JPH01183911A - Phase delaying circuit - Google Patents

Phase delaying circuit

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JPH01183911A
JPH01183911A JP63008157A JP815788A JPH01183911A JP H01183911 A JPH01183911 A JP H01183911A JP 63008157 A JP63008157 A JP 63008157A JP 815788 A JP815788 A JP 815788A JP H01183911 A JPH01183911 A JP H01183911A
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phase delay
pmos
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Kazuhiko Maki
槙 和彦
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To easily and suitably set a delaying value by detecting the phase delaying quantity of a delaying clock for a reference clock with a phase delaying detecting circuit and adjusting the charging discharging quantity with a control signal in accordance with the detecting result. CONSTITUTION:In first and second elements 11 and 14, a charging quantity adjusting element 12 and a discharging quantity adjusting element 13, the source of PMOS 41 is connected to a supply voltage Vdd, the source of PMOS 42 is connected to the drain and the drain of the PMOS 42 is connected through a connecting point N to the drain of NMOS 43. Respective gates of the PMOS 41 and an NMOS 44 are commonly connected to a reference clock S and the gate of the PMOS 42 and the NMOS 44 is connected to connecting points N1 and N2 respectively. At the phase delaying circuit, the inverter composed of a PMOS 50 and an NMOS 51 is connected to the connecting point N of the PMOS 42 and the NMOS 43 and a delaying clock R is outputted through the inverter.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、基準クロックを所定の位相量遅延させる位相
遅延回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a phase delay circuit that delays a reference clock by a predetermined phase amount.

(従来の技術) 従来、この種の遅延回路としては、例えば第2図及び第
3図のようなものがあった。以下、その構成を説明する
(Prior Art) Conventionally, there have been delay circuits of this type, such as those shown in FIGS. 2 and 3, for example. The configuration will be explained below.

第2図は従来の遅延回路の一構成例を示す回路図、及び
第3図はその入出力波形図であ、る。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a conventional delay circuit, and FIG. 3 is an input/output waveform diagram thereof.

この遅延回路は、ある一定の遅延1t(ns>をもった
複数(N)個のインバータ1−1〜1−Nを縦続接続し
たもので、初段インバータ1−1に基準クロックφiを
挿入することにより、t×N (ns>という所望の遅
延量Tをもった遅延クロックφ。を後段インバータ1−
Nから出力するものであった。
This delay circuit consists of a plurality (N) of inverters 1-1 to 1-N connected in cascade with a certain delay 1t (ns>), and a reference clock φi is inserted into the first stage inverter 1-1. Then, the delayed clock φ with the desired delay amount T of t×N (ns>) is input to the subsequent inverter 1-
It was to be output from N.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記構成の遅延回路では、次のような問
題点があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, the delay circuit having the above configuration has the following problems.

(a)  例えば、基準クロックφiの周期が非常に長
く、一定の遅延itを得るためのインバータ1−1〜1
−Nの遅延値が短い場合、所望の遅延量Tを得るために
は、相当数のインバータを挿入しなければならず、それ
が占有する面積も相当な旦に達する。また、インバータ
数の増大により、そのレイアウト(配置)も難しくなる
ので、各々のインバータ1−1〜1−Hに対する配線負
荷が異なり、予定する遅延値を得ることが困難であった
(a) For example, inverters 1-1 to 1 for obtaining a constant delay it when the period of the reference clock φi is very long.
If the delay value -N is short, in order to obtain the desired amount of delay T, a considerable number of inverters must be inserted, and the area occupied by them will also reach a considerable amount. Furthermore, as the number of inverters increases, the layout (arrangement) thereof becomes difficult, and the wiring loads for each of the inverters 1-1 to 1-H are different, making it difficult to obtain a planned delay value.

(b)  遅延量は、クロックの周期に対して位相であ
つかわれず、絶対値であつかわれるので、つまりクロッ
ク周期を基準として遅延量を決めているので、クロック
周波数が違った場合は再設計しなおさなければならない
。また、遅延クロックを第2図の遅延回路から分配する
時には、その分配先の負荷に応じてそれぞれ設計しなけ
ればならないという不利不便な点があった。
(b) The amount of delay is not used as a phase with respect to the clock period, but as an absolute value. In other words, the amount of delay is determined based on the clock period, so if the clock frequency is different, you will have to redesign it. There must be. Further, when the delayed clock is distributed from the delay circuit shown in FIG. 2, there is a disadvantage that the design must be made according to the load to which the delayed clock is distributed.

