JPH01167760A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線、可視
光線、赤外線、ＸｖＡ、γ線などを意味する。）のよう
な電磁波に対して感受性のある光受容部材に関する。

〔従来技術及びその問題点等の説明〕

像形成分野において、光受容部材における光受容層を構
成する光導電材料については、高感度で、ＳＮ比〔光電
流（ｉｐ）／暗電流（Ｉ　ｄ）　）が高いこと、照射す
る電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル特
性を有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有
すること等が要求される他、使用時において人体に対し
て無公害であることが要求される。殊に、事務機として
オフィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる電
子写真用光受容部材の場合には、その使用に際して無公
害性であることが重要である。

以上のような諸要件に鑑みて、光導電材料にアモルファ
スシリコン（以後Ａ−３ｉと表記す）が使用され、電子
写真用光受容部材としても応用されて来ている。

第２図は、・そうした従来の電子写真用光受容部材の層
構成を模式的に説明するための断面図であって、２０１
はアルミニウム系支持体、２０２はＡ−３ｉからなる光
受容層をそれぞれ示す、こうした電子写真用光受容部材
は、−船釣には、アルミニウム系支持体２０１を５０℃
〜３５０℃に加熱し、該支持体上に蒸着、熱ＣＶＤ法、
プラズマＣＶＤ法、スパッタリング等の成膜法によりＡ
−３ｉからなる光受容層２０２が作成される。

しかしながら、この電子写真用光受容部材は、アルミニ
ウムとＡ−３ｔの熱膨張係数が一桁程違うために、成膜
後冷却時に、Ａ−３ｉ悪感光２０２にクランクやはがれ
が発生する場合があり問題となっている。これらの問題
を解決するについて、特開昭５９−２８１６２号公報に
見られるように、アルミニウム系支持体上に、少なくと
もアルミニウムを含む中間層と、Ａ−５ｉ悪感光からな
る電子写真感光体が提案されており、該提案においては
、少なくともアルミニウムを含む中間層によって、アル
ミニウム系支持体とＡ−３ｉ悪感光の熱膨張係数の違い
により発生する応力を緩和してＡ−３ｉ悪感光のクラン
クや膜ハガレの低減がはかられている。

しかしながら、特開昭５９−２８１６２号公報による提
案によっても上述するような解決を要する問題が依然存
在する。　　　　。

即ち、該公報に記載された方法に従って、アルミニウム
系支持体上にアルミニウム原子（Ａｊりとシリコン原子
（Ｓ　ｉ）を含有する中間層を形成し、ついでＡ−３ｉ
からなる感光層を形成して得た電子写真用感光体は、前
記の中間層を有しない他の電子写真用感光体に比べてク
ランクや膜ハガレの問題について一応の改善はみられる
ものの、長時間連続使用する場合には、上述したクラン
ク、ハガレ等の問題が生じてしまう。

ところで、前述の中間層の形成は、グロー放電分解法に
より、原料ガスとしてＡｊＣ１，。

ＡＪ　（ＣＨ３）２　、　　Ｓ　ｉ　Ｈ４等を使用しア
ルミニウム原子ＣＡＩ）とシリコン原子（Ｓｔ）が所望
通りに層中に分布するところとなるように該原料ガスの
流量を調節して行われるところ、このようにして形成さ
れる中間層においては、ＡｊとＳｔは原料ガスの流量に
対応して変化しているものの、水素原子（Ｈ）及びハロ
ゲン原子（Ｘ）は層全体に分布している。そして、該中
間層にあっては、支持体側のシリコン原子（Ｓ　ｉ）の
少ない領域が存在し、その領域では水素原子（Ｈ）、ハ
ロゲン原子（Ｘ）が多（含まれている。更にまた、該中
間層のアルミニウム原子（ＡＩｌ）が主体になっている
領域では、それらの水素原子（Ｈ）やハロゲン原子（Ｘ
）が局所的に凝集している。こうしたことが原因して、
前述の公報による提案の電子写真感光体にあっては、そ
れを長時間連続使用する場合、その光受容層の構造緩和
が進んでクランク、膜ハガレを惹起するところとなる。

この他、Ａ−３ｉで構成される光受容層を有する電子写
真用光受容部材については、暗抵抗値、光感度、光応答
性などの電気的、光学的、光導電的特性および使用環境
特性の点、さらには経時的安定性および耐久性の点にお
いて、各々個々には特性の向上が計られて来ているが、
総合的な特性向上を計る上でさらに改良すべきところが
存在する。

たとえば、近年電子写真装置の画像特性向上のために電
子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装置等の
改良がなされた結果、電子写真用光受容部材においても
従来以上の画像特性の向上が求められるようになった。

特に画像の解像力が向上した結果、俗に「ガサツキ」と
呼ばれる、画像濃度の微細な領域における不均一性の減
少や、俗に「ボチ」と呼ばれる、黒点状または白点状の
画像欠陥の減少、特には従来はあまり問題視されなかっ
た微小な大きさの「ボチ」の減少が求められるようにな
った。

さらには、電子写真装置内に混入した異物と電子写真用
光受容部材とが接触したり、電子写真装置のメンテナン
ス時に電子写真用光受容部材が電子写真装置本体やメン
テナンス用工具と接触した際に加わる比較的短時間な衝
撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生やＡ−３ｉ膜の
はがれの発生により電子写真用光受容部材の耐久性が損
なわれる等の問題の生起を防止する必要がある。

さらにまた、アルミニウム系支持体とＡ−３Ｌ膜の熱膨
張率の違いにより発生する応力のために、Ａ−３ｉｌｌ
にクランクやはがれが生じ、生産性における歩留まりが
減少する問題点も解消する必要がある。

従ってＡ−３ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で、電子写真用光受容部材を設計する際に、上述した問
題を解消し且つ上述の要求が充されるように、電子写真
用光受容部材の構成上の総合的な観点からの改良を計る
ことが必要とされる。

〔発明の目的〕

本発明は、アルミニウム系材質のものを支持体に使用し
て、上述の従来の問題点が解消され且つ上述の各種の要
求を満足する特に電子写真用感光体として好適な光受容
部材を提供することを主たる目的とするものである。

本発明の他の目的は、長時間連続使用しても光受容層の
クランク、膜ハガレ等の問題がなく、所望の機械的耐久
性を有し、且つ常時安定して高質画像をもたらす、アル
ミニウム系材質のものを支持体とした電子写真用感光体
を提供することにある。

〔発明の構成、効果〕

本発明は、上述の各種問題点を克服して上述の各種要求
を充たし、且つ前記目的を達成するものであって、本発
明により提供される、特に電子写真用感光体として好適
な光受容部材は、概要、下記のとおりのものである。

即ち、アルミニウム系支持体と、該支持体上に少なくと
も光導電性を有する多層構造の光受容層を有する光受容
部材において、前記光受容層が前記支持体側より、構成
要素として少なくともアルミニウム原子（Ａｊｌ）、シ
リコン原子（Ｓｉ）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有し、且つアルカリ金属原子、アル
カリ土金属原子、遷移金属原子の中の少なくとも一種を
含有する無機材料で構成され、かつ前記アルミニウム原
子は、前記アルミニウム系支持体から上部に向かって減
少し、シリコン原子と水素原子及び／またはハロゲン原
子（Ｘ）は、共に支持体から上部に向かって増加し、か
つ、前記アルミニウム原子の含有率が上部近傍で２０％
以上である下部層と、シリコン原子を母体とし、水素原
子およびハロゲン原子（Ｘ）の中の少な（ともいずれか
一方を含有する非単結晶質材料で構成され、且つ前記下
部層と接する層領域にゲルマニウム原子およびスズ原子
の中のいずれか一方を含有する上部層からなることを特
徴とする。

なお、前記非単結晶質材料は、非晶質材料（いわゆる微
結晶質材料を含む）及び多結晶質材料を包含して意味す
る（以下、”　Ｎ　ｏ　ｎ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）″と略称す
る。）。

上述した層構成をとる本発明の電子写真用として至適な
光受容部材は、前述の諸問題を解決すると共に前述の諸
要求を充たし、掻めて優れた、電気的特性、光学的特性
、光導電特性、画像特性、耐久性、安定性および使用環
境特性を示すものである。

また、本発明の光受容部材は、殊に、下部層において、
支持体側ではアルミニウム原子（Ａｌ）を多くし、シリ
コン原子（Ｓｉ）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲ
ン原子（Ｘ）が少なくなるようにし、該下部層の上部領
域では、アルミニウム原子（Ａ１）を少なくし、シリコ
ン原子（Ｓｉ）と、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン
原子（Ｘ）が多くなるように分布させるため、従来技術
で問題となっていた下部層の支持体側に多く含有されて
いた水素原子やハロゲン原子の凝集体による、長時間の
使用に際しての構造緩和を防止でき、それに供なう堆積
膜のクランクや膜はがれを防止することができる。

また、下部層において、アルミニウム原子（Ａｌ）、シ
リコン原子（Ｓｔ）、特には水素原子（Ｈ）を層厚方向
に不均一な分布状態で含有させることにより、アルミニ
ウム系支持体と上部層との間における電荷（フォトキャ
リヤ）の注入性が改善され、さらには、アルミニウム系
支持体と上部層との構成元素の組織的構造的連続性が改
善されるために、ガサツキやボチ等の画像特性に係る問
題が解消され、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像力
の高い、高品質の画像を安定して繰り返し得ることがで
きる。

さらには、電子写真用光受容部材に加わる比較的短時間
の衝撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生やＮｏｎ−
３ｉ　　（Ｈ，Ｘ）膜のはがれの発生を防止し耐久性を
向上させ、さらには、アルミニウム系支持体と、Ｎｏｎ
−３ｉ　　（Ｈ，Ｘ）膜の熱膨張率の違いにより発生す
る応力を緩和し、Ｎｏｎ−３ｉ　　（Ｈ，Ｘ）膜にクラ
ックやはがれが生じるのを防ぎ、生産性における歩留ま
りを向上させることができる。

特に本発明においては、下部層中にアルカリ金属原子、
アルカリ土金属原子、遷移金属原子の中少なくとも一種
を含有させることによって、詳細は不明であるが下部層
中に含まれる水素原子やハロゲン原子をより分散させて
含有させることができ、下部層の経時的構造緩和をより
一層少なくすることができる。その結果、長時間使用し
てもクラックや膜はがれを起こしにくくすることができ
る。また、下部層中に上記金属原子を含有されることに
よる際立った特徴として、前述したアルミニウム系支持
体と上部層との間における電荷（フォトキャリヤ）の注
入性や密着性および下部層における電荷（フォトキャリ
ヤ）の走行性が著しく改善されるために、画像特性や耐
久性において著しい改善が見られ、その結果、生産安定
性および品質安定性が向上する。

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材につ
いて具体例を挙げて詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用光受容部材の好適な層構
成を説明するために模式的に示した構成図である。

第１図に示す電子写真用光受容部材１００は、電子写真
用光受容部材用としてのアルミニウム系支持体１０１の
上に、アルミニウム原子（Ａｊりとシリコン原子（Ｓ目
と水素原子（Ｈ）が、層厚方向に不均一な分布状態で含
有する下部１ｉ１０３と、Ｎｏｎ−３ｔ　　（Ｈ，Ｘ）
で構成される上部層１０４とから成る層構成を有する光
受容層１０２とを有する。なお上部層１０４は自由表面
１０５を有する。

叉且生 本発明において使用されるアルミニウム系支持体１０１
としては、アルミニウム合金が用いられる０本発明のア
ルミニウム合金における、基質アルミニウムをはじめと
する合金成分については、特に制限はなく、成分の種類
、組成等については任意に選択することができる。従っ
て、本発明のアルミニウム合金には、日本工業規格（Ｊ
　Ｉ　Ｓ）、ＡＡ規格、ＢＳ規格、ＤＩＮ規格、国際合
金登録等に展伸材、鋳物用、ダイカスト等とし規格化あ
るいは登録されている、純アルミニウム系、Ａｌ−Ｃｕ
系、Ａ６−Ｍｎ系、Ａ１−３ｉ系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａ７
！−Ｍｇ−３ｉ系、Ａｊ！−Ｚｎ−Ｍｇ系、等の組成の
合金、Ａｎ−Ｃｕ−Ｍｇ系（ジヱラルミン、超ジュラル
ミン等）、Ａｌ−Ｃｕ−５ｉ系（ラウタル等）、Ａｆｆ
ｉ−Ｃｕ−Ｎｉ　　Ｍｇ系（Ｙ合金、ＲＲ金合金）、ア
ルミニウム粉末焼結体（ＳＡＰ）等が含有される。

因みに、本発明のアルミニウム合金の具体的組成を以下
に例示するが、これは本発明の一例にすぎず、下記の例
示により本発明が限定されるものではない。

純アルミニウム系としては、例えばＪ　Ｉ　５Ｉ１００
の、Ｓｔ及びＦｅ：１．０重量％以下、Ｃｕ：０．０５
〜０．２０重量％、Ｍｎ：０．０５重量％以下、Ｚｎ：
　０．　Ｉ　０重量％以下、ＡＪ：９９．００重量％以
上が挙げられる。

Ａ１−Ｃｕ−Ｍｇ系としては、例えばＪＩＳ２０１７の
、Ｓ　ｉ　：　０．０５〜０．２０重量％、）’ｅ：０
．７重量％以下、Ｃｕ：３．５〜４．５重量％、Ｍ　ｎ
　：　０．４０〜１．０重量％、Ｍｇ　：　０．４０〜
０．８重量％、Ｚｎ：Ｏ，ＺＳ重量％以下、Ｃｒ；０．
１０重量％以下、Ａ１：残部が挙げられる。

