JPH01201484A - Chemical nickel plating liquid and method of using said liquid - Google Patents

Chemical nickel plating liquid and method of using said liquid

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JPH01201484A
JPH01201484A JP15231088A JP15231088A JPH01201484A JP H01201484 A JPH01201484 A JP H01201484A JP 15231088 A JP15231088 A JP 15231088A JP 15231088 A JP15231088 A JP 15231088A JP H01201484 A JPH01201484 A JP H01201484A
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JP
Japan
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plating solution
plating
nickel plating
chemical nickel
acid
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Application number
JP15231088A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshio Nakagawa
宣雄 中川
Hitoshi Oka
岡 齊
Masako Fujisawa
雅子 藤澤
Takeo Fukagawa
深川 武雄
Yoshio Gohara
郷原 吉雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication of JPH01201484A publication Critical patent/JPH01201484A/en
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/32Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C23C18/36Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites

Abstract

PURPOSE:To obtain a stable chemical plating liquid which can form a specific excellent plating film by dissolving hypophosphorous acid or the salt thereof as a reducing agent into an aq. nickel salt soln. and further combining and selecting complexing agents and adding the same thereto to prevent precipitation. CONSTITUTION:The hypophosphorous acid or the salt thereof is dissolved at 0.10-0.45mol./l as the reducing agent into the aq. nickel salt soln. contg. 0.09-0.20mol./l Ni and the complexing agents are so combined and selected as to prevent generation of the precipitation of nickel hypophosphite and nickel hydroxide equilibriously in the entire regions of the pH at the time of plating and the pH of an alkaline replenishing liquid, then said complexing agents are added to the soln. The complexing agents consist of 0.18-0.75mol./l malic acid, 0.14-0.50mol./l glycine, 0.09-0.30mol./l gluconic acid or ammonium and the pH of the aq. soln. is preferably adjusted to 4.0-7.0. The anionic surfactant of 1-200mg/l is preferably added further to this aq. soln. to obtain the stable chemical plating liquid. A nonmagnetic substrate consisting of an Al alloy, etc. is immersed in this plating liquid, by which the plating film having excellent heat resistant nonmagnetic characteristics is obtd. at a high plating speed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は化学ニッケルめっき方法とそれに用いる化学ニ
ッケルめっき液に係り、特に、めっき液の安定性とめっ
き速度及び得られるめっき膜の特性に優れ、例えば磁気
ディスクとりわけスパッタ磁気ディスクの基板処理とし
て好適な化学ニッケルめっき方法及びそれに用いる化学
ニッケルめっき液に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a chemical nickel plating method and a chemical nickel plating solution used therein. The present invention relates to a chemical nickel plating method suitable for substrate processing of, for example, magnetic disks, particularly sputtered magnetic disks, and a chemical nickel plating solution used therein.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

化学ニッケルめっきに関する技術の歴史は古く、種々知
られているが、例えば特公昭52−43768において
は、非磁性ニッケルーリンめっき膜の得られる液組成が
、特開昭58−207364においては、液の安定化を
ねらった液組成が、そして、金属表面技術〔金表誌34
.330(1983) ) ニおイテは、化学めっき被
膜中のリンの濃度と磁気特性について熱的変化を系統的
に検討し、安定な非磁性層下地を得るための条件として
、クエン酸3ナトリウムを錯化剤とする液にカチオン性
界面活性剤、つまり陽イオン界面活性剤を用いた例につ
いて報告されている。
The history of chemical nickel plating technology is long, and various techniques are known. The liquid composition aimed at stabilization, and the metal surface technology [Kin Hyoji 34]
.. 330 (1983)) Nioite systematically investigated thermal changes in the concentration of phosphorus and magnetic properties in chemically plated films, and found that trisodium citrate was used as a condition for obtaining a stable nonmagnetic layer base. Examples have been reported in which a cationic surfactant, that is, a cationic surfactant, is used in the complexing agent liquid.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記従来技術のめっき液では、めっき液の安定性と得ら
れるめっき膜の特性(主として磁気特性)に不十分な点
が多い。例えば、次亜リン酸塩を還元剤として用いる化
学ニッケルめっきプロセスにより、リンを含有するニッ
ケルめっき膜を形成することができるが、このニッケル
めっき膜は磁気特性として非磁性を示すため、磁気ディ
スク基板の下地膜として注目されている。この種のリン
含有ニッケルめっき膜は、アルミニウム合金等のディス
ク基板上にスパッタリングで形成する記録用磁性金属薄
膜の下地膜として用いられてきている。
The plating solutions of the prior art described above have many disadvantages in terms of stability of the plating solution and properties (mainly magnetic properties) of the resulting plating film. For example, a chemical nickel plating process that uses hypophosphite as a reducing agent can form a nickel plating film containing phosphorus, but since this nickel plating film exhibits non-magnetic magnetic properties, It is attracting attention as a base film. This type of phosphorus-containing nickel plating film has been used as a base film for a recording magnetic metal thin film formed by sputtering on a disk substrate such as an aluminum alloy.

しかしながら、めっき液の組成により液が不安定で、使
用に伴いめっき槽内にニッケルが析出してしまい、頻繁
に液を交換しなければならないとか、得られるめっき膜
が本来非磁性であるべきものが、磁性を有してしまい下
地膜としての機能を十分に果し得ないといった課題があ
った。
However, due to the composition of the plating solution, the solution is unstable, nickel precipitates in the plating tank during use, and the solution must be replaced frequently, and the resulting plating film should be non-magnetic. However, there was a problem in that it had magnetism and could not function satisfactorily as an underlayer.

本発明の目的は、これら従来の問題点を解決することに
あり、その第1の目的は、耐熱非磁性特性の優れたリン
含有ニッケルめっき膜を得ることができる化学ニッケル
めっき用めっき液を提供することにあり、第2の目的は
該第1の目的を達成するのに好適な安定した化学ニッケ
ルめっき方法を提供することにある。
The purpose of the present invention is to solve these conventional problems, and the first purpose is to provide a plating solution for chemical nickel plating that can obtain a phosphorus-containing nickel plating film with excellent heat-resistant and non-magnetic properties. The second objective is to provide a stable chemical nickel plating method suitable for achieving the first objective.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

次に、上記第1の目的は下記の構成から成るめっき液に
より達成される。つまり本発明の第1の発明は、ニッケ
ル塩水溶液に、還元剤として次亜リン酸またはその塩を
溶解すると共に錯化剤としてヒドロキシ酸、グリシン及
びグルコン酸かアンモニウムのどちらか一方を溶解して
なるめっき液を特徴とする。
Next, the first object is achieved by a plating solution having the following composition. In other words, the first aspect of the present invention is to dissolve hypophosphorous acid or its salt as a reducing agent in a nickel salt aqueous solution, and to dissolve either hydroxy acid, glycine, and gluconic acid or ammonium as a complexing agent. The plating solution is characterized by:

さらに本発明の特徴点を列挙すれば下記のとおりである
Further, the features of the present invention are listed below.

(1)前記ヒドロキシ酸がリンゴ酸、クエン酸、グリコ
ール酸、酒石酸から選ばれた一種である事。
(1) The hydroxy acid is one selected from malic acid, citric acid, glycolic acid, and tartaric acid.

(2)前記化学ニッケルめっき液としてニッケル塩水溶
液に、次亜リン酸またはその塩を還元剤として添加する
と共に、錯化剤としてリンゴ酸、グリシン及びグルコン
酸を溶解してなる事。
(2) The chemical nickel plating solution is prepared by adding hypophosphorous acid or its salt as a reducing agent to a nickel salt aqueous solution, and dissolving malic acid, glycine, and gluconic acid as complexing agents.

(3)前記化学ニッケルめっき液を構成するニッケルの
濃度が0.09〜0.20mo n / Q、次亜リン
酸濃度が0.10〜0.45vao Q / Q、リン
ゴ酸濃度が0.18〜0.75mo Q / Q、グリ
シン濃度が0.14〜0.50mo Q / Q、グル
コン酸濃度が0.09〜0.30rao Q /Qであ
ること。
(3) The concentration of nickel constituting the chemical nickel plating solution is 0.09 to 0.20 mon/Q, the concentration of hypophosphorous acid is 0.10 to 0.45 vao Q/Q, and the concentration of malic acid is 0.18. -0.75mo Q/Q, glycine concentration is 0.14-0.50mo Q/Q, and gluconic acid concentration is 0.09-0.30rao Q/Q.

(4)前記化学ニッケルめっき液として、ニッケル塩水
溶液に、次亜リン酸またはその塩を還元剤として添加し
、錯化剤としてリンゴ酸、グリシン、及びアンモニウム
を溶解してなる事。
(4) The chemical nickel plating solution is prepared by adding hypophosphorous acid or its salt as a reducing agent to a nickel salt aqueous solution, and dissolving malic acid, glycine, and ammonium as complexing agents.

(5)前記化学ニッケルめっき液を構成するニッケル濃
度が0.09〜0.20層o n / Q、次亜リン酸
濃度が0.10〜0.45mo n / Q、リンゴ酸
濃度が0.18〜0.15mo n / 12、グリシ
ン濃度が0.14〜0.50moQ/Q、及びアンモニ
ウム濃度が0.09〜0.30mo Q/Qであること
(5) The chemical nickel plating solution has a nickel concentration of 0.09 to 0.20 mon/Q, a hypophosphorous acid concentration of 0.10 to 0.45 mon/Q, and a malic acid concentration of 0. 18 to 0.15 mon/12, glycine concentration of 0.14 to 0.50 mo Q/Q, and ammonium concentration of 0.09 to 0.30 mo Q/Q.

(6)前記化学ニッケルめっき液に陰イオン界面活性剤
を添加して成ること。
(6) An anionic surfactant is added to the chemical nickel plating solution.

(7)前記陰イオン界面活性剤が、ポリオキシエチレン
アルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキル
フェニルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキル
エーテルリン酸塩、アルキルリン酸エステル及びアルキ
ル硫酸エステルより成る群から選ばれた少なくとも一種
か、もしくはフルオロアルキルカルボン酸、フルオロア
ルキル硫酸、フルオロアルキルリン酸及びそれらの塩類
より成る群から選ばれた少なくとも一種であること。
(7) The anionic surfactant is selected from the group consisting of polyoxyethylene alkyl ether sulfate, polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfate, polyoxyethylene alkyl ether phosphate, alkyl phosphate, and alkyl sulfate. or at least one selected from the group consisting of fluoroalkyl carboxylic acid, fluoroalkyl sulfuric acid, fluoroalkyl phosphoric acid, and salts thereof.

(8)前記陰イオン界面活性剤の濃度が好ましくは1M
72〜200mg/lであること。
(8) The concentration of the anionic surfactant is preferably 1M
Must be between 72 and 200 mg/l.

(9)より好ましくは前記陰イオン界面活性剤の濃度が
5 mg / A〜100mg/lであること。
(9) More preferably, the concentration of the anionic surfactant is 5 mg/A to 100 mg/l.

(lO)前記化学ニッケルめっき液のpHが好ましくは
4.0〜7.0であること。
(lO) The pH of the chemical nickel plating solution is preferably 4.0 to 7.0.

上記第2の目的は下記の構成から成るめっき方法により
達成される。つまり本発明の第2の発明は、所望の被め
っき基板を準備する工程;前記被めっき基板表面を活性
化処理する工程;前記活性化処理された被めっき基板を
ニッケル塩水溶液に次亜リン酸またはその塩を還元剤と
して添加すると共にニッケルイオンの錯化剤としてヒド
ロキシ酸、グリシン及びグルコン酸かアンモニウムのど
ちらか一方を溶解して成る化学ニッケルめっき液に浸漬
することにより前記被めっき基板上に化学ニッケルめっ
きを行なう工程;及び前記基板を前記化学ニッケルめっ
き液から引上げ洗浄、乾燥する工程から成ることを特徴
とする。
The second objective is achieved by a plating method having the following configuration. In other words, the second aspect of the present invention is a step of preparing a desired substrate to be plated; a step of activating the surface of the substrate to be plated; and adding hypophosphorous acid to the activated substrate to be plated in a nickel salt aqueous solution. or by immersing it in a chemical nickel plating solution prepared by adding a salt thereof as a reducing agent and dissolving either hydroxy acid, glycine, and either gluconic acid or ammonium as a nickel ion complexing agent. The method is characterized by comprising a step of performing chemical nickel plating; and a step of lifting the substrate from the chemical nickel plating solution, cleaning it, and drying it.

さらに、本発明の特徴点を列挙すれば下記のとおりであ
る。
Furthermore, the features of the present invention are listed below.

(1)前記ヒドロキシ酸がリンゴ酸、クエン酸、グリコ
ール酸、酒石酸から選ばれた一種である事。
(1) The hydroxy acid is one selected from malic acid, citric acid, glycolic acid, and tartaric acid.

(2)前記被めっき基板が非磁性基板から成ること。(2) The substrate to be plated is made of a non-magnetic substrate.

(3)前記活性化処理として、前記被めっき基板にニッ
ケルよりもイオン化傾向の大な金属被膜を形成しておく
こと。
(3) As the activation treatment, a metal film having a higher ionization tendency than nickel is formed on the substrate to be plated.

(4)前記ニッケルめっき液に陰イオン界面活性剤を添
加すること。
(4) Adding an anionic surfactant to the nickel plating solution.

(5)前記非磁性基板がアルミニウム合金、マグネシウ
ム合金、セラミックス、ガラスまたはプラスチックスの
いずれか一者から成ること。
(5) The nonmagnetic substrate is made of one of aluminum alloy, magnesium alloy, ceramics, glass, and plastics.

(6)前記ニッケルよりもイオン化傾向の大な金属被膜
として亜鉛被膜を形成すること。
(6) Forming a zinc coating as a metal coating that has a greater ionization tendency than the nickel.

本発明においては、上記のとおり、被めっき基板は必ず
しも非磁性基板に限られるものではないが、磁気ディス
クに適用した場合特にその効果が大きいので、以下、磁
気ディスク下地膜用として用いる場合の諸特性につき詳
述する。
In the present invention, as mentioned above, the substrate to be plated is not necessarily limited to non-magnetic substrates, but the effect is particularly great when applied to magnetic disks. The characteristics will be explained in detail.

リン含有ニッケルめっき膜(以下N1−P化学めっき膜
と称する)が、本質的に磁気ディスク用基板の下地膜と
して優れておりながら、前述のような理由で実用化上の
問題があることから、ここで、もう少しスパッタ磁気デ
ィスク(スパッタリングの手法でディスク基板に記録用
磁性金属薄膜を形成したものの意)用基板の下地膜に必
要な特性について以下に詳述する。
Although phosphorus-containing nickel plating film (hereinafter referred to as N1-P chemical plating film) is essentially excellent as a base film for magnetic disk substrates, it has problems in practical application for the reasons mentioned above. Here, the characteristics necessary for the base film of a substrate for a sputtered magnetic disk (meaning a thin magnetic metal film for recording formed on a disk substrate by a sputtering method) will be described in more detail below.

(1)高温耐熱非磁性 記録媒体や保護膜をスパッタ法などのプロセスにて形成
する際に必要な高温熱処理でも、下地膜として非磁性を
保つことである。実用的には250℃にて3時間程度の
加熱でも磁束密度が5G以下の非磁性を保つ必要がある
(1) The base film must maintain nonmagnetic properties even during high temperature heat treatment required when forming high temperature heat resistant nonmagnetic recording media and protective films by processes such as sputtering. Practically speaking, it is necessary to maintain non-magnetism with a magnetic flux density of 5 G or less even after heating at 250° C. for about 3 hours.

非晶質のN1−P 化学めっき膜は、高温熱処理により
、結晶化し、強磁性体に変化する本質的な特性を持つ。
The amorphous N1-P chemically plated film has the essential property of crystallizing and changing into a ferromagnetic material by high-temperature heat treatment.

N1−Pめっき膜の耐熱非磁性は、膜中のリン含有率、
FeやGoなどの不純物元素濃度と共にアモルファス構
造自体とも強く関連している。膜組成に関しては高リン
含有率を実現するめっき液組成にすることと、鉄などの
不純物元素含有率の少ない薬品を用いることはもちろん
必要である。
The heat-resistant nonmagnetic property of the N1-P plating film depends on the phosphorus content in the film,
It is strongly related to the amorphous structure itself as well as the concentration of impurity elements such as Fe and Go. Regarding the film composition, it is of course necessary to use a plating solution composition that achieves a high phosphorus content and to use chemicals with a low content of impurity elements such as iron.

膜構造に関して、非晶質材料の構造解析に有力な周知の
EXAFS解析を行なって検討した。その結果、膜組成
であるリンの含有率が同一のものでも、作り方により異
なる膜構造の膜が形成される場合があり、耐熱非磁性特
性の違いを生じることが判った。
Regarding the film structure, EXAFS analysis, which is well-known and effective for structural analysis of amorphous materials, was performed and investigated. As a result, it was found that even if the film composition has the same phosphorus content, films with different film structures may be formed depending on how they are made, resulting in differences in heat-resistant nonmagnetic properties.

このため、スパッタ磁気ディスク用の耐熱非磁性ニッケ
ルめっき液の液組成の決定、選択には、得られるめっき
膜の構造をも考慮する必要がある。
Therefore, when determining and selecting the liquid composition of a heat-resistant non-magnetic nickel plating solution for sputtered magnetic disks, it is necessary to consider the structure of the resulting plating film.

EXAFS構造解析により得た実験結果を示すと第1図
のとおりである。同図はEXAFSの解析(詳細略)よ
り求められる、膜中のN1−Pの配位数とNi−Niの
配位数の比(縦軸)に着目している。この比が高いとい
うことは膜中のNiがPと配位結合している確率が高い
ことを意味し、化学的には、それだけ耐熱非磁性の特性
に優れていることを意味している。
Figure 1 shows the experimental results obtained by EXAFS structural analysis. The figure focuses on the ratio (vertical axis) of the coordination number of N1-P to the coordination number of Ni-Ni in the film, which is determined by EXAFS analysis (details omitted). A high ratio means that there is a high probability that Ni in the film is coordinately bonded to P, and chemically, it means that the film has excellent heat-resistant nonmagnetic properties.

