JPH01194430A - Tape carrier for tab - Google Patents

Tape carrier for tab

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Publication number
JPH01194430A
JPH01194430A JP63020757A JP2075788A JPH01194430A JP H01194430 A JPH01194430 A JP H01194430A JP 63020757 A JP63020757 A JP 63020757A JP 2075788 A JP2075788 A JP 2075788A JP H01194430 A JPH01194430 A JP H01194430A
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JP
Japan
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test
tape
semiconductor element
tape carrier
tab
Prior art date
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Pending
Application number
JP63020757A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Haruo Shimamoto
晴夫 島本
Hideya Ogoura
御秡如 英也
Hiroshi Seki
関 博司
Yasuhiro Teraoka
寺岡 康宏
Tetsuya Ueda
哲也 上田
Toru Tachikawa
立川 透
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63020757A priority Critical patent/JPH01194430A/en
Publication of JPH01194430A publication Critical patent/JPH01194430A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Abstract

PURPOSE:To perform a burn-in test in a tape state as it is by forming in advance an electrode pattern for the test on a tape member. CONSTITUTION:Electrode patterns 10a, 10b are formed along the insides of perforation holes 4 at both lateral side edges of a tape member 1, to be applied with an operation power source voltage for a burn-in test. It is directly connected to at least necessary one (or a plurality of) of lead terminals at devices. The patterns 10a, 10b are formed commonly continuously to the devices, or the pattern 10a is solely formed at each device. The pattern 10b side is commonly continuously formed. A test probe is sequentially connected to corresponding test pad 7c on the member 1 to perform a function test, thereby discriminating the propriety of each semiconductor element 3.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路装置におけるTAB用テー
プキャリアに関し、さらに詳しくは、可撓性フィルムの
表面にリード端子などの導体部を形成してなる可撓性フ
ィルム基板としての、いわゆるTAR川デ用ブキャリア
の改良に係るものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a tape carrier for TAB in a semiconductor integrated circuit device, and more specifically, to a tape carrier for forming a conductor such as a lead terminal on the surface of a flexible film. This invention relates to the improvement of a so-called TAR river carrier as a flexible film substrate.

〔従来の技術) この種の集積回路素子における電極接合技術としては、
従来から、いわゆる、ワイヤボンディング法が最も多く
かつ一般的に採用されているか、最近に至って、テープ
キャリアを用いた。いわゆるT A B  (Tapc
八utへmaLed Bording)を大が採用され
ようとしている。
[Prior art] Electrode bonding technology for this type of integrated circuit device is as follows:
Hitherto, the so-called wire bonding method has been most often and commonly employed, or, more recently, tape carriers have been used. So-called T A B (Tapc
Majority of maLed Boarding) is about to be adopted for eight years.

こSで、このTAB法によるテープキャリア。This S is a tape carrier using this TAB method.

つまり、TAB用デーブキャリアの概要構成を第4図(
a) 、 (b)ないし第7図に示す。
In other words, the general configuration of the TAB Dave carrier is shown in Figure 4 (
a), (b) to FIG. 7.

すなわち、これらの第4図(a) 、 (b)に示す従
来例構成において、符号lはテープキャリアJ、(材と
してのテープ部材であり、例えば、ポリイミドなどの可
撓性をイfする絶縁材料によって、長尺フィルム状に形
成されている。
That is, in the conventional configurations shown in FIGS. 4(a) and 4(b), reference numeral 1 indicates a tape carrier J, (a tape member as a material, for example, an insulating material such as polyimide that provides flexibility). It is made of material and is formed into a long film shape.

また、2は前記テープ部材lの幅方向中央部分に穿設さ
れて、後述する半導体素子3を実装設置させるセンター
デバイス孔、4は同様にテープ部材lの幅方向側縁部分
に所定の間隔で穿設され、半導体素子3との接合時にあ
って、お\よその位置決めをなすためのパーフォレーシ
ョン孔、5は前記センターデバイス孔2の周囲を取り囲
むように穿設され、後述するアウターリートボンデイン
ク時に使用される複数のアウターリード孔てあって、こ
れらの各アウターリード孔5は、11η記センターデバ
イス孔2の四隅部に対応して形成された架橋部6を介し
て連接されている。
Further, reference numeral 2 denotes a center device hole bored in the widthwise central portion of the tape member l, in which a semiconductor element 3 to be described later is mounted and installed, and 4 similarly is provided at a predetermined interval in the widthwise side edge portion of the tape member l. A perforation hole 5 is drilled to surround the center device hole 2 and is used for approximate positioning when bonding with the semiconductor element 3, and is used during outer bonding, which will be described later. There are a plurality of outer lead holes used, and each of these outer lead holes 5 is connected via a bridge portion 6 formed corresponding to the four corners of the center device hole 2 (11η).

