JPH01190016A - 出力ダイナミクスが増加された改良された電力段 - Google Patents
出力ダイナミクスが増加された改良された電力段Info
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- JPH01190016A JPH01190016A JP63305857A JP30585788A JPH01190016A JP H01190016 A JPH01190016 A JP H01190016A JP 63305857 A JP63305857 A JP 63305857A JP 30585788 A JP30585788 A JP 30585788A JP H01190016 A JPH01190016 A JP H01190016A
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- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
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- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、出力ダイナミックが増加された改良された
電力段に関するものである。
電力段に関するものである。
特に、この発明は、反転入力2と、非反転入力3と、負
荷RLに接続される出力4とを有する電力増幅器1を含
む、第1図に例示される簡略化されたレイアウトを有す
る電力段に関するものである。この段は、反転入力2と
出力4の間に接続される抵抗器R2と、mlの端子が反
転入力2に接続されかつ第2の端子が基準電圧発生器v
11を介して第1の基準電圧(この場合は接地)に接続
される第2の抵抗器R1とを含むフィードバック回路網
をさらに含んでいる。増幅器1の非反転入力3は、基準
電圧V、たけ接地よりも高くされた増幅されるべき信号
vIを受ける。この図は、非反転入力3および反転入力
2のバイアス電流■+およびI−をそれぞれさらに例示
している。
荷RLに接続される出力4とを有する電力増幅器1を含
む、第1図に例示される簡略化されたレイアウトを有す
る電力段に関するものである。この段は、反転入力2と
出力4の間に接続される抵抗器R2と、mlの端子が反
転入力2に接続されかつ第2の端子が基準電圧発生器v
11を介して第1の基準電圧(この場合は接地)に接続
される第2の抵抗器R1とを含むフィードバック回路網
をさらに含んでいる。増幅器1の非反転入力3は、基準
電圧V、たけ接地よりも高くされた増幅されるべき信号
vIを受ける。この図は、非反転入力3および反転入力
2のバイアス電流■+およびI−をそれぞれさらに例示
している。
信号が与えられない場合(すなわち、V+−0の場合)
、出力電圧VQは基準電圧■、に等しく、それは、第1
図に例示されるもののような、1個の電源線路が使用さ
れる応用例においては電源電圧の半分に等しい。
、出力電圧VQは基準電圧■、に等しく、それは、第1
図に例示されるもののような、1個の電源線路が使用さ
れる応用例においては電源電圧の半分に等しい。
バイアス電流l+およびI−が無視できると考えられ得
る場合、出力信号VOは次の式により入力信号V、に関
連する。
る場合、出力信号VOは次の式により入力信号V、に関
連する。
Vo −影」」工 v、 +v。
R,(1)
この段の開ループ利得が十分に高くない場合、または特
定の回路構成を有している場合(後で説明される例示の
回路において明らかになるように)、負荷が高い値の電
流1oを吸収するならば、バイアス電流I+およびI−
はかなりの値を有し得る。したがって、関係(1)はも
はや電力段の実際の動作の良好な近似ではない。この場
合、増幅器のダイナミックな特性が特にかなり減じられ
る。
定の回路構成を有している場合(後で説明される例示の
回路において明らかになるように)、負荷が高い値の電
流1oを吸収するならば、バイアス電流I+およびI−
はかなりの値を有し得る。したがって、関係(1)はも
はや電力段の実際の動作の良好な近似ではない。この場
合、増幅器のダイナミックな特性が特にかなり減じられ
る。
この電力段に含まれるトランジスタを飽和するという可
能性は制限され、この制限は比較的煩わしく、というの
は、電力の応用ではトランジスタが飽和状態で動作しな
ければならないという条件がしばしば強制されるからで