ＡＩＬ−Ｍｎ系としては、例えばＪＩＳ３００３の、Ｓ
ｉ：０．６重量％以下、Ｆｅ：０．７重量％以下、Ｃｕ
　：　０．０５〜０．２０重量％、Ｍｎ：１．０〜１．
５重量％、Ｚｎ：０．１０重量％以下、へ！：残部が挙
げられる。

Ａｌ−３ｉ系としては、例えばＪＩＳ４０３２の、Ｓ　
ｉ　：　１１．０〜１３．５重量％、Ｆｅ：１．０重量
％以下、Ｃｕ　：　０．５０〜１．３重量％、Ｍｇ：ｏ
、ｓ〜１．３重量％、Ｚｎ：０．２５重１％以下、Ｃｒ
二０．１０重量％以下、Ｎｉ：０．５〜１．３重量％、
Ａ１：残部が挙げられる。

／１−Ｍｇ系としては、例えばＪＩＳ５０８６の、Ｓｉ
：０．４０重量％以下、Ｆｅ：０．５０重量％以下、Ｃ
ｕ：０．１０重量％以下、Ｍｎ：０．２０〜０．７重量
％、Ｍｇ：３．５〜４．５重量％、Ｚｎ：０．２５重量
％以下、Ｃｒ　：　０．０５〜０．２５重量％、Ｔｉ：
０．１５重量％以下、Ａｊ！ｊ残部が挙げられる。

さらには、Ｓｉ：０．５０重量％以下、Ｆｅ；０．２５
重量％以下、Ｃｕ　：０．０４〜０．２０重量％、Ｍｎ
　：　０．０１〜１．０重量％、Ｍｇ：０．５〜１０重
量％、Ｚｎ　：　０．０３〜０．２５重量％、Ｃｒ：０
．０５〜０．５０重量％、、　Ｔ　ｉ又はＺｒ：０．０
５〜０．２０重量％、Ｈｔ：Ａ１１００グラムに対して
て１．　Ｏｃｃ以下、Ａ１：残部が挙げられる。

また、さらには、５ｉｌｏ−１２重量％以下、Ｆｅ：Ｏ
，】Ｓ重量％以下、Ｍｎ：Ｑ、３Ｑ重量％以下、Ｍｇ：
０．５〜５．５重量％、Ｚｎ：０．０１〜１．０重量％
、Ｃｒ：０．２０重量％以下、、Ｚｒ：０．０１〜０．
２５重量％、ＡＩ：残部が挙げられる。

Ａｌ−Ｍｇ−３ｉ系としては、例えばＪＩＳ６０６３の
、Ｓ　ｉ　：　０．２０〜０．６重量％、Ｆｅ：０．３
５重量％以下、Ｃｕ：０．１０重量％以下、Ｍｎ：　０
．１０重量％以下、Ｍｇ１．４５〜０．９重量％、Ｚ　
ｎ　：　０．１０重量％以下、Ｃｒ：０．１０重量％以
下、Ｔｉ：０．１０重量％以下、Ａｌ；残部が挙げられ
る。

ＡＩ−Ｚｎ−Ｍｇ系としては、例えばＪＩＳ７Ｎ０１の
、Ｓｉ：０．３０重量％以下、Ｆｅ：０．３５重量％以
下、Ｃｕ：０．２０重１％以下、Ｍｎ　：　０．２０〜
０．７重量％、Ｍｇ：１．０〜２．０重景％１Ｚｎ：４
．０〜５．０重量％、Ｃｒ：０．３０重量％以下、Ｔｉ
：　０．２０重量％以下、Ｚｒ：０．２５重１％以下、
Ｖ　：　０．１０重量％以下、Ａｌ：残部が挙げられる
。

本発明においてアルミニウム合金の組成を選択するには
、使用目的に応じた特性として、例えば機械的強度、耐
食性、加工性、耐熱性、寸法制度等を考慮して適宜に選
択すれば良いが、例えば精密加工に際して、鏡面化切削
加工等を伴う場合には、アルミニウム合金中にマグネシ
ウム（Ｍｇ）及び／又は銅（Ｃｕ）を共存させることに
よって、アルミニウム合金の切削性が向上する。

本発明においてアルミニウム系支持体１０１の形状は、
平滑表面あるいは凸凹表面の円筒状あるいは板状無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは、所望通りの電子
写真用光受容部材を形成しうるように適宜決定するが、
電子写真用光受容部材としての可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可
能な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度の点から、通常は１
０μｍ以上とされる。

レーザー光などの可干渉光を用いて像記録を行う場合に
は、可視画像において現れる、いわゆる干渉縞模様によ
る画像不良を解消するために、アルミニウム系支持体表
面に凹凸を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１
５６号公報、特開昭６０−１７８４５７号公報、特開昭
６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法に
より作成される。

また、レーザー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞
模様による画像不良を解消する別の方法として、支持体
表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよ
い。即ち、支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求
される解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は
、複数の球状痕跡窪みによるものである。

支持体表面に設けられるこうした複数の球状痕跡窪みに
よる凹凸は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載さ
れた公知の方法により作成できる。

下皿１ 本発明の光受容部材における下部層は、構成要素として
少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子
及び／またはハロゲン原子を含有し、且つ、アルカリ金
属原子、アルカリ土金属原子、遷移金属原子の中の少な
くとも一種を含有する無機材料で構成され、更に前記ア
ルミニウム原子は、アルミニウム系支持体から上部に向
かって減少し、シリコン原子と水素原子及び／またはハ
ロゲン原子は、共に該支持体から上部に向かって増加し
、且つ前記アルミニウム原子の含を率が上部近傍で２０
原子％以上であるようにして構成される。

そして、下部層に含有される前記アルミニウム原子＜Ａ
Ｉ＞、シリコン原子（Ｓｔ）、水素原子（Ｈ）は、該下
部層の全層領域に万偏無く含有されてはいるが、層厚方
向においてその分布濃度が不均一である。しかしながら
、支持体の表面と平行な面内方向においては、均一な分
布で万偏無く含有されることが、面内方向における特性
の均一化を図る点からも必要である。

本発明の光受容部材における下部層は、必要に応じてゲ
ルマニウム原子（Ｇｅ）または／及びスズ原子（Ｓ　ｎ
）を含有することができる。該下部層はまた、必要に応
じて炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）及び酸素原子（０
）の中から選ばれる一種又はそれ以上を含有することが
できる。更に又該下部層は、必要に応じて導電性を制御
する原子（ドーパント）（Ｍ）又は／及び画質を調整す
る原子（Ｍｅ）を含有することができる。

本発明の光受容部材の下部層においては、上述の金属原
子及びハロゲン原子（Ｘ）、更に上記の必要に応じて含
有される原子は、いずれも下部層の全層領域に万偏無く
均一な分布状態で含有されても良いし、あるいは該下部
層の全層領域に万偏無く含有されてはいるが、層厚方向
に対し不均一に分布する状態で含有している部分があっ
ても良い、しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行な面内方向においては、均一な分布で万偏無く
含有されることが、面内方向における特性の均一化を図
る点からも必要である。

また、好ましい実施態様例の１つにおいては、下部層中
におけるアルミニウム原子（Ａｌ）、シリコン原子（Ｓ
ｉ）、水素原子（Ｈ）の分布状態は全層領域にアルミニ
ウム原子（ＡＪ）、シリコン原子（Ｓｉ）、水素原子（
Ｈ）が連続的に万偏無く分布し、アルミニウム原子（Ａ
Ｉりの層厚方向の分布濃度が支持体側より上部層に向か
って減少する変化が与えられ、シリコン原子（Ｓｉ）、
水素原子（Ｈ）の層厚方向の分布濃度が支持体側より上
部層に向かって増加する変化が与えられているので、ア
ルミニウム系支持体と下部層及び下部層と上部層との親
和性に優れている。

この場合下部層の支持体側に含有されるアルミニウム原
子の含を率は、５０原子％以上とされる様な分布状態と
なり得るように層形成されるのが望ましい。

下部層の支持体側に含有されるアルミニウム原子の含有
率が５０原子％未滴になると支持体と下部層の界面近傍
に水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）が局在化すると
ころとなり、支持体と下部層との親和性が低下する。

また、下部層の上部層との界面近傍領域に含有されるア
ルミニウム原子の含有率は２０原子％以上とすることが
望ましい。

なぜなら該領域に含有されるアルミニウム原子の含有率
を２０原子％未満とすると、下部層の金属的な性質が薄
れ、上部層との間に電気的な障壁を形成する様になるか
らである。

本発明において、下部層中に含有されるシリコン原子（
Ｓｉ）の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成
されるように所望に従って適宜法められるが、好ましく
は５〜８０原子％、より好ましくはｌＯ〜７５原子％、
最適には２０〜７０原子％とされるのが望ましい。

本発明において、下部層中に含有される水素原子（Ｈ）
及び／またはハロゲン原子（Ｘ）の含有量としては、下
部層中に含有されるシリコン原子と密接に関係し、シリ
コン原子に対して０．０１〜１００原子％、より好まし
くは０．１〜７０原子％、最適には、１〜５０原子％と
されるのが望ましい。

特に、水素原子については、それがシリコン原子に対し
て、上記範囲の量含有される場合、下部層の構造柔軟性
が増し、下部層形成時の短時間で十分に構造緩和し、長
時間に及ぶ電子写真特性に影響を与えるような構造緩和
を防止することができる等の効果がもたらされる。

本発明において、下部層に含有されるアルカリ金属原子
、アルカリ土金属原子及び遷移金属原子として、ナトリ
ウム原子（Ｎａ）、イツトリウム原子（Ｙ）、マンガン
原子（Ｍｎ）、亜鉛原子（Ｚ　ｎ）、銅原子（Ｃｕ）、
マグネシウム原子（Ｍｇ）等の一種又はそれ以上を適宜
選択して含有させることにより、下部層に含有される水
素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）をより効
率的且つ効果的に分散させることができ、それによりク
ランクやはがれの原因と考えられる水素の凝集を防止す
ることができる。また更に、アルミニウム系支持体と上
部層の間における電荷の注入性を向上させる効果および
／または下部層中での電荷の走行性を改善する効果およ
び／またはアルミニウム系支持体と上部層の間における
密着性を向上させる効果も併せてもたらされる。

該下部層中に含有される前記金属原子の含有量としては
、本発明の目的が効果的に達成されるように所望に従っ
て適宜法められるが、好ましくは１〜２ＸＩＯ’原子ｐ
ｐｍ、より好ましくは１×１０”　〜ｌＸｌ０’原子ｐ
ｐｍ％最適には５×１０！〜５Ｘ１０’原子ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

下部層に必要に応じてゲルマニウム原子（Ｇｅ）および
／またはスズ原子（Ｓ　ｎ）を含有させることによって
、主としてアルミニウム系支持体と上部層の間における
電荷の注入性を向上させる効果および／または下部層中
での電荷の走行性を改善する効果および／またはアルミ
ニウム系支持体と上部層の間における密着性を向上させ
る効果を得ることができる。さらに、下部層においてア
ルミニウム原子（ＡＮ）の含有量の少ない層領域では禁
制帯幅を狭くする効果があり、電子写真装置の画像露光
源に半導体レーザー等の長波長光を用いる場合に干渉現
象の現出を低減する効果を得ることができる。下部層中
に含有されるゲルマニウム原子（Ｇｅ）および／または
スズ原子（Ｓ　ｎ）の含有量としては、本発明の目的が
効果的に達成されるように所望に従って適宜法められる
が、好ましくは１〜９ＸｌＧ’原子ｐｐｍ％より好まし
くは１×ｌＯ寡〜８Ｘ１０’原子ｐｐｍ％最適には５Ｘ
１０”〜７Ｘ１０’原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

前記の必要に応じて含有されるハロゲン原子（Ｘ）とし
ては、フッ素原子（Ｆ）、塩素原子子（Ｃｊり、臭素原
子（Ｂｒ）、ヨウ素原子（１）が挙げられる０本発明に
おいては、下部層にこうしたハロゲン原子（Ｘ）の一種
又はそれ以上を含有させることによって、主として下部
層中に含有されるシリコン原子（Ｓｉ）、アルミニウム
原子（Ａ１）等の未結合手を補償し組織的構造的に安定
となって層品質を向上させることができる。

また、下部層には、耐久性の調整に寄与する原子として
炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）および酸素原子（０）
の一種又はそれ以上〔以下、“耐久性調整原子（ＣＮＯ
Ｃ）　”という、〕を含有させることができる。その場
合、主としてアルミニウム系支持体と上部層との間にお
ける電荷の注入性を向上させる効果および／または下部
層中での電荷の走行性を改善する効果および／またはア
ルミニウム系支持体と上部層の密着性を改善する等の効
果がもたらされる。さらに、下部層においてアルミニウ
ム原子（Ａｌ）の含を量の少ない層領域では禁制帯幅を
制御する効果も得ることができる。下部層に含有される
耐久性を調整する原子（Ｃ，Ｎ、　Ｏ）の量（以下、“
原子（ＣＮＯｃ）”という、）は、好ましくはｌＯ〜５
Ｘ１０’原子ｐｐｍ５より好ましくは５Ｘ１０’　〜４
Ｘ１０’原子ｐｐｍ、最適にはｌＸｌ０”　〜３Ｘ１０
’原子ｐｐｍとされる。

更にまた、下部層には必要に応じてドーパントを含有せ
しめることができる。その場合のドーバント〔即ち、画
質の調整に寄与する原子（Ｍｃ））としては、アルミニ
ウム原子（ＡＩ）を除（周期律表第■族に属する原子（
以後「第■族原子」と略記する）、窒素原子（Ｎ）を除
く周期律表第Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族゛原子」
と略記する）、酸素原子（０）を除く周期律表第■族に
属する原子（以後「第■族原子」と略記する）が選択使
用される。そうした第■族原子としては、具体的には、
Ｂ（硼素）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、
７Ｍ（タリウム）等が挙げられ、特にＢ。