本発明は前記従来技術が持っていた問題点として、遅延
素子数の増大による占有面積の増大、及びレイアウトの
困難性とそれに伴なう配線負荷の変動の点と、設計の不
利不便さの点について解決した位相遅延回路を提供する
ものである。
The present invention solves the problems of the prior art described above, such as an increase in the occupied area due to an increase in the number of delay elements, difficulty in layout and accompanying variation in wiring load, and disadvantages and inconveniences in design. The present invention provides a phase delay circuit that solves the problem.

(問題点を解決するための手段) 本発明は前記問題点を解決するために、基準クロックを
所定の位相量だけ遅延させる位相遅延回路において、こ
の位相遅延回路を少なくとも、基準クロックに対する遅
延クロックの位相遅延量を検出しそれに応じた制御信号
を出力する位相遅延検出回路と、電荷の充電を制御する
第1の素子と、前記制御信号に基づき前記第1の素子に
よる充電量を調整する充電量調整手段と、電荷の放電を
制御する第2の素子と、前記制御信号に基づき前記第2
の素子による放電量を調整する放電量調整手段とで、構
成したものである。
(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a phase delay circuit that delays a reference clock by a predetermined phase amount. a phase delay detection circuit that detects an amount of phase delay and outputs a control signal corresponding to the amount of phase delay; a first element that controls charging of electric charge; and a charge amount that adjusts the amount of charge by the first element based on the control signal. an adjusting means, a second element for controlling charge discharge, and a second element for controlling charge discharge based on the control signal.
and a discharge amount adjusting means for adjusting the amount of discharge by the element.

(作用) 本発明によれば、以上のように位相遅延回路を構成した
ので、位相遅延検出回路は入力基準クロックに対する出
力遅延クロックの位相の遅れ量を検出し、それに応じた
制御信号を出力する。この制御信号に基づき第1と第2
の素子は充放電量を調整し、充電量と放電量を等しくし
て所望の位相遅れ量をもった遅延クロックを出力する。
(Function) According to the present invention, since the phase delay circuit is configured as described above, the phase delay detection circuit detects the amount of phase delay of the output delayed clock with respect to the input reference clock, and outputs a control signal in accordance with the delay amount. . Based on this control signal, the first and second
The element adjusts the amount of charge and discharge, makes the amount of charge equal to the amount of discharge, and outputs a delayed clock with a desired amount of phase delay.

これにより、遅延素子数の減少による占有面積の縮小と
レイアウトの容量化が図れると共に、負荷量等に影響さ
れることなく遅延量の設定が簡易、的確に行える。従っ
て、前記問題点を除去できるのである。
As a result, the occupied area can be reduced by reducing the number of delay elements, and the layout can be made more capacitive, and the delay amount can be easily and accurately set without being affected by the load amount or the like. Therefore, the above-mentioned problem can be eliminated.

(実施例) 第1図は本発明の実施例を示す位相遅延回路の構成ブロ
ック図である。
(Embodiment) FIG. 1 is a configuration block diagram of a phase delay circuit showing an embodiment of the present invention.

この位相遅延回路は、入力基準クロックSに対する出力
遅延クロックRの位相遅延量を検出しそれに応じた制御
信号a、bを出力する位相遅延検出回路10を備えてい
る。さらに、電源電位Vddと接地電位Vssとの間に
、第1の素子11、充電量調整素子12、放電量調整素
子13、及び第2の素子14が接続され、その充電量調
整素子12と放電量調整素子13の接続点Nから遅延ク
ロックRを出力する構成になっている。ここで、第1の
素子11は電荷の充電を制御する素子、充電量調整素子
12は制御信号aに基づき第1の素子11による充電量
を調整するための素子、第2の素子14は電荷の放電を
制御する素子、及び放電量調整素子13は制御信号すに
基づき第2の素子14による放電量を調整するための素
子である。
This phase delay circuit includes a phase delay detection circuit 10 that detects the amount of phase delay of the output delayed clock R with respect to the input reference clock S and outputs control signals a and b in accordance with the amount of phase delay. Furthermore, a first element 11, a charge amount adjustment element 12, a discharge amount adjustment element 13, and a second element 14 are connected between the power supply potential Vdd and the ground potential Vss, and the charge amount adjustment element 12 and the discharge amount adjustment element 12 are connected to each other. The delay clock R is configured to be output from the connection point N of the amount adjusting element 13. Here, the first element 11 is an element for controlling charge charging, the charge amount adjustment element 12 is an element for adjusting the charge amount by the first element 11 based on the control signal a, and the second element 14 is an element for controlling the charge amount. The element for controlling the discharge of the second element 14 and the discharge amount adjusting element 13 are elements for adjusting the amount of discharge by the second element 14 based on the control signal.

