JPH01197678A - 超伝導磁力計 - Google Patents
超伝導磁力計Info
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- JPH01197678A JPH01197678A JP63022217A JP2221788A JPH01197678A JP H01197678 A JPH01197678 A JP H01197678A JP 63022217 A JP63022217 A JP 63022217A JP 2221788 A JP2221788 A JP 2221788A JP H01197678 A JPH01197678 A JP H01197678A
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Landscapes
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は航空機等に搭載して地磁気程度の弱磁界を高
感度で測定する超伝導磁力計に関するものである。
感度で測定する超伝導磁力計に関するものである。
第2図は従来の超伝導磁力計の一実施例を示す構成図で
、(1)はジョセフノン接合、(2)は超伝導リング、
(3)は帰還変調コイル、(4)は電池、(5)は可変
抵抗、(6)は増幅器、(7)は位相検波器、(8)は
RF発振器、(9)は帰還抵抗、α呻はsQσより(月
uper QUamt−um Interferenc
e Device )センナ部、Qυは信号伝送線であ
る。なお、この発明に関連しない構成品は省略しである
。超伝導リング(2)はここでは2つのトンネル型ジョ
セフソン接合+11をもつ高温超伝導体で1例えばY−
Ba−Ou−0の酸化物系のものであシ、その形状は約
200μ771X200μmの正方形でそのリング幅は
約20μ馬、厚さは約10μ島の平面型なものである。
、(1)はジョセフノン接合、(2)は超伝導リング、
(3)は帰還変調コイル、(4)は電池、(5)は可変
抵抗、(6)は増幅器、(7)は位相検波器、(8)は
RF発振器、(9)は帰還抵抗、α呻はsQσより(月
uper QUamt−um Interferenc
e Device )センナ部、Qυは信号伝送線であ
る。なお、この発明に関連しない構成品は省略しである
。超伝導リング(2)はここでは2つのトンネル型ジョ
セフソン接合+11をもつ高温超伝導体で1例えばY−
Ba−Ou−0の酸化物系のものであシ、その形状は約
200μ771X200μmの正方形でそのリング幅は
約20μ馬、厚さは約10μ島の平面型なものである。
帰還変調コイル(3)は上記超伝導リング(2)と同じ
物質で、その形状も上記超伝導リング(2)と同一で、
後述する位相検波器(7)の出力を帰還抵抗(9)を介
した帰還電流と、RF発振器(8)からの変調電流をト
ランス結合によシ上記超伝導リング(2)に伝達する。
物質で、その形状も上記超伝導リング(2)と同一で、
後述する位相検波器(7)の出力を帰還抵抗(9)を介
した帰還電流と、RF発振器(8)からの変調電流をト
ランス結合によシ上記超伝導リング(2)に伝達する。
電池(4)と可変抵抗(5)は前記超伝導リング(2)
の動作点を設定する。増幅器(6)は低雑音増幅器で上
記超伝導リング(2)の出力を信号伝送線住υを介して
所要の信号対雑音比を維持して増幅する。位相検波器(
7)は上記増幅器(6)の出力をここでは100KHz
のRF発振器(8)の出力信号を基準信号として位相検
波する。ここでは、ジョセフソン接合(1)、超伝導リ
ング(2)及び帰還変調コイル(3)で構成される部分
をSQ[Tよりセンサ部σ〔と称することにする。
の動作点を設定する。増幅器(6)は低雑音増幅器で上
記超伝導リング(2)の出力を信号伝送線住υを介して
所要の信号対雑音比を維持して増幅する。位相検波器(
7)は上記増幅器(6)の出力をここでは100KHz
のRF発振器(8)の出力信号を基準信号として位相検
波する。ここでは、ジョセフソン接合(1)、超伝導リ
ング(2)及び帰還変調コイル(3)で構成される部分
をSQ[Tよりセンサ部σ〔と称することにする。
上述した超伝導磁力計はda EIQ、σより磁力計と
称されるもので、以下にこの動作原理の概要について述
べる。
称されるもので、以下にこの動作原理の概要について述
べる。
第3図はdcsQσよりによる磁束検出方法の説明図、