ある。
能性は制限され、この制限は比較的煩わしく、というの
は、電力の応用ではトランジスタが飽和状態で動作しな
ければならないという条件がしばしば強制されるからで
ある。
実際、vMが増幅器の反転端子により達成可能な最も高
い値を規定する場合、抵抗器R7を流れ得る最大電流は
当然次のものにより与えられ、VM−V。
い値を規定する場合、抵抗器R7を流れ得る最大電流は
当然次のものにより与えられ、VM−V。
R4
次の条件
が満たされる場合、抵抗器R2を流れる電流を無視しか
つ飽和状態にある入力バイアス電流をIsαtによって
示すと、この段はより正の電圧に対して飽和された出力
を持続させることができない。
つ飽和状態にある入力バイアス電流をIsαtによって
示すと、この段はより正の電圧に対して飽和された出力
を持続させることができない。
同じことがより負の電圧に対する飽和に当てはまる。
低電源電圧がバッテリ動作のシステムにおいて使用され
る場合、この問題は特に明らかである。
る場合、この問題は特に明らかである。
この概念を明瞭化するために、同一出願人の名前で19
88年4月20日に出願された、日本国特願昭63−9
8035号に開示されるような演算電力増幅器を示して
いる、第2図に示される例示の回路に対し参照がなされ
るべきである。前記演算電力増幅器は出力信号の高ダイ
ナミクスを可能にし、それは出力トランジスタQ、また
は飽和状態のQlでの降下”CE+SQjより小さい電
源電圧に近づき得る。
88年4月20日に出願された、日本国特願昭63−9
8035号に開示されるような演算電力増幅器を示して
いる、第2図に示される例示の回路に対し参照がなされ
るべきである。前記演算電力増幅器は出力信号の高ダイ
ナミクスを可能にし、それは出力トランジスタQ、また
は飽和状態のQlでの降下”CE+SQjより小さい電
源電圧に近づき得る。
第2図に示される回路は、従来の態様で、差動入力段1
0と、利得−Aを有する増幅器11と、バッファ段12
と、電力出力段13とを含む。入力段10および増幅器
11は全〈従来どおりであり、それらの説明はこの回路
の動作を理解するのに重要ではなく、それらは説明され
ない。その代わりに、バッファ段12および出力段13
がより詳細に例示されている。後者は第1図に例示され
る簡略化された図と同等であり、そのため、同一参照番
号が使用されている。見てのとおり、バッファ段12は
、電力出力セクション13のそれぞれ下部段17および
上部段18を駆動するようにされるそれぞれの電流発生
器115およびl’sにより給電される1対のトランジ
スタ15および16を含む。各段17および18は(特
に上部段18を参照すると)、出力電力トランジスタQ
。
0と、利得−Aを有する増幅器11と、バッファ段12
と、電力出力段13とを含む。入力段10および増幅器
11は全〈従来どおりであり、それらの説明はこの回路
の動作を理解するのに重要ではなく、それらは説明され
ない。その代わりに、バッファ段12および出力段13
がより詳細に例示されている。後者は第1図に例示され
る簡略化された図と同等であり、そのため、同一参照番
号が使用されている。見てのとおり、バッファ段12は
、電力出力セクション13のそれぞれ下部段17および
上部段18を駆動するようにされるそれぞれの電流発生
器115およびl’sにより給電される1対のトランジ
スタ15および16を含む。各段17および18は(特
に上部段18を参照すると)、出力電力トランジスタQ
。
を駆動するための1対の駆動トランジスタQ、およびQ
4を含む。さらなるトランジスタQ2は、そのエミッタ
がトランジスタQ、およびQ、のベースに接続され、そ
のベースがQ、のコレクタに接続され、出力電力トラン
ジスタQ、のベース電流を回復する。この図はまた、一
方の端子が基準電圧v11に接続されかつその他方の端
子がトランジスタQ、のエミッタ(点V−)に接続され
る抵抗器R4により、かつ点V−と電圧V、を有する出
力との間に接続される抵抗器R2により構成されるフィ
ードバック回路網を例示している。回路は、Qsのエミ
ッタおよびベースと電源vceの間に接続される抵抗器
RおよびR′をさらに含む。
4を含む。さらなるトランジスタQ2は、そのエミッタ
がトランジスタQ、およびQ、のベースに接続され、そ
のベースがQ、のコレクタに接続され、出力電力トラン
ジスタQ、のベース電流を回復する。この図はまた、一
方の端子が基準電圧v11に接続されかつその他方の端
