JPH01175280A - Semiconductor laser array device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〉
本発明は半導体レーザアレイ装置に関し、特に円形の遠
視野像を得ることのできる半導体レーザアレイ装置に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a semiconductor laser array device, and more particularly to a semiconductor laser array device that can obtain a circular far-field image.
(従来の技術)
半導体レーザの活性導波路の複数本を平行に集積化した
半導体レーザアレイ装置は高出力動作が可能であるため
、例えば、YAGレーザ等の固体レーザ励起用光源、空
間通信用光源、光記録システム用光源として現在盛んに
研究されている。このような半導体レーザアレイ装置の
中でも、導波路を伝搬する導波光が互いに光学的に結合
し、ある−定の位相関係を有している位相同期型アレイ
装置は、出射光をレンズで回折限界まで集光可能である
ため、応用上極めて有用であり、注目されている。(Prior Art) Semiconductor laser array devices that integrate multiple active waveguides of semiconductor lasers in parallel are capable of high-output operation, so they can be used, for example, as light sources for pumping solid-state lasers such as YAG lasers, and as light sources for spatial communication. , is currently being actively researched as a light source for optical recording systems. Among such semiconductor laser array devices, a phase-locked array device, in which guided light propagating through a waveguide is optically coupled to each other and has a certain phase relationship, uses a lens to convert the emitted light to the diffraction limit. It is extremely useful for applications, and is attracting attention.
この位相同期型アレイ装置の例として、3本のリッジ型
導波路を集積化した従来の位相同期型アレイ装置の一例
を第5図に示す、この位相同期型アレイ装置は次のよう
にして作製される。先ず、LPE成長、MBE成長、M
OCVD成長等の結晶成長法により、n−GaAs基板
1上に、n−Al>、Ga、−、Asクラッド層2(厚
さ、1.0um>、p−AI、Ga、−、As活性層3
(厚さ、0.08μm)、p−AI、Ga、−2Asク
ラッド層4(厚さ、1.0tt m)、及びp−GaA
sキャップ層5(厚さ、1.0μm)を順次成長させる
(但し、Al混晶比X、L Zはx、z>yである)0
次に、その上に、フォトリソグラフィ法により、3μm
幅の3本のストライブを5μm周期で有するレジストパ
ターンを形成する。その後、反応性イオンビ−ムエッチ
ング等のエツチング法によって、3本のリッジ6を形成
する。リッジ6以外の表面には絶縁膜7を設ける。リッ
ジ6上にはp側電極8を、基板1にはn側電極9を設け
る。このような構成により、リッジ6下方に位置する活
性層3の部分のみにだけ選択的に電流を流すことが出来
る。舅開法により、共振器方向に垂直な2個の出射端面
を形成する。As an example of this phase-locked array device, an example of a conventional phase-locked array device in which three ridge waveguides are integrated is shown in FIG. 5. This phase-locked array device was fabricated as follows. be done. First, LPE growth, MBE growth, M
By a crystal growth method such as OCVD growth, an n-Al>, Ga, -, As cladding layer 2 (thickness, 1.0 um>, p-AI, Ga, -, As active layer) is formed on an n-GaAs substrate 1. 3
(thickness, 0.08 μm), p-AI, Ga, -2As cladding layer 4 (thickness, 1.0 tt m), and p-GaA
s cap layer 5 (thickness, 1.0 μm) is sequentially grown (however, Al mixed crystal ratio X, L Z is x, z>y)0
Next, on top of that, a 3 μm thick
A resist pattern having three stripes of width at a period of 5 μm is formed. Thereafter, three ridges 6 are formed by an etching method such as reactive ion beam etching. An insulating film 7 is provided on the surface other than the ridge 6. A p-side electrode 8 is provided on the ridge 6, and an n-side electrode 9 is provided on the substrate 1. With such a configuration, current can be selectively passed only to the portion of the active layer 3 located below the ridge 6. Two emission end faces perpendicular to the resonator direction are formed by the open-leg method.
