JPH01171213A - 高電圧高繰返しパルス発生電源装置 - Google Patents
高電圧高繰返しパルス発生電源装置Info
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- JPH01171213A JPH01171213A JP62329191A JP32919187A JPH01171213A JP H01171213 A JPH01171213 A JP H01171213A JP 62329191 A JP62329191 A JP 62329191A JP 32919187 A JP32919187 A JP 32919187A JP H01171213 A JPH01171213 A JP H01171213A
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- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
゛〔産業上の利用分野〕
本発明は高電圧高繰返しパルス発生電源装置に係り、特
に、電子ビーム、イオンビームの発生、加速器、及びＸ
線管等の高速繰り返し駆動に使用され、半導体素子、ス
パークギャップ、サイラトロン、クロスフィールド管を
スイッチとして用いたテスラ型昇圧器と可飽和インダク
タによるパルス圧縮回路とを併用するものに関する。
に、電子ビーム、イオンビームの発生、加速器、及びＸ
線管等の高速繰り返し駆動に使用され、半導体素子、ス
パークギャップ、サイラトロン、クロスフィールド管を
スイッチとして用いたテスラ型昇圧器と可飽和インダク
タによるパルス圧縮回路とを併用するものに関する。
一般に、電子銃、電子ビーム、イオンビームの発生、加
速器、及びＸ線管等の駆動には、立ち上がり時間が数１
０ ｎ５ｅｃ程度でかつパルス幅の短い高電圧パルスが
必要である。
速器、及びＸ線管等の駆動には、立ち上がり時間が数１
０ ｎ５ｅｃ程度でかつパルス幅の短い高電圧パルスが
必要である。
従来、この種の高速放電装置を高速繰り返し駆動するた
めの電源装置としては主にサイラトロンや、スパークギ
ャップスイッチを使用したＬ−Ｃ反転回路、ブルームラ
イン回路、パルス整形回路等が利用されており、前記装
置をかなりの高速で°繰り返し駆動することが可能とな
っている。
めの電源装置としては主にサイラトロンや、スパークギ
ャップスイッチを使用したＬ−Ｃ反転回路、ブルームラ
イン回路、パルス整形回路等が利用されており、前記装
置をかなりの高速で°繰り返し駆動することが可能とな
っている。
しかしながら、前記従来型の電源装置においては、電流
立ち上がり時間を短く、しかも、繰り返し速度を速くし
て動作させると、スイッチ素子での電力損失が大きくな
り、かつ、これが素子自体の負担となるためスイッチ素
子の寿命が極めて短くなると共に、電源装置の大電力化
及び大平均電力化が困難であるという不都合があった。
立ち上がり時間を短く、しかも、繰り返し速度を速くし
て動作させると、スイッチ素子での電力損失が大きくな
り、かつ、これが素子自体の負担となるためスイッチ素
子の寿命が極めて短くなると共に、電源装置の大電力化
及び大平均電力化が困難であるという不都合があった。
このため、スイッチ素子として半導体素子を使用するこ
とも検討されたが、パルス幅を充分に短くし、かつ、出
力インピーダンスを低くして充分に大きな尖頭電力を得
ることが不可能であったため、前記装置を駆動すること
ができなかった。
とも検討されたが、パルス幅を充分に短くし、かつ、出
力インピーダンスを低くして充分に大きな尖頭電力を得
ることが不可能であったため、前記装置を駆動すること
ができなかった。
本発明は前記事項に鑑みてなされたもので、高速繰り返
し動作が可能で、かつ低い出力インピーダンス特性が得
られ、しかも極めて長寿命で信頼が高く、高出力の高電
圧高繰返しパルス発生電源装置を提供することを目的と
している。
し動作が可能で、かつ低い出力インピーダンス特性が得
