JPH01152716A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
- Publication number
- JPH01152716A JPH01152716A JP31288687A JP31288687A JPH01152716A JP H01152716 A JPH01152716 A JP H01152716A JP 31288687 A JP31288687 A JP 31288687A JP 31288687 A JP31288687 A JP 31288687A JP H01152716 A JPH01152716 A JP H01152716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- cooling water
- holding part
- cooling
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- SYHGEUNFJIGTRX-UHFFFAOYSA-N methylenedioxypyrovalerone Chemical compound C=1C=C2OCOC2=CC=1C(=O)C(CCC)N1CCCC1 SYHGEUNFJIGTRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、高エネルギー線ビームで半導体ウェハ等の被
処理物を照射加熱(アニール)するビームアニール装置
に関する。
処理物を照射加熱(アニール)するビームアニール装置
に関する。
(従来の技術)
近年、アニール技術として、高エネルギー線ビームの光
エネルギーを被処理物例えば半導体・クエへ表面に吸収
させ、熱エネルギーの形に変換して被処理物の表面層の
熱処理(アニール)を行うビームアニール技術が注目さ
れており、半導体製造においては、半導体ウェハ表面層
の結晶性回復や導入不純物の活性化等に主として用いら
れている技術である。
エネルギーを被処理物例えば半導体・クエへ表面に吸収
させ、熱エネルギーの形に変換して被処理物の表面層の
熱処理(アニール)を行うビームアニール技術が注目さ
れており、半導体製造においては、半導体ウェハ表面層
の結晶性回復や導入不純物の活性化等に主として用いら
れている技術である。
例えば3次元素子の開発においで基本となるSQ ((
Silicon On In5ulator)技術は、
基体表面に形成された絶縁股上にさらにシリコン甲結晶
を形成し、このシリコン単結晶上に素子を形成する技術
であり、このSol技術において絶縁股上に単結晶を形
成する方法の−・つとして、上記ビームアニール技術が
注目されている。例えば、化学気相成長法(CVD:C
hemical Vapor Deposition
)等により絶縁股上に形成された非単結晶シリコン層に
、シー1f等の高エネルー1′−線ビームを照射して、
非単結晶シリコン層を単結晶化する技術に応用されてい
る。
Silicon On In5ulator)技術は、
基体表面に形成された絶縁股上にさらにシリコン甲結晶
を形成し、このシリコン単結晶上に素子を形成する技術
であり、このSol技術において絶縁股上に単結晶を形
成する方法の−・つとして、上記ビームアニール技術が
注目されている。例えば、化学気相成長法(CVD:C
hemical Vapor Deposition
)等により絶縁股上に形成された非単結晶シリコン層に
、シー1f等の高エネルー1′−線ビームを照射して、
非単結晶シリコン層を単結晶化する技術に応用されてい
る。
このような半導体製造のビームアニールに使用するビー
ムアニール装置としては、上下2分割が可能な円筒状の
チャンバ内部に被処理物を予備加熱するための円板状の
サセプタを配設し、該サセプタ下面に半導体ウェハを例
えば吸着保持して、半導体ウェハ下方向からレーデ光を
走査照射してアニールを行うものがある。一般にこのよ
うなビームアニール装置では、サセプタの加熱機構が具
備されており、例えばチャンバ上方に光熱源例えばIR
クランプが配設され、チャンバ上面に取付けられた石英
ガラス等から光熱源の輻ひ1熱を取入れて、サセプタを
例えば500℃程度に予備加熱するように構成されてい
る。
ムアニール装置としては、上下2分割が可能な円筒状の
チャンバ内部に被処理物を予備加熱するための円板状の
サセプタを配設し、該サセプタ下面に半導体ウェハを例
えば吸着保持して、半導体ウェハ下方向からレーデ光を
走査照射してアニールを行うものがある。一般にこのよ
うなビームアニール装置では、サセプタの加熱機構が具
備されており、例えばチャンバ上方に光熱源例えばIR
クランプが配設され、チャンバ上面に取付けられた石英
ガラス等から光熱源の輻ひ1熱を取入れて、サセプタを
例えば500℃程度に予備加熱するように構成されてい
る。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上述した従来のビー装置アニール装首で