Ｇａが好適である。また、第■族原子としては、具体的
には、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アンチモン）、
Ｂｉ（ビスマス）等が挙げられ、特にＰ、Ａｓが好適で
ある。更に第■族原子としては、具体的には、Ｓ（硫黄
）、Ｓｅ（セレン）、Ｔｏ（テルル）、Ｐｏ（ポロニウ
ム）等が挙げられ、特にＳ、Ｓｓが好適である。

本発明においては、下部層に、画質の調整に寄与する原
子（Ｍｃ）として第■族原子または第Ｖ族原子または第
■族原子を含有させる場合、主としてアルミニウム系支
持体と上部層との間における電荷の注入性を向上させる
効果および／または下部層中での電荷の走行性を改善す
る効果がもたらされる。さらに、下部層においてアルミ
ニウム原子（ＡＩ）の含有量の少ない層領域では伝導型
および／または伝導率を制御する効果も得ることができ
る。下部層に含有される上述の画質調整原子（Ｍｅ）の
量としては、好ましくはＩＸＩＧ−”〜５Ｘ１０’原子
ｐｍ）ｍ％より好ましくはｌＸｌ０−”〜Ｉ　Ｘ　１０
’原子ｐｐｍ％最適には１×１Ｏ−１〜５Ｘ１０”原子
ｐｐｍとされる。

本発明において、下部層は、たとえば、後述する上部層
の形成の場合と同様の真空堆積膜形成法によって、所望
特性が得られるように適宜成膜パラメータの数値条件を
設定して作成される。前記真空堆積膜形成法としては、
具体的には、たとえばグロー放電法（低周波ＣＶＤ、高
周波ＣＶＤまたはマイクロ波ＣＶＤ等の交流放電ＣＶＤ
、あるいは直流放電ＣＶＤ等）　、ＥＣＲ−ＣＶＤ法、
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング
法、光ＣＶＤ法、材料の原料ガスを分解することにより
生成される活性種（Ａ’）と、該活性種（Ａ）と化学的
相互作用をする成膜用の化学物質より生成される活性種
（Ｂ）とを、各々別々に堆積膜を形成するための成膜空
間内に導入し、これらを化学反応させることによって材
料を形成する方法（以後ｒＨＲｃＶＤ法」と略記する）
、材料の原料ガスと、該原料ガスに酸化作用をする性質
を有するハロゲン系の酸化ガスを各々別々に堆積膜を形
成するための成膜区間内に導入し、これらを化学反応さ
せることによって材料を形成する方法（以後ｒＦＯｃＶ
Ｄ法」と略記する）等の方法が適宜選択使用できる。こ
れらの真空堆積膜形成法は、製造条件、設備資本投資下
の負荷程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部
材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採
用されるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部材
を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易であり
、アルミニウム原子＜ＡＩ）、シリコン原子（Ｓｉ）と
共に、水素原子（Ｈ）の導入を容易に行い得る等のこと
からして、グロー放電法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法が好適で
ある。そして、これらの方法を同一装置系内で併用して
形成してもよい。

たとえば、グロー放電法によって、下部層を形成するに
は、基本的にはアルミニウム原子（Ａｌ）を供給し得る
Ａｊ供給用ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得る
Ｓｉ供給用ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給
用ガスと、アルカリ金属原子、アルカリ土金属原子、遷
移金属原子の中の少なくとも一種を含有するガスと、必
要に応じてゲルマニウム原子（Ｇｅ）およびスズ原子（
Ｓ　ｎ）を供給し得るＧＳｃ供給用ガス、必要に応じて
ハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用ガス、必要に
応じて酸素、窒素、炭素供給用ガス、また、必要に応じ
て画質調整原子（Ｍｃ）供給用ガスを、内部が減圧にし
得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設
置されてある所定の支持体表面上にＡｊ！ＳｉＨ等から
なる層を形成すればよい。

スパッタリング法で形成する場合には、たとえばＡｒ、
Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＡＪで構成されたターゲット、Ｓ
ｉで構成されたターゲットを使用して、またはＡＩとＳ
ｔの混合されたターゲットを使用して、水素原子（Ｈ）
を供給し得るＨ供給用ガスと、アルカリ金属原子、アル
カリ土金属原子、遷移金属原子の中の少なくとも一種を
含有するガスと、必要に応じてゲルマニウム原子（Ｇｏ
）およびスズ原子（Ｓｎ）を供給し得るＧＳｃ供給用ガ
ス、必要に応じてハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用ガス、必要に応じて耐久性調整原子（ＣＮＯｃ）を
供給し得る原子（ＣＮＯｃ）供給用ガスと、必要に応じ
て画質調整原子（Ｍｃ）を供給し得るＭｃ供給用ガスを
スパッタリング用の堆積室に導入し、さらに必要に応じ
て、アルミニウム原子（Ａ１）を供給し得るＡｌ供給用
ガスおよび／またはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得る
Ｓｉ供給用ガスを、スパッタリング用の堆積室に導入し
、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
成される。

イオンブレーティング法の場合には、たとえばアルミニ
ウムと多結晶シリコンまたは単結晶シリコンとを、それ
ぞれ蒸発源として蒸着ボードに収容し、この蒸発源を抵
抗加熱法、あるいはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等
によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズ
マ雰囲気中を通過させる以外は、スパッタリング法の場
合と同様にすることで行うことができる。

本発明において、下部層の形成の際に、核層に含有され
るアルミニウム原子（ＡＩり、シリコン原子（Ｓｉ）、
水素原子（Ｈ）、及び、アルカリ金属原子、アルカリ土
金属原子、遷移金属原子の中から選ばれる少なくとも一
種、必要に応じて含有されるゲルマニウム原子（Ｇｅ）
又は／およびスズ原子（Ｓｎ）、ハロゲン原子（Ｘ）、
耐久性調整原子（ＣＮＯｃ）および画質調整原子（Ｍｃ
）（以後これらを総称して「原子（Ａ　Ｓ　Ｈ）Ｊと略
記する）の分布濃度Ｃを層厚方向に変化させて、所望の
層厚方向の分布状態（ｄｓｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を
有する層を形成するには、グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法
、ＦＯＣＶＤ法の場合には、分布濃度を変化させるべき
原子（Ａ　Ｓ　Ｈ）供給用ガスを、そのガス流量を所望
の変化率曲線にしたがって適宜変化させ、堆積室内に導
入することによって成される。

たとえば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる。

また、別の方法としては、ガス流量を制御しているマス
フローコントローラーの流量設定を、手動あるいはプロ
グラム可能な制御装置を用いる等の通常用いられている
何らかの方法により、適宜変化させる。

スパッタリング法によって形成する場合、原子（ＡＳＨ
）の分布濃度Ｃを層厚方向に変化させて、所望の層厚方
向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する
層を形成するには、第一には、グロー放電法による場合
と同様に、原子（ＡＳＨ）供給用の原料をガス状態で使
用し、そのガス流量を所望の変化率曲線にしたがって適
宜変化させ、堆積室内に導入することによって成される
。第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えば
ＡｌとＳｔとの混合されたターゲットを使用するのであ
れば、Ａｊ！とＳＬの混合比を、ターゲットの層厚方向
において、あらかじめ変化させておくことによって成さ
れる。

、上部１− 本発明の光受容部材における上部層は、基本的には、Ｎ
ｏｎ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され、前記下部層と接する
層領域にゲルマニウム原子およびスズ原子の中から選ば
れる少なくとも一種を含有していて、所望の光導電特性
を存するものである。

即ち具体的には、本発明の光受容部材における上部層に
ついては、該上部層の少なくとも下部層と接する層領域
中には、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）および／またはスズ
原子（Ｓｎ）を含有し、必要に応じて伝導性を制御する
原子（Ｍ）および／または炭素原子（Ｃ）および／また
は窒素原子（Ｎ）および／または酸素原子（０）も含有
してよい、また、上部層のその他の層領域中には、伝導
性を制御する原子（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（
Ｎ）、酸素原子（０）、ゲルマニウム原子（Ｇｏ）、ス
ズ原子（Ｓ　ｎ）のうち少なくとも一種を含有してもよ
い、特に上部層の自由表面側近傍の層領域においては、
炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（０）のう
ち少なくとも一種を含有するのが好ましい。

上部層の少なくとも下部層と接する層領域中に含有され
るゲルマニウム原子（Ｇｏ）および／またはスズ原子（
Ｓ　ｎ）および／または必要に応じて含有される伝導性
を制御する原子（Ｍ）および／または水素原子（Ｃ）お
よび／または窒素原子（Ｎ）および／または酸素原子（
０）は該層領域中に万偏無く均一に分布されてもよいし
、あるいは該層領域中に万偏無く含有されてはいるが、
層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有している部
分があってもよい、しかしながら、いずれの場合にも支
持体の表面と平行な面内方向においては、均一な分布で
万偏無く含有されていることが、面内方向における特性
の均一化を図る点からも必要である。

上部層の少なくとも下部層と接する層領域以外の層領域
に伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、窒素
原子（Ｎ）、酸素原子（０）、ゲルマラム原子（Ｇｅ）
、スズ原子（Ｓ　ｎ）の少なくとも一種を含有させる場
合には、前記伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素原子（
Ｃ）、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（０）、ゲルマニウム
原子（Ｇｅ）、スズ原子（Ｓｎ）は該層領域中に万遍無
く均一に分布されてもよいし、あるいは該層領域中に万
遍無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に分
布する状態で含有している部分があってもよい、しかし
ながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行な面内方
向においては、均一な分布で万遍無く含有されているこ
とが、面内方向における特性の均一化を図る点からも必
要である。

また、本発明における上部層には、アルカリ金属原子、
アルカリ土金属原子、遷移金属原子の中の少なくともｌ
原子は、該層領域中に万偏無く均一に分布されてもよい
し、あるいは該層領域中に万遍無く含有されてはいるが
、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有している
部分があってもよい。

しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行な
面内方向においては、均一な分布で万偏無く含有される
ことが、面内方向における特性の均一化を図る点からも
必要である。

また、炭素原子（Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ）お
よび／または酸素原子（Ｏ）（以後「原子（ＣＮＯ）Ｊ
と略記する）を含有する層領域（以後「層領域（ＣＮＯ
）Ｊと略記する）、ゲルマニウム原子（Ｇｏ）および／
またはスズ原子（Ｓ　ｎ）（以後「原子（ＧＳ）Ｊと略
記する）を含有する層領域（以後［層領域（ＧＳ）Ｊと
略記する）、及び伝導性を制御する原子（Ｍ）（以後「
原子（Ｍ）」と略記する）を含有する上部層の少なくと
も下部層と接する層領域（以後［１ｉ領域（Ｍｌ　）Ｊ
と略記する）の表面側の一部の層ＳＩＪ！！と共有して
も良い。

また、層領域（Ｍ、）以外の原子（Ｍ）を含有する層領
域（以後［層領域（Ｍｙ）Ｊと略記し、また層領域（Ｍ
、）と層領域（Ｍｙ）を総称して「層領域（Ｍ）」と略
記する）と、層領域（ＣＮＯ）と、層領域（ＧＳ）と、
アルカリ金属原子、アルカリ土金属原子及び遷移金属原
子の中の少なくとも一種を含有する層領域（ＮＹＭＺ）
は、実質的に同一な層領域であってもよいし、少なくと
も各々のｌｌ１ｔＩ域の一部を共有していてもよいし、
各々の層領域を実質的に共有していなくとも良い。

前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、本発
明においては、ｐ型伝導特性を与える周期律表第■族に
属する原子（以後「第■族原子」と略記する）またはｎ
型伝導特性を与える窒素原子（Ｎ）を除く周期律表第■
族に属する原子（以後「第Ｖ族原子」と略記する）およ
び酸素原子（０）を除く周期律表第■族に属する原子（
以後「第■族原子」と略記する）を用いる。第■族原子
としては、具体的には、Ｂ（硼素）、Ａｊ（アルミニウ
ム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）　、Ｔｊ
（タリウム）等があり、特にＢ。

ＡＪ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具体的
には、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、
Ｂｌ（ビスマス）等があり、特にＰ。

Ａｓが好適である。第■族原子としては、具体的には、
Ｓ（硫黄）、Ｓｓ（セレン）、Ｔｏ（テルル）　、Ｐｏ
（ポロニウム）等があり、特にＳ、Ｓｅが好適である０
本発明においては、層領域ＣＭ）に伝導性を制御する原
子（Ｍ）として第■族原子または第Ｖ族原子または第■
族原子を含有させることによって、主として伝導型およ
び／また仲伝導率を制御する効果および／または層領域
（Ｍ）と上部層の層領域（Ｍ）以外の層領域との間の電
荷注入性を向上させる効果を得ることができる。

