JPH01157547A - Semiconductor wafer processing apparatus - Google Patents

Semiconductor wafer processing apparatus

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JPH01157547A
JPH01157547A JP63226992A JP22699288A JPH01157547A JP H01157547 A JPH01157547 A JP H01157547A JP 63226992 A JP63226992 A JP 63226992A JP 22699288 A JP22699288 A JP 22699288A JP H01157547 A JPH01157547 A JP H01157547A
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wafer
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arm
stage parallel
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Tadashi Mitsui
三井 忠
Susumu Saito
進 斎藤
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make an accommodation space during a nonuse period small, to expand a transferable area of an object to be transferred, to enhance operating performance, to make this apparatus lightweight and small-sized and to make an amount of dust particles to be generated from a mechanism during a driving operation extremely little by a method wherein a semiconductor wafer is carried in and out by using an arm of a parallel link mechanism which is equipped with two or more joints and where a part between the joints is constituted by a parallel link. CONSTITUTION:A multiple joint arm of a handling mechanism 6 is constituted by a three-stage parallel link mechanism. A first-stage parallel link mechanism is constituted by first - third links 15, 16, 17 and a base member 18. A second- stage parallel link mechanism is installed in such a way that it is overlapped with the first-stage parallel link mechanism. That is to say, the second-stage parallel link mechanism is constituted by third - sixth links 17, 25, 26, 27. A third-stage parallel link mechanism is installed in such a way that it is overlapped with the second-stage parallel mechanism. The third-stage parallel link mechanism is constituted by the sixth link 27, a seventh link 33, an eighth link 34 and a holding member 14.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウェハ処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a semiconductor wafer processing apparatus.

(従来の技術) IC又はLSI等の半導体デバイスを製造する工程にお
いては、半導体ウェハの超微細パターン形成面が塵付着
等の汚染を受けないようにするために、クリーンルーム
内で半導体ウェハが取扱われる。クリーンルーム内で半
導体ウェハを搬送する手段として、ベルトコンベア方式
又はメカニカルハンド方式の搬送装置が利用される。特
に、エツチング処理装置及びイオン注入処理装置等の重
要な加工では、半導体ウェハを一枚ずつ真空処理室に出
入れするために、専用のハンドリング機構が使用される
。枚葉処理専用のハンドリング機構は、真空処理時間の
短縮化及び超クリーン度維持の要求を満たすために、下
記に示す性能を有することが望まれる。
(Prior art) In the process of manufacturing semiconductor devices such as ICs or LSIs, semiconductor wafers are handled in a clean room to prevent the surface on which ultra-fine patterns are formed from being contaminated by dust or other contamination. . A belt conveyor type or mechanical hand type conveying device is used as a means for conveying semiconductor wafers within a clean room. Particularly, in important processing such as etching processing equipment and ion implantation processing equipment, special handling mechanisms are used to move semiconductor wafers into and out of the vacuum processing chamber one by one. A handling mechanism dedicated to single-wafer processing is desired to have the following performance in order to shorten vacuum processing time and meet the demands for maintaining ultra-cleanliness.

(1)非使用時における占有スペースが小さく、かつ、
使用時における搬送距離が大きいこと■使用時における
塵の発生量が少ないこと近時、上記性能を満たすような
種々のハンドリング機構が開発され、コンパクトで、塵
の発生量が少ないハンドリング機構が実用化されている
(1) Occupies a small space when not in use, and
The transport distance during use is large ■ The amount of dust generated during use is small Recently, various handling mechanisms that meet the above performance have been developed, and handling mechanisms that are compact and generate less dust have been put into practical use. has been done.

実開昭60−61191号公報、特開昭60−1837
36号公報、特開昭61−160949号公報に、半導
体ウェハ用のハンドリング機構がそれぞれ開示されてい
る。
Utility Model Publication No. 60-61191, Japanese Patent Application Publication No. 60-1837
Handling mechanisms for semiconductor wafers are disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 36 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 160949/1983, respectively.

これらのハンドリング機構は、搬送機構にパンタグラフ
を利用したものである。
These handling mechanisms utilize a pantograph as a transport mechanism.

また、上記のハンドリング機構を更に小型化したものが
、特開昭61−90903号公報、特開昭61−873
51号公報、特開昭61−90887号公報にそれぞれ
開示されている。
Further, the above-mentioned handling mechanism is further miniaturized in Japanese Patent Application Laid-open No. 61-90903 and Japanese Patent Application Laid-open No. 61-873.
51 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-90887, respectively.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、従来のハンドリング機構を用いた半導体
ウェハ処理装置においては、非使用時の収納スペースを
小さくするために、パンタグラフのアーム長さを短くす
ると共に、関節数を減らすと、被搬送物の搬送可能エリ
アが狭い範囲に限定される。一方、被搬送物の搬送可能
エリアを拡大するために、パンタグラフのアーム長さを
延長すると共に関節数を増やすと、非使用時における装
置の収納スペースが大きくなる。
(Problem to be Solved by the Invention) However, in semiconductor wafer processing equipment using a conventional handling mechanism, in order to reduce the storage space when not in use, the arm length of the pantograph is shortened and the number of joints is reduced. If it is reduced, the area in which objects can be transported is limited to a narrow range. On the other hand, if the arm length of the pantograph is lengthened and the number of joints is increased in order to expand the transportable area of objects to be transported, the storage space of the device when not in use becomes larger.