は、加熱機構からの熱やサセプタの輻射熱により、すセ
ブタのみならず、その周辺II例えば駆動系や種々のセ
ンサ、制御機器等の周辺機器をも加熱してしまい、この
熱影響により、駆動系例えばベアリングの動作不良や、
センサ等の誤動作等を病くという問題があった。またこ
れら周辺機器の熱対策が必要となるため、装置のコスト
アップにつながるという問題があった。
は、加熱機構からの熱やサセプタの輻射熱により、すセ
ブタのみならず、その周辺II例えば駆動系や種々のセ
ンサ、制御機器等の周辺機器をも加熱してしまい、この
熱影響により、駆動系例えばベアリングの動作不良や、
センサ等の誤動作等を病くという問題があった。またこ
れら周辺機器の熱対策が必要となるため、装置のコスト
アップにつながるという問題があった。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、サセプタやサセプタ加熱機構から周辺機器への熱影
響が低減でき、チャンバ周辺機器の熱損傷を防止すると
ともに装置のコストダウンが図れるビームアニール装置
を提供することを目的とする。
で、サセプタやサセプタ加熱機構から周辺機器への熱影
響が低減でき、チャンバ周辺機器の熱損傷を防止すると
ともに装置のコストダウンが図れるビームアニール装置
を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明のビームアニール装置は、内部に処理室を有する
チャンバと、前記処理室内に配設され被処理物を保持す
る保持部と、前記保持部をチャンバ内壁に支持する支持
部と、前記保持部を直接または間接的に加熱するだめの
加熱機構と、前記被処理物表面に高エネルギー線ビーム
を走査照射するビーム照射機構とを備え、予め被処理物
を加熱してアニール処理するように構成されたビームア
ニール装置において、前記チャンバ壁または支持部に配
設され冷却水を導入する冷却配管と、前記冷却配管に冷
却水を供給する冷24+水供給機構とを具備したことを
特徴とするものである。
チャンバと、前記処理室内に配設され被処理物を保持す
る保持部と、前記保持部をチャンバ内壁に支持する支持
部と、前記保持部を直接または間接的に加熱するだめの
加熱機構と、前記被処理物表面に高エネルギー線ビーム
を走査照射するビーム照射機構とを備え、予め被処理物
を加熱してアニール処理するように構成されたビームア
ニール装置において、前記チャンバ壁または支持部に配
設され冷却水を導入する冷却配管と、前記冷却配管に冷
却水を供給する冷24+水供給機構とを具備したことを
特徴とするものである。
(作 用)
チャンバ壁または支持部に配設され冷」水を導入する冷
却配管と、この冷却配管に冷却水を供給する冷却水供給
機構により、被処理物の保持部や加熱機構からの熱によ
る周辺機器の温度上昇を防止でき、チャンバ周辺機器の
熱損傷を防IIl:づるとともに装置のコストダウンが
図れる。
却配管と、この冷却配管に冷却水を供給する冷却水供給
機構により、被処理物の保持部や加熱機構からの熱によ
る周辺機器の温度上昇を防止でき、チャンバ周辺機器の
熱損傷を防IIl:づるとともに装置のコストダウンが
図れる。
(実施例)
以下、本発明をレーザアニール装置に適用した一実施例
について第1図ないし第5図を参照して説明する。
について第1図ないし第5図を参照して説明する。
処理室1は、例えばスデンレスやアルミニウムからなる
円筒状上M2と、例えばアルミニウムからなる円筒状下
蓋3とにより構成されたチャンバ4に郭定されており、
上記上蓋2および下蓋3は、図示を省略したチャンバ開
閉機構例えばエアーシリンダにより、例えば20mm程
度相対的に開閉自在に取付けられている。
円筒状上M2と、例えばアルミニウムからなる円筒状下
蓋3とにより構成されたチャンバ4に郭定されており、
上記上蓋2および下蓋3は、図示を省略したチャンバ開
閉機構例えばエアーシリンダにより、例えば20mm程
度相対的に開閉自在に取付けられている。
処理作業中は、この上蓋2と下蓋3が開状態となり、チ
ャンバ側壁に設けられたガス導入部例えば第2図に示し
たような、チャンバ内壁に沿って円弧状に形成されたガ
ス導入管5の内周面に複数穿設された排出口から、例え
ば窒素ガスや酸素ガス等が導入されて被処理物の処理面
とほぼ平行に流れて、ガス導入管5と対向する内壁に穿
設された排気口6から排出される。排気ガスCは第3図
に示したように装置上部に設けられた排出管7に導かれ
て、装置内上部の充満ガスとともに装置外へと排出され
る。
ャンバ側壁に設けられたガス導入部例えば第2図に示し
たような、チャンバ内壁に沿って円弧状に形成されたガ
ス導入管5の内周面に複数穿設された排出口から、例え
ば窒素ガスや酸素ガス等が導入されて被処理物の処理面
とほぼ平行に流れて、ガス導入管5と対向する内壁に穿
設された排気口6から排出される。排気ガスCは第3図
に示したように装置上部に設けられた排出管7に導かれ