子がトランジスタQ、のエミッタ(点V−)に接続され
る抵抗器R4により、かつ点V−と電圧V、を有する出
力との間に接続される抵抗器R2により構成されるフィ
ードバック回路網を例示している。回路は、Qsのエミ
ッタおよびベースと電源vceの間に接続される抵抗器
RおよびR′をさらに含む。
動作に関して、出力V、がより正の電圧に向かう場合を
考えられたい。すなわち、この出力がより負の電圧に向
かう場合には、次の説明が明らかに対称的に繰返され得
る。第2図の分析から、電流発生器11Gが適当な寸法
で規定される場合には電流I+は過度の問題を生じない
ことが当業者には明らかである。■、(トランジスタQ
、を流れる電流)と12 (トランジスタQ2のベース
電流)の和に等しい電流I−に対しては、争点は異なる
。正しい動作条件において、前記電流I−は完全に抵抗
器R4を流れなければならない。この回路網を詳しく調
べることにより、次のことが明言され得る。すなわち、
反転端子V−の最大エクスカーション(excursi
on)はおおよそVnAx=Vcc VALE I+
sat”BH3−vCE4+ sQt であり、この場合、vsεl+ 5(itは飽和状態の
Q、のベース・エミッタ電圧降下であり、Vl11ε2
はQ2のベース・エミッタ電圧降下であり、さらに、”
CE4+5(liは飽和状態のトランジスタQ、のコレ
クタ・エミッタ電圧降下である。
考えられたい。すなわち、この出力がより負の電圧に向
かう場合には、次の説明が明らかに対称的に繰返され得
る。第2図の分析から、電流発生器11Gが適当な寸法
で規定される場合には電流I+は過度の問題を生じない
ことが当業者には明らかである。■、(トランジスタQ
、を流れる電流)と12 (トランジスタQ2のベース
電流)の和に等しい電流I−に対しては、争点は異なる
。正しい動作条件において、前記電流I−は完全に抵抗
器R4を流れなければならない。この回路網を詳しく調
べることにより、次のことが明言され得る。すなわち、
反転端子V−の最大エクスカーション(excursi
on)はおおよそVnAx=Vcc VALE I+
sat”BH3−vCE4+ sQt であり、この場合、vsεl+ 5(itは飽和状態の
Q、のベース・エミッタ電圧降下であり、Vl11ε2
はQ2のベース・エミッタ電圧降下であり、さらに、”
CE4+5(liは飽和状態のトランジスタQ、のコレ
クタ・エミッタ電圧降下である。
V、mVcc/2を仮定すると、抵抗器R4を流れ得る
最大電流は次のものにより与えられる。
最大電流は次のものにより与えられる。
にL
3ボルトと4ボルトの間から成る電源電圧に対し、(2
)の分子は非常に小さい電圧になる。
)の分子は非常に小さい電圧になる。
それゆえ、飽和状態の所要の動作を得るために、Q、の
飽和を得るように、次の条件を強制することが必要であ
る。
飽和を得るように、次の条件を強制することが必要であ
る。
IMAX ン 1sat
この条件を満足させるため、種々の解決方法が公知であ
る。
る。
特に、第1の解決方法はR1の値を、それゆえR2の値
を十分に低く保持する。しかしながら、この解決方法は
、それが必然的に飽和状態にある段の高電流消費を伴う
ので不利である。
を十分に低く保持する。しかしながら、この解決方法は
、それが必然的に飽和状態にある段の高電流消費を伴う
ので不利である。
別な解決方法は、トランジスタQ2のエミッタ接合領域
を電流I2の重量を減じるのに十分な大きさにする。し
かしながら、この解決方法も、集積回路の寸法のかなり
の増大のために不利である。
を電流I2の重量を減じるのに十分な大きさにする。し
かしながら、この解決方法も、集積回路の寸法のかなり
の増大のために不利である。
別な解決方法は、デジェネレーション(degener
ation)レジスタRに十分に高い値を与え、あるい
は、電流■、の重量を減じるようにトランジスタQ+お
よびQ、のエミッタ接合の面積比を増大させる。しかし
ながら、この解決方法も、出力の際に電力トランジスタ
を流れる残余の電流が非常に高くなってそれらの散逸を
増大させるので、不利である。
ation)レジスタRに十分に高い値を与え、あるい
は、電流■、の重量を減じるようにトランジスタQ+お
よびQ、のエミッタ接合の面積比を増大させる。しかし
ながら、この解決方法も、出力の際に電力トランジスタ
を流れる残余の電流が非常に高くなってそれらの散逸を
増大させるので、不利である。
最後の解決方法が基準電圧V、をVc c / 2より