さらに、7は前記テープ部材1の表面での所定個所にそ
れぞれ形成された銅などの導電性材料からなる複数本の
り−上端子であって、内方端をlFf記センターデバイ
ス孔2に臨ませたインナーリード部7aと、面記各アウ
ターリート孔5を介して外方に延出させたアウターリー
ド部7bと、このアウターリード部7bの端部に形成さ
れたテストバット部7Cとを有しており、8はこれらの
各リード端子7を保持するリードサポート部である。
Further, reference numeral 7 denotes a plurality of glue-top terminals made of a conductive material such as copper, each formed at a predetermined location on the surface of the tape member 1, with the inner end facing the center device hole 2 as indicated by 1Ff. It has an inner lead part 7a, an outer lead part 7b extending outward through each outer lead hole 5, and a test butt part 7C formed at the end of the outer lead part 7b. 8 is a lead support portion that holds each of these lead terminals 7.

なお、図中、 3aは前記半導体素子3の表面に形成さ
れた突起電極(バンブ電極)である。
In addition, in the figure, 3a is a protruding electrode (bump electrode) formed on the surface of the semiconductor element 3.

しかして、この従来例でのTAB用テープキャリアに対
する半導体素子3の実装は、次のようにしてなされる。
In this conventional example, the semiconductor element 3 is mounted on the TAB tape carrier in the following manner.

まず、第5図に示されているように、テープ部材1での
センターデバイス孔2内にあって、その各インナーリー
ド部7aでの所定位置に、゛i導体素了3の名突起電極
3aが対向するようにして位置決め配設させておき、こ
の状態で、半導体素Y−3の各突起電極3aと各インナ
ーリート部7aとを、そわぞれに熱圧着などで接続させ
ることにより、こ)では、半導体素子3を塔載したテー
プキャリアが構成される。
First, as shown in FIG. 5, in the center device hole 2 of the tape member 1, a protruding electrode 3a of the i-conductor element 3 is placed at a predetermined position on each inner lead portion 7a. This is done by positioning the semiconductor element Y-3 so that they face each other, and in this state, connecting each protruding electrode 3a and each inner lead part 7a of the semiconductor element Y-3 by thermocompression bonding or the like. ), a tape carrier on which the semiconductor element 3 is mounted is constructed.

ついで、このように構成されるテープキャリアに対して
、第6図に示されているように、そのホンディングされ
た半導体素子3の表面」二に、エポキシ樹脂などの封止
材9を滴下して硬化させることにより、゛稔導体素子3
の全体を樹脂封止させるのである。
Next, as shown in FIG. 6, a sealing material 9 such as an epoxy resin is dropped onto the surface of the bonded semiconductor element 3 on the tape carrier constructed in this manner. By curing the conductive element 3
The whole is sealed with resin.

そして、このようにして製造されたテープ状に連続され
る各半導体素子3に対しては、そのテープ部材I Fで
の対応する各テストパッド7Cに、順次テストプローブ
をあて工、それぞれにファンクションテストをなすこと
により、各半導体素子3の良・不良を判定し、良品と判
定された半導体素子3については、テープのアウターリ
ート部7bでカットフォーミングさせて、第7図に示す
プリント基板12上に参■付けなどで実装し、このよう
に実装させたのちは、そのプリント基板12のま\で通
電試験、つまり、パーツインチストが実施された上で、
不良品の半導体素子3をスクリーニングするのである。
Then, for each of the semiconductor devices 3 manufactured in this way that is continuous in the form of a tape, a test probe is sequentially applied to each corresponding test pad 7C on the tape member IF, and a function test is performed on each of the semiconductor devices 3. By doing this, it is determined whether each semiconductor element 3 is good or bad, and the semiconductor element 3 that is judged to be good is cut and formed using the outer reed part 7b of the tape and placed on the printed circuit board 12 shown in FIG. After mounting with reference etc., after mounting in this way, the printed circuit board 12 is subjected to a current conduction test, that is, a parts in-test.
Defective semiconductor devices 3 are screened.