て、装置内上部の充満ガスとともに装置外へと排出され
る。
上蓋2の上壁および下蓋3の下壁には、夫々間口部2a
13aが穿設されており、各開口部2a13aには透明
部材例えば直径220m111の石英ガラス8.9が嵌
込まれている。
13aが穿設されており、各開口部2a13aには透明
部材例えば直径220m111の石英ガラス8.9が嵌
込まれている。
処理室1内部の中央部付近には、半導体1クエ八を予備
加熱するための、例えば直径220mm 、厚さ20m
mの例えばカーボングラファイトからなるサセプタ10
が配設されており、このサセプタ10の下面はバキュー
ムヂャック構造となっており、図示を省略した搬送機構
により搬送された半導体ウェハ11をサセプタ10下面
に吸着保持するように構成されている。
加熱するための、例えば直径220mm 、厚さ20m
mの例えばカーボングラファイトからなるサセプタ10
が配設されており、このサセプタ10の下面はバキュー
ムヂャック構造となっており、図示を省略した搬送機構
により搬送された半導体ウェハ11をサセプタ10下面
に吸着保持するように構成されている。
このサセプタ1o外周面には、これと間隙を保持して例
えば外径250mm、高さ50mm、肉厚10mmのス
テンレスからなる回転リング12が固設されており、こ
の回転リング12とサセプタ10の間隙に設けられた複
数の断熱性支持部材、例えばセラミック製支持部材13
により、サセプタ10が回転リング12に保持されてい
る。回転リング12は、その外周面に設けられたベアリ
ング14を介して上蓋内壁に取付けられており、図示を
省略したリング回転別構により、サセプタに吸着保持し
た半導体ウェハ11のθ方向の角度微調整を行う。
えば外径250mm、高さ50mm、肉厚10mmのス
テンレスからなる回転リング12が固設されており、こ
の回転リング12とサセプタ10の間隙に設けられた複
数の断熱性支持部材、例えばセラミック製支持部材13
により、サセプタ10が回転リング12に保持されてい
る。回転リング12は、その外周面に設けられたベアリ
ング14を介して上蓋内壁に取付けられており、図示を
省略したリング回転別構により、サセプタに吸着保持し
た半導体ウェハ11のθ方向の角度微調整を行う。
チャンバ4上方には、サセプタ10の加熱機構として、
光熱源例えば反射板15を備えた数キロワットのIRラ
ンプ(Infrared Ray Ramp ) 16
が配設されており、このIRクランプ6からの赤外線が
石英ガラス8を透過して、サセプタ10を例えば500
℃まで予備加熱するように構成されている。一方、チャ
ンバ4下方向には、図示を省略したレーザ照射機構が配
設されており、このレーザ出力機構から出力されたレー
ザ光、例えば、CW−Arガスレーザ光Aを石英ガラス
9を通して半導体ウェハ8表面に走査照射してアニール
処理を行う。
光熱源例えば反射板15を備えた数キロワットのIRラ
ンプ(Infrared Ray Ramp ) 16
が配設されており、このIRクランプ6からの赤外線が
石英ガラス8を透過して、サセプタ10を例えば500
℃まで予備加熱するように構成されている。一方、チャ
ンバ4下方向には、図示を省略したレーザ照射機構が配
設されており、このレーザ出力機構から出力されたレー
ザ光、例えば、CW−Arガスレーザ光Aを石英ガラス
9を通して半導体ウェハ8表面に走査照射してアニール
処理を行う。
ところで、このような構成のレーデアニール装置では、
IRクランプ6からの赤外線や、サセプタ10からの輻
射熱により、ベアリング14や上蓋2、チャンバ4に外
設されている図示を省略したセンサや制御機器等の周辺
機器が、例えば500℃の高温となるため、これら周辺
機器が高熱により損傷する恐れがあり、例えば回転リン
グのベアリング14には、潤滑油としてホンプリングリ
ース等が使用されており、高熱下の使用によりこのグリ
ースが劣化する恐れがある。このような熱的影響を低減
するために回転リング12および上蓋2には冷fj′1
機構が設しプられている。
IRクランプ6からの赤外線や、サセプタ10からの輻
射熱により、ベアリング14や上蓋2、チャンバ4に外
設されている図示を省略したセンサや制御機器等の周辺
機器が、例えば500℃の高温となるため、これら周辺
機器が高熱により損傷する恐れがあり、例えば回転リン
グのベアリング14には、潤滑油としてホンプリングリ
ース等が使用されており、高熱下の使用によりこのグリ
ースが劣化する恐れがある。このような熱的影響を低減
するために回転リング12および上蓋2には冷fj′1
機構が設しプられている。
冷却機構は、回転リング12内部に設けられたリング冷
却通水路17と、上蓋2上面の内部に設けられた上蓋冷
却通水路18と、これら通水路17.18に冷却水を循
環さぼる循環ポンプ19とから構成されている。
却通水路17と、上蓋2上面の内部に設けられた上蓋冷
却通水路18と、これら通水路17.18に冷却水を循
環さぼる循環ポンプ19とから構成されている。