以上の構成において、位相遅延検出回路10は入力され
た基準クロックSに対する出力遅延クロックRの位相の
遅れ量を検出し、それに応じた制御信号a、bを充電量
調整素子12と放電量調整素子13に供給する。これに
より、充電量調整素子12による充電量の制御と、放電
量調整素子13による放電量の制御が行われ、所望の位
相遅れ量をもった遅延クロックRが接続点Nから得られ
る。
In the above configuration, the phase delay detection circuit 10 detects the amount of phase delay of the output delayed clock R with respect to the input reference clock S, and sends corresponding control signals a and b to the charge amount adjustment element 12 and the discharge amount adjustment element. 13. Thereby, the charge amount is controlled by the charge amount adjustment element 12 and the discharge amount is controlled by the discharge amount adjustment element 13, and a delayed clock R having a desired phase delay amount is obtained from the connection point N.

第4図は第1図の位相遅延回路の一構成例を示す回路図
である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the phase delay circuit shown in FIG. 1.

この位相遅延回路は相補型MOSトランジスタ(以下、
CMO8という)で構成されており、そのうち位相遅延
回路10がPチャネルMOSトランジスタ(以下、PM
O3という)20.22、NチャネルMOSトランジス
タ(以下、NIVIO8という>21.23、及びイン
バータ24〜31で構成され、さらに第1の素子11が
PMO811で、充電量調整索子12がPMO842で
、放電量調整素子13がNMO843で、第2の索子1
4がNMO844でそれぞれ構成されている。
This phase delay circuit consists of complementary MOS transistors (hereinafter referred to as
The phase delay circuit 10 is composed of a P-channel MOS transistor (hereinafter referred to as PM
It is composed of an N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as NIVIO8) 20.22, an N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as NIVIO8), and inverters 24 to 31, the first element 11 is a PMO 811, the charge amount adjustment cable 12 is a PMO 842, The discharge amount adjustment element 13 is NMO843, and the second cable 1
4 are each composed of NMO844.

位相遅延検出回路10において、PMO820及びNM
O321は電源電位■ddと接地電位■ssの間に直列
に接続され、そのPMO820とNMO821の接続点
N1から制御信号aが出力される。同様に、PMO82
2及びNMO823は電源電位Vddと接地電位Vss
の間に直列に接続され、そのPMO322とNMO82
3の接続点N2から制御信号すが出力される。基準クロ
ックS、遅延クロックR1及びインバータ24.26を
使って信号S−Rを生成し、これをPMO320のゲー
トに接続し、インバータ24゜27.30を使って信号
百・Rを生成し、これをNMO821のゲートに接続し
、インバータ25.28を餌って信号S・■を生成し、
これをPMO822のゲートに接続し、さらにインバー
タ29.31を使って信号S−Rを生成し、これをNM
O823のゲートに接続している。なお、接続点Nl、
N2にはそれぞれ容量Ca、Cbが接続されている。
In the phase delay detection circuit 10, PMO820 and NM
O321 is connected in series between the power supply potential ■dd and the ground potential ■ss, and the control signal a is output from the connection point N1 between the PMO 820 and NMO 821. Similarly, PMO82
2 and NMO823 are connected to the power supply potential Vdd and the ground potential Vss.
The PMO322 and NMO82 are connected in series between
The control signal S is output from the connection point N2 of No. 3. A signal S-R is generated using the reference clock S, a delayed clock R1 and an inverter 24.26, which is connected to the gate of the PMO 320, and a signal 10.R is generated using an inverter 24.27.30. is connected to the gate of NMO821, feeds the inverter 25.28 and generates the signal S・■,
Connect this to the gate of PMO822, and use inverter 29.31 to generate signal S-R, which is converted to NM
Connected to the gate of O823. In addition, the connection point Nl,
Capacitors Ca and Cb are connected to N2, respectively.

