JPH01190001A - ストリップラインフィルタ - Google Patents
ストリップラインフィルタInfo
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- JPH01190001A JPH01190001A JP63013875A JP1387588A JPH01190001A JP H01190001 A JPH01190001 A JP H01190001A JP 63013875 A JP63013875 A JP 63013875A JP 1387588 A JP1387588 A JP 1387588A JP H01190001 A JPH01190001 A JP H01190001A
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- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波帯で用いられるストリップラインフ
ィルタに関するものである。
ィルタに関するものである。
従来の技術
第４図に従来のストリップラインフィルタの構成を示す
、第４図において、誘電体基板４３の表面に設けられた
常伝導体膜から成るストリップライン共振器４６ａ・４
６ｂは、誘電体基板４３の裏面に設けられた接地導体膜
４４と、誘電体基板４３を介して、その長さＬＩ−ｌλ
ｇ／２にて先端開放形２分の１波長共振器を構成してい
る。各々のストリップライン共振器４６ａ・４６ｂは、
互いに電磁界結合するように配置されると共に、誘電体
基板４３の表面に設けられた導体膜から成る入出力端子
４７ｉ・４７ｏと電磁界結合することにより全体として
ストリップラインフィルタを構成している。
、第４図において、誘電体基板４３の表面に設けられた
常伝導体膜から成るストリップライン共振器４６ａ・４
６ｂは、誘電体基板４３の裏面に設けられた接地導体膜
４４と、誘電体基板４３を介して、その長さＬＩ−ｌλ
ｇ／２にて先端開放形２分の１波長共振器を構成してい
る。各々のストリップライン共振器４６ａ・４６ｂは、
互いに電磁界結合するように配置されると共に、誘電体
基板４３の表面に設けられた導体膜から成る入出力端子
４７ｉ・４７ｏと電磁界結合することにより全体として
ストリップラインフィルタを構成している。
（例えば、文献（マイクロウェーブ フィルターズ イ
ンピーダンスマツチング ネットワークス。
ンピーダンスマツチング ネットワークス。
アンド カップリング ストラクチェアーズ ジー、エ
ル、マンセイ、エル、ヤング、イー、エム。
ル、マンセイ、エル、ヤング、イー、エム。
ティー、ジッーンズ、マグロウ−ヒル）（″Ｉ’１ｌＣ
ＲＯ−％ＩＡＶＥ ＦＩＬＴＩＥＲ９，Ｉ）［’ＥＤＡ
ＮＣＢＪＡＴＣＨＩＮＧ Ｎｌ！Ｔｌｌｌ０ＲＫＳ、
ＡＮＤＣＯＩＩＰＬＩＮＧ ５ＴＲＵＣＴＵＲＩ！Ｓ”
、 Ｇ、Ｌ、Ｍａｔｔｈａｅｉ、 Ｌ、Ｙｏｕｎｇ。
ＲＯ−％ＩＡＶＥ ＦＩＬＴＩＥＲ９，Ｉ）［’ＥＤＡ
ＮＣＢＪＡＴＣＨＩＮＧ Ｎｌ！Ｔｌｌｌ０ＲＫＳ、
ＡＮＤＣＯＩＩＰＬＩＮＧ ５ＴＲＵＣＴＵＲＩ！Ｓ”
、 Ｇ、Ｌ、Ｍａｔｔｈａｅｉ、 Ｌ、Ｙｏｕｎｇ。
Ｅ、Ｍ、Ｔ、Ｊｏｎｅｓ：
ＭｃＧＲＡｌｌ−ＨＩＬＬ）参照）
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構成では、中心周波数が固
定のフィルタしか実現できないという課題がある。その
理由は、フィルタの中心周波数は、ストリップライン共
振器４６ａ・４６ｂの共振周波数ｆ、で決り、さらにそ
の共振周波数ｆ、はストリップライン共振器４６ａ・４
６ｂの長さしで決るが、この長さしが固定であるためで
ある。
定のフィルタしか実現できないという課題がある。その
理由は、フィルタの中心周波数は、ストリップライン共
振器４６ａ・４６ｂの共振周波数ｆ、で決り、さらにそ
の共振周波数ｆ、はストリップライン共振器４６ａ・４
６ｂの長さしで決るが、この長さしが固定であるためで
ある。
そこで、本発明は上記課題に鑑み、中心周波数可変形の
ストリップラインフィルタを提供することを目的として
いる。
ストリップラインフィルタを提供することを目的として
いる。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明のストリップラインフ
ィルタは、異なる臨界磁界を持つ超伝導体膜を組合せて
、ストリップライン共振器を構成すると共に、超伝導体
膜に静磁界をかけ、さらにこの静磁界を変化させる構造
を有するという構成を備えたものである。
ィルタは、異なる臨界磁界を持つ超伝導体膜を組合せて
、ストリップライン共振器を構成すると共に、超伝導体
