JPH01174504A - 有機高分子薄膜の製造方法 - Google Patents
有機高分子薄膜の製造方法Info
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- JPH01174504A JPH01174504A JP33420187A JP33420187A JPH01174504A JP H01174504 A JPH01174504 A JP H01174504A JP 33420187 A JP33420187 A JP 33420187A JP 33420187 A JP33420187 A JP 33420187A JP H01174504 A JPH01174504 A JP H01174504A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は有機高分子薄膜の製造方法に関する。
（従来の技術）
たとえばコンデンサの誘電体などに使用される有機高分
子薄膜を製造するのに、七ツマーガスをプラズマ中に導
いて重合膜を得るプラズマ重合法、高分子を真空中で加
熱して蒸着させる真空蒸着法が従来より知られている。
子薄膜を製造するのに、七ツマーガスをプラズマ中に導
いて重合膜を得るプラズマ重合法、高分子を真空中で加
熱して蒸着させる真空蒸着法が従来より知られている。
しかし前者の方法は、原料にモノマーガスを使用するた
め、分子構造を制御することができず、ランダムな重合
膜となる。また後者の方法は、得られる膜はポーラス状
であり、緻密な膜は得られない。
め、分子構造を制御することができず、ランダムな重合
膜となる。また後者の方法は、得られる膜はポーラス状
であり、緻密な膜は得られない。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は膜の分子構造が制御可能であり、緻密な膜の
製造を可能とすることを目的とする。
製造を可能とすることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明は有機物質を真空中で熱分解してガス化し、そ
の熱分解ガスをプラズマ中で励起して活性種とし、これ
を基板上で重合させることによって成膜することを特徴
とする。
の熱分解ガスをプラズマ中で励起して活性種とし、これ
を基板上で重合させることによって成膜することを特徴
とする。
（作用）
有機物質を真空中で熱分解させると、モノマーにはなら
ず、成る程度の分子量（たとえば数百〜数千）をもった
ガスとなる。そのためモノマーガスを用いる場合とは異
なり、分子量の異なる有機物質を使用すれば、熱分解ガ
スの分子の大きさを制御することができるようになる。
ず、成る程度の分子量（たとえば数百〜数千）をもった
ガスとなる。そのためモノマーガスを用いる場合とは異
なり、分子量の異なる有機物質を使用すれば、熱分解ガ
スの分子の大きさを制御することができるようになる。
このようにして大きさを制御した分子を、プラズマ中で
励起して活性種として基板上で重合させると、モノマー
を用いたプラズマ重合膜のようなランダムな重合とはな
らずに、熱分解ガスの分子同志が重合する。したがって
分子構造が制御された膜が得られ、ランダム重合膜のよ
うに固くかつ脆いことはなく、柔軟性を帯びるとともに
、その膜は三次元的に架橋し緻密となる。
励起して活性種として基板上で重合させると、モノマー
を用いたプラズマ重合膜のようなランダムな重合とはな
らずに、熱分解ガスの分子同志が重合する。したがって
分子構造が制御された膜が得られ、ランダム重合膜のよ
うに固くかつ脆いことはなく、柔軟性を帯びるとともに
、その膜は三次元的に架橋し緻密となる。
（実施例）
図はこの発明の実施のために使用した装置を示し、１は
真空チャンバーで１図のものはステンレス製のチャンバ
ー３と、ガラス製のチャンバー２とからなり、両チャン
バー２，３は内部が互いに連通ずるように重ね合わせて
構成しである。
真空チャンバーで１図のものはステンレス製のチャンバ
ー３と、ガラス製のチャンバー２とからなり、両チャン
バー２，３は内部が互いに連通ずるように重ね合わせて
構成しである。
チャンバー３の内部には有機物質を入れたるつぼ４があ
って、これはその加熱用の電源５によって抵抗加熱され
るようにしである。６はシャッター、７は排気系に通ず
る管路である。
って、これはその加熱用の電源５によって抵抗加熱され
るようにしである。６はシャッター、７は排気系に通ず
る管路である。
チャンバー２内にはたとえばステンレスからなる基板ホ
ルダー８があって、ここに基板９がホールドされである
。基板９としてはたとえば酸化インジュームと酸化錫と
の混合物がコーティングされである導電性の透明ガラス
が適当である。そしてこれは接地または負電位とされて
いる。１０はプラズマ発生用のガス（たとえばＡｒ、Ｎ
ａ、Ｎ２など）を導入する導入路である。
ルダー８があって、ここに基板９がホールドされである
。基板９としてはたとえば酸化インジュームと酸化錫と
の混合物がコーティングされである導電性の透明ガラス
が適当である。そしてこれは接地または負電位とされて
いる。１０はプラズマ発生用のガス（たとえばＡｒ、Ｎ
ａ、Ｎ２など）を導入する導入路である。
１１はプラズマを発生させるための高周波を出力する高
周波アンテナであり、基板９の近辺に配置されている。
周波アンテナであり、基板９の近辺に配置されている。
高周波アンテナ１１は高周波電源（たとえば周波数１３
．５６ＭＨｚ） １２によって、マツチングボックス１
３を介して励起される。１４はバイアス用の直流電源で
ある。
．５６ＭＨｚ） １２によって、マツチングボックス１
３を介して励起される。１４はバイアス用の直流電源で
ある。
以上において、チャンバー１内を排気したあと、るつぼ
４を電源５によって加熱し、同時に導入路１０よりプラ
ズマ発生用のガスを導入するとともに、高周波電源１２
によって高周波アンテナ１１より高周波を出力してプラ
ズマを発生させる。
４を電源５によって加熱し、同時に導入路１０よりプラ
ズマ発生用のガスを導入するとともに、高周波電源１２
によって高周波アンテナ１１より高周波を出力してプラ
ズマを発生させる。
するとるつぼ４内の有機物質は加熱されてこれより高分