第1.第2の素子11.14、充電量調整索子12、及
び放電量調整素子13において、電源電位■ddにPM
O841のソースが接続され、そのドレインにPMO8
42のソースが接続され、そのPMO842のトレイン
が接続点Nを介してNMO843のドレインに接続され
ている。さらにNMO843(7)’/−XがNMO8
44のドレインに接続され、そのNMO844のソース
が接地電位■、Sに接続されている。PMO841及び
NIVIO344の各ゲートは基準クロックSに共通接
続され、PMO342及びNMO844のゲートはそれ
ぞれ接続点Nl、N2に接続されている。
1st. In the second element 11.14, the charge amount adjustment cable 12, and the discharge amount adjustment element 13, PM is applied to the power supply potential ■dd.
The source of O841 is connected, and the drain of PMO8
The source of 42 is connected, and the train of PMO 842 is connected to the drain of NMO 843 via connection point N. Furthermore, NMO843(7)'/-X is NMO8
The source of the NMO 844 is connected to the ground potentials (1) and (S). The gates of the PMO 841 and NIVIO 344 are commonly connected to the reference clock S, and the gates of the PMO 342 and NMO 844 are connected to connection points Nl and N2, respectively.

この第4図の位相遅延回路では、PMO342とNMO
843の接続点Nに、PIVIO850及びNMO85
1からなるインバータが接続され、そのインバータを通
して遅延クロックRが出力されるようになっている。こ
のインバータは接続点Nの信号を反転すると共に波形を
整形する機能を有している。即ち、このインバータは、
基準クロックSを とし、設定された位相遅延をαとすると、接続点Nに発
生する の信号電位の位相からπを引いて、位相遅延分をαのみ
にする機能を有すると共に、通常はその波形がn2mに
なるので、つまりなまるので、mの値を引上げるという
波形整形機能を有している。
In the phase delay circuit shown in FIG. 4, PMO342 and NMO
At connection point N of 843, PIVIO850 and NMO85
1 is connected, and a delayed clock R is output through the inverter. This inverter has the function of inverting the signal at the connection point N and shaping the waveform. That is, this inverter is
Assuming that the reference clock S is S and the set phase delay is α, it has the function of subtracting π from the phase of the signal potential generated at the connection point N, leaving only α as the phase delay, and normally its waveform Since it becomes n2m, that is, it becomes rounded, so it has a waveform shaping function of raising the value of m.

第5図(1)、(2>、(3)は第4図の信号波形図で
あり、この図を参照しつつ第4図の動作を説明する。な
お、第5図中のαは立上り時の設定遅延量、βは立下り
時の設定遅延量である。
5 (1), (2>, and 3) are signal waveform diagrams of FIG. 4, and the operation of FIG. 4 will be explained with reference to these figures. In addition, α in FIG. β is the set delay amount at the time of falling, and β is the set delay amount at the time of falling.

第5図(1)は、設定された遅延量より位相が大きい場
合の状態を表わしている。このような場合、インバータ
28から出力される信号S−RによりPMO822がオ
ンし、電源電位■ddで接続点N2上の制御信号すがチ
ャージアップされ、またインバータ31から出力される
信−号S−RによりNMO323がオンしてディスチャ
ージされる。
FIG. 5(1) shows a state where the phase is larger than the set delay amount. In such a case, the PMO 822 is turned on by the signal S-R output from the inverter 28, the control signal S on the connection point N2 is charged up at the power supply potential ■dd, and the signal S-R output from the inverter 31 is charged up. -R turns on the NMO 323 and discharges it.

これによって当初低電圧だった制御信号すがある値まで
引き上げられ、NMO843を高抵抗から低抵抗にし、
接続点Nをチャージアップするスピードを速くする。
As a result, the control signal, which was initially at a low voltage, is raised to a certain value, changing the NMO843 from high resistance to low resistance.
Increase the speed at which connection point N is charged up.