られ、しかも極めて長寿命で信頼が高く、高出力の高電
圧高繰返しパルス発生電源装置を提供することを目的と
している。
本発明は前記技術的課題を解決するために、テスラ型昇
圧器Ｔｌと、このテスラ型昇圧器Ｔｌに直流電源ＰＳを
断続的に供給するためのパルススイッチ手段ＳＷと、前
記テスラ型昇圧器Ｔｌの２次側に縦続的に接続され可飽
和インダクタＳＬＩ。
圧器Ｔｌと、このテスラ型昇圧器Ｔｌに直流電源ＰＳを
断続的に供給するためのパルススイッチ手段ＳＷと、前
記テスラ型昇圧器Ｔｌの２次側に縦続的に接続され可飽
和インダクタＳＬＩ。
Ｓｂ２．Ｓｂ２とエネルギ蓄積コンデンサＣＩ。
Ｃ２，Ｃ３とからなるパルス圧縮回路ＡＩ、Ａ２゜Ａ３
とを具備せしめて高電圧高繰返しパルス発生電源装置と
した。
とを具備せしめて高電圧高繰返しパルス発生電源装置と
した。
前記パルススイッチ手段ＳＷとしては例えば、半導体ス
イッチ素子ＳＷ、スパークギャップ、サイラトロン、ク
ロスフィールド管を用いることができる。また、前記可
飽和インダクタＳＬＩ、ＳＬ２．Ｓｂ２としては非晶質
金属強磁性体薄膜を多層巻にした磁心を有するものとす
ることができる。さらに、前記可飽和インダクタＳＬＩ
、ＳＬ２、Ｓｂ２はフェライト磁心を有するものとする
ことができる。
イッチ素子ＳＷ、スパークギャップ、サイラトロン、ク
ロスフィールド管を用いることができる。また、前記可
飽和インダクタＳＬＩ、ＳＬ２．Ｓｂ２としては非晶質
金属強磁性体薄膜を多層巻にした磁心を有するものとす
ることができる。さらに、前記可飽和インダクタＳＬＩ
、ＳＬ２、Ｓｂ２はフェライト磁心を有するものとする
ことができる。
そして、前記可飽和インダクタＳＬＩ、ＳＬ２゜Ｓｂ２
の非晶質金属強磁性体薄膜としてはポリアミド系、ポリ
イミド系、またはポリエステル系等の合成樹脂薄膜の絶
縁材または合成樹脂含浸による絶縁潤またはコーティン
グによる絶縁膜を介して巻回されているものとすること
ができる。
の非晶質金属強磁性体薄膜としてはポリアミド系、ポリ
イミド系、またはポリエステル系等の合成樹脂薄膜の絶
縁材または合成樹脂含浸による絶縁潤またはコーティン
グによる絶縁膜を介して巻回されているものとすること
ができる。
なお、前記クロスフィールド管としては例えば、米国フ
ユーズ社のＣＲＯＳＳＡＴＲＯＮ（登録商標）を使用す
ることができる。
ユーズ社のＣＲＯＳＳＡＴＲＯＮ（登録商標）を使用す
ることができる。
前記したように、テスラ型昇圧器Ｔｌか空芯であるため
鉄損を始めとする損失が少なく、また、パルス圧縮回路
ＡＩ、Ａ２．Ａ３を併用するため、構成部品も少なくて
済み、高速繰り返し動作も可能となる。また、出力イン
ピーダンスら低くすることができる。
鉄損を始めとする損失が少なく、また、パルス圧縮回路
ＡＩ、Ａ２．Ａ３を併用するため、構成部品も少なくて
済み、高速繰り返し動作も可能となる。また、出力イン
ピーダンスら低くすることができる。
このため、パルススイッチ手段ＳＷとして半導体大電力
素子を使用することが可能になるとともに、パルススイ
ッチ手段としてスパークギャップ、サイラトロン、また
は、クロスフィールド管を使用した場合にはスイッチン
グによる負担を軽減することが可能となる。
素子を使用することが可能になるとともに、パルススイ
ッチ手段としてスパークギャップ、サイラトロン、また
は、クロスフィールド管を使用した場合にはスイッチン
グによる負担を軽減することが可能となる。
以下、本発明の実施例を第１図ないし第３図に基づいて
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る高電圧高速繰り返し
電源装置の回路図を示す。
電源装置の回路図を示す。
同図の装置は、直流電源ＰＳにパルススイッチ手段とし
てのサイラトロンスイッチ素子ＳＷを並列接続し、そし
て、直流電源ＰＳの＋側とテスラ型昇圧器Ｔ１の１次コ
イルの一端との間にエネルギ蓄積コンデンサＣＩを直列
に介挿しである。そして、テスラ型昇圧器Ｔｌの１次コ
イルの他端は直流電源ＰＳの一側に接続されている。