近年超LSI技術が集積度4M、16Mの開発が進むに
つれ枚葉処理が要望されている。この枚葉処理装置にお
いてスループットを向上させるためにロードロツキ機構
を用いることが慣用技術である。このロードロック機構
の実現において要求されるのは、発塵のない搬送機構で
ある。限られた空間を大きくなるウェハを如何に搬送す
るかが解決の鍵である。
In recent years, as the development of VLSI technology with a density of 4M and 16M progresses, single-wafer processing is required. In order to improve throughput in this single wafer processing apparatus, it is a common technique to use a load lock mechanism. What is required in realizing this load lock mechanism is a transport mechanism that does not generate dust. The key to solving this problem is how to transport increasingly large wafers in a limited space.

ところで、ハンドリング機構を収納するための室と、半
導体ウェハを加工するための真空処理室とは、ゲートバ
ルブにより仕切られ、ゲートバルブを開くと相互に連通
ずるようになっている。このため真空処理室を真空状態
にするために、長時間を要するという欠点がある。また
、従来のハンドリング機構においては、その駆動機構か
ら無視できない量の塵が発生し、これがハンドリング機
構収納室から真空室へ侵入し、真空処理室内が汚染され
る。特に、高集積度の超LSIを取扱うクリーンルーム
では、クラス10以上の超クリーン度を要求されるため
に、半導体ウェハの加工に不都合を生じていた。
Incidentally, a chamber for accommodating a handling mechanism and a vacuum processing chamber for processing semiconductor wafers are separated by a gate valve, and communicate with each other when the gate valve is opened. Therefore, there is a drawback that it takes a long time to bring the vacuum processing chamber into a vacuum state. Furthermore, in the conventional handling mechanism, a considerable amount of dust is generated from the drive mechanism, and this dust enters the vacuum chamber from the handling mechanism housing chamber, contaminating the vacuum processing chamber. In particular, in clean rooms that handle highly integrated ultra-LSIs, ultra-cleanliness of class 10 or higher is required, which has caused inconveniences in the processing of semiconductor wafers.

本発明の目的とするところは、上記問題点に鑑みなされ
たもので、第1に、非使用時における収納スペースが小
さく、且つ被搬送体の搬送可能エリアが大きなハンドリ
ングアーム機構を用いた半導体ウェハ処理装置を提供す
ることにある。
The object of the present invention has been made in view of the above-mentioned problems.Firstly, a semiconductor wafer is manufactured using a handling arm mechanism that requires a small storage space when not in use and has a large area for transporting objects to be transported. The purpose of this invention is to provide a processing device.

また、第2に操作性に優れると共に軽量かつ小型で駆動
時に機構から発生する塵の量が極めて少ないハンドリン
グ装置を用いた半導体処理装置を提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a semiconductor processing device using a handling device that is excellent in operability, light in weight, small in size, and generates extremely little dust from the mechanism during operation.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は半導体ウェハを処理室へ自動的に搬入し、搬出
する半導体ウェハ処理装置において、上記半導体ウェハ
の搬入搬出を複数段の関節を有し関節間を平行リンクで
構成した平行リンク機構のアームにより行うことを特徴
としている。
(Means for Solving the Problems) The present invention provides a semiconductor wafer processing apparatus for automatically loading and unloading semiconductor wafers into a processing chamber, which has a plurality of joints for loading and unloading the semiconductor wafer, and the joints are parallel to each other. It is characterized by the fact that it is carried out by an arm of a parallel link mechanism composed of links.

(作 用) 本発明は、複数段以上の平行リンクを回動可能に連結し
た平行リンク機構によりウェハを搬送することにより、
ウェハ搬送距離を長くしても、小空間の体積での搬送を
可能とする。
(Function) The present invention transports a wafer using a parallel link mechanism in which multiple stages or more of parallel links are rotatably connected.
Even if the wafer transport distance is increased, the wafer can be transported in a small space.

また、この平行リンク機構と駆動機構を構成する部材を
、例えばステンレス鋼に四弗化樹脂をコーティングした
部材や、アルミニウムを含む金属の表面に硬質アルマイ
ト被膜を生成した後四弗化樹脂を含浸させた部材を用い
ると、ゴミ等の発生が最少限に防止でき、例えば真空装
置等のクリーン度を必要とするものにも十分適用でき、
半導体ウェハの搬送を可能にするものである。
In addition, the members constituting the parallel link mechanism and the drive mechanism can be made by, for example, stainless steel coated with tetrafluoride resin, or by forming a hard alumite film on the surface of a metal containing aluminum and then impregnating it with tetrafluoride resin. By using such materials, the generation of dust, etc. can be minimized, and it can be fully applied to things that require cleanliness, such as vacuum equipment, for example.
This makes it possible to transport semiconductor wafers.

(実施例) 本発明装置をエツチング処理装置に適用した一実施例を
図面を用いて説明する。
(Example) An example in which the apparatus of the present invention is applied to an etching processing apparatus will be described with reference to the drawings.