このような位相同期型アレイ装置に順方向に電流を注入
してl/−ザ発振させたときの、遠視野像を第7図に示
す。第7図Ga)は接合面に対して平行な方向の遠視野
像を、同図(b)は接合面に対して垂直な方向の遠視野
像を示している。各導波路の導波光が同位相の場合には
、遠視野像は接合面と平行な方向には単峰になり、その
半値幅は3゛であり、出射光の広がりは小さい0.:れ
に対して、接合面と垂直な方向に於いては幅広い単峰で
あり、半幅値は30°である。即ち、出射光の遠視野像
は楕円率1:10の細長い楕円となる。FIG. 7 shows a far-field image when a current is injected in the forward direction into such a phase-locked array device to cause l/− laser oscillation. FIG. 7 Ga) shows a far-field image in a direction parallel to the joint surface, and FIG. 7B shows a far-field image in a direction perpendicular to the joint surface. When the guided light of each waveguide is in the same phase, the far-field image becomes a single peak in the direction parallel to the junction surface, and its half-width is 3°, and the spread of the emitted light is small 0. : On the other hand, in the direction perpendicular to the joint surface, it is a broad single peak, and the half-width value is 30°. That is, the far-field image of the emitted light becomes an elongated ellipse with an ellipticity of 1:10.
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来の半導体レーザアレイ装置、特に位相同
期型アレイ装置では、出射光はレーザ接合面と平行な方
向には広がりが小さいのに対して、垂直な方向には広が
りが大きい、そのため、出射光の遠視野像は細長い楕円
形となってしまう、そのような出射光をレンズで集光す
る場合にも、そのスポットは遠視野像と同様の楕円形と
なり、微小スポットを得ることができない。従って、従
来の位相同期型アレイは単独では、光ディスク等の光記
録システムの光源としては不適当であり、レーザ接合面
と垂直な方向の光をコリメートする特殊な光学系を出射
端面近傍に設けなければならない。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in conventional semiconductor laser array devices, especially phase-locked array devices, the emitted light has a small spread in the direction parallel to the laser bonding surface, but As a result, the far-field image of the emitted light becomes an elongated ellipse. Even when such emitted light is focused with a lens, the spot will be shaped like an ellipse, similar to the far-field image. Therefore, it is not possible to obtain a minute spot. Therefore, the conventional phase-locked array alone is not suitable as a light source for optical recording systems such as optical disks, and a special optical system must be installed near the output end face to collimate the light in the direction perpendicular to the laser bonding surface. Must be.
また、半導体レーザアレイをYAGレーザ励起用の光源
として用いる場合には、YAGレーザの基本モードを効
率良く励起するためには、半導体レーザアレイの出射光
をYAGロッドの端面で円形スポット状に集光させるこ
とが要求される。従って、この場合にも、半導体レーザ
アレイの出射光を円形状に補正する光学系が必要になる
。In addition, when using a semiconductor laser array as a light source for excitation of a YAG laser, in order to efficiently excite the fundamental mode of the YAG laser, the emitted light of the semiconductor laser array must be focused into a circular spot on the end face of a YAG rod. It is required to do so. Therefore, in this case as well, an optical system is required to correct the emitted light of the semiconductor laser array into a circular shape.
このように、従来の半導体レーザアレイ装置では、遠視
野像が円形ではないため、円形状の光を必要とするシス
テムに用いるためには特殊な光学系を別に設けなければ
ならず、システムの構成が複雑になってしまうという問
題がある。In this way, in conventional semiconductor laser array devices, the far-field pattern is not circular, so in order to use it in a system that requires circular light, a special optical system must be installed separately, and the system configuration The problem is that it becomes complicated.
本発明はこのような問題点を解消するものであり、その
目的とするところは、出射光の遠視野像が広がりのない
円形状である半導体レーザアレイ装置を提供することに
ある。The present invention is intended to solve these problems, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor laser array device in which the far-field image of emitted light is circular with no spread.
(問題点を解決するための手段)
本発明の半導体レーザアレイ装置は、複数の光学的に結
合した活性導波路及び該導波路に直交するレーザ光出射
端面を有する半導体レーザアレイ装置であって、該出射
端面に対向して反射面が設けられており、且つ、該反射
面にグレーティングが形成されており、このことにより
上記目的が達成される。(Means for Solving the Problems) A semiconductor laser array device of the present invention is a semiconductor laser array device having a plurality of optically coupled active waveguides and a laser beam emitting end face perpendicular to the waveguides, A reflective surface is provided opposite to the output end face, and a grating is formed on the reflective surface, thereby achieving the above object.