同図の横軸はP原子数/Ni原子数の比であり、組成の
一尺度である。本発明のめっき液(実線表示)により作
成しためっき膜の配位数比は、従来公知のめっき液(破
線表示)のその比より高い傾向を持ち、同一組成の膜で
も本質的な構造の違いにより、より耐熱非磁性に優れる
ことが判る。
The horizontal axis in the figure is the ratio of the number of P atoms/the number of Ni atoms, which is a measure of the composition. The coordination number ratio of the plating film created using the plating solution of the present invention (shown by the solid line) tends to be higher than that ratio of the conventionally known plating solution (shown by the broken line), and even films with the same composition have essential structural differences. It can be seen that the material has better heat resistance and non-magnetic properties.

なお、本発明によるめっき液を用いた場合に、同図で示
す配位数比がなぜ向上するかの理由は、現在のところ明
らかではないが、推考するに、めっき膜の成長過程にお
ける、反応表面におけるニッケルと錯化剤との吸着状態
が、これら膜構造と密接に関与していると思われる。
The reason why the coordination number ratio shown in the figure improves when the plating solution of the present invention is used is not clear at present, but it is speculated that the reaction during the growth process of the plating film It seems that the adsorption state of nickel and complexing agent on the surface is closely related to the structure of these films.

リン含有率に関して述べると、約11wt%以下にする
と加熱後磁化を生じ易くなって好ましくなく、ハ を生じるため、リン組成はおよそ11.0〜134%の
範囲にすることが磁気ディスク用N1−P めつき膜に
は必要である。
Regarding the phosphorus content, if it is less than about 11 wt %, magnetization tends to occur after heating, which is undesirable, resulting in the formation of a phosphorus content. P Necessary for plating film.

(2)無欠陥性 基板めっき膜中の欠陥は磁気ディスク信号エラーの原因
となるため、従来のめっき膜にない厳しい無欠陥性が必
要である。具体的には現状の薄膜磁気ディスクのビット
セル(最小信号単位)は1.0μmX15μl程度であ
るため、めっき膜中に直径2〜3μm以上程度の欠陥が
あると信号エラーとなる。
(2) Defect-free substrate Since defects in the plating film cause magnetic disk signal errors, strict defect-free properties that are not found in conventional plating films are required. Specifically, since the bit cell (minimum signal unit) of the current thin-film magnetic disk is about 1.0 μm×15 μl, a defect with a diameter of about 2 to 3 μm or more in the plating film will cause a signal error.

従って直径5インチのディスクを例にとると両面で25
0−の面積中に上記サイズの欠陥が、原則としては1つ
もあってはならない。
Therefore, if we take a disk with a diameter of 5 inches as an example, it will be 25 mm on both sides.
In principle, there should not be a single defect of the above size in the area of 0-.

無欠陥めっき膜の実現のためには、AQ素材の選定、作
業環境のクリーン化とめっき液の高精度濾過を行なうこ
とはもちろんであるが、めっき液自体の安定性を向上さ
せて、液自身からの異物、分解生成物の発生を絶無にす
ることが特に重要であり、この点でもめっき液の安定性
が必要となる。
In order to achieve a defect-free plating film, it is necessary to select AQ materials, keep the working environment clean, and perform high-precision filtration of the plating solution, but also to improve the stability of the plating solution itself. It is particularly important to eliminate the generation of foreign matter and decomposition products from the plating solution, and the stability of the plating solution is also required in this respect.

この点、後述するように本発明のめっき液は非常に優れ
ている。
In this respect, the plating solution of the present invention is excellent as will be described later.

(3)内部応力 磁気ディスク表面のヘッド浮上性を実現するためには高
度な平坦、平滑度が要求される。−例を示せば平滑性と
して表面アラサは0.001μm Ra程度であり、平
坦度(円板のソリ)は直径210mmに対してソリは1
0μm以下という厳しいものである。
(3) Internal Stress A high level of flatness and smoothness is required to achieve head flying properties on the magnetic disk surface. - To give an example, the surface roughness is about 0.001 μm Ra, and the flatness (disc warpage) is 1 for a diameter of 210 mm.
It is strict, being less than 0 μm.

基板表面のN1−P めっき膜が高い内部応力(めっき
膜残留応力とも言う)を持ち、かつ、基板両面での加工
後のめっき厚着を生じると、これを原因として基板のソ
リが発生し、平坦度が劣化しヘッドの浮上性が劣化し、
磁気ディスク基板として用いられない。
If the N1-P plating film on the substrate surface has high internal stress (also called plating film residual stress) and thick plating occurs on both sides of the board after processing, this will cause the board to warp and become flat. The flying ability of the head deteriorates due to
Not used as a magnetic disk substrate.

めっき膜を加熱処理すると、この内部応力が発生する。When a plating film is heat-treated, this internal stress is generated.

先のEXAFSの構造解析によれば、非晶質が結晶化し
て行く際に構造変化を生じ、これが内部応力発生の原因
になっていることが判った。
According to the above EXAFS structural analysis, it was found that a structural change occurs when an amorphous substance crystallizes, and this is the cause of internal stress generation.

実用的には250℃3時間加熱後における内部応力が2
0kg/m”以下であることが必要である。 この内部
応力を低くするにはめっき液組成中の添加剤の選択が特
に重要点となる。この点、本発明においては後述するよ
うに、陰イオン界面活性剤が有効に作用することが判っ
た。
Practically speaking, the internal stress after heating at 250°C for 3 hours is 2.
0 kg/m" or less. In order to reduce this internal stress, the selection of additives in the plating solution composition is particularly important. On this point, in the present invention, as will be described later, It was found that ionic surfactants act effectively.

その地膜特性としては硬度、耐食性、めっき後の表面ア
ラサ、AI2基板との密着力、めっき厚分布の均一なこ
と等が挙げられる。
Its film properties include hardness, corrosion resistance, surface roughness after plating, adhesion to the AI2 substrate, and uniformity of plating thickness distribution.

一方磁気ディスク用のN1−P めっき液特性としては
、(1)めっき液寿命(安定性のことで、実用的には4
.0タ一ン程度は必要である。 ここで、1ターンとは
建浴時のニッケルが補給によって。
On the other hand, the characteristics of N1-P plating solution for magnetic disks include: (1) Plating solution life (stability, practically 4
.. Approximately 0 tan is required. Here, one turn means that the nickel at the time of bath preparation is replenished.

全部所しいニッケルに入れ替るまでめっき液を使用した
状態を言う) 、(2)めっき速度(実用的には7μm
/hr以上) 、(3)液管理の容易性などが特に重要
であり、前述のめっき膜特性とこれらめっき液特性を同
時に達成するN1−P めっき液が必要である。本発明
者らの調査によれば、結論的に上記の特性を達成し得る
めっき液は従来になく、本発明により初めて実現可能と
なったものである。
(2) Plating speed (Practically speaking, 7 μm)
/hr) and (3) ease of solution management are particularly important, and an N1-P plating solution that simultaneously achieves the above-mentioned plating film properties and these plating solution properties is required. According to the research conducted by the present inventors, there is no conventional plating solution that can achieve the above-mentioned characteristics, and this has been made possible for the first time by the present invention.

参考のため従来周知の例を第1表に示したが、試料Nα
1の例では、耐熱非磁性の特性はほぼ良いが、内部応力
の値が、必要とする値20kg/+m”以下に対して4
5kg/m” と約2倍以上と大きいこと。
Conventionally well-known examples are shown in Table 1 for reference, but sample Nα
In example 1, the heat-resistant non-magnetic properties are almost good, but the internal stress value is 4.5 kg/+m" or less than the required value of 20 kg/+m".
5kg/m”, which is about twice as large.

およびめっき液の寿命が2.5ターンと短く、それと関
連していると考えられるが1表面欠陥も多いという問題
点を持つ。めっき速度も実用水準の7μIIl/hrに
対して低い。   ′Nα2の例においては、めっき速
度はXo、0μm/hrと十分実用的な値を示すが、内
部応力、耐熱非磁性の特性が問題であり、欠陥の発生頻
度も高い。
Another problem is that the life of the plating solution is as short as 2.5 turns, and, probably related to this, there are many surface defects. The plating rate is also low compared to the practical level of 7 μIIl/hr. In the example of 'Nα2, the plating rate is Xo, 0 μm/hr, which is a sufficiently practical value, but there are problems with internal stress and heat-resistant non-magnetic properties, and the frequency of defects is high.

その結果、スパッタ磁気ディスク用の下地N1−P膜と
しては不適当である。
As a result, it is unsuitable as a base N1-P film for sputtered magnetic disks.

表中Nα3の例では、めっき速度と耐熱非磁性は問題な
いが、内部応力が大きいことで基板のソリを生じ易い危
険性を持ち、かつめっき液の安定性、欠陥も不十分であ
る。よってこのめっき液も量産レベルでのディスク基板
用N1−P めっきには適用できない。
In the example of Nα3 in the table, there are no problems in plating speed and heat-resistant nonmagnetic properties, but there is a risk that the substrate is likely to warp due to large internal stress, and the stability of the plating solution and defects are also insufficient. Therefore, this plating solution cannot be applied to N1-P plating for disk substrates at a mass production level.

すなわち、従来周知のめっき液の中には、スパッタディ
スク基板用としての厳しい特性を全て達成し得るめっき
液は無かったのである。上述のとおり、これを実現可能
としたのが本発明である。
In other words, among the conventionally well-known plating solutions, there was no plating solution that could achieve all the severe characteristics required for sputter disk substrates. As mentioned above, the present invention makes this possible.

つまり1本発明においては、めっき液の安定性(寿命)
を確保しつつ、得られる膜の高耐熱非磁性、低欠陥、低
内部応力等の膜特性を満足するものである。
In other words, in the present invention, the stability (life) of the plating solution
The obtained film satisfies film properties such as high heat resistance, non-magnetism, low defects, and low internal stress while ensuring the following.

〔作用〕[Effect]

化学ニッケルめっきの反応機構はいくつか提案されてい
るが、その一つによれば、主成分であるニッケルイオン
と還元剤の次亜リン酸(H2p ox−)が触媒表面上
において1発生期の原子状水素(He)の介在の基に、
自己触媒的に化学反応を起こして進行すると考えられて
いる。現在提案されている素反応の一例を示すと以下の
ごとくになる。
Several reaction mechanisms have been proposed for chemical nickel plating, and according to one of them, nickel ions, the main component, and hypophosphorous acid (H2pox-), the reducing agent, react during a nascent stage on the catalyst surface. Based on the intervening group of atomic hydrogen (He),
It is thought that the process proceeds through an autocatalytic chemical reaction. An example of an elementary reaction currently proposed is as follows.

すなわち、式(3)によりニッケルイオンは還元されて
ニッケル金属膜となる、一方次亜リン酸根は式(2)、
 (5)に示すように酸化されて亜リン酸となり、一部
は式(4)に示すようにリン(P)を析出してめっき膜
中に含有される。
That is, nickel ions are reduced to form a nickel metal film according to formula (3), while hypophosphite radicals are reduced according to formula (2),
As shown in (5), it is oxidized to become phosphorous acid, and a part of it precipitates phosphorus (P) as shown in formula (4) and is contained in the plating film.

したがって、化学ニッケルめっき液の構成成分としては
、主原料であるニッケル塩、還元剤である次亜リン酸、
めっき液を安定化し良好な膜質を実現するための錯化剤
、それと膜特性改善のための添加剤とから成る。
Therefore, the constituent components of chemical nickel plating solution are nickel salt, which is the main raw material, hypophosphorous acid, which is the reducing agent,
It consists of a complexing agent to stabilize the plating solution and achieve good film quality, and additives to improve film properties.

以下、めっき液中の各成分の作用を説明して行く。まず
、最も重要な成分である錯化剤に関して以下に述べる。
The effects of each component in the plating solution will be explained below. First, the most important component, the complexing agent, will be described below.

(1)錯化剤について: 化学ニッケルめっき液中の錯化剤は、めっき液の安定性
、めっき膜質を支配する最重要因子である。本発明者ら
は、高性能めっき液を開発するため錯化剤の作用機構を
解析し、最適な錯化剤とその濃度とを決定し、その結果
前述のごとく、ヒドロキシ酸、グリシン及びグルコン酸
かアンモニウムのどちらか一方の三成分の組合せが有効
であることを見出した。したがって、これら錯化剤を発
明するに至った背景及び錯化剤の作用から述べる。
(1) Regarding the complexing agent: The complexing agent in the chemical nickel plating solution is the most important factor governing the stability of the plating solution and the quality of the plating film. In order to develop a high-performance plating solution, the present inventors analyzed the action mechanism of complexing agents, determined the optimal complexing agent and its concentration, and found that hydroxy acids, glycine, and gluconic acid It has been found that a three-component combination of either ammonium or ammonium is effective. Therefore, the background that led to the invention of these complexing agents and the effects of the complexing agents will be described.

先に提示した反応式(2)、 (5)を見ると、めっき
反応の進行につれ、めっき液中には亜リン酸(Hx P
 03−)が蓄積する。この亜リン酸は液中のニッケル
イオンと反応して難溶性の亜リン酸ニッケル塩を生成し
沈澱する。この亜リン酸ニッケルの微細粒子は、めっき
反応の核となるため、このままではめっき液は使用につ
れて急激に液中でNi粉末が生成し自己分解する。万一
、分解しなくとも非常にザラツキ欠陥の多いめっき膜と
なる。
Looking at the reaction equations (2) and (5) presented earlier, as the plating reaction progresses, phosphorous acid (HxP) is added to the plating solution.
03-) accumulates. This phosphorous acid reacts with nickel ions in the liquid to produce hardly soluble nickel phosphite salt, which precipitates. These fine particles of nickel phosphite serve as the core of the plating reaction, so if the plating solution is used as it is, Ni powder will rapidly form in the solution and self-decompose. Even if it does not decompose, the plating film will be extremely rough and have many defects.

そのため、錯化剤をめっき液中に添加し、詳しくは後述
するその作用により、この種の分解を防ぐ。
Therefore, a complexing agent is added to the plating solution to prevent this type of decomposition through its action, which will be described in detail later.

一方、式(3)のニッケル析出主反応により、液中には
水素イオン(Hゝ)が大量に生成され、めっき液のpH
は急激に低下し、酸性側に移行する。めっき液のpHを
一定に維持するためには、アルカリ添加(通常、苛性ソ
ーダN a OHを添加する)による中和が必須である
。このアルカリ添加も又、めっき液の分解を引き起こす
、すなわち、ニッケル塩単独の水溶液pHを上昇させて
行くと、約p)16付近から水酸化ニッケル(Ni(O
H)−1の沈澱を生じる。つまり、めっき液の中和のた
め、苛性ソーダを補給すると、その液に接したニッケル
イオンは、即水酸化ニッケル(Ni(OH)よ〕の沈澱
を生じる。これは液中での、めっき反応の核となり、め
っき液の分解を生じたり、あるいはザラツキ欠陥の多い
めっき膜となる。そのため、めっき液中に錯化剤を添加
して、その作用により、この種のめっき液の分解を防ぐ
。上述のとおり、錯化剤を加える第一の目的は亜リン酸
ニッケルや水酸化ニッケルの沈澱、析出を防ぎ、めっき
液を安定化し、めっき膜の欠陥を低減することである。
On the other hand, due to the main reaction of nickel precipitation in formula (3), a large amount of hydrogen ions (H) are generated in the solution, and the pH of the plating solution is
decreases rapidly and shifts to the acidic side. In order to maintain the pH of the plating solution constant, neutralization by adding alkali (usually adding caustic soda NaOH) is essential. This addition of alkali also causes the decomposition of the plating solution. In other words, when the pH of the aqueous solution of nickel salt alone is increased, from around p16 to nickel hydroxide (Ni(O
H)-1 is precipitated. In other words, when caustic soda is replenished to neutralize the plating solution, nickel ions that come into contact with the solution immediately precipitate nickel hydroxide (Ni(OH)).This is due to the plating reaction in the solution. They become nuclei and cause decomposition of the plating solution, or result in a plating film with many rough defects.Therefore, a complexing agent is added to the plating solution, and its action prevents this type of decomposition of the plating solution.As mentioned above. As shown above, the primary purpose of adding a complexing agent is to prevent precipitation and precipitation of nickel phosphite and nickel hydroxide, stabilize the plating solution, and reduce defects in the plating film.

これは錯化剤がニッケルイオンと錯化結合し、めっき液
中のニッケルフリーイオン濃度を低く抑える性質を持つ
ことによる。第2図は各種錯化剤についてのニッケルの
フリーイオン(錯化剤と結合していないニッケルイオン
)濃度とpHとの関係について。
This is because the complexing agent has the property of forming a complex bond with nickel ions and suppressing the concentration of nickel-free ions in the plating solution. Figure 2 shows the relationship between the concentration of nickel free ions (nickel ions not bound to the complexing agent) and pH for various complexing agents.

従来の文献値と本発明者らの実験値により求めた結果に
ついて示したものである。同図で斜め右上の斜線で示し
たA領域は、水酸化ニッケルの生成域であり、上部左側
の斜線で示したB領域は、亜リン酸ニッケルの生成領域
である。つまり、同図の斜め下左方(C領域)は沈澱を
生じない領域である。現実の化学ニッケルめっき液では
、通常ニッケル塩として0.1mo Q / R程度を
含有させることが必要であり、pHは4.0〜7.0付
近である。このpH領域で亜リン酸ニッケルの沈澱、析
出を防ぐためには、同図から判るようにニッケルのフリ
ーイオン濃度を約10−3+wo Q / Q以下にす
る必要がある。
The results are shown based on conventional literature values and experimental values obtained by the present inventors. The diagonally shaded area A in the upper right corner of the figure is the region where nickel hydroxide is produced, and the shaded region B in the upper left corner is the region where nickel phosphite is produced. In other words, the diagonally lower left side (region C) in the figure is an area where no precipitation occurs. In an actual chemical nickel plating solution, it is usually necessary to contain about 0.1 mo Q/R as a nickel salt, and the pH is around 4.0 to 7.0. In order to prevent precipitation and precipitation of nickel phosphite in this pH range, the free ion concentration of nickel needs to be about 10-3+wo Q/Q or less, as seen from the figure.