低い値に保持する。しかしながら、この解決方法もまた
、この回路の動作の際に生じる非対称のせいで有利では
ない。
低い値に保持する。しかしながら、この解決方法もまた
、この回路の動作の際に生じる非対称のせいで有利では
ない。
この状況が与えられれば、この発明の目標は、電流技術
の不利な点を解決することが可能である改良された出力
段を提供することであり、特に、その段の出力ダイナミ
クスを増大させ、それが低電源電圧であっても動作する
ことを可能にすることができる改良された出力段を提供
することである。
の不利な点を解決することが可能である改良された出力
段を提供することであり、特に、その段の出力ダイナミ
クスを増大させ、それが低電源電圧であっても動作する
ことを可能にすることができる改良された出力段を提供
することである。
この目標の範囲内において、この発明の特定の目的は、
電力の応用でしばしば必要とされるような、その出力で
トランジスタの飽和を確実に可能にする電力段を提供す
ることである。
電力の応用でしばしば必要とされるような、その出力で
トランジスタの飽和を確実に可能にする電力段を提供す
ることである。
この発明の別な目的は、その安定性の点で確実な動作を
有する電力段を提供することであり、特に、正帰還の利
用を必要としない電力段を提供することである。
有する電力段を提供することであり、特に、正帰還の利
用を必要としない電力段を提供することである。
この発明のなお別な目的は、エミッタ接合面積が増加さ
れた解決方法のものより小さい、面積が減じられた上述
の型の電力段(出力電力トランジスタのベース電流を回
復するトランジスタに対し)を提供することである。
れた解決方法のものより小さい、面積が減じられた上述
の型の電力段(出力電力トランジスタのベース電流を回
復するトランジスタに対し)を提供することである。
この発明の少なからぬ目的は、構造上概念が簡単で、そ
れゆえ完全にコントロール可能な特性を有する本来公知
の構成要素の使用を必要とし、かつエレクトロニクス産
業の従来通りの機械および工程を利用して容易に集積化
され得る、上で説明された型の電力段を提供することで
ある。
れゆえ完全にコントロール可能な特性を有する本来公知
の構成要素の使用を必要とし、かつエレクトロニクス産
業の従来通りの機械および工程を利用して容易に集積化
され得る、上で説明された型の電力段を提供することで
ある。
この目標、上述の目的、および後で明らかになる目的は
、前掲の特許請求の範囲に規定されるように、出力ダイ
ナミクスが増加された改良された出力段により達成され
る。
、前掲の特許請求の範囲に規定されるように、出力ダイ
ナミクスが増加された改良された出力段により達成され
る。
この発明のさらなる特徴および利点は、添付の図面にお
いて非制限的具体例としてのみ例示されている、好まし
くしかもそれに限られない実施例の説明から明らかにな
るであろう。
いて非制限的具体例としてのみ例示されている、好まし
くしかもそれに限られない実施例の説明から明らかにな
るであろう。
照は先の説明に対しなされる。
この発明に従った電力段の説明のために第3図に対し参
照がなされるべきである。すなわち、第1図に類似する
第3図においては、公知の解決方法と共通の部分は、こ
の発明の特徴のより良い比較のために同一参照番号で示
されている。詳細にいうと、電力段4よ、その非反転入
力3が基準電圧V、を基準とする入力信号V、に接続さ
れかつその反転入力2がR4およびR2により形成され
るフィードバック回路網に接続される増幅器1を含む。
照がなされるべきである。すなわち、第1図に類似する
第3図においては、公知の解決方法と共通の部分は、こ
の発明の特徴のより良い比較のために同一参照番号で示
されている。詳細にいうと、電力段4よ、その非反転入
力3が基準電圧V、を基準とする入力信号V、に接続さ
れかつその反転入力2がR4およびR2により形成され
るフィードバック回路網に接続される増幅器1を含む。
第1図の公知の回路とは異なり、入力2に接続されてい
ないR7の端子は、接地に対して固定された電圧ではな
いが、基準電圧V、と相関的な、入力電圧v1に反比例
して変化する電圧を発生するセフシラン20に接続され
る。実際、第1図の図を分析することにより、公知の解
決方法において、電圧vAは入力信号の変化とは無関係
に常に電圧V、に等しく保持されることがわかる。実際
には、Vo−Vllとフィードバック抵抗器R4および
R2を流れるゼロ電流とを有するように、入力信号がゼ