先ず第1図に示すように半導体ウェハ■を一枚ずつエツ
チング処理するエツチング処理装置が、クリーンルーム
内に設置されている。エツチング処理装置は、ステージ
■上の半導体ウェハ■(以下、ウェハと略記する)を真
空雰囲気下でエツチング処理するための真空処理室(3
)及びスループットを向上させるためこの真空処理室■
に隣接して設けられ、ウェハ■を真空処理室(3)に出
入れするための二つの予備室(4,5)を有している。
First, as shown in FIG. 1, an etching apparatus for etching semiconductor wafers one by one is installed in a clean room. The etching processing equipment consists of a vacuum processing chamber (3
) and this vacuum processing chamber to improve throughput■
It has two preliminary chambers (4, 5) for taking wafers in and out of the vacuum processing chamber (3).

真空処連室■は、真空装置(図示せず)及び露光装置(
図示せず)を備えている。各予備室(4,5)には、そ
れぞれハンドリング機構(へ)が設置されている。真空
処理室(3)の概略サイズは、縦[:370)mmX横
[3703m×高さ(200]noである。また、各予
備室(4,5)の概略サイズは、縦(300)mmX横
〔300〕■×高さ〔80′31TITlである。
The vacuum processing chamber ■ is equipped with a vacuum device (not shown) and an exposure device (
(not shown). Each preliminary chamber (4, 5) is provided with a handling mechanism (2). The approximate size of the vacuum processing chamber (3) is length [370) mm x width [3703 m x height (200] no.).The approximate size of each preliminary chamber (4, 5) is length (300) mm x Width [300] x height [80'31 TITl.

また、真空処理室(3)及び予備室(4,5)は、それ
ぞれ開口(3a、 3b)にて相互に連通しており、こ
れらの開口(3a、 3b)にそれぞれゲートバルブ(
7,8)が設けられている。更に、予備室(4,5)は
、開口(4a、 5a)にて外部と連通しており、これ
らの開口(3a、 3b)にもそれぞれゲートバルブ(
9,10)が設けられている。
Further, the vacuum processing chamber (3) and the preliminary chamber (4, 5) communicate with each other through openings (3a, 3b), and gate valves (3a, 3b) are connected to these openings (3a, 3b).
7, 8) are provided. Furthermore, the preliminary chambers (4, 5) communicate with the outside through openings (4a, 5a), and these openings (3a, 3b) are also provided with gate valves (
9, 10) are provided.

予備室(4,5)は−枚のウェハ(1)が収納されるサ
イズに構成され、外側との間でウェハO)の出し入れ゛
の都度、大気中にさらされるため、より高速で所望の真
空度に排気される必要がある。
The preparatory chambers (4, 5) are constructed to a size that accommodates - wafers (1), and are exposed to the atmosphere each time wafers (1) are transferred to and from the outside, so that the desired Must be evacuated to a vacuum.

従って、排気が所望する期間内に完了するためにはノ」
1容量が要求され、ハンドリング機構0の移動領域は制
限される。
Therefore, in order for the evacuation to be completed within the desired period,
1 capacity is required, and the movement area of handling mechanism 0 is limited.

予備室(イ)の開口(ウェハ取入れ口) (4a)の前
方には、位置決めのステージ(11)が設けられておリ
ロボッI−ハンド(図示せず)によりウェハ(12)が
ステージ(11)に載置されると、ステージ(11)に
よリウエハ(ト)が自動アライメン1−されるようにな
っている。予備室(イ)のハンドリング機構(へ)は、
上述の位置決めのステージ(11)から真空処理室(3
)までウェハ(1)を搬入するための搬入専用機である
。−方、予備室■のハンドリング機構0は、処理済みの
ウェハ(12)を真空処理室(3)から外部に搬出する
ための搬出専用機である。
A positioning stage (11) is provided in front of the opening (wafer inlet) (4a) of the preliminary chamber (a), and the wafer (12) is moved to the stage (11) by the robot I-hand (not shown). When placed on the wafer, the stage (11) automatically aligns the wafer (g). The handling mechanism (f) of the preliminary room (a) is
From the above-mentioned positioning stage (11) to the vacuum processing chamber (3
) This is a dedicated loading machine for loading wafers (1) to - On the other hand, the handling mechanism 0 in the preliminary chamber (2) is a dedicated machine for carrying out processed wafers (12) from the vacuum processing chamber (3) to the outside.

各ハンドリング機構(6)の円筒状ベース部材(13)
は、予備室(4,5)の中央に据付けられている。ベー
ス部材(13)の旋回は、回転速度制御手段を有するス
テッピングモータ(図示せず)の回転軸に連結されてお
り、ステッピングモータによりハンドリング機構(へ)
がベース部材(13)を中心に所望の角度に旋回するよ
うになっている。ベース部材(13)の中心及び真空処
理室■のステージ(2)の中心の相方間距離2Lは、約
[370]nn+である。
Cylindrical base member (13) of each handling mechanism (6)
is installed in the center of the preliminary room (4, 5). The rotation of the base member (13) is connected to a rotating shaft of a stepping motor (not shown) having rotational speed control means, and the rotating shaft of the base member (13) is controlled by the stepping motor.
can be rotated at a desired angle around the base member (13). The distance 2L between the center of the base member (13) and the center of the stage (2) of the vacuum processing chamber (2) is approximately [370]nn+.

ハンドリング機構(ハ)のアームは、3段の平行連動機
構(平行リンク機構)で構成されている。使用時におけ
るアームの最大伸長はLL 2 L IIであり、非使
用時におけるアーム(折り畳まれた状態)の占有スペー
スは”LXW”である。但し、長さWは[50]mmで
ある。
The arm of the handling mechanism (c) is composed of a three-stage parallel interlocking mechanism (parallel link mechanism). The maximum extension of the arm when in use is LL 2 L II, and the space occupied by the arm (in the folded state) when not in use is "LXW". However, the length W is [50] mm.