この点でみると、錯化剤はニッケル塩と等モル添加する
ことにより、同図から読取れるように、フリーニッケル
イオン(N i+ + )を数桁低減できる。
From this point of view, by adding the complexing agent in equimolar amounts to the nickel salt, as can be seen from the figure, free nickel ions (N i+ + ) can be reduced by several orders of magnitude.

このように実使用めっき液のpH4〜7の領域でフリー
ニッケルイオン(N i+ * )を効果的に減少させ
In this way, free nickel ions (N i+ *) are effectively reduced in the pH range of 4 to 7 in the plating solution used in actual use.

亜リン酸ニッケルの沈澱を防ぐ効果を有するが、フリー
ニッケルイオン低減の効果の大小は、クエン酸〉リンゴ
酸〉マロン酸〉コハク酸の順と判る。
It has the effect of preventing the precipitation of nickel phosphite, but the order of magnitude of the effect of reducing free nickel ions is citric acid, malic acid, malonic acid, and succinic acid.

次にpH7以上の場合の考え方について述べる。Next, we will discuss the concept when the pH is 7 or higher.

アルカリ補給時の一時的に高いpH(例えば14)を考
えた時、めっき液の安定性は当然、めっき液の使用時の
pH4〜7から14迄の全域を考慮に入れて設計せねば
ならないのは明らかであるが、従来周知のめっき液はこ
の点が不十分であった。水酸化ニッケルの沈澱領域(A
領域)からできるだけ遠ざかるためには、同図の左下方
向(C領域)の特性を有する錯化剤が有効である。同図
から、p)17〜13の領域でフリーニッケルイオン低
減効果の大小で比較すると、グリシン〉グルタミン酸〉
クエン酸〉の順である。さらにpH>13の高アルカリ
でも効果的な錯化剤として、同図に示したようにグルコ
ン酸とアンモニウムが有効であることを見出し、実験的
にも確認した。この点が従来のめっき液では欠落してい
たものであり、これに着目して本発明においては、めっ
き液の安定性を格段に向上させることができたものであ
る。
Considering the temporarily high pH (for example, 14) during alkali replenishment, the stability of the plating solution must of course be designed taking into account the pH range from 4 to 7 to 14 when the plating solution is used. Although this is clear, conventionally known plating solutions are insufficient in this respect. Precipitation area of nickel hydroxide (A
A complexing agent having characteristics in the lower left direction (region C) in the same figure is effective in order to move as far away as possible from the region (region C). From the same figure, when comparing the magnitude of the free nickel ion reduction effect in the region p) 17 to 13, glycine>glutamic acid>
citric acid>. Furthermore, as shown in the figure, gluconic acid and ammonium were found to be effective complexing agents even at highly alkaline conditions of pH > 13, and this was also confirmed experimentally. This point was lacking in conventional plating solutions, and by focusing on this point, the present invention was able to significantly improve the stability of the plating solution.

すなわち、めっき液実使用時のpHから、アルカリ補給
液の高pH(pH14近傍)までの全pH領域において
、本質的に亜リン酸ニッケル、水酸化ニッケルの沈澱を
生じないように、錯化剤を組合せて構成することが、本
発明の要点である。
That is, in the entire pH range from the pH when the plating solution is actually used to the high pH of the alkaline replenishment solution (around pH 14), the complexing agent is The key point of the present invention is to configure the following in combination.

上述した原理に基づいてめっき液を安定させることによ
り、めっき液自身の分解による微細粒子の発生を防ぐこ
とができ、この種の原因により得られるめっき液の欠陥
の発生を大幅に低減できる。
By stabilizing the plating solution based on the above-mentioned principle, it is possible to prevent the generation of fine particles due to decomposition of the plating solution itself, and it is possible to significantly reduce the occurrence of defects in the plating solution obtained due to this type of cause.

次に第3図を用いて錯化剤の添加濃度とフリーニッケル
イオン(N x+ 4 )濃度との関係につき述べる。
Next, the relationship between the concentration of the complexing agent added and the free nickel ion (N x + 4 ) concentration will be described using FIG.

同図の横軸は、錯化剤/Ni塩のモル比を。The horizontal axis of the figure represents the complexing agent/Ni salt molar ratio.

そして縦軸はめっき液中のフリーニッケルイオン濃度(
つまり錯化剤と反応して讐相キ壬いないニッケルイオン
)を示したものである。同図から判るように、各錯化剤
とも添加によりフリーニッケルイオンは急激に低減する
。その傾向は、モル比が約2程度までの減少効果が顕著
であり、以後は緩やかな減少傾向をたどり、5〜6程度
で平衡に近づく傾向を示す。これらのデータから、フリ
ーニッケルイオンを低減して液を安定化させるためには
、錯化剤を少なくともNi塩の等モル以上添加すること
が好ましく、余り多量に添加してもコスト高の割には効
果が少ない。
The vertical axis is the free nickel ion concentration in the plating solution (
In other words, it shows a nickel ion that reacts with a complexing agent and does not harm the enemy. As can be seen from the figure, free nickel ions are rapidly reduced by the addition of each complexing agent. The tendency is that the decreasing effect is remarkable up to a molar ratio of about 2, after which it follows a gradual decreasing trend and approaches equilibrium at a molar ratio of about 5 to 6. From these data, in order to reduce free nickel ions and stabilize the liquid, it is preferable to add at least an equimolar amount of complexing agent to that of the Ni salt, and even if it is added in an excessively large amount, it is not necessary considering the high cost. has little effect.

錯化剤を選定するためには、先に述べたニッケルのフリ
ーイオンに着目しためっき液の安定化以外にも、めっき
速度や耐熱非磁性等の膜形成に関する膜特性をも考慮す
る必要がある。特に膜特性は実験して把握する必要があ
る。そこで、次に実際に各錯化剤を用いて、めっき液を
作成し、めっき液の安定性(ターン数)と共に、めっき
速度(μm/hr)、膜の耐熱非磁性(250℃におけ
る加熱磁化量、単位はガウスGで表示)4膜の表面欠陥
(膜面上の欠陥の個数、ケ/面で表示)及び内部応力(
kg/mm”)を評価した。この実験には、300Q 
 の容量を持つ実験用めっき槽を用いて試料を作成、評
価し、その結果を第2表に示した。
In order to select a complexing agent, in addition to stabilizing the plating solution by focusing on the free nickel ions mentioned earlier, it is also necessary to consider film characteristics related to film formation, such as plating speed and heat-resistant nonmagnetic properties. . In particular, it is necessary to understand the film properties through experiments. Next, we actually created a plating solution using each complexing agent, determined the stability of the plating solution (number of turns), the plating speed (μm/hr), the heat-resistant non-magnetic property of the film (heated magnetization at 250°C), etc. amount, unit is expressed in Gauss G) 4 film surface defects (number of defects on the film surface, expressed in ke/surface) and internal stress (
kg/mm”).For this experiment, 300Q
Samples were prepared and evaluated using an experimental plating tank with a capacity of .

表中、試料鬼4〜12は、めっき膜特性とめっき液特性
に最も影響を与える主錯化剤の候補材料の特性を示した
。この時、アルカリ側で安定化作用を受は持つ副錯化剤
としては、グリシンとグルコン酸を用いた。
In the table, Samples 4 to 12 showed the characteristics of candidate materials for the main complexing agent that most influenced the plating film characteristics and plating solution characteristics. At this time, glycine and gluconic acid were used as sub-complexing agents that have a stabilizing effect on the alkali side.

主錯化剤候補の特性を見ると、リンゴ酸はめっき膜特性
、液特性が共に優れている。クエン酸は濃度を増すとめ
っき速度が極端に低下する傾向を示した。グリコール酸
、酒石酸はめっき速度はやや低いがその他の特性は比較
的良好である。以上の4種類の錯化剤はヒドロキシ酸系
であるが、別にジカルボン酸系の錯化剤としてマロン酸
(NQII)、コハク酸(Na12)の特性を調べた。
Looking at the properties of the main complexing agent candidate, malic acid has excellent plating film properties and liquid properties. When the concentration of citric acid was increased, the plating rate tended to decrease drastically. Although the plating rate of glycolic acid and tartaric acid is somewhat low, other properties are relatively good. The above four types of complexing agents are hydroxy acid type, but the characteristics of malonic acid (NQII) and succinic acid (Na12) as dicarboxylic acid type complexing agents were investigated separately.

マロン酸は液安定性と耐熱非磁性の点で難があり、コハ
ク酸も同様であった。
Malonic acid has problems in terms of liquid stability and heat resistance and non-magnetism, and the same is true for succinic acid.

以上の結果から主錯化剤として比較的良好なのはリンゴ
酸、グリコール酸、酒石酸であり、最も好適な錯化剤は
リンゴ酸であることが判った。クエン酸は錯化剤を少な
目に添加する条件つきで限定した使い方は一応できると
考えている。マロン酸、コハク酸は磁気ディスク用のめ
っき液としては使えない。
From the above results, it was found that malic acid, glycolic acid, and tartaric acid are relatively good as main complexing agents, and malic acid is the most suitable complexing agent. We believe that citric acid can be used in a limited manner with the condition that a small amount of complexing agent is added. Malonic acid and succinic acid cannot be used as plating solutions for magnetic disks.

めっき液の錯化剤とめっき膜特性との関連で、本実験で
得た知見は、分子中に水酸基(−OH)とカルボキシル
基(−COOH)を共有する、ヒドロキシ系の錯化剤が
比較的高めっき蓮度と耐熱非磁性特性を両立させうる優
れた特性を持つことである。
In relation to the complexing agent of the plating solution and the properties of the plating film, the findings obtained in this experiment show that hydroxyl complexing agents, which share a hydroxyl group (-OH) and a carboxyl group (-COOH) in their molecules, The objective is to have excellent properties that allow both high plating strength and heat-resistant non-magnetic properties.

その理由は明確ではないが、推定するに、錯体の幾何学
的形状と感能基の特性により、反応表面での吸着形態と
か反応速度が影響を受け、結果的に、比較的高めっき速
度においてもリンの含有率が高い膜質を得やすく、その
ため耐熱非磁性が高いと考えている。
The reason for this is not clear, but it is assumed that the geometry of the complex and the properties of the functional group affect the adsorption form on the reaction surface and the reaction rate, resulting in a relatively high plating rate. It is also easy to obtain film quality with a high phosphorus content, and therefore it is believed that it has high heat-resistant non-magnetic properties.

なお、ヒドロキシ系の錯化剤の中でも鎖状化合物が特性
が優れており、芳香族系のものは特性はよくなかった。
Among the hydroxy complexing agents, chain compounds had excellent properties, while aromatic complexes had poor properties.

なお、比較例で示した表2中Nα11.12のようなジ
カルボン酸系の錯化剤より形成しためっき膜の特性はよ
くなかった。
In addition, the properties of the plating film formed from a dicarboxylic acid complexing agent such as Nα11.12 in Table 2 shown in the comparative example were not good.

表2中のサンプル番号13〜17では主にアルカリ領域
で作用して、めっき液の安定化に寄与する副錯化剤の候
補の特性を示した。
Sample numbers 13 to 17 in Table 2 exhibited characteristics of candidate sub-complexing agents that act mainly in the alkaline region and contribute to stabilization of the plating solution.

N1113.14ではグリシン−アンモニウムの組合せ
の副錯化剤の特性を調べた結果であるが、膜質、液特性
共に良好であり、Na4〜10で用いたグリシン−グル
コン酸の組合せの副錯化剤と同等以上の膜特性を示す事
が判った。
For N1113.14, the characteristics of the glycine-ammonium combination sub-complexing agent were investigated, and the film quality and liquid properties were both good. It was found that the film properties were equivalent to or better than those of the above.

Nα13.15.16.17のサンプルでは主錯化剤と
しては最も特性の優れるリンゴ酸を用い、高アルカリ側
での安定化に寄与する副錯化剤としてアンモニウムを用
い、中性からアルカリ側で寄与する副錯化剤の候補の特
性を調べた結果を示した。
In the samples of Nα13.15.16.17, malic acid, which has the best properties, was used as the main complexing agent, and ammonium was used as the sub-complexing agent, which contributes to stabilization on the high alkaline side. The results of investigating the properties of candidate sub-complexing agents that contribute to this are presented.

その結果Nα15のグルタミン酸はめっき欠陥が多く、
液の安定性がやや不十分であった。Nα16のクエン酸
ではめっき速度が低く難がある。Nα17の場合は安定
性が不十分で用いられなかった。
As a result, glutamic acid of Nα15 has many plating defects,
The stability of the liquid was somewhat insufficient. Citric acid with Nα16 has a low plating rate. In the case of Nα17, it was not used due to insufficient stability.

この結果、Nα13のグリシンを副錯化剤の一つに用い
るめっき液組成が最も優れていると判った。
As a result, it was found that the plating solution composition using glycine of Nα13 as one of the sub-complexing agents was the most excellent.

以上の結果をまとめるとめっき液の錯化剤としては主錯
化剤としてはリンゴ酸が最も優れ、次にグリコール酸、
酒石酸が可能性が高く、クエン酸も限定範囲内で使える
と言える。
To summarize the above results, malic acid is the most excellent complexing agent for plating solutions, followed by glycolic acid,
Tartaric acid is the most likely, and citric acid can also be used within a limited range.

副錯化剤としてはグリシン−グルコン酸の組合せか、グ
リシン−アンモニウムの組合せが好適である。
As the sub-complexing agent, a combination of glycine-gluconic acid or a combination of glycine-ammonium is suitable.

つまり、リンゴ酸−グリシン−グルコン酸の組合せと、
リンゴ酸−グリシン−アンモニウムの組合せが最も良好
なめっき液特性と膜特性を持つと判る。
In other words, the combination of malic acid-glycine-gluconic acid,
It is found that the combination of malic acid-glycine-ammonium has the best plating solution properties and film properties.

表中Na18〜22までは、この組合せから、一つでも
抜けると、めっき液の安定性を保てないことを確認する
ために行なった実験結果である。
Na 18 to Na 22 in the table are the results of an experiment conducted to confirm that if even one is omitted from this combination, the stability of the plating solution cannot be maintained.

Nα18〜22のめっき液は実用的な液寿命(4,0タ
ーン)前にいずれも分解を起こした。つまり、錯化剤と
して、リンゴ酸、グリシン及びグルコン酸の三成分、も
しくは、リンゴ酸、グリシン及びアンモニウムの三成分
を用いることが本発明の基本であり、これによりpH4
〜14における液の安定性確保と得られる膜の膜特性を
著しく改善することができる。
All of the plating solutions with Nα of 18 to 22 decomposed before the practical life of the solution (4.0 turns). In other words, the basis of the present invention is to use the three components of malic acid, glycine, and gluconic acid, or the three components of malic acid, glycine, and ammonium as complexing agents, and this makes it possible to
In steps 1 to 14, the stability of the liquid can be ensured and the membrane properties of the resulting membrane can be significantly improved.

なお、第4図は、上記第2表の比較例Nα12.13゜
14との関連において、本発明における錯化剤リンゴ酸
、グリシン、グルコン酸及びアンモニウム相互作用につ
いて、更に詳しく示したものである。
In addition, FIG. 4 shows the interaction between the complexing agents malic acid, glycine, gluconic acid, and ammonium in the present invention in more detail in relation to the comparative example Nα12.13°14 in Table 2 above. .

同図からも各成分の相互作用によりいかに相乗的な効果
が発揮されているかが判る。同図には各錯化剤の実用的
な好ましい添加領域を示した。
The figure also shows how synergistic effects are exerted by the interaction of each component. The figure shows the practical and preferable addition range of each complexing agent.

(2)ニッケル塩について; 次に、めっき液のニッケル成分となるニッケル塩に関し
て述べる。
(2) Regarding nickel salt; Next, nickel salt, which is the nickel component of the plating solution, will be described.

周知のとおりニッケル塩は目的とするニッケルめっき膜
の主原料である。水溶性のニッケル塩であればいずれの
ものでも良く、硫酸塩、塩化物、スルファミン酸塩、酢
酸塩などが一般的である。
As is well known, nickel salt is the main raw material for the intended nickel plating film. Any water-soluble nickel salt may be used, and sulfates, chlorides, sulfamates, acetates, etc. are common.

とりわけ経済性等を考慮すれば、硫酸塩(硫酸ニッケル
のこと)が実用的である。ニッケルの濃度としては、詳
しくしは表4,5でも述べるが、0.09〜0.20m
o n / nが好ましい。0.09mo 42 / 
Q以下では実用上必要なめっき速度7μm/hr以上が
得られにくく、0.20mo n / 2以上では、め
っき液が不安定となり、欠陥も発生し易く、得られる膜
質も低下してくる。
Especially considering economic efficiency, sulfate (nickel sulfate) is practical. The concentration of nickel is 0.09 to 0.20m, as detailed in Tables 4 and 5.
On/n is preferred. 0.09mo 42/
If it is less than Q, it will be difficult to obtain a practically required plating rate of 7 μm/hr or more, and if it is more than 0.20 mon / 2, the plating solution will become unstable, defects will easily occur, and the quality of the obtained film will deteriorate.

(3)還元剤である次亜リン酸について;前述のとおり
1次亜リン酸もしくはその塩は、めっき反応の還元剤で
、めっき液中のニッケルイオン(Ni”)を金属ニッケ
ルに還元して析出させるものであるが、通常経済的に入
手し易いことからナトリウム塩が多用される。しかし、
その池水溶性の塩、例えばカリウム塩などでも使用可能
であることは云うまでもない、使用に適した次亜リン酸
塩の濃度は後でも詳しく説明するが、0.10〜0.4
5mo A / (1が好ましい。低過ぎると、めっき
速度が低下し、高過ぎるとめっき液が不安定となる。
(3) Regarding hypophosphorous acid as a reducing agent: As mentioned above, primary hypophosphorous acid or its salt is a reducing agent in the plating reaction, reducing nickel ions (Ni'') in the plating solution to metallic nickel. Sodium salt is usually used because it is economically easy to obtain.However,
It goes without saying that pond water-soluble salts such as potassium salts can also be used.The concentration of hypophosphite suitable for use is 0.10 to 0.4, which will be explained in detail later.
5mo A/(1 is preferable. If it is too low, the plating speed will decrease, and if it is too high, the plating solution will become unstable.