膜に静磁界をかけ、さらにこの静磁界を変化させる構造
を有するという構成を備えたものである。
作用
本発明は上記した構成により、静磁界の強度によって、
臨界磁界を超えた超伝導体膜は、超伝導体状態が破られ
、ス） ＩＪツブライン共振器の導体長しが短（なり、
共振周波数が高くなる。すなわち、この作用に従ってス
トリップラインフィルタの中心周波数を変化させること
が可能となる。
臨界磁界を超えた超伝導体膜は、超伝導体状態が破られ
、ス） ＩＪツブライン共振器の導体長しが短（なり、
共振周波数が高くなる。すなわち、この作用に従ってス
トリップラインフィルタの中心周波数を変化させること
が可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例の構成について、図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第１図・第２図は、本発明の一実施例におけるストリッ
プラインフィルタを構成するストリップライン共振器の
上面図、側断面図である。第３図は、本発明の一実施例
におけるストリップラインフィルタの斜視図である。第
１図・第２図において、１はストリップラインの一部を
構成する超伝導体膜Ａ、２はストリップラインの一部を
構成する超伝導体膜Ｂ、３は誘電体基板、４は接地導体
膜、５は超伝導体膜Ａ１・超伝導体膜Ｂ２にかかる静磁
界である。超伝導体膜Ａ１は、臨界磁界ＸＡであり、長
さＬｌとする。超伝導体膜Ｂ２は、臨界磁界Ｘｍであり
、超伝導体膜ＡＩの両端に長さＬ２で超伝導体膜Ａ１に
接触して配置する。上記の構成により、超伝導体膜Ａ１
と超伝導体膜Ｂ２は、接地導体４と誘電体基板３を介し
てストリップライン共振器を構成している。今、Ｘ＾〉
Ｘ！ｌであり、静磁界５の強度Ｘ３をＸ３ ＜）（、と
すれば、超伝導体膜Ａ１、超伝導体膜Ｂ２共に超伝導体
状態にあり、ストリップライン共振器は、長さＬ ＝
Ｌ １ ＋ ２ Ｌ ２ ”Ｑ Ａｇ Ｉ／ ２で共振
する。この時の共振周波数をｆ、とする。さらに、静磁
界５の強度Ｘ、をＸ、＜Ｘ、＜ＸＡとすれば、超伝導体
膜Ａ１は超伝導体状態にあるが、超伝導体膜Ｂ２は超伝
導体状態がやぶれるため、ストリップライン共振器は、
長さＬ−Ｌ １−７ｇ２／２で共振する。この時の共振
周波数をｆ２とすれば、明らかにｆ、＜ｆｔとなり、共
振周波数は変化する。
プラインフィルタを構成するストリップライン共振器の
上面図、側断面図である。第３図は、本発明の一実施例
におけるストリップラインフィルタの斜視図である。第
１図・第２図において、１はストリップラインの一部を
構成する超伝導体膜Ａ、２はストリップラインの一部を
構成する超伝導体膜Ｂ、３は誘電体基板、４は接地導体
膜、５は超伝導体膜Ａ１・超伝導体膜Ｂ２にかかる静磁
界である。超伝導体膜Ａ１は、臨界磁界ＸＡであり、長
さＬｌとする。超伝導体膜Ｂ２は、臨界磁界Ｘｍであり
、超伝導体膜ＡＩの両端に長さＬ２で超伝導体膜Ａ１に
接触して配置する。上記の構成により、超伝導体膜Ａ１
と超伝導体膜Ｂ２は、接地導体４と誘電体基板３を介し
てストリップライン共振器を構成している。今、Ｘ＾〉
Ｘ！ｌであり、静磁界５の強度Ｘ３をＸ３ ＜）（、と
すれば、超伝導体膜Ａ１、超伝導体膜Ｂ２共に超伝導体
状態にあり、ストリップライン共振器は、長さＬ ＝
Ｌ １ ＋ ２ Ｌ ２ ”Ｑ Ａｇ Ｉ／ ２で共振
する。この時の共振周波数をｆ、とする。さらに、静磁
界５の強度Ｘ、をＸ、＜Ｘ、＜ＸＡとすれば、超伝導体
膜Ａ１は超伝導体状態にあるが、超伝導体膜Ｂ２は超伝
導体状態がやぶれるため、ストリップライン共振器は、
長さＬ−Ｌ １−７ｇ２／２で共振する。この時の共振
周波数をｆ２とすれば、明らかにｆ、＜ｆｔとなり、共
振周波数は変化する。
第３図は、第１図・第２図に示したストリップライン共
振器６ａ・６ｂを２個用いたストリップラインフィルタ
を示している。第３図において、１ａ・１ｂはストリフ
プラインの一部を構成する超伝導体膜Ａ、２ａ・２ｂは
ストリップラインの一部を構成する超伝導体膜Ｂ、３は
誘電体基板、４は接地導体膜、５は超伝導体膜Ａｌａ・
１ｂ、超伝導体膜Ｂ２ａ・２ｂにかかる静磁界、７１・
７０は入出力端子である。ストリップライン共振器６ａ
・６ｂは、互いに電磁界結合するように配置され、かつ
入出力端子７１・７ｏに電磁界結合され、入出力端子７
１・７０を介して外部回路に接続されるように構成され
、全体として２段のストリップラインフィルタを構成し
ている０以上のように、静磁界５の強度を変化させるこ
とにより、ストリップライン共振器６ａ・６ｂの共振周
波数を変化させ、中心周波数可変形のストリップライン
フィルタを実現できる。また、ストリップライン共振器
６ａ・６ｂは、超伝導体膜Ａ、１ａ−１ｂ、超伝導体膜