本発明半導体レーザアレイ装置の出射端面から放射され
たレーザ光は、反射面で反射される。そのとき、レーザ
接合面に対して垂直な方向の光はグレーティングにより
広がりが抑制される。その結果、反射面から反射された
レーザ光はコリメートされ、その遠視野像は広がりのな
い円形状となる。Laser light emitted from the emission end face of the semiconductor laser array device of the present invention is reflected by the reflective surface. At this time, the spread of light in the direction perpendicular to the laser bonding surface is suppressed by the grating. As a result, the laser beam reflected from the reflective surface is collimated, and its far-field image becomes a circular shape with no spread.
本発明の実施態様では、反射面が平面であり、その出射
端面と成す角度が0°より大きく、90°より小さく、
反射面と出射端面との成す交線が半導体レーザの接合面
と出射端面との成す交線と平行である。In an embodiment of the present invention, the reflective surface is a flat surface, and the angle formed with the output end surface is larger than 0° and smaller than 90°,
The line of intersection between the reflective surface and the output end face is parallel to the line of intersection between the junction face and the output end face of the semiconductor laser.
本発明の他の実施態様では、反射面上のグレーティング
が、出射端面と反射面との成す交線に垂直な方向に周期
的な屈折率変化或いは周期的な凹凸によって構成されて
いる。In another embodiment of the present invention, the grating on the reflective surface is configured by periodic refractive index changes or periodic irregularities in a direction perpendicular to the line of intersection between the output end surface and the reflective surface.
本発明の更に他の実施態様では、反射面上のグレーティ
ングが、出射端面と反射面との成す交線に平行な方向に
も周期的な屈折率変化或いは周期的な凹凸が与えられて
いる。In yet another embodiment of the present invention, the grating on the reflective surface is provided with periodic refractive index changes or periodic irregularities also in a direction parallel to the line of intersection between the output end surface and the reflective surface.
(実施例) 以下に本発明の実施例について説明する。(Example) Examples of the present invention will be described below.
第1図に本発明の第1実施例の要部を示す6本実施例の
半導体レーザアレイ装置は、従来例とじて示した前述の
リッジ導波路型レーザアレイ装置と同様の構成を有する
レーザ発振部Aを備えている。FIG. 1 shows the main parts of the first embodiment of the present invention. The semiconductor laser array device of this embodiment is a laser oscillation device having the same configuration as the above-mentioned ridge waveguide type laser array device shown as a conventional example. It has part A.
レーザ発振部Aにはリッジ導波路に直交するレーザ光出
射端面10が形成されている0本実施例では、この出射
端面10に斜めに対向して反射面11が形成されている
。この反射面11は出射端面10に対して次のような位
置関係にある。即ち、反射面11と出射端面10ととの
成す角度はαであり、それらの面の交線りは出射端面1
0とレーザ接合面の交線に平行である。角度αは0°く
α<90°であれば良いが、30°くα<60°とする
のが好ましい0反射面11にはグレーティング30が形
成されている。In this embodiment, a laser beam emitting end face 10 is formed in the laser oscillation section A and is perpendicular to the ridge waveguide.In this embodiment, a reflecting surface 11 is formed obliquely facing the emitting end face 10. This reflective surface 11 has the following positional relationship with respect to the output end surface 10. That is, the angle formed by the reflective surface 11 and the output end surface 10 is α, and the intersection line of these surfaces is the angle formed by the output end surface 1.
0 and the laser bonding surface. The grating 30 is formed on the zero reflection surface 11, although the angle α may be 0° and α<90°, but preferably 30° and α<60°.
次に、このような半導体レーザアレイ装置の製造法を第
2図を用いて説明する。第2図(a)〜(d)は、各製
造工程における第1図のx−X線に沿う断面を模式的に
示している。Next, a method for manufacturing such a semiconductor laser array device will be explained with reference to FIG. FIGS. 2(a) to 2(d) schematically show cross sections taken along line XX in FIG. 1 in each manufacturing process.