(4)添加剤である界面活性剤について:次に界面活性
剤の作用と好ましい材料選択について述べる。界面活性
剤は、めっき膜形成時にその表面に吸着し、それにより
膜の性質に影響を与える1本発明においては、陰イオン
界面活性剤を使用することにより、めっき膜の内部応力
を著しく低減するものである。
(4) Regarding surfactants as additives: Next, we will discuss the effects of surfactants and preferred material selection. Surfactants adsorb to the surface of a plating film when it is formed, thereby affecting the properties of the film.In the present invention, by using an anionic surfactant, the internal stress of the plating film is significantly reduced. It is something.

界面活性剤は、微量添加により、内部応力低減に著しい
効果を示す反面、その材料によっては、めっき速度を低
下させたり、液の安定性を欠いたり、あるいはめっき面
の光沢に作用するなどの強い作用を有する。そこで、界
面活性剤の選定は特に重要であり、めっき膜の内部応力
、液安定性、めっき速度、及び表面光沢等により評価し
て材料選定を行なった。その結果を第3表に示す。
When added in small amounts, surfactants have a remarkable effect on reducing internal stress. It has an effect. Therefore, the selection of surfactant is particularly important, and materials were selected by evaluating the internal stress of the plating film, liquid stability, plating speed, surface gloss, etc. The results are shown in Table 3.

各試料の作成は、前記第2表の場合と同様300添加剤
無しのNa共の試料は、内部応力が大き過ぎ実用的でな
い。Na神の陽イオン型の界面活性剤は、めっき液を不
安定にする問題があると共に膜の内部応力低減の効果も
ほとんどない。なお、陽イオン型の代表例として、トリ
アルキルベンジルアンモニウム塩を示したが、他の陽イ
オン型のものも程度の差はあるものの、特性は良くなか
った。Nα笛は、非イオン型の界面活性剤を代表して、
ポリオキシエチレンドデシルエーテルの例を示したが、
膜の内部応力低減効果が見えず、本発明のめっき法用の
添加剤としては不適当である。界面活性剤のめっき液中
での荷電状態が、めっき成長面への吸着現象と強い相関
を持つため、界面活性剤のタイプにより、その効果に違
いが出たと考えられる以トレこ土6C臥科へαn〜g5
よひきαH〜冊と開運して陰イオン界面活性剤として特
性の優れていた材料を列挙しておく。
Each sample was prepared in the same manner as in Table 2 above, and the samples containing Na and Na without any additives had too large an internal stress to be practical. A cationic surfactant of Na type has the problem of making the plating solution unstable and has little effect on reducing the internal stress of the film. Although a trialkylbenzylammonium salt was shown as a representative example of a cationic type, other cationic types also had poor characteristics, although there were differences in degree. Nα whistle represents a nonionic surfactant,
Although the example of polyoxyethylene dodecyl ether was shown,
It is not suitable as an additive for the plating method of the present invention because it does not have an effect of reducing the internal stress of the film. Since the charge state of the surfactant in the plating solution has a strong correlation with the adsorption phenomenon on the plating growth surface, it is thought that the effect differs depending on the type of surfactant. to αn~g5
Here we will list materials that have excellent properties as anionic surfactants.

i)試料Nα=、 NaJhに関連したもの:ポリオキ
シエチレンアルキルエーテル硫酸塩化学構造式 RO(
CH2CH20)n803Mただし、R:アルキル基(
親油基) M : N a + K + N H4又はHN(C,
H,OH)。
i) Sample Nα=, related to NaJh: polyoxyethylene alkyl ether sulfate chemical structural formula RO(
CH2CH20) n803M However, R: alkyl group (
lipophilic group) M: Na + K + N H4 or HN (C,
H, OH).

n:0〜10 具体例:※ポリオキシエチレンドデシルエーテル硫酸ナ
トリウム、 ※ポリオキシエチレンオクチルエ ーチル硫酸塩 2チ ii)試料Na賛に関連したもの: ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩■ 化学構造式(RO(CHz CH20)n )m  P
  (OM ) Qただし、R,M:同上 n:0〜10 m=1.Q=2または m=2.Q=1 具体例:※ポリオキシエチレンオクタデシルエーテルリ
ン酸アンモニウム zs   丼 ni)試料Nn441−、 Na共に関連したちの:ポ
リオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩 ただし、R,M:同上 n: 0〜10 具体例:×ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル
硫酸ナトリウム ×ポリオキシエチレンヘキサデシ ルフェニルエーテル硫酸ナトリ フルオロアルキルカルボン酸塩 化学構造式 CnFmH(2n+t−m) −〇〇〇M
ただし、n:6〜20 m:13〜41 M:H,Na、K又はNH4 具体例:×ペンタデカフルオロカプリル酸カリウム ×テトラコサフルオロステアリン フルオロアルキル硫酸塩 化学構造式 CnF+++H(2n+1−m)−080
3Mただし、n:6〜20 m:13〜41 M:H,Na、K又はNH4 具体例:※トリデカフルオロヘキシル硫酸ナトリウム ※トリコサフルオロノナデシル硫 酸アンモニウム 2g vi)試料Na勃に関連したもの: フルオロアルキルリン酸塩 誼 化学構造式 CnFmH(2n++−m)−0−P−O
MOH ただし、n:6〜20 m:13〜41 M:H,Na、K又はNH。
n: 0 to 10 Specific examples: *Sodium polyoxyethylene dodecyl ether sulfate, *Polyoxyethylene octyl ethyl sulfate 2) Related to sample Na: Polyoxyethylene alkyl ether phosphate■ Chemical structure (RO(CHz CH20)n)m P
(OM) QHowever, R, M: Same as above n: 0 to 10 m=1. Q=2 or m=2. Q=1 Specific example: *Polyoxyethylene octadecyl ether ammonium phosphate zs bowl ni) Sample Nn441-, Na related to: polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfate However, R, M: Same as above n: 0 to 10 Specific example: x Sodium polyoxyethylene nonylphenyl ether sulfate x Sodium polyoxyethylene hexadecyl phenyl ether sulfate Chemical structural formula CnFmH (2n+t-m) -〇〇〇M
However, n: 6-20 m: 13-41 M: H, Na, K or NH4 Specific example: x Potassium pentadecafluorocaprylate x Tetracosafluorostearin fluoroalkyl sulfate Chemical structural formula CnF+++H (2n+1-m)- 080
3M However, n: 6-20 m: 13-41 M: H, Na, K or NH4 Specific examples: * Sodium tridecafluorohexyl sulfate * Ammonium tricosafluorononadecyl sulfate 2 g vi) Sample related to Na erection: Fluoroalkyl phosphate chemical structural formula CnFmH(2n++-m)-0-P-O
MOH However, n: 6-20 m: 13-41 M: H, Na, K or NH.

具体例:×へブタデカフルオロオクチルリン酸カリウム ×ヘンエイコサフルオロデシルリ ン酸アンモニウム ×トリコサフルオロオクタデシル ■ 化学構造式 (RO)n−P−(OM)mただし、R:
アルキル基(親油基) M:Na、K又はNH。
Specific example: x potassium hebutadecafluorooctyl phosphate x ammonium eicosafluorodecyl phosphate x tricosafluorooctadecyl ■ Chemical structural formula (RO)n-P-(OM)m However, R:
Alkyl group (lipophilic group) M: Na, K or NH.

具体例:*パーオキシエチレンラウリルリアルキル硫酸
エステル塩 化学構造式 RO8O,M ただし、R:アルキル基(親油基) M:Na、K又はNH4 具体例:※ラウリル硫酸エステルナトリウ面活性剤のア
ルキル基は、直鎖の化合物であっても、側鎖のついた化
合物であっても良く、特に制限はない。
Specific example: *Peroxyethylene lauryl realyl sulfate salt Chemical structural formula RO8O,M Where, R: Alkyl group (lipophilic group) M: Na, K or NH4 Specific example: *Alkyl of lauryl sulfate sodium surfactant The group may be a linear compound or a compound with a side chain, and is not particularly limited.

本発明における陰イオン界面活性剤の、めっき液中への
添加址は1.0mg/l〜200mg/12が好ましく
、より好ましくは5mg/l〜100mg/lである。
The amount of anionic surfactant added to the plating solution in the present invention is preferably 1.0 mg/l to 200 mg/12, more preferably 5 mg/l to 100 mg/l.

1.0mg/lより少ないと効果が少なく、逆に200
mg/lより多く添加しても界面活性剤の添加効果は増
加せず、むしろ多過ぎ−ると膜に欠陥が発生し易くなる
等の悪影響が生じる。
If it is less than 1.0 mg/l, the effect will be small; on the contrary, if it is less than 200
Addition of more than mg/l does not increase the effect of surfactant addition; in fact, too much addition causes adverse effects such as the tendency for defects to occur in the film.

以下実施例により、本発明をさらに具体的に説明する。The present invention will be explained in more detail below with reference to Examples.

〔実施例〕〔Example〕

実施例1 本発明によるめっき液を用いて、実際に磁気ディスク基
板を形成し特性を評価した例を示す。基板形成工程を工
程順に以下に示す。
Example 1 An example will be shown in which a magnetic disk substrate was actually formed using a plating solution according to the present invention and its characteristics were evaluated. The substrate forming steps are shown below in order of process.

被めっき基板となる磁気ディスク基板のAQ−Mg合金
上にあらかじめメタライズのためのZn膜を形成後にN
1−Pめっき膜を形成する順序である。
After forming a Zn film for metallization on the AQ-Mg alloy of the magnetic disk substrate that will be the substrate to be plated,
This is the order of forming the 1-P plating film.

(1)AQ基板      φ210−φ40  のA
Ω−Mg材(2)アルカリクリーニング 市販液   
  50℃ 15分浸漬(3)酸エツチング     
市販液     60℃ 3分(4)HNO,洗浄  
   30wt%HN0. 23℃ 1分(5)亜鉛置
換       市販液     23℃ 1分(6)
HNO,洗浄      同上     23℃ 1分
(7)亜鉛置換       同上     23℃ 
0.5分(8)化学N1−Pめっき   本発明めっき
液 90℃ 約120分(9)湯洗         
 純水     90℃ 5分(10)乾燥 研磨加工後媒体形成工程へ なお、上記(2)〜(9)の各工程間には純水水洗を行
なうが記載を省略した。
(1) AQ board φ210-φ40 A
Ω-Mg material (2) Alkaline cleaning commercially available solution
Immersion at 50℃ for 15 minutes (3) Acid etching
Commercial solution 60℃ 3 minutes (4) HNO, washing
30wt%HN0. 23℃ 1 minute (5) Zinc replacement Commercial solution 23℃ 1 minute (6)
HNO, washing Same as above 23℃ 1 minute (7) Zinc replacement Same as above 23℃
0.5 minutes (8) Chemical N1-P plating Inventive plating solution 90°C approximately 120 minutes (9) Hot water washing
Pure water, 90° C., 5 minutes (10) Dry After polishing, proceed to the medium forming step Note that washing with pure water is performed between each of the steps (2) to (9) above, but the description is omitted.

上記の形成工程の要点としては、基板がAQ素材の材質
であり、AQ素材の添加物や不純物濃度。
The main points of the above formation process are that the substrate is made of AQ material, and the concentration of additives and impurities of the AQ material.

結晶粒径や晶出物、介在物に配慮が必要である。Consideration must be given to crystal grain size, crystallized substances, and inclusions.

亜鉛置換処理は密着力向上のため、通常よく行なわれて
いるように2回処理とした。工程間の純水洗浄は特に重
要であり、使用する純水の純度と水洗法に良く注意を注
ぐのはもちろんである。
The zinc substitution treatment was carried out twice, as is commonly done, in order to improve adhesion. Washing with pure water between processes is particularly important, and it goes without saying that careful attention should be paid to the purity of the water used and the washing method.

後述の第4表で結果を詳述するが、その前にあらかじめ
本実施例で示すニッケルめっき膜の特性の測定・評価法
について述べる。
The results will be detailed in Table 4 below, but before doing so, the method for measuring and evaluating the characteristics of the nickel plating film shown in this example will be described in advance.

(1)加熱磁化量 AI2基板上にN1−Pめっきした試料により8X8°
のサンプルを切出し熱処理する。熱処理は通常の電気炉
を用い熱処理実体温度250±2.5℃にて保持時間は
3時間とした。雰囲気は空気である。
(1) Amount of heating magnetization 8X8° by N1-P plated sample on AI2 substrate
A sample is cut out and heat treated. The heat treatment was carried out using an ordinary electric furnace at a heat treatment temperature of 250±2.5° C. and a holding time of 3 hours. Atmosphere is air.

熱処理後の試料は振動試料型磁力計(V S M)を用
い、励磁磁場最大10KOeにてB−Hヒステリシスカ
ーブを測定した。第4表中に挙げる加熱磁化量は印加磁
場10KOeでの磁化量である。ベースランは8X80
に切出したAQ基板自体を用いた。
After the heat treatment, the BH hysteresis curve of the sample was measured using a vibrating sample magnetometer (VSM) at a maximum excitation magnetic field of 10 KOe. The amount of heating magnetization listed in Table 4 is the amount of magnetization with an applied magnetic field of 10 KOe. Base run is 8x80
The AQ substrate itself was used.

(2)内部応力 AQ基板上にN1−Pめっき膜を形成し、250℃で3
時間の熱処理をしたディスク基板より矩形試料を切出し
、 このうちの片面のN1−Pめっき膜のみを硝酸を用
いてエツチング除去する。N1−Pめっき膜に内部応力
が存在すると、これが試料を変形させソリを生じる。エ
ツチング前後の試料のソリ量の測定値とめっき厚、AQ
のヤング率とAQ厚により内部応力を算出した。
(2) Form a N1-P plating film on the internal stress AQ substrate, and
A rectangular sample is cut out from the disk substrate that has been heat-treated for several hours, and only the N1-P plating film on one side of the sample is removed by etching using nitric acid. If internal stress exists in the N1-P plating film, this will deform the sample and cause warping. Measured warpage amount of sample before and after etching, plating thickness, AQ
The internal stress was calculated from Young's modulus and AQ thickness.

(3)表面欠陥 N1−P めっき後に研磨加工を行ない、表面アラサと
して0.001μmRa程度の鏡面加工したディスク基
板表面の欠陥を観察測定した。測定装置はレーザー光を
試料表面に斜め照射し、その時の散乱光の具合にて、表
面欠陥を検出するものである。
(3) Surface defects N1-P Polishing was performed after plating, and defects on the mirror-finished disk substrate surface with a surface roughness of about 0.001 μm Ra were observed and measured. The measuring device irradiates the sample surface with laser light obliquely and detects surface defects based on the scattered light.

分解能は可変で最小1.0μmから検出可能であるが、
本実施例の場合は検出限界を直径3μm以上の欠陥とし
て測定した。試料は直径5インチ基板を50枚用意し、
両面を測定し、合計100面中に何個の欠陥があるかを
カウントした。欠陥がある場合はほとんどの場合に一面
に一ケの欠陥が存在し、2ヶ以上のものは極くわずかで
あった。従って表中のデータはnヶ/100面とすれば
、100面観測のうち、n面に各1ケずつ欠陥があった
とほぼ同意である。
The resolution is variable and can be detected from a minimum of 1.0 μm, but
In the case of this example, the detection limit was measured as a defect with a diameter of 3 μm or more. For the sample, 50 5-inch diameter substrates were prepared.
Both sides were measured, and the number of defects in a total of 100 sides was counted. In most cases, there was only one defect on one surface, and there were very few cases where there were two or more defects. Therefore, if the data in the table is n/100 surfaces, it is almost agreed that out of 100 surfaces observed, there was one defect on each n surface.

(4)めっき速度 めっき前後のディスク基板の重量を化学天秤にて測定し
、表面積、比重、めっき時間からよりめっき速度を算出
した。膜厚の分布を測定する時は、蛍光X線式膜厚計を
用いた。
(4) Plating rate The weight of the disk substrate before and after plating was measured using a chemical balance, and the plating rate was calculated from the surface area, specific gravity, and plating time. When measuring the film thickness distribution, a fluorescent X-ray film thickness meter was used.

(5)めっき液安定性 300Qめっき槽でめっきを行ないつつ、めっき膜の被
膜特性と、めっき速度、析出電位、液の成分濃度、状態
等めっき液特性から安定性を判断した。
(5) Stability of plating solution While plating was performed in a 300Q plating bath, stability was determined from the film characteristics of the plating film and the plating solution properties such as plating speed, deposition potential, solution component concentration, and condition.

めっき液の寿命はターン数で表現するが、lターンとは
建浴時のNiがその後の補給で全て入れ替るまでのめっ
き液使用量である。
The life of a plating solution is expressed in terms of the number of turns, and one turn is the amount of plating solution used until the Ni at the time of bath preparation is completely replaced by subsequent replenishment.

めっき液の使い込みにより、めっき液中には老廃物とし
て、 亜リン酸Naや硫酸ナトリウムが蓄積されて行く
。従ってこれらの塩類の飽和溶解度がめつき液の寿命の
理論限界値であるが、現実的にはそれ以前で欠陥が増加
したりして寿命が決まる。実用的には4タ一ン程度の液
寿命が必要である。
As the plating solution is used, sodium phosphite and sodium sulfate accumulate as waste products in the plating solution. Therefore, although the saturation solubility of these salts is the theoretical limit of the life of a plating solution, in reality, the life is determined by an increase in defects before this point. Practically speaking, a liquid life of about 4 tans is required.

(6)めっき膜中のリン含有率 被膜を一定量硝酸に溶解後、ICPプラズマ発光分析計
にてリン含有率を分析した。
(6) Phosphorus content in plated film After dissolving a certain amount of the film in nitric acid, the phosphorus content was analyzed using an ICP plasma emission spectrometer.

直径5インチのディスク基板のN1−Pめっきは工業薬
品を用い、 かつ全て300 Qの実験槽で行なった。
N1-P plating of a 5-inch diameter disk substrate was performed using industrial chemicals in a 300Q experimental tank.

本実施例は、先に述べた錯化剤の適合濃度範囲、ニッケ
ルと還元剤の適合濃度範囲、それとpH値の適合範囲を
実験的に求めて、明らかにしたものである。
In this example, the above-mentioned compatible concentration range of the complexing agent, compatible concentration range of nickel and reducing agent, and compatible range of pH value with these were determined experimentally and clarified.

すなわち、錯化剤はリンゴ酸、グリシン、グルコン酸ナ
トリウムの組合せの液と、リンゴ酸、グリシン、アンモ
ニウムの組合せの液を用い各々その濃度を変化させた。
That is, a solution containing a combination of malic acid, glycine, and sodium gluconate and a solution containing a combination of malic acid, glycine, and ammonium were used as complexing agents, and their concentrations were varied.

濃度変化に際しては先に示した第2図の錯化剤とニッケ
ルフリーイオン濃度の結果を考慮して、リンゴ酸はニッ
ケルの2倍モル濃度以上、 グリシンはニッケ化の1.
5倍モル濃度以上、 グルコン酸はニッケルの1.0倍
モル濃度以上、アンモニウムはニッケルの1.0倍モル
濃度以上になるよう留意した。
When changing the concentration, take into account the complexing agent and nickel-free ion concentration results shown in Figure 2 above, and make sure that malic acid is at least twice the molar concentration of nickel, and glycine is at least 1.0 times the molar concentration of nickel.
Care was taken to keep the molar concentration at least 5 times that of nickel, for gluconic acid at least 1.0 times that of nickel, and for ammonium at least 1.0 times that of nickel.

第4表にはリンゴ酸−グリシン−グルコン酸の組合せの
液の結果を示し、第5表にはリンゴ酸−グリシン−アン
モニウムの組合せの液の結果を示した。
Table 4 shows the results for the malic acid-glycine-gluconic acid combination solution, and Table 5 shows the results for the malic acid-glycine-ammonium combination solution.

第4表に示す実験の結果、まず、 硫酸ニッケルは0.09〜0.20mo Q / Qの
範囲で良き速度が低下したり、 Ni濃度が高過ぎると
実用上必要とされる耐熱非磁性を維持できず、欠陥も増
すという問題を生じた。
The results of the experiments shown in Table 4 show that nickel sulfate's good speed decreases in the range of 0.09 to 0.20moQ/Q, and that if the Ni concentration is too high, it loses the heat-resistant nonmagnetic properties required for practical use. This resulted in the problem that it could not be maintained and the number of defects increased.

z 次亜リン酸ナトリウムはNamに示すように0.10r
soQ/Q以下にするとめっき速度が低くなり実用ダ1 的でなくなり、逆にNa特に示すように、濃度を0.4
5mo Q / 2以上にするとめっき液が不安定にな
り易いことから、好適な濃度は0.10〜0.45mo
 Q /Qであると判った。
z Sodium hypophosphite is 0.10r as shown in Nam
If the concentration is less than soQ/Q, the plating rate will be low and it will not be practical.
If the concentration is 5mo Q/2 or more, the plating solution tends to become unstable, so the preferred concentration is 0.10 to 0.45mo.
It turned out to be Q/Q.

pHはめっき液組成の中でも特に重要な要素であリ、マ
クロな傾向としてはp)Iを低下するとめつき液は安定
化の方向に向かうがめつき速度が減少する欠点があり、
逆にpHを増加させると、還元剤の還元駆動力が増加し
てめっき速度が増大するが、反面めっき液が不安定にな
り、沈澱・分解の可能性を高める。以上のことから本実
施例ではめつき特性が劣化する。
pH is a particularly important element in the plating solution composition, and as a macroscopic trend, lowering p)I tends to stabilize the plating solution, but has the disadvantage that the plating speed decreases.
Conversely, when the pH is increased, the reduction driving force of the reducing agent increases and the plating rate increases, but on the other hand, the plating solution becomes unstable and the possibility of precipitation and decomposition increases. As a result of the above, the plating characteristics deteriorate in this embodiment.

なお、本実施例の添加剤としては、先に示した第3表の
結果より比較的特性が優れた添加剤としてポリオキシエ
チレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリ
オキシドデシルエーテル硫酸Na、 ヘプタデカフルオ
ロオクチルリン酸カリウムの3種類を用いた。添加剤は
これら材料に限定されるわけでなく、前記第3表中の陰
イオン系界面活性剤ならば良好な特性が得られるのは云
うまでもない。
The additives used in this example include sodium polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfate, sodium polyoxide dodecyl ether sulfate, and heptadecafluorooctyl, which have relatively excellent properties according to the results shown in Table 3 above. Three types of potassium phosphate were used. The additives are not limited to these materials, and it goes without saying that good properties can be obtained using the anionic surfactants listed in Table 3 above.

概略以上述べた濃度範囲でめっき液中の各構成成分の濃
度を変化させてめっき液を作成し、めつき膜の特性、め
っき速度、液安定性を測定してまとめた。
A plating solution was prepared by varying the concentration of each component in the plating solution within the above-mentioned concentration range, and the characteristics of the plated film, plating speed, and solution stability were measured and summarized.

3’)   IP≦ 以下と考えているので、これらNc慴〜Nα村の試料る
20kg/m2以下を達成している。 これらNa’J
P 〜Ab NQ+4の試料の研磨加工面をレーザ欠陥検出装置で測
定したところ、欠陥数(φ3μm以上)は100面に付
きOケから最高5ケであった。これら欠陥を光学顕微鏡
と走査形電子顕微鏡(SEM)で観察した結果ではこれ
らの欠陥は、異物、ゴミ等がめつき膜中に取込まれたタ
イプの欠陥もしくはAfl基板の欠陥が原因のものであ
り、めっき液の特性に関係すると考えられる欠陥では無
かった。
3') Since we believe that IP ≦ or less, we have achieved 20 kg/m2 or less for these samples from Nc to Nα villages. These Na'J
When the polished surfaces of the P - Ab NQ+4 samples were measured using a laser defect detection device, the number of defects (φ3 μm or more) ranged from 0 to a maximum of 5 per 100 surfaces. Observation of these defects using an optical microscope and a scanning electron microscope (SEM) revealed that these defects were caused by foreign matter, dust, etc. being incorporated into the plating film, or by defects in the AFL substrate. This defect was not thought to be related to the characteristics of the plating solution.

通常、知られている市販品のディスク基板用のN1−P
めっき膜における欠陥発生率が5%〜10%前後である
ことと比較すると、これら本発明実施例の結果は従来技
術と比較して遜色ないものと考えられ、十分実用に耐え
られるめっき液と判る。
Generally known commercially available N1-P for disk substrates.
When compared with the fact that the defect occurrence rate in plating films is around 5% to 10%, the results of these examples of the present invention are considered to be comparable to those of the conventional technology, and it can be seen that the plating solution is sufficiently durable for practical use. .

コり 実用的なめっき速度である7、0μm/hr以上を達し
ではP=11.0〜13.0wt%であった。リン含有
率は加熱磁化量を決定する因子の一つである。
P=11.0 to 13.0 wt% when the plating rate reached 7.0 μm/hr or more, which is a practical plating rate. The phosphorus content is one of the factors that determines the amount of heating magnetization.

N1−Pめっき後の表面アラサは0.04μmRa程度
である。
The surface roughness after N1-P plating is about 0.04 μmRa.

めっき液寿命は3.8〜4.5ターンまでを確認でき、
実用的な4.0ターンをほぼ達成している。
The plating solution life can be confirmed to be 3.8 to 4.5 turns.
Almost achieved a practical 4.0 turn.

以上、第4表にまとめた本実施例の結果をまとめると、
ニッケル濃度は0.09〜0.20+so Q / Q
、リンゴ酸濃度は0.18〜0.75mo Q /Ω、
グリシン濃度は0.14〜0.5vao Q / Q、
グルコン酸濃度は0.09〜0.30mo Q / Q
、次亜リン酸ナトリウム濃度は0.10〜0.45ya
o Q / Q 、 pHは4.0〜7.0の範囲がN
1−P膜特性、めっき液特性から見て、磁気ディスク用
下地N1−Pめっき膜を得るのに好適な組成範囲である
ことがわかる。
To summarize the results of this example summarized in Table 4,
Nickel concentration is 0.09~0.20+so Q/Q
, malic acid concentration is 0.18-0.75 mo Q /Ω,
Glycine concentration is 0.14-0.5vao Q/Q,
Gluconic acid concentration is 0.09-0.30mo Q/Q
, Sodium hypophosphite concentration is 0.10-0.45ya
o Q/Q, pH is in the range of 4.0 to 7.0
In view of the 1-P film characteristics and the plating solution characteristics, it can be seen that the composition range is suitable for obtaining a base N1-P plating film for a magnetic disk.

実施例2 次に第5表のリンゴ酸、グリシン、アンモニウム浴の結
果に関して述べる。
Example 2 Next, the results of the malic acid, glycine, and ammonium baths shown in Table 5 will be described.

実験の結果、まず、 硫酸ニッケルは0.09−0.20mo Q / Qの
範囲で良き速度が低下したり、 Ni濃度が高過ぎると
実用上必要とされる耐熱非磁性を維持できず、欠陥も増
すという問題を生じた。
As a result of the experiment, firstly, the good speed of nickel sulfate decreases in the range of 0.09-0.20moQ/Q, and if the Ni concentration is too high, it is impossible to maintain the heat-resistant nonmagnetic property required for practical use, resulting in defects. This caused the problem of an increase in the number of people.

ぎ9 次亜リン酸ナトリウムはNα→に示すように0.10/
mo Q / Q以下にするとめっき速度が低くなり実
用的でなくなり、逆にNaf;4に示すように、濃度を
0.45mo Q / 0以上にするとめっき液が不安
定になり易いことから、好適な濃度は0.10〜0.4
5mo Q /Qであると判った。
9 Sodium hypophosphite is 0.10/as shown in Nα→
If the concentration is less than mo Q / Q, the plating rate will become low and it will be impractical. Conversely, as shown in Naf; 4, if the concentration is more than 0.45 mo Q / 0, the plating solution tends to become unstable, so it is preferable. The concentration is 0.10-0.4
It was found to be 5mo Q /Q.

p)Iはめっき液組成の中でも特に重要な要素であリ、
マクロな傾向としてはpHを低下するとめっき液は安定
化の方向に向かうがめつき速度が減少する欠点があり、
逆にpHを増加させると、還元剤の還元駆動力が増加し
てめっき速度が増大するが、反面めっき液が不安定にな
り、沈澱・分解の可能性を高める。以上のことから本実
施例ではめっき特性が劣化する。
p) I is a particularly important element in the plating solution composition;
As a macroscopic trend, lowering the pH tends to stabilize the plating solution, but the disadvantage is that the plating speed decreases.
Conversely, when the pH is increased, the reduction driving force of the reducing agent increases and the plating rate increases, but on the other hand, the plating solution becomes unstable and the possibility of precipitation and decomposition increases. As a result of the above, in this example, the plating characteristics deteriorate.

なお、本実施例の添加剤としては、先に示した第3表の
結果より比較的特性が優れた添加剤としてポリオキシエ
チレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸
トリエタノールアミンの2種類を用いた。添加剤はこれ
ら材料に限定されるわけでなく、前記第3表中の陰イオ
ン系界面活性剤ならば良好な特性が得られるのは云うま
でもない。
In this example, two types of additives, sodium polyoxyethylene lauryl ether sulfate and triethanolamine lauryl sulfate, were used as additives that had relatively excellent properties according to the results shown in Table 3 above. The additives are not limited to these materials, and it goes without saying that good properties can be obtained using the anionic surfactants listed in Table 3 above.

概略以上述べた濃度範囲でめっき液中の各構成成分の濃
度を変化させてめっき液を作成し、めっき膜の特性、め
っき速度、液安定性を測定してまとめた。
A plating solution was prepared by varying the concentration of each component in the plating solution within the above-mentioned concentration range, and the characteristics of the plating film, plating speed, and solution stability were measured and summarized.

〜15kg/++n”の範囲にあり、実用的な目標値で
あす3 る20kg/mm”以下を達成している。 これらNα
糾〜NQ■の試料の研磨加工面をレーザ欠陥検出装置で
測定したところ、欠陥数(φ3μm以上)は100面に
付きOケから最高3ケであった。これら欠陥を光学顕微
鏡と走査形電子顕微鏡(SEM)で観察した結果ではい
ずれの欠陥も、異物、ゴミ等がめつき膜中に取込まれた
タイプの欠陥であり、めっき液の特性に関係すると考え
られる欠陥では無かった。
~15kg/++n'', and has achieved a practical target value of 20kg/mm'' or less. These Nα
When the polished surfaces of the samples from D to NQ■ were measured using a laser defect detection device, the number of defects (φ3 μm or more) was from OK to a maximum of 3 per 100 surfaces. The results of observing these defects using an optical microscope and a scanning electron microscope (SEM) show that all defects are of the type where foreign matter, dust, etc. have been incorporated into the plating film, and are thought to be related to the characteristics of the plating solution. It was not a defect that could be detected.

通常、文献等で知られているディスク基板用のN1−P
めっき膜における欠陥発生率が5%〜10%前後である
ことと比較すると、これら本発明実施例の結果は従来技
術と比較して遜色ないものと考えられ、十分実用に耐え
られるめっき液と判る。
N1-P for disk substrates, which is usually known from literature, etc.
When compared with the fact that the defect occurrence rate in plating films is around 5% to 10%, the results of these examples of the present invention are considered to be comparable to those of the conventional technology, and it can be seen that the plating solution is sufficiently durable for practical use. .

女3 めっき速度はp)I依存性が見られるが、NQ8−+I
−Nαヴ ≠のめっき液は1.0prll/hr 〜15.Oun
+/hrであり、実用的なめっき速度である7、0μm
/hr以上を達しではP=11.5〜13.2wt%で
あった。リン含有率は加熱磁化量を決定する因子の一つ
である。
Female 3: The plating rate shows p)I dependence, but NQ8-+I
-Nαv≠ plating solution is 1.0prll/hr ~15. Own
+/hr, which is a practical plating speed of 7.0 μm.
/hr or more, P was 11.5 to 13.2 wt%. The phosphorus content is one of the factors that determines the amount of heating magnetization.

N1−Pめっき後の表面アラサは0.04μva Ra
程度である。
Surface roughness after N1-P plating is 0.04 μva Ra
That's about it.

めっき液寿命は4.5〜5.0ターンまでを確認でき実
用的な4.0ターンを余裕をもって達成している。
The life of the plating solution was confirmed to be 4.5 to 5.0 turns, and the practical 4.0 turns was achieved with a margin.

以上、第5表にまとめた本実施例の結果をまとめると、
ニッケル濃度は0.09〜0.20mo Q / Q、
リンゴ酸濃度は0.18〜0.75mo Q / Q、
グリシン濃度は0.14〜0.5mo Q / Q、硫
酸アンモニウム濃度は0.09〜0.30mo Q /
 Q、次亜リン酸ナトリウム濃度は0.10〜0.45
vao Q / Q 、 pHは4.0〜7.0の範囲
がN1−P膜特性、めっき液特性から見て、磁気ディス
ク用下地N1−Pめっき膜を得るのに好適な組成範囲で
あることがわかる。
To summarize the results of this example summarized in Table 5,
Nickel concentration is 0.09-0.20mo Q/Q,
Malic acid concentration is 0.18-0.75mo Q/Q,
Glycine concentration is 0.14-0.5mo Q/Q, ammonium sulfate concentration is 0.09-0.30mo Q/
Q. Sodium hypophosphite concentration is 0.10-0.45
vao Q/Q, pH is in the range of 4.0 to 7.0, which is a suitable composition range to obtain a base N1-P plating film for magnetic disks, in view of N1-P film characteristics and plating solution characteristics. I understand.

なお、第4表、第5表は錯化剤の構成が異なるが、両者
の特性を比較すると、第5表のリンゴ酸−グリシン−ア
ンモニウム浴の方が、めっき液寿命がやや長い傾向にあ
り、めっき欠陥がやや少ない特性を示す。これはアンモ
ニウムとグルコン酸の錯化能力の差によるためと見てお
るが、その詳細な機構は現在わからない。
Although the composition of the complexing agent in Tables 4 and 5 is different, when comparing the characteristics of the two, the malic acid-glycine-ammonium bath in Table 5 tends to have a slightly longer lifespan of the plating solution. , exhibits characteristics with slightly fewer plating defects. This is thought to be due to the difference in complexing ability between ammonium and gluconic acid, but the detailed mechanism is currently unknown.

なお1本発明のめっき液は錯化剤の全pH領域での作用
を引出し、本質的に安定ではあるが、本発明液に通常化
学ニッケルめっき液の成分として知られている、Pb”
、TQ”の分解防止剤やホウ酸、EDTA等の安定化の
ための添加剤を加えても、もちろん差し支えない。
Although the plating solution of the present invention brings out the action of the complexing agent in the entire pH range and is essentially stable, the plating solution of the present invention contains Pb, which is known as a component of ordinary chemical nickel plating solutions.
, TQ'' decomposition inhibitor, boric acid, EDTA, and other stabilizing additives may of course be added.

また、上記実施例では、めっき液の温度を90℃とした
が、実用的には80〜95℃の範囲で有効であることか
ら、常温での液の保存性は極めて安定であり、非常に管
理し易い。
In addition, in the above example, the temperature of the plating solution was set at 90°C, but it is practically effective in the range of 80 to 95°C, so the storage stability of the solution at room temperature is extremely stable. Easy to manage.

実施例3 本実施例においては実際に磁気ディスクを生産する1、
50(IQ  の大型めっき槽を用いて、本発明による
めっき液の特性を確認した結果を述べる。
Embodiment 3 In this embodiment, 1, which actually produces magnetic disks,
The results of confirming the characteristics of the plating solution according to the present invention using a large plating tank of 50 (IQ) will be described below.

N1−P めっき基本工程の内容は実施例1で述べたも
のと同じである。めっき設備は前処理槽、めっき槽を工
程順に配置したラインであり、設備全体はクラス1 、
000のクリーンルーム内に設置した。ディスク基板を
セットするラック治具は、直径5インチディスク基板を
最高600枚搭載可能な自公転タイプの治具である。基
板内周を用いてラックする機構であり、基板の治具への
取付け、取りはずしは全て自動化した。
The contents of the basic N1-P plating process are the same as those described in Example 1. The plating equipment is a line with a pre-treatment tank and a plating tank arranged in the order of the process, and the entire equipment is Class 1,
It was installed in a 000 clean room. The rack jig for setting the disk substrates is a revolving type jig that can mount up to 600 disk substrates with a diameter of 5 inches. It is a mechanism that uses the inner circumference of the board to rack, and all mounting and removal of the board to the jig is automated.

フィルター精度は0.2μmであり、めっきのロード比
は1.Odn+”/Qの負荷である。
The filter accuracy is 0.2μm, and the plating load ratio is 1. The load is Odn+”/Q.

第6表には1,500Q生産用めつき槽にて実験し、特
性を評価した結果を示した。先の第4表と第5表の実験
から総合的なめつき膜特性、めっき液特性が特に好適な
範囲のめっき液組成を選び出し、第6表の失駿ではNQ
モカ1らぬ刺まで4標類りのっき液を用いているが、硫
酸ニッケルの濃度はれアルキル系の界面活性剤を用いた
Table 6 shows the results of experiments conducted in a 1,500Q production plating tank and evaluation of characteristics. From the experiments shown in Tables 4 and 5 above, we selected a plating solution composition in which the overall plating film properties and plating solution properties were particularly suitable.
Four types of cleansing liquid were used up to Mocha's first run, but an alkyl-based surfactant with a high concentration of nickel sulfate was used.

pHと次亜リン酸Naは特にめっき速度と関連の強い因
子であり重要であるが、 それぞれpHは4.7〜5.
0の範囲で、次亜リン酸Naは0.28−0.30rn
o Q/Qの範囲で表中のように組合せた。なお、めっ
き液の作成には全て工業薬品を用いた。
pH and sodium hypophosphite are particularly important factors that are closely related to the plating rate, and each pH is between 4.7 and 5.
0 range, Na hypophosphite is 0.28-0.30rn
o They were combined as shown in the table within the range of Q/Q. All industrial chemicals were used to prepare the plating solution.

上記のめっき条件にて作成したN1−P膜の特性をまと
めると、250℃加熱磁化量は0.6〜2.0G 。
To summarize the characteristics of the N1-P film produced under the above plating conditions, the amount of magnetization when heated at 250°C is 0.6 to 2.0G.

250℃加熱後内部応力は8〜15kg/ rrtn2
であり、いずれも実用化レベルの目標値5G以下、20
kit / +nm ”以下を達成できた。
Internal stress after heating at 250℃ is 8-15kg/rrtn2
All of them are below the target value of 5G at the practical level, 20
kit/+nm” or less.

研磨加工後のφ3μm以上のめっき欠陥は100面詣定
中O〜3ヶである。これは欠陥発生率で示せばwax、
 3.0%であり、比較的優れていると見ている。めっ
き速度は目標7,0μm/hr以上に対して7.5〜9
.0μm/hrを実測した。めっき液寿命はNα確認で
き、実用上十分耐えうるめつき液であることを確認した
After polishing, there were 0 to 3 plating defects of φ3 μm or more out of 100 surfaces inspected. This can be expressed as wax,
3.0%, which is considered to be relatively excellent. The plating speed is 7.5 to 9 for the target of 7.0 μm/hr or more.
.. 0 μm/hr was actually measured. The life of the plating solution was confirmed by Nα, and it was confirmed that the plating solution was sufficiently durable for practical use.

なお、錯化剤の構成としてはどちらも目標特性を達成す
るがリンゴ酸−グリシン−アンモニア浴の方がリンゴ酸
−グリシン−グルコン酸浴より、めっき液寿命、めっき
欠陥の点でやや優れる傾向を示す。
Although both complexing agent compositions achieve the target properties, the malic acid-glycine-ammonia bath tends to be slightly better than the malic acid-glycine-gluconic acid bath in terms of plating solution life and plating defects. show.

上記第6表のめっき液にて作成したN1−Pめっき基板
を用いて磁性膜、保護膜を形成し、磁気ディスクとして
評価した例を以下に述べる。
An example in which a magnetic film and a protective film were formed using an N1-P plated substrate prepared using the plating solution shown in Table 6 above and evaluated as a magnetic disk will be described below.

AQ基板の前処理から出発して、 N1−Pめつき膜を
形成するまでは、先に述べたので省略する。
The steps from the pretreatment of the AQ substrate to the formation of the N1-P plating film have been described previously, and will therefore be omitted.

N1−P めっき後の基板は、次に研磨加工を行なった
。これは両面同時の研磨機を用いた。基板を上下2枚の
研磨定盤の間に挟み、圧力を加えて定盤回転しつつ研磨
液を供給して研磨する。加工量は平均3μm程度であり
、研磨後の表面アラサは0.001μmRaである。
The substrate after N1-P plating was then polished. This was done using a polishing machine that can polish both sides at the same time. The substrate is sandwiched between two polishing surface plates, upper and lower, and polished by applying pressure and rotating the surface plates while supplying polishing liquid. The average amount of processing is about 3 μm, and the surface roughness after polishing is 0.001 μm Ra.

研磨加工後のN1−P基板は次に表面洗浄装置へ入れて
表面クリーニングを行なった。洗浄は有機溶剤と純水を
主体に用いる方法にて、表面汚れを除去した。
After the polishing process, the N1-P substrate was then placed in a surface cleaning device to perform surface cleaning. Surface stains were removed by cleaning using a method mainly using organic solvents and pure water.

表面洗浄後のN1−P基板は次に、連続スパッタリング
装置にセットした。本スパッタリング装置は一台で連続
してクロム中間膜、磁性膜、カーボン膜の3層を積層形
成できるものである。
After the surface cleaning, the N1-P substrate was then set in a continuous sputtering device. This sputtering apparatus is capable of successively laminating three layers: a chromium intermediate film, a magnetic film, and a carbon film.

以下、スパッタリング工程を説明する。磁気ディスク基
板を搭載したパレットを、スパッタ装置のロード室に仕
込み真空排気した。真空度5x10−’ T orr以
下に排気した後に200℃基板加熱を行ない、基板表面
の脱ガスを行なった。その後ロード室よりパレットはス
パッタ室へ移行し、最初にクロム(Cr)の中間膜を2
 、000人厚にて形成した。
The sputtering process will be explained below. The pallet loaded with the magnetic disk substrate was placed in the load chamber of the sputtering device and evacuated. After evacuation to a degree of vacuum of 5×10 −' Torr or less, the substrate was heated at 200° C. to degas the substrate surface. After that, the pallet is transferred from the loading chamber to the sputtering chamber, where two chromium (Cr) interlayer films are first deposited.
, 000 thickness.

Cr膜はN1−P表面を調整し、引続く磁性膜の磁気特
性を安定化するなどの目的で行なう。
The Cr film is formed for the purpose of adjusting the N1-P surface and stabilizing the magnetic properties of the subsequent magnetic film.

クロム膜形成後の基板を搭載したパレットは、次に自動
的に搬送されて磁性薄膜形成のスパッタ室へ入る。磁性
膜はG o −N i −Crスパッタ膜である。
The pallet loaded with the substrates on which the chromium film has been formed is then automatically transported to the sputtering chamber where the magnetic thin film is formed. The magnetic film is a Go-Ni-Cr sputtered film.

Co−Ni−Crスパッタリング時の動作圧は20mT
orr: Ar雰囲気であり、成膜速度は200人/分
であり、形成膜厚は500人である。
Operating pressure during Co-Ni-Cr sputtering is 20mT
orr: Ar atmosphere, film formation rate is 200 people/min, and film thickness is 500 people/minute.

磁性薄膜形成後の基板は次にカーボン保護膜を形成する
ため、カーボンスパッタ室へと搬送されて行く。カーボ
ンは99.9%純度のターゲラ1〜を用いてスパッタリ
ングされ、膜厚は500人である。
The substrate on which the magnetic thin film has been formed is then transported to a carbon sputtering chamber in order to form a carbon protective film thereon. The carbon was sputtered using 99.9% pure Targera 1 ~, and the film thickness was 500%.

カーボン成膜後に基板はスパッタリング装置より取出し
、最後にカーボン表面に潤滑油を塗布した。潤滑油はカ
ーボン膜と共に耐ヘツド摺動特性を向上させて、磁性膜
の損傷を防ぐために形成する。
After the carbon film was formed, the substrate was taken out from the sputtering device, and finally, lubricating oil was applied to the carbon surface. The lubricating oil is formed together with the carbon film to improve head sliding resistance and prevent damage to the magnetic film.

上記実施例は薄膜スパッタ磁気ディスク製造の一実施例
を述べたものであり、中間膜、磁性膜、保護膜、潤滑油
の材料・膜厚はこれに限ったもので無いことは云うまで
も無い。N1−P基板も研磨加工後にさらにテキスチャ
ー加工と呼ばれる溝付は加工を行なっても良い。
The above example describes one example of manufacturing a thin film sputter magnetic disk, and it goes without saying that the materials and film thicknesses of the intermediate film, magnetic film, protective film, and lubricating oil are not limited to these. . The N1-P substrate may also be subjected to a grooving process called texturing process after the polishing process.

次に、カーボン膜を形成後の完成品の磁気ディスクの形
状を測定した。円板のソリを示す真直度は直径5インチ
ディスク直径130mmに対して4〜6μmであり実使
用のヘット浮上io、15μmに対して何ら問題無いレ
ベルである。
Next, the shape of the finished magnetic disk after forming the carbon film was measured. The straightness of the disk, which indicates warp, is 4 to 6 μm for a 5-inch disk with a diameter of 130 mm, which is at a level that causes no problem with the head flying height of 15 μm in actual use.

このソリが少ないことは本発明により形成されたN1−
Pめっき膜の内部応力が15kg/no2以下に低く抑
えられているためである。
The fact that this warpage is small means that the N1-
This is because the internal stress of the P plating film is kept low to 15 kg/no2 or less.

ディスク完成後のカーボン上の表面アラサは0.002
 p mRaであり成膜前の値(0,001μ111)
と比較して変化は少ない。 スパッタ成膜時にはN1−
P基板に最高250℃程度の加熱が加わるが、この程度
の温度では本発明により形成されたN1−P膜は加熱磁
化も、表面アラサの劣化も起こさず安定であることを示
している。
The surface roughness on the carbon after the disc is completed is 0.002
p mRa, the value before film formation (0,001μ111)
There are few changes compared to . During sputtering film formation, N1-
Although the P substrate is heated to a maximum of about 250° C., the N1-P film formed according to the present invention does not undergo heating magnetization or deterioration of surface roughness at this temperature, indicating that it is stable.

次に電磁変換特性を評価した結果では、分解能75%、
オーバライド(重ね書き特性) −30dBであり線記
録密度32,0OOB P I (bit/1nch)
を余裕を持って実現した。これも本発明によるめっき膜
がスパッタ時に加わる250℃程度の加熱でも非磁性を
維持するためである。ヘッド−ディスク間隙(スペーシ
ング)が0.15μmで浮上する磁気ヘッドに衝突する
突起数で示す、円板浮上特性を測定したところOケ/面
〜10ケ/面(平均1.5ケ/面、n=10面)であり
、きわめて優れていた。
Next, the results of evaluating the electromagnetic conversion characteristics showed that the resolution was 75%,
Override (overwriting characteristics) -30dB and linear recording density 32,0OOB PI (bit/1nch)
was achieved with plenty of time to spare. This is also because the plated film according to the present invention maintains its nonmagnetic property even when heated to about 250° C. which is applied during sputtering. The disk flying characteristics, expressed as the number of protrusions that collide with the magnetic head flying when the head-disk spacing is 0.15 μm, were measured. , n=10 planes), which was extremely excellent.

エラー特性は線記録密度32,0OOB P I、トラ
ック密度1,200T P I  (track/ 1
nch)の測定条件にてO〜20ケ/面(平均5ケ/面
、n=10面)であり、従来のコーティングディスク並
みのレベルで、実用上問題はない。このエラー特性が良
好なのも、本発明のN1−Pめっき膜形成めっき液が安
定であり、得られるめっき膜が欠陥を生じにくいためと
考えられる。
The error characteristics are linear recording density 32,0OOB PI, track density 1,200T PI (track/1
Under the measurement conditions of nch), it was 0 to 20 pieces/side (average 5 pieces/side, n=10 sides), which was at the same level as a conventional coated disk, and there was no problem in practical use. This good error characteristic is considered to be because the plating solution for forming the N1-P plating film of the present invention is stable and the resulting plating film is less likely to have defects.

最後に信頼性の尺度であるC S S (Contac
tS tart S top)試験強度にてディスクの
耐ヘツド摺動強度を測定したところ、いずれも30に回
以上(n=10)を実測し、実用レベルであることを確
認できた。
Finally, the reliability measure CSS (Contac
When the head sliding strength of the disk was measured using the test strength, it was measured more than 30 times (n=10) in each case, and it was confirmed that the strength was at a practical level.

以下余白 以上述べたように、本発明により形成したN1−Pめっ
き膜は、スパッタ磁気ディスク下地膜として要求される
、高耐熱非磁性、低内部応力、無欠陥性に優れているた
め、これを用いて磁気ディスクを製造することにより、
磁気ディスクとして優れた電磁変換特性、ヘッド浮上特
性、エラー特性、信頼性を実現できることを確認できた
As mentioned above in the margin below, the N1-P plating film formed according to the present invention has excellent heat-resistant non-magnetic properties, low internal stress, and defect-free properties, all of which are required as an underlayer for sputtered magnetic disks. By manufacturing magnetic disks using
We were able to confirm that it was possible to achieve excellent electromagnetic conversion characteristics, head flying characteristics, error characteristics, and reliability as a magnetic disk.

本発明により磁気ディスクの性能向上と実用化が可能と
なり、情報記憶産業、表面処理産業に与える効果は大で
ある。
The present invention makes it possible to improve the performance and put the magnetic disk into practical use, and has a great effect on the information storage industry and surface treatment industry.

実施例4 以下、本発明に係るめっき装置の一実施例を第5図によ
り説明する。1はめっき槽であり液量は600Qの角型
槽であり、配管等を含めての全量は700Qである。め
っき槽はSUS製の枠の内側に厚さ5.0Iのフッ素系
樹脂例えば、PTFE咲CF、 −CF2−h+若しく
はp V D F−6cF、−cFs−)−h等を内張
すしたものである。2は補給部であり、フッ素系樹脂の
管状パイプに3ケ所導入フランジを設け、逆止弁を通し
て補給液を添加できるようにした簡単な構あり、送液量
は200Q/分である。ポンプの送液量は全めっき液量
との兼合いで決定すべきであり、全めっき液量が1時間
当たり最低でも10回は、好ましくは15回以上循環す
るようにする事が、低欠陥めっき膜を得るための一つの
要点である。
Embodiment 4 An embodiment of the plating apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIG. The plating tank 1 is a rectangular tank with a liquid volume of 600Q, and the total volume including piping etc. is 700Q. The plating tank is a SUS frame lined with a 5.0I thick fluororesin such as PTFE SakiCF, -CF2-h+ or pVD F-6cF, -cFs-)-h, etc. It is. Reference numeral 2 denotes a replenishment section, which has a simple structure in which a fluororesin tubular pipe is provided with three introduction flanges so that replenishment liquid can be added through a check valve, and the liquid feeding rate is 200Q/min. The amount of liquid sent by the pump should be determined in consideration of the total amount of plating solution, and ensuring that the total amount of plating solution is circulated at least 10 times per hour, preferably 15 times or more, is the best way to reduce defects. This is one of the key points for obtaining a plated film.

4はろ過フィルターであり、 中身は5μm精度のデプ
スフィルターを最初とし、以下1μ■、0.2μ−のフ
ィルターが直列に配置しである。
4 is a filtration filter, and the contents include a 5 μm precision depth filter first, followed by 1 μm and 0.2 μm filters arranged in series.

なお、必要とならばフィルター精度はさらに向上しても
一向にかまわない。
Note that the filter precision may be further improved if necessary.

5は加熱部であり、ファイバー型熱交換器であり加熱源
としては120℃の蒸気を用いている。
5 is a heating section, which is a fiber type heat exchanger and uses steam at 120° C. as a heating source.

10はめっき液の分析部であり、pHメーターと吸光光
度計で構成される。吸光光度計はニッケル濃度を測定し
ている。めっき液をめっき槽より連続的にサンプリング
し、室温まで冷却した後にpHとニッケル濃度を分析し
、その後めっき液をめっき槽に戻す。最短5分毎に分析
できる性能を持つ。
10 is a plating solution analysis section, which is composed of a pH meter and an absorption photometer. A spectrophotometer measures the nickel concentration. The plating solution is continuously sampled from the plating tank, and after cooling to room temperature, the pH and nickel concentration are analyzed, and then the plating solution is returned to the plating tank. It has the ability to perform analysis every 5 minutes at the shortest.

11は補給液タンクと補給液ポンプであり、本ポンプは
ダイヤフラム式定量ポンプであり、送液量は可変である
11 is a replenishment liquid tank and a replenishment liquid pump, and this pump is a diaphragm type metering pump, and the amount of liquid sent is variable.

12は制御部であり、先の分析結果を入力することによ
り、めっき液中の成分の消費量を計算し、それに見合う
補給量を補給液ポンプを必要時間だけ稼働させる事によ
り補給し、めっき液中の成分を一定に保つ自動制御を行
なう。
Reference numeral 12 denotes a control unit, which calculates the consumption amount of the components in the plating solution by inputting the above analysis results, replenishes the amount corresponding to the consumption amount by operating the replenishment solution pump for the required time, and controls the plating solution. Performs automatic control to keep the contents constant.

以下実作業順序により、実施例を詳述する。基板は外径
130φ−内径40φ板厚1.905tの磁気ディスク
用A2合金であり、表面粗さは0.05μmRaで、材
質は5086材である。本基板をめっき用自公転治具に
300枚セットする。めっきの前処理は常法により、ア
ルカリ脱脂、酸エツチング、硝酸処理、第一亜鉛置換処
理、硝酸処理、第二亜鉛置換の順で、各々その間で十分
な純水洗を行ないつつ進めた。
Examples will be described in detail below based on the actual work order. The substrate is an A2 alloy for magnetic disks with an outer diameter of 130 φ and an inner diameter of 40 φ and a thickness of 1.905 t, the surface roughness is 0.05 μm Ra, and the material is 5086 material. Set 300 of these substrates on a plating revolving jig. Pretreatment for plating was carried out in the usual manner by alkaline degreasing, acid etching, nitric acid treatment, first zinc substitution treatment, nitric acid treatment, and second zinc substitution, with sufficient pure water washing in between.

次に、基板は1の化学ニッケルめっき槽に投入する。化
学ニッケルめっきの条件は以下に示す。
Next, the substrate is placed in a chemical nickel plating tank 1. The conditions for chemical nickel plating are shown below.

めっき液温度   90℃±0.5 めっき液pH4,8±0.05 めっき厚     15μm めっき時間     2時間 使用するめっき液は下記組成のものである。Plating solution temperature 90℃±0.5 Plating solution pH4.8±0.05 Plating thickness 15μm Plating time: 2 hours The plating solution used has the following composition.

NiSO4・6H,025g/Q NaH2PO,−N20         30g/Q
Malic Ac1d (リンゴ酸)        
  60g/QGlycine (グリシン)    
         30 g / QSodium G
lucon nate(グルコン酸Na)   30g
/Q添加剤 ポリオキシエチレンアルキル   5mg
/lフエニルエーテル硫酸ナトリウム めっき中、基板は1のめっき槽中で自公転され、かつめ
っき液の循環流により、めっき液は撹拌される。めっき
の進行に伴い、めっき液中のニッケル濃度は減少し、p
Hは上昇して行り、10の吸光度計とpHメーターによ
りこれら変化量、変化速度を測定し、それに見合う量を
補給する0分析と補給動作の全ては12の制御部でコン
トロールする。補給液は3系統に分けてあり、各々硫酸
ニッケル溶液、次亜リン酸溶液およびカセイソーダ溶液
である。
NiSO4・6H, 025g/Q NaH2PO, -N20 30g/Q
Malic Ac1d (malic acid)
60g/QGlycine
30g/QSodium G
lucon nate (sodium gluconate) 30g
/Q additive polyoxyethylene alkyl 5mg
/l During plating with sodium phenyl ether sulfate, the substrate is rotated around its axis in one plating tank, and the plating solution is stirred by the circulating flow of the plating solution. As plating progresses, the nickel concentration in the plating solution decreases, and p
H increases, and the amount and rate of change are measured using 10 absorbance meters and pH meters, and all zero analysis and replenishment operations for replenishing the corresponding amount are controlled by 12 control units. The replenishment liquid is divided into three systems, each consisting of a nickel sulfate solution, a hypophosphorous acid solution, and a caustic soda solution.

11の補給部は上記3種のタンクと、補給用定址ポンプ
より成る。これら三成分は2の補給部で循環するめっき
液流に添加、投入する。2の補給部は3のポンプの吸入
口に近づけることが要点である。これにより投入された
補給液はめっき液とポンプによって即ち大量のめっき液
により撹拌混合され、めっき液の安定化に役立つ。
The 11 replenishment section consists of the above three types of tanks and a fixed replenishment pump. These three components are added to the circulating plating solution flow in the second supply section. The important point is to place the supply part 2 close to the suction port of the pump 3. The supplied replenishment solution is stirred and mixed with the plating solution by the pump, that is, by a large amount of the plating solution, which helps stabilize the plating solution.

その後、めっき液は3のポンプによって加圧され、4の
5μm、 1μm、 0.2μmフィルターシステムを
順次通過され、めっき液中のゴミ、微粒子を捕捉し、ク
リーン化される。磁気ディスク用基板下地めっきに用い
られる、 N1−Pめつき膜には特に高度な無欠陥性が
要求される。磁気ディスクの信号エラーの仕様を達成す
るためにはφ5μm以上のめっき欠陥が基板に一つでも
あってはならない。このため上記のような超精密ろ過が
必要である。
Thereafter, the plating solution is pressurized by pump 3 and sequentially passes through 5 μm, 1 μm, and 0.2 μm filter system 4 to trap dirt and particles in the plating solution and clean it. A particularly high degree of defect-free property is required for the N1-P plating film used for underplating of substrates for magnetic disks. In order to achieve the signal error specifications for magnetic disks, the substrate must not have even one plating defect with a diameter of 5 μm or more. For this reason, ultra-precise filtration as described above is necessary.

ろ過されためっき液は、次に5の熱交換器で昇温され、
めっき槽中での液温か90″±0.5に保持されるよう
に調整される。これは温度検出センサーを1のめっき槽
中に設置し、温度調節器によって、 5の加熱部の加熱
用120℃スチーム量を制御することにより実現できる
The filtered plating solution is then heated in the heat exchanger 5,
The temperature of the liquid in the plating tank is adjusted to be maintained at 90" ± 0.5. This is done by installing a temperature detection sensor in the plating tank 1, and using a temperature controller to control the temperature of the heating section 5. This can be achieved by controlling the amount of 120°C steam.

最後に昇温されためつき液は1のめっき槽に再び戻り、
めっきが続行される。
Finally, the heated plating solution returns to the plating tank 1.
Plating continues.

2時間後、めっき厚が15μm形成された時点でめっき
槽より引上げ、以後水洗、湯洗、乾燥工程を得て磁気デ
ィスク用の下地N1−Pめっき膜工程が完了となる。
After 2 hours, when the plating thickness is 15 μm, it is pulled out of the plating bath, followed by water washing, hot water washing, and drying steps to complete the N1-P plating film step for the magnetic disk.

得られた300枚のN1−Pめっき基板を評価した結果
では膜厚分布は15±0.8μm、膜中リン含有率12
.5±0.2wt%であり、280℃x3時間加熱後の
磁化址が0.8〜3.5Gという優れた耐熱非磁性特性
を有していた。
As a result of evaluating the obtained 300 N1-P plated substrates, the film thickness distribution was 15 ± 0.8 μm, and the phosphorus content in the film was 12.
.. 5±0.2 wt%, and the magnetization strength after heating at 280° C. for 3 hours was 0.8 to 3.5 G, indicating excellent heat-resistant nonmagnetic properties.

めっき後の欠陥を測定した所、 φ5μ閣以上のめっき
欠陥は300枚中7枚の基板に存在し、欠陥発生率は2
.3%であった。 これは実施例で示しためっき液を用
い従来公知のめつき置等を用いた場合の不良率が約7〜
lO%であることから比較すると1/3以下に低減して
いた。
When we measured the defects after plating, we found that 7 out of 300 substrates had plating defects larger than φ5μ, and the defect incidence rate was 2.
.. It was 3%. This means that when using the plating solution shown in the example and using a conventionally known plating device, the defective rate is approximately 7 to 7.
When compared with 10%, it was reduced to 1/3 or less.

その後、 N1−Pめっき基板は機械加工により表面を
研磨し5表面粗さ0.008μra Ra程度に加工し
た。
Thereafter, the surface of the N1-P plated substrate was polished by mechanical processing to a surface roughness of about 0.008 μra Ra.

研磨表面を洗浄して清浄化した後、基板をスパッタ装置
内にセットし、 Co−Ni−Cr磁性膜を400人ス
パッタ法で形成して記録膜とし、 引続き保護膜となる
カーボンを450人 スパッタ法で形成して磁気ディス
クとして完成した。
After washing and cleaning the polished surface, the substrate was placed in a sputtering device, and a Co-Ni-Cr magnetic film was formed using a 400-person sputtering method to form a recording film, followed by a 450-person sputtering process to form a protective film of carbon. The magnetic disk was completed by forming the magnetic disk using the method.

上記工程を得て完成したスパッタ磁気ディスクの電気信
号特性を測定した所、31,0OOB P Iビ (bits/1nch)の記録密度を達成し、信号ゼッ
トエラーがOケ/面の歩留りは46面150面の高成績
を示し、高性能な磁気ディスクを完成した。
When we measured the electrical signal characteristics of the sputtered magnetic disk completed through the above process, we achieved a recording density of 31,000 OOB PI (bits/1 nch), and the signal Z error was OK/side yield was 46 disks. It achieved a high performance of 150 disks and completed a high-performance magnetic disk.

本実施例で形成した磁気ディスクは断面構成がA Q 
/ Ni −P / Co −Ni −Cr/ Cであ
るが、磁性膜、保護膜の材料や構成はこれに限ったわけ
でないのはもちろんである。
The magnetic disk formed in this example has a cross-sectional configuration of AQ.
/Ni-P/Co-Ni-Cr/C, but it goes without saying that the materials and configurations of the magnetic film and protective film are not limited to these.

本実施例ではめっき槽、配管、ポンプ、フィル乎」声;
チー上1係−絣播あるいはPVDFのいわゆるフッ素系
樹脂で形成したが、この一部をポリプロポリプロピレン
で形成するなどは、もちろん可能である。
In this example, the plating tank, piping, pump, and filter are used.
Qi Upper Section 1 - Although it was formed using a so-called fluororesin such as Kasuri-setsu or PVDF, it is of course possible to form a part of it from polypropylene.

実施例5 本実施例は第6図にその構成を示した。先の実施例と異
なる点は、第6図で、6に示した冷却部と7に示した補
給系統用ポンプを設けたことである。
Embodiment 5 The configuration of this embodiment is shown in FIG. The difference from the previous embodiment is that in FIG. 6, a cooling section shown at 6 and a supply system pump shown at 7 are provided.

つまり、実施例4では2の補給部において、直接補給液
を循環するめっき本流に投入していたのに対し、本実施
例では別途引込み冷却しためっき液に補給液を投入し、
これを3のポンプ上流で合流させる。これを補給系統の
めっき液と以下呼ぶことにする。
In other words, in Example 4, the replenishment liquid was directly input into the circulating main flow of plating in the second replenishment section, whereas in this example, the replenishment liquid was input into the plating liquid that was separately drawn in and cooled.
These are combined upstream of pump No. 3. This will hereinafter be referred to as the plating solution for the supply system.

補給系統を設ける目的はめっき液を不安定な状態にしな
いで、めっき成分を補給するためである。
The purpose of providing a replenishment system is to replenish plating components without making the plating solution unstable.

液温低下によりめっき速度は急激に減少し、75°C以
下ではほとんどめっき反応は停止する。
The plating rate decreases rapidly as the liquid temperature decreases, and the plating reaction almost stops below 75°C.

90℃の高温状態に直接補給液を投下すると、めっき液
が不安定となり、液分解の危険性が高まり、あるいは液
中に微粒子を形成し、めっき欠陥を発生させる。従って
めっき液を冷却し60〜80℃程度、さらに好ましくは
65〜75℃の範囲で補給することである。
If the replenishment solution is directly dropped into a high temperature state of 90° C., the plating solution becomes unstable, increasing the risk of solution decomposition, or forming fine particles in the solution, causing plating defects. Therefore, the plating solution should be cooled and replenished at about 60 to 80°C, more preferably at 65 to 75°C.

80℃以上であると冷却補給の効果があまり出す、60
℃以下であるとめっき設備全体の消費熱量が徒らに増す
ばかりで、メリットが無い。
If the temperature is 80℃ or higher, cooling replenishment will not be effective.
If the temperature is below ℃, the amount of heat consumed by the entire plating equipment increases unnecessarily, and there is no benefit.

本実施例での補給時の液温は75℃とした。The liquid temperature during replenishment in this example was 75°C.

補給系統構成の要点は、第6図で示したようにポンプの
前で冷却し、さらに冷却後の液がポンプに入る直前で補
給してやることであるにれによりポンプは補給液とめっ
き液を混合撹拌するミキサーの役目も兼ねられる。
The main point of the replenishment system configuration is to cool the liquid before the pump, as shown in Figure 6, and then replenish the cooled liquid just before it enters the pump.This allows the pump to mix the replenishment liquid and plating solution. It can also serve as a mixer.

尚、4,5を通過する流量を100とすると、補給系統
に流れる流量は5〜20程度が好適である。
Incidentally, assuming that the flow rate passing through 4 and 5 is 100, the flow rate flowing into the replenishment system is preferably about 5 to 20.

5以下であると、補給液に対して7を流れる流量が少な
すぎて、補給の安定性に欠ける。20以上であると、5
の熱交換器で要する熱量が増加し、めっき装置全体の消
費熱量が増すばかりでそれ以上の効果は出ない。
If it is less than 5, the flow rate of the replenishment liquid flowing through 7 is too small, resulting in lack of stability in replenishment. If it is 20 or more, 5
The amount of heat required by the heat exchanger increases, the amount of heat consumed by the entire plating equipment increases, and no further effect is produced.

本実施例では、その比を10とした。In this example, the ratio was set to 10.

なお、7のポンプ通過後のめっき液が循環系統のめっき
液流と合流するまでの間で、フィルターを設置してろ過
しても、もちろん良い。
Note that it is of course possible to install a filter to filter the plating solution after passing through the pump in step 7 before it joins the plating solution flow in the circulation system.

第6図の装置構成による効果、特長の一つに、4のフィ
ルター内のめっき析出の防止が挙げられる。これは6で
80℃以下に冷却された液が、3のポンプ直前で合流す
るため、1のめっき槽を出る時は90℃であった液も、
液温が低下する。液温低下の度合は、3と7のポンプ流
量比と7を通過する液温にもよるが、本実施例では85
℃となった。
One of the effects and features of the apparatus configuration shown in FIG. 6 is prevention of plating precipitation inside the filter (4). This is because the liquid that was cooled to below 80°C in step 6 joins just before the pump in step 3, so the liquid that was at 90°C when leaving the plating tank in step 1 is also
Liquid temperature decreases. The degree of liquid temperature drop depends on the pump flow rate ratio between 3 and 7 and the temperature of the liquid passing through 7, but in this example it is 85.
It became ℃.

この液温低下によりめっき反応析出の駆動力はかなり急
激に低下するため、3のポンプ、4のフィルター内部で
のN1−P 析出事故の危険性が大巾に低減できる。従
来装置では、液温90℃ろ過する場合が多く、そのため
時としてフィルター内部で捕捉された異物等を核として
N1−P膜が析出し極端な場合は、めっき装置停止まで
になった。
Since the driving force for the plating reaction and precipitation decreases considerably due to this drop in liquid temperature, the risk of N1-P precipitation accidents inside the pump 3 and the filter 4 can be greatly reduced. In conventional equipment, the liquid temperature is often filtered at 90°C, and as a result, the N1-P film sometimes precipitates from foreign matter captured inside the filter, and in extreme cases, the plating equipment has to be stopped.

第6図と第5図を比較しての相違の一つに、補給されて
から加熱されるまでの時間の差がある。
One of the differences when comparing FIG. 6 and FIG. 5 is the difference in time from replenishment to heating.

図より明らかなように、第6図の場合の方が、補給系統
の流路を通過する分だけその時間が長い。
As is clear from the figure, the time in the case of FIG. 6 is longer due to the passage through the flow path of the supply system.

補給後には中和反応と、ニッケルと錯化剤のキレート化
反応が起きるが、加熱部の危険な高温に接触するまでに
これら反応があらかた終了する必要がある。
After replenishment, a neutralization reaction and a chelation reaction between nickel and the complexing agent occur, but these reactions must be completed before the nickel comes into contact with the dangerously high temperatures of the heating section.

第6図の方が、液の通過経路が長い分だけ、補給から過
熱までの時間が長く、上記の点で好ましい。具体的には
めっき液の分解防止による安定性の向上と、欠陥の低減
、めっき液寿命の延長に効果を持つ。反応時間を考慮し
た上で、配管経路の長さを決定することが重要である。
The case shown in FIG. 6 is preferable from the above point because the time from replenishment to overheating is longer due to the longer path through which the liquid passes. Specifically, it is effective in improving stability by preventing decomposition of the plating solution, reducing defects, and extending the life of the plating solution. It is important to determine the length of the piping route by considering the reaction time.

以下実施例4と同様にして5086A Q合金のディス
ク用基板300枚を用いて化学N1−Pめっきを行なっ
た。前処理、N1−Pめっき条件、めっき液N1−Pめ
っき後の測定を行なった結果、膜厚分布は15±0.9
 p va、膜中リン含有率12.6±0.2wt%お
よび、280℃×3時間加熱後の磁化量が0.8〜4.
0Gと実施例1とほぼ同等の結果を得た。
Thereafter, chemical N1-P plating was performed in the same manner as in Example 4 using 300 disk substrates made of 5086A Q alloy. As a result of pre-treatment, N1-P plating conditions, plating solution and measurement after N1-P plating, the film thickness distribution was 15±0.9
p va, the phosphorus content in the film was 12.6±0.2 wt%, and the amount of magnetization after heating at 280°C for 3 hours was 0.8 to 4.
Almost the same results as 0G and Example 1 were obtained.

めっき面上のφ5μI5±1欠陥発生率は実施例4の2
.3%よりさらに、低下し、1.0%であった。
The φ5μI5±1 defect occurrence rate on the plated surface was 2 of Example 4.
.. It decreased further from 3% to 1.0%.

めっき液寿命に関しては、めっき液建浴時に浴中に含ま
れるニッケルを全部入換るまでめっきすることを1ター
ンとすると、実施例4では4.2ターンまで使用した状
態でめっき欠陥が増加したために液寿命と判断、液を更
新した。
Regarding the life of the plating solution, if one turn is defined as plating until all the nickel contained in the bath is replaced when the plating solution is prepared, in Example 4, plating defects increased after 4.2 turns were used. It was determined that the fluid lifespan was reached, and the fluid was renewed.