てのサイラトロンスイッチ素子ＳＷを並列接続し、そし
て、直流電源ＰＳの＋側とテスラ型昇圧器Ｔ１の１次コ
イルの一端との間にエネルギ蓄積コンデンサＣＩを直列
に介挿しである。そして、テスラ型昇圧器Ｔｌの１次コ
イルの他端は直流電源ＰＳの一側に接続されている。
さらに、テスラ型昇圧器Ｔ１の２次コイルには夫々縦続
接続された可飽和インダクタＳＬＩ、ＳＬ２．ＳＬ３及
びコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ４を夫々有するパルス圧縮
回路Ａｔ、Ａ２．Ａ３が接続されている。
接続された可飽和インダクタＳＬＩ、ＳＬ２．ＳＬ３及
びコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ４を夫々有するパルス圧縮
回路Ａｔ、Ａ２．Ａ３が接続されている。
このパルス圧縮回路Ａ３の最終出力端には負荷ＬＤが接
続されている。
続されている。
第２図は、第１図の装置に使用されているパルス圧縮回
路の具体的構造を示す。同図に示されるようにパルス圧
縮回路装置は、高電圧に対する安定性と低インダクタン
スを実現するために、高電圧導体板ｌを中央に置き、こ
れを２枚のアース導体板３ａ、３ｂにより挟み込む構造
となっている。
路の具体的構造を示す。同図に示されるようにパルス圧
縮回路装置は、高電圧に対する安定性と低インダクタン
スを実現するために、高電圧導体板ｌを中央に置き、こ
れを２枚のアース導体板３ａ、３ｂにより挟み込む構造
となっている。
そして、これらパルス圧縮回路Ａ１．Ａ２．Ａ３は高圧
絶縁油に浸されている。
絶縁油に浸されている。
各コンデンサＣ２，Ｃ３，０４は例えば、夫々残留イン
ダクタンスの小さいセラミックコンデンサ、オイルコン
デンサ、水コンデンサ等を複数個並列接続することによ
り構成される。
ダクタンスの小さいセラミックコンデンサ、オイルコン
デンサ、水コンデンサ等を複数個並列接続することによ
り構成される。
なお、テスラ型昇圧器Ｔｌの１次コイル側に接続される
エネルギ蓄積コンデンサＣＩとしては例えば、オイルコ
ンデンサ等が使用される。また、前記可飽和インダクタ
ＳＬＩ、ＳＬ２．ＳＬ３は液冷するようにしてもよい。
エネルギ蓄積コンデンサＣＩとしては例えば、オイルコ
ンデンサ等が使用される。また、前記可飽和インダクタ
ＳＬＩ、ＳＬ２．ＳＬ３は液冷するようにしてもよい。
前記夫々の可飽和インダクタＳＬＩ、ＳＬ２゜ＳＬ３は
例えば、第３図に示す磁心に夫々所定数のコイルを巻回
することにより構成することができる。
例えば、第３図に示す磁心に夫々所定数のコイルを巻回
することにより構成することができる。
同図に示される磁心は、非晶質金属強磁性体薄膜７と絶
縁用合成樹脂薄膜９とを重ね合わせ多層巻にして構成さ
れている。非晶質金属強磁性体薄膜７としては例えば、
フェライト、Ｆｅ系或はＣ０系の非晶質（アモルファス
）金属を用いるのが好ましく、これにより低損失、高透
磁率、高磁束密度の磁束を形成することができる。
縁用合成樹脂薄膜９とを重ね合わせ多層巻にして構成さ
れている。非晶質金属強磁性体薄膜７としては例えば、
フェライト、Ｆｅ系或はＣ０系の非晶質（アモルファス
）金属を用いるのが好ましく、これにより低損失、高透
磁率、高磁束密度の磁束を形成することができる。
また、絶縁用合成樹脂薄膜９としては、例えばポリアミ
ド系、ポリイミド系或はポリエステル系合成樹脂を用い
たものを使用することができる。
ド系、ポリイミド系或はポリエステル系合成樹脂を用い
たものを使用することができる。
また、薄膜としてセラミック等を用いることもできる。
なお第３図に示される磁心としては、前記したものの他
、非晶質金属強磁性体薄膜７を多層巻にし、絶縁層とし
てシリコン系、エポキシ系、アクリル酸エステル系等の
樹脂を含浸させたもの、Ｓｉ ０２ 、Ｍｇ Ｏ、バラ
キシリレリン、セラミック等の絶縁膜でコーティングし
た非晶質金属強磁性体薄膜７を多層巻にしたもの、或は
フェライトを一体成型したもの等を用いるようにしても