第4図はda 8qU工pにおける変調方式の説明図で
ある。
第4図はda 8qU工pにおける変調方式の説明図で
ある。
衆知のように、超伝導体内では電子は対(クーパー・ベ
ア)になって電気抵抗が零のコヒーレントな電流が流れ
ている。ジョセフソン接合においては電子波に位相差が
生じ、電流工は次式で表わされる。
ア)になって電気抵抗が零のコヒーレントな電流が流れ
ている。ジョセフソン接合においては電子波に位相差が
生じ、電流工は次式で表わされる。
工■工(Bgln f) −−−−−
−−−・(11ここに、工。:超伝導臨界電流 θ :位相差 である。
−−−・(11ここに、工。:超伝導臨界電流 θ :位相差 である。
また、超伝導のリング内では、リング内磁束をΦ、磁束
量子をΦ。(2,01×10 Wb)と表わすとき・
e−n@。 (。0整、)、−00,−1(2
+が成立する。2つのジョセフソン接合の超伝導臨界電
流を工。、電子波の位相差を01.θ2とすると。
量子をΦ。(2,01×10 Wb)と表わすとき・
e−n@。 (。0整、)、−00,−1(2
+が成立する。2つのジョセフソン接合の超伝導臨界電
流を工。、電子波の位相差を01.θ2とすると。
ジョセフソン効果の基本から。
ニーIC5IhIθ1+工Cglnθ2 ・・・・
−・−(3)と表わされ、超伝導リングにおけるフラク
ソイドの量子化から。
−・−(3)と表わされ、超伝導リングにおけるフラク
ソイドの量子化から。
となる。つま、9.ジョセフソン素子の両側に生ずる位
相差はリングを貫く磁束Φによって決定される。第(3
)式と第(4)式から、n−0のときが得られる。
相差はリングを貫く磁束Φによって決定される。第(3
)式と第(4)式から、n−0のときが得られる。
dCBqσよりにおいては、リング内磁束ΦがnΦ。
か(n + 2 )Φ。かによって、第3図の曲線A及
び曲線Bに示したようにニーV特性が変るので1図に示
したように超伝導臨界電流I0より若干太きい電流より
を印加しておくと、電圧Vは振幅がΔVでΦ。を周期関
数とする値となる。ここで。
び曲線Bに示したようにニーV特性が変るので1図に示
したように超伝導臨界電流I0より若干太きい電流より
を印加しておくと、電圧Vは振幅がΔVでΦ。を周期関
数とする値となる。ここで。
超伝導リング(2)の動作点を第4図のD点に設定して
RF’発振器(8)から100 KHzの交流磁束を加
えると、その出力は変調周波数の2倍の周波数つまシ2
00 KHz成分だけであるが、ここに外部磁束Φが加
わると100 KHz成分が生ずる。この信号を位相検
波器(7)で処理してその出力を帰還変調コイル(3)
に帰還すると、帰還電流工fが外部磁束の値を示すこと
になシ、この値から外部磁界の強度を知ることができる
。
RF’発振器(8)から100 KHzの交流磁束を加
えると、その出力は変調周波数の2倍の周波数つまシ2
00 KHz成分だけであるが、ここに外部磁束Φが加
わると100 KHz成分が生ずる。この信号を位相検
波器(7)で処理してその出力を帰還変調コイル(3)
に帰還すると、帰還電流工fが外部磁束の値を示すこと
になシ、この値から外部磁界の強度を知ることができる
。
第4図におけるΔVは外部磁束と超伝導リング(2)の
インダクタンスの関係とジョセフソン接合のニーV特性
の動作点における勾配から決定されるが2通常、数μV
と微少な電圧信号である。
インダクタンスの関係とジョセフソン接合のニーV特性
の動作点における勾配から決定されるが2通常、数μV
と微少な電圧信号である。
また、第2図において、電池(4)、可変抵抗器(5)
。
。
増幅器(6)1位相検波器(7)、RF発撮器(8)の
電子回路および電子部品は、それらが発生する磁気雑音
がda fitQσより磁力計へ悪影響を与えないよう
に。
電子回路および電子部品は、それらが発生する磁気雑音
がda fitQσより磁力計へ悪影響を与えないよう
に。
通常e BQ■よりセンサi5員から約5扉以上離し
て設置されている。
て設置されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述したda BQσより磁力計は理論上10 ガンマ
(1ガンマ−10θ0)以上の高感度を有するが、超伝
導リングの出力電圧が数μV程度と微少であり、かつこ
の信号を約5m以上離れた増幅器に伝送しなければなら
ないため、信号伝送線にシールドを施しても外部からの