Ｂ２ａ・２ｂで構成されているため本質的に銅損がない
ため、低損失のストリップラインフィルタを実現できる
。また、静磁界５の強度Ｘ、をＸｓ＞Ｘａとすれば、超
伝導体膜Ａｌａ・１ｂ、超伝導体膜Ｂ２ａ・２ｂ共に超
伝導体状態が破れるため、ストリップライン共振器６ａ
・６ｂは無共振となり、全遮断フィルタすなわちマイク
ロ波スイッチを実現できる。
振器６ａ・６ｂを２個用いたストリップラインフィルタ
を示している。第３図において、１ａ・１ｂはストリフ
プラインの一部を構成する超伝導体膜Ａ、２ａ・２ｂは
ストリップラインの一部を構成する超伝導体膜Ｂ、３は
誘電体基板、４は接地導体膜、５は超伝導体膜Ａｌａ・
１ｂ、超伝導体膜Ｂ２ａ・２ｂにかかる静磁界、７１・
７０は入出力端子である。ストリップライン共振器６ａ
・６ｂは、互いに電磁界結合するように配置され、かつ
入出力端子７１・７ｏに電磁界結合され、入出力端子７
１・７０を介して外部回路に接続されるように構成され
、全体として２段のストリップラインフィルタを構成し
ている０以上のように、静磁界５の強度を変化させるこ
とにより、ストリップライン共振器６ａ・６ｂの共振周
波数を変化させ、中心周波数可変形のストリップライン
フィルタを実現できる。また、ストリップライン共振器
６ａ・６ｂは、超伝導体膜Ａ、１ａ−１ｂ、超伝導体膜
Ｂ２ａ・２ｂで構成されているため本質的に銅損がない
ため、低損失のストリップラインフィルタを実現できる
。また、静磁界５の強度Ｘ、をＸｓ＞Ｘａとすれば、超
伝導体膜Ａｌａ・１ｂ、超伝導体膜Ｂ２ａ・２ｂ共に超
伝導体状態が破れるため、ストリップライン共振器６ａ
・６ｂは無共振となり、全遮断フィルタすなわちマイク
ロ波スイッチを実現できる。
なお、上記実施例中、超伝導体材料としては、たとえば
、いわゆる常温超伝導体を用いるか、または、超伝導臨
界温度が、室温と液体窒素の沸点の間の材料を用いて液
体窒素で冷却するか（図示せず）、もしくは超伝導臨界
温度が沸点以下の材料を用いて液体ヘリウムで冷却する
か（図示せず）をすればよい。常温超伝導体の一例とし
ては、組成としてストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（
Ｂａ）、イツトリウム（Ｙ）、および１ｉｉ（Ｃｕ）を
各々１：１：１：３の比率で含有するセラミック酸化物
がある。その製造方法の一例としては、出発原料として
ＳｒＣＯ３、ＢａＣ０１、Ｙｚ Ｏｓ、ＣｕＯの各々の
粉体を所定量混合し、粉砕し、空気中において９２０℃
で５時間焼成する。このように焼成・粉砕を３回繰り返
し、均質性を高める。
、いわゆる常温超伝導体を用いるか、または、超伝導臨
界温度が、室温と液体窒素の沸点の間の材料を用いて液
体窒素で冷却するか（図示せず）、もしくは超伝導臨界
温度が沸点以下の材料を用いて液体ヘリウムで冷却する
か（図示せず）をすればよい。常温超伝導体の一例とし
ては、組成としてストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（
Ｂａ）、イツトリウム（Ｙ）、および１ｉｉ（Ｃｕ）を
各々１：１：１：３の比率で含有するセラミック酸化物
がある。その製造方法の一例としては、出発原料として
ＳｒＣＯ３、ＢａＣ０１、Ｙｚ Ｏｓ、ＣｕＯの各々の
粉体を所定量混合し、粉砕し、空気中において９２０℃
で５時間焼成する。このように焼成・粉砕を３回繰り返
し、均質性を高める。
このようにして処理した混合粉体を冷間圧縮成型した後
、空気中において１０００℃で５時間焼成し、徐冷する
ことにより製造する。
、空気中において１０００℃で５時間焼成し、徐冷する
ことにより製造する。
発明の効果
以上のように本発明は、異なる臨界磁界を持つ２種類以
上の超伝導体膜からなるストリップライン共振器を用い
てストリップラインフィルタを構成し、上記超伝導体膜
にかける静磁界を変えることにより中心周波数可変形の
ストリップラインフィルタを実現できる。
上の超伝導体膜からなるストリップライン共振器を用い
てストリップラインフィルタを構成し、上記超伝導体膜
にかける静磁界を変えることにより中心周波数可変形の
ストリップラインフィルタを実現できる。
第１図・第２図は、それぞれ本発明の一実施例における
ストリップラインフィルタを構成するストリップライン
共振器の上面図、側断面図である。 第３図は、本発明の一実施例におけるストリップライン
フィルタの斜視図である。第４図は、従来のストリップ
ラインフィルタの斜視図である。 １．１ ａ、１ ｂ−−−−・・超伝導体膜Ａ、２．２
ａ。 ２ｂ・・・・・・超伝導体膜Ｂ、３・・・・・・誘電体
基板、４・・・・・・接地導体、５・・・・・・静磁界