よい。
、非晶質金属強磁性体薄膜７を多層巻にし、絶縁層とし
てシリコン系、エポキシ系、アクリル酸エステル系等の
樹脂を含浸させたもの、Ｓｉ ０２ 、Ｍｇ Ｏ、バラ
キシリレリン、セラミック等の絶縁膜でコーティングし
た非晶質金属強磁性体薄膜７を多層巻にしたもの、或は
フェライトを一体成型したもの等を用いるようにしても
よい。
各可飽和インダクタＳＬＩ、ＳＬ２．ＳＬ３はこの上う
な磁心を夫々所望の数だけ使用しかつコイルの巻き線数
を適切に選択することにより、飽和時のインダクタンス
５Ｌｓａｔが例えば順次小さくなるように構成される。
な磁心を夫々所望の数だけ使用しかつコイルの巻き線数
を適切に選択することにより、飽和時のインダクタンス
５Ｌｓａｔが例えば順次小さくなるように構成される。
以上のように構成された高速繰り返し電源装置の動作を
説明する。
説明する。
まず、エネルギ蓄積コンデンサＣＩを高電圧の直流電源
ＰＳでＶＣＩに充電しておき、サイラトロンスイッチＳ
Ｗのグリッドを外部からトリガすることにより前記サイ
ラトロンスイッチＳＷを導通させる。これにより、コン
デンサＣＩの電荷がテスラ型昇圧器Ｔ１を介してコンデ
ンサＣ２に移乗し、−旦コンデンサＣ２が正電圧に充電
された後に、テスラ型昇圧器特有の重共振モードにより
コンデンサＣ２の電圧が負電圧に反転し最大負電圧ＶＣ
２ｎ＋ａｘに達する。
ＰＳでＶＣＩに充電しておき、サイラトロンスイッチＳ
Ｗのグリッドを外部からトリガすることにより前記サイ
ラトロンスイッチＳＷを導通させる。これにより、コン
デンサＣＩの電荷がテスラ型昇圧器Ｔ１を介してコンデ
ンサＣ２に移乗し、−旦コンデンサＣ２が正電圧に充電
された後に、テスラ型昇圧器特有の重共振モードにより
コンデンサＣ２の電圧が負電圧に反転し最大負電圧ＶＣ
２ｎ＋ａｘに達する。
ここで、可飽和インダクタンＳＬＩはこの間未飽和状態
にあり、高インダクタンスとなるため、コンデンサＣ２
の電荷は殆どコンデンサｃ３に流出することはない。
にあり、高インダクタンスとなるため、コンデンサＣ２
の電荷は殆どコンデンサｃ３に流出することはない。
一方、コンデンサＣ２の電圧が最大負電圧ＶＣ２ｍａＸ
に達すると、可飽和インダクタンスＳＬＩは飽和状態に
なり急激にインダクタが低下する。これにより、コンデ
ンサＣ２に蓄積された電荷は、コンデンサＣ１へ戻らず
、コンデンサＣ２、可飽和インダクタＳＬＩ及びコンデ
ンサＣ３によって構成される回路の時定数τｌに従って
コンデンサＣ３へ移乗し、τ１時間経過後このコンデン
サＣ３の電圧が最大電圧ＶＣ３ｍａｘに達する。このと
き、時定数τＩは次式で表される。
に達すると、可飽和インダクタンスＳＬＩは飽和状態に
なり急激にインダクタが低下する。これにより、コンデ
ンサＣ２に蓄積された電荷は、コンデンサＣ１へ戻らず
、コンデンサＣ２、可飽和インダクタＳＬＩ及びコンデ
ンサＣ３によって構成される回路の時定数τｌに従って
コンデンサＣ３へ移乗し、τ１時間経過後このコンデン
サＣ３の電圧が最大電圧ＶＣ３ｍａｘに達する。このと
き、時定数τＩは次式で表される。
ｒ Ｉ ＝ ｒｒ ５ａｔＸ ｌＸＣ２ＣＩ
＋Ｃ２ここで５Ｌｌｓａｔは可飽和インダクタＳＬＩの
飽和インダクタンスである。上式で表される時定数τｌ
の間、可飽和インダクタＳＬ２は未飽和状態にあり、コ
ンデンサＣ２に蓄積された電荷はコンデンサＣ４に流入
せず、殆どコンデンサＣ３へ移乗する。そして、コンデ
ンサＣ３の電圧がＶＣ３ｍａｘに達すると、可飽和イン
ダクタＳＬ２か急激に飽和するが、ここで可飽和インダ
クタＳＬ２の飽和インダクタンスを可飽和インダクタＳ
ＬＩのそれよりも小さくしておくことにより、コンデン
サＣ３、可飽和インダクタＳＬ２、及びコンデンサＣ４
によって構成される回路の時定数τ２に従ってコンデン
サＣ３に蓄積されたエネルギを有効にコンデンサＣ４へ
移乗さ仕るとともに、パルス幅を圧縮することが可能と
なる。
＋Ｃ２ここで５Ｌｌｓａｔは可飽和インダクタＳＬＩの
飽和インダクタンスである。上式で表される時定数τｌ