ロである場合(すなわち、V、−Oの場合)のみ、この
条件が必要である。入力信号がゼロではない場合、条件
V^−V「は余分である。
ないR7の端子は、接地に対して固定された電圧ではな
いが、基準電圧V、と相関的な、入力電圧v1に反比例
して変化する電圧を発生するセフシラン20に接続され
る。実際、第1図の図を分析することにより、公知の解
決方法において、電圧vAは入力信号の変化とは無関係
に常に電圧V、に等しく保持されることがわかる。実際
には、Vo−Vllとフィードバック抵抗器R4および
R2を流れるゼロ電流とを有するように、入力信号がゼ
ロである場合(すなわち、V、−Oの場合)のみ、この
条件が必要である。入力信号がゼロではない場合、条件
V^−V「は余分である。
それゆえ、この発明によれば、電圧VAは基準電圧V、
に関してvlに反比例して変化するようにされ、このよ
うにしてダイナミックのかなりの増加を得る。
に関してvlに反比例して変化するようにされ、このよ
うにしてダイナミックのかなりの増加を得る。
この目的に対し、セクション20は、演算増幅器の出力
と反転入力の間に接続される抵抗器R8およびR2のさ
らなる回路網によりフィードバックされる演算増幅器A
、を含む。R8の他方の端子は増幅器1の非反転入力3
に接続されるが、A、の非反転入力は基準電圧■、に接
続される。
と反転入力の間に接続される抵抗器R8およびR2のさ
らなる回路網によりフィードバックされる演算増幅器A
、を含む。R8の他方の端子は増幅器1の非反転入力3
に接続されるが、A、の非反転入力は基準電圧■、に接
続される。
したがって、簡単な計算によってわかるように、る電圧
vA1すなわち、ゼロ入力信号v1がある場合にはvR
に等しく、そうでない場合には基準電圧V、と相関的に
前記入力信号に関して反比例的に可変である電圧V^を
出力において発生する。
vA1すなわち、ゼロ入力信号v1がある場合にはvR
に等しく、そうでない場合には基準電圧V、と相関的に
前記入力信号に関して反比例的に可変である電圧V^を
出力において発生する。
したがって、電流I−が無視できると仮定しかつB−R
,/R,を設定すると、第3図の回路に対して、この段
の出力電圧は次のものにより与えられる。
,/R,を設定すると、第3図の回路に対して、この段
の出力電圧は次のものにより与えられる。
式(3)は、抵抗器R7およびR2の等しい値に対し式
(1)に関する利得の増加を既に示している。
(1)に関する利得の増加を既に示している。
しかしながら、この発明の利点はこの特性には存しない
。実際にここでは抵抗器R4を流れ得るこの場合、vA
F+5(ljは、■1が最大の許容値に達する場合に得
られる、増幅器A、の最小出力電圧である。電力段のダ
イナミックな可能性はこうして増加される。R1にがが
る電圧の変化は、実際は公知の段に対して次の量だけ増
加される。
。実際にここでは抵抗器R4を流れ得るこの場合、vA
F+5(ljは、■1が最大の許容値に達する場合に得
られる、増幅器A、の最小出力電圧である。電力段のダ
イナミックな可能性はこうして増加される。R1にがが
る電圧の変化は、実際は公知の段に対して次の量だけ増
加される。
ΔV−VR−VA F l s a tこの発明の利点
を指摘するために、この発明に従って第4図に示される
ように修正される、第2図の電力動作に対し再び参照が
なされるべきである。第4図においては、第2図と共通
の要素の参照番号が再び維持されている。
を指摘するために、この発明に従って第4図に示される
ように修正される、第2図の電力動作に対し再び参照が
なされるべきである。第4図においては、第2図と共通
の要素の参照番号が再び維持されている。
第4図の回路においては、最大電流を生じる式(2)は
ここでは次のように修正される。
ここでは次のように修正される。
増幅器AFが第5図に例示される最終段を有する従来の
演算増幅器から作られる場合、VAF、sat:Va[
+VCE、satを仮定することは確かに可能であり、
この場合、V[IEはトランジスタQ、またはQ6での
ベース・エミッタ電圧降下であり、かつvCE+5(l
iは電流発生器I、またはI、それぞれでの電圧降下で
ある。
演算増幅器から作られる場合、VAF、sat:Va[
+VCE、satを仮定することは確かに可能であり、
この場合、V[IEはトランジスタQ、またはQ6での
ベース・エミッタ電圧降下であり、かつvCE+5(l
iは電流発生器I、またはI、それぞれでの電圧降下で
ある。