層領域（Ｍ）に含有される伝導性を制御する原子（Ｍ）
の含有量としては好ましくはＩ　Ｘ　ｌ　Ｇ−３〜５Ｘ
ｌＧ’原子ｐｐｍ、より好ましくはｌＸｌ０−”〜ｌＸ
ｌ０’原子ｐｐｍ、最適にはｌ×１Ｏ−１〜５Ｘ１０”
原子ｐｐｍとされるのが望ましい、特に層領域（Ｍ）に
おいて後述する炭素原子（Ｃ）および／または窒素原子
（Ｎ）および／または酸素原子（０）の含を量がｌＸｌ
０”原子ｐｐｍ以下の場合は、層領域（Ｍ）に含有され
る伝導性を制御する原子（Ｍ）の含有量としては好まし
くはＩ　Ｘ　１　Ｇ−”〜ｌＸｌ０”原子ｐｐｍとされ
るのが望ましく、炭素原子（Ｃ）および／または窒素原
子（Ｎ）および／または酸素原子（０）の含有量がＩＸ
ＩＧ！原子ｐｐｍを越える場合は、伝導性を制御する原
子（Ｍ）の含有量としては好ましくはｌＸｌ０−’〜５
Ｘ１０’原子−ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明においては、層領域（ＣＮＯ）に炭素原子（Ｃ）
および／または窒素原子（Ｎ）および／または酸素原子
（０）を含有させることによりて、主として高暗抵抗化
および／または高硬度化および／または分光感度の制御
および／または層領域（ＣＮＯ）と上部層の層ｖｉ域（
ＣＮＯ）以外の層領域との間の密着性を向上させる効果
を得ることができる０層領域（ＣＮＯ）に含有される炭
素原子（Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ）および／ま
たは酸素原子（０）の含有量としては好ましくは１〜９
Ｘ１０’原子ｐＰｍ％より好ましくは１ＸＩＯ’　〜５
Ｘ１Ｇ’原子ｐｐｍ、最適には１×１０”〜３ＸｌＯ’
原子ｐｐｍとされるのが望ましい、特に高暗抵抗化およ
び／または高硬度化を計る場合には好ましくはｌＸｌ０
”〜９×ｌＯ％９×１０ｍとされるのが望ましく、分光
感度の制御を計る場合には好ましくはｌＸｌ０”〜５×
１Ｏ５原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明においては、層領域（ＧＳ）にゲルマニウム原子
（Ｇｏ）および／またはスズ原子（Ｓ　ｎ）を含有させ
ることによって、主として分光感度の制御、特には電子
写真装置の画像露光源に半導体レーザー等の長波長光を
用いる場合の長波長光感度を向上させる効果および／ま
たは干渉現象の現出を防止する効果、および／または層
領域（ＧＳｓ）と下部層との間の密着性の向上および／
または層領域（ＯＳ）と上部層の層領域（ＧＳ）以外の
層領域との間の密着性を向上させる効果を得ることがで
きる０層領域（Ｇ　Ｓ）に含有されるゲルマニウム原子
（Ｇｏ）および／またはスズ原子（Ｓｎ）の含有量とし
ては好ましくは１〜９．５Ｘ１Ｇ’原子ｐｐｍ、より好
ましくはｌＸｌ０”　〜８Ｘ１０’原子１）９ｍ％最適
には５ＸｌＯ”　〜７Ｘ１０’原子ｐｐｍとされるのが
望ましい。

また、本発明における上部層に含有する水素原子（Ｈ）
および／またはハロゲン原子（Ｘ）はシリコン原子（Ｓ
　ｉ）の未結合手を補償し層高質の向上を図ることがで
きる。上部層中に含有される水素原子（Ｈ）、あるいは
水素原子（Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ）の和の含有量は、
好適には１×１０３〜７ＸｌＧ’原子ｐｐｍとされるの
が望ましく、ハロゲン原子（Ｘ）の含有量は、好適には
１〜４ＸｌＧ’原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

特に上部層中において前記した炭素原子（Ｃ）および／
または窒素原子（Ｎ）および／または酸素原子（０）の
含を量が３×ｌＯＳ原子ｐｐｍ以下の場合には水素原子
（Ｈ）、あるいは水素原子（Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ）
の和の含有量は、ｌｘ　ｌ　Ｑ　Ｓ〜４Ｘ１０’原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい、さらに、上部層がｐｏｌｙ
−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される場合には、上部層中に含
有される水素原子（Ｈ）、あるいは水素原子（Ｈ）とハ
ロゲン原子（Ｘ）の和の含有量は、好適にはｌＸｌ０”
〜２Ｘ１０’原子ｐｐｍとされるのが望ましく、ａ−３
ｔ（ｌ（、Ｘ）で構成される場合には、好適にはｌＸ１
０４〜？Ｘ１０’原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明においては、上部層中に含有されるアルカリ金属
原子、アルカリ土金属原子、遷移金属原子の中の少なく
とも１原子の含有量としては、好ましくはｌＸｌ０−’
　〜ｌＸｌ０’原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０″
！〜ｔｘｉｏ’原子ｐ　ｐ　ｍ　％最適にはｓ：ｘｔｏ
−”〜５ｘｔｏ”原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明において、Ｎｏｎ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される
上部層は、前述した下部層と同様の真空堆積膜形成法に
よって作成することができ、特にグロー放電法、スパッ
タリング法、イオンブレーティング法、ＨＲＣＶＤ法、
ＦＯＣＶＤ法が好適である。そして、これらの方法を同
一装置系内で併用して形成してもよい。

たとえば、グロー放電法によって、Ｎｏｎ−３ｉ（Ｈ，
Ｘ）で構成される上部層を形成するには、基本的にはシ
リコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、水
素原子（Ｈ）を供給し得るＮ供給用ガスおよび／または
ハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用ガスと、必要
に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を供給し得るＭ供
給用ガスおよび／または炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ
供給用ガスおよび／または窒素原子（Ｎ）を供給し得る
Ｎ供給用ガスおよび／または酸素原子（０）を供給し得
る０供給用ガスおよび／またはゲルマニウム原子（Ｇｅ
）を供給し得るＧｅ供給用ガスおよび／またはスズ原子
（Ｓ　ｎ）を供給し得るＳｎ供給用ガスおよび／または
、アルカリ金属原子、アルカリ土金属原子、遷移金属原
子の中の少なくともｌ原子を供給し得る供給用ガスを内
部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所
定の位置に設置されである所定のあらかじめ下部層を形
成した支持体表面上にｐＪ　ｏ　ｎ　−５ｉ（Ｈ。

Ｘ）からなる層を形成すればよい。

本発明における上部層の層厚は、所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果等の点から１〜１３０
　ｐ　ｍ　ｓ好ましくは３〜１００μｍ。

最適には５〜６０μｍとするのが望ましい。

本発明の目的を達成しうる特性を有するＮｏｎ−３ｉ（
Ｈ，Ｘ）からなる上部層を形成するには、堆積室内のガ
ス圧、支持体の温度を所望、に従って適宜設定する必要
がある。

堆積室内のガス圧は、層設針に従って適宜最適範囲が選
択されるが、通常の場合ｌＸｌ０−’〜１０　Ｔｏｒｒ
−、好ましくはＩ　Ｘ　１０−”３Ｔｏｒｒ　。

最適にはｌＸｌ０−、’〜ＩＴｏｒｒとするのが好まし
い。

上部層をＮｏｎ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）としてａ−５ｉ　　１
（Ｈ，Ｘ）を選択して構成する場合には、支持体温度（
ＴＳ）は、層設針に従って適宜最適範囲が選択されるが
、通常の場合、５０〜４００℃、好適には１００〜３０
０℃とするのが望ましい、上部層をＮｏｎ−５ｔ（Ｈ，
Ｘ）としてｐｏｌｙ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）を選択して構成す
る場合には、その層を形成するについては種々の方法が
あり、例えば次のような方法が挙げられる。

その一つの方法は、支持体温度を高温、具体的には４０
０〜６００℃に設定し、該支持体上にプラズマＣＶＤ法
により膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、支持体表面に先ずアモルファス状の膜を形
成、すなわち、支持体温度を例えば約２５０℃にした支
持体上にプラズマＣＶＤ法により膜を形成し、該アモル
ファス状の膜をアニーリング処理することによりｐｏｌ
ｙ化する方法である。該アニーリング処理は、支持体を
４００〜６００℃に約５〜３０分間加熱するか、あるい
は、レーザー光を約５〜３０分間照射することにより行
われる。

本発明において、Ｎｏｎ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）からなる上部
層をグロー放電法によって作成する場合には、堆積室内
に供給する放電電力は、層設針に従って適宜最適範囲が
選択されるが通常の場合５×１０−Ｓ〜ＩＯＷ／ｊ、好
ましくは５’Ｘ１０−’〜５Ｗ／ｃｄ、最適には１　ｘ
　１０−”　〜２　ｘ　１０−’Ｗ／ａＪとするのが望
ましい。

本発明においては、上部層を作成するための堆積室内の
ガス圧、支持体温度、堆積室内に供給する放電電力の望
ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、こ
れらの層作成ファクターは、通常は独立的に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する上部層を形成
すべく、相互的且つ有機的関連性に基づいて、下部層作
成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

本発明において使用されるＡ１１ｌ供給用ガスと成り得
る物質としては、ＡＩＣｊ、、ＡｊＢｒ、。

Ａｌｌ５　、Ａｊ（ＣＨｓ）ｔ　Ｃｊ　　、ＡＪ　　（
ＣＨｓ）ｓ　。

Ａ　Ｉ　（ＯＣＨｓ）ｓ、Ａ　ｊ　（ＣｓＨｓ）ｓ、Ａ
　Ｊ　（ＯＣ１Ｈｓ）ｓ。

Ａｊ　　（ｉ　−Ｃ４Ｈ９）！　、　　ＡＩ　　（ｉ　
−ＣｓＨｔ）ｓ　１Ａｊｌ（ＣりＨｙ）ｓ　、Ａｌ（Ｏ
Ｃ４ＨＪｓなどが有効に使用されるものとして挙げられ
る。また、これらのＡＩ供給用ガスを必要に応じてＨ寥
＋　Ｈｅ　＋　Ａ　ｒ　＋Ｎａ等のガスにより希釈して
使用してもよい。

本発明において使用される８％供給用ガスと成り得る物
質としては、Ｓ　ｉ　Ｈ４１Ｓ　ｉ露Ｈ＆。

５ｉｓＨｓ　、ＳｉオＨ１０等のガス状態の、またはガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用される
ものとして挙げられ、更に層作成作業時の取扱い易さ、
Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＳｉＨ赤。

５ｉ８Ｈｉが好ましいものとして挙げられる。また、こ
れらのＳｉ供給用ガスを必要に応じてＨｔ、Ｈｅ。

Ａｒ＋Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

本発明において使用されるハロゲン供給用ガスとして有
効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハ
ロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲ
ンで置換されたシラン誘導体等のガス状態のまたはガス
化し得るハロゲン化合物が挙げられる。

また、さらには、シリコン原子（Ｓｉ）とハロゲン原子
（Ｘ）とを構成元素とするガス状態のまたはガス化し得
る、ハロゲン原子（Ｘ）を含む水素化硅素化合物も有効
なものとして本発明においては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣｊＦ、ＣｊＦｓ。

ＢｒＦ５　、ＢｒＦ５　ｌ　　ＩＦｓ　、ＩＦ？　、Ｉ
ＣＪ。

ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることができる。

ハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物、いわゆるハロゲ
ン原子（Ｘ）で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばＳ　ｉ　Ｐａ　、　５ｌｔＦｉ　。

５ｉＣｊ４．５ｉ１３ｒ４等のハロゲン化硅素が好まし
いものとしてあげることができる。

このようなハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法、ＨＲＣＶＤ法にょうて本発明の特徴
的な電子写真用光受容部材を形成する場合には、Ｓｉ供
給用ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくても、所
望の下部層上にハロゲン原子（Ｘ）を含むＮｏ　ｎ−３
Ｌ　　（Ｈ，Ｘ）からなる上部層を形成することができ
る。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法に従って、ハロゲン原子（
Ｘ）を含む上部層を形成する場合には、基本的には、例
えばＳＩ供給用ガスとなるハロゲン化硅素を用いること
によって、所望の支持体上に上部層を形成し得るもので
あるが、水素原子（Ｈ）の導入割合を一層容易になるよ
うに図るために、これらのガスにさらに水素ガスまたは
水素原子（Ｈ）を含む硅素化合物のガスも所望量混合し
て層形成してもよい。

また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

本発明においては、ハロゲン原子供給用ガスとして上記
されたハロゲン化合物、あるいはハロゲン原子（Ｘ）を
含む硅素化合物が有効なものとして使用されるものであ
るが、その他に、ＨＦ。

ＨＣｊ、ＨＢｒ、Ｈｌ等のハロゲン化水素、Ｓ　ｉ　Ｈ
３Ｐ、Ｓ　１ＨｔＦｔ　、Ｓ　１）ＩＦｓ　、Ｓ　１Ｈ
ｔｌｚ＋Ｓ　ｉ　ＨｅＣＪｔ　、　Ｓ　ＩＨＣＪｓ　、
　Ｓ　ｉＨ＊Ｂｒｇ　。

５ｉＨＢｒｓ等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス
状態のあるいはガス化し得５る物質もを効な上部層形成
用の原料物質として挙げることができる。これ等の物質
の中、水素原子（Ｈ）を含むハロゲン化物は、上部層形
成の際に層中にハロゲン原子（Ｘ）の導入と同時に電気
的あるいは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子（
Ｈ）も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン供給用ガスとして使用される。

水素原子（Ｈ）を上部層中に構造的に導入するには、上
記の他にＨいあるいは５ｉＨａ、ＳｉｇＨｉ。

５ｉｓＨｓ　、Ｓｉ＊Ｈ＋ｓ等の水素化硅素と前記のＳ
ｉ供給用ガスを堆積室中に共存させて放電を生起させる
事でも行うことができる。

本発明において含有され得る水素原子（Ｈ）および／ま
たはハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支
持体温度および／または水素原子（Ｈ）、あるいはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有させるために使用される原料物質
の堆積装置系内へ導入する量、放電電力支持体温度等を
制御してやれば良い。