第2図に示すように、保持部材(14)が、ハンドリン
グ機構(ハ)のアーム先端に取付けられている。
As shown in FIG. 2, a holding member (14) is attached to the tip of the arm of the handling mechanism (c).

なお、保持部材(14)は、アームに着脱可能に取付け
られており、ウェハサイズに応じて適宜交換されるよう
になっている。
Note that the holding member (14) is detachably attached to the arm and can be replaced as appropriate depending on the wafer size.

次に、第2図及び第5図を参照しながら、ハンドリング
機構の多関節アーム及びその駆動機構について説明する
Next, the multi-joint arm of the handling mechanism and its drive mechanism will be described with reference to FIGS. 2 and 5.

ハンドリング機構0の多関節アームは、三段の平行リン
ク機構により構成されている。第1段の平行リンク機構
は、第1乃至第3のリンク(15,]、6゜]7)及び
ベース部材(18)により構成されている。
The multi-joint arm of the handling mechanism 0 is composed of a three-stage parallel link mechanism. The first stage parallel link mechanism is composed of first to third links (15, ], 6°]7) and a base member (18).

大プーリ(19)が、ベース部材(18)に軸(19)
と同心に固定されている。また、第1のリンク(15)
の−端も、軸(19)に固定されている。この第1のリ
ンク(15)と平行になるように、第2のリンク(16
)の一端が、ベース部材(]8)に回動可能に軸(20
)により支持されている。また、第3のリンク(17)
が、軸(21,22)を介して第1のリンク(15)及
び第2のリンク(16)に回動可能に取付けられている
。なお、これら第1乃至第3のリンク(15,16,1
7)は同一平面内に設けられている。
The large pulley (19) is attached to the shaft (19) on the base member (18).
is fixed concentrically. Also, the first link (15)
The -end of is also fixed to the shaft (19). The second link (16) is parallel to this first link (15).
) is rotatably attached to the shaft (20) on the base member (]8).
) is supported by Also, the third link (17)
is rotatably attached to the first link (15) and the second link (16) via shafts (21, 22). Note that these first to third links (15, 16, 1
7) are provided within the same plane.

次に、多関節アームを駆動させる機構について説明する
Next, a mechanism for driving the multi-joint arm will be explained.

第1の小プーリ(23)が軸(2])に固定されている
A first small pulley (23) is fixed to the shaft (2]).

そして、ワイヤ(24)が大プーリ(19)と第1の小
プーリ(23)とに掛は渡され、軸(19)の回転力が
ワイヤ(24)により小プーリ(23)に伝達されるよ
うになっている。大プーリ(19)と小プーリ(23)
との直径は、2:1である。
Then, the wire (24) is passed between the large pulley (19) and the first small pulley (23), and the rotational force of the shaft (19) is transmitted to the small pulley (23) by the wire (24). It looks like this. Large pulley (19) and small pulley (23)
The diameter is 2:1.

また、この場合に、第1及び第2のリンク(]5゜16
)の長さはそれぞれ’ L / 2 ”長さであり、第
3のリンク(]7)の長さ及び軸(19,20)の相互
間距離はそれぞれ“W″′長さである。このようにして
、ベース部材(18)(大プーリ(19))、第1乃至
第3のリンク(15,16,17)により第1段目の平
行リンク機構が構成される。
In addition, in this case, the first and second links (]5゜16
) are each 'L/2'' length, and the length of the third link (]7) and the mutual distance of the axes (19, 20) are each 'W'' length. In this way, the base member (18) (large pulley (19)) and the first to third links (15, 16, 17) constitute a first stage parallel link mechanism.

次に、二段目の平行リンク機構について説明する。Next, the second stage parallel link mechanism will be explained.

二段目の平行リンク機構は、上述の一段目の平行リンク
機構に重なるように設けられている。第4のリンク(2
5)の一端が上述の軸(21)に固定され第5のリンク
(26)の一端が上述の軸(22)に回動可能に取付け
られている。また、第6のリンク(27)が、軸(2g
、29a)を介して第4及び第5リンク(25゜26)
の間に回動可能に連結されている。第4及び第5のリン
ク(25,26)の長さはそれぞれ4L L ″であり
、第6のリンク(27)の長さは第3のリンク(17)
に等しく II W l’である。すなわち、第3乃至
第6のリンク(17,25,26,27)により第二段
目の平行リンク機構が構成されている。また、第2の小
プーリ(30)が軸(22)ら固定され、第3の小プー
リ(31)が軸(29a)に固定され更にワイヤ(32
)が第2及び第3の小プーリ(30,31)に巻き掛け
られている。第2及び第3の小プーリ(30,31)は
、上述の第1の小プーリ(23)と同じものである。
The second stage parallel link mechanism is provided so as to overlap the above-described first stage parallel link mechanism. Fourth link (2
5) one end is fixed to the above-mentioned shaft (21), and one end of the fifth link (26) is rotatably attached to the above-mentioned shaft (22). Further, the sixth link (27) is connected to the shaft (2g
, 29a) through the fourth and fifth links (25°26)
are rotatably connected between the two. The lengths of the fourth and fifth links (25, 26) are each 4L L'', and the length of the sixth link (27) is equal to that of the third link (17).
is equal to II W l'. That is, the third to sixth links (17, 25, 26, 27) constitute a second stage parallel link mechanism. Further, a second small pulley (30) is fixed to the shaft (22), a third small pulley (31) is fixed to the shaft (29a), and a wire (32) is fixed to the shaft (29a).
) is wound around the second and third small pulleys (30, 31). The second and third small pulleys (30, 31) are the same as the first small pulley (23) described above.