この場合、式(4)の分子は、3vの電源電圧(Vc
c )に対しおよそ0.5ないし0.6vの最小電圧を
生じる。
c )に対しおよそ0.5ないし0.6vの最小電圧を
生じる。
上の説明かられかるように、この発明は意図された目標
および目的を十分に達成している。実際、示されてきた
ように、入力信号の値に従って抵抗器R7に対する基準
電圧を変えることが可能である要素の挿入は、低電源電
圧値であってもデバイスの正確な動作とトランジスタの
所要の飽和を可能にする。
および目的を十分に達成している。実際、示されてきた
ように、入力信号の値に従って抵抗器R7に対する基準
電圧を変えることが可能である要素の挿入は、低電源電
圧値であってもデバイスの正確な動作とトランジスタの
所要の飽和を可能にする。
次のことを強調することが重要である。すなわち、この
発明は、前記回路の安定性に問題を引き起こし得る正帰
還を利用せずに、提示された問題を解決する。
発明は、前記回路の安定性に問題を引き起こし得る正帰
還を利用せずに、提示された問題を解決する。
次のことがさらに注目されるべきである。すなわち、例
示された解決方法は、出力トランジスタの面積の増大を
提供する公知の解決方法よりも有利である。公知の解決
方法に従って必要となる面積の増加は、この発明によっ
て提案されるように、抵抗器R1を活発に駆動するのに
必要とされるものよりも実際に著しく大きい。したがっ
て、増幅器AFは、こうして節約されたシリコン領域に
容易に挿入され得て、さらなる面積の節約を得る。
示された解決方法は、出力トランジスタの面積の増大を
提供する公知の解決方法よりも有利である。公知の解決
方法に従って必要となる面積の増加は、この発明によっ
て提案されるように、抵抗器R1を活発に駆動するのに
必要とされるものよりも実際に著しく大きい。したがっ
て、増幅器AFは、こうして節約されたシリコン領域に
容易に挿入され得て、さらなる面積の節約を得る。
この解決方法は、概念的に簡単かつ確実である。
このように考えられるこの発明は多数の修正および変更
が可能であり、それらのすべてはこの発明の概念の範囲
内に入る。特に、この発明は特定の演算電力回路を参照
しながら詳細に例示されてきたが、それはいずれの場合
にも、第1図におけるように概略的に表わされ得る構造
を有するあらゆる電力段に適用できる。
が可能であり、それらのすべてはこの発明の概念の範囲
内に入る。特に、この発明は特定の演算電力回路を参照
しながら詳細に例示されてきたが、それはいずれの場合
にも、第1図におけるように概略的に表わされ得る構造
を有するあらゆる電力段に適用できる。
さらに、すべての詳細は他の技術的に同等の要素と置換
され得る。
され得る。
第1図は、公知の電力段の概括的な回路図である。
第2図は、第1図に従った公知の電力段を含む、さらに
詳細な回路図である。 第3図は、第1図のものに類似する、この発明に従った
電力段の概括的な回路図である。 第4図は、第3図に例示される電力段を含む回路のより
詳細な回路図である。 第5図は、第4図の回路の一部の詳細な回路図である。 図において、1は電力増幅器、2は第1の反転入力、3
は第2の非反転入力、20は電圧発生手段、RLは負荷
、R7およびR2は抵抗器である。 特許出願人 エッセ・ジ・エッセ・トムソン・ミクロエ
レクトロニクス中エツセ
詳細な回路図である。 第3図は、第1図のものに類似する、この発明に従った
電力段の概括的な回路図である。 第4図は、第3図に例示される電力段を含む回路のより
詳細な回路図である。 第5図は、第4図の回路の一部の詳細な回路図である。 図において、1は電力増幅器、2は第1の反転入力、3
は第2の非反転入力、20は電圧発生手段、RLは負荷
、R7およびR2は抵抗器である。 特許出願人 エッセ・ジ・エッセ・トムソン・ミクロエ
レクトロニクス中エツセ
Claims (5)
- (1)電力増幅器(1)を含み、前記電力増幅器(1)
が第1の反転入力(2)と、第2の非反転入力(3)と
、負荷(R_L)およびフィードバック回路網に接続さ
れる出力とを有し、前記フィードバック回路網が反転入
力(2)と前記増幅器(1)の出力の間に接続される第
1の抵抗器(R_2)と、前記第1の反転入力(2)と
予め設定された電圧を発生するようにされる手段(20
)により第1の基準電圧(V_A)に設定される第1の
線路との間に接続される第2の抵抗器(R_1)とを含
み、 増幅される入力電圧信号を発生しかつ前記第2の非反転