子の熱分解ガスを発生する。この熱分解ガスはプラズマ
中で励起され、活性種となって基板８上で重合する。
子の熱分解ガスを発生する。この熱分解ガスはプラズマ
中で励起され、活性種となって基板８上で重合する。
次にこの発明の実験例について説明する。
実験例１
ポリフッ化ビニリデン（平均分子量６４０００）を有機
高分子材料とし、これをこの発明方法によって成膜した
。得られた膜は、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、テ
トラヒドロフランのような溶媒を１００℃に加熱したも
のに１時間浸漬しても全く不溶であった。また融点も測
定されず、三次元的に架橋していた。更に耐電圧試験に
おいても、９００Ｖ／μ−以上（膜厚０．２μ諺）であ
り、高緻密性であることが理解される。
高分子材料とし、これをこの発明方法によって成膜した
。得られた膜は、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、テ
トラヒドロフランのような溶媒を１００℃に加熱したも
のに１時間浸漬しても全く不溶であった。また融点も測
定されず、三次元的に架橋していた。更に耐電圧試験に
おいても、９００Ｖ／μ−以上（膜厚０．２μ諺）であ
り、高緻密性であることが理解される。
比較のために同じ材料について真空蒸着法によって成膜
したところ、その平均分子量は約２０００であり、前記
した溶媒に可溶であった。また融点は１８０℃であり、
４μ−以下の膜厚では数Ｖ程度の直流電圧で導通状態と
なった。
したところ、その平均分子量は約２０００であり、前記
した溶媒に可溶であった。また融点は１８０℃であり、
４μ−以下の膜厚では数Ｖ程度の直流電圧で導通状態と
なった。
実験例２
ポリエチレン（平均分子量９００）を有機高分子材料と
し、これをこの発明方法によって成膜した。
し、これをこの発明方法によって成膜した。
得られた膜は、キシレンのような溶媒に１時間浸漬して
も全く不溶であった。また融点も測定されず、三次元的
に架橋していることが確認された。
も全く不溶であった。また融点も測定されず、三次元的
に架橋していることが確認された。
耐電圧試験においても、１６００Ｖ／μｍ以上（膜厚０
．２μ膳）であり、高緻密性であることが理解される。
．２μ膳）であり、高緻密性であることが理解される。
比較のために同じ材料について真空蒸着法によって成膜
したところ、キシレンに可溶であった。
したところ、キシレンに可溶であった。
また融点は１００℃であり、３〜４μｍ以下の膜厚では
数Ｖ程度の直流電圧で導通状態となった。
数Ｖ程度の直流電圧で導通状態となった。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明によれば、有機高分子材料
によって成膜するにあたり、従来方法に比較して緻密に
かつ分子構造の制御の可能な薄膜を生成することができ
るといった効果を奏する。
によって成膜するにあたり、従来方法に比較して緻密に
かつ分子構造の制御の可能な薄膜を生成することができ
るといった効果を奏する。
図はこの発明方法の実施にあたって使用した装置の断面
図である。 １・・・真空チャンバー、４・・・るつぼ、５・・・加
熱用の電源、９・・・基板、１１・・・高周波アンテナ
、１２・・・高周波電源、
図である。 １・・・真空チャンバー、４・・・るつぼ、５・・・加
熱用の電源、９・・・基板、１１・・・高周波アンテナ
、１２・・・高周波電源、
Claims (1)
- 有機高分子物質を真空中で熱分解してガス化し、これに
よって得た熱分解ガスをプラズマ中で励起して活性種と
し、これを基板上で重合させることによって成膜するこ
とを特徴とする有機高分子薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33420187A JPH01174504A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 有機高分子薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33420187A JPH01174504A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 有機高分子薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01174504A true JPH01174504A (ja) | 1989-07-11 |
Family
ID=18274672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33420187A Pending JPH01174504A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 有機高分子薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01174504A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258886A (en) * | 1992-05-25 | 1993-11-02 | C. Itoh Fine Chemical Co., Ltd. | Thin film capacitor and apparatus for manufacturing same |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP33420187A patent/JPH01174504A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258886A (en) * | 1992-05-25 | 1993-11-02 | C. Itoh Fine Chemical Co., Ltd. | Thin film capacitor and apparatus for manufacturing same |
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