diffraction grating section 22 and the ridge-shaped diffraction grating section 22, the laser beam can be transmitted to It can be obtained as having a narrower frequency bandwidth than in the case of . Therefore, the semiconductor laser device according to the present invention shown in FIGS. 1 to 4 is suitable for application as a light source in a wavelength multiplexed optical transmission system, as in the case of the conventional semiconductor laser device described above. However, according to the semiconductor laser device according to the present invention shown in FIGS. 1 to 4, the reflective front circuit section 2 is mechanically connected to the semiconductor laser section 1 through the ridge-shaped waveguide section 21. Therefore, the size can be significantly reduced compared to the conventional semiconductor laser device described above. Further, according to the semiconductor laser device according to the present invention shown in FIGS. 1 to 4, the ridge-shaped waveguide section 2 of the reflective optical circuit section 2
1 and the ridge-shaped diffraction grating section 22 are connected to the glass layers 32 to 34.
Since it is constructed using
Laser light can be obtained with a significantly lower frequency dependence on temperature than in the case of the conventional semiconductor laser device described above. Further, in the case of the semiconductor laser device according to the present invention shown in FIGS. 1 to 4, the semiconductor laser section 1 and the reflective optical circuit section 2 are different from each other. The refractive index of the glass layers 32 to 34 which are connected to the non-reflective film 36 and which constitute the reflective optical circuit section 2 is as follows.
By appropriately selecting the constituent materials of the glass layers 32 to 34, the refractive index of the semiconductor laser section 10 can be made close to that of the semiconductor layers 12 to 14. Since the glass layers 32 to 34 that are present in the glass layer give a lower loss to light than the semiconductor layer, the laser light can be obtained as having a narrower frequency bandwidth than in the case of the conventional semiconductor laser device described above. be able to. Incidentally, in the case of the semiconductor laser device according to the present invention shown in FIGS. 1 to 4, the reflectance R2 between the ridge-shaped waveguide section 21 and the ridge-shaped diffraction grating section 22 of the reflective optical circuit section 2 is determined by the ridge-shaped diffraction. By appropriately selecting the length of the grating section 21 and the depth of the diffraction grating, a value of 0.9 can be obtained, and the reflectance R1 between the semiconductor laser section 1 and the reflective optical circuit section 2 can be set to 0. .1.0.05, and in such a case, the laser beam is divided by the length L of the ridge-shaped waveguide section 21 of the reflective optical circuit section 2 and the length L of the semiconductor laser section 1.
For the ratio L2 /L1 of 1, -1 as shown in Figure 5.
It was possible to obtain it as having a frequency bandwidth of 1=. Therefore, by selecting the above-mentioned ratio L2/L1 to be 4 or more, it was possible to obtain laser light having a frequency bandwidth of 20 KHz or less. Furthermore, the wavelength response characteristics of the light incident on the semiconductor laser section 1 from the reflective optical circuit section 2 could be obtained as shown in FIG. Embodiment 2 Next, a second embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 2, parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. The semiconductor laser device according to the present invention shown in FIG. 7 has the same configuration as the semiconductor laser device according to the present invention described above in FIG. 1, except for the following matters. That is, in the semiconductor laser section 1, the substrate 11 constituting the laminate 10 has a relatively large area 11B other than the region 11A where the semiconductor layers 12 to 14 are laminated, and the laminate 10 has a relatively large area 11B. anti-reflection film 17 attached to the side end surface of
is omitted, and furthermore, the reflective optical circuit section 2 is placed on the region 11A of the substrate 11, with the region 11B serving as the substrate 31 of the reflective optical circuit section 2, and the non-reflective film 36 is omitted, so that the region 1
A buffer layer 41 made of, for example, amorphous silicon is interposed therebetween to alleviate the difference in thermal engraving coefficient between 1B and the glass layers 32 to 34. The above is the configuration of the second embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention. The semiconductor laser device according to the present invention having such a configuration has the same configuration as the semiconductor laser device according to the present invention described in FIG. However, the same effects as the semiconductor laser device according to the present invention described above with reference to FIGS. 1 to 4 can be obtained. Note that the above description merely shows two embodiments of the semiconductor laser device according to the present invention, and various modifications and changes may be made without departing from the spirit of the present invention.