入力(3)と第1のものとは異なる第2の基準電圧(V
_R)に設定される第2の線路との間に接続される電圧
発生器(Vi)を含む出力ダイナミクスが増加された改
良された電力段であって、 前記電圧発生手段(20)が、前記入力電圧信号に反比
例して可変でありかつ前記第2の基準電圧(V_R)と
相関的な電圧を発生することを特徴とする、電力段。 - (2)電圧差を発生するようにされる前記手段(20)
が、前記第2の基準電圧(V_R)と前記入力電圧信号
(V_i)に比例する値との間の差に等しい信号を発生
するようにされる減算手段(A_F、R_3、R_4)
を含むことを特徴とする、請求項1に記載の電力段。 - (3)前記手段(20)が、それ自体の反転入力と、そ
れ自体の非反転入力と、それ自体の出力と、それ自体の
フィードバック回路網を有する演算増幅器(A_F)を
含み、前記フィードバック回路網が前記それ自体の反転
入力と前記それ自体の出力との間に接続される第3の抵
抗器(R_4)と、前記電力増幅器(1)の前記それ自
体の反転入力と前記第2の非反転入力(3)の間に接続
される第4の抵抗器(R_3)とを含み、前記それ自体
の非反転入力が前記第2の基準電圧(V_R)に設定さ
れる前記第2の線路に接続されることを特徴とする、請
求項1に記載の電力段。 - (4)相互に縦続結合される、差動入力セクション(1
0)と、増幅器セクション(11)と、バッファセクシ
ョン(12)と、出力電力セクション(13)とを含む
演算電力回路であって、前記バッファ(12)と電力セ
クション(13)が各々上部段(16、I_1_6、1
8)と下部段(15、I_1_5、17)を含み、電力
センショク(13)の前記下部段(17)および上部段
(18)の各々がそれ自体の基準電圧に設定される線路
と出力(V_0)の間に接続される最終電力トランジス
タ(Q_1、Q_1′)と駆動トランジスタ(Q_2、
Q_3、Q_4)とを含み、抵抗フィードバック回路網
(R_1、R_2)が前記電力セクションの出力と入力
の間に接続される第1の抵抗器(R_2)と、第1の端
子が前記電力セクション(13)の前記入力に接続され
る第2の抵抗器(R_1)とを含み、前記増幅器セクシ
ョン(11)の出力と前記第2の抵抗器(R_1)の端
子の間に接続され、かつ前記増幅器セクション(11)
により出力において発生される信号に反比例して可変で
ありかつさらなる基準電圧(V_R)と相関的な電圧(
V_A)を発生するようにされる可変電圧発生器(20
)を含むことを特徴とする、演算電力回路。 - (5)前記可変電圧発生器(20)が、それ自体の反転
入力と、それ自体の非反転入力と、それ自体の出力と、
それ自体のフィードバック回路網を有する演算増幅器(
A_F)を含み、前記フィードバック回路網が、前記そ
れ自体の反転入力と前記それ自体の出力の間に接続され
る第3の抵抗器(R_4)と、前記それ自体の反転入力
と前記増幅器セクション(11)の前記出力の間に接続
される第4の抵抗器(R_3)とを含み、前記それ自体
の非反転入力が前記さらなる基準電圧(V_R)に設定
される線路に接続されることを特徴とする、請求項4に
記載の演算電力回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT8722880A IT1233417B (it) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | Stadio di potenza perfezionato, con incremento della dinamica di uscita. |
IT22880A/87 | 1987-12-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01190016A true JPH01190016A (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=11201489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63305857A Pending JPH01190016A (ja) | 1987-12-03 | 1988-12-01 | 出力ダイナミクスが増加された改良された電力段 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4916408A (ja) |