前述の従来例と同様にして、n−GaAs基板1上に、
n−A1.Ga、−xAsクラッド層2、p−AI、G
a、−、As活性層3、p−AI、Ga、−tAsクラ
ッド層4、及びp−GaAsキャップ層5を順次積層す
る。その後に、従来例と同様に、リッジ6と絶縁M7を
形成する。出射端面10に対応する部分以外のキャップ
層5の全面をフォトレジスト20で覆い、反応性イオン
ビームエツチングにより出射端面10を形成する(第2
図(、lL) ) 。Similar to the conventional example described above, on the n-GaAs substrate 1,
n-A1. Ga, -xAs cladding layer 2, p-AI, G
An a, -, As active layer 3, a p-AI, Ga, -tAs cladding layer 4, and a p-GaAs cap layer 5 are sequentially laminated. After that, the ridge 6 and the insulation M7 are formed as in the conventional example. The entire surface of the cap layer 5 other than the portion corresponding to the output end face 10 is covered with a photoresist 20, and the output end face 10 is formed by reactive ion beam etching (second
Figure (, 1L)).
次に、出射端面10もフォトレジスト21で保護し、フ
ォトレジスト20の所定部分20aを除去する。この基
板を所定角度αだけ傾斜させて、反応性イオンビーム2
2によりエツチングする(第2図(b))。このエツチ
ングにより、出射端面10に対向し、それに対して角度
αで傾斜する傾斜面23が形成される。Next, the output end face 10 is also protected with a photoresist 21, and a predetermined portion 20a of the photoresist 20 is removed. This substrate is tilted by a predetermined angle α, and the reactive ion beam 2
2 (FIG. 2(b)). This etching forms an inclined surface 23 that faces the output end surface 10 and is inclined at an angle α with respect to the output end surface 10.
エツチング終了後、傾斜面23上にA1反射膜24を真
空蒸着し、フォトレジスト20.22を除去スル(第2
図(C))、この反射M24上に電子ビームレジスト2
5をコーティングし、電子ビーム描画法によりグレーテ
ィングパターン26を形成する(第2図(d))。After etching, an A1 reflective film 24 is vacuum deposited on the inclined surface 23, and the photoresist 20.22 is removed (second step).
Figure (C)), electron beam resist 2 is placed on this reflection M24.
5, and a grating pattern 26 is formed by electron beam lithography (FIG. 2(d)).
その後、AI反射層を真空蒸着し、レジスト25を除去
すると、第1図に示すように、AIJIの反射型グレー
ティング30を有する反射面11が形成される。Thereafter, an AI reflective layer is vacuum deposited and the resist 25 is removed, thereby forming a reflective surface 11 having an AIJI reflective grating 30, as shown in FIG.
このグレーティング30は、出射端面10と反射面11
との交線りに対して垂直な方向に周期的なA11l(の
凹凸により構成されている。最後に、共振器方向に垂直
な出射端面(不図示)を出射端面10の反対側に耐量法
により形成し、各リッジ6上にn側電極8を、基板1側
にn側電極9を形成する。This grating 30 has an output end surface 10 and a reflection surface 11.
It is composed of periodic irregularities of A11l (in the direction perpendicular to the intersection line with An n-side electrode 8 is formed on each ridge 6, and an n-side electrode 9 is formed on the substrate 1 side.
このような本実施例装置の動作を説明する。The operation of the apparatus of this embodiment will be explained.
第3図は、第1図のx−xiに沿う本実施例の要部の断
面を模式的に示している。レーザ発振部Aに順方向に電
流を注入してレーザ発振を起こさせると、出射端面10
からレーザ光45が反射面11に向かって放射される。FIG. 3 schematically shows a cross section of the main part of this embodiment along the line x-xi in FIG. When a current is injected into the laser oscillation section A in the forward direction to cause laser oscillation, the emission end face 10
Laser light 45 is emitted toward the reflective surface 11 from the reflection surface 11 .
このとき、出射開口が約2μmと狭いため、レーザ光4
5は約30°の広がり角(強度半幅値)で広がる。この
発散レーザ光45は反射面11により反射されるが、反
射面11に設けられているグレーティング30によって
平行レーザ光50に変換される。At this time, since the emission aperture is narrow, approximately 2 μm, the laser beam
5 spreads with a spread angle (intensity half-width value) of about 30°. This diverging laser beam 45 is reflected by the reflecting surface 11, but is converted into parallel laser beam 50 by the grating 30 provided on the reflecting surface 11.