第5図(2)は、設定された遅延量と位相が等しい場合
の状態を表わしている。設定された遅延量と等しい場合
、接続点N2上の制御信号すのチャージ量とディスチャ
ージ景とが等しいため、電位は変化しない。つまり、N
MO843は設定された遅延量を出すための抵抗値に収
束している。
FIG. 5(2) shows a state where the set delay amount and phase are equal. If the amount of delay is equal to the set delay amount, the amount of charge of the control signal on the connection point N2 is equal to the amount of discharge, so the potential does not change. In other words, N
The resistance value of MO843 has converged to provide the set delay amount.

第5図(3)は、設定された遅延量より位相が小さい場
合の状態を表わしている。遅延量が小さい場合、接続点
N2上の制御信号すは高電位から低電位に変化し、NM
O843を高抵抗にする。
FIG. 5(3) shows a state where the phase is smaller than the set delay amount. When the delay amount is small, the control signal on the connection point N2 changes from high potential to low potential, and NM
Make O843 high resistance.

接続点N1上の制御信号aは、この場合は立下り時の遅
延量を決定している充電量調整素子12がPMO842
なので、速遅に対する電位の変化方向が逆になる。
In this case, the control signal a on the connection point N1 is controlled by the charge amount adjustment element 12 that determines the amount of delay at the time of falling.
Therefore, the direction of change in potential with respect to speed and slowness is reversed.

従って、制御信号a、bのチャージ量とディスチャージ
量とが等しくなる点が収束する点であり、その収束点に
よって位相遅延量が決定される。これは、立上りの場合
はPMO822のコンダクタンスgm22とNMO82
3のコンダクタンスgm23との比、立下りの場合はP
MO820のコンダクタンスgI1120とNIV10
S21のコンダクタンスgII121との比が、位相遅
延を決定することを表わしている。但しこの場合、 ≧基準タロツクSの立上り幅 という関係が成り立ち、I)MO842及びNMO84
3の悪疾が制御信号a、bの電位に追従できる範囲にあ
ることが収束条件となる。
Therefore, the point at which the charge amount and the discharge amount of the control signals a and b become equal is the convergence point, and the phase delay amount is determined by the convergence point. In the case of rising, the conductance gm22 of PMO822 and NMO82
3 conductance gm23, in the case of falling, P
MO820 conductance gI1120 and NIV10
It is shown that the ratio of S21 to conductance gII121 determines the phase delay. However, in this case, the following relationship holds: ≧Rising width of reference tarokk S, and I) MO842 and NMO84
The convergence condition is that the disease No. 3 is within a range that can follow the potentials of the control signals a and b.

第1図及び第4図の位相遅延回路では、次のような利点
を有している。
The phase delay circuits shown in FIGS. 1 and 4 have the following advantages.

(a)  基準クロックの周期が長い場合、大量の遅延
素子を使わなくても所望の遅延量が得られる。
(a) When the period of the reference clock is long, the desired amount of delay can be obtained without using a large number of delay elements.

そのなめ、回路形成面積を縮小できる。Therefore, the circuit formation area can be reduced.

(b)  PMO342及びNMO843をフィードバ
ック制御して充放電量を調整しているので、高精度な遅
延量が得られ、ある程度の製造ばらつきは吸収できる。
(b) Since the PMO 342 and NMO 843 are feedback-controlled to adjust the charge/discharge amount, a highly accurate delay amount can be obtained and a certain degree of manufacturing variation can be absorbed.

(c)  遅延量を時間でなく、位相で制御しているの
で、基準クロックSの周波数に対するフレキシビリティ
が高く、さらにこの位相遅延回路の後段に接続される負
荷に無関係に遅延量を設定できる。そのため、遅延量の
設計を容易かつ的確に行える。
(c) Since the amount of delay is controlled not by time but by phase, flexibility with respect to the frequency of the reference clock S is high, and furthermore, the amount of delay can be set regardless of the load connected to the subsequent stage of this phase delay circuit. Therefore, the amount of delay can be designed easily and accurately.

(d)  位相の遅延量を立上り(α)、立下り(β)
に対して自由に設定できるので、遅延クロックRのデユ
ーティ比をも設定できる。
(d) Phase delay amount rising (α) and falling (β)
Since the delay clock R can be set freely, the duty ratio of the delayed clock R can also be set.