〔発明か解決しようとする課題〕[Invention or problem to be solved]

しかしながら、航記のように構成されたTAB用テープ
キャリアによる半導体素子においては、テープ状態のま
\てのパーツインチストができないために、これをプリ
ント基板への実装後に行なわなければならず、例えば、
このパーツインチストによって個々の半導体素子の何れ
か輩不良品であるとされたときには、この不良な半導体
素子を実装させたプリント基板、およびその板上の他の
部品のそれぞれを、共に廃却しなければならないことか
ら、製造歩留りが低下してコスト高になるほか、バーン
イン処理数を多くとれないなどの不都合かあった。
However, in a semiconductor device using a TAB tape carrier configured as described above, it is not possible to inject parts while they are in the tape state, so this must be done after mounting on a printed circuit board. ,
If any of the individual semiconductor devices is determined to be defective by this parts inspection, the printed circuit board on which the defective semiconductor device is mounted, as well as the other components on that board, will be disposed of. As a result, manufacturing yields are lowered and costs are increased, and the number of burn-in processes cannot be increased.

この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたものであって、その目的とするところは、テー
プ状態のま\でパーツインチストを「4能にした。この
種のTAB用テープキャリアを提供することである。
This invention was made in order to solve these conventional problems, and its purpose is to make the parts-in-list function ``4-function'' while still in the tape state.This type of TAB The purpose of the present invention is to provide a tape carrier for

〔,3題を解決するための手段〕 前記目的を達成するために、この発明に係るTAB用テ
ープキャリアは、テープ部材に対して、パーツインチス
トのための電極パターンを予め付加形成させておくこと
により、テープ状態のま工でのパーツインチストを可能
にさせるようにしたものである。
[Means for Solving the Three Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the TAB tape carrier according to the present invention includes an electrode pattern for parts-in-listing formed on the tape member in advance. This makes it possible to perform part-in-insistance on machining tapes.

すなわち、この発明は、可撓性フィルム基板としてのテ
ープ部材上にあって、少なくとも半導体素子を実装させ
るためのセンターデバイス孔、このセンターデバイス孔
の周囲を取り囲むアウターリート孔をそれぞれに形成さ
せると共に、前記半導体素子に接続される各リード端子
、およびこれらの各リード端部のテストパッド部を設け
たTAB用テープキャリアにおいて、前記テープ部材上
に、前記半導体素子のパーツインチストのための電極パ
ターンを形成したことを特徴とするTAB用テープキャ
リアである。
That is, the present invention is provided on a tape member serving as a flexible film substrate, and at least a center device hole for mounting a semiconductor element, an outer lead hole surrounding the center device hole, and In the TAB tape carrier provided with each lead terminal connected to the semiconductor element and a test pad portion at the end of each of these leads, an electrode pattern for part-in-instance of the semiconductor element is provided on the tape member. This is a TAB tape carrier characterized by the following:

〔作   用〕[For production]

従って、この発明においては、テープ部材上にパーツイ
ンチストのための電極パターンを直接形成させたので、
半導体素子を実装設置させた後。
Therefore, in this invention, since the electrode pattern for parts injecting is directly formed on the tape member,
After mounting and installing semiconductor elements.

そのま\テープ状態でのパーツインチストをなし得るの
である。
It is possible to perform part-in-instance with the tape as it is.

〔実 施 例〕〔Example〕

以下、この発明に係るTAB用テープキャリアの一実施
例につき、第1図ないし第3図を参照して詳細に説明す
る。
Hereinafter, one embodiment of a TAB tape carrier according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

第1図、および第2図はこの実施例を適用した各別のT
AB用テープキャリアの概要を示す平面構成図であり、
第3図は同上TAB用テープヤヤリア上に半導体素子を
実装させた半製品状態での態様を示す同様にt面構成図
であって、これらの第1図ないし第3図実施例構成にお
いて、前記第4図ないし第7図従来例構成と同一符号は
同一または相当部分を示している。
FIGS. 1 and 2 show different T to which this embodiment is applied.
It is a plan configuration diagram showing an outline of an AB tape carrier,
FIG. 3 is a T-plane configuration diagram showing a semi-finished product state in which a semiconductor element is mounted on the same TAB tape layer as described above. The same reference numerals as those in the conventional structure shown in FIGS. 4 to 7 indicate the same or corresponding parts.