グレーティング30の周期は、発散レーザ光45の波面
を平行レーザ光50の波面に位相シフトするように設定
されている(西原他著「光集積回路」参照)。The period of the grating 30 is set so as to phase shift the wavefront of the diverging laser beam 45 to the wavefront of the collimated laser beam 50 (see "Optical Integrated Circuits" by Nishihara et al.).
本実施例の遠視野像を第6図に示す0本実施例では、反
射面11からのレーザ光50の遠視野像は、レーザ接合
面と平行な方向では3°の半値幅(第6図(&))を、
レーザ接合面と垂直な方向では5°の半値幅(第6図(
b))を有するものであった。The far-field image of this embodiment is shown in FIG. (&))of,
In the direction perpendicular to the laser bonding surface, the half-width is 5° (Fig. 6).
b)).
本発明の第2の実施例の要部斜視図を第4図に示す、こ
の第2の実施例の構成は、第1の実施例のそれと略同様
であるが、反射面60を構成する傾斜面の中程にグレー
ティング65と直交する凹溝70が形成されている点が
異なっている。この凹溝7oの存在によって、反射面6
0には出射端面10と反射面6゜との交線Laと平行な
方向に周期的な凹凸が形成されることになる。ただし、
凹溝70は、3本のリッジ6の真中のりランと直線状に
対向し、反射面6oの凸部(凹溝70以外の部分)は両
端のリッジと直線状に対向している。A perspective view of a main part of a second embodiment of the present invention is shown in FIG. The difference is that a groove 70 perpendicular to the grating 65 is formed in the middle of the surface. Due to the presence of this groove 7o, the reflective surface 6
0, periodic unevenness is formed in a direction parallel to the intersection line La between the emission end face 10 and the reflection surface 6°. however,
The groove 70 linearly opposes the middle run of the three ridges 6, and the convex portion of the reflective surface 6o (other than the groove 70) linearly opposes the ridges at both ends.
この凹凸は、各リッジ導波路を伝搬するレーザ光の位相
が180”ずつ交互に異なる180°位相モードでレー
ザ発振部人が発振したとき、反射面6oで180°位相
差を補正する働きをする。従って、反射面60からはレ
ーザ接合面に対して平行な方向に単峰遠視野像が得られ
る。その結果、第1の実施例と同様の遠視野像が得られ
る。This unevenness serves to correct the 180° phase difference on the reflecting surface 6o when the laser oscillation unit oscillates in a 180° phase mode in which the phase of the laser light propagating through each ridge waveguide is alternately different by 180”. Therefore, a single-peak far-field image is obtained from the reflecting surface 60 in a direction parallel to the laser bonding surface.As a result, a far-field image similar to that of the first embodiment is obtained.
尚、本発明は、上述の各実施例の精成に限られることな
く、例えば、以下のような場合にも適用可能である、
(1)実施例として示したリッジ導波路型以外の導波構
造を有する全ての半導体レーザアンイ装置、(2)実施
例として示した平行導波路以外の分岐結合型導波路構造
を有する半導体レーザアレイ装置、(3)実施例として
示したGaAs−AlGaAs系以外の、InP−1n
GaAsP系等の他の半導体材料を用いた半導体レーザ
アレイ装置、
(4)実施例ではグレーティングはA1の凹凸により形
成されているが、Al以外の材料による凹凸或いは屈折
率変化によるグレーティングを備えた半導体レーザアレ
イ装置、及び
(5)実施例ではグレーティングは電子ビーム描画法に
より形成されているが、集束イオンビーム法による直接
描画法によって形成されたグレーティングを備えた半導
体レーザアレイ装置。Note that the present invention is not limited to the refinement of each of the embodiments described above, and can be applied to, for example, the following cases: (1) Waveguides other than the ridge waveguide type shown in the embodiments (2) Any semiconductor laser array device having a branch-coupled waveguide structure other than the parallel waveguide shown in the example; (3) Any semiconductor laser array device other than the GaAs-AlGaAs system shown in the example. InP-1n
Semiconductor laser array device using other semiconductor materials such as GaAsP system, (4) In the example, the grating is formed by unevenness of A1, but it is also possible to use a semiconductor with a grating made of unevenness or a change in refractive index made of a material other than Al. (5) A semiconductor laser array device including a grating formed by a direct writing method using a focused ion beam method, although the grating in the embodiment is formed by an electron beam writing method.
(発明の効果)
本発明の半導体レーザアレイ装置は、このように、レー
ザ発振部の出射端面に対向して設けられた反射面上に出
射光の広がりを抑制するグレーティングが形成されてい
るので、広がりのない円形状のコリメートされた遠視野
像を有する出射光を反射面から得ることができる。従っ
て、本発明の半導体レーザアレイ装置を、円形スポット
状のレーザ光が要求される、例えば、光デイスクシステ
ムやYAGレーザ等の光源として用いる場合にも、出射
光をコリメートするための特殊な光学系を必要としない
。(Effects of the Invention) As described above, in the semiconductor laser array device of the present invention, since the grating for suppressing the spread of the emitted light is formed on the reflective surface provided opposite to the emitting end face of the laser oscillation section, Output light having a circular, collimated, far-field image with no spread can be obtained from the reflective surface. Therefore, even when the semiconductor laser array device of the present invention is used as a light source for an optical disk system, a YAG laser, etc. that requires laser light in the form of a circular spot, a special optical system for collimating the emitted light is required. does not require.
、 ・ Iゝ−曇日
第1図は本発明の第1の実施例の要部斜視図、第2図(
a)〜(d)はその実施例の製造工程を説明するための
図、第3図は第1図x−X線に沿う断面図、第4図は第
2の実施例の要部斜視図、第5図は従来例の要部斜視図
、第6図(a>及び(b)は第1の実施例の遠視野像を
示す図、第7図(a)及び(b)は従来例の遠視野像を
示す図である。, ・I - Cloudy day Figure 1 is a perspective view of the main part of the first embodiment of the present invention, Figure 2 (
a) to (d) are diagrams for explaining the manufacturing process of the embodiment, FIG. 3 is a sectional view taken along the line x-X in FIG. 1, and FIG. 4 is a perspective view of the main part of the second embodiment. , FIG. 5 is a perspective view of the main part of the conventional example, FIG. 6 (a> and (b) is a diagram showing a far-field image of the first embodiment, and FIG. 7 (a) and (b) is the conventional example. It is a figure showing a far-field image of.
3・・・活性層、6・・・リッジ、10・・・出射端面
、11.60・・・反射面、30.65・・・グレーテ
ィング、45・・・出射光、50・・・反射光。3... Active layer, 6... Ridge, 10... Emitting end surface, 11.60... Reflecting surface, 30.65... Grating, 45... Outgoing light, 50... Reflected light .
以上that's all
Claims (1)
直交するレーザ光出射端面を有する半導体レーザアレイ
装置であって、該出射端面に対向して反射面が設けられ
ており、該反射面にグレーティングが形成されている半
導体レーザアレイ装置。1. A semiconductor laser array device having a plurality of optically coupled active waveguides and a laser beam emitting end face perpendicular to the waveguides, wherein a reflecting surface is provided opposite to the emitting end face, and the reflecting surface A semiconductor laser array device with a grating formed on its surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33270287A JPH01175280A (en) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | Semiconductor laser array device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33270287A JPH01175280A (en) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | Semiconductor laser array device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01175280A true JPH01175280A (en) | 1989-07-11 |
Family
ID=18257917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33270287A Pending JPH01175280A (en) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | Semiconductor laser array device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01175280A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03124674U (en) * | 1990-02-26 | 1991-12-17 | ||
JPH0685404A (en) * | 1992-03-12 | 1994-03-25 | Trw Inc | Two-dimensional monolithic coherent semiconductor laser array |
DE4438368A1 (en) * | 1994-10-27 | 1996-05-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Arrangement for guiding and shaping beams of a straight-line laser diode array |
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-
1987
- 1987-12-29 JP JP33270287A patent/JPH01175280A/en active Pending
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