の間、可飽和インダクタＳＬ２は未飽和状態にあり、コ
ンデンサＣ２に蓄積された電荷はコンデンサＣ４に流入
せず、殆どコンデンサＣ３へ移乗する。そして、コンデ
ンサＣ３の電圧がＶＣ３ｍａｘに達すると、可飽和イン
ダクタＳＬ２か急激に飽和するが、ここで可飽和インダ
クタＳＬ２の飽和インダクタンスを可飽和インダクタＳ
ＬＩのそれよりも小さくしておくことにより、コンデン
サＣ３、可飽和インダクタＳＬ２、及びコンデンサＣ４
によって構成される回路の時定数τ２に従ってコンデン
サＣ３に蓄積されたエネルギを有効にコンデンサＣ４へ
移乗さ仕るとともに、パルス幅を圧縮することが可能と
なる。
この場合、時定数τ２は次式で表される。
ｒ ２ ＝ ｒｒ ５Ｌ２ｓａｔＸ ｃ３ｘ Ｃ４
Ｃ４＋ Ｃ４ここで、５Ｌ２ｓａｔは可飽和インダクタ
ＳＬ２の飽和インダクタンスである。
Ｃ４＋ Ｃ４ここで、５Ｌ２ｓａｔは可飽和インダクタ
ＳＬ２の飽和インダクタンスである。
同様に、コンデンサＣ３の電荷か完全にコンデンサＣ４
に移乗するまで可飽和インダクタＳＬ３が未飽和状態を
保ちエネルギの移乗が行われ、コンデンサＣ４の電圧が
最大となった時点で飽和インダクタＳＬ３か飽和し、コ
ンデンサＣ４に蓄積されたエネルギが負荷ＬＤに流入す
る。なお・、電源装置の出力インピーダンスＺ ｏｕｔ
は、Ｚｏｕｔ＝２ ＳＬ ｓａｔ ４−で表され、
可飽和インダクタＳＬ３の形状を考慮することにより、
その飽和インダクタンス５Ｌａｓａｔ数ｎＨと小さくす
ることができるから出力インピーダンスＺｏｕｔを１Ω
以下にすることら可能である。
に移乗するまで可飽和インダクタＳＬ３が未飽和状態を
保ちエネルギの移乗が行われ、コンデンサＣ４の電圧が
最大となった時点で飽和インダクタＳＬ３か飽和し、コ
ンデンサＣ４に蓄積されたエネルギが負荷ＬＤに流入す
る。なお・、電源装置の出力インピーダンスＺ ｏｕｔ
は、Ｚｏｕｔ＝２ ＳＬ ｓａｔ ４−で表され、
可飽和インダクタＳＬ３の形状を考慮することにより、
その飽和インダクタンス５Ｌａｓａｔ数ｎＨと小さくす
ることができるから出力インピーダンスＺｏｕｔを１Ω
以下にすることら可能である。
このように、一種のエネルギ共振移乗回路を複数個直列
に接続し、回路中のインダクタとして可飽和インダクタ
を使用しかつ可飽和インダクタの飽和インダクタンスを
次第に減少させることにより、パルス圧縮装置を構成す
ることが可能となり、エネルギを有効に伝達させると共
に、パルス幅の圧縮が可能となる。
に接続し、回路中のインダクタとして可飽和インダクタ
を使用しかつ可飽和インダクタの飽和インダクタンスを
次第に減少させることにより、パルス圧縮装置を構成す
ることが可能となり、エネルギを有効に伝達させると共
に、パルス幅の圧縮が可能となる。
さらに、高電圧高繰返しパルス発生電源の出力インピー
ダンスと電子ビーム発生器のインピーダンスとを整合さ
せることができる。 ゛また、初段のパルス発
生装置に、効率が高く、かつ大形化が容易であるテスラ
型昇圧器を用いることにより、直流電源電圧を例えば、
数１０ＫＶと低くすることができ、絶縁が容易になる。
ダンスと電子ビーム発生器のインピーダンスとを整合さ
せることができる。 ゛また、初段のパルス発
生装置に、効率が高く、かつ大形化が容易であるテスラ
型昇圧器を用いることにより、直流電源電圧を例えば、
数１０ＫＶと低くすることができ、絶縁が容易になる。
なお、第１図の装置において、コンデンサＣＩの容量を
０．２５μＦ、コンデンサＣ２，Ｃ３゜Ｃ４の容量を夫
々ｌ０ｎＦとし、負荷ＬＤの抵抗を２．０Ωと設定した
場合には、次のような結果が、得られた。
０．２５μＦ、コンデンサＣ２，Ｃ３゜Ｃ４の容量を夫
々ｌ０ｎＦとし、負荷ＬＤの抵抗を２．０Ωと設定した
場合には、次のような結果が、得られた。
即ち、コンデンサＣ１の充電電圧を３０ＫＶとし、サイ
ラトロンスイッチ素子ＳＷをトリガすることによりコン
デンサＣ２の電圧は１４０ＫＶに達し、その後１．３μ
ｓｅｃ経過後、コンデンサＣ３の電圧は３０ＫＶとなっ