次に、三段目の平行リンク機構について説明する。Next, the third stage parallel link mechanism will be explained.

三段目の平行リンク機構は、上述の二段目の平行リンク
機構に重なるように設けられている。三段目の平行リン
ク機構は、第6のリンク(27)、第7のリンク(33
)、第8のリンク(34)、保持部材(14)により構
成されている。第7のリンク(33)は、その一端が二
個のネジ(29b)で上述の第3のプーリ(31)に固
定されると共に、その他端が軸(35)により保持部材
(14)に回動可能に取付けられている。
The third stage parallel link mechanism is provided so as to overlap the above-mentioned second stage parallel link mechanism. The third stage parallel link mechanism includes a sixth link (27) and a seventh link (33).
), an eighth link (34), and a holding member (14). The seventh link (33) has one end fixed to the third pulley (31) with two screws (29b), and the other end rotated to the holding member (14) by a shaft (35). It is movably mounted.

また、第8のリンク(34)は、その一端が軸(28)
により第6のリンク(27)に、他端が軸(36)によ
り保持部材(14)に、それぞれ回動可能に取付けられ
ている。この場合に、第7及び第8のリンク(33,3
4)の長さはそれぞれ” L / 2 ”であり、軸(
35,36)の相互間隔は“W”である。
Further, the eighth link (34) has one end connected to the shaft (28).
The other end is rotatably attached to the sixth link (27) and the holding member (14) via a shaft (36). In this case, the seventh and eighth links (33, 3
4) The length of each is “L/2”, and the axis (
35, 36) have a mutual spacing of "W".

この場合に、L”は、取扱われるウェハの直径にほぼ等
しい。例えば、〔8〕インチのウェハを取扱うためのハ
ンドリング機構においては、17 L ′7を約(18
0) unの長さとする。また、It W j+は、I
t L IIの1/4〜1/2の範囲とすることが好ま
しい。
In this case, L'' is approximately equal to the diameter of the wafer being handled. For example, in a handling mechanism for handling [8] inch wafers, 17 L'7 is approximately equal to the diameter of the wafer being handled.
0) The length is un. Moreover, It W j+ is I
The range is preferably 1/4 to 1/2 of t L II.

第3図及び第4図に示すように、ハンドリング機構0は
、そのアームが非使用時において折畳まれ、小さなスペ
ースに収納できるようになっている。折畳まれたアーム
が占有する面積は、およそLXWの広さである。折畳ま
れたアームは、その大部分がウェハ保持部材の下にかく
れてしまい、小プーリ(23,30,31)等の一部が
保持部材(14)からはみ出る程度である。また、アー
ムを構成するリンク同士も上下に重なるようになってい
る。
As shown in FIGS. 3 and 4, the arm of the handling mechanism 0 is folded when not in use, so that it can be stored in a small space. The area occupied by the folded arms is approximately LXW wide. Most of the folded arm is hidden under the wafer holding member, with only a portion of the small pulleys (23, 30, 31) protruding from the holding member (14). Also, the links that make up the arm are arranged to overlap vertically.

上記平行リンク機構及びその駆動機構を構成する各リン
ク及びプーリの材質は、ステンレス鋼又はアルミニウム
合金の母材に四弗化樹脂をコーティング(所謂、タフラ
ム処理)したものである。アルミニウム合金を母材とす
る場合は、四弗化樹脂コーティングの前に、母材表面に
硬質アルマイト被膜を形成する。また、ワイヤ(24,
32)には、ステンレス鋼ワイヤに四弗化樹脂をコーテ
ィングしたものである。更に、リンク、プーリ並びにワ
イヤの材料に、チタン合金を採用してもよい。このよう
な四弗化樹脂コーテイング材は、接触摺動時における塵
の発生量が無視できる程に極めて微量である。
The material of each link and pulley constituting the parallel link mechanism and its drive mechanism is a base material of stainless steel or aluminum alloy coated with a tetrafluoride resin (so-called Taflam treatment). When using an aluminum alloy as the base material, a hard alumite film is formed on the surface of the base material before coating with the tetrafluoride resin. In addition, the wire (24,
32) is a stainless steel wire coated with a tetrafluoride resin. Furthermore, titanium alloy may be used as the material for the links, pulleys, and wires. Such a tetrafluoride resin coating material generates a negligible amount of dust during sliding contact.

次に、上記ハンドリング機構によりウェハをエツチング
処理室に出入れする場合について説明する。
Next, the case where the wafer is taken in and out of the etching processing chamber by the handling mechanism will be described.

図示しないロボットハンドによりウニ八カセットからウ
ェハ■を一枚だけ抜取り、これをステージ(11)上に
一旦載置する。載置されたウェハ■を、ロボットハンド
及びセンサ(図示せず)により所望の位置になるように
アライメントする。このようにして、ウェハ■をステー
ジ(11)上で予め位置決めした後に、ゲートバルブ(
9)を下降させ、搬入予備室の開口(4a)を開く。
A robot hand (not shown) pulls out only one wafer (2) from the cassette and places it on the stage (11). The placed wafer (2) is aligned to a desired position using a robot hand and a sensor (not shown). In this way, after pre-positioning the wafer ■ on the stage (11), the gate valve (
9) and open the opening (4a) of the carry-in preliminary chamber.