本実施例の位相遅延回路は、例えば次のような分野に応
用できる。
The phase delay circuit of this embodiment can be applied to, for example, the following fields.

(i)  第1図の位相遅延回路をN個使うことにより
、自由なデユーティ比のN倍の周波数逓倍器(周波数を
漸増させる装置)が構成できる。
(i) By using N phase delay circuits shown in FIG. 1, a frequency multiplier (device for gradually increasing the frequency) with a free duty ratio N times can be constructed.

(:i)  入力バッファが追従できないような高周波
のクロックを大規模集積回路(LSI)等の内部で使う
場合、そのLSI等の内部に第1図の位相遅延回路を複
数個設け、周波数の低いクロックを前記入力バッファを
通して入力した後、そのクロックを前記複数個の位相遅
延回路で高周波のクロックにした後、使用するようにす
ることもできる。
(:i) When using a high-frequency clock that cannot be tracked by an input buffer inside a large-scale integrated circuit (LSI), etc., install multiple phase delay circuits as shown in Figure 1 inside the LSI, etc. After inputting a clock through the input buffer, the clock may be converted into a high-frequency clock by the plurality of phase delay circuits before being used.

(iii )  第6図は第1図の応用例を示すLSI
等のクロック分配器の回路図である。このクロック分配
器は、クロックφをインバータ60で駆動して複数個の
インバータ61−1〜61−3に分配した後、その分配
された各クロックを対象負荷62−1〜62−3にそれ
ぞれ供給する回路、である。通常、設計時においては対
象負荷62−1〜62−3の負荷量をある許容範囲に限
定しておいてクロックφの遅延量を決定するのであるが
、対象負荷の変更等によって負荷量が許容範囲を超えた
場合、インバータ60.61−1〜61−3の遅延時間
を再設計することが必要となる。そこで、各インバータ
61−1〜61−3を第1図の位相遅延回路に置き換え
れば、対象負荷62−1〜62−3の影響を受けること
なく、的確なりロック遅延量の設定が可能となる。その
ため、LSI等の内部のタロツクスキュー(クロックの
ずれ)や、外部のLSI等とのクロックスキューに対す
る詳細な設計が不要となり、設計の容易化と、再設計の
不要化が図れる。
(iii) Figure 6 is an LSI that shows an application example of Figure 1.
FIG. 2 is a circuit diagram of a clock distributor such as the above. This clock distributor drives the clock φ with an inverter 60 and distributes it to a plurality of inverters 61-1 to 61-3, and then supplies each of the distributed clocks to target loads 62-1 to 62-3, respectively. This is the circuit that does this. Normally, at the time of design, the load amount of the target loads 62-1 to 62-3 is limited to a certain allowable range and the amount of delay of the clock φ is determined, but by changing the target loads etc. If the range is exceeded, it is necessary to redesign the delay times of the inverters 60.61-1 to 61-3. Therefore, by replacing each inverter 61-1 to 61-3 with the phase delay circuit shown in FIG. 1, it becomes possible to set the lock delay amount accurately without being affected by the target loads 62-1 to 62-3. . Therefore, there is no need for detailed design for taro clock skew (clock deviation) inside the LSI or the like, or clock skew with external LSIs, etc., making the design easier and eliminating the need for redesign.

なお、本発明は図示の実施例に限定されず、種々の変形
が可能である。その変形例としては、例えば次のような
ものがある。
Note that the present invention is not limited to the illustrated embodiment, and various modifications are possible. Examples of such modifications include the following.

■ 第4図の位相遅延回路は、CMO8″′C構成した
が、PMO8単独、NMO8単独、あるいはPMO8と
NMO8の組合せで第4図を構成してもよい。さらに、
MOSトランジスタ以外のトランジスタを用いて第4図
を構成することも可能である。
■ The phase delay circuit in FIG. 4 is configured with CMO8'''C, but it may also be configured with PMO8 alone, NMO8 alone, or a combination of PMO8 and NMO8.Furthermore,
It is also possible to configure the structure shown in FIG. 4 using transistors other than MOS transistors.