実施例5の装置では5.5ターンまでめっきが可能であ
った。
The apparatus of Example 5 was capable of plating up to 5.5 turns.

めっき欠陥、液寿命が改善できたのは、実施例5の方が
、より安全に、安定してめっき液成分補給ができるため
である。
The reason why plating defects and solution life could be improved is that in Example 5, plating solution components could be replenished more safely and stably.

N1−P 化学めっき後の基板は実施例4と同じように
して、その後、機械加工を行ない、磁気記録暎と保護膜
を形成し、薄膜スパッタ磁気ディスクとして完成した。
The substrate after N1-P chemical plating was machined in the same manner as in Example 4, and a magnetic recording layer and a protective film were formed thereon to complete a thin film sputtered magnetic disk.

本ディスクの電磁気特性を測定した所、31,000B
PIの高記録密度を達成し、さらに信号ビットエラーが
Oケ/面の歩留まりは50面150面の高成績を示し、
非常に特性の優れた磁気ディスクを完成できた。
When we measured the electromagnetic characteristics of this disk, it was 31,000B.
Achieved high recording density of PI, and also showed a high yield of 50 sides and 150 sides with no signal bit errors.
We were able to complete a magnetic disk with extremely excellent characteristics.

上述した実施例4,5によれば、補給液をポンプの吸入
口付近に投入するから、ポンプ自体が優秀な撹拌混合機
として活用できる。
According to the fourth and fifth embodiments described above, since the replenishment liquid is introduced near the suction port of the pump, the pump itself can be used as an excellent stirring mixer.

更に、フィルターとめっき検量に加熱部、熱交換部を設
置することにより、めっき槽内でめっき液流動が単純で
均一になりめっき厚分布の向上と、m≠学系樹脂若しく
はポリプロピレン系の材料にすれば、これらの材料表面
上では、本質的にめっき反応は生じないため、めっき液
の槽や配管材料からの汚染がなくなるという効果があり
ます。
Furthermore, by installing a heating section and a heat exchange section in the filter and plating calibration, the flow of the plating solution in the plating tank becomes simple and uniform, which improves the plating thickness distribution and makes it possible to use m≠ chemical resins or polypropylene materials. This has the effect of eliminating contamination from the plating solution tank and piping materials because essentially no plating reaction occurs on the surfaces of these materials.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明のめっき方法及びめっき液により形成できるN1
−Pめっき膜は、非晶質構造が安定なために、高温処理
における非磁性特性や基板の変形の原因となる内部応力
の低い点に優れ、かつ、めっき欠陥も少ないことなどか
ら、特にスパッタ磁気ディスク下地膜用の高性能化学ニ
ッケルめっき膜として従来技術と比較して優れた特性を
有する。
N1 that can be formed by the plating method and plating solution of the present invention
- P-plated film has a stable amorphous structure, so it has excellent non-magnetic properties during high-temperature processing and low internal stress that causes substrate deformation, and has few plating defects, so it is especially suitable for sputtering. As a high-performance chemical nickel plating film for magnetic disk underlayers, it has superior properties compared to conventional technology.

めっき液自体も安定であるため、制御液管理が容易であ
り、めっき液寿命も十分に長い。このため作業性、経済
性の点から大きな特長を持つ。
Since the plating solution itself is stable, control solution management is easy and the plating solution has a sufficiently long life. Therefore, it has great features in terms of workability and economy.

そのため本発明を用いることにより、高記録密度スパッ
タ磁気ディスクを実現できるのはもちろんであるが、 
それ以外の各種のN1−Pめっき膜を必要とする電子部
品や耐熱機能部品への適用、実用化も可能であり、その
産業上への効果は絶大なるものである。
Therefore, by using the present invention, it is possible to realize a high recording density sputtered magnetic disk, but
It is also possible to apply and put it to practical use in other types of electronic parts and heat-resistant functional parts that require N1-P plating films, and its industrial effects will be tremendous.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明のN1−Pめっき膜のEXAFS構造
解析の結果を示した特性曲線図、第2図は、ニッケルフ
リーイオン濃度とpH,錯化剤の関係を示した曲線図、
第3図(a)、(b)、(c)は、錯化剤/ニッケルの
モル比とニッケルフリーイオン濃度との関係を示した特
性曲線図、そして第4図(a)、(b)、(c)、(d
)は、それぞれ本発明の実施例となる錯化剤の組成範囲
とめっき液安定性:ターン数との関係を示した特性曲線
図である。 第5図は、本発明の化学ニッケルめっきの装置構成に関
する一実施例を示す。第6図は、第5図の装置に、改善
された補給系統を設けた化学ニッケルめっき装置に関す
る他の実施例を示す。 躬 I 月 (P″1e−A;py* )x ノρρEXAF−5t
SJss/−pたき膿の−m島千ネ1づ晒=イ更n弓 あ、5□膿s 肩 2 団 躬4虐 <cL) j血酉斐アシし二つへ濃3.  (”/lン第5閃 第6Z
FIG. 1 is a characteristic curve diagram showing the results of EXAFS structural analysis of the N1-P plating film of the present invention, and FIG. 2 is a curve diagram showing the relationship between nickel-free ion concentration, pH, and complexing agent.
Figures 3(a), (b), and (c) are characteristic curve diagrams showing the relationship between the complexing agent/nickel molar ratio and the nickel-free ion concentration, and Figures 4(a), (b) , (c), (d
) are characteristic curve diagrams showing the relationship between the composition range of the complexing agent and the plating solution stability: number of turns, respectively, which are examples of the present invention. FIG. 5 shows an embodiment of the chemical nickel plating apparatus configuration of the present invention. FIG. 6 shows another embodiment of a chemical nickel plating apparatus in which the apparatus of FIG. 5 is provided with an improved supply system.謬 I month (P″1e-A; py* ) x ノρρEXAF-5t
SJss/-p Takipus no-m Shima Senne 1zu exposed = Isara n Yumi, 5□puss shoulder 2 group 4 torture<cL) j Ketsuto Ashishi two to thick 3. (”/ln 5th flash 6Z

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、ニッケル塩水溶液に、還元剤として次亜リン酸また
はその塩を溶解すると共に、めっき時のpHと、アルカ
リ補給液のpHとの間の全pH領域において、平衡論的
に亜リン酸ニッケルおよび水酸化ニッケルの沈澱が生じ
ないように、錯化剤を組合せ選択して添加したことを特
徴とする化学ニッケルめっき液。 2、ニッケル塩水溶液に、還元剤として次亜リン酸また
はその塩を溶解すると共に錯化剤としてリンゴ酸、グリ
シン及びグルコン酸を溶解して成ることを特徴とする化
学ニッケルめっき液。 3、前記化学ニッケルめっき液を構成するニッケルの濃
度が0.09〜0.20mol/l、次亜リン酸濃度が
0.10〜0.45mol/l、リンゴ酸濃度が0.1
8〜0.75mol/l、グリシン濃度が0.14〜0
.50mol/l、グルコン酸濃度が0.09〜0.3
0mol/lであることを特徴とする請求項2記載の化
学ニッケルめっき液。4、ニッケル塩水溶液に、還元剤
として次亜リン酸またはその塩を溶解すると共に錯化剤
としてリンゴ酸、グリシン、アンモニウムを溶解して成
ることを特徴とする化学ニッケルめっき液。 5、前記化学ニッケルめっき液を構成するニッケルの濃
度が0.09〜0.20mol/l、次亜リン酸濃度が
0.10〜0.45mol/l、リンゴ酸濃度が0.1
8〜0.75mol/l、グリシン濃度が0.14〜0
.50mol/l、アンモニウム濃度が0.09〜0.
30mol/lであることを特徴とする請求項4記載の
化学ニッケルめっき液。 6、前記化学ニッケルめっき液に陰イオン界面活性剤を
添加して成ることを特徴とする請求項2、3、4もしく
は5記載の化学ニッケルめっき液。 7、前記陰イオン界面活性剤が、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエ
ーテルリン酸塩、アルキルリン酸エステル及びアルキル
硫酸エステルより成る群から選ばれた少なくとも一種か
、もしくはフルオロアルキルカルボン酸、フルオロアル
キル硫酸、フルオロアルキルリン酸及びそれらの塩類よ
り成る群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴
とする請求項1記載の化学ニッケルめっき液。 8、前記陰イオン界面活性剤の濃度が1mg/l〜20
0mg/lであることを特徴とする請求項1もしくは2
記載の化学ニッケルめっき液。 9、前記陰イオン界面活性剤の濃度が5mg/l〜10
0mg/lであることを特徴とする請求項1もしくは2
記載の化学ニッケルめっき液。 10、前記化学ニッケルめっき液のpHが4.0〜7.
0であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記
載の化学ニッケルめっき液。 11、所望の被めっき基板を準備する工程;前記被めっ
き基板表面を活性化処理する工程;前記活性化処理され
た被めっき基板をニッケル塩水溶液に次亜リン酸または
その塩を還元剤として添加すると共にニッケルイオンの
錯化剤としてヒドロキシ酸、グリシン及びグルコン酸か
アンモニウムのどちらか一方を溶解して成る化学ニッケ
ルめっき液に浸漬することにより前記被めっき基板上に
化学ニッケルめっきを行なう工程;及び前記基板を前記
化学ニッケルめっき液から引上げ洗浄、乾燥する工程か
ら成ることを特徴とする化学ニッケルめっき液の使用方
法。 12、前記錯化剤のヒドロキシ酸は、鎖状のヒドロキシ
酸であり、具体的にはリンゴ酸、クエン酸、グリコール
酸、酒石酸の中から選ばれた一種であることを特徴とす
る請求項11記載の化学ニッケルめっき液の使用方法。 13、前記被めっき基板が非磁性基板から成ることを特
徴とする請求項11若しくは12記載の化学ニッケルめ
っき液の使用方法。 14、前記活性化処理として、前記被めっき基板にニッ
ケルよりもイオン化傾向の大な金属被膜を形成しておく
ことを特徴とする請求項1若しくは2若しくは3記載の
化学ニッケルめっき液の使用方法。 15、前記ニッケルめっき液に陰イオン界面活性剤を添
加することを特徴とする請求項11、12、13若しく
は14記載の化学ニッケルめっき液の使用方法。 16、前記非磁性基板としてアルミニウム合金、マグネ
シウム合金、セラミックス、ガラスまたはプラスチック
スのいずれか一者から成ることを特徴とする請求項13
記載の化学ニッケルめっき液の使用方法。 17、前記ニッケルよりもイオン化傾向の大な金属被膜
として亜鉛被膜を形成することを特徴とする請求項14
記載の化学ニッケルめっき液の使用方法。 18、前記被めっき基板としてアルミニウム合金を準備
し、前記基板の活性化処理工程として亜鉛被膜を形成し
、化学ニッケルめっき液としてニッケル塩水溶液に、次
亜リン酸またはその塩を還元剤として添加すると共に錯
化剤としてリンゴ酸、グリシン及びグルコン酸を溶解し
、添加剤として陰イオン界面活性剤を加えたことを特徴
とする請求項11記載の化学ニッケルめっき液の使用方
法。 19、前記被めっき基板としてアルミニウム合金を準備
し、前記基板の活性化処理工程として亜鉛被膜を形成し
、化学ニッケルめっき液としてニッケル塩水溶液に、次
亜リン酸またはその塩を還元剤として添加すると共に錯
化剤としてリンゴ酸、グリシン、アンモニウムを溶解し
、添加剤として陰イオン界面活性剤を加えたことを特徴
とする請求項12記載の化学ニッケルめっき液の使用方
法。 20、前記化学ニッケルめっき液のpHを4.0〜7.
0としたことを特徴とする請求項11、12、18若し
くは19記載の化学ニッケルめっき液の使用方法。 21、めっき槽と、循環ポンプと、フィルタと、加熱部
と、めっき槽とからなり、その順に該めっき液の循環経
路が設けられており該めっき槽と該循環ポンプとの間に
て、該めっき液の消費成分を補給することにより該化学
ニッケルめっきを行なうことを特徴とする請求項11記
載の化学ニッケルめっき液の使用方法。 22、該めっき槽、該循環ポンプ、該フィルター、該加
熱部、若しくは配管のうち該めっき液と接触する部分の
材質が、フッ素系樹脂 若しくはポリプロピレン樹脂のいずれか一方又はその共
用の材質であることを特徴とする請求項21記載の化学
ニッケルめっき液の使用方法。
[Claims] 1. Hypophosphorous acid or its salt is dissolved as a reducing agent in a nickel salt aqueous solution, and equilibrium theory is applied in the entire pH range between the pH during plating and the pH of the alkaline replenishment solution. A chemical nickel plating solution characterized in that a combination of complexing agents is added in a selected manner so as to prevent precipitation of nickel phosphite and nickel hydroxide. 2. A chemical nickel plating solution characterized by dissolving hypophosphorous acid or its salt as a reducing agent and malic acid, glycine, and gluconic acid as complexing agents in a nickel salt aqueous solution. 3. The concentration of nickel constituting the chemical nickel plating solution is 0.09 to 0.20 mol/l, the concentration of hypophosphorous acid is 0.10 to 0.45 mol/l, and the concentration of malic acid is 0.1.
8-0.75 mol/l, glycine concentration 0.14-0
.. 50 mol/l, gluconic acid concentration 0.09-0.3
The chemical nickel plating solution according to claim 2, characterized in that it has a concentration of 0 mol/l. 4. A chemical nickel plating solution characterized by dissolving hypophosphorous acid or its salt as a reducing agent and malic acid, glycine, and ammonium as complexing agents in a nickel salt aqueous solution. 5. The concentration of nickel constituting the chemical nickel plating solution is 0.09 to 0.20 mol/l, the concentration of hypophosphorous acid is 0.10 to 0.45 mol/l, and the concentration of malic acid is 0.1.
8-0.75 mol/l, glycine concentration 0.14-0
.. 50 mol/l, ammonium concentration 0.09-0.
The chemical nickel plating solution according to claim 4, characterized in that the concentration is 30 mol/l. 6. The chemical nickel plating solution according to claim 2, 3, 4 or 5, characterized in that an anionic surfactant is added to the chemical nickel plating solution. 7. The anionic surfactant is selected from the group consisting of polyoxyethylene alkyl ether sulfate, polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfate, polyoxyethylene alkyl ether phosphate, alkyl phosphate, and alkyl sulfate. 2. The chemical nickel plating solution according to claim 1, wherein the chemical nickel plating solution is at least one selected from the group consisting of fluoroalkyl carboxylic acid, fluoroalkyl sulfuric acid, fluoroalkyl phosphoric acid, and salts thereof. 8. The concentration of the anionic surfactant is 1 mg/l to 20
Claim 1 or 2 characterized in that the concentration is 0 mg/l.
Chemical nickel plating solution as described. 9. The concentration of the anionic surfactant is 5 mg/l to 10
Claim 1 or 2 characterized in that the concentration is 0 mg/l.
Chemical nickel plating solution as described. 10. The pH of the chemical nickel plating solution is 4.0 to 7.
10. The chemical nickel plating solution according to claim 1, wherein the chemical nickel plating solution is 0. 11. Step of preparing a desired substrate to be plated; Step of activating the surface of the substrate to be plated; Adding the activated substrate to a nickel salt aqueous solution with hypophosphorous acid or its salt as a reducing agent. and performing chemical nickel plating on the substrate to be plated by immersing it in a chemical nickel plating solution prepared by dissolving hydroxy acid, glycine, and either gluconic acid or ammonium as a complexing agent for nickel ions; and A method for using a chemical nickel plating solution, comprising the steps of lifting the substrate from the chemical nickel plating solution, cleaning it, and drying it. 12. Claim 11, wherein the hydroxy acid of the complexing agent is a chain hydroxy acid, specifically one selected from malic acid, citric acid, glycolic acid, and tartaric acid. How to use the chemical nickel plating solution described. 13. The method of using a chemical nickel plating solution according to claim 11 or 12, wherein the substrate to be plated is a nonmagnetic substrate. 14. The method of using a chemical nickel plating solution according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the activation treatment comprises forming a metal film having a higher ionization tendency than nickel on the substrate to be plated. 15. The method of using a chemical nickel plating solution according to claim 11, 12, 13 or 14, characterized in that an anionic surfactant is added to the nickel plating solution. 16. Claim 13, wherein the nonmagnetic substrate is made of one of aluminum alloy, magnesium alloy, ceramics, glass, and plastics.
How to use the chemical nickel plating solution described. 17. Claim 14, characterized in that a zinc coating is formed as the metal coating that has a greater ionization tendency than the nickel.
How to use the chemical nickel plating solution described. 18. Prepare an aluminum alloy as the substrate to be plated, form a zinc film as an activation treatment process for the substrate, and add hypophosphorous acid or its salt as a reducing agent to a nickel salt aqueous solution as a chemical nickel plating solution. 12. The method of using a chemical nickel plating solution according to claim 11, further comprising dissolving malic acid, glycine and gluconic acid as complexing agents, and adding an anionic surfactant as an additive. 19. Prepare an aluminum alloy as the substrate to be plated, form a zinc film as an activation treatment process of the substrate, and add hypophosphorous acid or its salt as a reducing agent to a nickel salt aqueous solution as a chemical nickel plating solution. 13. The method for using a chemical nickel plating solution according to claim 12, further comprising dissolving malic acid, glycine, and ammonium as complexing agents, and adding an anionic surfactant as an additive. 20. The pH of the chemical nickel plating solution is 4.0 to 7.
20. The method for using a chemical nickel plating solution according to claim 11, 12, 18 or 19, characterized in that the chemical nickel plating solution is set to 0. 21. It consists of a plating tank, a circulation pump, a filter, a heating section, and a plating tank, and a circulation path for the plating solution is provided in this order, and between the plating tank and the circulation pump, the plating solution is 12. The method of using a chemical nickel plating solution according to claim 11, wherein the chemical nickel plating is carried out by replenishing consumed components of the plating solution. 22. The material of the plating tank, the circulation pump, the filter, the heating section, or the part of the piping that comes into contact with the plating solution is either fluororesin or polypropylene resin, or a combination of both. 22. The method of using the chemical nickel plating solution according to claim 21.
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