ハンドリング機構0の駆動機構の動作は、所定のコンピ
ュータソフトプログラミングに基づきコンピュータ制御
されるようになっている。ベース部材(18)を旋回さ
せ、保持部材(14)のウェハ挿入口(14a)を開口
(4a)へ向ける。次いで、ステッピングモータで軸(
19)を低速回転させ、ハンドリング機構(6)のアー
ムを伸ばす。保持部材(14)をステージ(11)上の
ウェハ■に向って直進させ、ウェハ(1)を保持部材(
14)により保持する。ウェハ保持の確認後に、ステッ
ピングモータを逆転させてアームを縮め、保持部材(1
4)によりウェハ(])を保持しつつ、これを予備室(
イ)に搬入する。ゲートバルブ(9)を上昇させ、予備
室の開口(4a)を閉じる。次いで、予備室(4)の内
圧が真空処理室(3)の内圧と同等程度になるまで、予
備室(イ)内のガスを真空ポンプにより排気する。予備
室(イ)の内圧が所定値に到達すると、ゲートバルブ(
9)を下降させ、予備室に)と真空処理室■とを連通さ
せる。ベース部材(18)を反時計回りに90°旋回さ
せ、保持部材(14)を真空処理室■に向ける。次いで
、軸(19)を正転させてアームを伸ばし、保持部材(
14)に保持されたウェハO)を予備室(4)から真空
処理室■に搬入し、保持部材(14)からステージ(2
)」−にウェハO)を移ス。軸(]9)を逆転させてア
ームを縮め、保持部材(14)を予備室(イ)に戻す。
The operation of the drive mechanism of the handling mechanism 0 is computer controlled based on predetermined computer software programming. The base member (18) is rotated to direct the wafer insertion port (14a) of the holding member (14) toward the opening (4a). Next, the stepping motor moves the shaft (
19) at low speed and extend the arm of the handling mechanism (6). The holding member (14) is moved straight toward the wafer (1) on the stage (11), and the wafer (1) is held on the holding member (
14). After confirming that the wafer is being held, the stepping motor is reversed, the arm is retracted, and the holding member (1
4) while holding the wafer (]) in the preliminary chamber (
b). Raise the gate valve (9) and close the opening (4a) of the preliminary chamber. Next, the gas in the preliminary chamber (a) is evacuated by a vacuum pump until the internal pressure of the preliminary chamber (4) becomes approximately equal to the internal pressure of the vacuum processing chamber (3). When the internal pressure of the preliminary chamber (a) reaches a predetermined value, the gate valve (
9) is lowered to connect the preliminary chamber) with the vacuum processing chamber (2). The base member (18) is rotated 90° counterclockwise to direct the holding member (14) toward the vacuum processing chamber (2). Next, the shaft (19) is rotated in the normal direction to extend the arm, and the holding member (
The wafer O) held in the holding member (14) is carried into the vacuum processing chamber ■ from the preliminary chamber (4), and the wafer O) held in the stage (2
)” - Transfer the wafer O). Reverse the shaft (]9) to retract the arm and return the holding member (14) to the preliminary chamber (A).

ゲートバルブ■を」1昇させ、真空処理室(3)を予備
室(イ)から遮断する。気密状態にされた真空処理室(
3)内にてウェハ(わをエツチング処理する。
Raise the gate valve (■) by 1" to shut off the vacuum processing chamber (3) from the preliminary chamber (A). Airtight vacuum processing chamber (
3) Etching the wafer inside.

エツチング処理終了後、ゲートバルブ(8)を下降させ
、予め真空状態にされた搬出予備室0と真空処理室■と
を相互に連通させる。予備室0内の第2のハンドリング
機構(へ)のアームを伸ばし、保持部材(14)により
ステージ■上のウェハ(,1)を保持する。ウェハ(1
)の保持が確認されると、軸(19)を逆転させてアー
ムを縮め、保持部材(14)に保持されたウェハを真空
処理室から予備室に搬入する。ゲートバルブを上昇させ
、予備室0を真空処理室(3)から遮断する。ベース部
材(13)を反時計回りに90°旋回させ、保持部材(
14)をゲートバルブ(1o)に向ける。グー1−バル
ブ(10)を下降させて予備室■を開き、軸(]9)を
正転させてアームを伸ばし、予備室(へ)から外部ヘウ
エハ(1)を搬出する。ウェハ搬出後、アームを縮めて
予備室■内に保持部材−15= (14)を戻し、ゲートバルブ(10)を上昇させて予
備室(ハ)を気密にし、予備室0内のエアを排気する。
After the etching process is completed, the gate valve (8) is lowered to allow the unloading preliminary chamber 0, which has been evacuated in advance, and the vacuum processing chamber 2 to communicate with each other. The arm of the second handling mechanism (toward) in the preliminary chamber 0 is extended, and the wafer (, 1) on the stage (1) is held by the holding member (14). Wafer (1
), the shaft (19) is reversed to retract the arm, and the wafer held by the holding member (14) is carried from the vacuum processing chamber to the preliminary chamber. The gate valve is raised to shut off the preliminary chamber 0 from the vacuum processing chamber (3). Rotate the base member (13) 90 degrees counterclockwise and hold the holding member (
14) towards the gate valve (1o). Goo 1 - Lower the valve (10) to open the preliminary chamber (2), rotate the shaft (9) in the normal direction to extend the arm, and carry out the wafer (1) from the preliminary chamber (into) to the outside. After carrying out the wafer, retract the arm and return the holding member -15= (14) into the preliminary chamber ■, raise the gate valve (10) to make the preliminary chamber (c) airtight, and exhaust the air in the preliminary chamber 0. do.