■ 第4図の回路では、入力の基準クロックSと出力の
遅延クロックRとが同位相であるが、出力側にインバー
タを追加してそれらを逆位相になるようにしてもよい。
(2) In the circuit shown in FIG. 4, the input reference clock S and the output delayed clock R are in the same phase, but an inverter may be added to the output side so that they have opposite phases.

■ 第1図の回路に、精度の向上や、動作の安定性を向
上させるための他の回路を付加してもよい。
(2) Other circuits may be added to the circuit shown in FIG. 1 to improve accuracy and stability of operation.

(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明によれば、位相遅延
検出回路により、基準クロックに対する遅延クロックの
位相遅延量を検出し、その検出結果に応じた制御信号で
充放電量を調整するようにしたので、遅延素子数の減少
による占有面積の縮小化とレイアウトの容易化が図れ、
さらに負荷量には無関係に遅延値を簡易かつ的確に設定
できる。
(Effects of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, the phase delay detection circuit detects the amount of phase delay of the delayed clock with respect to the reference clock, and a control signal corresponding to the detection result is used to detect the amount of charge and discharge. By adjusting the delay elements, the occupied area can be reduced by reducing the number of delay elements, and the layout can be simplified.
Furthermore, the delay value can be easily and accurately set regardless of the amount of load.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例を示す位相遅延回路の構成ブロ
ック図、第2図は従来の遅延回路の回路図、第3図は第
2図の入出力波形図、第4図は第1図の構成例を示す回
路図、第5図(1)。 (2)、(3)は第4図の信号波形図、第6図は第1図
の応用例を説明するためのクロック分配器の回路図であ
る。 11.14・・・・・・第1.第2の素子、12・・・
・・・充電及調整素子、13・・・・・・放電量調整素
子、S・・・・・・基準クロック、R・・・・・・遅延
クロック。 出願人代理人  柿  本  恭  成+7./4:第
・1.第2の素子 12:充@量訓整散子 13“放電量調整素子 S :基準クロック 尺°遅延クロック 第1図 第2図 第2図の入出力波形図 L−−−−、−−−−−−−−+−−−−−−−−  
   −−J第1図の構成例 (+)             (2)ビー未<j−
−−−−−j 第4図の信号波形図 第5図 第6図
FIG. 1 is a block diagram of a phase delay circuit showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional delay circuit, FIG. 3 is an input/output waveform diagram of FIG. 2, and FIG. FIG. 5 (1) is a circuit diagram showing an example of the configuration shown in the figure. (2) and (3) are signal waveform diagrams in FIG. 4, and FIG. 6 is a circuit diagram of a clock distributor for explaining an application example of FIG. 1. 11.14...1st. Second element, 12...
...Charge and adjustment element, 13...Discharge amount adjustment element, S...Reference clock, R...Delay clock. Applicant's agent: Sei Kakimoto +7. /4: No. 1. 2nd element 12: Charge@Amount adjusting element 13 Discharge amount adjusting element S: Reference clock delay clock Figure 1 Figure 2 Figure 2 input/output waveform diagram L −−−−−+−−−−−−−
−−J Example of configuration in Figure 1 (+) (2) B<j−
------j Figure 4 Signal waveform diagram Figure 5 Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】 入力基準クロックに対する出力遅延クロックの位相遅延
量を検出しそれに応じた制御信号を出力する位相遅延検
出回路と、 電荷の充電を制御する第1の素子と、 前記制御信号に基づき前記第1の素子による充電量を調
整する充電量調整手段と、 電荷の放電を制御する第2の素子と、 前記制御信号に基づき前記第2の素子による放電量を調
整する放電量調整手段とを、 備えたことを調整とする位相遅延回路。
[Scope of Claims] A phase delay detection circuit that detects a phase delay amount of an output delayed clock with respect to an input reference clock and outputs a control signal corresponding to the phase delay amount, a first element that controls charge charging, a charge amount adjusting means for adjusting the amount of charge by the first element based on the control signal; a second element for controlling the discharge of charge; and a discharge amount adjusting means for adjusting the amount of discharge by the second element based on the control signal. and a phase delay circuit with adjustment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139722A (en) * 1984-07-31 1986-02-25 Nippon Gakki Seizo Kk Delay time stabilizing circuit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6139722A (en) * 1984-07-31 1986-02-25 Nippon Gakki Seizo Kk Delay time stabilizing circuit

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