リング冷却通水路17は、第4図に示すように、回転リ
ング10の内周面上部に、断面が例えば5゜+nm角の
水路をリング内周に沿って環状に形成したものである。
ング10の内周面上部に、断面が例えば5゜+nm角の
水路をリング内周に沿って環状に形成したものである。
そして、回転リング上面の少なくとも一箇所には、冷却
通水路17に連通ずる冷却水供給口20が穿設されてお
り、この冷却水供給口20上面には、側面に冷却水供給
管21が挿着され、循環ポンプ19から圧送された冷却
水Bを冷却水供給口20から冷却水通路17に導入する
ための、給水ジ9ツク22が取付けられている。冷却水
Bは、この給水ジャック22がらリング冷却通水路17
内に導入されて熱交換された後、図示を省略した冷却水
排出口から排出される。
通水路17に連通ずる冷却水供給口20が穿設されてお
り、この冷却水供給口20上面には、側面に冷却水供給
管21が挿着され、循環ポンプ19から圧送された冷却
水Bを冷却水供給口20から冷却水通路17に導入する
ための、給水ジ9ツク22が取付けられている。冷却水
Bは、この給水ジャック22がらリング冷却通水路17
内に導入されて熱交換された後、図示を省略した冷却水
排出口から排出される。
上記冷却通水路17の構成は非常に簡素であるため、そ
の作製に当っては、予め回転リング12内周面に冷却溝
23を形成しておき、この冷fJl !M23の開口に
薄リング体24を溶着することで容易に製作することが
できる。
の作製に当っては、予め回転リング12内周面に冷却溝
23を形成しておき、この冷fJl !M23の開口に
薄リング体24を溶着することで容易に製作することが
できる。
一方、上蓋2上面に設けられた上蓋冷却通水路18も上
記回転リングの冷却機構と同様な考え方で構成されてお
り、第5図に示づ°ように、上蓋2上面に例えば、幅1
0mm、深さ5mmの冷却溝25を環状に形成し、その
間口に薄リング体26を溶着して構成されている。尚、
冷却溝25の断面形状は、IRランプ16からの熱を効
率良く吸収するために、上面部の面積を広く例えば幅広
形状にするとよい。
記回転リングの冷却機構と同様な考え方で構成されてお
り、第5図に示づ°ように、上蓋2上面に例えば、幅1
0mm、深さ5mmの冷却溝25を環状に形成し、その
間口に薄リング体26を溶着して構成されている。尚、
冷却溝25の断面形状は、IRランプ16からの熱を効
率良く吸収するために、上面部の面積を広く例えば幅広
形状にするとよい。
これら冷却通水路17.18を循環する冷却水の温度は
、低温である程よいが、特に冷ff1lする必要はなく
、常温例えば20℃程度でもよく、リーセプタ10の渇
痕が500℃に加熱されている場合には、常温の冷却水
でもチャンバ4上面部および側面部近傍の温度は50〜
60°Cまで低下した。
、低温である程よいが、特に冷ff1lする必要はなく
、常温例えば20℃程度でもよく、リーセプタ10の渇
痕が500℃に加熱されている場合には、常温の冷却水
でもチャンバ4上面部および側面部近傍の温度は50〜
60°Cまで低下した。
従って、回転リングのベアリング14やチャンバ下蓋2
、その他チt・ンバ周辺m器の熱影響による損傷の恐れ
がなくなり、装置全体の耐久性を向上さじることができ
る。ざらには、部材や機器の選択自由度が大きくなり、
例えば高価な耐熱部材や、耐熱性機器を使用する必要が
なくなるので、装置のコストダウンも可能になる。尚、
本例の冷却機構は、その構成がr!gs ’rあるため
、これにょるコスj−アップは装置全体でみれば無視で
きる程度のものである。
、その他チt・ンバ周辺m器の熱影響による損傷の恐れ
がなくなり、装置全体の耐久性を向上さじることができ
る。ざらには、部材や機器の選択自由度が大きくなり、
例えば高価な耐熱部材や、耐熱性機器を使用する必要が
なくなるので、装置のコストダウンも可能になる。尚、
本例の冷却機構は、その構成がr!gs ’rあるため
、これにょるコスj−アップは装置全体でみれば無視で
きる程度のものである。
ところで、上述実施例では、冷PA機構をチャンバ上蓋
2および回転リング12に設けたが、本発明はこの取付
は位置に限定されるものではなく、例えば、チャンバ下
蓋3に取付ければチャンバ下方の温度を低下させて、図
示を省略したレーザ光学機器等への熱影響を低減できる
等、高熱部に設ければいずれの位置でも効果がある。
2および回転リング12に設けたが、本発明はこの取付
は位置に限定されるものではなく、例えば、チャンバ下
蓋3に取付ければチャンバ下方の温度を低下させて、図
示を省略したレーザ光学機器等への熱影響を低減できる
等、高熱部に設ければいずれの位置でも効果がある。
また、冷却通水路の構成についても上述実施例に限定さ
れず、例えば、回転リングやヂせンバ上蓋の内部に冷却
水循環配管を押設した構成どしてもよい。
れず、例えば、回転リングやヂせンバ上蓋の内部に冷却
水循環配管を押設した構成どしてもよい。
[発明の効果]