これにより予備室(ハ)が、次回のウェハを受入可能な
状態となる。
As a result, the preliminary chamber (c) becomes ready to receive the next wafer.

次に、ハンドリング機構■のアームを伸縮させたときに
、アーム先端の保持部材(14)が直進する理由につい
て説明する。
Next, the reason why the holding member (14) at the tip of the arm moves straight when the arm of the handling mechanism (1) is extended or contracted will be explained.

このハンドリング機構(0のアームは、三段の平行リン
ク機構で構成されている。第一段の平行リンク機構のア
ーム(第1及び第2のリンク1.5.16)と、第二段
の平行リンク機構のアーム(第4及び第5のリンク25
.26)との長さの比を1:2に設定しである。また、
第1−乃至第3の小プーリ(23,30゜31)と、大
プーリ(19)との直径の比も1:2に設定しである。
This handling mechanism (arm 0) is composed of three stages of parallel link mechanisms.The arms of the first stage parallel link mechanism (first and second links 1.5.16), Parallel linkage arm (fourth and fifth link 25
.. 26) and the length ratio is set to 1:2. Also,
The ratio of the diameters of the first to third small pulleys (23, 30° 31) and the large pulley (19) is also set to 1:2.

このため、軸(19)により直接駆動される第1のリン
クの角変位量が1126″の場合に、小プーリを介して
間接的に駆動される第4のリンク(15)の角変位量が
“δ″になる。従って、第1のリンク(15)の先端の
変位量は(2δXi/2L)となり、第4のリンク(2
5)の先端の変位量は(δ×L)となるので、結局、両
者が相殺されてアーム先端の軌跡は直線を描く。
Therefore, when the angular displacement of the first link directly driven by the shaft (19) is 1126'', the angular displacement of the fourth link (15) indirectly driven via the small pulley is Therefore, the displacement amount of the tip of the first link (15) is (2δXi/2L), and the displacement amount of the tip of the first link (15) is (2δXi/2L),
Since the amount of displacement of the tip of 5) is (δ×L), the two cancel each other out and the locus of the tip of the arm draws a straight line.

なお、上記アームを四段又は1段あるいはそれ以」二の
段数の平行リンク機構の組合わせとすることも可能であ
る。
Note that the arm may be a combination of parallel link mechanisms of four stages, one stage, or two or more stages.

」1記実施例のエツチング処理装置によれば、非使用時
の装置を(LXLXH)のスペースに収納することがで
き、最大搬送距離を2Lとすることができる。例えば、
〔8〕インチ径のウェハの処理装置のハンドリング機構
においては、この機構収納スペースが(310) mn
 X [310) mm X (80) ytn、最大
搬送距離がl:370)mnになる。 このため、ウェ
ハ搬出搬入用の予備室の容積を小さくすることができ、
真空処理前の備準時間を大幅に短縮することができる。
According to the etching processing apparatus of the first embodiment, the apparatus can be stored in a space of (LXLXH) when not in use, and the maximum conveyance distance can be set to 2L. for example,
[8] In the handling mechanism of a processing device for inch-diameter wafers, the storage space for this mechanism is (310) mn
X [310) mm X (80) ytn, the maximum transport distance is l:370)mn. Therefore, the volume of the preliminary chamber for loading and unloading wafers can be reduced.
Preparation time before vacuum processing can be significantly shortened.

また、上記実施例によれば、各リンク、プーリ及びワイ
ヤをそれぞれ四弗化樹脂コーティングしであるので、部
材相互の接触摺動による塵の発生量は極めて微量である
。また、ワイヤは、プーリに対して滑ることなく、プー
リと共に動く。このため、予備室から真空処理室への塵
の侵入が極めて少なく、真空処理室内の超クリーン度を
高レベルに維持することができる。
Further, according to the above embodiment, since each link, pulley, and wire are coated with a tetrafluoride resin, the amount of dust generated due to sliding contact between the members is extremely small. Also, the wire moves with the pulley without slipping against it. Therefore, the intrusion of dust from the preparatory chamber into the vacuum processing chamber is extremely small, and it is possible to maintain a high level of ultra-cleanliness within the vacuum processing chamber.

また、上記実施例によれば、コンピュータソフトプログ
ラミングを利用してハンドリング機構の各種動作をコン
トロールすることができるので、ウェハを無人搬送する
ことができる。
Further, according to the above embodiment, since various operations of the handling mechanism can be controlled using computer software programming, wafers can be transported unmanned.