第１図は、本発明による半導体レーザ装置の原理的な第
１の実施例を示す路線的平面図であ一■線及び■−ＩＶ
線上の路線的断面図である。
第５図は、本発明による半導体レーザ装置の説明に供す
る、反射形光回路部のリッジ形導波路部の長さに対する
レーザ光の周波数帯域幅との関係を示す図である。
第６図は、本発明による半導体レーザ装置の説明に供す
る、反射形光回路部から半導体レーザ部に入射する光の
波長レスポンス特性を示す図である。
第７図は、本発明による半導体レーザ装置の第２の実施
例を示す路線的断面図である。
１０・・・・・・・・・積層体
１１・・・・・・・・・基板
１２・・・・・・・・・クラッド層
１３・・・・・・・・・活性層
１４・・・・・・・・・クラッド層
１５・・・・・・・・・電極
１６・・・・・・・・・反射膜
２１・・・・・・・・・リッジ形導波路部２２・・・・
・・・・・リッジ形回折格子部３１・・・・・・・・・
基板
３２・・・・・・・・・クラッド層としてのガラス層３
３・・・・・・・・・コア層としてのガラス層３４・・
・・・・・・・クラッド層としてのガラス層３５・・・
・・・・・・回折格子
３６・・・・・・・・・無反射膜
出願人 日本電信電話株式会社
第３図
第４Ｗ
第６図
し
±。
支
−−３，５Ａ
帯壇悔FIG. 1 is a schematic plan view showing the principle of the first embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention.
It is a cross-sectional view along the line. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the length of the ridge-shaped waveguide section of the reflective optical circuit section and the frequency bandwidth of the laser beam, for explaining the semiconductor laser device according to the present invention. FIG. 6 is a diagram showing the wavelength response characteristic of light incident on the semiconductor laser section from the reflective optical circuit section, for explaining the semiconductor laser device according to the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention. 10... Laminate 11... Substrate 12... Clad layer 13... Active layer 14... ...... Clad layer 15 ...... Electrode 16 ...... Reflective film 21 ...... Ridge-shaped waveguide section 22 ...・・・
...Ridge-shaped diffraction grating section 31...
Substrate 32...Glass layer 3 as cladding layer
3...Glass layer 34 as a core layer...
...Glass layer 35 as a cladding layer...
・・・・・・Diffraction grating 36・・・・・・・・・Non-reflective film Applicant: Nippon Telegraph and Telephone Corporation Figure 3, Figure 4W Figure 6, ±. Support - 3, 5A Odaidan regret
Claims (1)
する半導体レーザ装置において、上記反射形光回路部が
、上記半導体レーザ部と連接しているリッジ形導波路部
と、該リッジ形導波路部と上記半導体レーザ部側とは反
対側において一体に連結しているリッジ形回折格子部と
を有し、 上記リッジ形導波路部及びリッジ形回折格子部がガラス
層を用いて構成されていることを特徴とする半導体レー
ザ装置。[Scope of Claim] A semiconductor laser device having a semiconductor laser section and a reflective optical circuit section for the semiconductor laser section, wherein the reflective optical circuit section includes a ridge-shaped waveguide section that is connected to the semiconductor laser section; The ridge-shaped waveguide section and the ridge-shaped diffraction grating section are integrally connected on the side opposite to the semiconductor laser section, and the ridge-shaped waveguide section and the ridge-shaped diffraction grating section are made of a glass layer. What is claimed is: 1. A semiconductor laser device comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2620888A JPH01201983A (en) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2620888A JPH01201983A (en) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | Semiconductor laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201983A true JPH01201983A (en) | 1989-08-14 |
Family
ID=12187032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2620888A Pending JPH01201983A (en) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201983A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015115457A (en) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 日本碍子株式会社 | External resonator light-emitting device |
| US9331454B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-05-03 | Ngk Insulators, Ltd. | External resonator type light emitting system |
| JP5936771B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-06-22 | 日本碍子株式会社 | External resonator type light emitting device |
| WO2016152730A1 (en) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 日本碍子株式会社 | External resonator type light-emitting device |
| US9627853B2 (en) | 2013-06-07 | 2017-04-18 | Ngk Insulators, Ltd. | External resonator-type light emitting device |
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-
1988
- 1988-02-05 JP JP2620888A patent/JPH01201983A/en active Pending
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| US10063034B2 (en) | 2013-11-27 | 2018-08-28 | Ngk Insulators, Ltd. | External resonator-type light emitting device |
| JP2015115457A (en) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 日本碍子株式会社 | External resonator light-emitting device |
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