以上説明したように本発明のビームアニール装置によれ
ば、簡素な構成でサセプタやサセプタ加熱機構から周辺
機器への熱影響を低減でき、チャンバ周辺機器の熱損傷
を防止するとともに装置のコストダウンが可能となる。
ば、簡素な構成でサセプタやサセプタ加熱機構から周辺
機器への熱影響を低減でき、チャンバ周辺機器の熱損傷
を防止するとともに装置のコストダウンが可能となる。
第1図は本発明をレーザアニール装置に適用した一実施
例のヂA7ンバ周辺の構成を示す図、第2図はチャンバ
の径方向断面図、第3図は排気ガスの流れを示す図、第
4図は第1図のリング冷IJ]通水路を示す断面図、第
5図は第1図の上蓋冷却通水路を示づ断面図である。 1・・・・・・処理室、2・・・・・・上蓋、3・・・
・・・下蓋、4・・・・・・チャンバ、10・・・・・
・サセプタ、11・・・・・・半導体ウェハ、12・・
・・・・回転リング、14・・・・・・ベアリング、1
6・・・・・・IRクランプ17・・・・・・回転リン
グ冷却通水路、18・・・・・・上蓋冷却通水路、19
・・・・・・循環ポンプ。
例のヂA7ンバ周辺の構成を示す図、第2図はチャンバ
の径方向断面図、第3図は排気ガスの流れを示す図、第
4図は第1図のリング冷IJ]通水路を示す断面図、第
5図は第1図の上蓋冷却通水路を示づ断面図である。 1・・・・・・処理室、2・・・・・・上蓋、3・・・
・・・下蓋、4・・・・・・チャンバ、10・・・・・
・サセプタ、11・・・・・・半導体ウェハ、12・・
・・・・回転リング、14・・・・・・ベアリング、1
6・・・・・・IRクランプ17・・・・・・回転リン
グ冷却通水路、18・・・・・・上蓋冷却通水路、19
・・・・・・循環ポンプ。
Claims (2)
- (1)内部に処理室を有するチャンバと、前記処理室内
に配設され被処理物を保持する保持部と、前記保持部を
チャンバ内壁に支持する支持部と、前記保持部を直接ま
たは間接的に加熱するための加熱機構と、前記被処理物
表面に高エネルギー線ビームを走査照射するビーム照射
機構とを備え、予め被処理物を加熱してアニール処理す
るように構成されたビームアニール装置において、前記
チャンバ壁または支持部に配設され冷却水を導入する冷
却配管と、前記冷却配管に冷却水を供給する冷却水供給
機構とを具備したことを特徴とするビームアニール装置
。 - (2)ほぼ円筒状のチャンバと、このチャンバ内に配設
されたカーボングラファイトからなる円板状の保持部と
、この保持部に固設され該保持部の径方向を支持する回
転リングと、この回転リングと前記チャンバ内壁間に介
挿されたベアリングと、前記チャンバ上方に配設され、
前記保持部を間接的に加熱する光熱源と、前記前記回転
リング内周面近傍に埋設された第1の環状の冷却配管と
、前記チャンバ上壁表面近傍に埋設された第2の環状の
冷却配管と、前記第1、第2の冷却配管へ冷却水を循環
させる冷却水供給部とを具備していることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のビームアニール装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62312886A JP2700243B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62312886A JP2700243B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 加熱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01152716A true JPH01152716A (ja) | 1989-06-15 |
JP2700243B2 JP2700243B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=18034626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62312886A Expired - Fee Related JP2700243B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2700243B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02248041A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ光照射装置 |
WO1999022402A3 (en) * | 1997-10-24 | 1999-11-04 | Steag Rtp Systems Gmbh | Rapid thermal processing (rtp) system with rotating substrate |