EP (1) | EP0318811A3 (ja) |
JP (1) | JPH01190016A (ja) |
IT (1) | IT1233417B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5646576A (en) * | 1995-07-24 | 1997-07-08 | Motorola | Output stage of operational amplifier suitable for mounting on a substrate and method of amplifying therewith |
US6028481A (en) * | 1998-07-20 | 2000-02-22 | Analog Devices, Inc. | Rail to rail output stage of an amplifier |
US8976981B2 (en) * | 2010-10-07 | 2015-03-10 | Blackberry Limited | Circuit, system and method for isolating a transducer from an amplifier in an electronic device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6031287B2 (ja) * | 1978-01-18 | 1985-07-22 | ヤマハ株式会社 | 電力増幅器 |
JPS5516564A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-05 | Hitachi Ltd | Transistor amplifier circuit |
SE420142B (sv) * | 1980-04-01 | 1981-09-14 | Ericsson Telefon Ab L M | Kretsanordning for kontroll av vilostrommen i ett forsterkarsteg av klass ab |
US4401950A (en) * | 1980-12-05 | 1983-08-30 | Motorola, Inc. | Low-voltage, complementary symmetry class B amplifier arrangement |
JPS5940714A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-06 | Anritsu Corp | 電力増幅器 |
IT1235857B (it) * | 1983-08-05 | 1992-11-16 | Sgs Microelettronica Spa | Stadio di uscita per amplificatori di potenza. |
US4502020A (en) * | 1983-10-26 | 1985-02-26 | Comlinear Corporation | Settling time reduction in wide-band direct-coupled transistor amplifiers |
-
1987
- 1987-12-03 IT IT8722880A patent/IT1233417B/it active
-
1988
- 1988-11-23 EP EP88119473A patent/EP0318811A3/en not_active Withdrawn
- 1988-11-28 US US07/277,078 patent/US4916408A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-01 JP JP63305857A patent/JPH01190016A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0318811A3 (en) | 1990-03-28 |
IT1233417B (it) | 1992-03-30 |
IT8722880A0 (it) | 1987-12-03 |
EP0318811A2 (en) | 1989-06-07 |
US4916408A (en) | 1990-04-10 |
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