誘導電磁界によって。
(1ガンマ−10θ0)以上の高感度を有するが、超伝
導リングの出力電圧が数μV程度と微少であり、かつこ
の信号を約5m以上離れた増幅器に伝送しなければなら
ないため、信号伝送線にシールドを施しても外部からの
誘導電磁界によって。
系の作動が不安定になシやすい難点があった。特に、こ
のda 8Q、σより磁力計を航空機等に搭載して地磁
気等を測定する場合には、搭載されている他の電子機器
等が発生する電磁界信号の誘導を強く受け、系を安定に
作動させることは極めて困難である。
のda 8Q、σより磁力計を航空機等に搭載して地磁
気等を測定する場合には、搭載されている他の電子機器
等が発生する電磁界信号の誘導を強く受け、系を安定に
作動させることは極めて困難である。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、外部からの電磁界の誘導を受けに<<シて作動
が安定な超伝導磁力計を得ることを目的とする。
もので、外部からの電磁界の誘導を受けに<<シて作動
が安定な超伝導磁力計を得ることを目的とする。
この発明に係る超伝導磁力計は、超伝導リングからの電
圧出力を光信号に変換する非磁性光電変換器と、この非
磁性光電変換器の出力光を所要の長さ伝送する光ファイ
バーと、この光ファイバーからの出力光を電圧信号に変
換する光′1変換器とを備えたものである。
圧出力を光信号に変換する非磁性光電変換器と、この非
磁性光電変換器の出力光を所要の長さ伝送する光ファイ
バーと、この光ファイバーからの出力光を電圧信号に変
換する光′1変換器とを備えたものである。
この発明における非磁性の光電変換器と所要の長さの光
ファイバーおよび光電変換器の信号伝送系によシ、外部
からの電磁界の誘導を受けにくくする。
ファイバーおよび光電変換器の信号伝送系によシ、外部
からの電磁界の誘導を受けにくくする。
第1図はこの発明の一実施例を示す構成図で。
(13は非磁性光電変換器、ajは光ファイバー、α尋
は光電変換器である。図中、この発明に関連しない構成
品については省略しである。非磁性光電変換器(I3は
、ここではAlGaAs/GaAsの発光ダイオードで
860μmに発光スペクトルのピークを有し。
は光電変換器である。図中、この発明に関連しない構成
品については省略しである。非磁性光電変換器(I3は
、ここではAlGaAs/GaAsの発光ダイオードで
860μmに発光スペクトルのピークを有し。
ダイオードのベース等の機構部品は全て非磁性体の例え
ばF’ RP (Fiber Re1neforced
Plastic )で構成されていて、ダイオードの
バイアス電流による磁気雑音が悪影響を与えない範囲で
超伝導リング(2)の近傍に設置されていて、超伝導リ
ング(2)からの出力電圧を光信号に変換する。光ファ
イバーQ3.はS1系の光ファイバーで、そのコアー径
は約50μでその外周を厚さ約0.1籠のナイロンで被
覆してあシ、全長は約s、3mであり、上記非磁性光電
変換器住りの出力光を低損失で伝送する。光電変換器α
荀はここでは、 81系のAPD (Avalanc
hephoto Diode )で、上記光7アイバー
a3で伝送された微弱な光信号を高倍率で電圧信号に変
換して増幅器(6)へ送る。その他の構成品の機能は第
2図において説明したものと同一である。この非磁性光
電変換器αり、光ファイバーa3および光電変換器α◆
の系で伝送される信号は外部からの電磁界の誘。
ばF’ RP (Fiber Re1neforced
Plastic )で構成されていて、ダイオードの
バイアス電流による磁気雑音が悪影響を与えない範囲で
超伝導リング(2)の近傍に設置されていて、超伝導リ
ング(2)からの出力電圧を光信号に変換する。光ファ
イバーQ3.はS1系の光ファイバーで、そのコアー径
は約50μでその外周を厚さ約0.1籠のナイロンで被
覆してあシ、全長は約s、3mであり、上記非磁性光電
変換器住りの出力光を低損失で伝送する。光電変換器α
荀はここでは、 81系のAPD (Avalanc
hephoto Diode )で、上記光7アイバー
a3で伝送された微弱な光信号を高倍率で電圧信号に変
換して増幅器(6)へ送る。その他の構成品の機能は第
2図において説明したものと同一である。この非磁性光
電変換器αり、光ファイバーa3および光電変換器α◆
の系で伝送される信号は外部からの電磁界の誘。