、６ａ、６ｂ・・・・・・ストリップライン共振器、７
ｉ、７ｏ・・・・・・入出力端子。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第２図 ０ｍ１１尽 第３図
ストリップラインフィルタを構成するストリップライン
共振器の上面図、側断面図である。 第３図は、本発明の一実施例におけるストリップライン
フィルタの斜視図である。第４図は、従来のストリップ
ラインフィルタの斜視図である。 １．１ ａ、１ ｂ−−−−・・超伝導体膜Ａ、２．２
ａ。 ２ｂ・・・・・・超伝導体膜Ｂ、３・・・・・・誘電体
基板、４・・・・・・接地導体、５・・・・・・静磁界
、６ａ、６ｂ・・・・・・ストリップライン共振器、７
ｉ、７ｏ・・・・・・入出力端子。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第２図 ０ｍ１１尽 第３図
Claims (1)
- 異なる臨界磁界を持つ少なくとも２種以上の超伝導体膜
を用い、前記各超伝導体膜は周囲の一部を互いに接触し
て配置することにより全体として一つのストリップライ
ン共振器を形成し、前記ストリップライン共振器を一つ
もしくは複数個用いて互いに電磁界結合させかつ２つの
入出力端子を設けると共に、前記超伝導体膜に静磁界を
かけ、前記静磁界を変化させる構造を有することを特徴
とするストリップラインフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013875A JPH01190001A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | ストリップラインフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013875A JPH01190001A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | ストリップラインフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01190001A true JPH01190001A (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=11845399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013875A Pending JPH01190001A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | ストリップラインフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01190001A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722810A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Nec Corp | マイクロストリップラインフィルター |
| FR2840733A1 (fr) * | 2002-06-10 | 2003-12-12 | Wintici | Filtre a resonateur supraconducteur ayant une frequence de resonance reglable |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP63013875A patent/JPH01190001A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722810A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Nec Corp | マイクロストリップラインフィルター |
| FR2840733A1 (fr) * | 2002-06-10 | 2003-12-12 | Wintici | Filtre a resonateur supraconducteur ayant une frequence de resonance reglable |
| WO2003105271A1 (fr) * | 2002-06-10 | 2003-12-18 | Wintici Sa | Filtre a resonateur supraconducteur ayant une frequence de resonance reglable |
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