た。さらに３００ｎ ｓｅｅ経過後には、コンデンサＣ
４の電圧が１２５ＫＶに達した後、負荷電流２５ＫＡ、
電圧５０ＫＶ、負荷への注入電力的１．２ＧＷが得られ
た。また、このときの電流立ち上がり時間は４０ ｎ５
ｅｃであり、パルス全幅はｌ ００ ｎ５ｅｃであった
。
ラトロンスイッチ素子ＳＷをトリガすることによりコン
デンサＣ２の電圧は１４０ＫＶに達し、その後１．３μ
ｓｅｃ経過後、コンデンサＣ３の電圧は３０ＫＶとなっ
た。さらに３００ｎ ｓｅｅ経過後には、コンデンサＣ
４の電圧が１２５ＫＶに達した後、負荷電流２５ＫＡ、
電圧５０ＫＶ、負荷への注入電力的１．２ＧＷが得られ
た。また、このときの電流立ち上がり時間は４０ ｎ５
ｅｃであり、パルス全幅はｌ ００ ｎ５ｅｃであった
。
本発明によれば、半導体スイッチ素子、スパークギャッ
プ、サイラトロン、クロスフィールド管、テスラ型昇圧
器、パルス圧縮回路を組み合わせることにより、高速繰
り返し動作が可能でかつ低い出力インピーダンスを有す
る高電圧高繰返しパルス発生電源装置が実現される。
プ、サイラトロン、クロスフィールド管、テスラ型昇圧
器、パルス圧縮回路を組み合わせることにより、高速繰
り返し動作が可能でかつ低い出力インピーダンスを有す
る高電圧高繰返しパルス発生電源装置が実現される。
このため、寿命を大幅に延長することができ、あわせて
信頼性を大幅に向上させることができる。
信頼性を大幅に向上させることができる。
さらに、大電力の電源装置を構成することも容易となる
等の優れた特長がある。
等の優れた特長がある。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示し、第１図
は高電圧高繰返しパルス発生電源装置の概要を示す回路
図、第２図はその高電圧高繰返しパルス発生電源装置に
使用されるパルス圧縮回路の構造を示す側面図、第３図
は前記回路装置に使用される可飽和インダクタの磁心の
一例を示す一部断面とした斜視図である。 ＰＳ・・・直流電源、 ＳＷ・・・サイラトロンスイッチ素子、ＴＩ・・・テス
ラ型昇圧器、 ＳＬＩ、ＳＬ２．ＳＬ３・・・可飽和インダクタ、ＣＩ
、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４・・・コンデンサ、ＡＩ、Ａ２．Ａ
３・・・パルス圧縮回路、ＬＤ・・・負荷、
ＬＬ・・・インダクタンス、ｌ・・・高電圧導体板、
３ａ、３ｂ・・・接地導体板、７・・非晶質金属強磁
性体薄膜、 ９・・・絶縁用合成樹脂薄膜。 図
は高電圧高繰返しパルス発生電源装置の概要を示す回路
図、第２図はその高電圧高繰返しパルス発生電源装置に
使用されるパルス圧縮回路の構造を示す側面図、第３図
は前記回路装置に使用される可飽和インダクタの磁心の
一例を示す一部断面とした斜視図である。 ＰＳ・・・直流電源、 ＳＷ・・・サイラトロンスイッチ素子、ＴＩ・・・テス
ラ型昇圧器、 ＳＬＩ、ＳＬ２．ＳＬ３・・・可飽和インダクタ、ＣＩ
、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４・・・コンデンサ、ＡＩ、Ａ２．Ａ
３・・・パルス圧縮回路、ＬＤ・・・負荷、
ＬＬ・・・インダクタンス、ｌ・・・高電圧導体板、
３ａ、３ｂ・・・接地導体板、７・・非晶質金属強磁
性体薄膜、 ９・・・絶縁用合成樹脂薄膜。 図
Claims (8)
- （１）テスラ型昇圧器と、このテスラ型昇圧器に直流電
源を断続的に供給するためのパルススイッチ手段と、前
記テスラ型昇圧器の２次側に縦続的に接続され可飽和イ
ンダクタとエネルギ蓄積コンデンサとからなるパルス圧
縮回路とを具備することを特徴とする高電圧高繰返しパ
ルス発生電源装置。 - （２）前記パルススイッチ手段は半導体スイッチ素子で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高電
圧高繰返しパルス発生電源装置。 - （３）前記パルススイッチ手段はスパークギャップであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高電圧