すなわち、これらの第1図ないし第3図に示す実施例構
成においても、符号lはテープキャリア基材としての長
尺フィルム状に形成されたテープ部材であり、2は前記
テープ部材1の幅方向中央部分に穿設された半導体素子
3をボンディングさせるセンターデバイス孔、4は同様
にテープ部材lの幅方向側縁部分に所定の間隔で穿設さ
れたそれぞれにパーフォレーション孔、5は前記センタ
ーデバイス孔2の周囲を取り囲むように穿設された複数
のアウターリート孔、6は前記センターデバイス孔2の
四隅部に対応して形成された架橋部である。
That is, also in the embodiment configurations shown in FIGS. 1 to 3, the reference numeral 1 is a tape member formed in the shape of a long film as a tape carrier base material, and 2 is a tape member formed in the width direction of the tape member 1. A center device hole drilled in the center portion for bonding the semiconductor element 3; 4, perforation holes drilled at predetermined intervals in the width direction side edge portions of the tape member l; 5, the center device hole; A plurality of outer reed holes 6 are formed to surround the center device hole 2, and 6 are bridge portions formed corresponding to the four corners of the center device hole 2.

また、7は前記テープ部材1での表面の所定個所にそれ
ぞれ形成された複数本のリード端子であって、7aは前
記センターデバイス孔2に臨ませたリート端子7のイン
ナーリード部、7bは前記各アウターリード孔5を介し
て外方に延出させたリート端子7のアウターリート部、
7Cは前記アウターリード部7bの端部に形成されたテ
ストパッド部を示し、8はこれらの各リード端子7を保
持するリードサポート部である。
Further, 7 is a plurality of lead terminals formed at predetermined locations on the surface of the tape member 1, 7a is an inner lead portion of the lead terminal 7 facing the center device hole 2, and 7b is the inner lead portion of the lead terminal 7 facing the center device hole 2. an outer lead portion of the lead terminal 7 extending outward through each outer lead hole 5;
7C represents a test pad portion formed at the end of the outer lead portion 7b, and 8 represents a lead support portion for holding each of these lead terminals 7.

さらに、lOa、およびlObは前記テープ部材lの幅
方向両側縁部分での各パーフォレーション孔4゜4のそ
れぞれ内側に沿って形成され、パーツインチストのため
の動作電源電圧Vを印加し得るようにした電極パターン
を示していて、n1記各デバイス部でのそれぞれのリー
ド端子のうちの、必要とされる少なくとも1本(ないし
は複数本)のものに直接々続させてあり、これらの各電
極パターン10a、jobについては、第1図に示され
ているように、各デバイス部に対して、それぞれ共通に
連続して形成させるか、あるいはまた、第2図に示され
ているように、その一方、こぎでは、loa側を各デバ
イス部毎にm独に形成させ、他方、こ\では、lOb側
を共通に連続して形成させたものである。
Furthermore, lOa and lOb are formed along the inside of each perforation hole 4°4 at both widthwise edge portions of the tape member l, so that an operating power supply voltage V for part-in-insistance can be applied. The electrode pattern shown in FIG. As for job 10a, as shown in FIG. 1, they are formed in common and consecutively for each device part, or as shown in FIG. 2, they are formed one after the other. In this case, the loa side is formed independently for each device part, whereas in this case, the lOb side is formed continuously and in common.

そして、この実施例のように構成されるTAB用テープ
キャリアについても、半導体素子3の実装からその樹脂
封止までのそれぞれの手段は、前記した従来例構成の場
合と全く同様である。すなわち、このように実装され、
かつ樹脂封止された後の装置態様は、前記した第2図に
示す電極パターン構成の場合にあって、第3図に示す通
りである。
In the TAB tape carrier constructed as in this embodiment, the steps from mounting the semiconductor element 3 to sealing it with resin are exactly the same as in the case of the conventional structure described above. That is, implemented like this,
The configuration of the device after resin sealing is as shown in FIG. 3 in the case of the electrode pattern configuration shown in FIG. 2 described above.

しかして、このように構成されるTAB用テープキャリ
アトにあって、実装かつ樹脂封止させて製造されるとこ
ろの、テープ状に連続される各半導体素子3に対しては
、従来例の場合と同様に、まず、そのテープ部材1 F
での対応する各テストパッド7cに順次テストプローブ
をあて1、それぞれにファンクションテストをなすこと
により、各半導体素子3の良・不良を判定する。
However, in the TAB tape carrier configured as described above, each semiconductor element 3 that is continuous in a tape shape and manufactured by mounting and resin sealing is different from the conventional example. Similarly, first, the tape member 1 F
A test probe is sequentially applied to each of the corresponding test pads 7c, and a function test is performed on each of them to determine whether each semiconductor element 3 is good or bad.