導を受けにくい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、超伝導リングからの
微弱な電圧信号を光信号に変換し、この光信号を光ファ
イバーで所要の距離伝送した後。
微弱な電圧信号を光信号に変換し、この光信号を光ファ
イバーで所要の距離伝送した後。
高感度な光電変換器で電圧信号に変換するので。
外部からの電磁界の誘導を受けにくくなり2作動が安定
な超伝導磁力計を得ることができる効果がある。
な超伝導磁力計を得ることができる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す構成図、第2図は従
来の一実施例を示す構成図、第3図はdaSQUよりに
よる磁束検出方法の説明図、第4図はda SQ、[r
よりにおける変調方式の説明図である。 図において、(1)はジョセフソン接合、(2)は超伝
導リング、(3)は帰還変調コイル、(4)は電池、(
5)は可変抵抗、(6)は増幅器、(7)は位相検波器
、(8)はRF発振器、(9)は帰還抵抗、 Qlは8
QUよりセンサ部、αυは信号伝送線、azは非磁性光
電変換器、α1は光ファイバー、α◆は光電変換器であ
る。 °図中、同−符号は同一または相当部分を示す。
来の一実施例を示す構成図、第3図はdaSQUよりに
よる磁束検出方法の説明図、第4図はda SQ、[r
よりにおける変調方式の説明図である。 図において、(1)はジョセフソン接合、(2)は超伝
導リング、(3)は帰還変調コイル、(4)は電池、(
5)は可変抵抗、(6)は増幅器、(7)は位相検波器
、(8)はRF発振器、(9)は帰還抵抗、 Qlは8
QUよりセンサ部、αυは信号伝送線、azは非磁性光
電変換器、α1は光ファイバー、α◆は光電変換器であ
る。 °図中、同−符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 2つのジョセフソン接合をもつ超伝導リングと、上記超
伝導リングとトランス結合する帰還変調コイルと、上記
超伝導リングの動作点を設定する手段と、上記超伝導リ
ングの電圧信号を光信号に変換する非磁性の光電変換と
、上記非磁性の光電変換器の出力光を所要の距離伝送す
る光ファイバーと、上記光ファイバーの出力光を電圧信
号に変換する光電変換器と、上記光電変換器の出力を増
幅する増幅器と、上記増幅器の出力を、所定の高周波信
号を基準信号として位相検波する位相検波器と、上記位
相検波器の出力を電流信号にする帰還抵抗と、上記高周
波信号を上記帰還抵抗を介した電流信号と同時に上記帰
還変調コイルへ送出するRF発振器とを備えたことを特
徴とする超伝導磁力計
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63022217A JPH01197678A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 超伝導磁力計 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63022217A JPH01197678A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 超伝導磁力計 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01197678A true JPH01197678A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=12076635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63022217A Pending JPH01197678A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 超伝導磁力計 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01197678A (ja) |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP63022217A patent/JPH01197678A/ja active Pending
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