本発明において、画質を調整する原子（Ｍｃ）及び伝導
性を制御する原子（Ｍ）、例えば、第■族原子あるいは
第Ｖ族原子あるいは第■族原子を構造的に導入するには
、層形成の際に、第■族原子供給用の原料物質あるいは
第Ｖ族供給導入用の原料物質あるいは第■族原子供給用
の原料物質をガス状態で堆積室中に、上部層を形成する
ための他の原料物質と共に供給してやれば良い、第ｍ族
原子供給用の原料物質あるいは第Ｖ族原子供給用の原料
物質あるいは第■族原子供給用の原料物質と成り得るも
のとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層
形成条件化で容易にガス化し得るものが採用されるのが
望ましい、そのような第■族原子供給用の原料物質とし
て具体的には硼素原子供給用としては、Ｂ＊Ｈａ、Ｂ４
Ｈ＋ｓ、ＢｓＩ（ｗ　。

ＢｓＨ＋＋、ＢｉＨ＋ｅ、Ｂ＆Ｈ１１，Ｂ＆ＨＩ４等の
水素化硼素、ＢＦｓ、ＢＣｊ＊、ＢＢｒｓ等のハロゲン
化硼素等が挙げられる。この他、ＡｊＣＪ、１ＧａｃＪ
、。

Ｇａ（ＣＨｓ）ｓ、ＩｎＣｊ、、ＴＪＣｊｓ等も挙げら
れることができる。

第Ｖ族原子供給用の原料物質として、本発明において有
効に使用されろのは、燐原子供給用としては、ＰＨｓ　
、Ｐ！Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４１゜ＰＦｓ　、ＰＦｓ
　、ＰＣｊｓ　、ＰＣｊｓ　＊　ＰＢｒｓ　ＩＰＢｒｓ
、ＰＩｓ等のハロゲン化燐が挙げられる。

この他、ＡｓＨｓ　、Ａｓ　Ｆｓ　、、ＡｓＣ１１ｓ　
、ＡｓＢｒｘ＋ＡａＦ＠　、５ｂＨｓ　＋５ｂＦｓ　＋
５ｋｌＦｓ　、５ｂＣｊｓ＋５ｂＣｊｓ　＊　Ｂ　ｓ　
Ｈｓ　＊　Ｂ　ｔ　Ｃ７０、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子
供給用の原料物質の有効なものとして挙げられることが
できる。

第■族原子供給用の原料物質としては、硫化水素（Ｈａ
ｓ）　、　Ｓ　Ｆａ　、　Ｓ　Ｆｈ　、　ＳＯｘ　、　
５ＯｘＦｔ。

ＣＯＳ、　ＣＳ　＊　、　ＣＨｓＳ　Ｈ，ＣｔＨｓＳ　
Ｈ，ＣａＨａＳ。

（ＣＨｓ）ｍｓ　、（ＣｘＨｓ）＊Ｓ等のガス状態のま
たはガス化し得る物質が挙げられる。この他、ＳｅＨ□
Ｓ　ｅ　Ｆｈ　＋　　（ＣＨ３）＊Ｓ　６＋　　（Ｃｘ
Ｈｓ）＊Ｓｅ、’Ｔｅ　Ｈｔ　＋ＴｅＦｉ＋　（ＣＨｓ
）ｔＴｅ、（ＣｘＨｓ）ｔＴｅ等のガス状態のまたはガ
ス化し得る物質が挙げられる。

また、これらの画質を調整する原子（Ｍｃ）及び伝導性
を制御する原子（Ｍ）供給用の原料物質を必要に応じて
Ｈａｓ　　Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使
用してもよい。

本発明において、炭素原子（Ｃ）あるいは窒素原子（Ｎ
）あるいは酸素原子（０）を構造的に導入するには、層
形成の際に、炭素原子（Ｃ）供給用の原料物質あるいは
窒素原子（Ｎ）供給用の原料物質あるいは酸素原子（０
）供給用の原料物質をガス状態で堆積室中に、上部層を
形成するための他の原料物質と共に供給してやれば良い
、炭素原子（Ｃ）供給用の原料物質あるいは窒素原子（
Ｎ）供給用の原料物質あるいは酸素原子（０）供給用の
原料物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の
または、少な（とも層形成条件化で容易にガス化し得る
ものが採用されるのが望ましい。

炭素原子（Ｃ）供給用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子とす
る、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ，）
、エタン（ＣｇＨｈ）、プロパン（Ｃ３Ｈ＊）、ｎ−ブ
タン（ｎ　−Ｃ４Ｈ１ｏ）　、ペンタン（ＣｓＨ＋ｔ）
、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ＊　Ｈ＃
）、プロピレン（ｃ　ｓ　Ｈ、）、ブテン−１（Ｃ４）
（１）、ブテン−２（Ｃａ　Ｈ＊）、イソブチレン（ｃ
　、　ＨＩ）、ペンテンＣＣ％Ｈ，。）、アセチレン系
炭化水素としては、アセチレン（ＣｘＨｔ　）　、メチ
ルアセチレン（ＣｓＨａ）、ブチン（Ｃ−Ｈ＆）等が挙
げられる。

この他に、炭化水素（Ｃ）の供給に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の供給も行えるという点からＣＦａ　、ＣＣｊ
ａ　、ＣＨｓＣＦｓ等のハロゲン化炭素ガスを挙げるこ
とができる。

窒素原子（Ｎ）供給用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎｌ　）
　、アンモニア（ＮＨｓ）、ヒドラジン（Ｈ＊ＮＮＨｔ
）、アジ化水素（ＨＮｓ）。

アンモニウム（ＮＨ４Ｎｓ）等のガス状のまたはガス化
し得る窒素、窒素物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げ
ることができる。この他に、窒素原子（Ｎ）の供給に加
えて、ハロゲン原子（Ｘ）の供給も行えるという点から
、三弗化窒素（Ｆ＊Ｎ）。

四弗化窒素（Ｆ４Ｎｇ）等のハロゲン化窒素化合物を挙
げることができる。

酸素原子（０）供給用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、例えば酸素（０寥）、オ
ゾン（Ｏｓ）、−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ
Ｉ＞　、−二酸化窒素（Ｎｅｏ）、三二酸化窒素（Ｎ、
０ユ）、四三酸化窒素（Ｎ＊０４）、三二酸化窒素（Ｎ
オＯｓ）、二酸化窒素（ＮＯｘ）、シリコン原子（Ｓｉ
）と酸素原子（０）と水素原子（■１）とを構成原子と
する例えば、ジシロキサン（ＨｓＳｉＯ３ｉＨｓ）、ト
リシロキサン（Ｈａｓ　ｉ　ＯＳ　ｉ　ＨｇＯＳ　ｉ　
Ｈり）等の低級シロキサン等を挙げることができる。

本発明において、ゲルマニウム（Ｇｏ）あるいはスズ原
子（Ｓ　ｎ）を構造的に導入するには、層形成の際に、
ゲルマニウム（Ｇｅ）供給用の原料物質あるいはスズ原
子（Ｓ　ｎ）供給用の原料物質をガス状態で堆積室中に
、上部層を形成するための他の原料物質と共に供給して
やれば良い、ゲルマニウム（Ｇｅ）供給用の原料物質あ
るいはスズ原子（Ｓ　ｎ）供給用の原料物質と成り得る
ものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも
層形成条件化で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。

Ｇｏ供給用ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨａ　ｌ
　Ｇｅ＊Ｈｂ　、Ｇｅ５Ｈｓ　＊　　Ｇｅ４Ｈ１１１な
どのガス状態のまたはガス化し得る水素化ゲルマニウム
が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作成作
業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、Ｇｅ
Ｈ４＋　Ｇ６ｔＨｉ　＋　Ｇｅ５Ｈｓが好ましいものと
して挙げられる。

その他にＧ　ｅ　ＨＦ　ｓ　＋　Ｇ　ｅ　Ｈｚ　Ｆ　ｚ
　、　Ｇ　ｅ　Ｈ３Ｆ　。

ＧｅＨＣｌ５　　＋　　ＧｅＨＣｌ５　　＋　　ＧｅＨ
ｓＣＩｌ　　。

ＧｅＨＣｌ５　　、ＧｅＨ，Ｂｒｔ　　＊　　ＧａＨ，
Ｂｒ　　。

ＧｅＨＩｓ　＋　ＧｅＨｅ１ｍ　　、ＧｓＨｓｌ等の水
素化ハロゲン化ゲルマニウム、ＧａＦ２．ＧｅＣｊ４゜
ＧｅＢｒ、ｌ　Ｇｏ　Ｉｓ　＋　ＧｅＦｓ　Ｉ　ＧｅＣ
１＋ＧｅＢｒｍ＋　ＧｅＨ富等のハロゲン化ゲルマニウ
ム等々のガス状態のあるいはガス化し得る物質も有効な
上部層形成用の原料物質として挙げる事ができる。

Ｓｎ供給ガスと成り得る物質としては、Ｓ　ｎ　Ｈ＊　
＋Ｓ　ｎｔＨｈ　、　　Ｓ　ｎｓＨ＊　＋Ｓ　ｎ４１（
１＠なとのガス状態のまたはガス化し得る水素化スズが
を効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作成作業
時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点で、５ｎＨ
ａ　ｌ　　５ｎｔＨｉ　、５ｎｓＨｓが好ましいものと
して挙げられる。

その他にＳ　ｎ　ＨＦ　ｓ　＋　　Ｓ　ｎ　Ｈｚ　Ｆ　
＊　、　Ｓ　ｎ　Ｈｓ　Ｆ　。

Ｓ　ｎ　ＨＣ１２１Ｓ　ｎ　Ｈ＊　Ｃｌ　富＋　Ｓ　ｆ
ｌ　Ｈ３ＣＪ　。

Ｓ　ｎ　ＨＢ　ｒ！、Ｓ　ｎ　ＨｔＢ　ｒ茸＊　Ｓ　ｎ
　ＨｓＢ　ｒ　。

ＳｎＨ１ｍ　ｔ　ＳｎＨｇＩｘ　　、５ｎＨｓ１等の水
素化ハロゲン化スズ、５ｎＦａ、５ｎＣｊｌａ＋ＳｎＢ
ｒ４゜Ｓｎ　　Ｉａ　　、　　ＳｎＦ＊　　、　　５ｎ
ＣＩｌ＝　　、　　５ｎＢｒｔ　　。

Ｓｆｍｌｌ等のハロゲン化スズ等々のガス状態のあるい
はガス化し得る物質も有効な上部層形成用の原料物質と
して挙げる事ができる。

本発明において、アルカリ金属原子、アルカリ土金属原
子、遷移金属原子の中の少なくとも１原子を含有させる
場合、たとえば、銅原子（Ｃｕ）を構造的に導入するに
は、層形成の際に、銅原子（Ｃｕ）供給用の原料物質を
ガス状態で堆積室中に、上部層を形成するための他の原
料物質と共に導入してやれば良い、銅原子（Ｃｕ）供給
用の原料物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス
状のまたは、少なくとも層形成条件化で容易にガス化し
得るものが採用されるのが望ましい。

Ｃｕ供給用ガスと成り得る物質としては、銅原子（Ｃｕ
）を含む有機金属が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Ｃｕ供給効率の良
さ等の点で、ビスジメチルグリオキシマト銅（ＩＩ）Ｃ
ｕ　（Ｃ，ＨｌＮｔＯｔ）ｔが好ましいものとして挙げ
られる。

また、これらのＣｕ供給用ガスを必要に応じてＨ，、Ｈ
ｓ、Ａｒ、Ｎｏ等のガスにより希釈して使用してもよい
０例えばナトリウム原子（Ｎａ）あるいはイツトリウム
原子（Ｙ）あるいはマンガン原子（Ｍｎ）あるいは亜鉛
原子（Ｚｎ）を構造的に導入するには、層形成の際に、
ナトリウム原子（Ｎａ）導入用の原料物質あるいはイツ
トリウム原子（Ｙ）導入用の原料物質あるいはマンガン
原子（Ｍｎ）導入用の原料物質あるいは亜鉛原子（Ｚ　
ｎ）導入用の原料物質をガス状態で堆積室中に、上部層
を形成するための他の原料物質と共に導入してやれば良
い、ナトリウム原子（Ｎａ）導入用の原料物質あるいは
インドリウム原子（Ｙ）導入用の原料物質あるいはマン
ガン原子（Ｍｎ）導入用の原料物質あるいは亜鉛原子（
Ｚ　ｎ）導入用の原料物質と成り得るものとしては、常
温常圧でガス状のまたは、少な（とも層形成条件化で容
易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

Ｎａ導入用ガスと成り得る物質としては、ナトリウムア
ミン（ＮａＮＨｇ）やナトリウム原子（Ｎａ）を含む有
機金属が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に層
作成作業時の取扱い易さ、Ｎａ導入効率の良さ等の点で
、ナトリウムアミン（Ｎ　ａ　Ｎ　Ｈオ）が好ましいも
のとして挙げられる。

Ｙ導入用ガスと成り得る物質としては、インドリウム原
子（Ｙ）を含む有機金属が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Ｙ導入効率
の良さ等の点で、トリイソプロパツールイツトリウムＹ
　（Ｏｉ　　ＣｓＨ，＞ｓが好ましいものとして挙げら
れる。

Ｍｎ導入用ガスと成り得る物質としては、マンガン原子
（Ｍｎ）を含む有機金属が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Ｍｎ導入効
率の良さ等の点で、モノメチルペンタカルボニルマンガ
ンＭｎ（ＣＨｓ）（Ｃｏ）ｓが好ましいものとして挙げ
られる。

Ｚｎ導入用ガスと成り得る物質としては、亜鉛原子（Ｚ
ｎ）を含む有機金属が有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Ｚｎ導入効率の
良さ等の点で、ジエチル亜鉛Ｚｎ（Ｃ□Ｈ３）８が好ま
しいものとして挙げられる。

また、これらのＮａ導入ガスあるいはＹ導入ガスあるい
はＭｎ導大ガスあるいはＺｎ導入ガスを必要に応じてＨ
ｚ　、　Ｈｅ、　Ａ　ｒ、　Ｎ　ｅ等のガスにより希釈
して使用してもよい。

マグネシウム原子（Ｍｇ）を構造的に導入するには、層
形成の際に、マグネシウム原子（Ｍｇ）供給用の原料物
質をガス状態で堆積室中に、上部層を形成するための他
の原料物質と共に導入してやれば良い、マグネシウム原
子（Ｍｇ）供給用の原料物質と成り得るものとしては、
常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件化で
容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

Ｍｇ供給用ガスと成り得る物質としては、マグネシウム
原子（Ｍｇ）を含む有機金属が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Ｍｇ供
給効率の良さ等の点で、ビス（シクロペンタジェニル）
マグネシウム（ＩＩ）錯塩（Ｍｇ（ＣｓＨｓ）ｔ）が好
ましいものとして挙げられる。

また、これらのＭｇ供給用ガスを必要に応じてＨｚ　、
　Ｈｅ、　Ａ　ｒ、　Ｎ　ｅ等のガスにより希釈して使
用してもよい。

〔実施例〕

以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発
明はこれらによって限定されるものではない。

スｍ 高周波（以下ｒＲＦＪと略記する）グロー放電分解法に
よって本発明の電子写真用光受容部材を形成した。

第３図に原料ガス供給装置１０２０と堆積装置１０００
からなる、ＲＦ；グロー放電分解法による電子写真用光
受容部材の製造装置を示す。

図中の１０７１．１０７２．１０７３．１０７４゜１０
７５．１０７６．１０７７．１０７９のガスボンベ１０
７８の密閉容器、１０８０の密閉容器には、本発明の各
々の層を形成するための原料ガスが密封されており、１
０７１はＳｉＨ４ガス（純度９９．９９％）ボンベ、１
０７２はＨ８ガス（純度９９．９９９９％）ボンベ、１
０７３はＣＨ４ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１
０７４はＧ　ｅ　Ｈａガス（純度９９．９９９％）ボン
ベ、１０７５はＨ８ガスで希釈されたＢ　ｔ　Ｈｈガス
（純度９９．９９９％、以下ｒＢｍＨ＆／Ｈｔ　Ｊと略
記する）、１Ｇ７６はＨｅガス（純度９９．９　％）　
ｉン□へ、１０７７゜１０７９はＨｅガス（純度９９．
９９９％）ボンベ、１０７８はＡｌ１（ＣＨｓ）ｓ（純
度９９．９９％）を詰めた密閉容器、１０８０は、Ｎａ
ＮＨ重（純度９９．９％）を詰めた密閉容器である。

図中１００５は円筒状アルミニウム系支持体であり、外
直径は１０８ｎで、表面に鏡面加工を施しである。

まず、ガスボンベ１０７１−１０７７および１０７９の
バルブ１０５１〜１０５Ｂ、流入バルブ１０３１−１０
３８、堆積室１００１のリークバルブ１０１５が閉じら
れていることを確認し、また、流出バルブ１０４１−１
０４８．補助バルブ１０１８が開かれていることを確認
して、先ずメインバルブ１０１６を開いて不図示の真空
ポンプにより堆積室１００１およびガス配管内を排気し
た。

次に、真空計１０１７の読みが約ｌＸｌ０−”Ｔ　ｏｒ
ｒになった時点で補助バルブ１０１８、流出パルプ１０
４１〜１０４８を閉じた。

その後、ガスボンベ１０７１よりＳ　ｉ　Ｈ４ガス、ガ
スボンベ１０７２よりＨ，ガス、ガスボンベ１０７３よ
りＣＨ４ガス、ガスボンベ１０７４よりＧｅＨ，ガス、
ガスボンベ１０７５よりＢ　ｚ　Ｈｈ／Ｈｚガス、ガス
ボンベ１０７６よりＨｅガス、ガスボンベ１０７７．１
０７９よりＨｅガスを、バルブ１０５１〜１０５８を開
けて導入し、圧力調整器１０６１−１０６８により各ガ
ス圧力を２ｋｇ／−に調整した。

次に流入バルブ１０３１〜１０３８を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラー１０２１〜１０
２８内に導入した。この際にマス７０−コントローラー
１０２７には、ガスボンベ１０７７からのＨｅガスがＡ
Ｊ（Ｃ）Ｉｓ）ｓの詰まった密閉容器１０７８を通って
くるので、Ｈｅガスで希釈されたＡｊ＋　（ＣＨｓ）ｓ
ガス（以下Ａｊ　（ＣＨｓ）ｓ　／ＨｅＪと略記する）
が導入され、マスフローコントローラー１０２８には、
ガスボンベ１０７９からのＨｅガスがＮａＮＨｔの詰ま
った密閉容器１０８０を通ってくるのでＨ６ガスで希釈
されたＮａＮＨｔ（以下ｒＮａＮＨｘ／ＨｅＪと略記す
る）が導入される。

また、堆積室１００１内に設置された円筒状アルミニウ
ム系支持体１００５の温度は加熱ヒーター１０１４によ
り２５０℃に加熱した。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状アル
ミニウム系支持体１００５上に、下部層、上部層の各層
の成膜を行った。

下部層を形成するには、流出パルプ１Ｇ４１゜１０４２
．１０４７．１０４８および補助バルブ１０１８を徐々
に開いて５ｉＨａガス、Ｈ，ガス、Ａｎ　（ＣＨｓ）ｓ
　／Ｈｅガス、Ｎａ　Ｎ　Ｈｚ　／　Ｈｅガスをガス導
入管１００８のガス放出孔１００９を通じて堆積室１０
０１内に流入させた。この時、５ｉＨａガス流量が５　
ｓｅｃｍｓ　Ｈｚガス流量が１０１０５ｃ％Ａ　ｊ　（
ＣＨｓ）ｓ／　Ｈｅガス流量が１２０ｓｅｃｓ。

ＮａＮＨ，／Ｈｅガス流量が１０１０５ｃ＋となるよう
に各々のマスフローコントローラー１０２１゜１０２２
．１０２７．１０２８で調整した。堆積室１００１内の
圧力は、０．４　Ｔｏｒｒとなるように真空計１０１７
を見ながらメインバルブ１０１６の開口を調整した。そ
の後、不図示のＲＦ電源の電力を５ｍＷ／−に設定し高
周波マツチングボックス１０１２を通じて堆積室１００
１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させ、
円筒状アルミニウム系支持体上に下部層の形成を開始し
た。下部層の形成中、Ｓ　ｉ　Ｈ，ガス流量は５５ｅｃ
ＩＩから５０ｓｃｃ−に一定の割合で増加するように、
Ｈｔガス流量は１０ｓｅｃｓ＋から２００ｓｃｃｍに一
定の割合で増加するように、Ａ　Ｊ　（Ｃ）Ｉｓ）ｓ　
／　Ｈ＠ガス流量は１２０ｓｃｃ−から４０ｓｃｃ−に
一定の割合で減少するように、Ｎ　ａ　Ｎ　Ｈ茸／　Ｈ
ｅガス流量は１０ｓｃｃ園の一定流量となるようにマス
フローコントローラー１０２１．１０２２．１０２７゜
１０２８を調整し、層厚０．０５μｍの下部層を形成し
たところでＲＦグロー放電を止め、又、流出パルプ１Ｇ
４１．１０４２．１０４７．１０４８及び補助パルプ１
０１Ｂを閉じて、堆積室１００１内へのガス流入を止め
、下部層の形成を終えた。

次に、上部層の第一の層領域を形成するには、流出パル
プ１０４１．１０４２．１０４４゜１０４５．１０４６
および補助パルプ１０１８を徐々に開いてＳｉＨ４ガス
、Ｈオガス、ＧｅＨａガス、ＢｇＨａ／Ｈｇガス、ＮＯ
ガスをガス導入管１００８のガス放出孔１００９を通じ
て堆積室１００１内に流入させた。この時、５ｉ）Ｉｔ
ガス流量が１００ｓｃｃｖＩ％Ｈｚガス流量が１００ｓ
ｃｃｍ。

Ｇｅｍ、ガス流量が５０ｓｅｃｍ、、ＢｚＨａ／Ｈｚガ
ス流量がＳ　ｉ　Ｈ４ガスに対して５００ｐｐｍ、Ｎ。

ガス流量が５　ｓｃｃｍとなるように各々のマスフロコ
ントローラー１０２１．１０２２．１０２４゜１０２５
．１０２６で調整した。堆積室１００１内の圧力は、０
．４　Ｔｏｒｒとなるように真空計１０１７を見ながら
メインバルブ１０１６の開口を調整した。その後、不図
示のＲＦ電源の電力を１０ｍＷ／−に設定し高周波マツ
チングボックス１０１２を通じて堆積室１００１内にＲ
Ｆ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させ、下部層上
に上部層の第一の層領域の形成を開始した。上部層の第
一の層領域の形成中、Ｓ　ｉ　Ｈ，ガス流量は１００ｓ
ｃｃｍ、Ｈｔガス流量は１００ｓｃｃｍ、ＢｔＨａ／Ｈ
ｇガス流量はＳｉＨ４ガスに対して５００ｐｐｍ、Ｎｏ
ガス流量は５５ｃｃ−の一定流量になるように、Ｇｏ、
Ｈ。

ガス流量は下部層側０．７μｍでは５０ｓｃｃ−の一定
流量となるように、表面側０．３μｍでは５０ｓｅｃｍ
からＯｓｃｃｍに一定の割合で減少するようにマスフロ
コントローラー１０２１．１０２２．１０２４゜１０２
５．１０２６を調整し１、層厚１．ｕｎの上部層の第一
の層領域を形成したところでＲＦグロー放電を止め、又
流出パルプ１０４１．１０４２゜１０４４．１０４５．
１０４６および補助パルプ１０１８を閉じて、堆積室１
００１内へのガスの流入を止め、上部層の第一の層領域
の形成を終えた。

次に、上部層の第二の層領域を形成するには、流出パル
プ１０４１．１０４２．１０４５゜１０４６および補助
パルプ１０１Ｂを徐々に開いてＳｉＨ４ガス、Ｈ８ガス
、Ｂ　ｍ　Ｈｈ／　Ｈ＊ガス、ＮＯガスをガス導入管１
００８のガス放出孔１０ｏ９を通じて堆積室１００１内
に流入させた。この時、Ｓ　ｉ　Ｈａガス流量が１００
ｓｅｃ腸、Ｈ富ガス流量が１００ｓｃｃ霞、Ｂ茸ＨＡ／
Ｈ富ガス流量がＳ　ｉ　Ｈａガスに対して８００ｐｐｍ
、Ｎｏガス流量が１０１０５ｃとなるように各々のマス
フローコントローラー１０２１．１０２２．１０２５．
１０２６で調整した。

堆積室１００１内の圧力は、０．４　Ｔｏｒｒとなるよ
うに真空計１０１７を見ながらメインバルブ１０１６の
開口を調整した。その後、不図示のＲＦ電源の電力をｌ
ｏｍＷ／−に設定し高周波マツチングボックス１０１Ｇ
を通じて堆積室１００１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグ
ロー放電を生起させ、上部層の第一の層領域上に上部層
の第二の層領域の形成を開始し、層厚３μｍの上部層の
第二の層領域を形成したところでＲＦグロー放電を止め
、また、流出バルブ１０４１．１０４２゜１０４５．１
０４６および補助バルブ１０１８を閉じて、堆積室１０
０１内へのガスの流入を止め、上部層の第二の層領域の
形成を終えた。

次に、上部層の第三の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４２および補助バルブ１０１８を徐々
に開いてＳｉＨ４ガス、Ｈｚガスをガス導入管１００Ｂ
のガス放出孔１００９を通じて堆積室１００１内に流入
させた。この時、Ｓ　ｉ　Ｈ，ガス流量が３００ｓｃｃ
ｍ、Ｈ，ガス流量が３００ｓｅｃ−となるように各々の
マスフローコントローラー１０２１．１０２２で調整し
た。堆積室１００１内の圧力は、０．５　Ｔｏｒｒとな
るように真空計１０１７を見ながらメインバルブ１０１
６の開口を調整した。その後、不図示のＲＦ電源の電力
を１５ｍＷ／−に設定し高周波マツチングボックス１０
１２を通じて堆積室１００１内にＲＦ電力を導入し、Ｒ
Ｆグロー放電を生起させ、上部層の第二の層ｆｉＪＩＪ
ｊＲ上に上部層の第三の層領域の形成を開始し、層厚２
０μｍの上部層の第三の層領域を形成したところでＲＦ
グロー放電を止め、また、流出バルブ１０４１．１０４
２および補助バルブ１０１８を閉じて、堆積室１００１
内へのガスの流入を止め、上部層の第三の層領域の形成
を終えた。

次に、上部層の第四の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４３および補助パルプ１０１８を徐々
に開いてＳｉＨ４ガス、ＣＨ，ガスをガス導入管１００
８のガス放出孔１００９を通じて堆積室１００１内に流
入させた。この時、Ｓ　ｉ　Ｈ，ガス流量が５０ｓｃｃ
＋ｓ、ＣＨａガス流量が５００ｓｅｃ−となるように各
々のマスフロコントローラー１０２１．１０２３で調整
した。堆積室１００１内の圧力は、０．４　Ｔｏｒｒと
なるように真空計１０１７を見ながらメインバルブ１０
１６の開口を調整した。その後、不図示のＲＦ電源の電
力をｌＯｍＷ／Ｃｉに設定し高周波マツチングボックス
１０１２を通じて堆積室１００１内にＲＦ電力を導入し
、ＲＦグロー放電を生起させ、上部層の第三の層領域上
に第四の層領域の形成を開始し、層厚０．５μｍの上部
層の第四の層領域を形成したところでＲＦグロー放電を
止め、また流出バルブ１０４１．１０４３および補助パ
ルプ１０１８を閉じて、堆積室１００１内へのガスの流
入を止め、上部層の第四の層領域の形成を終えた。

以上の、電子写真用光受容部材の作成条件を第１表に示
す。

それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バル
ブは完全に閉じられていることは云うまでもなく、また
、それぞれのガスが堆積室１００１内、流出バルブ１０
４１〜１０４８から堆積室１００１に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ１０４１〜１０４
８を閉し、補助パルプ１０１８を開き、さらにメインバ
ルブを全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るた
め、円筒状アルミニウム系支持体１００５を、不図示の
駆動装置によって所望される速度で回転させる。

止較■土 下部層を形成する際に、Ｈ８ガスを用いない以外は、実
施例１と同じ作成条件で電子写真用光受容部材を作成し
た。

作成された実施例１および比較例１の電子写真用光受容
部材の下部層付近における、含有される原子の層厚方向
の含有量の分布を、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析装置
カメカ製　ＩＭＳ−３Ｆ）により分析した。その結果を
第４図（ａｌ、　（ｂｌに示す。

第４図において、横軸は測定時間を表し、層厚方向の位
置に相当する。縦軸は各原子の含有量を相対値で表した
ものである。

第４図＋ａｌは、実施例１における含有される原子の層
厚方向の含有量の分布であり、アルミニウム原子は支持
体側に多く分布し、シリコン原子と水素原子は上部層側
に多く分布していた。

第４図（ｂ）は、比較例１における含有される原子の層
厚方向の含有量の分布であり、アルミニウム原子は支持
体側に多く分布し、シリコン原子は上部層側に多く分布
し、水素原子は均一に分布していた。

次に、作成された実施例１および比較例１の電子写真用
光受容部材をキャノン類の複写機ＮＰ−７５５０を実験
用に改造した電子写真装置にそれぞれセットして、種々
の条件のもとに幾つかの電子写真特性をチエツクした。

クリーニングローラーにマグネットローラーを使用し該
マグネットローラーに正極性のトナーをコーティングし
、全ての帯電器を動作させない状態で電子写真用光受容
部材を１０００回転させた。

次に、通常の電子写真プロセスにより、黒原稿を用いて
画像を出しポチの発生数を測定した結果、実施例１の電
子写真用光受容部材のほうが比較例１の電子写真用光受
容部材の１／３以下のポチ数となっていることがわかっ
た。

また、分離帯電器のグリッドに紙粉のかたまりを乗せて
異常放電が発生する状態で電子写真用光受容部材を２０
回転させた０次に該紙粉を取り除き、黒原稿を用いて画
像を出し、ボチの発生数を測定した結果、実施例１の電
子写真用光受容部材のほうが比較例１の電子写真用光受
容部材の２／３以下のポチ数となっていることがわかっ
た。

また、高密度ポリエチレン製の直径約３２８φ、厚さ５
Ｎのコロを約２ｋｇの圧力で電子写真用光受容部材に押
しあて、該電子写真用光受容部材を５０万回転させた０
次に、目視により光受容層のはがれの発生数を比較した
結果、実施例１の電子写真用光受容部材のほうが比較例
１の電子写真用光受容部材の１／２以下のはがれの発生
数となっていることがわかった。

以上に見られるように、実施例１の電子写真用光受容部
材のほうが比較例１の電子写真用光受容部材より総合的
に優位性が認められた。

人施Ｉ Ａ　’　（ＣＨｓ）ｓ　／　Ｈｅのガス流量を第２表に
示した値に変えた以外は、第１表に示した作成条件によ
り実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成した。

比較ＫＬ　　　　　　　　− ＡＩ　（ＣＨ，）！　／Ｈｅのガス流量を第２表に示し
た値に変えた以外は第１表に示した作成条件により、実
施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成した。

作成された実施例２と比較例２の電子写真用光受容部材
を実施例１と同様に、高密度ポリエチレン製のコロを押
し当てて、層はがれの発生数を比較した。その結果を、
実施例１の電子写真用光受容部材の層はがれの発生数を
１として、第２表に示す、さらに、下部層の上部近傍に
おけるアルミニウム原子の含有率を、ＳＩＭＳにより分
析した。

その結果を、第２表に示す。

第２表に示した結果のとおり、下部層の上部近傍におけ
るアルミニウム原子の含有率が２０原子％以上の領域に
おいて、層はがれの発生数が低くなる良好な効果が得ら
れた。

叉崖皿主 下部層の形成中に、支持体温度を３５０℃から２５０℃
に一定の割合で変化させ、ｐＪ　ａ　Ｎ　Ｈｚに変えて
Ｙ（Ｏｉ　　Ｃ５Ｈｖ）ｓを用いた以外は、第１表に示
した作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受
容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１
と同様にポチ、層はがれに対して改善される良好な効果
が得られた。

大施桝土 下部層の形成中に、ＲＦパワーを５０ｍＷ／ｃｊから５
ｍＷ／−に一定の割合で変化させ、Ｎ　ａ　Ｎ　Ｈｔに
変えてＭｎ　（ＣＨ３）（Ｃｏ）Ｓを用いた以外は、第
１表に示した作成条件により、実施例１と同様に電子写
真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、
実施例１と同様にボチ、層はがれに対して改善される良
好な効果が得られた。

夫施件Σ Ｎ　ａ　Ｎ　Ｈｘに変えてＺｎ（ＣｉＨｓ）ｘを用い、
さらに第３表に示した原料ガスを加えた以外は、第１表
に示した作成条件により、実施例１と同様に電子写真用
光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施
例１と同様にポチ、層はがれに対して改善される良好な
効果が得られた。

去ＩＬ影 円筒状アルミニウム系支持体の外直径を３０ｍｍにし、
第１表に示したガス流量及びＲＦパワーをそれぞれ１／
３にした以外は、第１表に示した作成条件により、実施
例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評
価を行ったところ、実施例１と同様にポチ、層はがれに
対して改善される良好な効果が得られた。

大廠且１ 第４表に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写
真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、
実施例１と同様にボチ、層はがれに対して改善される良
好な効果が得られた。

叉１舅エ マイクロ波（以下「μＷ」と略記する）グロー放電分解
法によって本発明の電子写真用光受容部材を形成した。

第３図に示したＲＦグロー放電分解法の製造装置の堆積
装置１０００を第６図に示すμＷグロー放電分解法用の
堆積装置１１００に交換して原料ガス供給装置１０２０
と接続した、第７図に示すμＷグロー放電分解法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用いた。

図中１１０７は、鏡面加工を施した円筒状アルミニウム
系支持体を、引き続き多数のベアリング周隙の落下のも
とにさらして、円筒状アルミニウム系支持体表面に無数
の打痕を生じしめるいわゆる表面デインプル化処理を施
し、第５図のような断面形状でｃ−５０μｍ％ｄ−１μ
ｍとなる円筒状アルミニウム系支持体であり、外直径は
１０８鰭である。

まず、実施例１と同様に、堆積室１１０１及びガス配管
内を、堆積室１１０１の圧力が５×１０−’Ｔｏｒｒに
なるまで排気した。

その後実施例１と同様に、各ガスをマスフローコントロ
ーラー１０２１〜１０２８内に導入した。

但しＧ　ｅ　Ｈａガスボンベに変えて５ｉＦａガスボン
ベを使用した。

また、堆積室１１０１内に設置された円筒状アルミニウ
ム系支持体１１０？の温度は不図示の加熱ヒーターによ
り２５０℃に加熱した。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状アル
ミニウム系支持体１１０７上に、下部層、上部層の各層
の成膜を行った。下部層を形成するには、流出バルブ１
０４１．１０４２．１０４４゜１０４７．１０４８およ
び補助バルブ１０１８を徐々に開いてＳｉＨ，ガス、Ｈ
ｔガス、５ｉＦａガス、ＡＪ　（ＣＨｓ）ｓ　／Ｈａガ
ス、ＮａＮＨｔ／Ｈｅガスをガス導入管１１１０の不図
示のガス放出孔を通じてプラズマ発生領域１１０９内に
流入させた。この時、Ｓ　ｉ　Ｈａガス流量が１５ｓｃ
ｃ請、Ｈ３ガス流量が２０ｇ、ｃｃｍｓ　Ｓ　ｉ　Ｆａ
ガス流量が１０ｓｃｃｍＳＡ　ｊ　（ＣＨ３）３／　Ｈ
ｅガス流量が４００ｓｃｃｍｓ　Ｎ　ａ　Ｎ　Ｈｚ／　
Ｈｅガス流量が２Ｑｓｃｃｍとなるように各々のマスフ
ローコントローラー１０２１゜１０２２．１０２４．１
０２７．１０２８で調整した。堆積室１１０１内の圧力
は、０．６　ｍ　Ｔ　ｏｒｒとなるように不図示の真空
計を見ながら不図示のメインバルブの開口を調整した。

その後、不図示のμＷ電源の電力を０．５Ｗ／ｃｊに設
定し導波部１１０３および誘電体窓１１０２を通じてプ
ラズマ発生領域１１０９内にμＷ電力を導入し、μＷグ
ロー放電を生起させ、円筒状アルミニウム系支持体１１
０７上に下部層の形成を開始した。

下部層の形成中、Ｓ　ｉ　Ｈａガス流量は１５ｍｍｃｍ
から１５０ｓｃｃ−に一定の割合で増加するように、Ｈ
ｅガス流量は２０３ＣＣ１ｌから３００　ｓｅｃｍに一
定の割合で増加するように、ＳｉＦ、ガス流量は１０ｓ
ｃｃ−から２０ｓｃｃａ＋に一定の割合で増加するよう
に、Ａ　４１　（ＣＨｓ）ｚ／　Ｈｅガス流量は４００
ｓｅｃｍから５０ｍｍｃｍに一定の割合で減少するよう
に、Ｎ　ａ　Ｎ　Ｈｔ　／　Ｈ＠ガス流量は２０ｓｅｃ
−の一定流量となるようにマスフローコントローラー１
０２１゜１０２２．１０２４．１０２７．１０２８を調
整し、層厚０．０７μｍの下部層を形成したところでμ
Ｗグロー放電を止め、また、流出バルブ１０４１゜１０
４２．１０４４．１０４７．１０４８および補助バルブ
１０１Ｂを閉じて、プラズマ発生領域１１０９内へのガ
スの流入を止め、下部層の形成を終えた。

次に、上部層の第一の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１，１０４２．１０４４．１０４５゜１０４６
、不図示の流出バルブおよび補助パルプ１０１８を徐々
に開いてＳ　ｉ　Ｈａガス、Ｈ８ガス、５ｉＦａガス、
Ｂ□Ｈｈ／Ｈｚガス、ＮＯガス、ＧｅＨａガスをガス導
入管１１１０の不図示のガス放出孔を通じてプラズマ発
生空間１１０９内に流入させた。この時、Ｓ　ｉ　Ｈ４
ガス流量が５００ｓｅｃｍ、Ｈｔガス流量が３００　ｓ
ｅｃｍ、Ｇ　ｅ　Ｈａガス流量がｌ　ＯＯｓｃｃｍ、Ｂ
　ｔ　Ｈｈ　／　Ｈｔガス流量がＳＬＬガスに対して１
１０００ｐｐ、ＳｉＦ４ガス流量が２０ｓｃｃｔａｓ　
Ｎｏガス流量が１０１０５ｃとなるように各々のマスフ
ローコントローラー１０２１゜１０２２．１０２４，１
０２５．１０２６不図示のマスフロコントローラーで調
整した。堆積室１１０１内の圧力は、０．５　ｍ　Ｔｏ
ｒｒとなるように調整した。その後、不図示のμＷ電源
の電力を０．５Ｗ／−に設定し下部層と同様に、プラズ
マ発生室１１０９内に、μＷグロー放電を生起させ、下
部層上に上部層の第一の層領域の形成を開始し、層厚１
μｍの上部層の第一の層領域を形成した。

次に、上部層の第二の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４２．１０４４゜１０４５．１０４６
および補助バルブ１０１８を徐々に開いてＳ　ｒ　Ｈａ
ガス、Ｈ８ガス、Ｓ　ｉ　Ｆ　４ガス、Ｂ＊Ｈｉ／Ｈｚ
ガス、ＮＯガスをガス導入管１１１０の不図示のガス放
出孔を通じ℃プラズマ発生空間１１０９内に流入させた
。この時、５ｉＨｎガス流量が２３０Ｓ（：Ｃ１１％　
Ｈ富ガス流量が１５０ｓｅｃｍ、ＳｉＦ、ガス流量が２
０ｓｅｃｍ、Ｂ　ｔ　ｌ（ｈ／Ｈｌガス流量がＳ　ｉ　
Ｈ，ガス流量に対して１５０ｐｐｍ、Ｎｏガス流量が１
Ｏｓｃｃ−となるように各々のマスフローコントローラ
ー１０２１．１０２２゜１０２４．１０２５．１０２６
で調整した。堆積室１１０１内の圧力は、０．５　ｍ　
Ｔｏｒｒとなるように調整した。その後、不図示のμＷ
電源の電力を０．５Ｗ／−に設定し下部層と同様に、プ
ラズマ発生室１１０９内に、μＷグロー放電を生起させ
、上部層の第一の層領域上に上部層の第二の層領域の形
成を開始し、層厚３μｍの上部層の第二０層領域を形成
した。

次に、上部層の第三の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４２．１０４４および補助バルブ１０
１８を徐々に開いてＳ　ｉ　Ｈａガス、Ｈ，ガス、Ｓ　
ｉ　Ｈ４をガス導入管１１１０の不図示のガス放出孔を
通じてプラズマ発生空間１１０９内に流入させた。この
時、５ｉＨａガス流量が７００ｓｅｃｓ＋、Ｈ８ガス流
量が５００ｓｃｃｗｇ、ＳｉＦ。

ガス流量が３０ｓｃｃｍとなるように各々のマスフロー
コントローラー１０２１．１０２２．１０２４で調整し
た。堆積室１１０１内の圧力は、０．５ｍＴ　ｏｒｒな
るように調整した。その後、不図示のμＷ電源の電力を
０．５Ｗ／−に設定し下部層と同様に、プラズマ発生室
１１０９内に、μＷグロー放電を生起させ、下部層上に
上部層の第一の層領域の形成を開始し、層厚２０μｍの
上部層の第一の層領域を形成した。

次に、上部層の第二の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４３および補助パルプ１０１８を徐々
に開いて５ｉＨａガス、ＣＨａガスをガス導入管１１１
０の不図示のガス放出孔を通じてプラズマ発生空間１１
０９内に流入させた。

この時、３ｉＨａガス流量が１５　Ｏｓｃｃｍ％ＣＨａ
ガス流量が５００５ｃｃｓとなるように各々のマスフロ
ーコントローラー１０２１．１０２３で調整した。堆積
室１１０１内の圧力は、９．３ｍＴｏｒｒとした。その
後、不図示のμＷ電源の電力を０．５Ｗ／−に設定しプ
ラズマ発生領域１１０９内に、μＷグロー放電を生起さ
せ、上部層の第一の層領域上に層厚１μｍの上部層の第
二の層領域を形成した。

以上の、電子写真用光受容部材の作成条件を第５表に示
す。

この電子写真用光受容部材を実施例１と同様な評価を行
ったところ、実施例１と同様にボチ、層はがれに対して
改善される良好な効果が得られた。

また、実施例１と同様に、下部層付近における含有され
る原子の層厚方向の含有量の分布をＳＩＭＳにより分析
した結果を第４図（Ｃ１に示す。

実施例１と同様にアルミニウム原子とシリコン原子と水
素原子が分布していることがわかった。

去１１１１ ＲＦスパッタリング法によって本発明の電子写真用光受
容部材の下部層を形成し、ＲＦグロー放電分解法によっ
て上部層を形成した。

第８図に原料ガス供給装置１５００と堆積装置１５０１
からなる、ＲＦスパッタリング法による電子写真用光受
容部材の製造装置を示す。

図中１０４５は下部層を形成するための原料となるＳｉ
、ＡＪ、Ｍｎから成るターゲットであり各々の原子が所
望の分布状態となるよう厚さ方向の混合比を変えである
。

図中の１４０８．１４０９．１４１０のガスボンベには
下部層を形成するための原料ガスが密封すれており、１
４０８はＳ　ｉ　Ｈａガス（純度９９．９９％）ボンベ
、１４０９はＨ２ガス（純度９９．９９９９％）ボンベ
、１４１ＧはＡｒガス（純度９９．９９９％）ボンベで
ある。

図中１４０２は円筒状アルミニウム系支持体であり、外
直径は１０８ｍで、表面に鏡面加工を施しである。

まず、実施例１と同様に、堆積室１４０１およびガス配
管内を、堆積室１４０１の圧力が１×１０−’Ｔｏｒｒ
になるまで排気した。

その後実施例１と同様に、各ガスをマスフローコントロ
ーラー１４１２〜１４１４内に導入した。

また、堆積室１４０１内に設置された円筒状アルミニウ
ム系支持体１４０２の温度は不図示の加熱ヒーターによ
り２５０℃に加熱した。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状アル
ミニウム系支持体１４０２上に、下部層の成膜を行った
。

下部層を形成するのは、流出バルブ１４２０゜１４２１
．１４２２および補助バルブ１４３２を徐々に開いてＳ
　ｉ　Ｈａガス、Ｈ２ガス、Ａ「ガスを堆積室１４０１
内に流入させた。この時、５ｉＨａガス流量が１０１０
５ｃ、Ｈ，ガス流量が５ｓｃｃｍｓ　Ａｒガス流量が２
００ｓｃｃｓ＋となるように各々のマスフローコントロ
ーラー１４１２．１４１３．１４１４で調整した。堆積
室１４０１内の圧力は、０．０１Ｔ　ｏｒｒとなるよう
に真空計１４３５を見ながらメインバルブ１４０７の開
口を調整した。その後、不図示のＲＦ電源の電力を１ｍ
Ｗ／ｃｄに設定し高周波マツチングボックス１４３３を
通じてターゲラ）１４０５およびアルミニウム系支持体
１４０２間にＲＦ電力を導入し、円筒状アルミニウム系
支持体上に下部層の形成を開始した。下部層の形成中、
５ｉＨａガス流量は１０ｓｃｃ−から５Ｑｓｃｃｍに一
定の割合で増加するように、Ｈ２ガス流量は５５ｅｃ−
から１００　ｓｅｃｍに一定の割合で増加するように、
Ａｒガス流量は２００ｓｅｃｍの一定流量となるように
マスフローコントローラー１４１２．１４１３．１４１
４を調整し、層厚Ｏ，ＯＳμｍの下部層を形成したとこ
ろでＲＦグロー放電を止め、また、流出バルブ１４２０
゜１４２１．１４２３および補助バルブ１４３２を閉じ
て、堆積室１４０１内へのガスの流量を止め、下部層の
形成を終えた。

以上の、電子写真用光受容部材の作成条件を第６表に示
す。

下部層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
、円筒状アルミニウム系支持体１４０２を、不図示の駆
動装置によって所望される速度で回転させる。

次に、上部層を形成するには第３図に示す装置を用いて
、第１表に示す作成条件により、実施例１と同様に電子
写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ
、実施例１と同様にボチ、層はがれに対して改善される
良好な効果が得られた。

また実施例１と同様に、下部層付近における含有される
原子の層厚方向の含有量の分布を、ＳＩＭＳにより分析
した結果を第４図（ｄ）に示す。

実施例１と同様に、アルミニウム原子とシリコン原子と
水素原子が分布していることがわかった。

叉隻適工 実施例１において、Ｇ　ａ　Ｈ４ガスをＳ　ｎ　Ｈａガ
スに変えガス流量をＧｅＨ４ガスの場合の半分にした以
外は実施例１と同様に第１表に示した作成条件により電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例１と同様にボチ、層はがれに対して改善され
る良好な効果が得られた。

第　　　　１　　　　表 〔発明の効果〕 本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の層
構成としたことにより、Ａ−３Ｌで構成された従来の電
子写真用光受容部材における諸問題を全て解決すること
ができ、特に極めて優れた、電気的特性、光学的特性、
光導電特性、画像特性、耐久性、および使用環境特性を
示す。

特に本発明においては、下部層において、アルミニウム
原子（Ａｌｔ）、シリコン原子（Ｓｔ）、特には水素原
子（Ｈ）を層厚方向に不均一な分布状態で含有させるこ
とにより、アルミニウム系支持体と上部層との間におけ
る電荷（フォトキャリヤ）の注入性が改善され、さらに
は、アルミニウム系支持体と上部層との構成元素の＆Ｉ
Ｉ織的構造的連続性が改善されるために、ガサツキやボ
チ等の画像特性が改善され、ハーフトーンが鮮明に出て
、且つ解像力の高い、高品質の画像を安定して繰り返し
得ることができる。

さらには、電子写真用光受容部材に加わる比較的短時間
な衝撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生やＮｏｎ−
３ｉ（Ｈ，Ｘ）膜のはがれの発生を防止し耐久性を向上
させ、さらには、アルミニウム系支持体とＮｏｎ−３ｉ
（Ｈ，Ｘ）膜の熱膨張率の違いにより発生する応力を緩
和し、Ｎｏｎ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）膜にクランクやはがれが
生じるのを防ぎ、生産性における歩留まりを向上させる
ことができる。

特に本発明においては、下部層中に、安全性を調整する
原子（ＮＹＭＺ）を含有させることによる際立った特徴
として、前記したアルミニウム系支持体と上部層との間
における電荷（フォトキャリヤ）の注入性や密着性およ
び下部層における電荷（フォトキャリヤ）の走行性が著
しく改善されるために、画像特性や耐久性において著し
い改善が見られ、その結果、生産安定性および品質安定
性が向上するという特徴を有する。

さらに本発明においては、上部層において下部層と接す
る層領域にゲルマニウム原子（Ｇｅ）およびスズ原子（
Ｓｎ）の中の少なくともいずれか一方を含有させること
により、上部層と下部層との間の密着性が更に改善され
、画像欠陥の発生やＮｏｎ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）膜のはがれ
の発生を防止し耐久性が向上する。さらには、電子写真
装置の画像露光の光源として半導体レーザー等の長波長
光を用いても、上部層の表面側から下部層側までの間で
吸収し切れない分の長波長光が高効率で吸収されるので
、上部層と下部層の界面および／または支持体表面での
長波長光の反射による干渉現象の現出を顕著に防止でき
、画質がｆｌＩｌｌ！的に向上する。

特に本発明においては、下部層中に、アルカリ金属原子
、アルカリ土金属原子、遷移金属原子の少なくとも１原
子を含有させることによる際立った特徴として、下部層
に含有される水素原子、ハロゲン原子をより分散させる
ことができ、水素原子及び／またはハロゲン原子の凝集
体による、長時間使用時に生じる膜はがれを防止するこ
とができる。

また更に、前記したアルミニウム系支持体と上部層との
間における電荷（フォトキャリヤ）の注入性や密着性お
よび下部層における電荷（フォトキャリヤ）の走行性が
著しく改善されるために、画像特性や耐久性において著
しい改善が見られ、その結果生産安定性および品質安定
性が向上するという特徴を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
するための模式的構成図、第２図は従来の電子写真用光
受容部材の層構成を説明するための模式的構成図、第３
図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形成す
るための装置の一例でＲＦを用いたグロー放電法による
製造装置の模式的説明図、第４図は、本発明の実施例の
ＳＩＭＳの分析結果の説明図である。第５図は本発明の
電子写真用光受容部材を形成する際のアルミニウム系支
持体の表面がいわゆるデインプル化処理された場合の支
持体断面の拡大図、第６図は本発明の電子写真用光受容
部材の光受容層を形成するためにマイクロ波グロー放電
法をもちいる際の堆積装置の模式的説明図、第７図は本
発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形成するため
の装置の一例でマイクロ波を用いたグロー放電法による
製造装置の模式的説明図、第８図は本発明の電子写真用
光受容部材の光受容層を形成するための装置の一例でＲ
Ｆスパッタリング法による製造装置の模式的説明図であ
る。 第１図について、１００・・・本発明の電子写真用光受
容部材、１０１・・・アルミニウム系支持体、１０２・
・・光受容層、１０３・・・下部層、１０４・・・上部
層、１０５・・・自由表面。 第２図について、２００・・・従来の電子写真用光受容
部材、２０１・・・アルミニウム系支持体、２０２・・
・Ａ−３ｉからなる感光層、２０３・・・自由表面。 第３図において、１０００・・・ＲＦグロー放電分解法
による堆積装置、１００１・・・堆積室、１００５・・
・円筒状アルミニウム系支持体、１００８・・・ガス導
入管、１００９・・・ガス放出孔、１０１２・・・高周
波マツチングボックス、１０１４・・・加熱ヒーター、
１０１５・・・リークパルプ、１０１６・・・メインパ
ルプ、１０１７・・・真空計、１０１８・・・補助パル
プ、１０２０・・・原料ガス供給装置、１０２１〜１０
２７・・・マスフローコントローラー、１０３１〜１０
３７・・・ガス流入パルプ、１０４１〜１０４７・・・
ガス流出パルプ、１０５１〜１０５７・・・原料ガスボ
ンベのパルプ、１０６１〜１０６７・・・圧力調整器、
１０７１〜１０７７・・・原料ガスボンベ、１０７８・
・・原料の密閉容器。 第６図、第７図に゛おいて、１１００・・・マイクロ波
グロー放電法による堆積装置、１１０１・・・堆積室、
１１０２・・・誘電体窓、１１０３・・・導波部、１１
０７・・・円筒状アルミニウム系支持体、１１０９・・
・プラズマ発生領域、１０１０・・・ガス導入管。 第８図において、１４０１・・・堆積室、１４０２・・
・円筒状アルミニウム系支持体、１４０５・・・ターゲ
ット、１４０７・・・メインパルプ、１４０８〜１４１
０・・・原料ガスボンベ、１４１２〜１４１４・・・マ
スフローコントローラー、１４１６〜１４１８・・・ガ
ス流入パルプ、１４２０〜１４２２・・・ガス流出パル
プ、１４３２・・・補助パルプ、１４３３・・・高周波
マツチングボックス、１４３５・・・真空計、１５００
・・・原料ガス供給装置、１５０１・・・ＲＦスパッタ
リング法による堆積装置。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　アルミニウム系支持体と該支持体上に、少なくとも光
   導電性を有する多層構造の光受容層を有する光受容部材
   において、前記光受容層が前記支持体側より、構成要素
   として少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水
   素原子及び／またはハロゲン原子を含有し、且つ、アル
   カリ金属原子、アルカリ土金属原子、遷移金属原子の中
   の少なくとも一種を含有する無機材料で構成され、更に
   前記アルミニウム原子は、前記アルミニウム系支持体か
   ら上部に向かって減少し、シリコン原子と水素原子及び
   ／またはハロゲン原子は、共に支持体から上部に向かっ
   て増加し、且つ前記アルミニウム原子の含有率が上部近
   傍で２０原子％以上である下部層と、シリコン原子を母
   体とし、水素原子およびハロゲン原子の中の少なくとも
   いずれか一方を含有する非単結晶質材料で構成され、前
   記下部層と接する層領域にゲルマニウム原子およびスズ
   原子の中のいずれか一方を含有する上部層からなること
   を特徴とする光受容部材。