ついで、前記第3図に示した態様において、不良品と判
定された゛i導体素子3については、電極パターンIO
aと、これに接続されるリード端子7゜つまりこ\では
、電極パターンloaのリード接続部分10cとの間、
もしくは、IObとIOdとの間をパターンカットして
電気的に開放状態とする。なお、このパターンカットと
しては、種々の手段が考えられるが、この場合、−例と
して、貫通孔11を開穿させた。
Next, in the embodiment shown in FIG. 3, the electrode pattern IO is
a and the lead terminal 7° connected thereto, that is, the lead connecting portion 10c of the electrode pattern loa,
Alternatively, a pattern is cut between IOb and IOd to create an electrically open state. In addition, although various means can be considered as this pattern cut, in this case, as an example, the through hole 11 was opened.

次に続いて、このテープ状態のまSでパーツインチスト
を行なうが、こ工では、前記電極パターンlOa、IO
b間に動作電源電圧Vを印加して、前記各半導体素子3
のスクリーニングをなす。すなわち1例えば、電極パタ
ーンIOa側に+Vccの電源電圧を印加させ、かつ電
極パターンIOb側をGNDとして行なえばよい。すな
わち、この際、こ工では相互に隣接する単独の電極パタ
ーンloa間を、例えば、治工具などによって接続させ
ておき、これらの各電極パターンlOa、Jobの1ケ
所、ないしは数ケ所からテスト電圧を印加させるのみで
、先に良品と判定されたテープ全体の半導体素子3をパ
ーツインチストさせることができ、このようにして、す
てにスクリーニングされた半導体素子3だけを、次工程
でプリント基板などに実装搭載させijlるのである。
Next, a parts inspection is carried out with S in this tape state, but in this process, the electrode patterns IOa, IO
By applying an operating power supply voltage V between b, each of the semiconductor elements 3
screening. That is, for example, the power supply voltage of +Vcc may be applied to the electrode pattern IOa side, and the electrode pattern IOb side may be connected to GND. That is, at this time, in this process, adjacent individual electrode patterns loa are connected by, for example, a jig or the like, and a test voltage is applied from one or several locations of each of these electrode patterns loa and job. By simply applying the voltage, it is possible to inject the semiconductor elements 3 of the entire tape that was previously determined to be good, and in this way, only the semiconductor elements 3 that have been screened can be used in the next process, such as printed circuit boards, etc. It will be implemented and installed.

なお、航記実り’ts例においては、各電極パターン間
に対して、mにテスト電圧を印加して行なうところの、
各半導体素子に対する静的なパーツインチストについて
のみ述べたが、例えば、両面パターンのテープ構成を用
いて、外部からテスト信号を与えるようにすることによ
り、各半導体素子をテスト動作させるようにすることで
、動的なパーツインチストをなすのも可能である。また
、実施例では、不良半導体素子のパターンカットを4通
孔の開穿によって行なう場合について述べたが、そのほ
か1例えば、レーザトリマーなどによりカッティングさ
せるようにしてもよいことは勿論である。
In addition, in the example, a test voltage is applied to m between each electrode pattern.
Although we have only described the static parts-in-test for each semiconductor element, for example, by using a double-sided patterned tape configuration and applying a test signal from the outside, it is possible to test each semiconductor element. It is also possible to perform a dynamic part-in-list operation. Further, in the embodiment, a case has been described in which pattern cutting of a defective semiconductor element is carried out by drilling four holes, but it goes without saying that cutting may be carried out using another method such as a laser trimmer.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上詳述したように、この発明によるときは、TAB用
テープキャリアにおいて、そのテープキャリアJJ、材
としてのテープ部材上にあって、パーツインチストのた
めの電極パターンを直接形成させるようにしたから、こ
のテープ部材に半導体素子を実装設置させた後、テープ
状態のま1でのパーツインチストを行ない得て、処理数
を増加できると共に、未だプリント基板などに搭載させ
ない状態での、付加価値の少ない段階で、各半導体素子
のスクリーニングが可能になり、その装置製造の際の歩
留り向上、ひいては、コストダウンを効果的に図ること
ができ、また一方1例えば、バーンイン温度などに耐え
得ない他の部品を同時に搭載させる場合などにあっても
、6半導体素子を単体のまSバーンインできることから
、搭載部品の選択範囲をも拡張し得られ、しかも、構造
的にも比較的簡単で容易に実施できるなどの優れた特長
を有するものである。
As detailed above, according to the present invention, in the TAB tape carrier, the electrode pattern for part-in-instance is directly formed on the tape carrier JJ as a material. After semiconductor elements are mounted and installed on this tape member, it is possible to perform part-in-instance in the tape state, increasing the number of parts processed, and adding value without being mounted on a printed circuit board etc. This makes it possible to screen each semiconductor element in fewer stages, thereby effectively improving the yield during device manufacturing and reducing costs. Even when components are to be mounted at the same time, the S burn-in of six semiconductor elements can be performed individually, expanding the selection range of components to be mounted.Moreover, the structure is relatively simple and easy to implement. It has excellent features such as:

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図、および第2図はこの発明の一実施例を適用した
各別のTAB用テープキャリアの概要を示す平面構成図
、第3図は同上TAB用テープキャリア上に半導体素子
を実装させた半製品状態での態様を示す同様に平面構成
図であり、また、第4図(a) 、 (b)は従来例に
よる同上TAB用テープキャリアと半導体素子との概要
を示す斜視図、および同上TAB用テープキャリアに半
導体素子を搭載させた状態の概要を示す斜視図、第5図
は同上第4図(b)の平面構成図、第6図は同上TAB
用テープキャリアに半導体素子を実装して樹脂封止させ
た状態の概要を示す縦断面図、第7図は同上プリント基
板上への実装後の態様を示す縦断面図である。 l・・・・テープ部材(テープキャリア基材)、2・・
・・センターデバイス孔、3・・・・半導体素子、4・
・・・パーフォレーション孔、5・・・・アウターリー
ド孔、6・・・・架橋部、7・・・・リード端子、7a
・・・・インナーリード部、7b・・・・アウターリー
ト部、7c・・・・テストパッド部、8・・・・リード
サポート部、10a、fob ・・−・電極パターン、
lOc、lOd −−−−リード核続部分、11・・・
・断線のための4通孔。 代理人   大   岩   増   雄第5図 第7図  ヱ
FIGS. 1 and 2 are plan configuration diagrams showing the outline of different TAB tape carriers to which an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 3 is a diagram showing a semiconductor device mounted on the same TAB tape carrier. 4(a) and 4(b) are perspective views showing an outline of the TAB tape carrier and semiconductor element according to the conventional example, and FIG. A perspective view showing an outline of the state in which a semiconductor element is mounted on a tape carrier for TAB, FIG. 5 is a plan configuration diagram of FIG. 4(b) of the same as above, and FIG.
FIG. 7 is a vertical cross-sectional view schematically showing a state in which a semiconductor element is mounted on a tape carrier and sealed with resin, and FIG. 7 is a vertical cross-sectional view showing the state after mounting on the same printed circuit board. l... Tape member (tape carrier base material), 2...
...Center device hole, 3...Semiconductor element, 4.
... Perforation hole, 5 ... Outer lead hole, 6 ... Bridge portion, 7 ... Lead terminal, 7a
...Inner lead part, 7b...Outer lead part, 7c...Test pad part, 8...Lead support part, 10a, fob...Electrode pattern,
lOc, lOd --- Lead concatenation part, 11...
・4 holes for disconnection. Agent Masuo Oiwa Figure 5 Figure 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  可撓性フィルム基板としてのテープ部材上にあつて、
少なくとも半導体素子を実装させるためのセンターデバ
イス孔、このセンターデバイス孔の周囲を取り囲むアウ
ターリード孔をそれぞれに形成させると共に、前記半導
体素子に接続される各リード端子、およびこれらの各リ
ード端部のテストパッド部を設けたTAB用テープキャ
リアにおいて、前記テープ部材上に、前記半導体素子の
パーツインチストのための電極パターンを形成したこと
を特徴とするTAB用テープキャリア。
on a tape member as a flexible film substrate,
At least forming a center device hole for mounting a semiconductor element, an outer lead hole surrounding the center device hole, and testing each lead terminal connected to the semiconductor element and the end of each of these leads. 1. A TAB tape carrier provided with a pad portion, characterized in that an electrode pattern for injecting a part of the semiconductor element is formed on the tape member.
JP63020757A 1988-01-29 1988-01-29 Tape carrier for tab Pending JPH01194430A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578919A (en) * 1992-10-30 1996-11-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of testing semiconductor device and test apparatus for the same
JPH09252023A (en) * 1996-03-15 1997-09-22 Nec Corp Semiconductor device and its manufacturing method

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