なお、上記実施例では、ハンドリング機構によリウエハ
をエツチング装置の真空処理室に出入れする場合につい
て説明したが、これに限られることなく、他の半導体ウ
ェハや液晶基板(LCD)を種々の加工装置及び検査装
置に出入れすることもできる。
In the above embodiment, a case was explained in which a rewafer is taken in and out of a vacuum processing chamber of an etching apparatus by a handling mechanism, but the present invention is not limited to this, and other semiconductor wafers and liquid crystal substrates (LCDs) can be processed in various ways. It also allows access to and from equipment and inspection equipment.

この発明によれば、軽量・小型かつコンパクトで、大き
な搬送距離を得ることができる半導体ウェハ処理装置を
提供することができる。特に、非使用時における装置の
占有スペースを、従来のパンタグラフ式のハンドリング
機構よりも大幅に小さくすることができるので、゛真空
処理を必要とするエツチング装置等における半導体ウェ
ハの搬送に最適である。例えば、アームを三段の平行リ
ンク機構で構成した場合に、収納状態における装置の占
有スペースの減少率は約〔35〕%である。
According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor wafer processing apparatus that is lightweight, small, and compact, and is capable of obtaining a long transport distance. In particular, since the space occupied by the apparatus when not in use can be made much smaller than the conventional pantograph-type handling mechanism, it is ideal for transporting semiconductor wafers in etching apparatuses that require vacuum processing. For example, when the arm is configured with a three-stage parallel link mechanism, the space occupied by the device in the stored state is reduced by approximately [35]%.

また、この発明の半導体ウェハ処理装置によれば、駆動
時に機構から発生する塵の量が極めて少なく、超クリー
ン度を維持する必要がある加工装置又は検査装置、例え
ば、イオン注入装置やプロービングマシンにおいて半導
体ウェハを枚葉処理するのに最適である。
Further, according to the semiconductor wafer processing apparatus of the present invention, the amount of dust generated from the mechanism during operation is extremely small, and it can be used in processing equipment or inspection equipment that needs to maintain ultra-cleanliness, such as ion implantation equipment or probing machines. Ideal for single-wafer processing of semiconductor wafers.

上記実施例ではエツチング装置に適用した例について説
明したが、処理装置であればアッシング装置やイオン注
入装置、スパッタ装置など半導体ウェハ処理装置であれ
ば何れにも適用できることは説明するまでもないことで
ある。
In the above embodiment, an example was explained in which the present invention was applied to an etching device, but it goes without saying that it can be applied to any semiconductor wafer processing device such as an ashing device, an ion implantation device, a sputtering device, etc. be.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、複数段の平行リン
クを回動可能に連結した平行リンク機構により半導体ウ
ェハを搬送することにより、長い距離の搬送がコンパク
トな構成で出来、ウェハの搬送に好適である。
As explained above, according to the present invention, by transporting a semiconductor wafer using a parallel link mechanism in which multiple stages of parallel links are rotatably connected, long-distance transport can be achieved with a compact configuration, and the wafer can be transported easily. suitable.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明装置をエツチング処理装置に適用して説
明するための搬送工程説明図、第2図は第1図の半導体
ウェハ搬送機構の伸長した状態を説明するための機構説
明図、第3図及び第4図は第1図の半導体ウェハ搬送機
構の縮短した状態を説明するための機構説明図、第5図
は第2図の平行リング機構の動作を説明するための原理
説明図である。 1・・・ウェハ       2・・・ステージ(載置
台)3・・・真空処理室     4,5・・・予備室
6・・・ハンドリング機構  7,8,8,10・・・
ゲートバルブ11・・・ステージ      14・・
・保持部材15・・・第1のリンク    16・・・
第2のリンク17・・・第3のリンク 特許出願人  東京エレクトロン株式会社−20= す4図 ;Ars咽 Jよ    34 2δ 332゜ 3/ 2夕 Z
FIG. 1 is an explanatory diagram of the transport process for explaining the application of the present invention apparatus to an etching processing apparatus, FIG. 2 is a mechanism explanatory diagram for explaining the extended state of the semiconductor wafer transport mechanism of FIG. 1, and FIG. 3 and 4 are mechanism explanatory diagrams for explaining the shortened state of the semiconductor wafer transfer mechanism shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a principle explanatory diagram for explaining the operation of the parallel ring mechanism shown in FIG. 2. be. 1... Wafer 2... Stage (mounting table) 3... Vacuum processing chamber 4, 5... Preliminary chamber 6... Handling mechanism 7, 8, 8, 10...
Gate valve 11...Stage 14...
- Holding member 15...first link 16...
Second link 17...Third link Patent applicant Tokyo Electron Ltd. -20= Figure 4;

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体ウェハを処理室へ自動的に搬入し、搬出す
る半導体ウェハ処理装置において、上記半導体ウェハの
搬入搬出を複数段の関節を有し関節間を平行リンクで構
成した平行リンク機構のアームにより行うことを特徴と
する半導体ウェハ処理装置。
(1) In a semiconductor wafer processing apparatus that automatically carries semiconductor wafers into and out of a processing chamber, an arm of a parallel link mechanism having multiple stages of joints and configured with parallel links between the joints is used to carry in and out the semiconductor wafers. A semiconductor wafer processing apparatus characterized in that processing is performed by:
(2)特許請求の範囲第1項記載の半導体ウェハ処理装
置において、平行リンク機構の各リンク部材は表面を四
弗化樹脂で表面処理したものであることを特徴とする半
導体ウェハ処理装置。
(2) A semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein each link member of the parallel link mechanism has a surface treated with a tetrafluoride resin.
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