高繰返しパルス発生電源装置。 - （４）前記パルススイッチ手段はサイラトロンであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高電圧高繰
返しパルス発生電源装置。 - （５）前記パルススイッチ手段はクロスフィールド管で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高電
圧高繰返しパルス発生電源装置。 - （６）前記可飽和インダクタは非晶質金属強磁性体薄膜
を多層巻にした磁心を有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の高電圧高繰返しパルス発生電源装置
。 - （７）前記可飽和インダクタはフェライト磁心を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高電圧高
繰返しパルス発生電源装置。 - （８）前記可飽和インダクタの非晶質金属強磁性体薄膜
はポリアミド系、ポリイミド系、またはポリエステル系
等の合成樹脂薄膜の絶縁材または合成樹脂含浸による絶
縁層またはコーティングによる絶縁膜を介して巻回され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の高
電圧高繰返しパルス発生電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329191A JP2647106B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 高電圧高繰返しパルス発生電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329191A JP2647106B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 高電圧高繰返しパルス発生電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171213A true JPH01171213A (ja) | 1989-07-06 |
| JP2647106B2 JP2647106B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=18218671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62329191A Expired - Lifetime JP2647106B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 高電圧高繰返しパルス発生電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2647106B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883590A (ja) * | 1981-11-07 | 1983-05-19 | Nichicon Capacitor Ltd | パルス高電圧発生装置 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62329191A patent/JP2647106B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883590A (ja) * | 1981-11-07 | 1983-05-19 | Nichicon Capacitor Ltd | パルス高電圧発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2647106B2 (ja) | 1997-08-27 |
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