JP2016009695A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法およびレーザーアニール装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6032317A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの熱処理方法および熱処理装置 |
JPS60223112A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体熱処理装置 |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP62312886A patent/JP2700243B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6032317A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの熱処理方法および熱処理装置 |
JPS60223112A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体熱処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02248041A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ光照射装置 |
WO1999022402A3 (en) * | 1997-10-24 | 1999-11-04 | Steag Rtp Systems Gmbh | Rapid thermal processing (rtp) system with rotating substrate |
JP2016009695A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法およびレーザーアニール装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2700243B2 (ja) | 1998-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5592581A (en) | Heat treatment apparatus | |
US4550245A (en) | Light-radiant furnace for heating semiconductor wafers | |
US6462310B1 (en) | Hot wall rapid thermal processor | |
KR102343692B1 (ko) | 저압 열 프로세스들을 위한 광 파이프 구조물 윈도우 | |
US11495479B2 (en) | Light pipe window structure for thermal chamber applications and processes | |
JPH05291158A (ja) | 熱処理装置 | |
US5370371A (en) | Heat treatment apparatus | |
KR100380213B1 (ko) | 반도체 처리 시스템 및 기판 처리 장치 | |
KR20120011878A (ko) | 가스 공급부를 갖는 석영 윈도우 및 이를 통합하는 프로세싱 장비 | |
JPH10504513A (ja) | 基板の均一加熱用装置 | |
JPH01152716A (ja) | 加熱装置 | |
US11319627B2 (en) | Vacuum processing apparatus | |
JPS61129834A (ja) | 光照射型熱処理装置 | |
JPH07245274A (ja) | 熱処理装置 | |
JP4401753B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP3789366B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPH01152718A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH0848595A (ja) | 枚葉式気相成長装置 | |
JP2010093069A (ja) | 基板の熱処理装置 | |
JP2976363B2 (ja) | 真空熱処理装置 | |
JP2005093911A (ja) | 基板処理装置 | |
KR100299910B1 (ko) | 열처리장치 | |
JP3240187B2 (ja) | 熱処理方法及びそれに用いる縦型熱処理装置 | |
KR20000065398A (ko) | 급속 열처리 공정 장치 | |
JPH0677153A (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |